JPH0954985A - 光デイスク及び光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスク及び光デイスクの製造方法Info
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- JPH0954985A JPH0954985A JP7230744A JP23074495A JPH0954985A JP H0954985 A JPH0954985 A JP H0954985A JP 7230744 A JP7230744 A JP 7230744A JP 23074495 A JP23074495 A JP 23074495A JP H0954985 A JPH0954985 A JP H0954985A
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- disk substrate
- optical disk
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、反りの少ない光デイスク及び当該光
デイスクを効率良く製造し得る光デイスクの製造方法の
実現を目的とする。 【解決手段】一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形
成された透明樹脂材からなる第１のデイスク基板の当該
一面上に半透明な半透明膜層を積層形成すると共に、一
面に記録信号に応じた凹凸パターンが形成された第２の
デイスク基板の当該一面上に反射膜層を積層形成し、第
１及び第２のデイスク基板を一面同士が透明物質からな
る貼合せ手段を介して対向するように貼り合わせるよう
にして光デイスクを製造するようにしたことにより、第
１及び第２のデイスク基板の厚み方向の強度を同じ程度
にすることができると共に、作業の煩雑な工法を用いず
に製造することができ、かくして反りの少ない光デイス
ク及び当該光デイスクを効率良く製造し得る光デイスク
の製造方法を実現できる。
デイスクを効率良く製造し得る光デイスクの製造方法の
実現を目的とする。 【解決手段】一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形
成された透明樹脂材からなる第１のデイスク基板の当該
一面上に半透明な半透明膜層を積層形成すると共に、一
面に記録信号に応じた凹凸パターンが形成された第２の
デイスク基板の当該一面上に反射膜層を積層形成し、第
１及び第２のデイスク基板を一面同士が透明物質からな
る貼合せ手段を介して対向するように貼り合わせるよう
にして光デイスクを製造するようにしたことにより、第
１及び第２のデイスク基板の厚み方向の強度を同じ程度
にすることができると共に、作業の煩雑な工法を用いず
に製造することができ、かくして反りの少ない光デイス
ク及び当該光デイスクを効率良く製造し得る光デイスク
の製造方法を実現できる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図６） 発明が解決しようとする課題（図６） 課題を解決するための手段（図１〜図４） 発明の実施の形態 （１）第１実施例（図１〜図２及び図５） （２）第２実施例（図１〜図４及び図５） （３）他の実施例（図１〜図４） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は光デイスク及び光デ
イスクの製造方法に関し、特に２層光デイスクに適用し
て好適なものである。
イスクの製造方法に関し、特に２層光デイスクに適用し
て好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種の光デイスクにおいては、
図６に示すように、例えばポリカーボネート等の透明樹
脂からなるデイスク基板２の一面２Ａ上に、反射率30
〔％〕程度の半透明膜層３、透明樹脂からなる透明樹脂
層（スペーサ）４、アルミニウム等からなる反射率90
〔％〕程度の反射膜層５及び紫外線硬化樹脂等からなる
保護膜層６を順次積層形成することにより形成されてい
る。
図６に示すように、例えばポリカーボネート等の透明樹
脂からなるデイスク基板２の一面２Ａ上に、反射率30
〔％〕程度の半透明膜層３、透明樹脂からなる透明樹脂
層（スペーサ）４、アルミニウム等からなる反射率90
〔％〕程度の反射膜層５及び紫外線硬化樹脂等からなる
保護膜層６を順次積層形成することにより形成されてい
る。
【０００４】この場合デイスク基板２の一面２Ａ及び透
明樹脂層４の上面４Ａには、それぞれ記録信号に応じた
凹凸パターンが形成されている。かくしてこの種の光デ
イスク１においては、デイスク基板２の他面２Ｂ側から
デイスク基板２の一面２Ａ（以下、これを第１の信号面
と呼ぶ）に焦点を合わせて光ビームを照射することによ
り、その反射戻り光に基づいてこの第１の信号面２Ａに
記録された情報を再生し得る一方、デイスク基板２の他
面２Ｂ側から透明樹脂層４の上面４Ａ（以下、これを第
２の信号面と呼ぶ）に焦点を合わせて光ビームを照射す
ることにより、その反射光戻りに基づいてこの第２の信
号面４Ａに記録された信号を再生し得るようになされて
いる。
明樹脂層４の上面４Ａには、それぞれ記録信号に応じた
凹凸パターンが形成されている。かくしてこの種の光デ
イスク１においては、デイスク基板２の他面２Ｂ側から
デイスク基板２の一面２Ａ（以下、これを第１の信号面
と呼ぶ）に焦点を合わせて光ビームを照射することによ
り、その反射戻り光に基づいてこの第１の信号面２Ａに
記録された情報を再生し得る一方、デイスク基板２の他
面２Ｂ側から透明樹脂層４の上面４Ａ（以下、これを第
２の信号面と呼ぶ）に焦点を合わせて光ビームを照射す
ることにより、その反射光戻りに基づいてこの第２の信
号面４Ａに記録された信号を再生し得るようになされて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでこの種の光デ
イスク１は、通常、以下の手順により製造されている。
すなわち、まずインジエクシヨン成形法によりデイスク
基板２を作成し、このデイスク基板２の上面２Ａ上にシ
リコン材等をスパツタリング法により500 〜600 〔Å〕
程度堆積させることにより半透明膜層３を形成する。
イスク１は、通常、以下の手順により製造されている。
すなわち、まずインジエクシヨン成形法によりデイスク
基板２を作成し、このデイスク基板２の上面２Ａ上にシ
リコン材等をスパツタリング法により500 〜600 〔Å〕
程度堆積させることにより半透明膜層３を形成する。
【０００６】続いて半透明膜層３上に紫外線硬化樹脂
を、規定により定められた所定の信号面間距離がとれる
程度にスピンコート法によつて塗布することにより透明
樹脂層４を形成した後、当該透明樹脂層４の上面４Ａに
スタンパを押しつけ、この後当該透明樹脂層４を紫外線
硬化させることにより第２の信号面を形成する。さらに
この第２の信号面上にスパツタリング法によりアルミニ
ウムを500 〜800 〔Å〕程度堆積させて反射膜層５を形
成し、この後この反射膜層５上に紫外線硬化樹脂を塗布
し、当該紫外線樹脂を紫外線硬化させることにより保護
膜層６を形成する。これにより上述のような２層光デイ
スク１を得ることができる。
を、規定により定められた所定の信号面間距離がとれる
程度にスピンコート法によつて塗布することにより透明
樹脂層４を形成した後、当該透明樹脂層４の上面４Ａに
スタンパを押しつけ、この後当該透明樹脂層４を紫外線
硬化させることにより第２の信号面を形成する。さらに
この第２の信号面上にスパツタリング法によりアルミニ
ウムを500 〜800 〔Å〕程度堆積させて反射膜層５を形
成し、この後この反射膜層５上に紫外線硬化樹脂を塗布
し、当該紫外線樹脂を紫外線硬化させることにより保護
膜層６を形成する。これにより上述のような２層光デイ
スク１を得ることができる。
【０００７】ところがこのような従来の２層光デイスク
の製造方法では、上述のように第２の信号面をいわゆる
２Ｐ法により作成しているため製造工程が煩雑になり、
従つて生産効率が悪い問題があつた。また上述のような
従来の２層光デイスクの製造方法では、デイスク基板２
の片面に複数回に渡つて紫外線硬化樹脂を塗布し、硬化
させるため、この樹脂の特性である硬化収縮に起因し
て、製造された２層光デイスク１に反りが発生し易い問
題があつた。
の製造方法では、上述のように第２の信号面をいわゆる
２Ｐ法により作成しているため製造工程が煩雑になり、
従つて生産効率が悪い問題があつた。また上述のような
従来の２層光デイスクの製造方法では、デイスク基板２
の片面に複数回に渡つて紫外線硬化樹脂を塗布し、硬化
させるため、この樹脂の特性である硬化収縮に起因し
て、製造された２層光デイスク１に反りが発生し易い問
題があつた。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、反りの少ない光デイスク及び当該光デイスクを効率
良く製造し得る光デイスクの製造方法を提案しようとす
るものである。
で、反りの少ない光デイスク及び当該光デイスクを効率
良く製造し得る光デイスクの製造方法を提案しようとす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一面に記録信号に応じた凹凸パタ
ーンが形成された透明樹脂材からなる第１のデイスク基
板の当該一面に半透明物質からなる半透明膜層を積層形
成すると共に、一面に記録信号に応じた凹凸パターンが
形成された第２のデイスク基板の当該一面に光反射物質
からなる反射膜層を積層形成し、第１及び第２のデイス
ク基板を透明物質からなる貼合せ手段を介して貼り合わ
せるようにして光デイスクを形成するようにした。
め本発明においては、一面に記録信号に応じた凹凸パタ
ーンが形成された透明樹脂材からなる第１のデイスク基
板の当該一面に半透明物質からなる半透明膜層を積層形
成すると共に、一面に記録信号に応じた凹凸パターンが
形成された第２のデイスク基板の当該一面に光反射物質
からなる反射膜層を積層形成し、第１及び第２のデイス
ク基板を透明物質からなる貼合せ手段を介して貼り合わ
せるようにして光デイスクを形成するようにした。
【００１０】第１のデイスク基板の一面が光デイスクの
第１の信号面として作用し、第２のデイスク基板の一面
が光デイスクの第２の信号面として作用する。従つて形
成された光デイスクでは、第１のデイスク基板の他面側
から第１又は第２の信号面に焦点を合わせて光ビームを
照射することによつて、半透明膜層又は反射膜層におい
て反射して戻つてくる反射戻り光に基づいて第１及び第
２の信号面に記録された信号を再生することができる。
第１の信号面として作用し、第２のデイスク基板の一面
が光デイスクの第２の信号面として作用する。従つて形
成された光デイスクでは、第１のデイスク基板の他面側
から第１又は第２の信号面に焦点を合わせて光ビームを
照射することによつて、半透明膜層又は反射膜層におい
て反射して戻つてくる反射戻り光に基づいて第１及び第
２の信号面に記録された信号を再生することができる。
【００１１】この場合この光デイスクは、第１及び第２
のデイスク基板の素材及び厚み等の選定によりこれら第
１及び第２のデイスク基板の厚み方向の強度を同じ程度
にすることができる。またこの光デイスクは、それぞれ
別々に形成された第１及び第２のデイスク基板を透明物
質からなる貼合せ手段を介して貼り合わせるようにして
光デイスクを製造するようにしたことにより、例えば２
Ｐ法等の煩雑な工法を用いずに製造することができる。
のデイスク基板の素材及び厚み等の選定によりこれら第
１及び第２のデイスク基板の厚み方向の強度を同じ程度
にすることができる。またこの光デイスクは、それぞれ
別々に形成された第１及び第２のデイスク基板を透明物
質からなる貼合せ手段を介して貼り合わせるようにして
光デイスクを製造するようにしたことにより、例えば２
Ｐ法等の煩雑な工法を用いずに製造することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１３】（１）第１実施例 図１において、１０は全体として第１実施例による２層
光デイスクを示し、それぞれ一面１１Ａ、１２Ａに記録
信号に応じた凹凸パターンが形成された第１及び第２の
デイスク基板１１、１２を、これら各一面１１Ａ、１２
Ａが対向するように透明フイルム１５を介して貼り合わ
せることにより形成されている。この場合第１のデイス
ク基板１１の一面１１Ａには半透明物質からなる半透明
膜層１３が積層形成されていると共に、第２のデイスク
基板１２の一面１２Ａには反射物質からなる反射膜層１
４が積層形成されている。
光デイスクを示し、それぞれ一面１１Ａ、１２Ａに記録
信号に応じた凹凸パターンが形成された第１及び第２の
デイスク基板１１、１２を、これら各一面１１Ａ、１２
Ａが対向するように透明フイルム１５を介して貼り合わ
せることにより形成されている。この場合第１のデイス
ク基板１１の一面１１Ａには半透明物質からなる半透明
膜層１３が積層形成されていると共に、第２のデイスク
基板１２の一面１２Ａには反射物質からなる反射膜層１
４が積層形成されている。
【００１４】これによりこの２層光デイスク１０におい
ては、第１のデイスク基板１１の他面１１Ｂ側からその
一面１１Ａに焦点を合わせて光ビームを照射することに
より、このとき得られる反射戻り光に基づいて当該第１
のデイスク基板１１の一面１１Ａに記録された信号を再
生し得ると共に、第１のデイスク基板１１の他面１１Ｂ
側から第２のデイスク基板１２の一面１２Ａに焦点を合
わせて光ビームを照射することにより、このとき得られ
る反射戻り光に基づいて第２のデイスク基板１２の一面
１２Ａに記録された信号を再生し得るようになされてい
る。
ては、第１のデイスク基板１１の他面１１Ｂ側からその
一面１１Ａに焦点を合わせて光ビームを照射することに
より、このとき得られる反射戻り光に基づいて当該第１
のデイスク基板１１の一面１１Ａに記録された信号を再
生し得ると共に、第１のデイスク基板１１の他面１１Ｂ
側から第２のデイスク基板１２の一面１２Ａに焦点を合
わせて光ビームを照射することにより、このとき得られ
る反射戻り光に基づいて第２のデイスク基板１２の一面
１２Ａに記録された信号を再生し得るようになされてい
る。
【００１５】ここで実際上この２層光デイスクは、以下
の手順により製造することができる。すなわち、まずポ
リカーボネイト等の透明樹脂材を用いて、一面１１Ａに
記録信号に応じた凹凸パターンを有する所定の厚み（通
常は1.2 〔mm〕）の第１のデイスク基板１１を通常のイ
ンジエクシヨン成形法により作成する。またこれとは別
に、適当な材料を用いて（光の透過性を考える必要がな
いため）一面１２Ａに記録信号に応じた凹凸パターンを
もつ適当な厚みの第２のデイスク基板１２を通常のイン
ジエクシヨン成形法により作成する。
の手順により製造することができる。すなわち、まずポ
リカーボネイト等の透明樹脂材を用いて、一面１１Ａに
記録信号に応じた凹凸パターンを有する所定の厚み（通
常は1.2 〔mm〕）の第１のデイスク基板１１を通常のイ
ンジエクシヨン成形法により作成する。またこれとは別
に、適当な材料を用いて（光の透過性を考える必要がな
いため）一面１２Ａに記録信号に応じた凹凸パターンを
もつ適当な厚みの第２のデイスク基板１２を通常のイン
ジエクシヨン成形法により作成する。
【００１６】次いで第１のデイスク基板１１の一面１１
Ａ（この２層光デイスク１０の第１の信号面に相当）上
に、スパツタリング法を用いて金属又はシリコンなどの
半導体等を堆積させることにより反射率30〔％〕程度の
半透明膜層１３を500 〜600〔Å〕程度の厚みで形成す
る。またこれとは別に第２のデイスク基板１２の一面１
２Ａ（この２層光デイスク１０の第２の信号面に相当）
上にスパツタリング法を用いてアルミニウム等を堆積さ
せることにより反射率90〔％〕程度の反射膜層１４を50
0 〜800 〔Å〕程度の厚みで形成する。
Ａ（この２層光デイスク１０の第１の信号面に相当）上
に、スパツタリング法を用いて金属又はシリコンなどの
半導体等を堆積させることにより反射率30〔％〕程度の
半透明膜層１３を500 〜600〔Å〕程度の厚みで形成す
る。またこれとは別に第２のデイスク基板１２の一面１
２Ａ（この２層光デイスク１０の第２の信号面に相当）
上にスパツタリング法を用いてアルミニウム等を堆積さ
せることにより反射率90〔％〕程度の反射膜層１４を50
0 〜800 〔Å〕程度の厚みで形成する。
【００１７】この後第１及び第２のデイスク基板１１、
１２を、第１及び第２のデイスク基板１１、１２の各一
面１１Ａ、１２Ａが規格により定められた所定の信号面
間距離Ｌ1 （通常は40〜50〔μm 〕程度）を保ち得るよ
うに、所定厚の透明フイルム１５を介して貼り合わせ
る。これにより図１のような２層光デイスク１０を得る
ことができる。
１２を、第１及び第２のデイスク基板１１、１２の各一
面１１Ａ、１２Ａが規格により定められた所定の信号面
間距離Ｌ1 （通常は40〜50〔μm 〕程度）を保ち得るよ
うに、所定厚の透明フイルム１５を介して貼り合わせ
る。これにより図１のような２層光デイスク１０を得る
ことができる。
【００１８】この場合このような方法によつて製造され
る２層光デイスク１０は、上述のように通常のインジエ
クシヨン成形法により作成された第１及び第２のデイス
ク基板１１、１２を貼り合わせることにより製造してい
るため、図２に示すように、第１及び第２の信号面のピ
ツトＰ１、Ｐ２がいずれも凹形状となる（すわなち第１
の信号面のピツトＰ1 が第１のデイスク基板１１の一面
１１Ａ側から見て凹形状になり、また第２の信号面のピ
ツトＰ2 が第２のデイスク基板１２の一面１２Ａ側から
見て凹形状になる）。
る２層光デイスク１０は、上述のように通常のインジエ
クシヨン成形法により作成された第１及び第２のデイス
ク基板１１、１２を貼り合わせることにより製造してい
るため、図２に示すように、第１及び第２の信号面のピ
ツトＰ１、Ｐ２がいずれも凹形状となる（すわなち第１
の信号面のピツトＰ1 が第１のデイスク基板１１の一面
１１Ａ側から見て凹形状になり、また第２の信号面のピ
ツトＰ2 が第２のデイスク基板１２の一面１２Ａ側から
見て凹形状になる）。
【００１９】従つてこの２層光デイスク１０において
は、第１のデイスク基板１１の一面１１Ａに記録された
信号は通常通りに再生し、第２のデイスク基板１２の一
面１２Ａに記録された信号は再生信号を反転させるなど
の信号処理を施すようにして再生するようにする。また
図２からも明らかなように、このような方法によつて製
造された２層光デイスク１０では、もともと同じ幅Ｗ1
のピツトＰ1 、Ｐ2 でも第２の信号面のピツトＰ2 の方
が、第１の信号面のピツトＰ1 よりも第１のデイスク基
板１１の他面１１Ｂ側から見たピツト幅Ｗ2 が反射膜層
１４の膜厚Ｗ3 の２倍分だけ小さくなる。
は、第１のデイスク基板１１の一面１１Ａに記録された
信号は通常通りに再生し、第２のデイスク基板１２の一
面１２Ａに記録された信号は再生信号を反転させるなど
の信号処理を施すようにして再生するようにする。また
図２からも明らかなように、このような方法によつて製
造された２層光デイスク１０では、もともと同じ幅Ｗ1
のピツトＰ1 、Ｐ2 でも第２の信号面のピツトＰ2 の方
が、第１の信号面のピツトＰ1 よりも第１のデイスク基
板１１の他面１１Ｂ側から見たピツト幅Ｗ2 が反射膜層
１４の膜厚Ｗ3 の２倍分だけ小さくなる。
【００２０】従つて上述のような製造方法により２層光
デイスク１０を製造する場合には、第２のデイスク基板
１２のピツトＰ2 の大きさを第１のデイスク基板１１の
対応する大きさのピツトＰ1 よりもピツト幅Ｗ2 が反射
膜層１４の膜厚Ｗ3 の２倍分だけ大きくなるように各ピ
ツトＰ2 を形成するようにする。これにより第１の信号
面の再生特性と、第２の信号面の再生特性とが同じ２層
光デイスク１０を製造することができる。
デイスク１０を製造する場合には、第２のデイスク基板
１２のピツトＰ2 の大きさを第１のデイスク基板１１の
対応する大きさのピツトＰ1 よりもピツト幅Ｗ2 が反射
膜層１４の膜厚Ｗ3 の２倍分だけ大きくなるように各ピ
ツトＰ2 を形成するようにする。これにより第１の信号
面の再生特性と、第２の信号面の再生特性とが同じ２層
光デイスク１０を製造することができる。
【００２１】以上の構成において、それぞれ記録信号に
応じた凹凸パターンをもつ第１及び第２のデイスク基板
１１、１２をそれぞれ通常のインジエクシヨン成形法に
より作成し、かくして得られた第１及び第２のデイスク
基板１１、１２の各一面１１Ａ、１２Ａ上にそれぞれ半
透明膜層１３又は反射膜層１４を形成した後、これら第
１及び第２のデイスク基板１１、１２を半透明膜層１３
及び反射膜層１４が所定距離Ｌ1 を介して対向するよう
に透明フイルム１５を介して貼り合わせるようにして２
層光デイスク１０を製造する。
応じた凹凸パターンをもつ第１及び第２のデイスク基板
１１、１２をそれぞれ通常のインジエクシヨン成形法に
より作成し、かくして得られた第１及び第２のデイスク
基板１１、１２の各一面１１Ａ、１２Ａ上にそれぞれ半
透明膜層１３又は反射膜層１４を形成した後、これら第
１及び第２のデイスク基板１１、１２を半透明膜層１３
及び反射膜層１４が所定距離Ｌ1 を介して対向するよう
に透明フイルム１５を介して貼り合わせるようにして２
層光デイスク１０を製造する。
【００２２】従つて上述のような２層光デイスクの製造
方法によれば、２層光デイスクをインジエクシヨン成形
法だけを用いて製造することができるため、従来のよう
な２Ｐ法などの作業が煩雑な工法を用いる場合に比べて
容易に、かつ安価に２層光デイスクを製造することがで
きる。
方法によれば、２層光デイスクをインジエクシヨン成形
法だけを用いて製造することができるため、従来のよう
な２Ｐ法などの作業が煩雑な工法を用いる場合に比べて
容易に、かつ安価に２層光デイスクを製造することがで
きる。
【００２３】またこのような２層光デイスクの製造方法
によれば、それぞれある程度厚み方向に強度をもつた第
１及び第２のデイスク基板１１、１２を透明フイルム１
５を介して貼り合わせるため、第１及び第２のデイスク
基板１１、１２の素材及び厚みを選定することにより第
１及び第２のデイスク基板１１、１２の厚み方向の強度
をほぼ同じ程度にすることができる。従つて反り難い２
層光デイスク１０を製造することができる。
によれば、それぞれある程度厚み方向に強度をもつた第
１及び第２のデイスク基板１１、１２を透明フイルム１
５を介して貼り合わせるため、第１及び第２のデイスク
基板１１、１２の素材及び厚みを選定することにより第
１及び第２のデイスク基板１１、１２の厚み方向の強度
をほぼ同じ程度にすることができる。従つて反り難い２
層光デイスク１０を製造することができる。
【００２４】以上の構成によれば、それぞれ記録信号に
応じた凹凸パターンをもつ第１及び第２のデイスク基板
１１、１２をそれぞれ通常のインジエクシヨン成形法に
より作成し、かくして得られた第１及び第２のデイスク
基板１１、１２の各一面１１Ａ 、１２Ａ上にそれぞれ
半透明膜層１３又は反射膜層１４を形成した後、これら
第１及び第２のデイスク基板１１、１２を一面１１Ａ、
１２Ａ同士が所定距離Ｌ1 を介して対向するように透明
フイルム１５を介して貼り合わせるようにして２層光デ
イスク１０を製造するようにしたことにより、２Ｐ法を
用いる従来の２層光デイスク１（図６）の製造方法に比
べてより容易に２層光デイスク１０を製造することがで
きると共に、従来の２層光デイスク１（図６）に比べて
反り難い２層光デイスク１０を得ることができ、かくし
て反りの少ない２層光デイスク及び当該２層光デイスク
を効率良く製造し得る光デイスクの製造方法を実現でき
る。
応じた凹凸パターンをもつ第１及び第２のデイスク基板
１１、１２をそれぞれ通常のインジエクシヨン成形法に
より作成し、かくして得られた第１及び第２のデイスク
基板１１、１２の各一面１１Ａ 、１２Ａ上にそれぞれ
半透明膜層１３又は反射膜層１４を形成した後、これら
第１及び第２のデイスク基板１１、１２を一面１１Ａ、
１２Ａ同士が所定距離Ｌ1 を介して対向するように透明
フイルム１５を介して貼り合わせるようにして２層光デ
イスク１０を製造するようにしたことにより、２Ｐ法を
用いる従来の２層光デイスク１（図６）の製造方法に比
べてより容易に２層光デイスク１０を製造することがで
きると共に、従来の２層光デイスク１（図６）に比べて
反り難い２層光デイスク１０を得ることができ、かくし
て反りの少ない２層光デイスク及び当該２層光デイスク
を効率良く製造し得る光デイスクの製造方法を実現でき
る。
【００２５】（２）第２実施例 図１との対応部分に同一符号を付して示す図３は、第２
実施例による２層光デイスク２０を示し、第２のデイス
ク基板２１の構成を除いて第１実施例の２層光デイスク
１０（図１）とほぼ同様に形成されている。すなわちこ
の２層光デイスク２０の場合、第２のデイスク基板２１
のピツトＰ3 がそれぞれ凸状に形成（すなわちピツトＰ
3 が第２のデイスク基板２１の一面２１Ａ側から見て突
出した形状）されている。これによりこの２層光デイス
ク２０においては、第２のデイスク基板２１の一面２１
Ａに記録された信号を反転等の信号処理を施すことな
く、通常通りに再生し得るようになされている。
実施例による２層光デイスク２０を示し、第２のデイス
ク基板２１の構成を除いて第１実施例の２層光デイスク
１０（図１）とほぼ同様に形成されている。すなわちこ
の２層光デイスク２０の場合、第２のデイスク基板２１
のピツトＰ3 がそれぞれ凸状に形成（すなわちピツトＰ
3 が第２のデイスク基板２１の一面２１Ａ側から見て突
出した形状）されている。これによりこの２層光デイス
ク２０においては、第２のデイスク基板２１の一面２１
Ａに記録された信号を反転等の信号処理を施すことな
く、通常通りに再生し得るようになされている。
【００２６】ここで実際上この第２のデイスク基板２１
のような凸ピツト形状のデイスク基板は、図３（Ａ）〜
（Ｆ）に示す以下の手順により作成することができる。
すなわち、まず通常の光デイスク用のスタンパを作成す
る場合と同様にして、極めて平滑に研磨されたガラス基
板３０の一面３０Ａ上にホト型レジストを塗布すること
によりレジスト層３１を形成し（図３（Ａ））、当該レ
ジスト層３１を記録信号に応じて露光した後、これを現
像することによりガラス基板３０上に残存レジスト３１
Ａからなる記録信号に応じた凹凸パターンを形成する
（図３（Ｂ））。
のような凸ピツト形状のデイスク基板は、図３（Ａ）〜
（Ｆ）に示す以下の手順により作成することができる。
すなわち、まず通常の光デイスク用のスタンパを作成す
る場合と同様にして、極めて平滑に研磨されたガラス基
板３０の一面３０Ａ上にホト型レジストを塗布すること
によりレジスト層３１を形成し（図３（Ａ））、当該レ
ジスト層３１を記録信号に応じて露光した後、これを現
像することによりガラス基板３０上に残存レジスト３１
Ａからなる記録信号に応じた凹凸パターンを形成する
（図３（Ｂ））。
【００２７】続いてこの残存レジスト３１Ａからなる凹
凸パターンの表面上に無電解メツキ等の方法により導電
性の皮膜層（以下、これを導電化膜層と呼ぶ）を形成
し、次いでこの導電化膜層上に電鋳等の方法を用いてニ
ツケルを必要な厚さになるまでメツキすることによりメ
ツキ層を形成する。さらにこの導電化膜層及びメツキ層
を一体にガラス基板３０及び残存レジスト３１Ａから剥
離することによりピツト形状が凸状のスタンパ３２を形
成した後（図３（Ｃ））、当該スタンパ３２に基づいて
ピツト形状が凹状のスタンパ３３を形成する（図３
（Ｄ）及び（Ｅ））。
凸パターンの表面上に無電解メツキ等の方法により導電
性の皮膜層（以下、これを導電化膜層と呼ぶ）を形成
し、次いでこの導電化膜層上に電鋳等の方法を用いてニ
ツケルを必要な厚さになるまでメツキすることによりメ
ツキ層を形成する。さらにこの導電化膜層及びメツキ層
を一体にガラス基板３０及び残存レジスト３１Ａから剥
離することによりピツト形状が凸状のスタンパ３２を形
成した後（図３（Ｃ））、当該スタンパ３２に基づいて
ピツト形状が凹状のスタンパ３３を形成する（図３
（Ｄ）及び（Ｅ））。
【００２８】この後このスタンパ３３を用いたインジエ
クシヨン成形法によりデイスク基板を作成する。これに
より上述のようなピツトＰ3 が凸形状の第２のデイスク
基板２１を作成することができる（図３（Ｆ））。
クシヨン成形法によりデイスク基板を作成する。これに
より上述のようなピツトＰ3 が凸形状の第２のデイスク
基板２１を作成することができる（図３（Ｆ））。
【００２９】以上の構成において、第１実施例の２層光
デイスク１０（図１）では、第１の信号面と第２の信号
面とではピツト形状の凹凸が異なるため、例えばトラツ
キングサーボ方式としてプツシユプル法を用いた再生装
置では、トラツキングサーボ時、第１の信号面と第２の
信号面とにおいてトラツキング信号を反転させる必要が
あつた。
デイスク１０（図１）では、第１の信号面と第２の信号
面とではピツト形状の凹凸が異なるため、例えばトラツ
キングサーボ方式としてプツシユプル法を用いた再生装
置では、トラツキングサーボ時、第１の信号面と第２の
信号面とにおいてトラツキング信号を反転させる必要が
あつた。
【００３０】これは、このようにしないと第２又は第１
の信号面を再生している場合に、隣接する２つのトラツ
クの中央を光ビームスポツトが移動しているときをジヤ
ストトラツキング状態としてトラツキングサーボが行わ
れるためであり、従つて第１実施例の２層光デイスク１
０（図１）では、第１の信号面に記録された信号を再生
する場合と第２の信号面に記録された信号を再生する場
合とにおいてトラツキング信号を反転させる必要がある
分、再生装置の信号処理回路の構成が煩雑になる問題が
あつた。
の信号面を再生している場合に、隣接する２つのトラツ
クの中央を光ビームスポツトが移動しているときをジヤ
ストトラツキング状態としてトラツキングサーボが行わ
れるためであり、従つて第１実施例の２層光デイスク１
０（図１）では、第１の信号面に記録された信号を再生
する場合と第２の信号面に記録された信号を再生する場
合とにおいてトラツキング信号を反転させる必要がある
分、再生装置の信号処理回路の構成が煩雑になる問題が
あつた。
【００３１】しかしながらこの第２実施例のようにピツ
ト形状が凹状の第１のデイスク基板１１と、ピツト形状
が凸状の第２のデイスク基板２１とを貼り合わせるよう
にして２層光デイスク２０を形成するようにすることに
よつて、第１の信号面に記録された信号の再生時と第２
の信号面に記録された信号の再生時とにおいてトラツキ
ング信号の反転を行う必要性を回避することができ、か
くして再生装置の信号処理回路の煩雑化を防止すること
ができる。
ト形状が凹状の第１のデイスク基板１１と、ピツト形状
が凸状の第２のデイスク基板２１とを貼り合わせるよう
にして２層光デイスク２０を形成するようにすることに
よつて、第１の信号面に記録された信号の再生時と第２
の信号面に記録された信号の再生時とにおいてトラツキ
ング信号の反転を行う必要性を回避することができ、か
くして再生装置の信号処理回路の煩雑化を防止すること
ができる。
【００３２】以上の構成によれば、ピツト形状が凹状の
透明樹脂からなる第１のデイスク基板１１と、ピツト形
状が凸状の第２のデイスク基板２１とを各一面１１Ａ、
２１Ａ同士が所定距離Ｌ1 を介して対向するように透明
フイルム１５を介して貼り合わせるようにして２層光デ
イスク２０を形成するようにしたことにより、反りが少
なく、かつ再生装置の信号処理回路の煩雑化を防止し得
る２層光デイスク及び当該２層光デイスクを効率良く製
造し得る光デイスクの製造方法を実現できる。
透明樹脂からなる第１のデイスク基板１１と、ピツト形
状が凸状の第２のデイスク基板２１とを各一面１１Ａ、
２１Ａ同士が所定距離Ｌ1 を介して対向するように透明
フイルム１５を介して貼り合わせるようにして２層光デ
イスク２０を形成するようにしたことにより、反りが少
なく、かつ再生装置の信号処理回路の煩雑化を防止し得
る２層光デイスク及び当該２層光デイスクを効率良く製
造し得る光デイスクの製造方法を実現できる。
【００３３】（３）他の実施例 なお上述の第１及び第２実施例においては、第１及び第
２のデイスク基板１１、１２（又は２１）をインジエク
シヨン成形法により作成するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、第１及び第２のデイス
ク基板１１、１２（又は２１）の作成方法としては、こ
の他種々の作成方法を適用できる。
２のデイスク基板１１、１２（又は２１）をインジエク
シヨン成形法により作成するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、第１及び第２のデイス
ク基板１１、１２（又は２１）の作成方法としては、こ
の他種々の作成方法を適用できる。
【００３４】また上述の第１及び第２の実施例において
は、第１及び第２のデイスク基板１１、１２（又は２
１）を貼り合わせる貼合せ手段として透明フイルム１５
を適用するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、透明フイルム１５に代えて例えば光透過
性の紫外線硬化樹脂や接着材を用いて第１及び第２のデ
イスク基板１１、１２（又は２１）を貼り合わせるよう
にしても良く、要は、第１及び第２のデイスク基板１
１、１２（又は２１）を貼り合わせることができるので
あれば、貼合せ手段としてはこの他種々の貼合せ手段を
適用できる。
は、第１及び第２のデイスク基板１１、１２（又は２
１）を貼り合わせる貼合せ手段として透明フイルム１５
を適用するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、透明フイルム１５に代えて例えば光透過
性の紫外線硬化樹脂や接着材を用いて第１及び第２のデ
イスク基板１１、１２（又は２１）を貼り合わせるよう
にしても良く、要は、第１及び第２のデイスク基板１
１、１２（又は２１）を貼り合わせることができるので
あれば、貼合せ手段としてはこの他種々の貼合せ手段を
適用できる。
【００３５】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、第１のデイスク基板１１の一面１１Ａ上に金属又は
シリコンなどの半導体をスパツタリング法により堆積さ
せることにより反射率30〔％〕程度の半透明膜層１５を
500 〜600 〔Å〕程度の厚みで形成すると共に、第２の
デイスク基板１２、１４の一面１２Ａ、２１Ａ上にアル
ミニウムをスパツタリング法により堆積させることによ
り反射率90〔％〕程度の反射膜層１４を500 〜800
〔Å〕程度の厚みで形成するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、半透明膜層１３及び反
射膜層１４の厚み、材質、形成方法及び反射率としては
この他であつても良い。
は、第１のデイスク基板１１の一面１１Ａ上に金属又は
シリコンなどの半導体をスパツタリング法により堆積さ
せることにより反射率30〔％〕程度の半透明膜層１５を
500 〜600 〔Å〕程度の厚みで形成すると共に、第２の
デイスク基板１２、１４の一面１２Ａ、２１Ａ上にアル
ミニウムをスパツタリング法により堆積させることによ
り反射率90〔％〕程度の反射膜層１４を500 〜800
〔Å〕程度の厚みで形成するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、半透明膜層１３及び反
射膜層１４の厚み、材質、形成方法及び反射率としては
この他であつても良い。
【００３６】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、本発明を２層光デイスク及びその製造工程に適用す
るようにした場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、信号面が１つしかない通常の光デイスク及びその
製造工程にも適用することができる。すなわち、例えば
図５に示すように、一面４１Ａに記録信号に応じた凹凸
パターンが形成されてなるデイスク基板４１の当該一面
４１Ａにアルミニウム等でなる反射膜層４２を積層形成
し、当該反射膜層４２に透明物質（例えば光透過性の接
着剤４３）を介して0.5 〔mm〕以下の薄い透明フイルム
４４を貼り合わせるようにして光デイスク４０を形成す
れば良い。
は、本発明を２層光デイスク及びその製造工程に適用す
るようにした場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、信号面が１つしかない通常の光デイスク及びその
製造工程にも適用することができる。すなわち、例えば
図５に示すように、一面４１Ａに記録信号に応じた凹凸
パターンが形成されてなるデイスク基板４１の当該一面
４１Ａにアルミニウム等でなる反射膜層４２を積層形成
し、当該反射膜層４２に透明物質（例えば光透過性の接
着剤４３）を介して0.5 〔mm〕以下の薄い透明フイルム
４４を貼り合わせるようにして光デイスク４０を形成す
れば良い。
【００３７】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、一面に記
録信号に応じた凹凸パターンが形成された透明樹脂材か
らなる第１のデイスク基板の当該一面上に半透明な半透
明膜層を積層形成すると共に、一面に記録信号に応じた
凹凸パターンが形成された第２のデイスク基板の当該一
面上に反射膜層を積層形成し、第１及び第２のデイスク
基板を一面同士が透明物質からなる貼合せ手段を介して
対向するように貼り合わせるようにして光デイスクを製
造するようにしたことにより、第１及び第２のデイスク
基板の厚み方向の強度を同じ程度にすることができると
共に、作業の煩雑な工法を用いずに製造することがで
き、かくして反りの少ない光デイスク及び当該光デイス
クを効率良く製造し得る光デイスクの製造方法を実現で
きる。
録信号に応じた凹凸パターンが形成された透明樹脂材か
らなる第１のデイスク基板の当該一面上に半透明な半透
明膜層を積層形成すると共に、一面に記録信号に応じた
凹凸パターンが形成された第２のデイスク基板の当該一
面上に反射膜層を積層形成し、第１及び第２のデイスク
基板を一面同士が透明物質からなる貼合せ手段を介して
対向するように貼り合わせるようにして光デイスクを製
造するようにしたことにより、第１及び第２のデイスク
基板の厚み方向の強度を同じ程度にすることができると
共に、作業の煩雑な工法を用いずに製造することがで
き、かくして反りの少ない光デイスク及び当該光デイス
クを効率良く製造し得る光デイスクの製造方法を実現で
きる。
【図１】第１実施例による２層光デイスクの構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の２層光デイスクにおける第１及び第２の
信号面のピツト形状を示す略線的な断面図である。
信号面のピツト形状を示す略線的な断面図である。
【図３】第２実施例による２層光デイスクの構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】第２のデイスク基板の作成手順を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】他の実施例を示す断面図である。
【図６】従来の２層光デイスクの構成を示す断面図であ
る。
る。
２０、３０……２層光デイスク、１１、１２、２１……
デイスク基板、１１Ａ、１２Ａ、２１Ａ……一面、１３
……半透明膜層、１４……反射膜層、１５……光透過性
フイルム、Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 ……ピツト。
デイスク基板、１１Ａ、１２Ａ、２１Ａ……一面、１３
……半透明膜層、１４……反射膜層、１５……光透過性
フイルム、Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 ……ピツト。
Claims (6)
- 【請求項１】一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形
成された透明樹脂材からなる第１のデイスク基板と、 上記第１のデイスク基板の上記一面に積層形成された半
透明物質からなる半透明膜層と、 一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形成された第２
のデイスク基板と、 上記第２のデイスク基板の上記一面に積層形成された光
反射物質からなる反射膜層と、 上記半透明膜層及び上記反射膜層間に配設された、上記
第１及び第２のデイスク基板を貼り合わせる透明物質か
らなる貼合せ手段とを具えることを特徴とする光デイス
ク。 - 【請求項２】上記第１及び第２のデイスク基板はそれぞ
れピツトが凹形状でなり、上記第２のデイスク基板の上
記ピツトが上記第１のデイスク基板の対応する大きさの
上記ピツトよりも上記反射膜層の膜厚の２倍分だけピツ
ト幅が大きく選定されたことを特徴とする請求項１に記
載の光デイスク。 - 【請求項３】上記第１のデイスク基板は、ピツトが凹形
状でなり、 上記第２のデイスク基板は、ピツトが凸形状でなること
を特徴とする請求項１に記載の光デイスク。 - 【請求項４】一面に記録信号に応じた凹凸パターンを有
する透明樹脂材からなる第１のデイスク基板と、一面に
記録信号に応じた凹凸パターンを有する第２のデイスク
基板とをそれぞれ作成する第１の工程と、 上記第１のデイスク基板の上記一面上に半透明物質から
なる半透明膜層を形成すると共に、上記第２のデイスク
基板の上記一面上に光反射物質からなる反射膜層を形成
する第２の工程と、 上記第１及び第２のデイスク基板を、上記一面同士が所
定距離を介して対向するように透明物質からなる貼合せ
手段を介して貼り合わせる第３の工程とを具えることを
特徴とする光デイスクの製造方法。 - 【請求項５】上記第１及び第２のデイスク基板はそれぞ
れピツトが凹形状でなり、上記第２のデイスク基板の上
記ピツトが上記第１のデイスク基板の対応する大きさの
上記ピツトよりも上記反射膜層の膜厚の２倍分だけピツ
ト幅が大きく選定されたことを特徴とする請求項４に記
載の光デイスクの製造方法。 - 【請求項６】上記第１のデイスク基板は、ピツトが凹形
状でなり、 上記第２のデイスク基板は、ピツトが凸形状でなること
を特徴とする請求項４に記載の光デイスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230744A JPH0954985A (ja) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | 光デイスク及び光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230744A JPH0954985A (ja) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | 光デイスク及び光デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0954985A true JPH0954985A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16912620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230744A Pending JPH0954985A (ja) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | 光デイスク及び光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0954985A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056554A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Tdk Corporation | Multi-layered optical recording medium manufacturing method and multi-layered optical recording medium |
| WO2003056553A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Tdk Corporation | Multi-layered optical recording medium and multi-layered optical recording medium manufacturing method |
| JP2007502510A (ja) * | 2003-05-20 | 2007-02-08 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 情報記録媒体及び情報記録媒体についてのデータの記録及び／または再生方法及び装置 |
| JP2010033712A (ja) * | 2009-11-18 | 2010-02-12 | Sony Corp | 光ディスクおよび光ディスクの製造方法 |
-
1995
- 1995-08-15 JP JP7230744A patent/JPH0954985A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056554A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Tdk Corporation | Multi-layered optical recording medium manufacturing method and multi-layered optical recording medium |
| WO2003056553A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Tdk Corporation | Multi-layered optical recording medium and multi-layered optical recording medium manufacturing method |
| CN1310235C (zh) * | 2001-12-27 | 2007-04-11 | Tdk株式会社 | 多层光记录介质的制造方法 |
| JP2007502510A (ja) * | 2003-05-20 | 2007-02-08 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 情報記録媒体及び情報記録媒体についてのデータの記録及び／または再生方法及び装置 |
| JP2010033712A (ja) * | 2009-11-18 | 2010-02-12 | Sony Corp | 光ディスクおよび光ディスクの製造方法 |
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