JPH0953162A - 軟質銅箔の製造方法 - Google Patents
軟質銅箔の製造方法Info
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Landscapes
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- Metal Rolling (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い張力や伸びに対して耐久性のある軟質銅
箔の製造方法を提供する。 【解決手段】 タフピッチ銅又は無酸素銅の鋳塊を熱間
圧延後、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返し、最終の
中間焼鈍後の仕上圧延において［｛（最終の中間焼鈍厚
さ）−（仕上焼鈍前厚さ）｝／最終の中間焼鈍厚さ］×
100 から算出される冷間加工度を60％以上とし、その後
仕上焼鈍を施して厚さ10μm 以下の軟質銅箔を製造する
方法において、前記最終の中間焼鈍後における銅板の再
結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上とする。
箔の製造方法を提供する。 【解決手段】 タフピッチ銅又は無酸素銅の鋳塊を熱間
圧延後、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返し、最終の
中間焼鈍後の仕上圧延において［｛（最終の中間焼鈍厚
さ）−（仕上焼鈍前厚さ）｝／最終の中間焼鈍厚さ］×
100 から算出される冷間加工度を60％以上とし、その後
仕上焼鈍を施して厚さ10μm 以下の軟質銅箔を製造する
方法において、前記最終の中間焼鈍後における銅板の再
結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電線等のシールド
材として使用される軟質銅箔の製造方法に関するもので
ある。
材として使用される軟質銅箔の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の軟質銅箔の製造方法では、先ず、
タフピッチ銅又は無酸素銅の銅原料を溶解・鋳造して厚
さ50〜300mm の鋳塊を得、次いで、熱間圧延及び粗圧延
により厚さ約1.0mm の銅板とし、続いで、冷間圧延と中
間焼鈍を複数回繰り返して徐々に薄くして行くことによ
り厚さ10μm 以下の軟質銅箔を得ているが、タフピッチ
銅や無酸素銅は、冷間圧延による加工度を大きくするこ
とができるため、最終の中間焼鈍後の冷間加工度が90％
以上に圧延され、後に再結晶完了温度（平板状で加熱保
持時間を30分とした時の再結晶が完了する温度）以上、
一般には再結晶完了温度より10〜50℃高い温度で焼鈍を
行って軟質銅箔としている。
タフピッチ銅又は無酸素銅の銅原料を溶解・鋳造して厚
さ50〜300mm の鋳塊を得、次いで、熱間圧延及び粗圧延
により厚さ約1.0mm の銅板とし、続いで、冷間圧延と中
間焼鈍を複数回繰り返して徐々に薄くして行くことによ
り厚さ10μm 以下の軟質銅箔を得ているが、タフピッチ
銅や無酸素銅は、冷間圧延による加工度を大きくするこ
とができるため、最終の中間焼鈍後の冷間加工度が90％
以上に圧延され、後に再結晶完了温度（平板状で加熱保
持時間を30分とした時の再結晶が完了する温度）以上、
一般には再結晶完了温度より10〜50℃高い温度で焼鈍を
行って軟質銅箔としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】軟質銅箔を電線に被覆
する工程では、一般に軟質銅箔や該銅箔に合成樹脂製フ
ィルムを張り合わせたものを電線に密着させて被覆する
ために軟質銅箔に高い張力が負荷されるが、従来の軟質
銅箔では、該工程中に銅箔が切れたり、クラックが発生
するという問題点があった。
する工程では、一般に軟質銅箔や該銅箔に合成樹脂製フ
ィルムを張り合わせたものを電線に密着させて被覆する
ために軟質銅箔に高い張力が負荷されるが、従来の軟質
銅箔では、該工程中に銅箔が切れたり、クラックが発生
するという問題点があった。
【０００４】本発明者は上記問題点を解決するために、
従来の軟質銅箔の引張強さを測定したところ、厚さ９μ
m の軟質銅箔の巾10mm、長さ150mm のものを試験片とし
て引張速度10mm／min 、初期チャック間長さ50mmで測定
した引張試験により求めた引張強さが110 〜140 Ｎ／mm
2 、伸びが3.0 〜4.5 ％と低いものであった。そこで、
軟質銅箔の引張強さ及び伸び共に高い値となる銅箔の具
現化をはかるべく研究、実験を重ねた結果、仕上焼鈍後
の再結晶集合組織である立方体方位の発達を抑制できれ
ば、軟質銅箔に十分な引張強さと伸びが付与されて高い
張力負荷に対して耐久性のある軟質銅箔を得ることがで
きるという刮目すべき知見を得、前記技術的課題を達成
したものである。
従来の軟質銅箔の引張強さを測定したところ、厚さ９μ
m の軟質銅箔の巾10mm、長さ150mm のものを試験片とし
て引張速度10mm／min 、初期チャック間長さ50mmで測定
した引張試験により求めた引張強さが110 〜140 Ｎ／mm
2 、伸びが3.0 〜4.5 ％と低いものであった。そこで、
軟質銅箔の引張強さ及び伸び共に高い値となる銅箔の具
現化をはかるべく研究、実験を重ねた結果、仕上焼鈍後
の再結晶集合組織である立方体方位の発達を抑制できれ
ば、軟質銅箔に十分な引張強さと伸びが付与されて高い
張力負荷に対して耐久性のある軟質銅箔を得ることがで
きるという刮目すべき知見を得、前記技術的課題を達成
したものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記技術課題は、次の通
りの本発明によって解決できる。即ち、本発明に係る軟
質銅箔の製造方法は、タフピッチ銅又は無酸素銅の鋳塊
を熱間圧延後、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返し、
最終の中間焼鈍後の仕上圧延において［｛（最終の中間
焼鈍厚さ）−（仕上焼鈍前厚さ）｝／最終の中間焼鈍厚
さ］×100 から算出される冷間加工度を60％以上とし、
その後仕上焼鈍を施して厚さ10μm 以下の軟質銅箔を製
造する方法において、前記最終の中間焼鈍後における銅
板の再結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上とするもので
ある。
りの本発明によって解決できる。即ち、本発明に係る軟
質銅箔の製造方法は、タフピッチ銅又は無酸素銅の鋳塊
を熱間圧延後、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返し、
最終の中間焼鈍後の仕上圧延において［｛（最終の中間
焼鈍厚さ）−（仕上焼鈍前厚さ）｝／最終の中間焼鈍厚
さ］×100 から算出される冷間加工度を60％以上とし、
その後仕上焼鈍を施して厚さ10μm 以下の軟質銅箔を製
造する方法において、前記最終の中間焼鈍後における銅
板の再結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上とするもので
ある。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に係る軟質銅箔の製造方法
を詳しく説明すれば次の通りである。銅鋳塊は、溶解・
鋳造して得た厚さ約30〜300mm の普通のタフピッチ銅又
は無酸素銅を使用することができる。この銅鋳塊を熱間
圧延及び粗圧延により厚さ約1.0 〜2.0mm 前後の銅板と
し、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返して徐々に薄く
して厚さ約0.1 〜0.5mm の銅板とする。
を詳しく説明すれば次の通りである。銅鋳塊は、溶解・
鋳造して得た厚さ約30〜300mm の普通のタフピッチ銅又
は無酸素銅を使用することができる。この銅鋳塊を熱間
圧延及び粗圧延により厚さ約1.0 〜2.0mm 前後の銅板と
し、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返して徐々に薄く
して厚さ約0.1 〜0.5mm の銅板とする。
【０００７】最終の中間焼鈍を除く中間焼鈍は、従来公
知の方法で行えば良いが、最終の中間焼鈍後における銅
板の再結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上とするため
に、最終の中間焼鈍は、連続焼鈍法又はバッチ式焼鈍で
行い、物温を350 ℃以上、特に、400 ℃以上の条件で行
えばより好ましい。そして、連続焼鈍法の場合は、加熱
保持時間が短いため、物温は高いほうがよく、バッチ式
焼鈍の場合は、通常コイル表面温度が目標温度に到達
後、２〜３時間の保持を行うが、加熱保持時間を10時間
以上に延長することで物温350 ℃でも、再結晶粒の平均
結晶粒径50μm 以上のものを得ることができる。再結晶
粒の平均結晶粒径が50μm 以下では、仕上焼鈍後に再結
晶集合組織である立方体方位が発達し、引張強さ・伸び
が小さくなり、好ましくない。なお、再結晶粒の平均結
晶粒径の上限は特に限定されるものではないが、あまり
大きすぎると圧延時に切れ等が生じ易くなるので、再結
晶粒の平均結晶粒径は50〜150 μm の範囲とするのが好
ましい。
知の方法で行えば良いが、最終の中間焼鈍後における銅
板の再結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上とするため
に、最終の中間焼鈍は、連続焼鈍法又はバッチ式焼鈍で
行い、物温を350 ℃以上、特に、400 ℃以上の条件で行
えばより好ましい。そして、連続焼鈍法の場合は、加熱
保持時間が短いため、物温は高いほうがよく、バッチ式
焼鈍の場合は、通常コイル表面温度が目標温度に到達
後、２〜３時間の保持を行うが、加熱保持時間を10時間
以上に延長することで物温350 ℃でも、再結晶粒の平均
結晶粒径50μm 以上のものを得ることができる。再結晶
粒の平均結晶粒径が50μm 以下では、仕上焼鈍後に再結
晶集合組織である立方体方位が発達し、引張強さ・伸び
が小さくなり、好ましくない。なお、再結晶粒の平均結
晶粒径の上限は特に限定されるものではないが、あまり
大きすぎると圧延時に切れ等が生じ易くなるので、再結
晶粒の平均結晶粒径は50〜150 μm の範囲とするのが好
ましい。
【０００８】仕上焼鈍前の冷間圧延（仕上圧延）では、
１パス（一対の圧延ロール間に銅板を一回通す）あたり
５〜50％の範囲内で繰り返し圧延を行って所望厚さのも
のを得るのが好ましい。仕上焼鈍前の冷間加工度が60％
以下では、仕上焼鈍後に銅箔同志がくっつき、次工程が
スムーズに行えない場合がある。仕上焼鈍は、一般に採
用されるバッチ式焼鈍によればよく、170 〜250 ℃の温
度で焼鈍を行えばよい。
１パス（一対の圧延ロール間に銅板を一回通す）あたり
５〜50％の範囲内で繰り返し圧延を行って所望厚さのも
のを得るのが好ましい。仕上焼鈍前の冷間加工度が60％
以下では、仕上焼鈍後に銅箔同志がくっつき、次工程が
スムーズに行えない場合がある。仕上焼鈍は、一般に採
用されるバッチ式焼鈍によればよく、170 〜250 ℃の温
度で焼鈍を行えばよい。
【０００９】なお、中間焼鈍は、連続焼鈍法又はバッチ
式焼鈍を採用して行われ、仕上焼鈍は一般にバッチ式焼
鈍を採用して行われるが、いずれの方法においても、不
活性ガス雰囲気下で行われ、使用する不活性ガスとして
は、アルゴンや窒素等があるが、窒素ガスを用いれば、
経済的である。また、冷間加工度を算出するための最終
の中間焼鈍厚さとは、仕上圧延を開始する前に行われる
中間焼鈍時の板厚のことであり、仕上焼鈍前厚さとは、
最後の冷間圧延によって得られる銅箔の厚さ、即ち製品
厚さのことである。さらに、再結晶粒の平均結晶粒径
は、中間焼鈍後の試料に電解研磨を施し、化学エッチン
グにより組織を現した後、ＪＩＳ Ｈ 0501 の伸銅品
結晶粒度試験方法の比較法によれば簡易に求めることが
できる。
式焼鈍を採用して行われ、仕上焼鈍は一般にバッチ式焼
鈍を採用して行われるが、いずれの方法においても、不
活性ガス雰囲気下で行われ、使用する不活性ガスとして
は、アルゴンや窒素等があるが、窒素ガスを用いれば、
経済的である。また、冷間加工度を算出するための最終
の中間焼鈍厚さとは、仕上圧延を開始する前に行われる
中間焼鈍時の板厚のことであり、仕上焼鈍前厚さとは、
最後の冷間圧延によって得られる銅箔の厚さ、即ち製品
厚さのことである。さらに、再結晶粒の平均結晶粒径
は、中間焼鈍後の試料に電解研磨を施し、化学エッチン
グにより組織を現した後、ＪＩＳ Ｈ 0501 の伸銅品
結晶粒度試験方法の比較法によれば簡易に求めることが
できる。
【００１０】本発明においては、最終の中間焼鈍におい
て銅板又は銅箔の再結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上
とする中間焼鈍工程を経ることにより、［｛（最終の中
間焼鈍厚さ）−（仕上焼鈍前厚さ）｝／最終の中間焼鈍
厚さ］×100 から算出される冷間加工度が60％以上とな
るように、冷間圧延を行った厚さ10μm 以下の銅箔は、
仕上焼鈍を行った場合、再結晶集合組織である立方体方
位の発達が少なく、結果として、銅箔に十分な引張強さ
と伸びが得られ、電線等に銅箔を被覆する工程中の高い
張力に対して耐久性のある軟質銅箔を得ることができ
る。
て銅板又は銅箔の再結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上
とする中間焼鈍工程を経ることにより、［｛（最終の中
間焼鈍厚さ）−（仕上焼鈍前厚さ）｝／最終の中間焼鈍
厚さ］×100 から算出される冷間加工度が60％以上とな
るように、冷間圧延を行った厚さ10μm 以下の銅箔は、
仕上焼鈍を行った場合、再結晶集合組織である立方体方
位の発達が少なく、結果として、銅箔に十分な引張強さ
と伸びが得られ、電線等に銅箔を被覆する工程中の高い
張力に対して耐久性のある軟質銅箔を得ることができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に説明す
る。 実施例１．溶解・鋳造して、厚さ30mm×巾200mm ×長さ
300mm としたタフピッチ銅鋳塊を熱間圧延及び粗圧延に
より厚さ1.2mm の銅板とし、中間焼鈍と冷間圧延を繰返
し行って徐々に薄くして厚さ0.4mm とし、バッチ式焼鈍
において窒素雰囲気下で、物温400 ℃×２時間保持の最
終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍後の平均結晶粒
径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により測定したところ
55μm であった。続いて、この銅板に対して１パスあた
り５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷
間加工度が97.8％となり、厚さが９μm の銅箔を得た。
最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅
箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び伸びを測定した
ところ、引張強さ158 Ｎ／mm2 、伸び6.8 ％であった。
る。 実施例１．溶解・鋳造して、厚さ30mm×巾200mm ×長さ
300mm としたタフピッチ銅鋳塊を熱間圧延及び粗圧延に
より厚さ1.2mm の銅板とし、中間焼鈍と冷間圧延を繰返
し行って徐々に薄くして厚さ0.4mm とし、バッチ式焼鈍
において窒素雰囲気下で、物温400 ℃×２時間保持の最
終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍後の平均結晶粒
径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により測定したところ
55μm であった。続いて、この銅板に対して１パスあた
り５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷
間加工度が97.8％となり、厚さが９μm の銅箔を得た。
最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅
箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び伸びを測定した
ところ、引張強さ158 Ｎ／mm2 、伸び6.8 ％であった。
【００１２】実施例２．実施例１と同様にして得た厚さ
0.4mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温500 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ80μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が97.8％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ171
Ｎ／mm2 、伸び8.2 ％であった。
0.4mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温500 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ80μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が97.8％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ171
Ｎ／mm2 、伸び8.2 ％であった。
【００１３】実施例３．実施例１と同様にして得た厚さ
0.2mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温450 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ70μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が95.5％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔にバッ
チ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時間
保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅箔
の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ165 Ｎ
／mm2 、伸び6.7 ％であった。
0.2mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温450 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ70μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が95.5％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔にバッ
チ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時間
保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅箔
の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ165 Ｎ
／mm2 、伸び6.7 ％であった。
【００１４】実施例４．実施例１と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温350 ℃×15時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ55μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ149
Ｎ／mm2 、伸び6.2 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温350 ℃×15時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ55μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ149
Ｎ／mm2 、伸び6.2 ％であった。
【００１５】実施例５．実施例１と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温400 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ70μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ153
Ｎ／mm2 、伸び6.5 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温400 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ70μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ153
Ｎ／mm2 、伸び6.5 ％であった。
【００１６】実施例６．実施例１と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温500 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ95μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ168
Ｎ／mm2 、伸び7.5 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温500 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ95μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ168
Ｎ／mm2 、伸び7.5 ％であった。
【００１７】実施例７．実施例１と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温250 ℃×２時間保持の中間焼鈍を行い、冷間圧
延を行うことにより0.025mm とした。さらに、バッチ式
焼鈍において窒素雰囲気下で物温400 ℃×２時間保持の
最終の中間焼鈍を行い、平均結晶粒径を測定したところ
80μm であった。続いて、この銅板に対して１パスあた
り５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷
間加工度が64.0％となり、厚さが９μm の銅箔を得た。
最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅
箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び伸びを測定した
ところ、引張強さ170 Ｎ／mm2 、伸び8.4 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温250 ℃×２時間保持の中間焼鈍を行い、冷間圧
延を行うことにより0.025mm とした。さらに、バッチ式
焼鈍において窒素雰囲気下で物温400 ℃×２時間保持の
最終の中間焼鈍を行い、平均結晶粒径を測定したところ
80μm であった。続いて、この銅板に対して１パスあた
り５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷
間加工度が64.0％となり、厚さが９μm の銅箔を得た。
最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅
箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び伸びを測定した
ところ、引張強さ170 Ｎ／mm2 、伸び8.4 ％であった。
【００１８】実施例８．溶解・鋳造して、厚さ30mm×巾
200mm ×長さ300mm とした無酸素銅鋳塊を熱間圧延及び
粗圧延により厚さ1.2 mmの銅板とし、中間焼鈍と冷間圧
延を繰り返し行って徐々に薄くして厚さ0.4mm とし、連
続焼鈍法において窒素雰囲気下で、物温600 ℃×２時間
保持の最終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍後の平
均結晶粒径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により測定し
たところ60μm であった。続いて、この銅板に対して１
パスあたり５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い
合計の冷間加工度が97.8％となり、厚さが９μm の銅箔
を得た。最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素
雰囲気下で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行
い、軟質銅箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び伸び
を測定したところ、引張強さ160 Ｎ／mm2 、伸び6.3 ％
であった。
200mm ×長さ300mm とした無酸素銅鋳塊を熱間圧延及び
粗圧延により厚さ1.2 mmの銅板とし、中間焼鈍と冷間圧
延を繰り返し行って徐々に薄くして厚さ0.4mm とし、連
続焼鈍法において窒素雰囲気下で、物温600 ℃×２時間
保持の最終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍後の平
均結晶粒径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により測定し
たところ60μm であった。続いて、この銅板に対して１
パスあたり５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い
合計の冷間加工度が97.8％となり、厚さが９μm の銅箔
を得た。最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素
雰囲気下で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行
い、軟質銅箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び伸び
を測定したところ、引張強さ160 Ｎ／mm2 、伸び6.3 ％
であった。
【００１９】実施例９．実施例８と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温400 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ65μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ160
Ｎ／mm2 、伸び7.2 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温400 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ65μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ160
Ｎ／mm2 、伸び7.2 ％であった。
【００２０】比較例１．実施例１と同様にして得た厚さ
0.4mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温300 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ30μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が97.8％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ140
Ｎ／mm2 、伸び4.2 ％であった。
0.4mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温300 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ30μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が97.8％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ140
Ｎ／mm2 、伸び4.2 ％であった。
【００２１】比較例２．実施例１と同様にして得た厚さ
0.2mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温350 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ40μm であった。続い
て、この銅箔に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が95.5％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ124
Ｎ／mm2 、伸び3.2 ％であった。
0.2mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温350 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ40μm であった。続い
て、この銅箔に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が95.5％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ124
Ｎ／mm2 、伸び3.2 ％であった。
【００２２】比較例３．実施例１と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温300 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ35μm であった。続い
て、この銅箔に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ133
Ｎ／mm2 、伸び4.5 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温300 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ35μm であった。続い
て、この銅箔に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ133
Ｎ／mm2 、伸び4.5 ％であった。
【００２３】比較例４．実施例１と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温350 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ40μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ130
Ｎ／mm2 、伸び4.5 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温350 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ40μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ130
Ｎ／mm2 、伸び4.5 ％であった。
【００２４】比較例５．実施例１と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温250 ℃×２時間保持の中間焼鈍を行い、冷間圧
延を行うことにより0.020mm とした。さらに、バッチ式
焼鈍において窒素雰囲気下で物温250 ℃×２時間保持の
最終の中間焼鈍を行い、平均結晶粒径を測定したところ
40μm であった。続いて、この銅板に対して１パスあた
り５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷
間加工度が55.0％となり、厚さが９μm の銅箔を得た。
最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行った。この
軟質銅箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強
さ113 Ｎ／mm2 、伸び0.7 ％と軟質化しきっていなかっ
た。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温250 ℃×２時間保持の中間焼鈍を行い、冷間圧
延を行うことにより0.020mm とした。さらに、バッチ式
焼鈍において窒素雰囲気下で物温250 ℃×２時間保持の
最終の中間焼鈍を行い、平均結晶粒径を測定したところ
40μm であった。続いて、この銅板に対して１パスあた
り５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷
間加工度が55.0％となり、厚さが９μm の銅箔を得た。
最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍を行った。この
軟質銅箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強
さ113 Ｎ／mm2 、伸び0.7 ％と軟質化しきっていなかっ
た。
【００２５】比較例６．実施例８と同様にして得た厚さ
0.4mm の銅板を、連続焼鈍法において窒素雰囲気下で、
物温300 ℃の最終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍
後の平均結晶粒径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により
測定したところ20μm であった。続いて、この銅板に対
して１パスあたり５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延
を行い合計の冷間加工度が97.8％となり、厚さが９μm
の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍におい
て窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍
を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び
伸びを測定したところ、引張強さ141 Ｎ／mm2 、伸び4.
2 ％であった。
0.4mm の銅板を、連続焼鈍法において窒素雰囲気下で、
物温300 ℃の最終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍
後の平均結晶粒径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により
測定したところ20μm であった。続いて、この銅板に対
して１パスあたり５〜50％の範囲内で繰り返し冷間圧延
を行い合計の冷間加工度が97.8％となり、厚さが９μm
の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍におい
て窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時間保持の仕上焼鈍
を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び
伸びを測定したところ、引張強さ141 Ｎ／mm2 、伸び4.
2 ％であった。
【００２６】比較例７．実施例８と同様にして得た厚さ
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温300 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ30μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ135
Ｎ／mm2 、伸びは3.8 ％であった。
0.1mm の銅板を、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下
で、物温300 ℃×２時間保持の最終の中間焼鈍を行い、
平均結晶粒径を測定したところ30μm であった。続い
て、この銅板に対して１パスあたり５〜50％の範囲内で
繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が91.0％とな
り、厚さが９μm の銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バ
ッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温200 ℃×２時
間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅
箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ135
Ｎ／mm2 、伸びは3.8 ％であった。
【００２７】上記実施例１〜９及び比較例１〜７におけ
る軟質銅箔の立方体方位強度をＸ線回折により（１０
０）の回折強度を測定し、比較例２の強度を１として強
度比を算出し、その結果を表１に示した。
る軟質銅箔の立方体方位強度をＸ線回折により（１０
０）の回折強度を測定し、比較例２の強度を１として強
度比を算出し、その結果を表１に示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】銅の場合、一般的に冷間加工度が90％以上
となると（１００）立方体方位の占有率が急激に増加す
ることが知られているが、表１に示す通り、最終の中間
焼鈍で平均結晶粒径を50μm 以上としたものは仕上圧
延、仕上焼鈍後の再結晶集合組織である（１００）立方
体方位の発達が少なく、結果として高い引張強さと伸び
が得られた。
となると（１００）立方体方位の占有率が急激に増加す
ることが知られているが、表１に示す通り、最終の中間
焼鈍で平均結晶粒径を50μm 以上としたものは仕上圧
延、仕上焼鈍後の再結晶集合組織である（１００）立方
体方位の発達が少なく、結果として高い引張強さと伸び
が得られた。
【００３０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、最
終の中間焼鈍における銅箔の再結晶粒の平均結晶粒径を
50μm 以上としたので、仕上焼鈍後の再結晶集合組織で
ある、立方体方位の発達が抑制され、引張強さ150 〜17
0 Ｎ／mm2 、伸び6.0 〜8.5 ％と高い数値を得ることが
でき、銅箔に十分な引張強さと伸びが付与され、高い張
力や伸びに対して耐久性のある軟質銅箔を得ることがで
きる。これにより電線等に被覆する際に、銅テープが切
れたり、銅箔部分にクラックが生じることなく、好適に
使用することができる。従って、本発明の産業上利用性
は非常に高いといえる。
終の中間焼鈍における銅箔の再結晶粒の平均結晶粒径を
50μm 以上としたので、仕上焼鈍後の再結晶集合組織で
ある、立方体方位の発達が抑制され、引張強さ150 〜17
0 Ｎ／mm2 、伸び6.0 〜8.5 ％と高い数値を得ることが
でき、銅箔に十分な引張強さと伸びが付与され、高い張
力や伸びに対して耐久性のある軟質銅箔を得ることがで
きる。これにより電線等に被覆する際に、銅テープが切
れたり、銅箔部分にクラックが生じることなく、好適に
使用することができる。従って、本発明の産業上利用性
は非常に高いといえる。
Claims (1)
- 【請求項１】 タフピッチ銅又は無酸素銅の鋳塊を熱間
圧延後、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返し、最終の
中間焼鈍後の仕上圧延において［｛（最終の中間焼鈍厚
さ）−（仕上焼鈍前厚さ）｝／最終の中間焼鈍厚さ］×
100 から算出される冷間加工度を60％以上とし、その後
仕上焼鈍を施して厚さ10μm 以下の軟質銅箔を製造する
方法において、前記最終の中間焼鈍後における銅板の再
結晶粒の平均結晶粒径を50μm 以上とすることを特徴と
する軟質銅箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23326295A JPH0953162A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 軟質銅箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23326295A JPH0953162A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 軟質銅箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0953162A true JPH0953162A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16952331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23326295A Withdrawn JPH0953162A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 軟質銅箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0953162A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103501997A (zh) * | 2011-05-13 | 2014-01-08 | Jx日矿日石金属株式会社 | 铜箔复合体和用于其的铜箔、以及成型体及其制造方法 |
| CN104232984A (zh) * | 2014-09-25 | 2014-12-24 | 江苏鑫成铜业有限公司 | 一种制备高耐蚀铜合金的方法 |
| US9549471B2 (en) | 2010-07-15 | 2017-01-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil composite |
| CN107046768A (zh) * | 2016-02-05 | 2017-08-15 | Ｊｘ金属株式会社 | 柔性印刷基板用铜箔、使用它的覆铜层叠体、柔性印刷基板和电子器件 |
| US9955574B2 (en) | 2012-01-13 | 2018-04-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil composite, formed product and method of producing the same |
| US9981450B2 (en) | 2012-01-13 | 2018-05-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil composite, formed product and method of producing the same |
| CN113774229A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-10 | 虹华科技股份有限公司 | 一种高强高导高纯铜线的加工工艺 |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP23326295A patent/JPH0953162A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10178816B2 (en) | 2011-05-13 | 2019-01-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil composite, copper foil used for the same, formed product and method of producing the same |
| US9955574B2 (en) | 2012-01-13 | 2018-04-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil composite, formed product and method of producing the same |
| US9981450B2 (en) | 2012-01-13 | 2018-05-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil composite, formed product and method of producing the same |
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