JPH0953985A - Signal processing circuit for charge generation type detection element - Google Patents
Signal processing circuit for charge generation type detection elementInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷発生型検知素
子に発生した電荷を電圧に変換するための信号処理回路
に関し、特に検知素子に圧電型センサ,焦電型センサを
使用したときには電荷変化量検出回路,赤外線検出回路
として好適に用いられる電荷発生型検知素子の信号処理
回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal processing circuit for converting an electric charge generated in a charge generation type detection element into a voltage, and in particular, when a piezoelectric type sensor or a pyroelectric type sensor is used as the detection element, a charge change occurs. The present invention relates to a signal processing circuit of a charge generation type detection element which is preferably used as an amount detection circuit and an infrared detection circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、セラミック誘電体のうち、ある
種の強誘電体セラミックス、例えばチタン酸バリウム
(BaTiO3),チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等
は圧電性または焦電性を有することが知られている。こ
れらの圧電性、焦電性を利用してなる電荷発生型検知素
子(以下、検知素子という)を、圧電型センサ,焦電型
センサとして各種用途に利用している。2. Description of the Related Art In general, among ceramic dielectrics, some ferroelectric ceramics such as barium titanate (BaTiO 3 ) and lead zirconate titanate (PZT) have piezoelectric or pyroelectric properties. Are known. A charge generation type detection element (hereinafter referred to as a detection element) utilizing these piezoelectricity and pyroelectricity is used for various purposes as a piezoelectric type sensor and a pyroelectric type sensor.
【0003】また、電荷発生型検知素子から出力される
電荷を電圧に変換する電荷−電圧変換回路としては、ス
イッチトキャパシタ回路が広く知られている。A switched capacitor circuit is widely known as a charge-voltage conversion circuit for converting the charge output from the charge generation type detection element into a voltage.
【0004】ここで、図3および図4に従来技術による
信号処理回路としてスイッチトキャパシタ回路を用いた
場合を例に挙げて示す。Here, FIGS. 3 and 4 show examples in which a switched capacitor circuit is used as a signal processing circuit according to the prior art.
【0005】図中、1は赤外線による微小な温度変化を
電気的変化に変換する検知素子としての赤外線センサを
示し、該赤外線センサ1は被測定物から放出される赤外
線を受けることにより電荷を発生する焦電効果を有す
る。In the figure, reference numeral 1 denotes an infrared sensor as a detection element for converting a minute temperature change due to infrared rays into an electric change. The infrared sensor 1 generates an electric charge by receiving infrared rays emitted from an object to be measured. It has a pyroelectric effect.
【0006】2は電荷−電圧変換回路としてのスイッチ
トキャパシタ回路を示し、該スイッチトキャパシタ回路
2は、反転入力端子に前記赤外線センサ1が接続された
演算増幅器3と、該演算増幅器3の反転入力端子と出力
端子との間に接続され、静電容量C1 を有する積分用の
コンデンサ4と、該コンデンサ4と並列に接続されたリ
セット用のスイッチング素子となる電界効果トランジス
タ(以下、FET5という)とから構成されている。Reference numeral 2 denotes a switched capacitor circuit as a charge-voltage conversion circuit. The switched capacitor circuit 2 has an operational amplifier 3 having the infrared sensor 1 connected to an inverting input terminal, and an inverting input terminal of the operational amplifier 3. And an output terminal connected between the capacitor 4 and the output terminal, and an integrating capacitor 4 having a capacitance C1 and a field effect transistor (hereinafter referred to as FET5) which is connected in parallel with the capacitor 4 and serves as a switching element for resetting. It is configured.
【0007】また、演算増幅器3の非反転入力端子はア
ースに接続されると共に、FET5のゲートには外部か
らリセット信号VR (図4中の(a)参照)が入力され
ることにより、ON/OFF動作を繰返すようになって
いる。Further, the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3 is connected to the ground, and the gate of the FET 5 receives an external reset signal VR (see (a) in FIG. 4) to turn it on / off. The OFF operation is repeated.
【0008】そして、このスイッチトキャパシタ回路2
においては、赤外線センサ1に発生した電荷Qが積分用
のコンデンサ4に蓄積され、下記の数1に示す出力信号
V0が得られる(図4中の(b)参照)。Then, the switched capacitor circuit 2
In, the charge Q generated in the infrared sensor 1 is accumulated in the integrating capacitor 4, and the output signal V0 shown in the following expression 1 is obtained (see (b) in FIG. 4).
【0009】[0009]
【数1】V0 =Q/C1[Equation 1] V0 = Q / C1
【0010】また、FET5は、赤外線センサ1からス
イッチトキャパシタ回路2に電荷Qが出力されていない
準備期間のときに、ON動作することによりコンデンサ
4に蓄積された電荷Qを放電させるものである。The FET 5 discharges the electric charge Q accumulated in the capacitor 4 by being turned on during the preparation period in which the electric charge Q is not output from the infrared sensor 1 to the switched capacitor circuit 2.
【0011】このように、信号処理回路にスイッチトキ
ャパシタ回路2を用いることにより、高抵抗の抵抗を用
いることなく信号処理回路を構成することができると共
に、演算増幅器3およびFET5の使用によってモノシ
リック化を実現できるとい利点がある。As described above, by using the switched capacitor circuit 2 in the signal processing circuit, the signal processing circuit can be constructed without using a high resistance resistor, and the operational amplifier 3 and the FET 5 can be used to make the circuit monolithic. There is an advantage that it can be realized.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術によるスイッチトキャパシタ回路2は、微小キャ
パシタを回路パラメータとして用いているため、主にM
OS(Metal Oxide Semi-condactor)型集積回路上に作製
されている。その反面、MOS−FETの雑音はバイポ
ーラ素子に比べて大きく寄生の容量を介してこの雑音が
誘導されるという問題がある。By the way, the switched capacitor circuit 2 according to the prior art described above mainly uses a small capacitor as a circuit parameter, and therefore is mainly M
It is fabricated on an OS (Metal Oxide Semi-condactor) type integrated circuit. On the other hand, the noise of the MOS-FET is larger than that of the bipolar element, and there is a problem that this noise is induced through the parasitic capacitance.
【0013】そして、この寄生容量は抵抗と基板との
間、FET5ではゲート,ソース,ドレインの間および
これらと基板との間、コンデンサ4では上部,下部電極
と基板との間、さらに配線間や配線と基板との間に発生
し、コンデンサ4の容量変化,電源雑音および後述する
クロックフィードスルー等が生じる。The parasitic capacitance is generated between the resistor and the substrate, between the gate, the source and the drain in the FET 5 and between these and the substrate, between the upper and lower electrodes and the substrate in the capacitor 4, and further between the wirings. It occurs between the wiring and the substrate, and changes in the capacitance of the capacitor 4, power supply noise, clock feedthrough described later, and the like occur.
【0014】次に、寄生容量によるクロックフィードス
ルーについて説明する。Next, clock feedthrough by parasitic capacitance will be described.
【0015】ここで、実際のMOS−ICに発生する寄
生容量は、図3の点線で示すように、FET5のゲート
と演算増幅器の反転入力端子との間に寄生容量C0 とし
て生じている。そして、この寄生容量C0 はFET5の
リセット信号VR がOFFになったとき、ゲートと反転
入力端子間の寄生容量C0 に貯えられた電荷がコンデン
サ4に流れ込む。Here, the parasitic capacitance actually generated in the MOS-IC is generated as a parasitic capacitance C0 between the gate of the FET 5 and the inverting input terminal of the operational amplifier as shown by the dotted line in FIG. Then, in the parasitic capacitance C0, when the reset signal VR of the FET 5 is turned off, the electric charge stored in the parasitic capacitance C0 between the gate and the inverting input terminal flows into the capacitor 4.
【0016】このとき、FET5がOFFに切り換わる
ときのゲート電圧をVG とすると、FET5の開閉によ
り寄生容量C0 に貯えられる電荷はC0 ×VG となっ
て、この電荷がコンデンサ4に供給され、出力信号V0
がΔV0 だけ変化する。At this time, when the gate voltage when the FET 5 is switched to OFF is VG, the charge stored in the parasitic capacitance C0 due to the opening and closing of the FET 5 becomes C0 × VG, and this charge is supplied to the capacitor 4 and output. Signal V0
Changes by ΔV 0.
【0017】[0017]
【数2】 [Equation 2]
【0018】このため、図4の(b′)に示す出力信号
V0 ′のように、クロックフィードスルー成分によるD
C分の電圧ΔV0 が出力信号V0 にオフセット電圧とな
って重畳され、(b)に示すような理想的な出力信号V
0 を得ることができない。Therefore, as shown in the output signal V0 'shown in FIG. 4 (b'), D due to the clock feedthrough component is generated.
The voltage ΔV0 corresponding to C is superimposed on the output signal V0 as an offset voltage, and the ideal output signal V as shown in FIG.
You cannot get 0.
【0019】さらに、赤外線センサ1から発生する電荷
は、数pAと非常に小さいため、後段の回路には高利得
の増幅器を接続しなければならず、このオフセット電圧
ΔV0 は赤外線の高精度検出に対して大きな障害とな
る。Further, since the electric charge generated from the infrared sensor 1 is as small as several pA, a high gain amplifier must be connected to the circuit at the subsequent stage, and this offset voltage ΔV0 is used for highly accurate detection of infrared rays. On the other hand, it becomes a big obstacle.
【0020】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明はクロックフィードスルーによる
オフセット電圧を除去することのできる電荷発生型検知
素子の信号処理回路を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a signal processing circuit of a charge generation type detection element capable of removing an offset voltage due to clock feedthrough. There is.
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために請求項1の発明による電荷発生型検知素子の信号
処理回路は、電荷発生型の検知素子から発生した電荷を
電圧に変換した出力信号として出力する電荷−電圧変換
回路と、該電荷−電圧変換回路に帰還接続され、該電荷
−電圧変換回路から出力される出力信号に含まれるオフ
セット電圧を補償するオフセット電圧補償回路とから構
成したことにある。In order to solve the above-mentioned problems, a signal processing circuit of a charge generation type detection element according to the invention of claim 1 outputs an electric charge generated from the charge generation type detection element converted into a voltage. The charge-voltage conversion circuit that outputs as a signal, and the offset-voltage compensation circuit that is feedback-connected to the charge-voltage conversion circuit and that compensates the offset voltage included in the output signal output from the charge-voltage conversion circuit Especially.
【0022】請求項2の発明では、前記電荷−電圧変換
回路は、演算増幅器と、該演算増幅器の反転入力端子と
出力端子との間に接続された積分用のコンデンサと、該
コンデンサと並列に接続されたリセット用のスイッチン
グ素子とからなるスイッチトキャパシタ回路によって構
成したことにある。According to a second aspect of the present invention, the charge-voltage conversion circuit includes an operational amplifier, an integrating capacitor connected between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier, and the parallel capacitor. It is composed of a switched capacitor circuit including a connected switching element for resetting.
【0023】請求項3の発明では、前記オフセット電圧
補償回路は、前記電荷−電圧変換回路から出力される出
力信号中のオフセット電圧を補償信号として保持するオ
フセット電圧保持手段と、該オフセット電圧保持手段で
保持された補償信号をリセットするリセット手段とから
構成したことにある。According to another aspect of the invention, the offset voltage compensating circuit holds an offset voltage in the output signal output from the charge-voltage converting circuit as a compensation signal, and the offset voltage holding means. And a resetting means for resetting the compensation signal held by.
【0024】請求項4の発明では、前記オフセット電圧
保持手段は、前記電荷−電圧変換回路の出力側に接続さ
れ、該電荷−電圧変換回路からの出力信号と零電圧との
差を補償信号として出力する差動演算回路と、該差動演
算回路と電荷−電圧変換回路との間に接続され、差動演
算回路から出力される補償信号の通電を制御する補償信
号通電用のスイッチング素子および該スイッチング素子
を介して出力される補償信号を一時的に保持するコンデ
ンサからなるサンプルホールド回路とから構成し、前記
リセット手段は、該サンプルホールド回路にホールドさ
れた補償信号をリセットする補償信号リセット用のスイ
ッチング素子とから構成したことにある。According to a fourth aspect of the invention, the offset voltage holding means is connected to the output side of the charge-voltage conversion circuit, and the difference between the output signal from the charge-voltage conversion circuit and the zero voltage is used as a compensation signal. A differential operation circuit for outputting, a switching element for energizing a compensation signal, which is connected between the differential operation circuit and the charge-voltage conversion circuit, and controls energization of a compensation signal output from the differential operation circuit, and And a sample-hold circuit including a capacitor that temporarily holds the compensation signal output via the switching element, and the reset means resets the compensation signal held by the sample-hold circuit. It is composed of a switching element.
【0025】請求項5の発明では、前記リセット用のス
イッチング素子,補償信号通電用のスイッチング素子お
よび補償信号リセット用のスイッチング素子のON/O
FF動作は、検知素子から電荷−電圧変換回路に電荷が
出力されていない準備期間のときに、リセット用のスイ
ッチング素子と補償信号リセット用のスイッチング素子
を同時にON状態にする第1動作と、リセット用のスイ
ッチング素子をON状態のままで、補償信号リセット用
のスイッチング素子をOFF状態にすると共に補償信号
通電用のスイッチング素子をON状態にする第2動作
と、補償信号通電用のスイッチング素子をON状態のま
まで、リセット用のスイッチング素子をOFF状態にす
る第3動作となるように設定したことにある。According to a fifth aspect of the present invention, the reset switching element, the compensation signal energizing switching element, and the compensation signal resetting switching element are turned ON / O.
The FF operation is a first operation in which the switching element for resetting and the switching element for resetting the compensation signal are simultaneously turned on in the preparatory period in which no charge is output from the detection element to the charge-voltage conversion circuit, and a reset operation. Operation of turning on the switching element for resetting the compensation signal and turning on the switching element for turning on the compensation signal while turning on the switching element for turning on the switching element for turning on the switching element for turning on the switching element for turning on the switching element for turning on the compensation signal In this state, the resetting switching element is set to the OFF state in the third operation.
【0026】[0026]
【作用】請求項1の発明のように、信号処理回路を電荷
−電圧変換回路と該電荷−電圧変換回路から出力される
出力信号に含まれるオフセット電圧を除去するオフセッ
ト電圧補償回路とから構成したから、例えば電荷−電圧
変換回路中の寄生容量によるクロックフィードスルーに
よって出力信号にオフセット電圧が重畳したときでも、
出力信号中のオフセット電圧を除去することができる。According to the first aspect of the invention, the signal processing circuit comprises the charge-voltage conversion circuit and the offset voltage compensation circuit for removing the offset voltage contained in the output signal output from the charge-voltage conversion circuit. Therefore, for example, even when the offset voltage is superimposed on the output signal due to the clock feedthrough by the parasitic capacitance in the charge-voltage conversion circuit,
The offset voltage in the output signal can be removed.
【0027】請求項2の発明のように、電荷−電圧変換
回路をスイッチトキャパシタ回路によって構成したか
ら、高抵抗の抵抗を用いることなく信号処理回路を構成
できると共に、演算増幅器およびスイッチング素子を用
いることによりMOS型集積回路上の製造が可能とな
る。According to the invention of claim 2, since the charge-voltage conversion circuit is composed of the switched capacitor circuit, the signal processing circuit can be composed without using a high resistance resistor, and the operational amplifier and the switching element are used. This enables manufacture on a MOS type integrated circuit.
【0028】請求項3の発明のように、オフセット電圧
補償回路を、電荷−電圧変換回路から出力される出力信
号を補償信号として保持するオフセット電圧保持手段
と、該オフセット電圧保持手段で保持された補償信号を
リセットするリセット手段とから構成したから、オフセ
ット電圧保持手段では測定前の準備期間中にクロックフ
ィードスルー成分によるオフセット電圧を補償信号とし
て保持し、この信号を電荷−電圧変換回路から出力され
る出力信号から相殺するように加えることにより、出力
信号に含まれるクロックフィードスルー成分によるオフ
セット電圧を除去できる。また、リセット手段でオフセ
ット電圧保持手段に保持された補償信号をリセットし
て、準備期間毎にクロックフィードスルー成分によるオ
フセット電圧を補償信号として保持することができる。According to a third aspect of the invention, the offset voltage compensating circuit holds the output signal output from the charge-voltage converting circuit as a compensation signal, and the offset voltage holding means. The offset voltage holding means holds the offset voltage due to the clock feedthrough component as a compensation signal during the preparatory period before measurement, and this signal is output from the charge-voltage conversion circuit. The offset voltage due to the clock feedthrough component contained in the output signal can be removed by adding so as to cancel the output signal. Further, it is possible to reset the compensation signal held in the offset voltage holding means by the reset means and hold the offset voltage due to the clock feedthrough component as the compensation signal for each preparation period.
【0029】請求項4の発明のように、オフセット電圧
保持手段を差動演算回路およびサンプルホールド回路か
ら構成し、出力手段を補償信号リセット用のスイッチン
グ素子で構成したから、準備期間中に補償信号通電用の
スイッチング素子をON状態にして差動演算回路で検出
された補償信号をサンプルホールド回路でホールドさ
せ、測定期間では補償信号通電用のスイッチング素子を
OFF状態にしてサンプルホールド回路でホールドした
補償信号を電荷−電圧変換回路の仮想接地点に加える。
これにより、電荷−電圧変換回路から出力される出力信
号中に含まれるクロックフィードスルー成分によるオフ
セット電圧を除去できる。According to the invention of claim 4, since the offset voltage holding means is composed of the differential operation circuit and the sample hold circuit, and the output means is composed of the switching element for resetting the compensation signal, the compensation signal is supplied during the preparation period. Compensation in which the switching element for energization is turned on and the compensation signal detected by the differential operation circuit is held by the sample hold circuit, and the switching element for energization of the compensation signal is turned off and held by the sample hold circuit during the measurement period. The signal is applied to the virtual ground point of the charge-voltage conversion circuit.
As a result, the offset voltage due to the clock feedthrough component contained in the output signal output from the charge-voltage conversion circuit can be removed.
【0030】請求項5の発明のように、前記リセット用
のスイッチング素子,補償信号通電用のスイッチング素
子および補償信号リセット用のスイッチング素子のON
/OFF動作を設定したから、準備期間中に電荷−電圧
変換回路中の寄生容量に貯えられた電荷によるオフセッ
ト電圧を発生させ、このオフセット電圧を補償信号とし
てサンプルホールド回路に保持する。According to the invention of claim 5, the reset switching element, the compensation signal energizing switching element and the compensation signal resetting switching element are turned on.
Since the / OFF operation is set, an offset voltage due to the charges stored in the parasitic capacitance in the charge-voltage conversion circuit is generated during the preparation period, and this offset voltage is held in the sample hold circuit as a compensation signal.
【0031】[0031]
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施例を図1
および図2に基づき説明する。なお、実施例では前述し
た従来技術と同一の構成要素に同一の符号を付し、その
説明を省略するものとする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIG.
A description will be given with reference to FIG. In the embodiments, the same components as those of the above-described conventional technique are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0032】図中、11はスイッチトキャパシタ回路2
の次段に設けられた本実施例によるオフセット電圧補償
回路を示し、該オフセット電圧補償回路11は差動演算
回路12,サンプルホールド回路15および電界効果ト
ランジスタ18(以下、FET18いう)等から大略構
成されている。In the figure, 11 is a switched capacitor circuit 2
The offset voltage compensating circuit according to the present embodiment is provided in the next stage of FIG. Has been done.
【0033】ここで、前記差動演算回路12は演算増幅
器13と、該演算増幅器13の反転入力端子に接続され
た入力抵抗14とから構成され、前記演算増幅器13の
反転入力端子はスイッチトキャパシタ回路2の出力側に
接続され、非反転入力端子はアースに接続されている。
これにより、赤外線センサ1からスイッチトキャパシタ
回路2に電荷の出力がない準備期間では、該差動演算回
路12の出力端子からはスイッチトキャパシタ回路2か
ら出力される出力信号V0 とアース(零電圧)との差、
即ちオフセット電圧ΔV0 を補償信号VH として出力す
るようになっている。The differential operational circuit 12 comprises an operational amplifier 13 and an input resistor 14 connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 13, and the inverting input terminal of the operational amplifier 13 is a switched capacitor circuit. 2 is connected to the output side, and the non-inverting input terminal is connected to the ground.
As a result, during the preparatory period during which no charge is output from the infrared sensor 1 to the switched capacitor circuit 2, the output signal V0 output from the switched capacitor circuit 2 and the ground (zero voltage) are output from the output terminal of the differential operation circuit 12. The difference between
That is, the offset voltage ΔV0 is output as the compensation signal VH.
【0034】15は差動演算回路12とスイッチトキャ
パシタ回路2との間に接続された本実施例によるサンプ
ルホールド回路を示し、該サンプルホールド回路15
は、演算増幅器13の出力端子とアースとの間に接続さ
れた静電容量C2 を有する補償用のコンデンサ16と、
該コンデンサ16と差動演算回路12の出力端子との間
に接続された補償信号通電用のスイッチング素子として
のFET17とからなる。また、該FET17のゲート
には図2の(b)に示すような通電制御信号Viが入力
され、ON/OFF動作を行なうようになっている。そ
して、FET17がON動作することによって、差動演
算回路12から出力される補償信号VH をコンデンサ1
6に出力し、該コンデンサ16は補償信号VH に対応し
た電荷を一時的に貯える。Reference numeral 15 denotes a sample hold circuit according to the present embodiment connected between the differential operation circuit 12 and the switched capacitor circuit 2, and the sample hold circuit 15 is provided.
Is a compensation capacitor 16 having a capacitance C2 connected between the output terminal of the operational amplifier 13 and the ground,
It comprises a FET 17 as a switching element for energizing a compensation signal, which is connected between the capacitor 16 and the output terminal of the differential operation circuit 12. Further, the energization control signal Vi as shown in FIG. 2B is input to the gate of the FET 17 to perform ON / OFF operation. When the FET 17 is turned on, the compensation signal VH output from the differential operation circuit 12 is transferred to the capacitor 1
6 and the capacitor 16 temporarily stores the electric charge corresponding to the compensation signal VH.
【0035】18は補償信号リセット用のスイッチング
素子としてのFETを示し、該FET18はコンデンサ
16に並列に接続され、該FET18のゲートには図2
の(c)に示すリセット信号VR2が入力され、ON/O
FF動作を行なうことにより、ON動作時にコンデンサ
16に貯えられた電荷を放電してリセットする。これに
より、スイッチトキャパシタ回路2を構成する演算増幅
器3の非反転入力端子は、FET18がON状態のとき
にはアースに接地され、OFF状態のときにはコンデン
サ16によってマイナスのオフセット電圧−ΔV0 に設
定される仮想接点となる。Reference numeral 18 denotes an FET as a switching element for resetting the compensation signal, the FET 18 is connected in parallel to the capacitor 16, and the gate of the FET 18 is shown in FIG.
The reset signal VR2 shown in (c) of FIG.
By performing the FF operation, the electric charge stored in the capacitor 16 during the ON operation is discharged and reset. As a result, the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3 forming the switched capacitor circuit 2 is grounded to the ground when the FET 18 is in the ON state, and is a virtual contact point set to the negative offset voltage -ΔV0 by the capacitor 16 in the OFF state. Becomes
【0036】なお、本実施例のスイッチトキャパシタ回
路2のFET5のゲートには図2の(a)に示すような
リセット信号VR1が入力される。The reset signal VR1 as shown in FIG. 2A is input to the gate of the FET 5 of the switched capacitor circuit 2 of this embodiment.
【0037】また、差動演算回路12とサンプルホール
ド回路15によって本発明によるオフセット電圧保持手
段を構成し、補償信号リセット用のFET18によって
本発明によるリセット手段を構成している。Further, the differential operation circuit 12 and the sample hold circuit 15 constitute the offset voltage holding means according to the present invention, and the compensation signal resetting FET 18 constitutes the resetting means according to the present invention.
【0038】本実施例による信号処理回路は上述した如
くに構成されが、次に図2の波形を参照しつつ回路動作
を説明する。The signal processing circuit according to this embodiment is constructed as described above. Next, the circuit operation will be described with reference to the waveforms of FIG.
【0039】まず、赤外線センサ1からスイッチトキャ
パシタ回路2に電荷の出力がない準備期間のときには、
クロックフィードスルーによるオフセット電圧ΔV0 を
発生させ、サンプルホールド回路15に保持するための
処理を行なう。First, during the preparation period in which no charge is output from the infrared sensor 1 to the switched capacitor circuit 2,
A process for generating an offset voltage ΔV0 by clock feedthrough and holding it in the sample hold circuit 15 is performed.
【0040】領域(A)の第1動作では、リセット信号
VR1,VR2を同時にON状態にし、FET5をONにし
てスイッチトキャパシタ回路2のコンデンサ4に貯えら
れた電荷を放電させる共に、FET18をONにしてサ
ンプルホールド回路15のコンデンサ16に貯えられた
電荷を放電させる。In the first operation of the region (A), the reset signals VR1 and VR2 are simultaneously turned on, the FET 5 is turned on to discharge the electric charge stored in the capacitor 4 of the switched capacitor circuit 2, and the FET 18 is turned on. As a result, the electric charge stored in the capacitor 16 of the sample hold circuit 15 is discharged.
【0041】領域(B)の第2動作では、リセット信号
VR1をON状態のまま、リセット信号VR2をOFF状態
にすると共に通電制御信号Vi をON状態にし、FET
18をOFFにすると同時にFET17をONにして、
サンプルホールド回路15のコンデンサ16を充電待機
状態に設定する。In the second operation of the region (B), the reset signal VR1 is kept in the ON state, the reset signal VR2 is kept in the OFF state, the energization control signal Vi is kept in the ON state, and the FET is turned ON.
At the same time as turning off 18 and turning on FET 17,
The capacitor 16 of the sample hold circuit 15 is set in the charging standby state.
【0042】領域(C)の第3動作では、通電制御信号
Vi をON状態のまま、リセット信号VR1をOFF状態
にし、オフセット電圧ΔV0 を意図的に発生させ、FE
T5をOFFすることにより寄生容量C0 を介して流れ
込んだ電荷はコンデンサ4に蓄積される。そして、この
電荷はクロックフィードスルー成分からなるオフセット
電圧ΔV0 となって、スイッチトキャパシタ回路2から
出力されると共に、差動演算回路12に入力される。In the third operation of the region (C), the reset signal VR1 is turned off while the energization control signal Vi is kept on, and the offset voltage ΔV0 is intentionally generated to cause the FE.
When T5 is turned off, the electric charge flowing through the parasitic capacitance C0 is accumulated in the capacitor 4. Then, this charge becomes an offset voltage ΔV0 composed of a clock feedthrough component, and is output from the switched capacitor circuit 2 and also input to the differential operation circuit 12.
【0043】このとき、差動演算回路12はFET17
と演算増幅器3を介して負帰還回路を構成しているた
め、演算増幅器13の反転入力端子と非反転入力端子と
は同電位になるように、即ち出力信号V0 が零電圧にな
るように作動する。しかし、実際の出力信号V0 にはオ
フセット電圧ΔV0 が存在しているために、スイッチト
キャパシタ回路2の演算増幅器3は、その非反転入力端
子と反転入力端子とを同電位にしようとする。ここで、
差動演算回路12はFET17を介してサンプルホール
ド回路15と導通しているから、演算増幅器13の出力
端子からは演算増幅器3の各入力端子を同電位にするた
めの電荷が供給され、演算増幅器13の出力端子からは
補償信号VH の電荷が供給され、その分の電荷はコンデ
ンサ16に充電される。そして、コンデンサ16に充電
される補償電圧VH はオフセット電圧ΔV0 と同電位と
なる。At this time, the differential operation circuit 12 uses the FET 17
Since a negative feedback circuit is configured through the operational amplifier 3 and the operational amplifier 3, the operational amplifier 13 operates so that the inverting input terminal and the non-inverting input terminal have the same potential, that is, the output signal V0 becomes zero voltage. To do. However, since the offset voltage ΔV0 exists in the actual output signal V0, the operational amplifier 3 of the switched capacitor circuit 2 tries to make the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the same potential. here,
Since the differential arithmetic circuit 12 is electrically connected to the sample hold circuit 15 via the FET 17, the output terminal of the operational amplifier 13 supplies electric charges for setting the respective input terminals of the operational amplifier 3 to the same potential, and The charge of the compensation signal VH is supplied from the output terminal of 13, and the corresponding charge is stored in the capacitor 16. The compensation voltage VH charged in the capacitor 16 has the same potential as the offset voltage ΔV0.
【0044】このように、この第1〜第3動作によっ
て、コンデンサ4,16を放電させた上で、意図的にオ
フセット電圧ΔV0 を発生させてコンデンサ16にオフ
セット電圧ΔV0 に等しい補償信号VH を蓄積すること
ができる。As described above, by the first to third operations, the capacitors 4 and 16 are discharged, and then the offset voltage ΔV0 is intentionally generated to store the compensation signal VH equal to the offset voltage ΔV0 in the capacitor 16. can do.
【0045】次に、赤外線センサ1からスイッチトキャ
パシタ回路2に電荷Qが出力される測定期間のときに
は、コンデンサ16はスイッチトキャパシタ回路2の演
算増幅器3の非反転入力端子に接続されているから、コ
ンデンサ16に貯えられた補償信号VH は非反転入力端
子に入力される。そして、演算増幅器3では赤外線セン
サ1から入力される電荷Qと補償信号VHによる電荷と
の差がコンデンサ4の静電容量C1 によって積分され、
スイッチトキャパシタ回路2から出力信号V0 を出力す
る。Next, during the measurement period in which the charge Q is output from the infrared sensor 1 to the switched capacitor circuit 2, the capacitor 16 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3 of the switched capacitor circuit 2, so The compensation signal VH stored in 16 is input to the non-inverting input terminal. Then, in the operational amplifier 3, the difference between the charge Q input from the infrared sensor 1 and the charge due to the compensation signal VH is integrated by the capacitance C1 of the capacitor 4,
The switched capacitor circuit 2 outputs the output signal V0.
【0046】このとき、スイッチトキャパシタ回路2か
ら出力される出力信号V0 中のクロックフィードスルー
によるオフセット電圧ΔV0 は、演算増幅器3の非反転
入力端子に加わるサンプルホールド回路15からの補償
信号VH によって相殺することができ、赤外線センサ1
から出力される電荷に対応した出力信号V0 を得ること
ができる。At this time, the offset voltage ΔV0 due to clock feedthrough in the output signal V0 output from the switched capacitor circuit 2 is canceled by the compensation signal VH from the sample hold circuit 15 applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 3. Can infrared sensor 1
It is possible to obtain an output signal V0 corresponding to the electric charge output from
【0047】このように、本実施例による信号処理回路
では、準備期間中にクロックフィードスルーによるオフ
セット電圧ΔV0 をサンプルホールド回路15のコンデ
ンサ16に補償信号VH として充電し、測定期間中には
この補償信号VH をスイッチトキャパシタ回路2の非反
転入力端子に出力することにより、該スイッチトキャパ
シタ回路2から出力される出力信号V0 中に含まれるオ
フセット電圧ΔV0 を除去することができる。As described above, in the signal processing circuit according to the present embodiment, the offset voltage .DELTA.V0 due to the clock feedthrough is charged in the capacitor 16 of the sample hold circuit 15 as the compensation signal VH during the preparation period, and this compensation is performed during the measurement period. By outputting the signal VH to the non-inverting input terminal of the switched capacitor circuit 2, the offset voltage .DELTA.V0 contained in the output signal V0 output from the switched capacitor circuit 2 can be removed.
【0048】従って、スイッチトキャパシタ回路2の積
分用のコンデンサ4の周囲にいかなる寄生容量が発生し
た場合でも、その寄生容量によって誘発されるオフセッ
ト電圧ΔV0 はオフセット電圧補償回路11の差動演算
回路12とサンプルホールド回路15によって出力信号
V0 から除去することができ、赤外線センサ1で検出さ
れる電荷に応じた出力信号V0 を得ることができる。Therefore, even if any parasitic capacitance is generated around the integrating capacitor 4 of the switched capacitor circuit 2, the offset voltage ΔV 0 induced by the parasitic capacitance is different from that of the differential operation circuit 12 of the offset voltage compensation circuit 11. It can be removed from the output signal V0 by the sample hold circuit 15, and the output signal V0 corresponding to the electric charge detected by the infrared sensor 1 can be obtained.
【0049】また、本実施例による信号処理回路は、演
算増幅器およびFETによって構成することにより、M
OS型集積回路としてモノシリック化して製造すること
ができ、小型化を図ると共に、生産効率を高めることが
できる。Further, the signal processing circuit according to the present embodiment is constituted by an operational amplifier and an FET so that M
The OS-type integrated circuit can be monolithically manufactured, and can be downsized and the production efficiency can be improved.
【0050】さらに、測定期間では信号処理回路から出
力される出力信号V0 は必ず零電圧となるので、後段の
増幅器を高利得にでき、赤外線センサ1から出力される
電荷が微小な場合でも検出感度を高めることができる。Further, since the output signal V0 output from the signal processing circuit is always zero voltage during the measurement period, the amplifier in the subsequent stage can have a high gain and the detection sensitivity is obtained even when the electric charge output from the infrared sensor 1 is minute. Can be increased.
【0051】なお、前記実施例では、検知素子に赤外線
センサ1を用いたが、本発明はこれに限らず、検知素子
に圧電型センサ等の電荷発生型センサを用いてもよく。
また、サンプルホールド回路15をコンデンサ16とF
ET17から構成するようにしたが、演算増幅器を用い
た構成とするようにしてもよい。Although the infrared sensor 1 is used as the detection element in the above embodiment, the present invention is not limited to this, and a charge generation type sensor such as a piezoelectric type sensor may be used as the detection element.
Further, the sample hold circuit 15 is connected to the capacitor 16 and F
Although the ET 17 is used, the operational amplifier may be used.
【0052】[0052]
【発明の効果】以上詳述した如く、請求項1の本発明に
よれば、信号処理回路を電荷−電圧変換回路と該電荷−
電圧変換回路から出力される出力信号に含まれるオフセ
ット電圧を補償するオフセット電圧補償回路とから構成
したから、例えば電荷−電圧変換回路中の寄生容量によ
るクロックフィードスルーによって出力信号にオフセッ
ト電圧が重畳したときでも、オフセット電圧補償回路に
よってこのオフセット電圧を出力信号から除去し、検知
素子から出力される電荷に対応した出力信号を正確に得
ることができ、検出感度を向上することができる。As described above in detail, according to the present invention of claim 1, the signal processing circuit includes a charge-voltage conversion circuit and the charge-voltage conversion circuit.
The offset voltage compensating circuit for compensating the offset voltage included in the output signal output from the voltage converting circuit is included, so that the offset voltage is superimposed on the output signal by the clock feedthrough due to the parasitic capacitance in the charge-voltage converting circuit, for example. Even at this time, the offset voltage can be removed from the output signal by the offset voltage compensating circuit, and the output signal corresponding to the charge output from the sensing element can be accurately obtained, and the detection sensitivity can be improved.
【0053】請求項2の発明では、電荷−電圧変換回路
をスイッチトキャパシタ回路によって構成したから、高
抵抗の抵抗を用いることなく信号処理回路を構成できる
と共に、演算増幅器およびスイッチング素子を用いるこ
とによりMOS型集積回路上の製造が可能となり、生産
効率を高めることができる。According to the second aspect of the invention, since the charge-voltage conversion circuit is composed of the switched capacitor circuit, the signal processing circuit can be composed without using a high resistance resistor, and the MOS is realized by using the operational amplifier and the switching element. It becomes possible to manufacture on the die integrated circuit, and the production efficiency can be improved.
【0054】請求項3の発明では、オフセット電圧補償
回路を、電荷−電圧変換回路から出力される出力信号を
補償信号として保持するオフセット電圧保持手段と、該
オフセット電圧保持手段で保持された補償信号をリセッ
トするリセット手段とから構成したから、オフセット電
圧保持手段では測定前の準備期間にクロックフィードス
ルー成分によるオフセット電圧を補償信号として保持
し、この補償信号を電荷−電圧変換回路から出力される
出力信号から相殺するように加えることにより、出力信
号に含まれるオフセット電圧を除去して出力信号を検知
素子から出力される電荷に対応した出力信号として正確
に検出できる。また、リセット手段でオフセット電圧保
持手段に保持された補償信号をリセットして、準備期間
毎にクロックフィードスルー成分によるオフセット電圧
を補償信号として保持させることにより正確な補償を行
なうことがができる。According to the third aspect of the invention, the offset voltage compensating circuit holds the offset voltage holding means for holding the output signal output from the charge-voltage converting circuit as a compensation signal, and the compensation signal held by the offset voltage holding means. The offset voltage holding means holds the offset voltage due to the clock feedthrough component as a compensation signal in the preparatory period before measurement, and outputs the compensation signal from the charge-voltage conversion circuit. By offsetting the signal, the offset voltage included in the output signal can be removed and the output signal can be accurately detected as the output signal corresponding to the charge output from the sensing element. Further, the compensation signal held in the offset voltage holding means is reset by the resetting means, and the offset voltage due to the clock feedthrough component is held as the compensation signal in each preparation period, whereby accurate compensation can be performed.
【0055】請求項4の発明では、オフセット電圧保持
手段を差動演算回路およびサンプルホールド回路から構
成し、出力手段を補償信号リセット用のスイッチング素
子から構成したから、準備期間中に補償信号通電用のス
イッチング素子をON状態にして差動演算回路で検出さ
れた補償信号をサンプルホールド回路でホールドさせ、
測定期間では補償信号通電用のスイッチング素子をOO
F状態にしてサンプルホールド回路でホールドした補償
信号を電荷−電圧変換回路の仮想接地点に加えことによ
り、電荷−電圧変換回路から出力される出力信号中に含
まれるクロックフィードスルー成分によるオフセット電
圧を除去することができる。According to the invention of claim 4, the offset voltage holding means is constituted by the differential operation circuit and the sample hold circuit, and the output means is constituted by the switching element for resetting the compensation signal. The switching element of is turned on and the compensation signal detected by the differential operation circuit is held by the sample hold circuit,
During the measurement period, the switching element for energizing the compensation signal is turned off.
By adding the compensation signal held in the sample-hold circuit in the F state to the virtual ground point of the charge-voltage conversion circuit, the offset voltage due to the clock feedthrough component contained in the output signal output from the charge-voltage conversion circuit can be obtained. Can be removed.
【0056】請求項5の発明では、リセット用のスイッ
チング素子,補償信号通電用のスイッチング素子および
補償信号リセット用のスイッチング素子のON/OFF
動作を設定したから、準備期間中に電荷−電圧変換回路
中の寄生容量に貯えられた電荷によるオフセット電圧を
サンプルホールド回路に補償信号として保持でき、出力
信号中のオフセット電圧を確実に除去することができ
る。According to the fifth aspect of the invention, the switching element for resetting, the switching element for energizing the compensation signal, and the switching element for resetting the compensation signal are turned on / off.
Since the operation is set, the offset voltage due to the charges stored in the parasitic capacitance in the charge-voltage conversion circuit during the preparation period can be held as a compensation signal in the sample hold circuit, and the offset voltage in the output signal can be reliably removed. You can
【図1】本発明の実施例による信号処理回路を示す回路
構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing a signal processing circuit according to an embodiment of the present invention.
【図2】実施例によるリセット用のスイッチング素子に
出力される制御信号,補償信号通電用のスイッチング素
子に出力される制御信号,補償信号リセット用のスイッ
チング素子に出力される制御信号および信号処理回路か
ら出力される出力信号をそれぞれ示す波形図である。FIG. 2 is a control signal output to a reset switching element, a control signal output to a compensation signal energizing switching element, a control signal output to a compensation signal reset switching element, and a signal processing circuit according to an embodiment; It is a waveform diagram which shows the output signal each output from.
【図3】従来技術による信号処理回路を示す回路構成図
である。FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing a signal processing circuit according to a conventional technique.
【図4】従来技術によるリセット用スイッチング素子に
出力される制御信号,信号処理回路から出力される出力
信号およびオフセット電圧を含む出力信号の波形をそれ
ぞれ示す波形図である。FIG. 4 is a waveform diagram showing respective waveforms of a control signal output to a reset switching element, an output signal output from a signal processing circuit, and an output signal including an offset voltage according to a conventional technique.
1 赤外線センサ(検知素子) 2 スイッチトキャパシタ回路(電荷−電圧変換回路) 3,13 演算増幅器 4,16 コンデンサ 5 FET(リセット用のスイッチング素子) 11 オフセット電圧補償回路 12 差動演算回路 15 サンプルホールド回路 17 FET(補償信号通電用のスイッチング素子) 18 FET(補償信号リセット用のスイッチング素
子)1 infrared sensor (detection element) 2 switched capacitor circuit (charge-voltage conversion circuit) 3,13 operational amplifier 4,16 capacitor 5 FET (switching element for reset) 11 offset voltage compensation circuit 12 differential operation circuit 15 sample hold circuit 17 FET (compensation signal energizing switching element) 18 FET (compensation signal resetting switching element)
Claims (5)
を電圧に変換した出力信号として出力する電荷−電圧変
換回路と、該電荷−電圧変換回路に帰還接続され、該電
荷−電圧変換回路から出力される出力信号に含まれるオ
フセット電圧を補償するオフセット電圧補償回路とから
構成してなる電荷発生型検知素子の信号処理回路。1. A charge-voltage conversion circuit for outputting an electric charge generated from a charge generation type detection element as an output signal converted into a voltage, and a feedback connection to the charge-voltage conversion circuit. A signal processing circuit for a charge generation type detection element, comprising an offset voltage compensating circuit for compensating an offset voltage included in an output signal to be outputted.
と、該演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に接
続された積分用のコンデンサと、該コンデンサと並列に
接続されたリセット用のスイッチング素子とからなるス
イッチトキャパシタ回路によって構成してなる請求項1
記載の電荷発生型検知素子の信号処理回路。2. The charge-voltage conversion circuit comprises an operational amplifier, an integrating capacitor connected between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier, and a reset capacitor connected in parallel with the capacitor. 2. A switched capacitor circuit composed of the switching element according to claim 1.
A signal processing circuit for the charge-generating detection element described.
荷−電圧変換回路から出力される出力信号中のオフセッ
ト電圧を補償信号として保持するオフセット電圧保持手
段と、該オフセット電圧保持手段で保持された補償信号
をリセットするリセット手段とから構成してなる請求項
1または2記載の電荷発生型検知素子の信号処理回路。3. The offset voltage compensating circuit holds an offset voltage holding means for holding an offset voltage in an output signal output from the charge-voltage converting circuit as a compensation signal, and a compensation held by the offset voltage holding means. The signal processing circuit for a charge-generating type detection element according to claim 1 or 2, comprising a reset means for resetting a signal.
荷−電圧変換回路の出力側に接続され、該電荷−電圧変
換回路からの出力信号と零電圧との差を補償信号として
出力する差動演算回路と、該差動演算回路と電荷−電圧
変換回路との間に接続され、差動演算回路から出力され
る補償信号の通電を制御する補償信号通電用のスイッチ
ング素子および該スイッチング素子を介して出力される
補償信号を一時的に保持するコンデンサからなるサンプ
ルホールド回路とから構成し、前記リセット手段は、該
サンプルホールド回路にホールドされた補償信号をリセ
ットする補償信号リセット用のスイッチング素子とから
構成してなる請求項3記載の電荷発生型検知素子の信号
処理回路。4. The differential operation, wherein the offset voltage holding means is connected to an output side of the charge-voltage conversion circuit and outputs a difference between an output signal from the charge-voltage conversion circuit and a zero voltage as a compensation signal. Circuit and a switching element for compensating signal energization, which is connected between the differential operation circuit and the charge-voltage conversion circuit and controls energization of the compensation signal output from the differential operation circuit, and the switching element. A sample-hold circuit including a capacitor that temporarily holds the output compensation signal, and the reset means includes a switching element for resetting the compensation signal that holds the compensation signal held in the sample-hold circuit. The signal processing circuit of the charge-generating type detection element according to claim 3.
償信号通電用のスイッチング素子および補償信号リセッ
ト用のスイッチング素子のON/OFF動作は、検知素
子から電荷−電圧変換回路に電荷が出力されていない準
備期間のときに、リセット用のスイッチング素子と補償
信号リセット用のスイッチング素子を同時にON状態に
する第1動作と、リセット用のスイッチング素子をON
状態のままで、補償信号リセット用のスイッチング素子
をOFF状態にすると共に補償信号通電用のスイッチン
グ素子をON状態にする第2動作と、補償信号通電用の
スイッチング素子をON状態のままで、リセット用のス
イッチング素子をOFF状態にする第3動作となるよう
に設定してなる請求項4記載の電荷発生型検知素子の信
号処理回路。5. The ON / OFF operation of the reset switching element, the compensation signal energizing switching element, and the compensation signal resetting switching element is prepared such that no charge is output from the sensing element to the charge-voltage conversion circuit. During the period, the first operation in which the reset switching element and the compensation signal reset switching element are simultaneously turned on, and the reset switching element is turned on.
In this state, the switching element for resetting the compensation signal is turned off and the switching element for energizing the compensation signal is turned on, and the switching element for energizing the compensation signal is reset to be on. 5. The signal processing circuit for the charge-generating type detection element according to claim 4, wherein the signal processing circuit is set so as to perform a third operation of turning off the switching element for use in the OFF state.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23337895A JPH0953985A (en) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Signal processing circuit for charge generation type detection element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23337895A JPH0953985A (en) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Signal processing circuit for charge generation type detection element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0953985A true JPH0953985A (en) | 1997-02-25 |
Family
ID=16954169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23337895A Pending JPH0953985A (en) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Signal processing circuit for charge generation type detection element |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0953985A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10267759A (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Piezoelectric type infrared ray detecting device |
| US6429719B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Signal processing circuit for charge generation type detection device |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP23337895A patent/JPH0953985A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10267759A (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Piezoelectric type infrared ray detecting device |
| US6429719B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Signal processing circuit for charge generation type detection device |
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