JPH09512668A - テープ貼付けプラットフォームおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 プラットフォームは、ワイヤーボンディングまたはテープ自動ボンディング作業を通じて集積回路（ＩＣ）（２０）を取扱いおよび整合させるために担持し、相互接続を行い、均一な調整した接着材厚さでもって遮蔽されたＩＣを支持する。プラットフォームベース（１０）は平坦部分を有し、この平坦部分はワイヤーボンドパッド（１４０）のあるチップの長さを延在するスロット（３０）を有することができる。ＩＣはキャストまたはコンテインド接着材、エポキシやテープ（５０）でプラットフォームベースに取付けられるのであり、これは少なくとも１つの接着面を備えている。幾つかの列のワイヤーボンドパッドのために、幾つかのスロットが備えられる。プラットフォームが１以上のチップを担持するならば、プラットフォームベースはチップ当り１以上のスロット（３０，４０）を有する。プラットフォームは他の要素（１１０，１２０）を担持できる。回路（９０）はプラットフォームベースの片面または両面にプリント形成されることができ、雑音信号のリンギングを減衰するために中間的な抵抗率を有する。ワイヤーボンドはスロット（３０）を通して備えられ、ＩＣパッドを回路に接続する。プラットフォームベースは導電面積部分（９０）を片面または両面に有することができ、シールドまたはワイヤーボンドにより接続されたバスを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】 テープ貼付けプラットフォームおよびその製造方法 技術分野 本発明は集積回路の製造方法、製造作業に有用な物品、およびその方法を用い て製造される物品に関する。特に、本発明は集積回路にテープを貼付ける及び、 回路との接続にワイヤーボンドまたはテープ自動ボンド（ＴＡＢ）を用いる形式 の集積回路を担持するプラットフォーム、このようなプラットフォームを製造工 程で使用する方法、およびこのような方法で製造される集積回路組立体に関する 。 背景技術 集積回路（ＩＣ）チップをその外部回路と接続するために各種の様々な方法お よび基板が開発されてきており、ワイヤーボンディング、「フリップ−チップ」 (flip chip)応用の場合のはんだ材料のリフローバンプ（reflowing bumps）、テ ープ自動ボンディング（ＴＡＢ）装置などを含む。ＩＣに生じた密度の増大は、 各ＩＣに更なる論理ゲートまたは更なるメモリービットのような更に多くの機能 を備えることを可能にした。この機能の増大は、多くの場合、ＩＣチップ１つ当 りの相互接続を必然的により多く備えねばならなくなる。密度の増大にも拘らず 、ＩＣチップは機能拡大のために必要なより多数の個別の回路、ゲートまたはビ ットを内蔵するために寸法も大きくなった。ＩＣチップは長さおよび幅のみなら ず、厚さにおいても寸法を増大してきた。相互接続のためにワイヤーボンディン グまたはテープ自動ボンディングを使用するこのような集積回路チップに関して は、これらの流れはＩＣが用いられる製品の製造において幾つかの問題点を生じ ている。例えば、大きなＩＣチップの中央線に沿って位置されるワイヤーボンド パッドは該チップから離れた回路またはボンディングパッドに達するまでに比較 的長いワイヤーを必要とする。チップ面が該回路面よりも高い位置にあれば、例 えば、恐らくチップ自体の基板に接触することでチップ縁部にワイヤーが短絡す る危険性がある。長いボンドワイヤーは撓む傾向があり、短絡回路を形成する更 なる危険性を生じる。長いボンドワイヤーはまた、トランスファー成形によるカ プセル 封じ作業においてしばしば動きまわりを生じる。中心軸線とともに周辺面積部分 に沿って位置されたボンディングパッドを有するＩＣチップに関しては、各種の パッド組のパッドに結合されるワイヤー間に干渉を生じる潜在的な問題点がある 。幾つかの集積回路設計は、ボンドワイヤーの長さにおける変動性の高いことに 影響される。大きく且つ厚いチップは、ダイ−ボンドの「接着線」を、すなわち ＩＣチップダイを所定位置に保持する層の厚さを良好に調整することを必要とす る。 高速メモリーのような高性能集積回路では、スイッチング周波数が高いほどリ ードのインダクタンスによる問題点が増大し、短いリード長さの相互接続を有す ることが重要となる。高性能集積回路に生じる雑音は、相互接続のインダクタン スがリンギング（ringing）を生じるために厄介である。或る種の環境において は、接地が不適当であったり、及び／又は外部の電磁界干渉（ＥＭＩ）源からの 信号相互接続の遮蔽が不適当であると、電磁界干渉が雑音を誘起し得る。電磁界 干渉では通常は考慮しないが、ＩＣチップ環境からのα粒子による照射もまたＩ Ｃ性能に影響を及ぼす。このようなα粒子の影響を防止するには、α粒子バリヤ が必要である。 ＩＣチップを各種パッケージに結合する製造工程において、結合されるＩＣチ ップに損傷を生じ得る機械的応力がしばしば存在し、これはワイヤーボンディン グ後に電気的機能を果し得ないＩＣチップを生じる。他の厄介な問題点は、ＩＣ チップと接続される回路、例えば第１レベルパッケージ、との間の熱膨張係数の 不適合による応力である。このような熱膨張応力は相互接続の信頼性を損い、熱 消散及び／又は大気温度の変化によって使用中にＩＣチップが加熱または冷却さ れたときに相互接続の破壊を生じる。 ビー・アール・クリザニフスキー（B.R.Kryzaniwsky）氏による米国特許第５ ０９９３０９号（1992）および第５２２７３３８号（1993）は、信号層および電 源層を積層する前にＩＣチップが構造内部に配置された３次元メモリーカード構 造を開示している。これらの特許における伝熱面および電源コアは銅−アンバー −銅導電材料を使用し、この材料はシリコンＩＣチップと調和可能な熱膨張係数 を有することができ、したがって上述の問題点の幾つかを解決している。ケー・ ヒンリッヒスメイヤー（K.Hinrichsmeyer）氏他による米国特許第４９９６５８ ７号（1991）は、ＩＣチップ用に底面に凹部を有するキャリヤと、該凹部に通じ た頂面スロットとを使用した集積半導体チップパッケージを開示している。スロ ット領域の接触パッドはキャリヤの頂面側の導体と接続され、多数のキャリヤが 積層されてＳクリップで互いに相互接続されることができる。ヒンリッヒスメイ ヤー氏他の特許によるパッケージもまた上述の問題点の幾つかを解決する。 発明の説明 本発明の目的は、ワイヤーボンディングまたはテープ自動ボンディングの作業 時にＩＣチップの取扱および整合を容易化するためのプラットフォームを提供す ることである。本発明の他の目的は、ＩＣチップに機械的な損傷を与える危険性 を減少させて、ＩＣチップの面にテープまたは接着層を付与する方法を提供する ことである。他の目的は、ＩＣチップを内蔵した組立体の製造時に、適当なイン ターフェース位置に付与される電気絶縁テープを提供することである。本発明の 他の目的は、テープ貼付けプラットフォームを使用してＩＣチップを他の回路と 相互接続する方法を提供することである。本発明の更に他の目的は、最終用途の 環境にＩＣチップを保持できるプラットフォームを提供することである。本発明 の更に他の目的は、製造時にテープ貼付けプラットフォームとして作用した後、 ＩＣチップの有効寿命を通じて電気的、機械的、熱的な性能の向上を提供するこ とである。本発明の他の目的は、製造作業時に発生した機械的応力を吸収でき、 またＩＣチップと該ＩＣチップが接続される回路との間の熱膨張係数の不適合に よって生じる応力を吸収できるプラットフォームを提供することである。本発明 の他の目的は、ＩＣチップの熱膨張係数と調和した熱膨張係数を有するプラット フォームを提供することである。他の目的は、短く且つ一層均一なボンディング ワイヤー長さの適応である。他の目的は、ＩＣチップに密接に接近して他の素子 の電気的接続を行うことである。本発明の更に他の目的は、ＩＣチップに密接に 接近した電源バス、接地バス、及び／又は電磁遮蔽を提供することである。他の 目的は、α粒子の照射からＩＣチップを保護するバリヤを形成することを含む。 他の目的は、ＩＣチップの相互接続に誘起され、それらのインダクタンスに関係 した雑音信号のリンギングを減少させる手段を提供することである。他の目的は 、 ＩＣチップに接近した相互接続のインダクタンスを減少させることである。更に 他の目的は、減少され予測可能な体積の一貫した組立体用の全厚を均一に調整さ れたテープ貼付けプラットフォームを提供することである。本発明のこれらの、 および他の目的はテープ貼付けプラットフォームによって達成される。 テープ貼付けプラットフォームが上述した問題点の多くを軽減できること、同 時にＩＣチップの取扱いを容易にし、相互接続工程での歩留り損失を防止できる ことを見い出した。特定形式のテープ貼付けプラットフォームの実施例は特定の 問題点を目標とすることができる。このようなテープ貼付けプラットフォームは 、最終的にＩＣチップを最終用途の環境中に保持することができる。最終用途の 環境において、本明細書に記載の方法を用いて製造された製品の信頼性を改良す るために機械的および熱的な応力の吸収が持続でき、その一方で電気的性能を改 良し、選択的に他の素子の担持を可能にする。特に、チップ自体にできるだけ接 近させてテープ貼付けプラットフォームに取付けられる抵抗および減結合キャパ シタのような個別素子を有することが有用である。 プラットフォームは、ワイヤーボンディングまたはテープ自動ボンディングの 作業を通じて取扱いおよび整合のために集積回路チップを担持するように作用し 、少なくとも１つの相互接続を行い、またＩＣチップをその使用環境の中で支持 する。プラットフォームは実質的に平面のベースを有し、ベースを通ってＩＣチ ップ（１列以上のワイヤーボンディングパッドを有し、幾つかのパッドはチップ 軸線の近くに配置されている）のほぼ全長を延在する少なくとも１つのスロット が形成されている。このような集積回路チップはテープでプラットフォームのベ ースに取付けられ、テープは電気的絶縁を行い、また好ましくは少なくとも１つ の接着面を形成する。集合的に「テープ」と記載するものには多くの適当な材料 および形態がある。テープは、熱または圧力で活性化される接着材またはエポキ シ接着材を有してカプトン・ポリイミド材料、アプレックス・ポリイミド材料、 テフロンＰＴＦＥ材料などで作られることができる。支持層を有し、または有さ ない、キャスト（cast）接着材またはコンテインド(contained)接着材又はエポ キシとされるか、または熱可塑性または熱硬化性のプラスティック製成形体とさ れることができる。ワイヤーボンディングパッドの配列またはＩＣチップ軸線が プ ラットフォームのスロットと整合される。チップがボンディングパッドの１以上 の配列を有するならば、プラットフォームは１以上のスロットを有することがで きる（パッドの各配列に１つのスロット）。１以上のチップがプラットフォーム に取り付けられるならば、プラットフォームのベースは各チップに対して１以上 のスロットを有するのが適当である。回路はプラットフォームの片方または両方 の主面、例えばチップがテープで取付けられる側と反対側のプラットフォームの 側にプリントされる。幾つかの高速適用例では、相互接続回路のインダクタンス により雑音信号が有するリンギングを吸収できる抵抗と組合わせるために、回路 は比較的高いシートの抵抗率を有するように作られることが好ましい。他の応用 例では、回路は銅、または銅とタングステン、鉄、またはニッケルとを含有する 合金のような小抵抗金属で作られるのが好ましい。ワイヤーボンディングはＩＣ チップのパッドとプリント回路との間で行われる。したがって各ボンディングワ イヤーはスロットを通される。 プラットフォームは片面または両面に導電面を有し、シールド又は接地面及び ／又は集積回路のための電源バスを形成するようになされる。１以上のワイヤー ボンディングが集積回路チップの適当パッドとこの導電面部分とを接続できる。 プラットフォームはプリント回路カードまたは基板のような回路の高いレベル位 置と接続されるように端子を有することができる。好ましい実施例では、これら の端子は縁部コネクタ端子とされる。集積回路チップ以外の素子もテープ貼付け プラットフォームに担持されることができる。 多くの実施例では、プラットフォームのベースはエポキシ−ガラスのプリント ワイヤリング基板の積層材のシートで作られることが好ましい。導電層（プリン ト回路または連続導体の層）は上述した大きな抵抗、およびＩＣチップ材料の熱 膨張係数と調和した熱膨張係数を有する積層複合層で作られることが好ましい。 他の応用例に好ましい代替実施例は金属化セラミックガラス／金属または金属化 プラスチックのベースを含む。いずれの実施例も、実質的に平面状であるが、ス ロットを取囲む凹部を組入れることができる。凹部を含む場合、その凹部はＩＣ チップを受入れるように十分広くされ、チップ底面がプラットフォーム底面と同 一面内に位置されるような深さでないことが好ましい。凹んだチップを有する実 施例は組立体の全厚を小さくでき、ＩＣチップが機械的な損傷から良好に保護さ れるという利点を有する。 簡略化されたプラットフォームの実施例においては接地及び／又は電源用の導 体以外に回路は全くなく、またそのような実施例においては、銅含有合金のよう な金属のシートからプラットフォームが打刻加工されるか、または好ましくは例 えば銅−アンバー−銅、銅−タングステン合金、モリブデン、銅とモリブデンと のクラッド材料などのような熱膨張率の適当なクラッド材料すなわち積層複合金 属からプラットフォームが打刻加工されることができる。組立ておよびボンディ ングの後、ＩＣチップ、そのボンド、およびテープ貼付けプラットフォームの周 辺部分はエポキシまたは同様材料でカプセル封じされる。適当ならば、プラット フォームおよびＩＣチップを取巻く回路の次の高さレベルの部分がカプセル封じ に含められ得る。プラットフォームのベースがその１つまたは複数のスロットを 取巻く凹部を有する場合、カプセル封じは凹部全体、および片面の周辺ベースお よびボンド、スロット、および他面の周辺ベースを覆うことができる。したがっ て、凹部を形成されたベースはカプセル封じにも有利である。 このプラットフォームを使用した製造工程は、スロット（選択的に凹部内側の ）を有する実質的に平面状のプラットフォームベースの準備、プラットフォーム ベースに接着するのに適当なテープの準備、ベースに対するテープの積層、スロ ット（必要ならば凹部の内側の）に対するＩＣチップの整合、テープに対するＩ Ｃチップの積層（必要ならばテープの硬化または切断）、ワイヤーボンディング またはテープ自動ボンディング装置に対するプラットフォームの整合、および従 来のワイヤーボンディングまたはテープ自動ボンディングの方法によるＩＣチッ プに対する相互接続のボンディングを含む。ＩＣチップおよびテープ貼付けプラ ットフォームの周辺部分のカプセル封じがこの工程を終結する。 本発明のこれらのおよび他の目的、利点および特徴は、添付図面に示されるよ うな本発明の好ましい実施例の以下の説明から明確になろう。 図面の簡単な説明 第１図は本発明によるテープ貼付けプラットフォームの第１実施例の分解斜視 図（部分的に切除）を表す。 第２図はテープ貼付けプラットフォームの第２実施例の斜視図を表す。 第３図は第２図に示された第２実施例の分解斜視図を表す。 第４図は第３の好適実施例の斜視図を表す。 第５図は第４の好適実施例の斜視図を表す。 第６図は本発明の第２の好適実施例に使用したベースのセグメントの平面図を 表す。 第７図は本発明の第３の好適実施例に使用したベースのセグメントの平面図を 表す。 第８図は本発明による製造工程の段階を示すフローチャートである。 第９Ａ図は使用状態にあるテープ貼付けプラットフォームを示す頂面図を表す 。 第９Ｂ図は使用状態にあるテープ貼付けプラットフォームを示す横断面図を表 す。 第１０Ａ図および第１０Ｂ図はテープ貼付けプラットフォームの第５実施例を 示すそれぞれ頂面図および横断面図を表す。 第１１Ａ図および第１１Ｂ図はテープ貼付けプラットフォームの第６実施例を 示すそれぞれ頂面図および横断面図を表す。 第１１Ｃ図は第６実施例の詳細を示す立面図を表す。 第１２Ａ図および第１２Ｂ図はテープ貼付けプラットフォームの第７実施例を 示すそれぞれ頂面図および分解横断面図を表す。 定義 以下の用語は、示された意味において本明細書で使用されている。 含有接着材：通常の付着方法（例えばシルクスクリーニング、プリンティング 、スタンプ転写など）により予め定めたパターン（例えば菱形または点配列）の もとに基板上に付着されている予め定めた量の接着材。 ＩＣ ：集積回路 アンバー ：約６４％の鉄および３６％のニッケルを含み、約０．２％の炭素 を含み得る既知合金。 Ｅ−ガラス：従来のガラス−エポキシのプリント回路材料であり、多数の層お よび銅などのプリント回路を有し得る。 この材料は、例えば「エレクトロニック・マテリアルズ・ハンド ブック」（ＴＭ）、第１巻パッケージング（1989）ＩＳＢＮ0- 87170-285-1、ＡＳＭインターナショナルマテリアルズパーク、 オハイオ州４４０７３により発行、に掲載されている。 ＦＲ−４ ：同じ文献に掲載されている特に従来の４機能エポキシ積層材料。 ＰＴＦＥ ：ポリテトラフルオロエチレン ＴＡＢ ：テープ自動ボンディング テープ ：片面または両面を接着材で被覆された薄い可撓基板を含む従来の 意味に加えて、この用語は本明細書では熱可塑性または熱硬化性 プラスチック、キャストまたはコンテインド接着材又はエポキシ 、または硬化されるか圧力、熱、放射線または他の手段で活性化 される接着材の成形体を含めることを意図する。 本発明を実施するための最適形態 本明細書に記載されたテープ貼付けプラットフォームの各種の好適実施例は、 幾つかの非常に簡単な実施例から、幾つかの非常に複雑で１つの実施例に貴重な 特徴の全てまたはほぼ全てを組入れたものまで範囲が及ぶ。第１図に示された好 適実施例は、本発明の複雑な実施例の１つであり、特徴および利点の多くを示す 。第１図はテープ貼付けプラットフォームの第１の好適実施例の分解された部分 的に切除された斜視図を表している。第１図の分解図は互いに組付けられようと する各種素子を概略的に表している。テープ貼付けプラットフォームの実際の組 立て工程は第１図におけるように配置された各種素子のない状態で達成されるが 、その代りに幾つかの素子をまず最初に副組立体に組付け、その後にそれらの副 組立体を互いに一緒にすることができる。 第１図に示されるように、テープ貼付けプラットフォームはベース１０を有し 、ベース１０はその主面の両方とも全体的に平面状とされるか、または主面の一 方または両方に凹部１３０を有することができる。第１図において、選択的な凹 部１３０はＩＣチップ２０が取付けられるベース１０の側に好ましく配置されて 示されている。好適実施例のベース１０は少なくとも１つの平面状の主面を有し 、この主面は第１図の実施例で頂面として示されている。 ＩＣチップ２０はボンディングパッド１４０（第１図の実施例にはほぼ列をな して配置されて示されているが、ボンディングパッド１４０の列をなす配列は本 発明に不可欠ではない）を有する。スロット３０が一方の主面からベース１０を 通って他方の主面へ延在しており、テープ貼付けプラットフォームの組立て時に ボンディングパッド１４０にアクセスできるようにしている。選択的に、付加的 なスロット４０がベース１０を通して延在され、他の付加的なボンディングパッ ド1５０に対するアクセスを可能にする。この状況においては、ボンディングパ ッド１４０とボンディングパッド１５０との間に重大な相違はなく、付加的なス ロット４０を選択的に備えるための理由を一層明確に指摘するために別々に識別 されている。好ましくは、スロット３０はＩＣチップ２０の１寸法と実質的に同 じである、すなわちチップとほぼ同じ長さである。スロット３０はそれが整合さ れるボンディングパッド１４０の何れかの列と少なくとも同じ長さであるのが好 ましい。第１図は部分的に切除されているので、読取り機に近いスロット３０の 端部は見られない。第１図に示された好適実施例において、テープストリップ５ ０はスロット３０のおのおのの側でベース１０に貼付けられる。導電金属バス素 子６０，７０は銅、または銅合金クラッド材とされるか、貴金属のような他種金 属と積層またはメッキされることができる。バス素子６０は、例えばＩＣ電源の １つの電圧に接続するために備えられ、またバス素子７０は他の電圧に接続する ために備えられる。または、これに代えてバス素子６０，７０の一方は電気的接 地の接続のために備えられる。付加的ストリップ８０はバス素子６０，７０の残 る主面に貼付けられる。ワイヤーボンド（図示せず）は、第１０Ａ図，第１０Ｂ 図を参照して以下に説明するように、選択されたパッド１４０または１５０およ びバス６０または７０の間に設けられる。ＩＣチップ２０はスロット３０および 選択的なスロット４０と整合され、両方のテープストリップ８０に貼付けられる 。好ましくは、ＩＣチップ２０をスロット３０に整合するにおいて、ボンディン グパッド１４０はスロット３０の中心線に整合される。第１図はテープ５０を単 層テープとして、またテープ８０を２層テープとして示しているが、他の各種の 構造を特定の応用例に関して選択できる。例えば、テープ５０は熱可塑性または キャスト接着材、またテープ８０は片面接着材テープとされることができる。 ベース１０は片方または両方の主面に導電面を担持でき、導電面は第１図の実 施例に示されるようにベース１０に積層された伝導面、およびプリント回路９０ のようなパターン成形された通常の伝導面とされ得る。第１図において、プリン ト回路９０はベース１０の縁部に位置したエッジコネクタ接点１００で終端する 。ワイヤーボンド（図示せず）は選択されたパッド１４０及び／又は１５０をプ リント回路９０に接続するために設けられる。貫通穴１６０がベース１０の片側 の回路を他側の回路に接続するために設けられることができ、貫通穴はメッキす ることができる。プリント回路９０及び／又はエッジコネクタ接点１００は貴金 属のような金属を積層され、クラッド加工され、またはメッキされることができ る。或る簡単な応用例において、プリント回路９０はプリント回路のようにパタ ーン化されていないか、２つの電気的に離れた面積部分（例えばベース１０の片 側または両側の主面に電源供給電圧バスと接地バスを形成するように）とするた めに間隙で単に分離することで最少限にパターン化された連続した導電層と置換 できる。選択的にメッキされた貫通穴がベース１０に形成されているベース１０ の導体でバス機能が与えられる場合には、バス素子６０及び／又は７０を省略す ることが可能であり、またテープ層５０または８０を省略してＩＣチップ２０を １つのテープ、例えば８０で取付けるようにすることも可能である。 ベース１０はＩＣチップ２０に加えて更に他の要素を担持するようにもできる 。これらの付加される要素は抵抗および減結合キャパシタのような個別の要素を 含むか、または第１図に示されるように表面取付けデバイス１１０，１２０とさ れることができる。ベース１０の片側または両側の主面のプリント回路（第１図 には示されていない）は、デバイス１１０，１２０のような付加される要素とＩ Ｃチップ２０との相互接続を行うために備えられ得る。 第１図に示された好適実施例は、第１図に示されるように１以上の列に沿って 整合されたボンディングパッド１４０，１５０を有する１６メガビットメモリー チップのようなメモリーＩＣチップ２０に特に有用である。ベース１０に用いら れるのが好ましい材料はＥ−ガラス／エポキシ積層材、ＦＲ−４四機能エポキシ 積層材、Ｅ−ガラス／ＢＴ−ブレンド積層材、Ｅ−ガラス／ポリイミド積層材、 およびｅ−ＰＴＦＥ／エポキシ積層材（後者はダブリュ・エル・ゴア＆アソシエ ーツ社から購入できる）を含む。調和する率熱膨張に関しては、ケヴラーのよう なポリイミド材料はベース１０に用いることができる。これらの材料の導電層と の積層、ドリル加工、メッキ、およびプリント回路のカード材料上でのパターン 化に関する従来方法はベース１０を作るのに使用できる。必要ならば凹部１３０ は積層する前に可動材料の層を事前パンチングすることで形成できる。スロット ３０及び／又は４０は従来の方法によって作ることができる。 より厳しい環境中での応用例に関しては、アルミニウムセラミックスのような 他の材料がベース１０の材料として選択され得る。ベース１０がスロット３０を 及び／又は４０を取囲む凹部１３０を必要とするならば、異なる寸法、例えば１ つの寸法がスロット３０の寸法で、それを取囲むように大きな寸法が凹部１３０ の寸法、のスロットをパンチ加工されたグリーンシートを２層以上に積層し、そ の後、積層スタックを共に焼成（co-firing）することで作ることができる。各 種ガラスまたはガラスセラミックスもベース１０の材料として用いられることが できる。テープ貼付けプラットフォームの各種の他の実施例において、ベース１ ０の材料の他の選択を以下に説明する。 テープ貼付けプラットフォームの多くの好適実施例において、ベース１０（或 る応用例ではバス素子６０，７０も）の片側または両側の主面でプリント回路９ ０がパターン化され得る導電層は、比較的大きな抵抗率を有する導電材料である 。特に高速メモリーの応用例に関して、回路に雑音が誘起され、その回路が相互 接続のインダクタンスを含むときに生じるリンギングを大きな抵抗率の導電材料 が減少できる。各々の導電層は０．００３ｍｍ〜０．３ｍｍの間の厚さを有する ことが好ましく、０．０１５〜０．０６５ｍｍであるのが更に好ましい。従来の プリント回路導体仕様に関して、好ましい範囲は０．００２８４ｋｇ〜０．２８ ４ｋｇ（１／１０オンス〜１０オンス）であるが、０．０１４２ｋｇ〜０．０５ ４８ｋｇ（１／２オンス〜２オンス）であるのが更に好ましい。これらの好まし い厚さの範囲によれば、留意した高速メモリーの応用例のための導体の抵抗率の 好ましい範囲は1０オーム−センチメートルより大きく、７５オーム−センチメ ートルより大きいことが更に好ましい。導電層のシートの抵抗率に関しては、１ ０，０００オーム／ｃｍ²〜１００，０００オーム／ｃｍ²の範囲が好ましく、１ ５， ０００オーム／ｃｍ²〜５０，０００オーム／ｃｍ²の範囲が更に好ましい。勿論 、低速回路および多くの他の応用例に関しては、プリント回路９０がパターン形 成される導電層の抵抗率を最少限にすることが好ましい。 その抵抗率に加えて、テープ貼付けプラットフォームに用いられる導電材料の 重要な特性は熱膨張係数であり、これはＩＣチップ２０の熱膨張と調和すること が好ましい。各種ＩＣチップの熱膨張に関する主な材料は、ケイ素、ゲルマニウ ムおよびガリウム砒化物のような半導体である。テープ貼付けプラットフォーム の好適実施例は、前述の半導体材料と合致する熱膨張係数を有した導電層を用い る。更に好ましいのは、膨張係数がＩＣチップ半導体の膨張係数と次のレベル位 置の回路の膨張係数との中間値で、異なる膨張を許容する助けとなるような導電 層である。これらの目的に合致する好ましい導電材料は、所望される熱膨張を得 るために適当な比率で組合わされた異なる金属層を有する複合薄膜である。幾つ かの応用例に関しては、２つの金属複合材が使用され、このような複合材の両側 の異なる膨張により生じる曲げを許容するために、予防対策の取られた２金属複 合材が使用され得る。好ましい導電材料は、２つの外側層に同一金属を有する３ つの層を備えたクラッドまたは積層された複合材である。特に好ましい複合材は 、銅、アンバー合金、および銅をそれぞれの３層を有する。更に好ましいのは、 銅、アンバー、および銅が積層（クラッド加工により）され、その比率が１％〜 ２５％の銅、５０％〜９８％のアンバー、および１％〜２５％の銅であるクラッ ドまたは積層された複合材である。最も好ましいのは、５％〜１２．５％の銅、 ７５％〜９０％のアンバー、および５％〜１２．５％の銅で構成されたクラッド 積層材である。用いることのできる他の材料には、例えば焼結銅−タングステン が含まれ、この焼結銅−タングステンは調和した熱膨張率を有して作ることがで きる。熱膨張に関して好ましい材料はまた、既に上述した抵抗率の好ましい範囲 も与える。熱膨張に対するのと同じ考えを第１図のバス素子６０，７０に拡げる ことができ、バス素子６０，７０もまた好ましいクラッドまたは積層された複合 金属材料で作られることができる。 適当なカプセル封じ材料には、１または２部エポキシ樹脂、アクリルコンフォ ーマルコーティング、ペレットカプセル封じ材料などのような多くの通常のカプ セル封じ材料が含まれる。高いガラス転移および小さな熱膨張率を有する低応力 のカプセル封じ材料が好ましい。 第１図は、単一のＩＣチップ２０が第１図に明確に示されているが、同じテー プ貼付けプラットフォーム上に付加されるＩＣチップ２０のための付加的スロッ ト３０，４０も示している。基本的に、いずれの個数のＩＣチップ２０も同じテ ープ貼付けプラットフォームに取り付けることができる。メモリーチップとして は、プラットフォーム当りのチップの好ましい個数はメモリーＩＣチップのメモ リー構成およびビット構成によって定められる。 第２図はテープ貼付けプラットフォームの特に簡単な第２実施例の斜視図を示 している。この実施例は、銅、銀、ステンレス鋼、モリブデン、銅−タングステ ン、アンバー、または他の合金のような金属導体で全体を作られたベース１０を 有しており、これは貴金属のような他の金属を積層、クラッド、またはメッキさ れることができる。この実施例のベース１０は、上述した好ましい複合導電材料 で作られることが好ましい。この実施例では、ベース１０はプリント回路を有し ておらず、両方の主面は全面にわたり導電性である。第３図は第２図に示した同 じ第２実施例の分解斜視図を示す。第２図および第３図を参照すれば、第３図は この実施例の以下の説明を明確にするように補助する。 第２図および第３図の実施例において、ベース１０は１つのスロット３０を有 し、このスロット３０はＩＣチップ２０のボンディングパッド１４０と整合され る。ベース１０は選択的な伸長部分３４０を有し、この伸長部分３４０は図に示 したようにベース１０の主面から外れるように曲げられる。勿論、ベース１０の 主部は伸長部分３４０が平面から外れるように曲げられた後も平面内に維持され る。伸長部分３４０はベース１０を回路の次のレベル高さ位置の接地バス（図示 せず）に接続するために用いられる。伸長部分３４０はＩＣチップ２０および第 ２図に示される組立体の他の部分も支持できる。テープ片８０は、ベース１０お よびＩＣチップ２０の両者に対して接着される両面接着テープとされ得る。テー プ片５０は、ベース１０に接着され、ボンディングワイヤー２１０，２２０がベ ース１０の導電面に接触するのを防止するように作用する片面接着テープとされ 得る。ボンディングワイヤー２１０はスロット３０を通してボンディングパッド １４０をプリント回路ランド９０に接続する。選択的なボンディングワイヤー２ ２０は特定のボンディングパッド１４０をベース１０に接続し、またスロット３ ０を通過する。 第４図は、第３実施例の斜視図を示している。この実施例は第２図に示された 実施例と同じである。第２図の実施例とは、組立て、整合、位置決め、ボンディ ング、および切除作業の後、第４図のテープ貼付けプラットフォームのベース１ ０が２つの分離した部品に分けられることのみ相違する。この実施例は、残る２ つの分離した導電ベース１０の部品をＩＣチップ２０のための２つの異なる電圧 バスとして用いることができるという利点を有する。これらの２つのバスは供給 電圧バスおよび接地バスであり、または例えば２つの異なる極性の供給電圧であ る。切断作業によるベース１０の分割を除いて、第４図に示された他の素子は第 ２図に示した対応する符号の素子と同じ関係および機能を有する。第２図および 第４図の類似および相違は第６図および第７図を参照して以下に詳細に更に説明 する。 第５図は本発明の第４の好適実施例の斜視図を示している。これは第２図に示 された第２実施例に類似するが、テープ片５０の個数および配置およびボンディ ングワイヤー２２０の置換において第２実施例とは相違する。第５図で、２つの 平行なテープ片５０がスロット３０の各側に位置する。各側の隣接するテープ片 ５０の間隔空間は多数の短いボンディングワイヤー２２０をベース１０の導電面 に接触させることを可能にするために備えられている。これらの多数のボンディ ングワイヤー２２０は特定のパッド１４０をベース１０の導電面に接続しており 、短いワイヤー長さを有し、テープ片５０により支持および絶縁が行われる。他 の（長い）ボンディングワイヤー２１０は各側のテープ片５０の両方を超えて特 定のボンディングパッド１４０をプリント回路ランド９０に接続する。他の実施 例（図示せず）は第５図のテープ片５０の個数および配置を第４図の分割された ベース構造と組合わせるものである。第４図のような２つの分離したバスは、し たがって各側の２つのテープ片５０の一方の上だけを通過して特定のボンディン グパッド１４０からの比較的短いボンディングワイヤー２２０に別々に接続され ることができる。 第６図は本発明の第２の好適実施例に用いられた連結ストリップベースのセグ メントの平面図を示す。第６図に示された構造は、均一に薄い平面状ストリップ である。第６図は連続したストリップにおける多数の同じセグメントのうちの１ つのセグメントと隣接セグメントの小部分とを示している。チップは通常のリー ドフレーム取扱い装置および方法によって用いられる。第６図に示すように、ス トリップは側方レール３００を有し、側方レール３００は全長に沿って連続した 間隔を隔てたスプロケット穴３１０を有している。各セグメントは少なくとも１ つのバー３２０を有し、バー３２０は側方レール３００の間を延在する。バー３ ２０には１以上の伸長部分３４０が取付いており、伸長部分３４０がスロット３ ０を有するベース１０の平面状の部分を支持している（第２図のベース１０およ びスロット３０に同じ）。伸長部分３４０は狭い部分３５０を有し、部分１０， ３４０を伸長部分のストリップの残りの部分から容易に分離できるようにしてい る。第６図の連続したストリップ全体はベース１０に好適な均一肉厚の材料、好 ましくは上述のように好適な抵抗率および熱膨張係数を有する好適な積層複合金 属材料で作られている。ストリップは他にＩＣチップ用のリードフレームを作る のに用いられるような通常方法で作られる。使用時に、テープストリップ５０及 び／又は８０は第６図のストリップの片側または両側に貼付けられ、ＩＣチップ ２０は整合され（スロット３０に整合されたボンディングパッドと）、ストリッ プの各セグメントにおいてテープ片５０または８０に対して配置される。所望の ボンディング位置に各々のＩＣチップ２０を整合させた後、ワイヤーボンド２１ ０および選択的なワイヤーボンド２２０が結合され、セグメントが切断される。 （伸長部分３４０におけるような必要とされる曲げ、または物理的なオフセット が工程の適当段階で必要に応じて行われる。） 第７図は第６図に類似の本発明の第３の好適実施例に用いられた連続ストリッ プベースのセグメントの平面図を示している。第７図に示された連続ストリップ の実施例は第４図の第３実施例に対応する。第６図の説明は第７図に等しく適用 され、対応する素子は同じ関係および機能を有する。切断されるときにのみ、第 ７図のベース１０は２つの分離した部分に分割される。何故ならば、第７図のス ロット３０はバー３２０から隣接セグメントの次のバー３２０へ実際に延在して いるからである。 比較的簡単な第２図または第４図の実施例（第６図または第７図の連続ストリ ップアプローチの使用が選択的に行われる）が、第１図の実施例の副組立体を組 立てるために、本発明の二重貼付けに使用できることは理解されよう。したがっ て、第１図のバス素子６０，７０は例えば第４図のベース部品１０で形成される ことができる。本発明の二重貼付けにおいて、第１図のベース１０に取付けるた めに、例えば第４図の伸長部分３４０を第４図に示された方向と反対の方向へ曲 げるなどの僅かな変形がなされ得る。 第８図は本発明による製造工程の段階を示すフローチャートであり、テープ貼 付けプラットフォームの使用が示されている。第８図において、段階Ｓ１でベー ス１０が準備されるのであり、ベースはスロット３０およびプリント回路９０ま たは導電面または狭いリードを有する。段階Ｓ２で、テープ５０または８０が分 配され、パンチ加工され、または連続ストリップから切断され、または成形体で 準備されるのであり、また段階Ｓ３で、ベースの片側に貼付けられる。テープセ グメントのパンチ加工（段階Ｓ２）は貼付け（段階Ｓ３およびＳ６）と同時に行 われる。テープがベースの第２側にも必要とされるならば（段階Ｓ４）付加的な テープ５０または８０が準備されて（段階Ｓ５）、貼付けられる（段階Ｓ６）。 段階Ｓ５およびＳ６に用いられるテープは段階Ｓ２およびＳ３に用いられるテー プとは異なる。例えば、段階Ｓ６のテープは両側に接着材を有するもので、段階 Ｓ３用のテープは片側だけに接着材を有すか、これと逆関係とされる。または、 これらのいずれのテープもキャスト接着材またはコンテインド接着材またはエポ キシ、または熱可塑性層または熱硬化性プラスチック成形体とされ得る。 第８図の段階Ｓ７において、ベース１０がＩＣチップ２０と整合される。特に 、ベース１０の１以上のスロット３０及び／又は４０はＩＣチップ２０のボンデ ィングパッド１４０及び／又は１５０と整合される。整合されると、ＩＣチップ ２０が段階Ｓ３またはＳ６で貼付けられたテープの選択された１つに対して配置 される（Ｓ８）。何れかのテープを硬化しなければならない場合は、硬化は段階 Ｓ８およびＳ９の間の補完的な工程段階（第８図に示していない）として行われ ることが好ましい。段階Ｓ９で、ワイヤーボンド（またはテープ自動ボンディン グ など）接続２１０及び／又は２２０がスロットを通して形成される。ワイヤーボ ンド２１０及び／又は２２０は、段階Ｓ１でＩＣチップ２０のボンディングパッ ド１４０及び／又は１５０をベース１０のプリント回路９０または導電面部分に 接続するか、またはそうでなければ回路（例えば回路基板）の次に高いレベル位 置のプリント回路ランドヘ接続する。第８図の工程は段階Ｓ１０で完了し、段階 Ｓ１０においてＩＣチップ２０、および段階Ｓ９で形成されたボード２１０及び ／又は２２０がカプセル封じされる。これは、エポキシ成形体を配置して硬化さ せたり、通常のトランスファー成形する方法を含む適当なカプセル封じ材料の塗 布および硬化の各種の従来方法によって、行われる。ＩＣチップ２０およびその ボード２１０および２２０を有害な環境の液から保護するために、カプセル封じ 材料はチップ２０全体の両側、そのボード２１０および２２０の全て、ベース１ ０の取囲む部分、および（適当とされるならば）次に高いレベル位置の回路を覆 うようになされるのが好ましい。 第９Ａ図および第９Ｂ図はテープ貼付けプラットフォームの実施例の使用を示 している。第９Ａ図は頂面図であり、第９Ｂ図は断面Ｂ−Ｂに沿う側断面図であ る。第９Ａ図および第９Ｂ図の両図において、回路カード９００は空所（キャビ ティ）９１０を有しており、空所はカード９００の厚さを通して延在できる。空 所９１０はこれに代えて凹部を形成するようにカード９００内に部分的に延在す ることができる。平面状テープ貼付けプラットフォーム１０は空所９１０の縁部 を超えて延在している。（第９Ａ図および第９Ｂ図において、ベース１０は第７ 図に示される形式のテープ貼付けプラットフォームのベースセグメントから切断 することで互いに分離できるが、伸長部分３４０は必然的に必要とされることは ない）。テープ片８０（本願では両面テープ）は空所９１０の縁部を超えても延 在する。ＩＣチップ２０はボンディングワイヤー２１０および２２０のボンディ ング中はテープ貼付けプラットフォームにより空所９１０内に保持され、またＩ Ｃチップ２０はワイヤーボンド後にテープ貼付けプラットフォームによって支持 されたままとなる。ＩＣチップ２０、テープ貼付けプラットフォーム、およびカ ード９００の取囲み部分のカプセル封じは第９Ａ図および第９Ｂ図に示されてい ない。 第１０Ａ図および第１０Ｂ図はテープ貼付けプラットフォームの第５実施例を 示しており、第５実施例ではバス素子６０，７０は主面の両方に両面テープ片５ ０，８０を有しており、またこれらのテープは回路カードとされ得るプラットフ ォームベース１０のスロット３０の下方にＩＣチップ２０を保持する。この実施 例では、素子６０および７０は導電体で作られるか、または少なくとも頂面に導 電層を有する。第１０Ａ図および第１０Ｂ図のテープ貼付けプラットフォームは 電気的遮蔽、またはＩＣチップ２０の電源及び／又は接地バスとして作用する。 第１０Ａ図および第１０Ｂ図に示された実施例では、バス素子６０，７０は金メ ッキしたニッケル材料、またはセラミックスまたはプラスチックを基材とし、従 来のワイヤーボンディング技術で結合可能な最約的な導電層を含めて金属層（単 数または複数）でメタライジング処理した材料により構成されることが好ましい 。当業者には、第１０Ａ図および第１０Ｂ図のバス素子６０，７０が接地および 供給電源として分離した電気的に分けられた素子とされるか、または両方とも例 えば接地に対して共通した電気的接続を有することができる。第１図を参照して 説明したように、電圧及び／又は接地バスの機能を与えてバス素子６０及び／又 は７０を省略できるようにするために、ベース１０の表面の導電面部分は幾つか の応用例においてベース１０のメッキした貫通穴とともに使用することができる 。 第１１Ａ図および第１１Ｂ図は使用時の本発明による第６実施例の頂面図およ び立面図をそれぞれ示している。第１１Ａ図および第１１Ｂ図において、テープ 貼付けプラットフォームはＩＣチップデバイス２０の全長および全幅の下側を延 在する電気的遮蔽として作用し、均一な調整された「接着線」（すなわちプラッ トフォームベース１０およびテープ５０，８０の厚さ）を維持し、ＩＣチップ２ ０と、またテープが接着される基板との熱膨張係数の調和を与える。この実施例 では、テープ５０，８０はエポキシのような接着層とされることができ、ベース １０は上述で説明したクラッド複合金属材料のような中実導電体とされることが でき、またはメタライジング処理されたプラスチックまたはセラミックスとされ ることができる。第１１Ｃ図は第１１Ｂ図に示された実施例の代替的な細部を示 しており、これにおいて第１１Ｂ図のテープ５０，８０はいずれも両面接着テー プ５０，８０と置換できる。 第１２Ａ図および第１２Ｂ図はテープ貼付けプラットフォームにリードフレー ムを組合せて組立体（以降リードパドル組立体と称する）としたテープ貼付けプ ラットフォームの第７実施例を示しており、これは独特の利点を有している。第 １２Ａ図および第１２Ｂ図のリードパドル組立体は２つのテープ貼付けプラット フォームを互いに向合わせて組合せることを概念としている。第１２Ａ図は頂面 図で、第１２Ｂ図は分解横断面図である。第１２Ａ図および第１２Ｂ図において 、リードフレーム１２１０はＩＣチップ２０の表面に積層されていない。ＩＣチ ップ２０は、例えば通常の低融点共晶合金またはエポキシダイ−ボンド接着材１ ２３０を用いて「下方設置」（down set）のベース１０に対して背面結合される 。この代りに、接着材１２３０は両面テープとされることができる。両面テープ 片５０はベース１０およびリードフレーム１２１０の両方に接着する。下側の片 面テープ片８０は頂面にだけ接着材を有し、バス素子６０の底面にだけ接着して 、バス素子６０をＩＣチップ２０から絶縁する。上側の片面または両面テープ片 ８０はバス素子６０をリードフレーム１２１０のリードフィンガ１２２０から絶 縁し、またリードフレーム１２１０のフィンガ１２２０上のワイヤーボンド可能 な面積部分に対してＩＣチップ２０のボンディングパッド１４０及び／又は１５ ０を接続するワイヤーボンド（図示せず）から絶縁する。ワイヤーボンドはまた リードフィンガ１２２０をバス部材６０に接続する。この実施例は、被加工材の 保持クランピングおよびワイヤーボンディングのためのリードフレームフィンガ が所定位置にしっかりと保持された比較的剛性なリードパドル組立体を形成する 。リードフレーム材料の対称的な配置は機械的応力を有利に分布させる。バス素 子６０はＩＣチップ２０の全長を延在して、接地、遮蔽、または電源接続のため の全長に及ぶ連続したボンディング面積部分を形成する。幾つかの応用例におい てはバス素子６０はまた第１２Ｂ図の上側テープ片５０とともに省略されること ができ、このような場合は片面テープ８０がリードフィンガ１２２０に接着され てＩＣチップ２０から絶縁するようになされる。 第１２Ａ図および第１２Ｂ図に示された実施例を用いる工程は、プラットフォ ームベース組立体を形成するために、テープ１２３０，５０をベース１０に貼付 け、ＩＣチップ２０をテープ１２３０に整合させて配置する段階を含む。テープ ５０，８０がバス素子６０（使用されるならば）に貼付けられて選択的にバス素 子組立体を形成するようになされる。このバス素子組立体は、リードフィンガ１ ２２０に整合されて貼付けられる。リードフィンガ１２２０はプラットフォーム ベース組立体上のＩＣチップ２０に整合され、両面接着テープ５０に押圧するこ とでプラットフォームベース組立体にリードフレームフィンガ１２２０を取付け る。テープ５０及び／又は８０が硬化を必要とするものならば、硬化される。そ の後、ワイヤーボンド相互接続（第１２Ａ図および第１２Ｂ図に示されていない ）は、ＩＣチップ２０のボンディングパッド１４０及び／又は１５０とリードフ レーム１２２０との間に形成される。選択的に、ボンディング相互接続はバス素 子６０と、ＩＣチップ２０のパッド１４０及び／又は１５０、及び／又はリード フィンガ１２２０との間に形成される。典型的にエポキシ（図示せず）のような カプセル封じ材料によるＩＣチップ２０およびリードパドル組立体の取巻き部品 のカプセル封じで、この工程が完結される。 産業上の利用可能性 理解を高め、更に経済的なプレゼンテーションを行うために、本発明が行われ て用いられる方法が各種実施例の図面および説明を参照して上述で説明された。 主な応用例を要約すれば、テープ貼付けプラットフォームはワイヤーボンドまた はテープ自動ボンディング作業を通じての取扱いおよび整合のためにＩＣチップ を担持し、相互接続を行い、また均一に調整された接着材厚さで遮蔽されたＩＣ を支持する。特に簡単な実施例では、プラットフォームベースは連続ストリップ から打刻形成された複合金属シートとされることができ、プラットフォームセグ メントは組立て時に切除される。他の実施例は、２つのテープ貼付けプラットフ ォームがＩＣを剛性組立体として保持するリードパドル組立体を形成する。 本発明は幾つかの特定の実施例を参照して説明したが、この説明は本発明を解 説するものであって、本発明を限定するように解釈すべきでない。請求の範囲の 欄で定義される本発明の精神および範囲から逸脱することなく、各種の代替、追 加および修正が当業者に明らかとなろう。例えば、工程段階が遂行される順序は 変化され、また副組立体が別作業で組立てられ得る。多くの等価の材料が幾つか の図示した実施例の説明に記載した特定材料の代りに使用できる。例えば、メタ ライジング加工したポリイミドや、マイラー（商標）フィルムのような可撓回路 材料をＩＣチップが接続されるベース１０及び／又はプリント回路カードまたは 基板に代用することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フェルプス，ダグラス，ダブリュ．，ジュ ニア アメリカ合衆国05451 バーモント州，バ ーリントン，リチャードソン ストリート 21 (72)発明者 ドムブロスキイ，エドワード ジェイ. アメリカ合衆国05465 バーモント州，ジ ェリコ，ボックス 407 ルーラル ロー ド ２ (72)発明者 ウオード，ウイリアム，シー. アメリカ合衆国05451 バーモント州，バ ーリントン，ビロドー コート 28 【要約の続き】 ット（３０）を通して備えられ、ＩＣパッドを回路に接 続する。プラットフォームベースは導電面積部分（９ ０）を片面または両面に有することができ、シールドま たはワイヤーボンドにより接続されたバスを形成する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． ａ） 第１および第２のベース面を有し、前記第１および第２のベース 面の両方に通じた少なくとも１つのスロットを有するベースと、 ｂ） 第１および第２のテープ面を有し、少なくとも１つの集積回路チップお よび前記ベースに接着される接着材を前記第１および第２のテープ面の少なくと も一方に有するテープと、 ｃ） 前記スロットを通って前記集積回路チップに結合され、前記集積回路チ ップを回路に対して相互接続するようになす少なくとも１つのワイヤーとを含む 、少なくとも１つの集積回路チップを保持して回路に相互接続するテープ貼付け プラットフォーム。 ２． 前記テープが電気的絶縁材料からなる請求の範囲第１項に記載されたテ ープ貼付けプラットフォーム。 ３． 前記スロットが少なくとも第１方向に沿って前記チップと同じ広がりで ある請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ４． 前記第１および第２のベース面の少なくとも一方に前記チップを受入れ る十分な寸法の少なくとも１つの凹部を前記ベースが有し、前記凹部は前記スロ ット含んでいる請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ５． 前記ベースがその上に保持される各々のチップのために１以上の前記ス ロットを有している請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラットフォー ム。 ６． 前記ベースがその上に保持される各々のチップのために２つの前記スロ ットを有している請求の範囲第５項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム 。 ７． 前記ベースがその上に保持される各々のチップのために３つの前記スロ ットを有している請求の範囲第５項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム 。 ８． 前記ベースが少なくとも１つの導電面を前記第１および第２のベース面 の少なくとも一方に有する請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラット フォーム。 ９． １０オーム−センチメートルより大きな抵抗率を有する表面層を前記導 電面が含んでいる請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム 。 １０． ７５オーム−センチメートルより大きな抵抗率を有する表面層を前記 導電面が含んでいる請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付けプラットフォー ム。 １１． １０，０００オーム／平方より小さいシートの抵抗率を前記導電面が 有している請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 １２． 約１０，０００オーム／平方〜１００，０００オーム／平方の間のシ ートの抵抗率を前記導電面が有している請求の範囲第８項に記載されたテープ貼 付けプラットフォーム。 １３． 約１５，０００オーム／平方〜５０，０００オーム／平方の間のシー トの抵抗率を前記導電面が有している請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付 けプラットフォーム。 １４． ０．００３ｍｍ〜０．３ｍｍの間の厚さの層を前記導電面が含んでい る請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 １５． ０．０１５ｍｍ〜０．０６５ｍｍの間の厚さの層を前記導電面が含ん でいる請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 １６． 前記導電面が２以上の金属層を含んでいる請求の範囲第８項に記載さ れたテープ貼付けプラットフォーム。 １７． 前記導電面が３つの金属層を含んでいる請求の範囲第１６項に記載さ れたテープ貼付けプラットフォーム。 １８． 複合された熱膨張係数が保持される集積回路チップの熱膨張係数と調 和するような比率で組合わされた金属を前記金属層が含んでいる請求の範囲第１ ６項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 １９． 複合された熱膨張係数がけい素、ゲルマニウムまたはガリウム砒化物 の熱膨張係数と調和するような比率で組合わされた金属を前記金属層が含んでい る請求の範囲第１６項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２０． 複合された熱膨張係数が５部／１００万／１℃および１５部／１００ 万／１℃の間の熱膨張係数となるような比率で組合わされた金属を前記金属層が 含んでいる請求の範囲第１６項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２１． 前記金属層が銅およびアンバー合金を含んでいる請求の範囲第１６項 に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２２． 前記３つの金属層の少なくとも２つが銅およびアンバー合金を含んで いる請求の範囲第１７項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２３． 前記３つの金属層が第１銅層、アンバー層および第２銅層を含んでい る請求の範囲第１７項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２４． 前記第１銅層が前記導電面層の１％〜２５％、前記アンバー層が５０ ％〜９８％、および前記第２銅層が１％〜２５％を含んでいる請求の範囲第２３ 項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２５． 前記第１銅層が前記導電面層の５％〜１２．５％、前記アンバー層が ７５％〜９０％、および前記第２銅層が５％〜１２．５％を含んでいる請求の範 囲第２３項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２６． 前記ベースが金属材料を含んでいる請求の範囲第１項に記載されたテ ープ貼付けプラットフォーム。 ２７． 前記ベースがアンバー合金またはステンレス鋼を含んでいる請求の範 囲第２６項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２８． 前記ベースが銅、銀、銅合金または銀合金を含んでいる請求の範囲第 ２６項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ２９． 前記ベースがアンバー合金、モリブデン、銅−タングステン、銅鉄合 金またはステンレス鋼を含み、前記導電面が銅、銀、または銅、銀または貴金属 を含んでいる請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ３０． 前記スロットが長い寸法および短い寸法を有し、前記導電面が前記長 い寸法に沿って前記スロットと同じ広がりである請求の範囲第８項に記載された テープ貼付けプラットフォーム。 ３１． 前記導電面が２以上の分離した導電面を含んでいる請求の範囲第８項 に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ３２． 前記分離した導電面の１つが接地電位に接続された請求の範囲第３１ 項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ３３． 前記分離した導電面の１つが接地電位以外の電位に接続された請求の 範囲第３１項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ３４． 前記ベースが前記第１および第２のベース面の少なくとも一方にプリ ント回路を担持している請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラットフ ォーム。 ３５． 前記ベースがガラス−エポキシ材料またはポリイミド材料を含んでい る請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ３６． 前記ベースがガラス−エポキシ材料またはポリイミド材料を含んでい ることを特徴とする請求の範囲第８項に記載されたテープ貼付けプラットフォー ム。 ３７． 前記ベースが導電層で分離された多数の絶縁層を含んでいることを特 徴とする請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ３８． 前記ベースが導電層で分離された多数の絶縁層を含んでいることを特 徴とする請求の範囲第８項に記載のテープ貼付けプラットフォーム。 ３９． ０．２５ｍｍ〜１．５ｍｍの間の厚さの層を前記ベースが含んでいる 請求の範囲第１項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ４０． 前記ガラス−エポキシまたはポリイミド材料がプリント回路としてパ ターン形成された銅の層で分離された多数のガラス−エポキシ層を含んでいる請 求の範囲第３５項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ４１． 前記ベースがプリント回路としてパターン形成された銅層で分離され た多数のガラス−エポキシ層を含んでいる請求の範囲第２２項に記載されたテー プ貼付けプラットフォーム。 ４２． 前記ベースがプリント回路としてパターン形成された銅層で分離され た多数のガラス−エポキシ層を含み、前記導電層の各々が２以上の副層を含んで いる請求の範囲第２２項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ４３． 前記ベースがプリント回路としてパターン形成された銅層で分離され た多数のガラス−エポキシ層を含み、前記導電層の各々が更に銅、アンバー、お よび銅副層を含んでいる請求の範囲第２３項に記載されたテープ貼付けプラット フォーム。 ４４． 前記プリント回路が個々の要素を担持して相互接続する請求の範囲第 ３４項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ４５． 前記個々の要素がキャパシタおよび抵抗を含んでいる請求の範囲第４ ４項に記載されたテープ貼付けプラットフォーム。 ４６． ａ） 第１および第２のベース面を有し、少なくとも前記第１面に導 電面を有し、少なくとも第１方向に沿って前記チップと同じ広がりの少なくとも １つのスロットを有し、前記スロットは前記第１および第２ベース面の両方と通 じているベースを準備し、 ｂ） 第１および第２のテープ面を有し、前記第１および第２テープ面の少な くとも一方に接着材を有する少なくとも１つのテープを準備し、 ｃ） 前記テープを前記ベースの前記第２面に貼付け、 ｄ） 前記スロットを集積回路チップのボンディングパッドと整合し、 ｅ） 前記チップを前記テープに対して保持し、および ｆ） 前記チップワイヤーボンドパッド、前記導電面および前記カード、ボー ドまたはリードフィンガの選ばれたパッドのなかの前記スロットを通してワイヤ ーボンドを行う諸段階を含む、ボンディングパッドを用いる形式の集積回路チッ プを回路基板またはボードまたはリードフィンガに相互接続する工程。 ４７． ａ） 第１および第２の面を有し、前記第１および第２の面の少なく とも一方に少なくとも１つの導電面を有し、前記第１および第２の面の間を連通 している少なくとも１つのスロットを有するベースと、 ｂ） 前記ベースの前記第１面に積層され、前記ベースの前記スロットと同じ 広がりで、前記ベースに対して前記集積回路を保持する少なくとも１つの接着層 とを有する電子装置の組立て時に集積回路を担持する集積回路チッププラットフ ォーム。 ４８． 第１および第２の面を有し、前記第１および第２の面の少なくとも一 方に導電面を有するベース材料のストリップであって、前記ストリップに沿って 均等間隔を隔てられた多数の同一セグメントを有する前記ストリップを含み、前 記セグメントの各々は、 ａ） 前記ストリップを移動させて割出すための一対の平行なスプロケットレ ールと、 ｂ） 前記スプロケットレールに連結され、そのレールの間を延在する少なく とも１つのバーと、 ｃ） 前記スプロケットレールの間に位置し、前記バーに連結されて支持され たプラットフォームベースとを更に含んでいる、集積回路チッププラットフォー ムベースの連続ストリップ。 ４９． 前記プラットフォームベース（ｃ）が、 前記集積回路チップと実質的に同じ広がりの１以上のスロットを有するベース を更に含んでいる請求の範囲第４８項に記載された集積回路チッププラットフォ ームセグメントの接続ストリップ。 ５０． 前記プラットフォームベース（ｃ）が、 集積回路チップよりもそれぞれ長い一対のベースを更に含んでいる請求の範囲 第４８項に記載された集積回路チッププラットフォームベースの連続ストリップ 。 ５１． 前記集積回路チップの熱膨張と調和する熱膨張係数を有するような比 率で第１銅層、アンバー層および第２銅層を含んでなる３つの層を前記ストリッ プが更に含んでいる請求の範囲第４８項に記載された集積回路チッププラットフ ォームベースの接続ストリップ。 ５２． 少なくとも一つの主面に積層された接着テープを有する集積回路プラ ットフォームの継続したストリップを準備し、 ｂ） その長さに沿って前記ストリップを駆動し、 ｃ） 前記プラットフォームの１つを予め定めた位置に位置決めし、 ｄ） 前記集積回路チップの１つを前記プラットフォームの１つに整合させ、 ｅ） 前記１つのプラットフォームにて前記接着材に集積回路チップの前記１ つを積層し、 ｆ） 必要に応じて前記接着テープを硬化させ、 ｇ） 前記集積回路チップと前記プラットフォームとの間の相互接続を接着し て接着プラットフォームを形成する諸段階を含む、高レベル回路の製造時に集積 回路チップを取扱う方法。 ５３． ｈ） 前記高レベル回路に接着プラットフォームを整合し、 ｉ） 前記プラットフォームを前記高レベル回路に接続する間、前記プラット フォームを前記ストリップから切断し、および ｊ） 前記集積回路チップをカプセル封じを行う諸段階を更に含む請求の範囲 第５２項に記載された高レベル回路の製造時に集積回路チップを取扱う方法。 ５４． 前記カプセル封じを行う段階（ｊ）が、 ｋ） 予め定めた量のカプセル封じ材料をトランスファー成形または付与し、 ｌ） 前記カプセル封じ材料を硬化させる諸段階を更に含んでいる請求の範囲 第５３項に記載された高レベル回路の製造時に集積回路チップを取扱う方法。 ５５． ａ） プリント形成された導電体を担持するプリント回路と、 ｂ） 前記プリント形成された導電体に接続された複数のコネクタと、 ｃ） 前記コネクタと組合う集積回路チップの複数のプラットフォームであっ て、前記プラットフォームの各々が、 ｉ） 前記第１および第２のベース面を有し、前記第１および第２のベー ス面の両方と連通した少なくとも１つのスロットを有するベース、 ｉｉ） 前記第１および第２のベース面の少なくとも一方の導電面層、 ｉｉｉ） 第１および第２のテープ面を有し前記チップおよび前記ベース の少なくとも一方に接着した前記第１および第２のテープ面の少なくとも一方の 位置する接着材を有するテープ、および ｉｖ） 前記スロットを通り、前記集積回路チップに接着された少なくと も１つのワイヤーを含む複数のプラットフォームとを含むメモリーカード。 ５６． ａ） 第１および第２の主面を有し、前記第１および第２の主面の少 なくとも一方が導電面を含み、また前記主面の間を連通したベーススロットを有 するベースと、 ｂ） 第１テープ主面の両方に接着材を有し、前記第１ベース面に接着して実 質的にそれを覆い、これにより前記ベースの前記集積回路チップに対する取付け を可能にした第１テープと、 ｃ） 第２テープ主面の両方に接着材を有し、前記スロットに隣接した部分を 除いて前記第２主ベース面の一部に接着して前記回路カードに付着できるように なし、これによりワイヤーボンドがベーススロットを通して回路カード、導電面 および前記集積回路チップと相互接続されるようになされる第２テープとを含む 、 ワイヤーボンドを用いて集積回路チップを回路カードに取付けて相互接続するた めの遮蔽プレフォーム。 ５７． 縁部、背面およびボンディングパッドを備えた能動面を有する集積回 路チップを保持し取扱うための集積回路リードパドル組立体であって、 ａ） 前記集積回路チップの背面に取り付けられ、前記チップの縁部を超えて 延在するベース部分を有し、該部分は両面第１テープを担持しているプラットフ ォームベースと、 ｂ） 前記両面第１テープで前記ベース部分に取付けられ、前記ボンディング パッドに隣接して配置された複数のリードフィンガを有するリードフレームと、 ｃ） 前記チップおよび前記リードフィンガの間の絶縁第２テープ部分であっ て、前記チップには接着されず、前記チップを前記リードフレームから絶縁し、 また前記リードフレームを前記ワイヤーボンドパッドに相互接続するのに用いら れるワイヤーから絶縁する前記絶縁第２テープ部分とを含む集積回路リードパド ル組立体。 ５８． 前記絶縁第２テープ部分が接着テープまたは両面接着テープの層を含 む請求の範囲第５７項に記載された集積回路リードパドル組立体。 ５９． 前記絶縁第２テープ部分に接着され、前記チップおよび前記リードフ レームから絶縁されて、前記チップに対してワイヤー結合が行われたときにバス 相互接続部を形成する１以上の導電部材を更に含む請求の範囲第５７項に記載さ れた集積回路リードパドル組立体。 ６０． 前記絶縁第２テープ部分が接着テープまたは両面接着テープの層を含 む請求の範囲第５８項に記載された集積回路リードパドル組立体。 ６１． 縁部、背面、およびボンディングパッドのある能動面を有する相互接 続された集積回路チップを保持し取扱うための集積回路リードパドル組立体であ って、 ａ） 前記チップの前記背面が基準面位置で取り付けられ、前記プラットフォ ームの部分が前記基準面から外れるように変形されるようになされる請求の範囲 第２６項に記載されたテープ貼付けプラットフォームと、 ｂ） 前記ボンディングパッドに隣接した前記チップと整合される複数のリー ドフィンガと、 ｃ） 前記基準面から変形した前記部分の位置で前記テープ貼付けプラットフ ォームに前記複数のリードフィンガを取付けるように配置された第２テープと、 ｄ） 前記リードフィンガに接着されるが前記チップには接着されず、前記チ ップの能動面を前記リードフレームから絶縁するように配置された第３テープと を含み、 これにより前記ボンディングパッドの選ばれたパッドを前記複数のリードフィ ンガの選ばれた前記リードフィンガと相互接続するワイヤーボンドを可能にした 集積回路リードパドル組立体。 ６２． ｅ） 前記リードフィンガと前記チップの前記能動面との間に配置さ れ、露出された少なくとも一部分を有する１以上の導電素子と、 ｆ） 各導電素子に接着するが、前記チップには接着されず、各々の前記導電 素子を前記チップから絶縁するテープとを更に含み、 これにより前記チップの前記ボンディングパッドの選ばれたパッドに対して、 また前記複数のリードフィンガの選ばれたフィンガに対してワイヤーボンディン グを行うための前記露出部分を形成するようになされた請求の範囲第６１項に記 載された集積回路リードパドル組立体。 ６３． ａ） プラットフォーム、第１および第２の両面接着テープ、および 複数のリードフィンガを準備し、 ｂ） １以上の導電バス素子、第３両面接着テープ、および片面接着材を有す る第４テープを選択的に準備し、 ｂ） 前記第１および第２の接着テープを前記プラットフォームベースに貼付 け、 ｃ） 前記集積回路チップを前記プラットフォームベースに整合し、 ｄ） 前記集積回路チップを前記プラットフォームベース上の前記第１の両面 接着テープに対して置き、それにより前記チップを取り付け、ベース組立体を形 成し、 ｅ） 選択的なバス素子組立体を形成するために準備されたならば、第３およ び第４のテープを前記導電バス素子に貼付け、 ｆ） 前記複数のリードフィンガに形成されるならば、前記選択的なバス素子 組立体を整合して貼付け、 ｇ） 前記複数のリードフィンガを前記プラットフォームベース組立体の前記 チップと整合し、 ｈ） 前記第２両面接着テープに押圧して前記ベース組立体に前記複数のリー ドフィンガを取付けてリードパドル組立体を形成するようにし、 ｉ） 前記テープを必要に応じて硬化させ、 ｊ） 前記集積回路チップおよび前記リードフィンガの間の相互接続部を接着 し、 ｋ） 前記バス素子、前記集積回路チップ、および前記リードフィンガの間の 相互接続部を選択的に接着し、 ｌ） 前記集積回路チップをカプセル封じして取扱いおよび相互接続工程を完 結する諸段階を含む、製造作業時に集積回路チップを取扱い相互接続する方法。