JPH0955400A - 電子部品及び電子部品の実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、電子部品及び電子部品の実装方法に
おいて、配線基板上に精度良く容易に実装し得るように
する。 【解決手段】本発明は、電子部品１１に複数の第１のダ
ミーバンプ１５が形成され、第１のバンプ１３と第１の
ダミーバンプ１５との間の融点を有する第２のダミーバ
ンプ１７が形成されることにより、位置ずれを補正して
実装できる。また本発明は、電子部品１１に複数の第１
のダミーバンプ１５を形成し、複数の第２のダミーバン
プ１７を形成すると共に、配線基板２１に複数の第３の
ダミーバンプ２６及び複数の第４のダミーバンプを形成
し、次いで第１のダミーバンプ１５及び各第３のダミー
バンプ２６を位置合わせして接合し、各第２のダミーバ
ンプ１７及び各第４のダミーバンプ２７を接合し、各第
１のバンプ１３及び各第２のバンプ２５を接合すること
により、位置ずれを補正して実装できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図８及び図９） 発明が解決しようとする課題（図８及び図９） 課題を解決するための手段（図１〜図７） 発明の実施の形態（図１〜図７） 発明の効果

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品及び電子部
品の実装方法に関し、例えばベアチツプ及びそのベアチ
ツプを配線基板上に実装する際の実装方法に適用して好
適なものである。

【０００３】

【従来の技術】従来、配線基板上に実装するチツプ状電
子部品の１つとして、半導体集積回路（以下、これをＩ
Ｃ回路と呼ぶ）が複数形成されたウエハを各ＩＣ回路毎
の個別のチツプに切断分離してなる、いわゆるベアチツ
プと呼ばれるものがある。

【０００４】通常、この種の電子部品の実装作業は、ベ
アチツプの回路面に複数形成された電極上にそれぞれは
んだでなるボンデイング用のバンプ（以下、これをチツ
プ側バンプと呼ぶ）を設け、これら各チツプ側バンプが
配線基板の対応する各電極上にそれぞれ設けられたはん
だでなるボンデイング用のバンプ（以下、これを基板側
バンプと呼ぶ）と接触するように配線基板上に位置決め
マウントした後、これらの各チツプ側バンプ及び基板側
バンプを加熱溶融（以下、これをリフローと呼ぶ）して
接合するようにして行われる（以下、これを第１の実装
方法と呼ぶ）。従つて図８に示すように、このような第
１の実装方法により配線基板１上に実装されたベアチツ
プ２は、当該ベアチツプ２側の各電極３がそれぞれ対応
する配線基板１側の各電極４と、各チツプ側バンプがそ
れぞれ対応する各基板側バンプと溶融一体化してなるバ
ンプ５を介して接合した状態に配線基板１上に実装され
る。

【０００５】このような第１の実装方法に加え、従来、
図８との対応部分に同一符号を付して示す図９に示すよ
うに、ベアチツプ６の回路面６Ａ上の所定位置に金属膜
（以下、これをチツプ側金属膜と呼ぶ）７を形成すると
共に、チツプ側金属膜７と対向する配線基板８の位置に
ほぼ同形状の金属膜（以下、これを基板側金属膜と呼
ぶ）９を形成し、これらのチツプ側金属膜７と基板側金
属膜９とを各バンプ５とほぼ同融点のバンプ１０で接合
することにより、絶縁基板８上に実装する方法（以下、
これを第２の実装方法と呼ぶ）もある。

【０００６】この場合、一般的にベアチツプ６を配線基
板８上に実装すると、ベアチツプ６と配線基板８との熱
膨張係数の差に起因してリフロー途中及びリフロー後の
温度変化により各バンプ５に熱応力を生じるが、この第
２の実装方法によれば、チツプ側金属膜７と基板側金属
膜９との間のバンプ１０部分に熱応力を分散させること
ができ、かくして各バンプ５に熱応力が集中することを
回避し得る利点がある。またこの第２の実装方法によれ
ば、実装の際、チツプ側金属膜７上及び基板側金属膜９
上の各バンプをリフローし溶融させたときに、当該溶融
したはんだのセルフアライメント効果により、配線基板
８に対するベアチツプ６の多少の位置ずれが補正される
利点がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な第１及び第２の実装方法では、ベアチツプ２を配線基
板１上に実装する際に、各チツプ側バンプと各基板側バ
ンプとを確実に接合させるために、Ｘ線等を用いた高精
度な位置合わせが必要となる問題があつた。またこれら
の位置合わせ作業では、各チツプ側バンプと対応する各
基板側バンプとを１つづつ又は複数個づつ位置合わせす
るため、位置ずれを起こさずにベアチツプ２を配線基板
１上に実装するためには長い作業時間を必要とし、１つ
のベアチツプ２あたりの実装タクトタイムが長くなる問
題があつた。

【０００８】さらに上述の第１及び第２の実装方法で
は、各チツプ側バンプとそれぞれ対応する基板側バンプ
とを位置合わせした後にリフロー等の手法により接合す
る場合、リフロー炉内で発生する熱風等の影響により、
各チツプ側バンプと対応する各基板側バンプとが位置ず
れを起こす問題があつた。

【０００９】さらに第１及び第２の実装方法では、ベア
チツプ２を配線基板１上に位置合わせした際に、当該配
線基板１に対してベアチツプ２が回転方向に位置ずれを
生じることがあるが、この第１及び第２の実装方法で
は、配線基板１に対するベアチツプ２の回転方向の位置
ずれを全く補正せずに実装する問題があつた。

【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、配線基板上に精度良く容易に実装し得る電子部品及
び電子部品の実装方法を提案しようとするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第１の発明においては、一面に複数のボンデイング用
の第１のバンプが形成され、当該各第１のバンプを、配
線基板の所定面に形成された対応するボンデイング用の
第２のバンプにそれぞれ接合することにより配線基板に
実装する電子部品において、一面の中央部に形成され、
第１のバンプよりも低い融点温度特性を有する単数又は
複数の第１のダミーバンプと、一面に第１のダミーバン
プを取り囲むように形成され、当該第１のバンプの融点
温度及び第１のダミーバンプの融点温度間に設定された
所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第２のダミ
ーバンプとを設けるようにして、各第１のダミーバンプ
を、当該各第１のダミーバンプと同じ融点温度特性を有
し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成さ
れた第３のダミーバンプと接合すると共に、各第２のダ
ミーバンプを、当該第２のダミーバンプと同じ融点温度
特性を有し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させ
て形成された第４のダミーバンプと接合することにより
上記配線基板に実装するようにした。

【００１２】また第２の発明においては、一面に複数の
ボンデイング用の第１のバンプが形成され、当該各第１
のバンプを、配線基板の所定面に形成された対応するボ
ンデイング用の第２のバンプにそれぞれ接合することに
より上記配線基板に実装する電子部品の実装方法におい
て、電子部品の一面の中央部に第１のバンプよりも低い
融点温度特性を有する単数又は複数の第１のダミーバン
プを形成し、一面に第１のバンプの融点温度及び第１の
ダミーバンプの融点温度間に設定された所定の融点温度
特性を有する単数又は複数の第２のダミーバンプを第１
のダミーバンプを取り囲むように形成すると共に、電子
部品を配線基板に実装する際に各第１のダミーバンプ及
び各第２のダミーバンプと対向する配線基板の所定面
に、第１のダミーバンプと同じ融点温度特性を有する単
数又は複数の第３のダミーバンプを形成し、第２のダミ
ーバンプと同じ融点温度特性を有する単数又は複数の第
４のダミーバンプを形成する第１の工程と、電子部品の
各第１のダミーバンプと配線基板の対応する各第３のダ
ミーバンプとを位置合わせして接合する第２の工程と、
電子部品の各第２のダミーバンプと配線基板の対応する
各第４のダミーバンプとを接合する第３の工程と、電子
部品の各第１のバンプと配線基板の対応する各第２のバ
ンプとを接合する第４の工程とを設けるようにする。

【００１３】これにより第１の発明では、ボンデイング
用の第１のバンプが複数形成された電子部品の一面の中
央部に第１のバンプよりも低い融点温度特性を有する単
数又は複数の第１のダミーバンプが形成され、一面に第
１のダミーバンプを取り囲むように第１のバンプの融点
温度及び第１のダミーバンプの融点温度間に設定された
所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第２のダミ
ーバンプが形成されると共に、各第１のダミーバンプ
を、当該各第１のダミーバンプと同じ融点温度特性を有
し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成さ
れた第３のダミーバンプと接合し、各第２のダミーバン
プを、当該第２のダミーバンプと同じ融点温度特性を有
し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成さ
れた第４のダミーバンプと接合するようにしたことによ
り、第１及び第３のダミーバンプと第２及び第４のダミ
ーバンプを溶融してなる金属の表面張力によつてセルフ
アライメント効果が働き、配線基板に対する電子部品の
Ｘ、Ｙ方向及び回転方向の位置ずれを補正しながら実装
することができる。

【００１４】また第２の発明では、ボンデイング用の第
１のバンプが複数形成された電子部品の一面の中央部に
第１のバンプよりも低い融点温度特性を有する単数又は
複数の第１のダミーバンプを形成すると共に、一面に第
１のバンプの融点温度及び第１のダミーバンプの融点温
度間に設定された所定の融点温度特性を有する単数又は
複数の第２のダミーバンプを第１のダミーバンプを取り
囲むように形成し、また電子部品を配線基板に実装する
際に各第１のダミーバンプ及び各第２のダミーバンプと
対向する配線基板の所定面に、第１のダミーバンプと同
じ融点温度特性を有する単数又は複数の第３のダミーバ
ンプを形成すると共に、第２のダミーバンプと同じ融点
温度特性を有する単数又は複数の第４のダミーバンプを
形成し、次いで電子部品の各第１のダミーバンプと配線
基板の対応する各第３のダミーバンプとを位置合わせし
て接合し、続いて電子部品の各第２のダミーバンプと配
線基板の対応する各第４のダミーバンプとを接合し、次
いで電子部品の各第１のバンプと配線基板の対応する各
第２のバンプとを接合するようにしたことにより、各第
１のダミーバンプ及び各第３のダミーバンプが溶融して
なる金属の表面張力によつてセルフアライメト効果が働
き配線基板に対する電子部品のＸ、Ｙ方向の位置ずれを
補正した後、各第２のダミーバンプ及び各第４のダミー
バンプが溶融してなる金属の表面張力によつてセルフア
ライメント効果が働き配線基板に対する電子部品の回転
方向の位置ずれを補正することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。

【００１６】図１（Ａ）〜図２（Ｂ）において、本発明
を適用したベアチツプ１１及び配線基板２１の構成を示
す。まず図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ベアチツ
プ１１は、回路面１１Ａの最外周に沿つて所定ピツチに
複数の電極（以下、これらをチツプ側電極と呼ぶ）１２
が配設されている。これら各チツプ側電極１２上には、
それぞれ例えば高融点はんだでなるボンデイング用のバ
ンプ（以下、これをチツプ側バンプと呼ぶ）１３が、所
定の高さに突出形成されている。

【００１７】またベアチツプ１１には、回路面１１Ａの
中央部のパツシベーシヨン膜（図示せず）上に、四角形
状でなる第１の金属膜（以下、これを第１のチツプ側金
属膜と呼ぶ）１４が配設されている。この第１のチツプ
側金属膜１４上の中心部には、実装時のＸ、Ｙ方向の位
置ずれ補正用としてチツプ側バンプ１３よりも融点の低
い、例えば低融点はんだでなるダミーバンプ（以下、こ
れを第１のチツプ側ダミーバンプと呼ぶ）１５が、チツ
プ側バンプ１３と同じ高さに突出形成されている。

【００１８】さらにベアチツプ１１には、四角形状でな
る第１のチツプ側金属膜１４の周囲のパツシベーシヨン
膜上に、この四角形状の各頂点を取り囲むように弓なり
形状でなる４つの第２の金属膜（以下、これらを第２の
チツプ側金属膜と呼ぶ）１６が配設されている。これら
各第２のチツプ側金属膜１６上には、実装時の回転方向
の位置ずれ補正用として、それぞれチツプ側バンプ１３
よりも融点が低く、かつ第１のチツプ側ダミーバンプ１
５よりも融点の高い、例えば共晶はんだでなるダミーバ
ンプ（以下、これを第２のチツプ側ダミーバンプと呼
ぶ）１７が、チツプ側バンプ１３と同じ高さになるよう
に各第２のチツプ側金属膜１６の形状に合わせて弓なり
形状に突出形成されている。

【００１９】この場合ベアチツプ１１では、回路面１１
Ａの面積に対し１０分の１乃至４分の１程度となるよう
に、第１のチツプ側金属膜１４と各第２のチツプ側金属
膜１６との面積の和が選定されている。これによりベア
チツプ１１においては、第１のチツプ側ダミーバンプ１
５及び各第２のチツプ側ダミーバンプ１７の各表面積を
大きく確保でき、かくしてこれら第１のチツプ側ダミー
バンプ１５及び各第２のチツプ側ダミーバンプ１７が溶
融された際の表面張力を大きくし得るようになされてい
る。

【００２０】一方図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、
配線基板２１の実装面２１Ａ上には、ベアチツプ１１の
各チツプ側電極１２と、第１のチツプ側金属膜１４と、
各第２のチツプ側金属膜１６とそれぞれ対応させて複数
の電極（以下、これを基板側電極と呼ぶ）２２と、第１
の金属膜（以下、これを第１の基板側金属膜と呼ぶ）２
３と、複数の第２の金属膜（以下、これを第２の基板側
金属膜と呼ぶ）２４とが配設されている。

【００２１】また各基板側電極２２上には、それぞれボ
ンデイング用のバンプ（以下、これを基板側バンプと呼
ぶ）２５が、所定の高さで各基板側電極２２と同じ形状
に突出形成され、各チツプ側電極１２（図１）上に形成
された各チツプ側バンプ１３と同じ組成で構成されてい
る。さらに第１の基板側金属膜２３上には、第１のダミ
ーバンプ（以下、これを第１の基板側ダミーバンプと呼
ぶ）２６が、各基板側バンプ２５と同じ高さで第１の基
板側金属膜２３と同じ形状に突出形成され、第１のチツ
プ側金属膜１４（図１）上に形成された第１のチツプ側
ダミーバンプ１５と同じ組成で構成されている。さらに
各第２の基板側金属膜２４上には、それぞれ第２のダミ
ーバンプ（以下、これを第２の基板側ダミーバンプと呼
ぶ）２７が基板側バンプ２５と同じ高さで各第２の基板
側金属膜２４と同じ形状に突出形成され、各第２のチツ
プ側金属膜１６（図１）上に形成された各第２のチツプ
側ダミーバンプ１７と同じ組成で構成されている。

【００２２】これによりこの配線基板２１では、各基板
側バンプ２５、第１の基板側ダミーバンプ２６及び各第
２の基板側ダミーバンプ２７と、それぞれベアチツプ１
１の対応するチツプ側バンプ１３、第１のチツプ側ダミ
ーバンプ１５及び第２のチツプ側ダミーバンプ１７とを
位置決めマウントし得、さらにその状態においてベアチ
ツプ１１を実装し得るようになされている。

【００２３】ここで実際上このベアチツプ１１は、図３
〜図７に示す以下の手順により配線基板２１上に実装す
ることができる。すなわち、まず図３に示すように、配
線基板２１の実装面２１Ａ上に所定の間隔を保つてベア
チツプ１１を回路面１１Ａが対向するように保持し、こ
の状態において第１の基板側金属膜２３上に形成された
第１の基板側ダミーバンプ２６の中心部に第１のチツプ
側金属膜１４上に形成された第１のチツプ側ダミーバン
プ１５の中心部を位置決めする。

【００２４】次いで図４に示すように、配線基板２１の
各基板側バンプ２５、第１の基板側ダミーバンプ２６及
び各第２の基板側ダミーバンプ２７に対して、ベアチツ
プ１１の各チツプ側バンプ１３、第１のチツプ側ダミー
バンプ１５及び各第２のチツプ側ダミーバンプ１７を位
置合わせして接触させる。

【００２５】続いて図５に示すように、ベアチツプ１１
が一時的に固定された配線基板２１をリフロー炉（図示
せず）に入れて、第１のチツプ側ダミーバンプ１５及び
第１の基板側ダミーバンプ２６のみが溶融する程度の温
度（例えば低融点はんだが溶融する 150〔℃〕程度の温
度）で加熱することにより、第１のチツプ側ダミーバン
プ１５及び第１の基板側ダミーバンプ２６を溶融して接
合する。

【００２６】因みに、ベアチツプ１１を配線基板２１上
に位置合わせした際に、第１のチツプ側ダミーバンプ１
５の中心部と、第１の基板側ダミーバンプ２６の中心部
との間で位置ずれが生じることがある。しかしこの位置
ずれは、第１のチツプ側ダミーバンプ１５及び第１の基
板側ダミーバンプ２６が溶融した際、はんだのセルフア
ライメント効果によりそれぞれ正しい位置合わせ状態に
補正される。

【００２７】次いで図６に示すように、配線基板２１を
各チツプ側バンプ１３及び各基板側バンプ２５が溶融せ
ず、各第２のチツプ側ダミーバンプ１７及び各第２の基
板側ダミーバンプ２７が溶融する程度の温度（例えば共
晶はんだが溶融する 183〔℃〕程度の温度）で加熱する
ことにより、それぞれ第２のチツプ側ダミーバンプ１７
及び第２の基板側ダミーバンプ２７を溶融して接合す
る。

【００２８】因みに、ベアチツプ１１を配線基板２１上
に位置合わせした際、又はリフローにより第１のチツプ
側ダミーバンプ１５の中心部と第１の基板側ダミーバン
プ２６の中心部との位置ずれを補正した際に、各第２の
チツプ側ダミーバンプ１７と各第２の基板側ダミーバン
プ２７との間で位置ずれ（すなわち、回転方向の位置ず
れ）が生じることがある。しかしこの回転方向の位置ず
れは、各第２のチツプ側ダミーバンプ１７及び対応する
各第２の基板側ダミーバンプ２７が溶融した際、はんだ
のセルフアライメント効果によりそれぞれ正しい位置合
わせ状態に補正される。

【００２９】続いて図７に示すように、配線基板２１を
各チツプ側バンプ１３及び各基板側バンプ２５が溶融す
る程度の温度（例えば高融点はんだが溶融する程度の温
度）で加熱して、各チツプ側バンプ１３及び対応する各
基板側バンプ２５を溶融して接合する。これにより配線
基板２１に対するベアチツプ１１のＸ、Ｙ方向及び回転
方向の位置ずれを順次補正しながら、ベアチツプ１１を
配線基板２１上に実装することができる。

【００３０】以上の構成において、この実施例では、ベ
アチツプ１１の回路面１１Ａの中央部にボンデイング用
のチツプ側バンプ１３よりも融点の低い第１のチツプ側
ダミーバンプ１５を設けると共に、当該第１のチツプ側
ダミーバンプ１５の周囲にチツプ側バンプ１３よりも融
点が低く、かつ第１のチツプ側ダミーバンプ１５よりも
融点の高い複数の第２のチツプ側ダミーバンプ１７を設
ける一方、配線基板２１の実装面２１Ａ上に、ベアチツ
プ１１の第１のチツプ側ダミーバンプ１５と、各第２の
チツプ側ダミーバンプ１７とにそれぞれ対応させて、こ
れら第１のチツプ側ダミーバンプ１５と、各第２のチツ
プ側ダミーバンプ１７と同じ融点の第１の基板側ダミー
バンプ２６と、第２の基板側ダミーバンプ２７とを設け
る。

【００３１】次いでこのベアチツプ１１を配線基板２１
上に、対応するバンプ同士が接触するように位置決めマ
ウントした後（図３及び図４）、この配線基板２１をリ
フロー炉内に入れて第１のチツプ側ダミーバンプ１５及
び第１の基板側ダミーバンプ２６が溶融する程度の温度
で加熱することにより、これら第１のチツプ側ダミーバ
ンプ１５と第１の基板側ダミーバンプ２６とを溶融さ
せ、一体化させる（図５）。続いてリフロー炉内の温度
を第２のチツプ側ダミーバンプ１７及び第２の基板側ダ
ミーバンプ２７が溶融する程度の温度に上げることによ
り、これら第２のチツプ側ダミーバンプ１７及び第２の
基板側ダミーバンプ２７を溶融させ、一体化させる（図
６）。さらにリフロー炉内の温度をチツプ側バンプ１３
及び基板側バンプ２５が溶融する程度の温度に上げるこ
とにより、これらチツプ側バンプ１３及び基板側バンプ
２５を溶融させて一体化させ、かくしてベアチツプ１１
を電気的及び物理的に配線基板２１上に接合する（図
７）。

【００３２】この場合上述のように、第１のチツプ側ダ
ミーバンプ１５の中心部と、第１の基板側ダミーバンプ
２６の中心部との間で生じる位置ずれは、当該第１のチ
ツプ側ダミーバンプ１５及び第１の基板側ダミーバンプ
２６が溶融した際、はんだのセルフアライメント効果に
よりそれぞれ正しい位置合わせ状態に補正される。また
各第２のチツプ側ダミーバンプ１７と各第２の基板側ダ
ミーバンプ２７との間で生じる位置ずれ（すなわち、回
転方向の位置ずれ）は、当該各第２のチツプ側ダミーバ
ンプ１７及び対応する各第２の基板側ダミーバンプ２７
が溶融した際、はんだのセルフアライメント効果により
それぞれ正しい位置合わせ状態に補正される。

【００３３】従つてこの実装方法では、実装の際に段階
的に昇温してリフローすることにより、配線基板２１に
対するベアチツプ１１のＸ、Ｙ方向及び回転方向の位置
ずれを順次補正することができる。この結果リフロー前
にＸ線等を用いた精密な位置合わせを必要とすることな
く、位置合わせ時間を短くすることができ、かくして１
つのベアチツプ１１当たりの実装タクトタムを短縮する
ことができる。

【００３４】またこの実施例では、ベアチツプ１１の第
１のチツプ側金属膜１４と各第２のチツプ側金属膜１６
との面積の和、及び配線基板２１の第１の基板側金属膜
２３と各第２の基板側金属膜２４との面積の和を、ベア
チツプ１１の回路面１１Ａの表面積に対して１０分の１
乃至４分の１程度となるようにしているため、第１のチ
ツプ側ダミーバンプ１５及び各第２のチツプ側ダミーバ
ンプ１７並びに第１の基板側ダミーバンプ２６及び各第
２の基板側ダミーバンプ２７は、表面積を十分に大きく
確保でき、かくして表面張力も十分に大きくすることが
できる。これにより、リフローの際に配線基板２１に対
するベアチツプ１１のＸ、Ｙ方向及び回転方向の位置ず
れを最小限に抑えることができる。

【００３５】以上の構成によれば、ベアチツプ１１の回
路面１１Ａの中央部に本来のボンデイング用の複数のチ
ツプ側バンプ１３と同じ高さに、各チツプ側バンプ１３
よりも低融点な第１のチツプ側ダミーバンプ１５を形成
し、各チツプ側バンプ１３よりも低融点でかつ第１のチ
ツプ側ダミーバンプ１５よりも高融点な弓なり形状でな
る複数の第２のチツプ側ダミーバンプ１７を第１のチツ
プ側ダミーバンプ１５を取り囲むように形成すると共
に、配線基板２１の実装面２１Ａ上に、ベアチツプ１１
の第１のチツプ側ダミーバンプ１５と各第２のチツプ側
ダミーバンプ１７とにそれぞれ対応させて、これら第１
のチツプ側ダミーバンプ１５と、第２のチツプ側ダミー
バンプ１７と同じ融点でなる第１の基板側ダミーバンプ
２６と、第２の基板側ダミーバンプ２７とを本来のボン
デイング用の複数の基板側バンプ２５と同じ高さに形成
し、この後ベアチツプ１１を配線基板２１の所定位置上
に位置決めして載上し、第１のチツプ側ダミーバンプ１
５及び第１の基板側ダミーバンプ２６をそれらの溶融す
る温度で加熱して溶融接合させ、次いで各第２のチツプ
側ダミーバンプ１７及び各第２の基板側ダミーバンプ２
７をそれらの溶融する温度で加熱して溶融接合させ、続
いて各チツプ側バンプ１３及び各基板側バンプ２２をそ
れらの溶融する温度で加熱して溶融接合させてベアチツ
プ１１を配線基板２１上に実装するようにしたことによ
り、第１のチツプ側ダミーバンプ１５と第１の基板側ダ
ミーバンプ２６との中心部の位置ずれ及び各第２のチツ
プ側ダミーバンプ１７と各第２の基板側ダミーバンプ２
７との回転方向の位置ずれを、溶融したはんだのセルフ
アライメント効果により順次正しい位置合わせ状態に補
正することができ、かくして配線基板上に精度良く容易
に実装し得る電子部品及び電子部品の実装方法を実現す
ることができる。

【００３６】なお上述の実施例においては、本発明をベ
アチツプ１１及びそのベアチツプ１１を配線基板２１上
に実装する際の実装方法に適用するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、その他の電子部
品及びその電子部品を配線基板上に実装する際の実装方
法にも広く適用することができる。

【００３７】また上述の実施例においては、ベアチツプ
１１及び配線基板２１に第２のチツプ側ダミーバンプ１
７及び第２の基板側ダミーバンプ２７をそれぞれ４個づ
つ形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、ベアチツプ１１及び配線基板２１に３個
以下又は５個以上の所定数づつ形成するようにしても良
い。

【００３８】さらに上述の実施例においては、ベアチツ
プ１１の第１のチツプ側金属膜１４及び複数の第２のチ
ツプ側金属膜１６の面積の和と、配線基板２１の第１の
基板側金属膜２３及び複数の第２の基板側金属膜２４の
面積の和を、ベアチツプ１１における回路面１１Ａの表
面積に対し１０分の１乃至４分の１程度となるように選
定するようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、この他の大きさの表面積となるように選定す
るようにしても良い。

【００３９】また上述の実施例においては、ベアチツプ
１１及び配線基板２１に第１のチツプ側ダミーバンプ１
５及び第１の基板側ダミーバンプ２６をそれぞれ１個づ
つ形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、複数個づつ形成するようにしても良い。

【００４０】さらに上述の実施例においては、ベアチツ
プ１１の第１のチツプ側ダミーバンプ１５を球状に突出
形成し、配線基板２１の第１の基板側ダミーバンプ２６
を第１の基板側金属膜２３と同じ形状に突出形成するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、種々の形状に突出形成するようにしても良い。

【００４１】さらに上述の実施例においては、ベアチツ
プ１１の複数の第２のチツプ側ダミーバンプ１７及び配
線基板２１の複数の第２の基板側ダミーバンプ２７をそ
れぞれ第１のチツプ側金属膜１４及び第１の基板側金属
膜２３の各頂点をそれぞれ取り囲むように弓なり形状に
突出形成するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、配線基板２１に対するベアチツプ１１
の回転方向の位置ずれを補正し得れば、例えばベアチツ
プ１１の中央部の所定領域を円状に取り囲むように楕円
形状等の種々の形状でなるダミーバンプを突出形成する
ようにしても良い。

【００４２】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、ボンデイ
ング用の第１のバンプが複数形成された電子部品の一面
の中央部に第１のバンプよりも低い融点温度特性を有す
る単数又は複数の第１のダミーバンプが形成され、一面
に第１のダミーバンプを取り囲むように第１のバンプの
融点温度及び第１のダミーバンプの融点温度間に設定さ
れた所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第２の
ダミーバンプが形成されると共に、各第１のダミーバン
プを、当該各第１のダミーバンプと同じ融点温度特性を
有し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成
された第３のダミーバンプと接合し、各第２のダミーバ
ンプを、当該第２のダミーバンプと同じ融点温度特性を
有し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成
された第４のダミーバンプと接合するようにしたことに
より、第１及び第３のダミーバンプと第２及び第４のダ
ミーバンプを溶融してなる金属の表面張力によつてセル
フアライメント効果が働き、配線基板に対する電子部品
のＸ、Ｙ方向及び回転方向の位置ずれを補正しながら実
装することができ、かくして配線基板上に精度良く容易
に実装し得る電子部品を実現することができる。

【００４３】また上述のように本発明によれば、ボンデ
イング用の第１のバンプが複数形成された電子部品の一
面の中央部に第１のバンプよりも低い融点温度特性を有
する単数又は複数の第１のダミーバンプを形成すると共
に、一面に第１のバンプの融点温度及び第１のダミーバ
ンプの融点温度間に設定された所定の融点温度特性を有
する単数又は複数の第２のダミーバンプを第１のダミー
バンプを取り囲むように形成し、また電子部品を配線基
板に実装する際に各第１のダミーバンプ及び各第２のダ
ミーバンプと対向する配線基板の所定面に、第１のダミ
ーバンプと同じ融点温度特性を有する単数又は複数の第
３のダミーバンプを形成すると共に、第２のダミーバン
プと同じ融点温度特性を有する単数又は複数の第４のダ
ミーバンプを形成し、次いで電子部品の各第１のダミー
バンプと配線基板の対応する各第３のダミーバンプとを
位置合わせして接合し、続いて電子部品の各第２のダミ
ーバンプと配線基板の対応する各第４のダミーバンプと
を接合し、次いで電子部品の各第１のバンプと配線基板
の対応する各第２のバンプとを接合するようにしたこと
により、各第１のダミーバンプ及び各第３のダミーバン
プが溶融してなる金属の表面張力によつてセルフアライ
メト効果が働き配線基板に対する電子部品のＸ、Ｙ方向
の位置ずれを補正した後、各第２のダミーバンプ及び各
第４のダミーバンプが溶融してなる金属の表面張力によ
つてセルフアライメント効果が働き配線基板に対する電
子部品の回転方向の位置ずれを補正することができ、か
くして配線基板上に精度良く容易に実装し得る電子部品
の実装方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるベアチツプの構成を示
す平面図及び断面図である。

【図２】本発明の一実施例による配線基板の構成を示す
平面図及び断面図である。

【図３】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装における位置合わせの説明に供する断面図であ
る。

【図４】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装におけるリフロー前の位置ずれの説明に供する
断面図である。

【図５】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装におけるＸ、Ｙ方向の位置ずれ補正の説明に供
する、図２のＡ−Ａ’線をとつて示す断面図である。

【図６】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装における回転方向の位置ずれ補正の説明に供す
る、図２のＡ−Ａ’線をとつて示す断面図である。

【図７】本発明の一実施例による配線基板上に実装され
たベアチツプの説明に供する、図２のＡ−Ａ’線をとつ
て示す断面図である。

【図８】従来のベアチツプの実装方法の説明に供する断
面図である。

【図９】従来のベアチツプの実装方法の説明に供する断
面図である。

【符号の説明】

１、８、２１……配線基板、２、６、１１……ベアチツ
プ、３、４……電極、５、１０……バンプ、６Ａ……回
路面、７……チツプ側金属膜、９……基板側金属膜、１
１Ａ……回路面、１２……チツプ側電極、１３……チツ
プ側バンプ、１４……第１のチツプ側金属膜、１５……
第１のチツプ側ダミーバンプ、１６……第２のチツプ側
金属膜、１７……第２のチツプ側ダミーバンプ、２１Ａ
……実装面、２２……基板側電極、２３……第１の基板
側金属膜、２４……第２の基板側金属膜、２５……基板
側バンプ、２６……第１の基板側ダミーバンプ、２７…
…第２の基板側ダミーバンプ。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一面に複数のボンデイング用の第１のバン
   プが形成され、当該各第１のバンプを、配線基板の所定
   面に形成された対応するボンデイング用の第２のバンプ
   にそれぞれ接合することにより上記配線基板に実装する
   電子部品において、 上記一面の中央部に形成され、上記第１のバンプよりも
   低い融点温度特性を有する単数又は複数の第１のダミー
   バンプと、 上記一面に上記第１のダミーバンプを取り囲むように形
   成され、上記第１のバンプの融点温度及び上記第１のダ
   ミーバンプの融点温度間に設定された所定の融点温度特
   性を有する単数又は複数の第２のダミーバンプとを具
   え、 上記各第１のダミーバンプを、当該各第１のダミーバン
   プと同じ融点温度特性を有し、かつそれぞれ上記配線基
   板の上記所定面に対応させて形成された第３のダミーバ
   ンプと接合すると共に、上記各第２のダミーバンプを、
   当該第２のダミーバンプと同じ融点温度特性を有し、か
   つそれぞれ上記配線基板の上記所定面に対応させて形成
   された第４のダミーバンプと接合することにより上記配
   線基板に実装することを特徴とする電子部品。
2. 【請求項２】上記各第１のダミーバンプと上記各第２の
   ダミーバンプとの表面積の和が、上記一面の表面積の１
   ０分の１乃至４分の１程度に選定されたことを特徴とす
   る請求項１に記載の電子部品。
3. 【請求項３】一面に複数のボンデイング用の第１のバン
   プが形成され、当該各第１のバンプを、配線基板の所定
   面に形成された対応するボンデイング用の第２のバンプ
   にそれぞれ接合することにより上記配線基板に実装する
   電子部品の実装方法において、 上記電子部品の上記一面の中央部に上記第１のバンプよ
   りも低い融点温度特性を有する単数又は複数の第１のダ
   ミーバンプを形成し、上記一面に上記第１のバンプの融
   点温度及び上記第１のダミーバンプの融点温度間に設定
   された所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第２
   のダミーバンプを上記第１のダミーバンプを取り囲むよ
   うに形成すると共に、上記電子部品を上記配線基板に実
   装する際に上記各第１のダミーバンプ及び上記各第２の
   ダミーバンプと対向する上記配線基板の上記所定面に、
   上記第１のダミーバンプと同じ融点温度特性を有する単
   数又は複数の第３のダミーバンプを形成し、上記第２の
   ダミーバンプと同じ融点温度特性を有する単数又は複数
   の第４のダミーバンプを形成する第１の工程と、 上記電子部品の上記各第１のダミーバンプと上記配線基
   板の対応する上記各第３のダミーバンプとを位置合わせ
   して接合する第２の工程と、 上記電子部品の上記各第２のダミーバンプと上記配線基
   板の対応する上記各第４のダミーバンプとを接合する第
   ３の工程と、 上記電子部品の上記各第１のバンプと上記配線基板の対
   応する上記各第２のバンプとを接合する第４の工程とを
   具えることを特徴とする電子部品の実装方法。
4. 【請求項４】上記第１のダミーバンプと上記各第２のダ
   ミーバンプとの表面積の和が、上記一面の表面積の１０
   分の１乃至４分の１程度に選定されることを特徴とする
   請求項３に記載の電子部品の実装方法。