JPH0955365A - 半導体基板の表面清浄方法 - Google Patents
半導体基板の表面清浄方法Info
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- JPH0955365A JPH0955365A JP22579595A JP22579595A JPH0955365A JP H0955365 A JPH0955365 A JP H0955365A JP 22579595 A JP22579595 A JP 22579595A JP 22579595 A JP22579595 A JP 22579595A JP H0955365 A JPH0955365 A JP H0955365A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 41
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 31
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 53
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 50
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 210000004180 plasmocyte Anatomy 0.000 description 2
- 229910017706 MgZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の結晶に損傷を与えることなく、該基板
上に生成している酸化膜などの不純物を、該基板への再
成長室内にて、除去する方法を提供する。 【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族系半導体基板またはＩＩ−
ＶＩ族系半導体基板上にＭＢＥ法で成長したＩＩ−ＶＩ
族系半導体エピタキシャル膜を基板とし、該エピタキシ
ャル膜上にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を再成長さ
せる際に、同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマ
ビームを同基板に照射して、同基板表面をクリーニング
する。ＺｎＳｅバルク結晶を基板とし、該バルク結晶上
にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を成長させる際に、
同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマビームを同
基板に照射して、同基板表面をクリーニングする。
上に生成している酸化膜などの不純物を、該基板への再
成長室内にて、除去する方法を提供する。 【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族系半導体基板またはＩＩ−
ＶＩ族系半導体基板上にＭＢＥ法で成長したＩＩ−ＶＩ
族系半導体エピタキシャル膜を基板とし、該エピタキシ
ャル膜上にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を再成長さ
せる際に、同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマ
ビームを同基板に照射して、同基板表面をクリーニング
する。ＺｎＳｅバルク結晶を基板とし、該バルク結晶上
にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を成長させる際に、
同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマビームを同
基板に照射して、同基板表面をクリーニングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法を用いてＩＩ−ＶＩ族系半導体をＩＩ−
ＶＩあるいはＩＩＩ−Ｖ族系半導体結晶基板表面に成長
させる際に、該ＭＢＥ成長室内で行う該基板表面の清浄
方法に関する。
ー（ＭＢＥ）法を用いてＩＩ−ＶＩ族系半導体をＩＩ−
ＶＩあるいはＩＩＩ−Ｖ族系半導体結晶基板表面に成長
させる際に、該ＭＢＥ成長室内で行う該基板表面の清浄
方法に関する。
【０００２】
【技術背景】現在、ＭＢＥ法で作製したＩＩ−ＶＩ族系
半導体レーザの研究が盛んに行われており、室温にて連
続動作させた際の寿命が約１時間程度のものが報告され
ている（Ａ．Ｉｓｈｉｂａｓｈｉ ａｎｄ Ｓ．Ｉｔｏ
ｈ，ＩＥＥＥ ＬＥＯＳ １９９４，ＰＤ１．１，Ｂｏ
ｓｔｏｎ，ＵＳＡ（１９９４））。
半導体レーザの研究が盛んに行われており、室温にて連
続動作させた際の寿命が約１時間程度のものが報告され
ている（Ａ．Ｉｓｈｉｂａｓｈｉ ａｎｄ Ｓ．Ｉｔｏ
ｈ，ＩＥＥＥ ＬＥＯＳ １９９４，ＰＤ１．１，Ｂｏ
ｓｔｏｎ，ＵＳＡ（１９９４））。
【０００３】また、埋め込み再成長型（基板上に単層ま
たは多層で形成した結晶の表面の一部をエッチングし、
該エッチング部に結晶を再成長させるタイプのもの）の
半導体レーザは、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体を用いる分野に
おいて、非常に一般的に用いられている（伊藤良一編
著，半導体レーザ）。しかし、ＩＩ−ＶＩ族系半導体に
おいては、そのような再成長技術は確立されておらず、
特に、ＭＢＥ法を用いた結晶成長技術においては、以下
に述べるような理由により、困難であると言われてい
る。
たは多層で形成した結晶の表面の一部をエッチングし、
該エッチング部に結晶を再成長させるタイプのもの）の
半導体レーザは、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体を用いる分野に
おいて、非常に一般的に用いられている（伊藤良一編
著，半導体レーザ）。しかし、ＩＩ−ＶＩ族系半導体に
おいては、そのような再成長技術は確立されておらず、
特に、ＭＢＥ法を用いた結晶成長技術においては、以下
に述べるような理由により、困難であると言われてい
る。
【０００４】すなわち、一般に、ＩＩ−ＶＩあるいはＩ
ＩＩ−Ｖ族系半導体をＭＢＥ法を用いて成長する際に用
いられる基板は、ＭＢＥ成長室外で有機化合物あるいは
無機化合物により処理して表面損傷層を取り除き、これ
をＭＢＥ成長室内に導入し、さらに該成長室内におい
て、該基板表面に形成されている酸化膜を取り除く操作
を行った後に、ＭＢＥ結晶成長に付している。
ＩＩ−Ｖ族系半導体をＭＢＥ法を用いて成長する際に用
いられる基板は、ＭＢＥ成長室外で有機化合物あるいは
無機化合物により処理して表面損傷層を取り除き、これ
をＭＢＥ成長室内に導入し、さらに該成長室内におい
て、該基板表面に形成されている酸化膜を取り除く操作
を行った後に、ＭＢＥ結晶成長に付している。
【０００５】この酸化膜は、通常、基板の温度を上昇
（例えば、ＧａＡｓ基板では５８０〜６００℃程度まで
温度上昇）させ、該膜を構成している酸化物を昇華させ
ることにより、除去している。
（例えば、ＧａＡｓ基板では５８０〜６００℃程度まで
温度上昇）させ、該膜を構成している酸化物を昇華させ
ることにより、除去している。
【０００６】しかし、ＭＢＥ法で成長したＩＩ−ＶＩ族
系半導体は、この成長温度以上の温度で熱処理を行うこ
とで、急速に特性が劣化することが報告されている
（Ｙ．Ｉｃｈｉｍｕｒａ，Ｋ．Ｋｉｓｈｉｎｏ，Ｍ．Ｋ
ｕｒａｍｏｔｏ，Ｍ．Ｓａｔａｋｅ，Ａ．Ｙｏｓｈｉｄ
ａ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．２４（１９９５）１７
１）。
系半導体は、この成長温度以上の温度で熱処理を行うこ
とで、急速に特性が劣化することが報告されている
（Ｙ．Ｉｃｈｉｍｕｒａ，Ｋ．Ｋｉｓｈｉｎｏ，Ｍ．Ｋ
ｕｒａｍｏｔｏ，Ｍ．Ｓａｔａｋｅ，Ａ．Ｙｏｓｈｉｄ
ａ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．２４（１９９５）１７
１）。
【０００７】一方、低温で結晶基板の酸化膜を取り除く
方法も知られており、その一つに、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）波、マイクロ波、あるいはＥＣＲ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｃｅ）波などで励起した水素プラズマを照射する方
法がある。この方法は、プラズマにより活性化した水素
を基板に照射するものであり、比較的低温で酸化膜を取
り除くことができる。
方法も知られており、その一つに、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）波、マイクロ波、あるいはＥＣＲ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｃｅ）波などで励起した水素プラズマを照射する方
法がある。この方法は、プラズマにより活性化した水素
を基板に照射するものであり、比較的低温で酸化膜を取
り除くことができる。
【０００８】しかし、水素ガス単体でのプラズマ処理法
は、基板に与える損傷が大きい。また、基板に与える損
傷を抑えるべく、低流量（低圧力）、低パワーの水素プ
ラズマを使用することも考えられる。しかし、このよう
なプラズマを生成する場合、プラズマ放電が非常に不安
定になることが多く起こる。
は、基板に与える損傷が大きい。また、基板に与える損
傷を抑えるべく、低流量（低圧力）、低パワーの水素プ
ラズマを使用することも考えられる。しかし、このよう
なプラズマを生成する場合、プラズマ放電が非常に不安
定になることが多く起こる。
【０００９】
【発明の目的】そこで、本発明では、ＭＢＥ法で成長し
たＩＩ−ＶＩ族系半導体エピタキシャル結晶膜を基板と
し、該基板上にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を再成
長させる際に、該基板に損傷を与えることなく、しかも
低温で、安定に、該基板表面をクリーニングすることの
できる表面清浄方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明では、ＩＩ−ＶＩ族系半導体基板のうちのＺ
ｎＳｅの場合には、上記のエピタキシャル結晶に限ら
ず、バルク法で成長したＺｎＳｅバルク結晶を基板と
し、該基板上にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を再成
長させる際に、該基板に損傷を与えることなく、低温
で、安定に、該基板表面をクリーニングすることのでき
る表面清浄方法をも提供することを他の目的とする。
たＩＩ−ＶＩ族系半導体エピタキシャル結晶膜を基板と
し、該基板上にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を再成
長させる際に、該基板に損傷を与えることなく、しかも
低温で、安定に、該基板表面をクリーニングすることの
できる表面清浄方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明では、ＩＩ−ＶＩ族系半導体基板のうちのＺ
ｎＳｅの場合には、上記のエピタキシャル結晶に限ら
ず、バルク法で成長したＺｎＳｅバルク結晶を基板と
し、該基板上にＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を再成
長させる際に、該基板に損傷を与えることなく、低温
で、安定に、該基板表面をクリーニングすることのでき
る表面清浄方法をも提供することを他の目的とする。
【００１０】
【発明の概要】本発明者は、上記の問題点を解決するた
めに検討を重ねた結果、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマを
用いることで、Ｈ２ガス単体を用いたプラズマよりも、
基板の結晶に対する損傷を抑制しながら、酸化膜などの
不純物を除去することが可能であり、この結果、十分な
特性を有する結晶の再成長を行うことができる基板表面
とすることができるとの知見を得て、本発明を完成する
に至った。
めに検討を重ねた結果、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマを
用いることで、Ｈ２ガス単体を用いたプラズマよりも、
基板の結晶に対する損傷を抑制しながら、酸化膜などの
不純物を除去することが可能であり、この結果、十分な
特性を有する結晶の再成長を行うことができる基板表面
とすることができるとの知見を得て、本発明を完成する
に至った。
【００１１】すなわち、本発明は、〔１〕ＩＩＩ−Ｖ族
系半導体基板あるいはＩＩ−ＶＩ族系半導体基板上に分
子線エピタキシー法で成長したＩＩ−ＶＩ族系半導体エ
ピタキシャル結晶膜を基板として用い、該エピタキシャ
ル結晶膜基板上に分子線エピタキシー法でＩＩ−ＶＩ族
系半導体を再成長させる際に、同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ
２混合ガスプラズマビームを同基板に照射して、同基板
表面をクリーニングすることを特徴とする半導体基板の
表面清浄方法（以下、第１発明と言う）、および〔２〕
ＺｎＳｅバルク結晶を基板として用い、該バルク結晶基
板上に分子線エピタキシー法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を
成長させる際に、同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプ
ラズマビームを同基板に照射して、同基板表面をクリー
ニングすることを特徴とする半導体基板の表面清浄方法
（以下、第２発明と言う）を要旨とする。
系半導体基板あるいはＩＩ−ＶＩ族系半導体基板上に分
子線エピタキシー法で成長したＩＩ−ＶＩ族系半導体エ
ピタキシャル結晶膜を基板として用い、該エピタキシャ
ル結晶膜基板上に分子線エピタキシー法でＩＩ−ＶＩ族
系半導体を再成長させる際に、同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ
２混合ガスプラズマビームを同基板に照射して、同基板
表面をクリーニングすることを特徴とする半導体基板の
表面清浄方法（以下、第１発明と言う）、および〔２〕
ＺｎＳｅバルク結晶を基板として用い、該バルク結晶基
板上に分子線エピタキシー法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を
成長させる際に、同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプ
ラズマビームを同基板に照射して、同基板表面をクリー
ニングすることを特徴とする半導体基板の表面清浄方法
（以下、第２発明と言う）を要旨とする。
【００１２】このとき、（１）Ｈｅ／Ｈ２混合ガスが容
積比で２／１〜２５０／１であること、（２）成長室内
の真空度が５×１０−８〜１×１０−４ｔｏｒｒである
こと、（３）基板温度が、第１発明では１００℃以上で
ＩＩ−ＶＩ族系半導体エピタキシャル結晶膜の成長温度
以下であり、第２発明では１００〜５００℃であるこ
と、が好ましい。
積比で２／１〜２５０／１であること、（２）成長室内
の真空度が５×１０−８〜１×１０−４ｔｏｒｒである
こと、（３）基板温度が、第１発明では１００℃以上で
ＩＩ−ＶＩ族系半導体エピタキシャル結晶膜の成長温度
以下であり、第２発明では１００〜５００℃であるこ
と、が好ましい。
【００１３】ところで、ＧａＡｓ基板上に窒素ドープの
ｐ−ＺｎＳｅ：Ｎを成長する際に用いられているＲＦ波
により励起したラジカル窒素に、ヘリウムガスを混合し
たものを用いた場合に、損傷無く良質なｐ−ＺｎＳｅエ
ピタキシャル膜を成長できることが知られている（長竹
剛，登坂裕之，小林正和，吉川明彦：１９９３年秋期第
５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｐ．２５６，
２９Ｐ−ＺＬ−１４）。しかし、この文献には、ＲＦ
波、マイクロ波、あるいはＥＣＲ波などで励起した水素
プラズマにヘリウムを混合した場合については何ら言及
しておらず、この文献から、これらの水素プラズマとヘ
リウムとを混合した場合に、ＩＩ−ＶＩ族エピタキシャ
ル膜に大きな損傷を与えずに、該膜の表面に形成されて
いる酸化膜等の不純物を除去できることを予測すること
は不可能である。
ｐ−ＺｎＳｅ：Ｎを成長する際に用いられているＲＦ波
により励起したラジカル窒素に、ヘリウムガスを混合し
たものを用いた場合に、損傷無く良質なｐ−ＺｎＳｅエ
ピタキシャル膜を成長できることが知られている（長竹
剛，登坂裕之，小林正和，吉川明彦：１９９３年秋期第
５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｐ．２５６，
２９Ｐ−ＺＬ−１４）。しかし、この文献には、ＲＦ
波、マイクロ波、あるいはＥＣＲ波などで励起した水素
プラズマにヘリウムを混合した場合については何ら言及
しておらず、この文献から、これらの水素プラズマとヘ
リウムとを混合した場合に、ＩＩ−ＶＩ族エピタキシャ
ル膜に大きな損傷を与えずに、該膜の表面に形成されて
いる酸化膜等の不純物を除去できることを予測すること
は不可能である。
【００１４】そこで、本発明者は、Ｈ２／Ｈｅ混合ガス
プラズマはＩＩ−ＶＩ族エピタキシャル膜に大きな損傷
を与えずに、該膜の表面に形成されている酸化膜等の不
純物を除去できるとの仮定の下に、Ｈ２／Ｈｅ混合ガス
プラズマの安定性を確認するために、ＲＦ波によるＨ２
／Ｈｅ混合ガスプラズマの、プラズマ発光スペクトルの
解析を行った。
プラズマはＩＩ−ＶＩ族エピタキシャル膜に大きな損傷
を与えずに、該膜の表面に形成されている酸化膜等の不
純物を除去できるとの仮定の下に、Ｈ２／Ｈｅ混合ガス
プラズマの安定性を確認するために、ＲＦ波によるＨ２
／Ｈｅ混合ガスプラズマの、プラズマ発光スペクトルの
解析を行った。
【００１５】図１は、後述する実施例で得たＨ２／Ｈｅ
混合ガスプラズマの発光スペクトルの典型例を示すもの
である。プラズマ発光スペクトル上に現れるＨ２ガスに
起因する輝線およびＨｅガスに起因する輝線の強度は、
それぞれのプラズマの強度を表すものである。このスペ
クトル中、５７０ｎｍ付近の発光輝線はＨｅに、６５０
ｎｍ付近の輝線はＨ２に、それぞれ起因するものであ
る。
混合ガスプラズマの発光スペクトルの典型例を示すもの
である。プラズマ発光スペクトル上に現れるＨ２ガスに
起因する輝線およびＨｅガスに起因する輝線の強度は、
それぞれのプラズマの強度を表すものである。このスペ
クトル中、５７０ｎｍ付近の発光輝線はＨｅに、６５０
ｎｍ付近の輝線はＨ２に、それぞれ起因するものであ
る。
【００１６】図２は、ＲＦ波パワーおよびＨ２ガス流量
を一定にしたときの、Ｈ２ガスおよびＨｅガスプラズマ
の輝線強度を（Ｈｅガス流量との関係において）示すも
のである。
を一定にしたときの、Ｈ２ガスおよびＨｅガスプラズマ
の輝線強度を（Ｈｅガス流量との関係において）示すも
のである。
【００１７】図１および図２から明らかなように、ＲＦ
波のパワーおよびＨ２ガスの流量を固定した条件下にお
いて、（α）Ｈｅガスを導入することで、プラズマ放電
状態が安定すること、（β）Ｈｅガス流量を増加させる
と、Ｈ２プラズマの輝線強度も増加すること、（γ）Ｈ
ｅプラズマの輝線強度とＨ２プラズマの輝線強度がとも
に最大になるような、Ｈｅ／Ｈ２ガス混合比の最適条件
が存在すること、が分かる。
波のパワーおよびＨ２ガスの流量を固定した条件下にお
いて、（α）Ｈｅガスを導入することで、プラズマ放電
状態が安定すること、（β）Ｈｅガス流量を増加させる
と、Ｈ２プラズマの輝線強度も増加すること、（γ）Ｈ
ｅプラズマの輝線強度とＨ２プラズマの輝線強度がとも
に最大になるような、Ｈｅ／Ｈ２ガス混合比の最適条件
が存在すること、が分かる。
【００１８】以上のプラズマ発光スペクトルの解析結果
と、他の種々の実験結果とから、第１および第２発明の
清浄方法における最適条件は、ＨｅおよびＨ２それぞれ
のガスの流量やＲＦ波のパワーによっても異なるが、一
般には、上記（１）のＨｅ／Ｈ２の混合比、（２）の成
長室内の真空度、（３）の基板温度の各範囲内にあるこ
とが確認され、これらの範囲内から、ガスの流量やＲＦ
波のパワーによって最適なものを適宜選定すればよい。
と、他の種々の実験結果とから、第１および第２発明の
清浄方法における最適条件は、ＨｅおよびＨ２それぞれ
のガスの流量やＲＦ波のパワーによっても異なるが、一
般には、上記（１）のＨｅ／Ｈ２の混合比、（２）の成
長室内の真空度、（３）の基板温度の各範囲内にあるこ
とが確認され、これらの範囲内から、ガスの流量やＲＦ
波のパワーによって最適なものを適宜選定すればよい。
【００１９】上記（１）〜（３）の条件下において、水
素原子は、プラズマによって励起されたラジカルあるい
はイオン化された状態にあり、非常に反応性に富み、Ｍ
ＢＥ成長用基板のクリーニング用として有用な状態にあ
る。
素原子は、プラズマによって励起されたラジカルあるい
はイオン化された状態にあり、非常に反応性に富み、Ｍ
ＢＥ成長用基板のクリーニング用として有用な状態にあ
る。
【００２０】この励起された水素原子を、第１発明で
は、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体基板またはＩＩ−ＶＩ族系半
導体基板上にＭＢＥ法で成長したＩＩ−ＶＩ族系半導体
エピタキシャル結晶膜に、ＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半
導体を再成長させる際に、この成長室内で、この結晶膜
に照射する。
は、ＩＩＩ−Ｖ族系半導体基板またはＩＩ−ＶＩ族系半
導体基板上にＭＢＥ法で成長したＩＩ−ＶＩ族系半導体
エピタキシャル結晶膜に、ＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半
導体を再成長させる際に、この成長室内で、この結晶膜
に照射する。
【００２１】また、第２発明では、ＺｎＳｅバルク結晶
に、ＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を成長させる際
に、同成長室内で、この結晶に照射する。
に、ＭＢＥ法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を成長させる際
に、同成長室内で、この結晶に照射する。
【００２２】上記の照射により、第１，第２発明とも、
上記の結晶表面が、上記の励起された水素原子によりク
リーニングされることとなる。
上記の結晶表面が、上記の励起された水素原子によりク
リーニングされることとなる。
【００２３】
実施例１ 以下の手順にて、まずＨｅ／Ｈ２混合ガスプラズマ発生
の最適条件を求め、次いでＧａＡｓ基板上に成長したＺ
ｎＳｅおよびＭｇＺｎＳＳｅエピタキシャル膜の表面酸
化膜の除去を行い、続いてＺｎＳｅの再成長を行った。
の最適条件を求め、次いでＧａＡｓ基板上に成長したＺ
ｎＳｅおよびＭｇＺｎＳＳｅエピタキシャル膜の表面酸
化膜の除去を行い、続いてＺｎＳｅの再成長を行った。
【００２４】Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマの発生は、Ｍ
ＢＥ成長室にとりつけられた、ｐ−ＺｎＳｅを成長する
際に用いるＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）−ラジカルプラズ
マセルを使用して、次の要領で行った。まず、このセル
に、Ｈ２ガス０．０４ＳＣＣＭ（標準状態における１分
当たりの流量《ｃｃ》）を導入し、ＲＦパワーを３５０
Ｗ引加した。続いて、Ｈｅガス０．０４ＳＣＣＭを導入
し、Ｈｅガスの流量を徐々に増やした。Ｈｅガス流量が
０．１３ＳＣＣＭとなった時点で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガス
のプラズマが発生した。なお、ＭＢＥ成長室内の真空度
は、約６×１０−６Ｔｏｒｒとした。
ＢＥ成長室にとりつけられた、ｐ−ＺｎＳｅを成長する
際に用いるＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）−ラジカルプラズ
マセルを使用して、次の要領で行った。まず、このセル
に、Ｈ２ガス０．０４ＳＣＣＭ（標準状態における１分
当たりの流量《ｃｃ》）を導入し、ＲＦパワーを３５０
Ｗ引加した。続いて、Ｈｅガス０．０４ＳＣＣＭを導入
し、Ｈｅガスの流量を徐々に増やした。Ｈｅガス流量が
０．１３ＳＣＣＭとなった時点で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガス
のプラズマが発生した。なお、ＭＢＥ成長室内の真空度
は、約６×１０−６Ｔｏｒｒとした。
【００２５】このプラズマの発光スペクトルが図１に示
したものである。図１から明らかなように、Ｈｅガスの
流量を増加させる（０．１３ＳＣＣＭから０．８７ＳＣ
ＣＭにする）と、発光スペクトル上のＨｅガスおよびＨ
２ガスの輝線の強度が増加する。
したものである。図１から明らかなように、Ｈｅガスの
流量を増加させる（０．１３ＳＣＣＭから０．８７ＳＣ
ＣＭにする）と、発光スペクトル上のＨｅガスおよびＨ
２ガスの輝線の強度が増加する。
【００２６】また、ＲＦパワーを３５０Ｗ、Ｈ２ガス流
量を０．０４ＳＣＣＭに固定したときの、Ｈ２ガスプラ
ズマおよびＨｅガスプラズマの輝線強度のＨｅガス流量
依存性を図２に示す。図２から明らかなように、Ｈｅガ
ス流量に最適値が存在し、この条件では、Ｈｅガス流量
が０．８７ＳＣＣＭのときに、両プラズマの輝線強度が
最大となる。
量を０．０４ＳＣＣＭに固定したときの、Ｈ２ガスプラ
ズマおよびＨｅガスプラズマの輝線強度のＨｅガス流量
依存性を図２に示す。図２から明らかなように、Ｈｅガ
ス流量に最適値が存在し、この条件では、Ｈｅガス流量
が０．８７ＳＣＣＭのときに、両プラズマの輝線強度が
最大となる。
【００２７】したがって、Ｈ２ガス流量およびＲＦパワ
ーを上記の条件に固定したとき、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプ
ラズマは、上記の条件（すなわち、０．８７／０．０４
《ＳＣＣＭ》≒２０／１《ＳＣＣＭ》）で、最も安定す
ると考えられる。ただし、この条件は、使用するＭＢＥ
装置およびラジカルプラズマセルの形状・性能に大きく
依存する。このため、この安定条件は、使用するこれら
の装置によって多少異なるが、一般には、前記した
（１）〜（３）の範囲内にある。
ーを上記の条件に固定したとき、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプ
ラズマは、上記の条件（すなわち、０．８７／０．０４
《ＳＣＣＭ》≒２０／１《ＳＣＣＭ》）で、最も安定す
ると考えられる。ただし、この条件は、使用するＭＢＥ
装置およびラジカルプラズマセルの形状・性能に大きく
依存する。このため、この安定条件は、使用するこれら
の装置によって多少異なるが、一般には、前記した
（１）〜（３）の範囲内にある。
【００２８】次に、ＧａＡｓ（基板）に、ＺｎＳｅおよ
びＭｇＺｎＳＳｅエピタキシャル膜を、基板温度を２７
５℃とし、ＭＢＥ法で成長させた。
びＭｇＺｎＳＳｅエピタキシャル膜を、基板温度を２７
５℃とし、ＭＢＥ法で成長させた。
【００２９】この試料を大気中に取り出し、表面をＫ２
Ｃｒ２Ｏ７とＨ２ＳＯ４との混液にてウエットエッチン
グ処理した後、再びＭＢＥ成長室に戻した。
Ｃｒ２Ｏ７とＨ２ＳＯ４との混液にてウエットエッチン
グ処理した後、再びＭＢＥ成長室に戻した。
【００３０】続いて、上記試料の温度を２７５℃に設定
し、上記した条件で発生させたＨｅ／Ｈ２混合ガスプラ
ズマを、真空度約６×１０−６Ｔｏｒｒ下で、該試料の
表面に照射した。試料表面の状態は、高速電子線回折法
（ＲＨＥＥＤ）により観測した。
し、上記した条件で発生させたＨｅ／Ｈ２混合ガスプラ
ズマを、真空度約６×１０−６Ｔｏｒｒ下で、該試料の
表面に照射した。試料表面の状態は、高速電子線回折法
（ＲＨＥＥＤ）により観測した。
【００３１】図３の１（ａ），（ｂ）に、成長室に導入
した直後のＺｎＳｅ（ａ），ＭｇＺｎＳＳｅ（ｂ）基板
の電子線回折パターンを示す。図３の１（ａ），（ｂ）
から明らかなように、両試料とも比較的暗く、点状に近
いパターンであり、これは、試料表面が原子オーダーで
は平坦でないことを示している。
した直後のＺｎＳｅ（ａ），ＭｇＺｎＳＳｅ（ｂ）基板
の電子線回折パターンを示す。図３の１（ａ），（ｂ）
から明らかなように、両試料とも比較的暗く、点状に近
いパターンであり、これは、試料表面が原子オーダーで
は平坦でないことを示している。
【００３２】図３の２（ｃ），（ｄ）に、上記のＨｅ／
Ｈ２混合ガスプラズマを１時間照射した後のＺｎＳｅ
（ｃ），ＭｇＺｎＳＳｅ（ｄ）基板の電子線回折パター
ンを示す。図３の２（ｃ），（ｄ）から明らかなよう
に、プラズマ照射後は、照射前のものと比較すると、電
子線回折スポットの強度が増大し、また直線上に延びた
高次の回折パターンも現れている。これは、試料表面の
酸化膜などの非結晶部分が取り除かれて、原子オーダー
での平坦性が確保されたことを示している。
Ｈ２混合ガスプラズマを１時間照射した後のＺｎＳｅ
（ｃ），ＭｇＺｎＳＳｅ（ｄ）基板の電子線回折パター
ンを示す。図３の２（ｃ），（ｄ）から明らかなよう
に、プラズマ照射後は、照射前のものと比較すると、電
子線回折スポットの強度が増大し、また直線上に延びた
高次の回折パターンも現れている。これは、試料表面の
酸化膜などの非結晶部分が取り除かれて、原子オーダー
での平坦性が確保されたことを示している。
【００３３】上記のプラズマ処理したＺｎＳｅおよびＭ
ｇＺｎＳＳｅ上に、２７５℃、約４×１０−１０Ｔｏｒ
ｒで、ＺｎＳｅエピタキシャル膜を成長させた。図３の
３（ｅ），（ｆ）に、成長後の電子線回折パターンを示
す。（ｅ）がＺｎＳｅ基板上に成長させた場合で、
（ｆ）がＭｇＺｎＳＳｅ（ｄ）基板上に成長させた場合
である。これらのパターンは、通常のＧａＡｓ基板上に
成長したＺｎＳｅエピタキシャル膜と同等の質を持って
いる。
ｇＺｎＳＳｅ上に、２７５℃、約４×１０−１０Ｔｏｒ
ｒで、ＺｎＳｅエピタキシャル膜を成長させた。図３の
３（ｅ），（ｆ）に、成長後の電子線回折パターンを示
す。（ｅ）がＺｎＳｅ基板上に成長させた場合で、
（ｆ）がＭｇＺｎＳＳｅ（ｄ）基板上に成長させた場合
である。これらのパターンは、通常のＧａＡｓ基板上に
成長したＺｎＳｅエピタキシャル膜と同等の質を持って
いる。
【００３４】また、このＺｎＳｅエピタキシャル膜につ
いて、フォトルミネッセンス（ＰＬ）法を用い、温度１
５Ｋ（ケルビン）で評価した。この結果を図４に示す。
同図（ａ）は、参考のために示すもので、ＧａＡｓ基板
上に、上記のプラズマ処理を行わない以外は上記と同一
の条件で、成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピタキ
シャル膜のＰＬスペクトルである。同図（ｂ）および
（ｃ）は、上記のプラズマ処理したＺｎＳｅおよびＭｇ
ＺｎＳＳｅ上に成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピ
タキシャル膜のＰＬスペクトルである。
いて、フォトルミネッセンス（ＰＬ）法を用い、温度１
５Ｋ（ケルビン）で評価した。この結果を図４に示す。
同図（ａ）は、参考のために示すもので、ＧａＡｓ基板
上に、上記のプラズマ処理を行わない以外は上記と同一
の条件で、成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピタキ
シャル膜のＰＬスペクトルである。同図（ｂ）および
（ｃ）は、上記のプラズマ処理したＺｎＳｅおよびＭｇ
ＺｎＳＳｅ上に成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピ
タキシャル膜のＰＬスペクトルである。
【００３５】同図（ａ）〜（ｃ）の全ての試料につい
て、２．８０ｅＶ付近に強いバンド端発光が観測され、
２．３ｅＶ付近の深い準位からの発光が比較的よく抑え
られていることが分かる。一方、２．６ｅＶ付近に、転
位に絡んだＹ線発光といわれる輝線が観測されるが、こ
れはＺｎＳｅエピタキシャル膜が０．５μｍと比較的薄
いために現れるもので、特に結晶性に大きく影響を与え
るものではない。
て、２．８０ｅＶ付近に強いバンド端発光が観測され、
２．３ｅＶ付近の深い準位からの発光が比較的よく抑え
られていることが分かる。一方、２．６ｅＶ付近に、転
位に絡んだＹ線発光といわれる輝線が観測されるが、こ
れはＺｎＳｅエピタキシャル膜が０．５μｍと比較的薄
いために現れるもので、特に結晶性に大きく影響を与え
るものではない。
【００３６】このように、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマ
処理したＺｎＳｅおよびＭｇＺｎＳＳｅエピタキシャル
膜上には、ＧａＡｓ基板上に成長したＺｎＳｅ同レベル
の比較的良好な結晶を成長させることができることが明
らかである。
処理したＺｎＳｅおよびＭｇＺｎＳＳｅエピタキシャル
膜上には、ＧａＡｓ基板上に成長したＺｎＳｅ同レベル
の比較的良好な結晶を成長させることができることが明
らかである。
【００３７】以上より、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマを
用いることによって、ＺｎＳｅ，ＭｇＺｎＳＳｅエピタ
キシャル膜上に生成している酸化膜を、ＭＢＥ成長室内
で、該エピタキシャル膜に大きな損傷を与えることな
く、安定に、除去することが可能であり、しかも同成長
室内において引き続き、このＺｎＳｅ，ＭｇＺｎＳＳｅ
エピタキシャル膜上に良質なＺｎＳｅエピタキシャル結
晶を再成長させることができることが分かる。
用いることによって、ＺｎＳｅ，ＭｇＺｎＳＳｅエピタ
キシャル膜上に生成している酸化膜を、ＭＢＥ成長室内
で、該エピタキシャル膜に大きな損傷を与えることな
く、安定に、除去することが可能であり、しかも同成長
室内において引き続き、このＺｎＳｅ，ＭｇＺｎＳＳｅ
エピタキシャル膜上に良質なＺｎＳｅエピタキシャル結
晶を再成長させることができることが分かる。
【００３８】実施例２ 実施例１のＧａＡｓ（基板）にＺｎＳｅおよびＭｇＺｎ
ＳＳｅエピタキシャル膜を成長させた試料に代えて、Ｚ
ｎＳｅバルク結晶（基板）を用いる以外は、実施例１と
同様にして、酸化膜の生成、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズ
マ照射による該酸化膜の除去、酸化膜除去後のＺｎＳｅ
エピタキシャル膜を成長を行った。この結果は、実施例
１とほぼ同様に、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマ処理した
ＺｎＳｅバルク結晶上には、ＧａＡｓ基板上に成長した
ＺｎＳｅエピタキシャル結晶と同レベルの比較的良好な
エピタキシャル結晶を成長することができた。
ＳＳｅエピタキシャル膜を成長させた試料に代えて、Ｚ
ｎＳｅバルク結晶（基板）を用いる以外は、実施例１と
同様にして、酸化膜の生成、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズ
マ照射による該酸化膜の除去、酸化膜除去後のＺｎＳｅ
エピタキシャル膜を成長を行った。この結果は、実施例
１とほぼ同様に、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマ処理した
ＺｎＳｅバルク結晶上には、ＧａＡｓ基板上に成長した
ＺｎＳｅエピタキシャル結晶と同レベルの比較的良好な
エピタキシャル結晶を成長することができた。
【００３９】したがって、ＺｎＳｅバルク結晶を基板と
する場合においても、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマを用
いることによって、該基板上に生成している酸化膜を、
ＭＢＥ成長室内で、該バルク結晶に大きな損傷を与える
ことなく、安定に、除去することができ、かつ同室内に
おいて引き続き、該基板上に良質なＺｎＳｅエピタキシ
ャル結晶を再成長させることができることが分かる。
する場合においても、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマを用
いることによって、該基板上に生成している酸化膜を、
ＭＢＥ成長室内で、該バルク結晶に大きな損傷を与える
ことなく、安定に、除去することができ、かつ同室内に
おいて引き続き、該基板上に良質なＺｎＳｅエピタキシ
ャル結晶を再成長させることができることが分かる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ＭＢＥ成長室内において、基板の表面に生成している酸
化膜などの不純物を、基板の結晶に対する損傷を抑制し
ながら、安定に、除去することができ、この結果、同成
長室内において、引き続きＭＢＥ法による再成長を実行
することができる。また、本発明によれば、Ｈｅとの混
合下でＨ２を使用するため、Ｈ２による危険はなく、安
全に半導体基板の表面清浄を行うことができる。
ＭＢＥ成長室内において、基板の表面に生成している酸
化膜などの不純物を、基板の結晶に対する損傷を抑制し
ながら、安定に、除去することができ、この結果、同成
長室内において、引き続きＭＢＥ法による再成長を実行
することができる。また、本発明によれば、Ｈｅとの混
合下でＨ２を使用するため、Ｈ２による危険はなく、安
全に半導体基板の表面清浄を行うことができる。
【図１】本発明の実施例で得たＨ２／Ｈｅ混合ガスプラ
ズマの発光スペクトルの典型例を示す図である。
ズマの発光スペクトルの典型例を示す図である。
【図２】本発明の実施例で得たＲＦ波パワーおよびＨ２
ガス流量を一定にしたときの、Ｈ２ガスおよびＨｅガス
プラズマの輝線強度のＨｅガス流量依存性を示す図であ
る。
ガス流量を一定にしたときの、Ｈ２ガスおよびＨｅガス
プラズマの輝線強度のＨｅガス流量依存性を示す図であ
る。
【図３の１】（ａ），（ｂ）は本発明の実施例で得たＺ
ｎＳｅ，ＭｇＺｎＳＳｅ基板の表面状態の高速電子線回
折パターンである。（ａ）がＺｎＳｅ基板の場合、
（ｂ）がＭｇＺｎＳＳｅ基板の場合である。
ｎＳｅ，ＭｇＺｎＳＳｅ基板の表面状態の高速電子線回
折パターンである。（ａ）がＺｎＳｅ基板の場合、
（ｂ）がＭｇＺｎＳＳｅ基板の場合である。
【図３の２】（ｃ），（ｄ）はこれらの基板にＨｅ／Ｈ
２混合ガスプラズマを照射した後の該基板の表面状態の
電子線回折パターンである。（ｃ）がＺｎＳｅ基板の場
合、（ｄ）がＭｇＺｎＳＳｅ基板の場合である。
２混合ガスプラズマを照射した後の該基板の表面状態の
電子線回折パターンである。（ｃ）がＺｎＳｅ基板の場
合、（ｄ）がＭｇＺｎＳＳｅ基板の場合である。
【図３の２】（ｅ），（ｆ）はプラズマ照射後に再成長
させたＺｎＳｅエピタキシャル膜の表面状態の電子線回
折パターンである。（ｅ）がＺｎＳｅ基板の場合、
（ｆ）がＭｇＺｎＳＳｅ基板の場合である。
させたＺｎＳｅエピタキシャル膜の表面状態の電子線回
折パターンである。（ｅ）がＺｎＳｅ基板の場合、
（ｆ）がＭｇＺｎＳＳｅ基板の場合である。
【図４】本発明の実施例で得たＺｎＳｅエピタキシャル
膜についてのフォトルミネッセンス（ＰＬ）法による評
価結果を示し、（ａ）は、参考のために示すもので、Ｇ
ａＡｓ基板上に本発明によるプラズマ処理を行わないで
成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピタキシャル膜の
ＰＬスペクトル、（ｂ）および（ｃ）は、本発明による
プラズマ処理を行ったＺｎＳｅおよびＭｇＺｎＳＳｅ上
に成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピタキシャル膜
のＰＬスペクトルである。
膜についてのフォトルミネッセンス（ＰＬ）法による評
価結果を示し、（ａ）は、参考のために示すもので、Ｇ
ａＡｓ基板上に本発明によるプラズマ処理を行わないで
成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピタキシャル膜の
ＰＬスペクトル、（ｂ）および（ｃ）は、本発明による
プラズマ処理を行ったＺｎＳｅおよびＭｇＺｎＳＳｅ上
に成長させた０．５μｍ厚のＺｎＳｅエピタキシャル膜
のＰＬスペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/363 21/363 21/302 Ｎ
Claims (8)
- 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族系半導体基板あるいはＩＩ
−ＶＩ族系半導体基板上に分子線エピタキシー法で成長
したＩＩ−ＶＩ族系半導体エピタキシャル結晶膜を基板
として用い、該エピタキシャル結晶膜基板上に分子線エ
ピタキシー法でＩＩ−ＶＩ族系半導体を再成長させる際
に、同成長室内で、Ｈｅ／Ｈ２混合ガスプラズマビーム
を同基板に照射して、同基板表面をクリーニングするこ
とを特徴とする半導体基板の表面清浄方法。 - 【請求項２】 Ｈｅ／Ｈ２混合ガスが容積比で２／１〜
２５０／１であることを特徴とする請求項１記載の半導
体基板の表面清浄方法。 - 【請求項３】 成長室内の真空度が５×１０−８〜１×
１０−４ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項１，２
記載の半導体基板の表面清浄方法。 - 【請求項４】 ＩＩ−ＶＩ族系半導体エピタキシャル結
晶膜基板の温度が１００℃以上でＩＩ−ＶＩ族系半導体
エピタキシャル結晶膜の成長温度以下であることを特徴
とする請求項１〜３記載の半導体基板の表面清浄方法。 - 【請求項５】 ＺｎＳｅバルク結晶を基板として用い、
該バルク結晶基板上に分子線エピタキシー法でＩＩ−Ｖ
Ｉ族系半導体を成長させる際に、同成長室内で、Ｈｅ／
Ｈ２混合ガスプラズマビームを同基板に照射して、同基
板表面をクリーニングすることを特徴とする半導体基板
の表面清浄方法。 - 【請求項６】 Ｈｅ／Ｈ２混合ガスが、容積比で２／１
〜２５０／１であることを特徴とする請求項５記載の表
面清浄方法。 - 【請求項７】 成長室内が、５×１０−８〜１×１０
−４ｔｏｒｒの真空度に保持されていることを特徴とす
る請求項５，６記載の表面清浄方法。 - 【請求項８】 ＺｎＳｅ半導体バルク結晶基板が、１０
０〜５００℃であることを特徴とする請求項５〜７記載
の表面清浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22579595A JPH0955365A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 半導体基板の表面清浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22579595A JPH0955365A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 半導体基板の表面清浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955365A true JPH0955365A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16834906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22579595A Pending JPH0955365A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 半導体基板の表面清浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955365A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528395B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-03-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of fabricating compound semiconductor device and apparatus for fabricating compound semiconductor device |
| JP2017201692A (ja) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ＳｉＯＣ薄膜の形成 |
| WO2020212154A1 (de) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Herstellen eines ohmschen kontakts sowie elektronisches bauelement mit ohmschem kontakt |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| US11107673B2 (en) | 2015-11-12 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US11158500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| US11195845B2 (en) | 2017-04-13 | 2021-12-07 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US12142479B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-11-12 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US12341005B2 (en) | 2020-01-17 | 2025-06-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiCN thin films |
-
1995
- 1995-08-10 JP JP22579595A patent/JPH0955365A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815316B2 (en) | 2000-04-27 | 2004-11-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for fabricating compound semiconductor device |
| US6528395B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-03-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of fabricating compound semiconductor device and apparatus for fabricating compound semiconductor device |
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| US11996284B2 (en) | 2015-11-12 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| JP2017201692A (ja) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ＳｉＯＣ薄膜の形成 |
| US12272546B2 (en) | 2016-05-06 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOC thin films |
| US11562900B2 (en) | 2016-05-06 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOC thin films |
| US11195845B2 (en) | 2017-04-13 | 2021-12-07 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US11776807B2 (en) | 2017-05-05 | 2023-10-03 | ASM IP Holding, B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| US11158500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| CN113692642A (zh) * | 2019-04-15 | 2021-11-23 | 于利希研究中心有限公司 | 欧姆接触的制造方法和具有欧姆接触的电子元件 |
| US12243917B2 (en) | 2019-04-15 | 2025-03-04 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Producing an ohmic contact and electronic component with ohmic contact |
| WO2020212154A1 (de) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Herstellen eines ohmschen kontakts sowie elektronisches bauelement mit ohmschem kontakt |
| CN113692642B (zh) * | 2019-04-15 | 2025-07-22 | 于利希研究中心有限公司 | 欧姆接触的制造方法和具有欧姆接触的电子元件 |
| US12142479B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-11-12 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
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