JPH0955167A - プラズマディスプレイパネル用電極及びその形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用電極及びその形成方法Info
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- JPH0955167A JPH0955167A JP8011468A JP1146896A JPH0955167A JP H0955167 A JPH0955167 A JP H0955167A JP 8011468 A JP8011468 A JP 8011468A JP 1146896 A JP1146896 A JP 1146896A JP H0955167 A JPH0955167 A JP H0955167A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネル用電極を煩雑で
ない工程で作製できるようにする。 【解決手段】 透明導電性膜からなる第１層４と導体材
料からなる第２層５で電極６を構成し、前記導体材料と
して導体ペースト若しくは導体ペーストをシート状にし
たものを使用する。第２層の形成方法として、導体ペ
ーストを用いたスクリーン印刷、導体材料のエッチン
グ、導体ペーストの充填、感光性導体材料を使用し
たフォトリソ法などの手段を採ることができる。スパッ
タや蒸着などの薄膜形成技術を利用して金属膜の形成を
行う従来方法のように真空装置を使用する必要がなくな
るので、基板処理に要する時間の短縮を図って製造能率
を高めることができる。真空装置に収容する際のような
基板サイズの制約がなくなるので、パネルの大型化にも
容易に対応できる。
ない工程で作製できるようにする。 【解決手段】 透明導電性膜からなる第１層４と導体材
料からなる第２層５で電極６を構成し、前記導体材料と
して導体ペースト若しくは導体ペーストをシート状にし
たものを使用する。第２層の形成方法として、導体ペ
ーストを用いたスクリーン印刷、導体材料のエッチン
グ、導体ペーストの充填、感光性導体材料を使用し
たフォトリソ法などの手段を採ることができる。スパッ
タや蒸着などの薄膜形成技術を利用して金属膜の形成を
行う従来方法のように真空装置を使用する必要がなくな
るので、基板処理に要する時間の短縮を図って製造能率
を高めることができる。真空装置に収容する際のような
基板サイズの制約がなくなるので、パネルの大型化にも
容易に対応できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体放電を用いた
自発光形式の平板ディスプレイであるプラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳しくはそ
の前面板上或いは背面板上に設けられる電極に関するも
のである。
自発光形式の平板ディスプレイであるプラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に係り、詳しくはそ
の前面板上或いは背面板上に設けられる電極に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ等の不活性ガスを主体とするガスを封入した
構造になっている。そして、これらの電極間に電圧を印
加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させること
により、各セルを発光させて表示を行うようにしてい
る。情報表示をするためには、規則的に並んだセルを選
択的に放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空
間に露出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われて
いる交流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、表示機能や駆
動方法の違いによって、双方ともリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式とに分類される。
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ等の不活性ガスを主体とするガスを封入した
構造になっている。そして、これらの電極間に電圧を印
加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させること
により、各セルを発光させて表示を行うようにしてい
る。情報表示をするためには、規則的に並んだセルを選
択的に放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空
間に露出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われて
いる交流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、表示機能や駆
動方法の違いによって、双方ともリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式とに分類される。
【０００３】図１にＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示してあ
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板２上に互いに平行に設けられたセル障壁３によ
り一定の間隔に保持されるようになっている。前面板と
なるガラス基板１の背面側には透明電極である維持電極
４と金属電極であるバス電極５とで構成される複合電極
６が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層７が
形成されており、さらにその上に保護層８（ＭｇＯ層）
が形成されている。一方、背面板となるガラス基板２の
前面側には複合電極６と直交するようにセル障壁３の間
に位置してアドレス電極９が互いに平行に形成されてお
り、さらにセル障壁３の壁面とセル底面を覆うようにし
て蛍光体１０が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰは面
放電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧を印
加し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。この
場合、交流をかけているために電界の向きは周波数に対
応して変化する。そしてこの放電により生じる紫外線に
より蛍光体１０を発光させ、前面板を透過する光を観察
者が視認するようになっている。
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板２上に互いに平行に設けられたセル障壁３によ
り一定の間隔に保持されるようになっている。前面板と
なるガラス基板１の背面側には透明電極である維持電極
４と金属電極であるバス電極５とで構成される複合電極
６が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層７が
形成されており、さらにその上に保護層８（ＭｇＯ層）
が形成されている。一方、背面板となるガラス基板２の
前面側には複合電極６と直交するようにセル障壁３の間
に位置してアドレス電極９が互いに平行に形成されてお
り、さらにセル障壁３の壁面とセル底面を覆うようにし
て蛍光体１０が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰは面
放電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧を印
加し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。この
場合、交流をかけているために電界の向きは周波数に対
応して変化する。そしてこの放電により生じる紫外線に
より蛍光体１０を発光させ、前面板を透過する光を観察
者が視認するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記ＡＣ型ＰＤＰの前
面板における複合電極６は、維持電極４のみでは抵抗値
が高く電極として使えないため、抵抗値を低くするため
に維持電極４上にバス電極５を形成したものである。維
持電極４の材料としてはＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等が
考えられるが、成膜やパターニングの容易さから通常は
ＩＴＯが用いられている。一方、バス電極５は金属材料
で形成されるが、これを金属薄膜単層で構成する場合に
は、バス電極５に求められる抵抗値から低抵抗率の材
料、例えばＣｕやＡｌの使用が考えられる。しかし、Ｃ
ｕを使用した場合、バス電極５の下地層であるＩＴＯと
の密着性が悪い上に、後工程である誘電体層７形成時の
焼成処理の結果、材料の熱酸化により抵抗値が上昇する
という問題点がある。またＡｌを使用した場合でも、後
工程の焼成処理によって材料の熱酸化や表面の粗面化
（ヒロック）が起きるという問題がある。したがって、
バス電極５は金属薄膜単層ではなく、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
やＣｒ／Ａｌ／Ｃｒのように異なる金属材料の組合せに
より構成するのが一般的である。この場合、下層のＣｒ
は下地層である維持電極４との密着層として機能し、上
層のＣｒはＣｕやＡｌの酸化防止層として機能する。ま
た、上記のようなＡＣ型ＰＤＰに限らずＤＣ型ＰＤＰの
電極でも、同様の理由で前記バス電極と同様の積層構造
及び材料が用いられている。しかしこのような積層構造
を採ると、金属単層のような問題は起きないものの、バ
ス電極を形成するためにスパッタや蒸着などの薄膜形成
技術とエッチング加工を３回も必要とし、工程が複雑に
なり、従って時間がかかり、処理能力に欠けるという問
題がある。
面板における複合電極６は、維持電極４のみでは抵抗値
が高く電極として使えないため、抵抗値を低くするため
に維持電極４上にバス電極５を形成したものである。維
持電極４の材料としてはＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等が
考えられるが、成膜やパターニングの容易さから通常は
ＩＴＯが用いられている。一方、バス電極５は金属材料
で形成されるが、これを金属薄膜単層で構成する場合に
は、バス電極５に求められる抵抗値から低抵抗率の材
料、例えばＣｕやＡｌの使用が考えられる。しかし、Ｃ
ｕを使用した場合、バス電極５の下地層であるＩＴＯと
の密着性が悪い上に、後工程である誘電体層７形成時の
焼成処理の結果、材料の熱酸化により抵抗値が上昇する
という問題点がある。またＡｌを使用した場合でも、後
工程の焼成処理によって材料の熱酸化や表面の粗面化
（ヒロック）が起きるという問題がある。したがって、
バス電極５は金属薄膜単層ではなく、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
やＣｒ／Ａｌ／Ｃｒのように異なる金属材料の組合せに
より構成するのが一般的である。この場合、下層のＣｒ
は下地層である維持電極４との密着層として機能し、上
層のＣｒはＣｕやＡｌの酸化防止層として機能する。ま
た、上記のようなＡＣ型ＰＤＰに限らずＤＣ型ＰＤＰの
電極でも、同様の理由で前記バス電極と同様の積層構造
及び材料が用いられている。しかしこのような積層構造
を採ると、金属単層のような問題は起きないものの、バ
ス電極を形成するためにスパッタや蒸着などの薄膜形成
技術とエッチング加工を３回も必要とし、工程が複雑に
なり、従って時間がかかり、処理能力に欠けるという問
題がある。
【０００５】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、煩雑でな
い工程で作製することのできるＰＤＰ用電極及びその形
成方法を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、煩雑でな
い工程で作製することのできるＰＤＰ用電極及びその形
成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＰＤＰ用電極は、ＰＤＰの前面板或い
は背面板上に設けられる電極であって、透明導電性膜か
らなる第１層と導体材料からなる第２層で構成され、前
記導体材料が導体ペースト若しくは導体ペーストをシー
ト状にしたものであることを特徴としている。さらに前
記導体ペースト中に黒色顔料を含有させることにより、
第２層がブラックマトリックスの役割を兼ねるようにす
ることが好ましいものである。なお、導体ペーストをシ
ート状にしたものとは、導体ペーストを塗布して乾燥さ
せることでシート状にしたもののことである。そしてこ
の電極における第２層は、導体ペーストを用いたスク
リーン印刷、導体材料のエッチング、導体ペースト
の充填、感光性導体材料を使用したフォトリソ法、の
いずれかの方法により形成することができる。
め、本発明に係るＰＤＰ用電極は、ＰＤＰの前面板或い
は背面板上に設けられる電極であって、透明導電性膜か
らなる第１層と導体材料からなる第２層で構成され、前
記導体材料が導体ペースト若しくは導体ペーストをシー
ト状にしたものであることを特徴としている。さらに前
記導体ペースト中に黒色顔料を含有させることにより、
第２層がブラックマトリックスの役割を兼ねるようにす
ることが好ましいものである。なお、導体ペーストをシ
ート状にしたものとは、導体ペーストを塗布して乾燥さ
せることでシート状にしたもののことである。そしてこ
の電極における第２層は、導体ペーストを用いたスク
リーン印刷、導体材料のエッチング、導体ペースト
の充填、感光性導体材料を使用したフォトリソ法、の
いずれかの方法により形成することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、面放電型のＡＣ型ＰＤ
Ｐ、対向型のＡＣ型ＰＤＰ、ＤＣ型ＰＤＰと言った各種
ＰＤＰの電極に適用できるものであるが、ここでは図１
に示すＡＣ型ＰＤＰにおける前面板の複合電極を例に挙
げ、複数の実施例を述べることにより実施形態を説明す
る。
Ｐ、対向型のＡＣ型ＰＤＰ、ＤＣ型ＰＤＰと言った各種
ＰＤＰの電極に適用できるものであるが、ここでは図１
に示すＡＣ型ＰＤＰにおける前面板の複合電極を例に挙
げ、複数の実施例を述べることにより実施形態を説明す
る。
【０００８】（実施例１）まず、図２（ａ）に示すよう
に、前面板となるガラス基板１上に維持電極４である透
明電極を形成する。すなわち、所定の形状を有する透明
導電性膜で第１層を形成する。透明導電性膜の膜厚は
０．０５〜０．４μｍ程度である。具体的には、まずガ
ラス基板上にスプレー法等によりＳｎＯ2 を被着して透
明導電性膜を形成し、次いで液状レジスト（東京応化工
業製「ＯＭＲ８５」）或いはドライフィルムレジスト
（東京応化工業製「オーディールＢＦ−２０５」）を用
いてＳｎＯ2 膜の上にレジスト層を形成してから、この
レジスト層のパターン露光及び現像を行って透明電極用
のレジストパターンを形成した後、サンドブラスト処理
を行ってＳｎＯ2 膜の不要部分を除去した。サンドブラ
スト処理を行う際、研磨材にはアルミナを用いた。次に
レジストパターンの剥離を行い、所望パターンの透明電
極を形成した。
に、前面板となるガラス基板１上に維持電極４である透
明電極を形成する。すなわち、所定の形状を有する透明
導電性膜で第１層を形成する。透明導電性膜の膜厚は
０．０５〜０．４μｍ程度である。具体的には、まずガ
ラス基板上にスプレー法等によりＳｎＯ2 を被着して透
明導電性膜を形成し、次いで液状レジスト（東京応化工
業製「ＯＭＲ８５」）或いはドライフィルムレジスト
（東京応化工業製「オーディールＢＦ−２０５」）を用
いてＳｎＯ2 膜の上にレジスト層を形成してから、この
レジスト層のパターン露光及び現像を行って透明電極用
のレジストパターンを形成した後、サンドブラスト処理
を行ってＳｎＯ2 膜の不要部分を除去した。サンドブラ
スト処理を行う際、研磨材にはアルミナを用いた。次に
レジストパターンの剥離を行い、所望パターンの透明電
極を形成した。
【０００９】透明電極のみでは抵抗値が高く、電極とし
て使えないため、抵抗値を低くするために透明電極上に
導体材料を用いて金属電極を形成する。導体材料として
はＡｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌのいずれかの金属粉体を含む
導体ペースト若しくは該導体ペーストをシート状にした
ものが使用できる。本実施例では、導体材料としてＡｇ
を主とする導体ペースト２１（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）
を用い、図２（ｂ）に示すようにスクリーン印刷により
金属電極の形状にパターン塗布した。図中２２はスクリ
ーン版、２３はスキージである。続いて、１７０℃で乾
燥させてから５８０℃で焼成して、図２（ｃ）に示すよ
うにバス電極５である金属電極を形成した。
て使えないため、抵抗値を低くするために透明電極上に
導体材料を用いて金属電極を形成する。導体材料として
はＡｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌのいずれかの金属粉体を含む
導体ペースト若しくは該導体ペーストをシート状にした
ものが使用できる。本実施例では、導体材料としてＡｇ
を主とする導体ペースト２１（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）
を用い、図２（ｂ）に示すようにスクリーン印刷により
金属電極の形状にパターン塗布した。図中２２はスクリ
ーン版、２３はスキージである。続いて、１７０℃で乾
燥させてから５８０℃で焼成して、図２（ｃ）に示すよ
うにバス電極５である金属電極を形成した。
【００１０】このようにして透明電極の上に金属電極を
形成した後、スクリーン印刷等により誘電体ペースト
（日本電気硝子製「ＰＬＳ−３２３２」）を１０〜３０
μｍの厚さで積層し、焼成を行って図２（ｄ）に示すよ
うに誘電体層７を形成した。サンドブラスト処理により
スリガラス状にマット化したガラス面も、誘電体層７を
形成することでその凹凸が埋まり、サンドブラスト処理
しただけのガラス基板に比べて透過率は１０％以上あが
った。
形成した後、スクリーン印刷等により誘電体ペースト
（日本電気硝子製「ＰＬＳ−３２３２」）を１０〜３０
μｍの厚さで積層し、焼成を行って図２（ｄ）に示すよ
うに誘電体層７を形成した。サンドブラスト処理により
スリガラス状にマット化したガラス面も、誘電体層７を
形成することでその凹凸が埋まり、サンドブラスト処理
しただけのガラス基板に比べて透過率は１０％以上あが
った。
【００１１】なお、上記実施例では、ＳｎＯ2 膜をサン
ドブラスト処理することで透明電極を形成したが、透明
導電性膜としてはＩＴＯを用いてもよい。また、透明電
極の形成は、サンドブラスト以外にエッチングやリフト
オフで行ってもよい。
ドブラスト処理することで透明電極を形成したが、透明
導電性膜としてはＩＴＯを用いてもよい。また、透明電
極の形成は、サンドブラスト以外にエッチングやリフト
オフで行ってもよい。
【００１２】また、上記実施例ではガラス基板上に透明
電極を形成してから金属電極を形成したが、スクリーン
印刷で金属電極を形成してから、サンドブラスト法で透
明電極を形成するようにしてもよい。
電極を形成してから金属電極を形成したが、スクリーン
印刷で金属電極を形成してから、サンドブラスト法で透
明電極を形成するようにしてもよい。
【００１３】（実施例２）まず、図３（ａ）に示すよう
に、前面板となるガラス基板１上に透明導電性膜３１と
金属膜３２を積層する。具体的には、ガラス基板１上に
スプレー法等によりＳｎＯ2 を被着し、次いでＡｇを主
とする導体ペースト（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）をスクリ
ーン印刷等により全面に塗布した後、１７０℃で乾燥さ
せてから５８０℃で焼成した。次に、液状レジスト（東
京応化工業製「ＯＦＰＲ８００」）或いはドライフィル
ムレジスト（東京応化工業製「オーディールα−５３
０」）を用いて金属膜３２上にレジスト層を形成し、こ
のレジスト層のパターン露光及び現像を行って、図３
（ｂ）に示すようにバス電極５と同じパターンでレジス
トパターン３３を形成する。続いて、Ｆｅ（ＮＯ3 ）3
水溶液或いはＨＮＯ3 水溶液（濃度は共に２０〜５０重
量％）を用いてエッチングした後、レジストパターン３
３を剥離して、図３（ｃ）に示すようにバス電極５であ
る金属電極を形成する。
に、前面板となるガラス基板１上に透明導電性膜３１と
金属膜３２を積層する。具体的には、ガラス基板１上に
スプレー法等によりＳｎＯ2 を被着し、次いでＡｇを主
とする導体ペースト（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）をスクリ
ーン印刷等により全面に塗布した後、１７０℃で乾燥さ
せてから５８０℃で焼成した。次に、液状レジスト（東
京応化工業製「ＯＦＰＲ８００」）或いはドライフィル
ムレジスト（東京応化工業製「オーディールα−５３
０」）を用いて金属膜３２上にレジスト層を形成し、こ
のレジスト層のパターン露光及び現像を行って、図３
（ｂ）に示すようにバス電極５と同じパターンでレジス
トパターン３３を形成する。続いて、Ｆｅ（ＮＯ3 ）3
水溶液或いはＨＮＯ3 水溶液（濃度は共に２０〜５０重
量％）を用いてエッチングした後、レジストパターン３
３を剥離して、図３（ｃ）に示すようにバス電極５であ
る金属電極を形成する。
【００１４】次いで、ドライフィルムレジスト（東京応
化工業製「オーディールＢＦ−２０５」）を用いて再び
レジスト層の形成を行い、パターン露光及び現像を行っ
て図３（ｄ）に示すように透明電極と同じレジストパタ
ーン３４を形成した。この後、サンドブラスト処理を行
って透明導電性膜３１の不要部分を除去する。サンドブ
ラスト処理を行う際、研磨材にはアルミナを用いた。金
属電極はレジストによって覆われているためサンドブラ
ストで研削されることはない。そして、レジストパター
ン３４の剥離を行い、図３（ｅ）に示すように維持電極
４である透明電極を形成した。
化工業製「オーディールＢＦ−２０５」）を用いて再び
レジスト層の形成を行い、パターン露光及び現像を行っ
て図３（ｄ）に示すように透明電極と同じレジストパタ
ーン３４を形成した。この後、サンドブラスト処理を行
って透明導電性膜３１の不要部分を除去する。サンドブ
ラスト処理を行う際、研磨材にはアルミナを用いた。金
属電極はレジストによって覆われているためサンドブラ
ストで研削されることはない。そして、レジストパター
ン３４の剥離を行い、図３（ｅ）に示すように維持電極
４である透明電極を形成した。
【００１５】このようにして複合電極６を形成した後、
スクリーン印刷等により誘電体ペースト（日本電気硝子
製「ＰＬＳ−３２３２」）を１０〜３０μｍの厚さで積
層し、焼成を行って図３（ｆ）に示すように誘電体層７
を形成した。サンドブラスト処理によりスリガラス状に
マット化したガラス面も、誘電体層７を形成することで
その凹凸が埋まり、サンドブラスト処理しただけのガラ
ス基板に比べて透過率は１０％以上あがった。
スクリーン印刷等により誘電体ペースト（日本電気硝子
製「ＰＬＳ−３２３２」）を１０〜３０μｍの厚さで積
層し、焼成を行って図３（ｆ）に示すように誘電体層７
を形成した。サンドブラスト処理によりスリガラス状に
マット化したガラス面も、誘電体層７を形成することで
その凹凸が埋まり、サンドブラスト処理しただけのガラ
ス基板に比べて透過率は１０％以上あがった。
【００１６】（実施例３）まず、図４（ａ）に示すよう
に、前面板となるガラス基板１上に維持電極４である透
明電極を形成する。形成方法は実施例１の場合と同様で
ある。透明電極のみでは抵抗値が高く、電極として使え
ないため、抵抗値を低くするために透明電極上に金属電
極を形成する。本実施例では次のようにして形成した。
に、前面板となるガラス基板１上に維持電極４である透
明電極を形成する。形成方法は実施例１の場合と同様で
ある。透明電極のみでは抵抗値が高く、電極として使え
ないため、抵抗値を低くするために透明電極上に金属電
極を形成する。本実施例では次のようにして形成した。
【００１７】液状レジスト（東京応化工業製「ＯＦＰＲ
８００」）或いはドライフィルムレジスト（東京応化工
業製「オーディールα−５３０」）を用いて透明電極上
にレジスト層を形成し、このレジスト層のパターン露光
及び現像を行って、図４（ｂ）に示す如くバス電極に相
当する凹部４１ａを備えたレジストパターン４１を形成
する。次いで、図４（ｃ）に示すようにＡｇを主とする
導体ペースト４２（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）を凹部４１
ａ内に充填し、１５０℃で該ペースト４２の乾燥を行
う。続いて、レジストパターン４１を剥離した後、導体
ペースト４２を焼成して図４（ｄ）に示すようにバス電
極５である金属電極を形成した。
８００」）或いはドライフィルムレジスト（東京応化工
業製「オーディールα−５３０」）を用いて透明電極上
にレジスト層を形成し、このレジスト層のパターン露光
及び現像を行って、図４（ｂ）に示す如くバス電極に相
当する凹部４１ａを備えたレジストパターン４１を形成
する。次いで、図４（ｃ）に示すようにＡｇを主とする
導体ペースト４２（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）を凹部４１
ａ内に充填し、１５０℃で該ペースト４２の乾燥を行
う。続いて、レジストパターン４１を剥離した後、導体
ペースト４２を焼成して図４（ｄ）に示すようにバス電
極５である金属電極を形成した。
【００１８】このようにして透明電極の上に金属電極を
形成した後、スクリーン印刷等により誘電体ペースト
（日本電気硝子製「ＰＬＳ−３２３２」）を１０〜３０
μｍの厚さで積層し、焼成を行って図４（ｅ）に示すよ
うに誘電体層７を形成した。サンドブラスト処理により
スリガラス状にマット化したガラス面も、誘電体層７を
形成することでその凹凸が埋まり、サンドブラスト処理
しただけのガラス基板に比べて透過率は１０％以上あが
った。
形成した後、スクリーン印刷等により誘電体ペースト
（日本電気硝子製「ＰＬＳ−３２３２」）を１０〜３０
μｍの厚さで積層し、焼成を行って図４（ｅ）に示すよ
うに誘電体層７を形成した。サンドブラスト処理により
スリガラス状にマット化したガラス面も、誘電体層７を
形成することでその凹凸が埋まり、サンドブラスト処理
しただけのガラス基板に比べて透過率は１０％以上あが
った。
【００１９】（実施例４）まず、図５（ａ）に示すよう
に、前面板となるガラス基板１上にスプレー法等により
ＳｎＯ2 を被着して透明導電性膜５１を形成した後、液
状レジスト（東京応化工業製「ＯＦＰＲ８００」）或い
はドライフィルムレジスト（東京応化工業製「オーディ
ールα−５３０」）を用いて透明導電性膜５１上にレジ
スト層を形成し、このレジスト層のパターン露光及び現
像を行って、同図に示す如くバス電極５に相当する凹部
５２ａを備えたレジストパターン５２を形成する。次
に、図５（ｂ）に示すようにＡｇを主体とする導体ペー
スト５３（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）を凹部５２ａ内に充
填し、１５０℃で該導体ペースト５３の乾燥を行う。続
いて、レジストパターン５２を剥離した後、導体ペース
ト５３を焼成して図５（ｃ）に示すようにバス電極５で
ある金属電極を形成した。
に、前面板となるガラス基板１上にスプレー法等により
ＳｎＯ2 を被着して透明導電性膜５１を形成した後、液
状レジスト（東京応化工業製「ＯＦＰＲ８００」）或い
はドライフィルムレジスト（東京応化工業製「オーディ
ールα−５３０」）を用いて透明導電性膜５１上にレジ
スト層を形成し、このレジスト層のパターン露光及び現
像を行って、同図に示す如くバス電極５に相当する凹部
５２ａを備えたレジストパターン５２を形成する。次
に、図５（ｂ）に示すようにＡｇを主体とする導体ペー
スト５３（ＥＳＬ製「Ｄ５９０」）を凹部５２ａ内に充
填し、１５０℃で該導体ペースト５３の乾燥を行う。続
いて、レジストパターン５２を剥離した後、導体ペース
ト５３を焼成して図５（ｃ）に示すようにバス電極５で
ある金属電極を形成した。
【００２０】次いで、透明導電性膜５１のパターニング
を行って図５（ｄ）に示すように維持電極４である透明
電極を形成する。形成方法は実施例２の場合と同様であ
る。このようにして複合電極６を形成した後、スクリー
ン印刷等により誘電体ペースト（日本電気硝子製「ＰＬ
Ｓ−３２３２」）を１０〜３０μｍの厚さで積層し、焼
成を行って図５（ｅ）に示すように誘電体層７を形成し
た。サンドブラスト処理によりスリガラス状にマット化
したガラス面も、誘電体層７を形成することでその凹凸
が埋まり、サンドブラスト処理しただけのガラス基板に
比べて透過率は１０％以上あがった。
を行って図５（ｄ）に示すように維持電極４である透明
電極を形成する。形成方法は実施例２の場合と同様であ
る。このようにして複合電極６を形成した後、スクリー
ン印刷等により誘電体ペースト（日本電気硝子製「ＰＬ
Ｓ−３２３２」）を１０〜３０μｍの厚さで積層し、焼
成を行って図５（ｅ）に示すように誘電体層７を形成し
た。サンドブラスト処理によりスリガラス状にマット化
したガラス面も、誘電体層７を形成することでその凹凸
が埋まり、サンドブラスト処理しただけのガラス基板に
比べて透過率は１０％以上あがった。
【００２１】（実施例５）まず、図６（ａ）に示すよう
に、前面板となるガラス基板１上に所定の形状を有する
透明導電性膜で第１層を形成する。すなわち、維持電極
４である透明電極を形成する。透明導電性膜の材料とし
てはＩＴＯやＳｎＯ2 等が考えられる。ＩＴＯを使用す
る場合、スパッタ法或いは真空蒸着法により膜形成を行
った後、常法に従いエッチング加工すればよい。また、
ＳｎＯ2 を使用した場合、まずガラス基板１上に維持電
極４の逆パターンでマスク層を形成した後、ＣＶＤ法或
いはスプレー法により膜形成を行い、続いてマスク層を
剥離することによりパターニングすればよい。或いは、
スプレー法等によりＳｎＯ2 を被着して膜形成を行った
後、維持電極４のパターンでマスク層を形成し、サンド
ブラスト処理等によりパターニングしてからマスク層を
剥離してもよい。透明導電性膜の膜厚は０．０５〜０．
４μｍ程度である。
に、前面板となるガラス基板１上に所定の形状を有する
透明導電性膜で第１層を形成する。すなわち、維持電極
４である透明電極を形成する。透明導電性膜の材料とし
てはＩＴＯやＳｎＯ2 等が考えられる。ＩＴＯを使用す
る場合、スパッタ法或いは真空蒸着法により膜形成を行
った後、常法に従いエッチング加工すればよい。また、
ＳｎＯ2 を使用した場合、まずガラス基板１上に維持電
極４の逆パターンでマスク層を形成した後、ＣＶＤ法或
いはスプレー法により膜形成を行い、続いてマスク層を
剥離することによりパターニングすればよい。或いは、
スプレー法等によりＳｎＯ2 を被着して膜形成を行った
後、維持電極４のパターンでマスク層を形成し、サンド
ブラスト処理等によりパターニングしてからマスク層を
剥離してもよい。透明導電性膜の膜厚は０．０５〜０．
４μｍ程度である。
【００２２】具体的には、ソーダライムガラス基板上に
透明導電性膜として膜厚０．１５μｍのＩＴＯをスパッ
タ法により膜形成し、次いでそのＩＴＯ膜上にフォトレ
ジスト（東京応化工業製「ＯＦＰＲ８００」）でマスク
層を形成した後、水、塩酸、硝酸を１：１：０．０８の
割合で混合した水溶液中でＩＴＯ膜をエッチング加工
し、フォトレジストを剥離してから基板水洗を行って乾
燥させることで、線幅１８８μｍの維持電極４を形成し
た。
透明導電性膜として膜厚０．１５μｍのＩＴＯをスパッ
タ法により膜形成し、次いでそのＩＴＯ膜上にフォトレ
ジスト（東京応化工業製「ＯＦＰＲ８００」）でマスク
層を形成した後、水、塩酸、硝酸を１：１：０．０８の
割合で混合した水溶液中でＩＴＯ膜をエッチング加工
し、フォトレジストを剥離してから基板水洗を行って乾
燥させることで、線幅１８８μｍの維持電極４を形成し
た。
【００２３】続いて、感光性を有する導体材料を使用し
てバス電極５となる第２層を形成する。その手順は、ま
ず図６（ｂ）に示すように、維持電極４を形成した基板
上に感光性導体材料６１の膜を形成する。この段階で
は、感光性導体材料６１は所望の最終形状、すなわちバ
ス電極５のパターンよりも大きなパターンで形成され、
後工程によりトリミングされる。感光性導体材料６１と
しては、紫外線等の光照射に対して感光性を有する感光
性材料と金属粉体とを含むペーストが使用でき、例えば
特開昭５０−４１９８５号公報記載の光重合性ペースト
を使用すればよい。公知の光重合性ペーストに含まれる
金属粉体としてはＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等が挙げられ
るが、コストや耐熱性を考慮するとＡｇが最も望まし
い。感光性導体材料６１がペーストである場合、スクリ
ーン印刷等の方法で基板上に塗布した後、乾燥を行って
感光性導体材料６１の膜を形成する。
てバス電極５となる第２層を形成する。その手順は、ま
ず図６（ｂ）に示すように、維持電極４を形成した基板
上に感光性導体材料６１の膜を形成する。この段階で
は、感光性導体材料６１は所望の最終形状、すなわちバ
ス電極５のパターンよりも大きなパターンで形成され、
後工程によりトリミングされる。感光性導体材料６１と
しては、紫外線等の光照射に対して感光性を有する感光
性材料と金属粉体とを含むペーストが使用でき、例えば
特開昭５０−４１９８５号公報記載の光重合性ペースト
を使用すればよい。公知の光重合性ペーストに含まれる
金属粉体としてはＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等が挙げられ
るが、コストや耐熱性を考慮するとＡｇが最も望まし
い。感光性導体材料６１がペーストである場合、スクリ
ーン印刷等の方法で基板上に塗布した後、乾燥を行って
感光性導体材料６１の膜を形成する。
【００２４】本実施例では、感光性導体材料として、
ａ）Ａｇ粉末、ｂ）側鎖にカルボキシル基とエチレン性
不飽和基を有するアクリル系共重合体、ｃ）光反応性化
合物、ｄ）光重合開始剤からなるネガ型の感光性ペース
トを使用した。そして、維持電極を形成済みのガラス基
板上にこのペーストをスクリーン印刷法により全面塗布
した後、１００℃のオーブン中で３０分間乾燥を行い、
膜厚１０μｍの感光性導体材料の膜を形成した。
ａ）Ａｇ粉末、ｂ）側鎖にカルボキシル基とエチレン性
不飽和基を有するアクリル系共重合体、ｃ）光反応性化
合物、ｄ）光重合開始剤からなるネガ型の感光性ペース
トを使用した。そして、維持電極を形成済みのガラス基
板上にこのペーストをスクリーン印刷法により全面塗布
した後、１００℃のオーブン中で３０分間乾燥を行い、
膜厚１０μｍの感光性導体材料の膜を形成した。
【００２５】次に、図６（ｃ）に示すように、フォトマ
スク６２を介して感光性導体材料６１を露光する。感光
性導体材料６１がネガ型、すなわち光硬化性である場合
は図６（ｃ）に示すようにバス電極５の形状で露光すれ
ばよい。感光性導体材料６１がポジ型の場合は、バス電
極５の逆パターンで露光すればよい。一般的にバス電極
５の線幅は維持電極４の線幅の１／２以下である。続い
て、図６（ｄ）に示すように、感光性導体材料６１の膜
の不要な部分を除去して複合電極６を完成させる。感光
性導体材料６１がネガ型の場合は未露光部を、ポジ型の
場合は露光部を除去する。感光性導体材料６１として上
記の光重合性ペーストを使用した場合、適当な溶媒を用
いて不要部分を溶解除去した後、少なくとも４００℃以
上の焼成工程によってペースト中の有機成分を焼失さ
せ、金属粉体を焼結させる。
スク６２を介して感光性導体材料６１を露光する。感光
性導体材料６１がネガ型、すなわち光硬化性である場合
は図６（ｃ）に示すようにバス電極５の形状で露光すれ
ばよい。感光性導体材料６１がポジ型の場合は、バス電
極５の逆パターンで露光すればよい。一般的にバス電極
５の線幅は維持電極４の線幅の１／２以下である。続い
て、図６（ｄ）に示すように、感光性導体材料６１の膜
の不要な部分を除去して複合電極６を完成させる。感光
性導体材料６１がネガ型の場合は未露光部を、ポジ型の
場合は露光部を除去する。感光性導体材料６１として上
記の光重合性ペーストを使用した場合、適当な溶媒を用
いて不要部分を溶解除去した後、少なくとも４００℃以
上の焼成工程によってペースト中の有機成分を焼失さ
せ、金属粉体を焼結させる。
【００２６】具体的には、感光性導体材料の膜を線幅６
４μｍのバス電極のパターンにＵＶ露光した後、濃度
０．２ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液をスプレーするこ
とにより未露光部を溶解除去し、基板水洗及び乾燥を行
って、感光性導体材料をバス電極の形状にパターニング
した。さらに、５８０℃で１０分間焼成することによ
り、感光性導体材料の有機成分を焼失させ、且つＡｇ粉
末を焼結させ、最終膜厚５μｍ、シート抵抗６．０ｍΩ
のバス電極を形成した。バス電極５に要求されるシート
抵抗値はパネルの精細度やバス電極幅にもよるが、４０
インチ級のＰＤＰで２０ｍΩ以下である。本実施例で形
成したバス電極５はこの要求を十分満たしている。
４μｍのバス電極のパターンにＵＶ露光した後、濃度
０．２ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液をスプレーするこ
とにより未露光部を溶解除去し、基板水洗及び乾燥を行
って、感光性導体材料をバス電極の形状にパターニング
した。さらに、５８０℃で１０分間焼成することによ
り、感光性導体材料の有機成分を焼失させ、且つＡｇ粉
末を焼結させ、最終膜厚５μｍ、シート抵抗６．０ｍΩ
のバス電極を形成した。バス電極５に要求されるシート
抵抗値はパネルの精細度やバス電極幅にもよるが、４０
インチ級のＰＤＰで２０ｍΩ以下である。本実施例で形
成したバス電極５はこの要求を十分満たしている。
【００２７】このように前面板となるガラス基板１上に
複合電極６を形成した後、スクリーン印刷等により誘電
体ペーストを１０〜３０μｍの厚さで積層し、焼成を行
って図６（ｅ）に示すように誘電体層７を形成する。そ
の後、従来と同様の工程でその他の構成部分を形成して
ＰＤＰを作製する。このように維持電極４及びバス電極
５ともにフォトリソ法で加工されるため、加工精度及び
アライメント精度はスクリーン印刷法よりも優れる。ま
た、バス電極５の形成に際しスパッタ法や真空蒸着法と
言った真空成膜法を使用せず、さらにエッチング工程を
必要としないため、生産性及び生産コストの面で薄膜法
よりも優れる。
複合電極６を形成した後、スクリーン印刷等により誘電
体ペーストを１０〜３０μｍの厚さで積層し、焼成を行
って図６（ｅ）に示すように誘電体層７を形成する。そ
の後、従来と同様の工程でその他の構成部分を形成して
ＰＤＰを作製する。このように維持電極４及びバス電極
５ともにフォトリソ法で加工されるため、加工精度及び
アライメント精度はスクリーン印刷法よりも優れる。ま
た、バス電極５の形成に際しスパッタ法や真空蒸着法と
言った真空成膜法を使用せず、さらにエッチング工程を
必要としないため、生産性及び生産コストの面で薄膜法
よりも優れる。
【００２８】具体的には、複合電極６を形成した基板上
に常法により誘電体層及び保護層を形成して前面板を完
成させた。さらに、常法により形成した背面板と合わせ
てガスを封入することでパネルを完成させた。そして実
際にパネル点灯試験を行ったところ、バス電極がＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒで構成される従来のパネルと比較して、同様
の駆動電圧及びパネル輝度が得られた。
に常法により誘電体層及び保護層を形成して前面板を完
成させた。さらに、常法により形成した背面板と合わせ
てガスを封入することでパネルを完成させた。そして実
際にパネル点灯試験を行ったところ、バス電極がＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒで構成される従来のパネルと比較して、同様
の駆動電圧及びパネル輝度が得られた。
【００２９】（実施例６）上記実施例５では感光性導体
材料６１としてＡｇ粉末を含む感光性ペーストを使用し
たが、焼成後のバス電極５を観察すると、銀特有の銀白
色を呈していた。これゆえ、完成したパネルで画像表示
を行うと、肉眼では全体に画像が若干浮きだして見え
る。すなわち、図１に示したＡＣ型ＰＤＰにおいては、
前述したようにバス電極５がブラックマトリックスとし
ての役割も兼ねているが、銀白色の色調ではブラックマ
トリックスとして十分機能しない。そこでこの場合、感
光性導体材料６１に黒色顔料を含有させ、バス電極５の
色調を濃くするとよい。黒色顔料としてはカーボンブラ
ック、チタンブラックの他、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｆｅ等の遷移金属の酸化物、複合酸化物、窒化物、炭化
物或いはこれらの混合物が考えられるが、導電性とコス
トの面からカーボンブラックが最も適する。
材料６１としてＡｇ粉末を含む感光性ペーストを使用し
たが、焼成後のバス電極５を観察すると、銀特有の銀白
色を呈していた。これゆえ、完成したパネルで画像表示
を行うと、肉眼では全体に画像が若干浮きだして見え
る。すなわち、図１に示したＡＣ型ＰＤＰにおいては、
前述したようにバス電極５がブラックマトリックスとし
ての役割も兼ねているが、銀白色の色調ではブラックマ
トリックスとして十分機能しない。そこでこの場合、感
光性導体材料６１に黒色顔料を含有させ、バス電極５の
色調を濃くするとよい。黒色顔料としてはカーボンブラ
ック、チタンブラックの他、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｆｅ等の遷移金属の酸化物、複合酸化物、窒化物、炭化
物或いはこれらの混合物が考えられるが、導電性とコス
トの面からカーボンブラックが最も適する。
【００３０】本実施例では、３本ロールミルを使用して
実施例５の感光性ペーストにカーボンブラック（三菱化
学製「ダイヤカーボン」）を含有させ、黒色顔料入りの
感光性ペーストを作製し、このペーストを使用して上記
の実施例５と同様の方法で複合電極６を形成した。これ
によりバス電極５の色調が銀白色から暗灰色に変化し
た。本実施例の電極を設けたパネルの点灯試験を行った
ところ、実施例５のパネルと比較して画像コントラスト
が向上した。
実施例５の感光性ペーストにカーボンブラック（三菱化
学製「ダイヤカーボン」）を含有させ、黒色顔料入りの
感光性ペーストを作製し、このペーストを使用して上記
の実施例５と同様の方法で複合電極６を形成した。これ
によりバス電極５の色調が銀白色から暗灰色に変化し
た。本実施例の電極を設けたパネルの点灯試験を行った
ところ、実施例５のパネルと比較して画像コントラスト
が向上した。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＰＤＰ用
電極は、透明導電性膜からなる第１層と導体材料からな
る第２層で構成し、前記導体材料として導体ペースト若
しくは導体ペーストをシート状にしたものを使用したこ
とにより、その形成方法として、導体ペーストのスク
リーン印刷、導体材料のエッチング、導体ペースト
の充填、感光性導体材料を使用したフォトリソ法など
の手段を採ることができるので、スパッタや蒸着などの
薄膜形成技術を利用して金属膜の形成を行う従来方法の
ように真空装置を使用する必要がなくなることから、基
板処理に要する時間の短縮を図って製造能率を高めるこ
とができる。また、従来のように真空装置に収容する際
のような基板サイズの制約がなくなるので、パネルの大
型化にも容易に対応することができる。
電極は、透明導電性膜からなる第１層と導体材料からな
る第２層で構成し、前記導体材料として導体ペースト若
しくは導体ペーストをシート状にしたものを使用したこ
とにより、その形成方法として、導体ペーストのスク
リーン印刷、導体材料のエッチング、導体ペースト
の充填、感光性導体材料を使用したフォトリソ法など
の手段を採ることができるので、スパッタや蒸着などの
薄膜形成技術を利用して金属膜の形成を行う従来方法の
ように真空装置を使用する必要がなくなることから、基
板処理に要する時間の短縮を図って製造能率を高めるこ
とができる。また、従来のように真空装置に収容する際
のような基板サイズの制約がなくなるので、パネルの大
型化にも容易に対応することができる。
【００３２】さらに、導体材料中に黒色顔料を含有させ
ることにより、電極がブラックマトリックスとして機能
するようにしたため、パネルの画像コントラストを向上
することができる。
ることにより、電極がブラックマトリックスとして機能
するようにしたため、パネルの画像コントラストを向上
することができる。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】前面板に複合電極を形成する第１実施例を示す
工程図である。
工程図である。
【図３】前面板に複合電極を形成する第２実施例を示す
工程図である。
工程図である。
【図４】前面板に複合電極を形成する第３実施例を示す
工程図である。
工程図である。
【図５】前面板に複合電極を形成する第４実施例を示す
工程図である。
工程図である。
【図６】前面板に複合電極を形成する第５実施例を示す
工程図である。
工程図である。
１ 前面板 ２ 背面板 ３ セル障壁 ４ 維持電極 ５ バス電極 ６ 複合電極 ７ 誘電体層 ８ ＭｇＯ層 ９ アドレス電極 １０ 蛍光体 ２１ 導体ペースト ３１ 透明導電性膜 ３２ 金属膜 ３３ レジストパターン ４１ レジストパターン ４１ａ 凹部 ４２ 導体ペースト ５１ 透明導電性膜 ５２ レジストパターン ５２ａ 凹部 ５３ 導体ペースト ６１ 感光性導体材料
Claims (10)
- 【請求項１】 プラズマディスプレイパネルの前面板或
いは背面板上に設けられる電極であって、透明導電性膜
からなる第１層と導体材料からなる第２層で構成され、
前記導体材料が導体ペースト若しくは導体ペーストをシ
ート状にしたものであることを特徴とするプラズマディ
スプレイパネル用電極。 - 【請求項２】 前記導体材料がＡｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ
のいずれかの金属粉体を含む導体ペースト若しくは該導
体ペーストをシート状にしたものである請求項１に記載
のプラズマディスプレイパネル用電極。 - 【請求項３】 前記導体材料中に黒色顔料を含有させて
なる請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネ
ル用電極。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の電極に
おける第２層を、前記導体ペーストを用いたスクリーン
印刷により形成することを特徴とする電極の形成方法。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の電極に
おける第２層を、前記導体材料のエッチングにより形成
することを特徴とする電極の形成方法。 - 【請求項６】 請求項１〜３のいずれかに記載の電極に
おける第２層を、前記導体ペーストの充填により形成す
ることを特徴とする電極の形成方法。 - 【請求項７】 前記導体材料が感光性導体材料である請
求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用電極。 - 【請求項８】 前記感光性導体材料が感光性材料と金属
粉体とを含むペーストである請求項７に記載のプラズマ
ディスプレイパネル用電極。 - 【請求項９】 前記感光性導体材料中に黒色顔料を含有
させてなる請求項７又は８に記載のプラズマディスプレ
イパネル用電極。 - 【請求項１０】 請求項７〜９のいずれかに記載の電極
における第２層を、前記感光性導体材料を使用したフォ
トリソ法により形成することを特徴とする電極の形成方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011468A JPH0955167A (ja) | 1995-06-05 | 1996-01-26 | プラズマディスプレイパネル用電極及びその形成方法 |
| US08/787,744 US6156433A (en) | 1996-01-26 | 1997-01-24 | Electrode for plasma display panel and process for producing the same |
| US09/675,056 US6333140B1 (en) | 1996-01-26 | 2000-09-29 | Electrode for plasma display panel and process for producing the same |
| US09/985,107 US7011931B2 (en) | 1996-01-26 | 2001-11-01 | Electrode for plasma display panel and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-137566 | 1995-06-05 | ||
| JP13756695 | 1995-06-05 | ||
| JP8011468A JPH0955167A (ja) | 1995-06-05 | 1996-01-26 | プラズマディスプレイパネル用電極及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955167A true JPH0955167A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=26346895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8011468A Pending JPH0955167A (ja) | 1995-06-05 | 1996-01-26 | プラズマディスプレイパネル用電極及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955167A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800166B2 (en) * | 1997-10-03 | 2004-10-05 | Dal Nippon Printing Co., Ltd. | Transfer sheet |
| JP2006032314A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Irico Color Picture Tube Plant | ガス放電画面の製造方法 |
| KR100719016B1 (ko) * | 2003-08-15 | 2007-05-16 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 광투과 전자기 차폐부 제조용 감광성 후막 페이스트 재료,이를 사용하여 제조된 광투과 전자기 차폐부 및 그의 제조방법 |
| JP2008123736A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | プラズマディスプレイパネル |
| US7578718B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-08-25 | Cheil Industries, Inc. | Method of making a display device having a light-blocking layer and display device having the same |
| US7696692B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-04-13 | Cheil Industries, Inc. | Plasma display panel having an electrode structure including blackened dielectric layer and method of fabricating same |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP8011468A patent/JPH0955167A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800166B2 (en) * | 1997-10-03 | 2004-10-05 | Dal Nippon Printing Co., Ltd. | Transfer sheet |
| US7510617B2 (en) | 1997-10-03 | 2009-03-31 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transfer sheet |
| KR100719016B1 (ko) * | 2003-08-15 | 2007-05-16 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 광투과 전자기 차폐부 제조용 감광성 후막 페이스트 재료,이를 사용하여 제조된 광투과 전자기 차폐부 및 그의 제조방법 |
| JP2006032314A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Irico Color Picture Tube Plant | ガス放電画面の製造方法 |
| US7696692B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-04-13 | Cheil Industries, Inc. | Plasma display panel having an electrode structure including blackened dielectric layer and method of fabricating same |
| US7578718B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-08-25 | Cheil Industries, Inc. | Method of making a display device having a light-blocking layer and display device having the same |
| US7892456B2 (en) | 2005-08-26 | 2011-02-22 | Cheil Industries, Inc. | Composition for use in making a light-blocking layer |
| JP2008123736A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | プラズマディスプレイパネル |
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