JPH09511633A - パルスカウントfm復調器を具える受信機、及びパルスカウントfm復調器 - Google Patents

パルスカウントfm復調器を具える受信機、及びパルスカウントfm復調器

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JPH09511633A
JPH09511633A JP7526200A JP52620095A JPH09511633A JP H09511633 A JPH09511633 A JP H09511633A JP 7526200 A JP7526200 A JP 7526200A JP 52620095 A JP52620095 A JP 52620095A JP H09511633 A JPH09511633 A JP H09511633A
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ニーウヴェンブルフ ヨハネス ファン
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フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 入力セクション、周波数被変調入力信号が供給されるFM復調器及びLFセクションをこの順序に具え、FM復調器がパルス整形器及び低域通過フィルタを具えている受信機である。パルス整形器は少なくとも一つの負荷及びキャパシタンスの直列配置と、前記キャパシタンスの両端間に配置されたトランジスタのベース−エミッタ接合と、前記キャパシタンスを充電及び放電するスイッチング装置とを具える。パルス整形器は、キャパシタンスの充電を入力信号の第1の縁で開始して低雑音パルスを発生する。キャパシタンス電圧が単一トランジスタにより測定し、トランジスタがターンオンするとき、キャパシタンスの充電電流がこのトランジスタに転流され、キャパシタンス電圧が制限される。キャパシタンスは第2の縁で放電され、その後にサイクルが繰り返される。パルス整形器の出力信号はキャパシタンスを流れる電流に従って変化する信号である。

Description

【発明の詳細な説明】 パルスカウントFM復調器を具える受信機、及びパルスカウントFM復調器 本発明は、入力セクション、周波数被変調入力信号が供給されるFM復調器及 びLFセクションをこの順序に具え、FM復調器がパルス整形器及び低域通過フ ィルタを具えている受信機に関するものである。本発明は、このようなFM復調 器にも関するものである。 このような受信機は音声を搬送波の周波数変調として送信する無線放送信号及 び/又はテレビジョン放送信号用に一般に適用しうる。このようなFM復調器は 一般に上述の受信機用に好適である。 “Funkschau”,No.15,1970,pp.500-502に、パルス整形器及び低域通過フィ ルタを具えた受信機用のFM復調器が記載されている。パルス整形器は(従来の FM復調器において)周波数被変調信号の少なくとも一つの縁において一定の形 状及び幅のパルスを発生させるのに使用される。このパルス整形器は2つの順次 のパルス間の時間が変調に応じて変化するパルス列を発生する。このパルス列を 低域通過フィルタによりフィルタ処理することにより変調信号が得られる。この ようなパルスカウントFM復調器は広い周波数範囲に亘ってほぼ直線性であるた め、これを受信機に使用すると、復調の結果としての歪みが他のタイプのFM復 調器を具える受信機の場合と比較して極めて低くなる。この広い周波数範囲に亘 る直線性の結果として、このパルスカウントFM復調器は、搬送波周波数がシス テム標準に依存して広範囲の値を有しうる周波数被変調音声を復調するマルチ標 準テレビジョン受信機に特に好適に使用し得る。 このようなパルスカウントFM復調器を具える受信機の欠点は、FM復調器の 出力電圧内のFM成分が周波数被変調信号の搬送波周波数により制限される点に ある。ラジオにおいては、例えば最大周波数スイングが10.7MHzに変換さ れた搬送波周波数において75kHzに制限されており、このことは出力電圧中 の変調成分が0.75%以下であることを意味する。その結果として、復調器は 雑音にセンシティブであり、受信機の信号対雑音比の悪化をもたらす。一つの可 能な解決方法としては、受信機の中間周波数を低くして周波数スイングと中間周 波数との比を大きくすることが考えられる。この方法は、例えばミクサ及びフィ ルタのような追加の素子を必要とする。雑音の影響を低減する他の可能な方法と してはパルス振幅を増大させることが考えられる。しかし、これを集積回路で実 現する場合には、集積回路に通常使用されている低い電源電圧のためにパルス振 幅を無制限に大きくすることはできない。 本発明の目的は、同等の周波数範囲内において許容直線性を維持しながら、既 知のパルスカウントFM変調器により達成しうる雑音レベルよりかなり低い雑音 レベルで出力を発生する、簡単に集積可能なパルスカウントFM復調器を受信機 に設けることにより、これらの問題を簡単に緩和することにある。 本発明は、頭書に記載したタイプの受信機において、 前記パルス整形器を、 ・第1電源端子に結合された負荷及びキャパシタンスの直列配置と、 ・周波数被変調入力信号の第1の縁から開始する第1状態において前記キャパシ タンスを充電させ、周波数被変調入力信号の第1の縁に続く第2の縁から開始す る第2状態において前記キャパシタンスを放電させるスイッチング装置と、 ・前記キャパシタンスの両端間に配置されたベース−エミッタ接合を有するとと もに、第1又は第2電源端子に結合されたコレクタを有する第1トランジスタと 、 ・前記キャパシタンスを流れる電流に従って変化する出力信号を発生する出力手 段と、 で構成し、 前記キャパシタンスの充電時間及び放電時間を周波数被変調入力信号の2つの順 次の縁間の最小時間より小さくしたことを特徴とする。 本発明は、キャパシタンスの両端間に単一トランジスタのベース−エミッタ接 合を直接配置し、キャパシタンス電圧が限界値を越えると同時にこのトランジス タがターンオンするようにすることにより、キャパシタンスの両端間の電圧を最 低の雑音で測定することができるという認識に基づくものである。 この手段を適用すると、キャパシタンスの充電電流がトランジスタがターンオ ンする瞬時に遮断され、この電流がトランジスタのコレクタ−エミッタ通路を経 て転流されるので、キャパシタンスの充電時間を一定の充電特性により精密に規 定することができる。これは精密に規定されたパルス幅のパルスを低い雑音レベ ルで提供する。このようなパルスはパルスカウントFM復調器に有利に使用する ことができ、前記既知のFM復調器を具える受信機と比較して改善された信号対 雑音比を有する受信機を実現することができる。 このような受信機の好適実施例においては、 ・前記キャパシタンスの第1及び第2端子がそれぞれ第1負荷及び第2負荷を経 て第1電源端子に結合され、 ・第2トランジスタのベース−エミッタ接合が前記キャパシタンスの両端間に、 前記第1トランジスタのベース−エミッタ接合と反対方向に配置され、 ・前記第1及び第2トランジスタのコレクタが第1電源端子に共通に結合され、 ・前記スイッチング装置が第1状態及び第2状態においてそれぞれ前記キャパシ タンスの第1端子及び第2端子を第2電源端子に接続し、 ・前記出力手段が第1及び第2トランジスタ及び第1及び第2負荷の少なくとも 一つを経て流れる電流に従って変化する出力信号を発生するよう構成する。 これは対称形のパルス整形器をもたらし、その出力パルス幅はキャパシタンス の残留電荷に影響されない。2つのトランジスタがキャパシタンスの両端間に配 置されているため、2つのトランジスタの少なくとも一方を経て流れる電流を用 いて出力手段を制御することができる。更に、対称構成は入力信号信号の各周期 において立下り縁及び立下り縁の双方に応答してパルスを発生するため、改善さ れた効率が得られる。 このような受信機の簡単で実用的な実施例においては、前記スイッチング装置 が第3及び第4エミッタ結合トランジスタを有する第1差動対を具え、 ・該差動対の共通エミッタラインが第2電源端子に結合され、第3及び第4トラ ンジスタのコレクタが前記キャパシタンスの第1及び第2端子にそれぞれ結合さ れ、 ・該差動対の入力端子が周波数被変調対称入力信号に結合された構成にする。 他の実施例においては、第1及び第2負荷がそれぞれ第5及び第6トランジス タのコレクタ−エミッタ通路を具え、該第5及び第6トランジスタのコレクタが 第1抵抗を経て第2電源端子に結合された構成にする。 第3、第4、第5及び第6トランジスタはブリッジ回路を構成し、これにより キャパシタンスを流れる電流を切り換えることができる。この構成によれば、ス イッチング装置の各状態において2つの負荷の代わりに単一の抵抗がキャパシタ ンスに接続されるのみであるから、キャパシタンス電圧の雑音が減少し、出力パ ルス幅に及ぼされる雑音の影響が低減される。これは受信機に改善された信号対 雑音比をもたらす。第1抵抗の両端間の電圧をパルス整形器の出力電圧として使 用することができ、これにより出力手段を簡単に実現することができる。 受信機の他の実施例においては、充電時間及び放電時間を電源電圧と無関係に するために、前記スイッチング装置と第2電源端子との接続路内に電流源を配置 する。基準電流源の挿入は充電及び放電電流を電源電圧と無関係にするため、電 源電圧の雑音が充電及び放電時間に影響を及ぼすことはなくなる。 受信機の他の簡単な実施例においては、 ・前記キャパシタンスの第1及び第2端子がそれぞれ第1及び第2負荷を経て第 1電源端子に結合され、 ・第2トランジスタのベース−エミッタ接合が前記キャパシタンスの両端間に、 前記第1トランジスタのベース−エミッタ接合と反対方向に配置され、 ・前記第1及び第2トランジスタのコレクタが第2電源端子に共通に結合され、 ・前記スイッチング装置が第1状態及び第2状態においてそれぞれ前記キャパシ タンスの第1端子及び第2端子を第2電源端子に接続し、 ・前記出力手段が第1及び第2トランジスタの少なくとも一つを経て流れる電流 に従って変化する出力信号を発生するよう構成する。 このような受信機の実用的な実施例においては、前記スイッチング装置が第5 及び第6トランジスタを具え、該第5及び第6トランジスタのコレクタが第2電 源端子に結合され、且つそれらのエミッタが前記キャパシタンスの第1及び第2 端子にそれぞれ結合された構成にする。 妨害を一層放射しないようにした実施例においては、前記パルス整形器が電圧 遷移補償回路を具え、該補償回路がその出力電圧を第5及び第6トランジスタの ベース上のスイッチング電圧に加算し、これにより ・第1状態から第2状態への遷移の直前の第5トランジスタのベースとこの遷移 の直後の第6トランジスタのベースとの間に第1の電圧差が印加され、 ・第2状態から第1状態への遷移の直後の第5トランジスタのベースとこの遷移 の直前の第6トランジスタのベースとの間に第2の電圧差が印加され、 第1及び第2の電圧差が第1及び第2のスイッチング動作中に現れるキャパシタ ンス電圧にほぼ対応するよう構成する。この手段によればキャパシタンス間の同 相モード電圧遷移が除去される。これらの電圧遷移はスイッチング中に発生し、 寄生キャパシタンスを経て他の回路に悪影響を及ぼし得る。 パルス整形器を具える本発明FM復調器の有利な実施例においては、当該復調 器は半導体材料内に集積回路として実現され、且つ ・第1電源端子に結合された負荷及びキャパシタンスの直列配置と、 ・周波数被変調入力信号の第1の縁から開始する第1状態において前記キャパシ タンスを充電させ、周波数被変調入力信号の第1の縁に続く第2の縁から開始す る第2状態において前記キャパシタンスを放電させるスイッチング装置と、 ・前記キャパシタンスの両端間に配置されたベース−エミッタ接合を有するとと もに、第1又は第2電源端子に結合されたコレクタを有する第1トランジスタと 、 ・前記キャパシタンスを流れる電流に従って変化する出力信号を低域通過フィル タが結合される出力端子に供給する出力手段と、 を具え、 前記キャパシタンスの充電時間及び放電時間が周波数被変調入力信号の2つの順 次の縁間の最小時間より小さく定められていることを特徴とする。 次に、図面を参照して本発明を更に詳細に説明する。図面において、対応する 素子には同一の符号を付してあり、 図1は本発明受信機を示し、 図2は本発明受信機用のパルス整形器を示し、 図3はこのパルス整形器に発生する信号を示し、 図4は対称形パルス整形器を示し、 図5は対称低雑形パルス整形器を示し、 図6は対称形パルス整形器の変形例を示す。 図1は本発明受信機を示す。この受信機は入力セクション1、FM復調器2、 及び後続の信号処理のためのLFセクション3をこの順序に具える。FM復調器 は周波数被変調入力信号を受信する。FM復調器2はパルスカウント形であり、 この目的のために、パルス整形器4及び低域通過フィルタ5をこの順序に具える 。パルス整形器4はFM復調器の入力信号の立上り縁及び/又は立下り縁におい て精密に規定された形状のパルスを発生する。2つの順次のパルス間の間隔は周 波数被変調入力信号の瞬時周波数により決まる。これらのパルスを低域通過フィ ルタ5により積分することにより変調信号が得られる。パルスの均一性、即ちパ ルスが形成される精度によりFM復調器の直線性が決まる。これは、パルス持続 時間(パルス幅)をできるだけ一定にする必要があることを意味する。 図2は本発明受信機に使用するパルス整形器を示す。このパルス整形器は電源 端子11に結合された負荷40とキャパシタンス41の直列配置を具える。この パルス整形器は更にスイッチ55及び56からなるスイッチング装置42を具え る。スイッチ55はキャパシタンス41と電源端子12との間に配置し、スイッ チ56はキャパシタンス41の両端間に配置する。トランジスタ43のベース− エミッタ接合もキャパシタンス41の両端間に接続する。本例では、負荷40は 出力手段44も構成し、その両端間にパルスを電圧として得ることができる。 次に、図2に示すパルス整形器の動作を図3の波形図を参照して説明する。こ の図は、周波数被変調入力信号を表す電圧30、キャパシタンス41の両端間の 電圧31及び抵抗40の両端間の電圧32を時間の関数として示す。時間間隔I においてはスイッチング装置42は第1状態にあり、時間間隔IIにおいてはス イッチング装置42は第2状態にある。第1状態Iにおいては、スイッチ55が 閉じ、スイッチ56が開く。このときキャパシタンス41が充電され、この充電 はトランジスタ43のベース−エミッタ接合が導通するまで続く。すると、抵抗 40を経て流れるキャパシタンス41の充電電流が遮断され、この電流はトラン ジスタ43に引き継がれる。キャパシタンスの両端間の電圧は導通ベース−エミ ッタ接合の電圧の値に制限され、この電圧値を以後Vbeと記す。第2状態IIに おいては、スイッチ55が開き、スイッチ56が閉じるため、キャパシタンス4 1が放電する。第2状態IIの後に第1状態Iが続くため、充電及び放電サイク ルが繰り返す。入力信号30の各立上り縁において抵抗40の両端間にパルスが 発生し、このパルスは電圧源(供給電圧)から抵抗を経て充電されるキャパシタ ンスの充電特性により決まる精密に規定された持続時間を有する。このパルスの 持続時間はトランジスタ43がターンオンする瞬時により決まり、更に供給電圧 の値、抵抗40の大きさ及びキャパシタンスの大きさに依存する。これらの値及 び大きさは変数でないため、トランジスタ43がターンオンする瞬時は変化せず 、精密に規定される。こうして持続時間が一つの素子(トランジスタ43)のみ により測定され且つ制限されるパルスを発生する。少数の構成素子及び単一の測 定トランジスタ43のために、このパルスは最小の雑音で発生される。トランジ スタ43が電圧を制限するまでキャパシタンスを充電する時間間隔は、入力信号 の2つの順次の縁間の時間間隔より短くする必要がある。その理由は、さもなけ れば、パルス持続時間がもはや入力信号と無関係にならないで、第2状態から第 1状態への切り換え瞬時により制限されてしまうからである。放電時間も入力信 号の2つの順次の縁間の時間間隔より短くして放電時間がキャパシタンスの残留 電圧により影響されないようにする必要がある。この残留電圧は、実際にはスイ ッチ56がオーム抵抗を有し、その結果としてキャパシタンスが十分に放電され ないために発生する。残留電圧を効果的に最小にするためには、特にスイッチ5 6の抵抗値により決まる放電時間を十分に小さくする必要がある。 このようにすると、入力信号の各周期ごとに一つのパルスが発生する。2つの 順次のパルス間の時間は入力信号30の瞬時周波数に逆比例する。パルス整形器 4の後段の低域通過フィルタ5においてこれらのパルスを積分して瞬時周波数に 比例する電圧を発生させる。 図2内のスイッチ55は永久に閉じたままにすることができる。その結果とし て、負荷40とキャパシタンス41の直列配置は電源端子11及び12間に直接 配置される。この場合には出力手段を、例えばトランジスタ43のコレクタを流 れる電流に比例する電圧が供給される第1入力端子及び電圧30が供給される第 2入力端子を有する論理ANDゲートにより構成することができる。 図2における供給電圧の極性及びトランジスタ43のベース−エミッタ接合の 向きを反転することによりパルス整形器の他の例を実現することもできる。この 場合には、トランジスタ43のコレクタを電源端子12に結合する必要がある。 この場合にも出力手段44は叙述の如きANDゲートを具えることができる。対 称形のこのようなパルス整形器を図6に示す。 図4はパルスカウントFM復調器を具える本発明受信機に使用する対称形パル ス整形器を示す。このパルス整形器はキャパシタンス41を具え、このキャパシ タンスの両端間に逆並列に配置されたトランジスタ43及び46のベース−エミ ッタ接合が接続されている。トランジスタ43、46のコレクタは第1出力抵抗 54を経て電源端子11に共通に接続されている。キャパシタンス41はエミッ タ結合トランジスタ47及び48のコレクタ間に配置され、結合エミッタは電流 源52を経て共通エミッタラインに結合されている。第2出力抵抗51がトラン ジスタ47、48のコレクタをそれぞれ負荷抵抗45、40を経て電源端子11 に結合している。FM復調器用の対称周波数被変調入力端子信号がトランジスタ 47及び48のベースに供給される。 本例パルス整形器の動作は次の通りである。第1状態Iでは、入力信号の立上 り縁によりトランジスタ47が導通し、トランジスタ48が非導通になる。その 結果、電流源52が抵抗45に接続される。抵抗45を流れる電流はこの抵抗の 両端間に電圧降下を発生する。キャパシタンス41と抵抗40が抵抗45と並列 に配置されているため、この電圧降下は前状態において反対方向に充電されたキ ャパシタンス41の両端間の電圧と反対方向になる。その結果、第1の状態の開 始時においては電流は主としてキャパシタンス41を経て(従って抵抗40を経 て)流れる。キャパシタンス41の両端間の電圧が増大するにつれて、抵抗45 を流れる電流も増大し、電流は次第に主として抵抗45を経て流れる。トランジ スタ43のベース−エミッタ接合がターンオンするまでキャパシタンス41の充 電が続き、このときトランジスタ43のコレクタ−エミッタ通路を経て電流が流 れ、キャパシタンス41の両端間の電圧がトランジスタ43のベース−エミッタ 接合により精密に規定された値に制限される。この状態は、回路が入力信号の立 下り縁に応答して第2状態IIに設定されるまで続く。第2状態では、トランジ スタ47がターンオフし、トランジスタ48がターンオンする。このときキャパ シタンス41が、第1状態のときと同様に、放電、即ち反対方向に充電され、こ の放電がトランジスタ46のベース−エミッタ接合が導通するまで続く。その結 果、キャパシタンス41の放電が終了し、電流はトランジスタ46に引き継がれ る。第1状態及び第2状態において、キャパシタンス41の充電/放電が、キャ パシタンスの両端間の電圧がベース−エミッタ接合のターンオン電圧になるまで 続く。従って、充電時間はキャパシタンスの値、電流源52の電流値、抵抗40 及び45の抵抗値、及びベース−エミッタ接合が導通する電圧値Vbeにより決ま る。従って、パルス持続時間は精密に且つ最小の雑音で規定される。その理由は 、放電時間の終了がキャパシタンスの両端間に直接接続された一つのトランジス タのみにより決まるからである。キャパシタンス41を流れる電流はパルス状で あり、そのパルス幅及び高さは精密に既知である。キャパシタンスを流れる電流 に対応する信号は抵抗51の両端間に得られ、その反転信号が抵抗54の両端間 に得られる。抵抗54、抵抗51又はその両抵抗はキャパシタンス41を流れる 電流に従って変化する電圧を発生する出力手段44とみなすことができる。キャ パシタンス41の充電電流も放電電流も抵抗51を経て流れるため、入力信号信 号の1周期中に一定の幅及び高さの2つのパルスが抵抗51の両端間に発生する 。1周期につき2つのパルスは抵抗54の両端間にも発生する。出力信号は負荷 40及び/又は45から取り出すこともできるが、この場合には、充電電流が抵 抗40を経て、放電電流が抵抗45を経てながれるのみであるため、1周期につ き1つのパルスがこれらの負荷の両端間に発生するのみである。出力信号を取り 出す位置に応じて、抵抗51及び/又は抵抗54を必要に応じ省略することがで きる。 図5は対称低雑音形のパルス整形器を示す。図5でも図4と同一の素子がパル ス整形器に使用されている。抵抗40及び45はトランジスタ49及び50と置 換されている。これらのトランジスタは、回路の第1状態においてトランジスタ 47及び49が導通し、トランジスタ48及び50が導通しないように、且つ回 路の第2状態においてトランジスタ48及び50が導通し、トランジスタ47及 び49が導通しないように制御する。この構成は、図4における少なくとも2つ の負荷/抵抗40、45と相違して、各状態において単一の抵抗51がキャパシ タンス41に結合されるのみである利点を有する。この結果として、図5におい て抵抗により生ずる雑音は図4における雑音より低くなる。また、トランジスタ 49及び50の追加は、キャパシタンスを流れる電流を切り換え、電流を2つの 抵抗に分流させないので、この場合には充電及び放電時間がキャパシタンス41 の容量値、電流源52の電流値及びトランジスタ43又は46のベース−エミッ タ接合が導通する電圧値Vbeのみにより決まる。 このパルス整形器はトランジスタ55、56、60、61、抵抗57、58、 62、63及び電流源59、64、65を具える回路により駆動される。エミッ タ結合トランジスタ55及び56により、それらの共通エミッタラインに結合さ れた電流源59を有する差動対を構成する。トランジスタ55及び56のコレク タをそれぞれ抵抗57、58を経て電源端子11に結合する。抵抗62及び63 を経て電流源64及び65にそれぞれ結合されたエミッタを有するトランジスタ 60及び61によりそれぞれトランジスタ55及び56のコレクタに結合された エミッタホロワを構成する。トランジスタ60及び61のエミッタをトランジス タ49及び50のベースにそれぞれ接続するとともに電流源65及び64をトラ ンジスタ47及び48のベースにそれぞれ接続してパルス整形器を駆動する。こ の構成はトランジスタ47〜50のスイッチング瞬時に関し高い均一性をもたら す。 キャパシタンス41の端子がトランジスタ49及び50を経て電圧駆動される ため、第1状態から第2状態への切り換え中及びその逆の切り換え中に同相モー ド電圧遷移がキャパシタンス41の両端間に発生する。例えば、第1状態ではト ランジスタ49が導通し、トランジスタ49のエミッタが固定電圧になる。そし て、第1状態の終了時に、トランジスタ50のエミッタがトランジスタ49のエ ミッタ電圧−Vbeに等しい電圧になる。第1状態から第2状態への遷移中に、ト ランジスタ49がターンオフし、トランジスタ50がターンオンするため、トラ ンジスタ50のエミッタ電圧がトランジスタ50のベースのスイッチング電圧( 第1状態中のトランジスタ49のベース電圧に等しい)だけ上昇する。その結果 として、Vbeに等しい電圧上昇がキャパシタンス41の端子に発生する。特に集 積回路では、これらの電圧遷移が同一の半導体材料内の他の回路へ寄生キャパシ タンスを経て転送され、これらの回路に悪影響を与え得る。このために、これら の電圧遷移を除去する電圧遷移補償回路6を設ける。電圧遷移補償回路6は、第 1状態から第2状態への遷移の直前のトランジスタ49のベースとこの遷移の直 後のトランジスタ50のベースとの間及び第2状態から第1状態への遷移の直後 のトランジスタ49のベースとこの遷移の直前のトランジスタ50のベースとの 間に電圧差を印加する。有効な補償のために、この電圧差はVbeに等しい瞬時キ ャパシタンス電圧に等しくする必要がある。この目的のために、図5に示す例で はエミッタがそれぞれのエミッタ縮退抵抗68及び69を経て電流源70に共通 に結合されたトランジスタ66及び67からなる追加の差動対を具える。トラン ジスタ66及び67のコレクタをトランジスタ55及び56のコレクタにそれぞ れ結合し、トランジスタ66及び67のベースをトランジスタ47及び48のコ レクタにそれぞれ結合する。トランジスタ66及び67を具える差動対の利得を ここでは抵抗68及び69を抵抗57及び58とほぼ同一の値にすることにより 1にする。その結果として、第1状態から第2状態への切り換え瞬時に、キャパ シタンス電圧の半分に等しい電圧差がトランジスタ60のベース電圧に加算され るとともにトランジスタ61のベース電圧から減算され、キャパシタンス41の 両端間の電圧遷移の補償が与えられる。第2状態から第1状態への切り換え時に 上述と同一のことが起こり、この場合にはキャパシタンス電圧の極性が反対にな る点が相違するだけである。 図6は対称形パルス整形器の変形例を示す。本例はキャパシタンス41を具え 、その両端間に、逆並列に配置されたトランジスタ43及び46のベース−エミ ッタ接合を接続する。トランジスタ43、46のコレクタを第1出力抵抗54を 経て電源端子12に共通に結合する。キャパシタンス41をトランジスタ49及 び50のエミッタ間に配置し、これらのトランジスタのコレクタを電源端子12 に接続する。FM復調器用の対称周波数被変調入力信号をトランジスタ49及び 50のベースに供給する。図6では電源端子11及び12の極性が図4の場合と 逆である。 第1状態Iでは、トランジスタ49が導通し、トランジスタ50が導通しない 。その結果、キャパシタンスがトランジスタ49及び負荷45を経て充電され、 この充電はキャパシタンスの両端間電圧がトランジスタ43がターンオンする高 さになるまで続く。このときキャパシタンス41を流れる電流はトランジスタ4 3に引き継がれる。第2状態では、トランジスタ50が導通し、トランジスタ4 9が導通しないため、キャパシタンス41は逆方向に充電され、この充電はトラ ンジスタ46が導通しこれがキャパシタンスを流れる電流を引き継ぐまで続く。 両状態おいて、電圧が抵抗54の両端間に発生し、この電圧はキャパシタンスを 流れる電流の相補信号を構成する。キャパシタンス41が充電されるとき、電流 は抵抗54を経て流れず、キャパシタンスが充電され終わり、キャパシタンスの 両端間電圧が限定されると、電流が抵抗54を経て流れる。抵抗54は出力手段 44を構成する。このパルス整形器はトランジスタ49及び50のベースで駆動 されるため、本例回路でも電圧遷移が発生するが、この遷移は図5に示す補償回 路6により補償することができる。 当業者であれば、本発明に基本的に対応する種々の変形例を推考しうること明 らかである。例えば、図5のブリッジ回路は種々の方法で駆動することができる 。図6の負荷40及び45は電流源で構成することもできる。更に、図示の回路 はMOS技術により実現することもでき、この場合にはベース、エミッタ及びコ レクタをMOSトランジスタのゲート、ソース及びドレインと置換する必要があ る。図示の回路は反対導電型のトランジスタにより構成することもできる。更に 、必要に応じ、本発明の範囲から逸脱することなく、トランジスタ43及び/又 は46のベース−エミッタ通路と直列に一以上のダイオードを配置することもで きる。更に、周波数被変調入力信号信号を振幅制限することができるが、この点 は本発明の不可欠の要件ではない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.入力セクション(1)、周波数被変調入力信号が供給されるFM復調器(2)及び LFセクション(3)をこの順序に具え、FM復調器(2)がパルス整形器(4)及び低 域通過フィルタ(5)を具えている受信機において、 前記パルス整形器(4)が、 ・第1電源端子(11)に結合された負荷(40)及びキャパシタンス(41)の直列配置 と、 ・周波数被変調入力信号の第1の縁から開始する第1状態において前記キャパ シタンス(41)を充電させ、周波数被変調入力信号の第1の縁に続く第2の縁から 開始する第2状態において前記キャパシタンス(41)を放電させるスイッチング装 置(42)と、 ・前記キャパシタンス(41)の両端間に配置されたベース−エミッタ接合を有す るとともに、第1電源端子(11)又は第2電源端子(12)に結合されたコレクタを有 する第1トランジスタ(43)と、 ・前記キャパシタンス(41)を流れる電流に従って変化する出力信号を発生する 出力手段(44)とを具え、 前記キャパシタンス(41)の充電時間及び放電時間が周波数被変調入力信号の2 つの順次の縁間の最小時間より小さく定められていることを特徴とする受信機。 2.・前記キャパシタンス(41)の第1及び第2端子がそれぞれ第1負荷(40)及び 第2負荷(45)を経て第1電源端子(11)に結合され、 ・第2トランジスタ(46)のベース−エミッタ接合が前記キャパシタンス(41)の 両端間に、前記第1トランジスタ(43)のベース−エミッタ接合と反対方向に配置 され、 ・前記第1及び第2トランジスタ(43,46)のコレクタが第1電源端子(11)に共 通に結合され、 ・前記スイッチング装置(42)が第1状態及び第2状態においてそれぞれ前記キ ャパシタンス(41)の第1端子及び第2端子を第2電源端子(12)に接続し、 ・前記出力手段(44)が第1及び第2トランジスタ(43,46)及び第1及び第2負 荷(40,45)の少なくとも一つを経て流れる電流に従って変化する出力信号を発生 するよう構成されていることを特徴とする請求の範囲1記載の受信機。 3.前記スイッチング装置(42)が第3及び第4エミッタ結合トランジスタ(47,48 )を有する第1差動対を具え、 ・該差動対の共通エミッタラインが第2電源端子(12)に結合され、第3及び第 4トランジスタ(47,48)のコレクタがそれぞれ前記キャパシタンス(41)の第1及 び第2端子に結合され、 ・該差動対の入力端子が周波数被変調対称入力信号に結合されていることを特 徴とする請求の範囲2記載の受信機。 4.前記第1及び第2負荷(40,45)はそれぞれ第5及び第6トランジスタ(49,50) のコレクタ−エミッタ通路を具え、該第5及び第6トランジスタ(49,50)のコレ クタが第1抵抗(51)を経て第1電源端子(11)に結合されていることを特徴とする 請求の範囲3記載の受信機。 5.前記スイッチング装置(42)と第2電源端子(12)との接続路内に電流源(52)が 配置されていることを特徴とする請求の範囲2、3又は4に記載の受信機。 6.・前記キャパシタンス(41)の第1及び第2端子がそれぞれ第1及び第2負荷 (40,45)を経て第1電源端子(11)に結合され、 ・第2トランジスタ(46)のベース−エミッタ接合が前記キャパシタンス(41)の 両端間に、前記第1トランジスタ(43)のベース−エミッタ接合と反対方向に配置 され、 ・前記第1及び第2トランジスタ(43,46)のコレクタが第2電源端子(12)に共 通に結合され、 ・前記スイッチング装置(42)が第1状態及び第2状態においてそれぞれ前記キ ャパシタンス(41)の第1端子及び第2端子を第2電源端子(12)に接続し、 ・前記出力手段(44)が第1及び第2トランジスタ(43,46)の少なくとも一つを 経て流れる電流に従って変化する出力信号を発生するよう構成されていることを 特徴とする請求の範囲1記載の受信機。 7.前記スイッチング装置(42)が第5及び第6トランジスタ(49,50)を具え、該 第5及び第6トランジスタ(49,50)のコレクタが第2電源端子(12)に結合され 、且つそれらのエミッタが前記キャパシタンス(41)の第1及び第2端子にそれぞ れ結合されていることを特徴とする請求の範囲6記載の受信機。 8.前記パルス整形器(4)が電圧遷移補償回路(6)を具え、該補償回路(6)がその 出力電圧を第5及び第6トランジスタ(49,50)のベース上のスイッチング電圧に 加算し、これにより ・第1状態から第2状態への遷移の直前の第5トランジスタ(49)のベースとこ の遷移の直後の第6トランジスタ(50)のベースとの間に第1の電圧差が印加され 、 ・第2状態から第1状態への遷移の直後の第5トランジスタ(49)のベースとこ の遷移の直前の第6トランジスタ(50)のベースとの間に第2の電圧差が印加され 、 第1及び第2の電圧差が第1及び第2のスイッチング動作中に現れるキャパシ タンス電圧にほぼ対応するよう構成されていることを特徴とする請求の範囲4又 は7記載の受信機。 9.パルス整形器(4)を具えるFM復調器において、当該復調器は半導体材料内 に集積回路として実現され、且つ ・第1電源端子(11)に結合された負荷(40)及びキャパシタンス(41)の直列配置 と、 ・周波数被変調入力信号の第1の縁から開始する第1状態において前記キャパ シタンス(41)を充電させ、周波数被変調入力信号の第1の縁に続く第2の縁から 開始する第2状態において前記キャパシタンス(41)を放電させるスイッチング装 置(42)と、 ・前記キャパシタンス(41)の両端間に配置されたベース−エミッタ接合を有す るとともに、第1(11)又は第2電源端子(12)に結合されたコレクタを有する第1 トランジスタ(43)と、 ・前記キャパシタンス(41)を流れる電流に従って変化する出力信号を低域通過 フィルタ(5)が結合される出力端子に供給する出力手段(44)と、 を具え、 前記キャパシタンス(41)の充電時間及び放電時間が周波数被変調入力信号の2 つの順次の縁間の最小時間より小さく定められていることを特徴とするFM復調 器。
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