JPH0955413A - Lead inspection device - Google Patents

Lead inspection device

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JPH0955413A
JPH0955413A JP20549095A JP20549095A JPH0955413A JP H0955413 A JPH0955413 A JP H0955413A JP 20549095 A JP20549095 A JP 20549095A JP 20549095 A JP20549095 A JP 20549095A JP H0955413 A JPH0955413 A JP H0955413A
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JP
Japan
Prior art keywords
lead
light
inspection
light source
inspection apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP20549095A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisafumi Hamachi
尚史 浜地
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Priority to JP20549095A priority Critical patent/JPH0955413A/en
Publication of JPH0955413A publication Critical patent/JPH0955413A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置のリードの変形を確実に検出でき
るリード検査装置を提供する。 【構成】 半導体装置1を所定位置に保持する検査ステ
ージ2と、リード1bに光を照射する光源6と、検査ス
テージ2のほぼ垂直方向に設置され、光源6からの光の
照射によりリード1bを観測する第1のCCDカメラ3
と、検査ステージ2に対して0゜<θ1 ≦10゜の傾斜
角θ1 を有する方向に設置され、同様に光源6からの光
の照射によりリード1bを観測する第2のCCDカメラ
4とを有するリード検査装置である。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a lead inspection device capable of surely detecting deformation of leads of a semiconductor device. [Structure] An inspection stage 2 for holding a semiconductor device 1 at a predetermined position, a light source 6 for irradiating light onto a lead 1b, and a light source 6 installed substantially vertically to the lead 1b. First CCD camera 3 to observe
And a second CCD camera 4 installed in a direction having an inclination angle θ 1 of 0 ° <θ 1 ≦ 10 ° with respect to the inspection stage 2 and similarly observing the lead 1b by irradiation of light from a light source 6. It is a lead inspection device having.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に設けられ
たリードの変形を検査するリード検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead inspection apparatus for inspecting a lead provided on a semiconductor device for deformation.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の薄型化や高集積化が進行す
る中で、周辺装置との電気的接続を行うリードについて
もファインピッチ化や微細化が一層促進されている。そ
のため、切断成形されたリードの曲がりや寸法不足、あ
るいは面実装タイプの半導体装置におけるリード浮きが
発生しやすい状況になっている。
2. Description of the Related Art As semiconductor devices have become thinner and more highly integrated, fine pitches and miniaturization of leads for electrical connection with peripheral devices have been further promoted. For this reason, the cut and shaped leads are apt to bend or have insufficient dimensions, or lead floating in a surface mount type semiconductor device is likely to occur.

【0003】そして、リードの変形は実装後における導
通不良の原因となるために、これを発見して所定の対策
を講じることが必要である。
Since the deformation of the leads causes a conduction failure after mounting, it is necessary to discover this and take a predetermined measure.

【0004】そこで、組立完了後の半導体装置に対し
て、リード検査装置を用いてリードの変形を検査するこ
とが行われている。このリード検査装置は、たとえばプ
レスジャーナル社発行「93〜94年度版 半導体製造装置
・材料総合ガイドブック」平成4年11月10日発行、P29
8、P304などに紹介されている。
Therefore, a lead inspection apparatus is used to inspect the semiconductor device after the assembly is completed for deformation of the leads. This lead inspection device is, for example, issued by Press Journal, "1993-94 edition Semiconductor Manufacturing Equipment and Materials Comprehensive Guidebook," issued on November 10, 1992, P29.
8 、 P304 etc. have been introduced.

【0005】リード検査装置の構造としては、たとえば
検査ステージに保持された半導体装置に対して、検査ス
テージと装置下面とで形成される隙間(スタンドオフ)
を透過するように側方から光を照射してリードのシルエ
ットをカメラで捉え、これによってリードの浮きやピッ
チを計測するものが考えられる。
As a structure of the lead inspection apparatus, for example, a gap (standoff) formed between the inspection stage and the lower surface of the apparatus with respect to a semiconductor device held on the inspection stage.
It is conceivable to irradiate light from the side so as to pass through and capture the silhouette of the reed with a camera, and thereby measure the reed float and pitch.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなリ
ード検査装置によれば、リードがスタンドオフ以上に浮
いている場合には、これをシルエットとして捉えること
ができず、計測不能になるという問題が予想される。特
に、スタンドオフが小さくなる傾向にある最近の薄型パ
ッケージでは、この問題が顕著になるものと想定され
る。
However, according to such a lead inspection apparatus, when the lead floats above the standoff, it cannot be grasped as a silhouette and measurement becomes impossible. Is expected. In particular, it is assumed that this problem becomes remarkable in the recent thin packages in which the standoff tends to be small.

【0007】また、先端は浮いているのに曲げ根元が検
査ステージに接触している形態のリード変形では、先端
の浮きが計測されない可能性がある。
[0007] Further, in lead deformation in which the bending root is in contact with the inspection stage while the tip is floating, the tip floating may not be measured.

【0008】他のリード検査装置の構造としては、反射
照明を用いてリードの先端に向けて光を照射して像を捉
え、前記した先端の浮きを計測するものが考えられる
が、先端の断面が汚れていたり先端部がダレていたりす
ると計測が困難になる。
As another structure of the lead inspection apparatus, it is conceivable that the tip of the lead is irradiated with light using reflected illumination to capture an image, and the above-mentioned floating of the tip is measured. If it is dirty or the tip is sagging, measurement becomes difficult.

【0009】そこで、本発明の目的は、半導体装置のリ
ードの浮き、曲がり、寸法不足といった変形を確実に検
出することのできる技術を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of reliably detecting deformation such as floating, bending, and insufficient dimension of leads of a semiconductor device.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, typical ones will be outlined as follows.

【0012】すなわち、本発明によるリード検査装置
は、半導体装置の本体から延在されたリードの変形を検
査するものであり、半導体装置を所定位置に保持する検
査ステージと、リードに光を照射する光源と、検査ステ
ージのほぼ垂直方向に設置され、光源からの光の照射に
よりリードを観測する第1の観測手段と、検査ステージ
に対して所定の傾斜角θ1 を有する方向に設置され、同
様に光源からの光の照射によりリードを観測する第2の
観測手段とを有するものである。第2の観測手段の傾斜
角θ1 は0゜<θ1 ≦10゜とするのがよい。
That is, the lead inspection apparatus according to the present invention is for inspecting the deformation of the lead extending from the main body of the semiconductor device, and irradiates the lead with light on an inspection stage for holding the semiconductor device at a predetermined position. The light source and the inspection stage are installed in a substantially vertical direction, the first observation means for observing the lead by irradiation of light from the light source, and the inspection stage are installed in a direction having a predetermined inclination angle θ 1. And second observing means for observing the lead by irradiation of light from the light source. The inclination angle θ 1 of the second observation means is preferably 0 ° <θ 1 ≦ 10 °.

【0013】また、本発明によるリード検査装置は、半
導体装置の本体から延在されたリードの変形を検査する
ものであり、半導体装置を所定位置に保持する検査ステ
ージと、リードに光を照射する光源と、検査ステージに
45゜を超える傾斜角θ2 をもってリードに向けて取り
付けられた光反射手段と、検査ステージのほぼ垂直方向
に設置され、光源からの光の照射によりリードを直接観
測するとともに光反射手段を介してリードを観測するリ
ード観測手段とを有するものである。光反射手段の傾斜
角θ2 は45゜<θ2 ≦55゜とするのがよい。
The lead inspection apparatus according to the present invention is for inspecting the deformation of the lead extending from the main body of the semiconductor device, and irradiates the lead with light on an inspection stage for holding the semiconductor device at a predetermined position. The light source, the light reflecting means attached to the inspection stage with an inclination angle θ 2 of more than 45 °, and the inspection stage are installed almost vertically, and the lead is directly observed by irradiation of light from the light source. A lead observation means for observing the lead through the light reflection means. The inclination angle θ 2 of the light reflecting means is preferably 45 ° <θ 2 ≦ 55 °.

【0014】これらのリード検査装置では、検査ステー
ジを透明性を有する部材で構成し、光源を第1の観測手
段またはリード観測手段と対向する位置に設置して検査
ステージを介してリードに光を照射するようにしてもよ
い。
In these lead inspection apparatuses, the inspection stage is composed of a transparent member, a light source is installed at a position facing the first observation means or the lead observation means, and light is emitted to the leads through the inspection stage. You may make it irradiate.

【0015】[0015]

【作用】上記のような構成のリード検査装置によれば、
リードが検査ステージの垂直方向および斜め上方の2方
向から観測されるので、リードがスタンドオフ以上に浮
いている場合、リードの先端が浮いているが曲げ根元は
検査ステージに接触している場合、スタンドオフが殆ど
あるいは全くない場合などであっても、リードの変形を
確実に検出することが可能になる。
According to the lead inspection apparatus having the above structure,
Since the leads are observed from two directions, the vertical direction and the diagonally upper direction of the inspection stage, when the leads are floating above the standoff, when the lead tips are floating but the bending root is in contact with the inspection stage, Even when there is little or no standoff, the lead deformation can be detected with certainty.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返し
の説明は省略する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. In all the drawings for explaining the embodiments, the same members are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【0017】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
るリード検査装置の一部を示す概略図、図2および図3
はそのリード検査装置によって観測される画像を示す説
明図、図4はそのリード検査装置による計測メカニズム
を示す説明図である。なお、図1においては装置の右半
分が示されているが、左半分も同様の構成となってい
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic view showing a part of a lead inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 and FIG.
Is an explanatory view showing an image observed by the lead inspection apparatus, and FIG. 4 is an explanatory view showing a measurement mechanism by the lead inspection apparatus. Although the right half of the apparatus is shown in FIG. 1, the left half has the same configuration.

【0018】本実施例のリード検査装置は、半導体装置
1の本体1aから延びたリード1bの変形、つまり曲が
り、浮き、寸法不良などを検出するものであり、図1に
示すように、半導体装置1を所定位置に保持する検査ス
テージ2のほぼ垂直方向の上方には第1のCCDカメラ
(第1の観測手段)3が、斜め側方には第2のCCDカ
メラ(第2の観測手段)4がそれぞれ設置されいる。第
2のCCDカメラ4は検査ステージ2に対して10゜の
傾斜角θ1 を有しており、検査ステージ2上に保持され
たリード1bを斜め上から観測するようになっている。
なお、第2のCCDカメラ4の傾斜角θ1 は、想定され
るリード1bの上向きの変形量を勘案すると0゜<θ1
≦10゜の範囲内とされていることが望ましいが、本実
施例のような10゜に限定されるものでない。さらに、
この範囲内で傾斜角θ1 が可変とされていてもよい。
The lead inspection apparatus of this embodiment detects deformation of the lead 1b extending from the main body 1a of the semiconductor device 1, that is, bending, floating, dimensional defect, etc., and as shown in FIG. A first CCD camera (first observation means) 3 is provided above the inspection stage 2 which holds 1 at a predetermined position in a substantially vertical direction, and a second CCD camera (second observation means) is provided obliquely to the side. 4 are installed respectively. The second CCD camera 4 has an inclination angle θ 1 of 10 ° with respect to the inspection stage 2, and the lead 1b held on the inspection stage 2 is observed obliquely from above.
The inclination angle θ 1 of the second CCD camera 4 is 0 ° <θ 1 in consideration of the assumed upward deformation amount of the lead 1b.
It is desirable that the angle is within the range of ≦ 10 °, but it is not limited to 10 ° as in the present embodiment. further,
The tilt angle θ 1 may be variable within this range.

【0019】半導体装置1が支持される検査面がフラッ
トにされた検査ステージ2には、図2および図3に示す
ように、基準線5が引かれており、半導体装置1はその
リード1bの先端がこの基準線5に合うようにして検査
ステージ2に保持される。検査ステージ2は、たとえば
半透明である乳白色のアクリルからなっている。但し、
構成部材はアクリルに限定されるものではなく、透明あ
るいは半透明の部材つまり透明性を有する部材であれば
種々のものを用いることができる。なお、基準線5は、
検査する半導体装置1のサイズに応じて位置の変更が可
能とされているのが望ましい。
As shown in FIGS. 2 and 3, a reference line 5 is drawn on the inspection stage 2 having a flat inspection surface on which the semiconductor device 1 is supported, and the semiconductor device 1 has its leads 1b. The tip is held on the inspection stage 2 so that the tip of the tip matches the reference line 5. The inspection stage 2 is made of translucent milky white acrylic, for example. However,
The constituent members are not limited to acrylic, and various members can be used as long as they are transparent or translucent members, that is, members having transparency. The reference line 5 is
It is desirable that the position can be changed according to the size of the semiconductor device 1 to be inspected.

【0020】検査ステージ2の下方、すなわち保持され
た半導体装置1の背面側には、アクリルの検査ステージ
2を介してリード1bに光を照射する光源6が設けられ
ている。したがって、光源6と対向する位置に設けられ
た第1のCCDカメラ3および検査ステージ2の斜め上
方に設けられた第2のCCDカメラ4では、光源6から
照射された光が検査ステージ2で拡散されて、適正な観
測条件のもとにリード1bのシルエットが観測される。
なお、検査ステージ2を透明性を有しない部材で構成
し、光源6を検査ステージ2の上方で且つ第1および第
2のCCDカメラ3,4と干渉しない位置に設置するよ
うにして、透過光ではなく反射光によるシルエットを観
測するようにしてもよい。
Below the inspection stage 2, that is, on the back side of the held semiconductor device 1, a light source 6 for irradiating the leads 1b with light through the acrylic inspection stage 2 is provided. Therefore, in the first CCD camera 3 provided at a position facing the light source 6 and the second CCD camera 4 provided obliquely above the inspection stage 2, the light emitted from the light source 6 is diffused on the inspection stage 2. Then, the silhouette of the lead 1b is observed under appropriate observation conditions.
The inspection stage 2 is made of a non-transparent member, and the light source 6 is installed above the inspection stage 2 at a position where it does not interfere with the first and second CCD cameras 3 and 4, and the transmitted light is transmitted. Instead, the silhouette of reflected light may be observed.

【0021】第1および第2のCCDカメラ3,4に取
り込まれたシルエットからリード1bの変形を計測する
ために、これらのカメラ3,4と電気的に接続されて制
御部7が設けられている。この制御部7では、観測され
たリード1bの寸法と予め入力された正規のリード寸法
と比較することで変形量が算出されるようになってい
る。なお、リード1bに変形がない場合には半導体装置
は次工程に移送され、変形が計測された場合には不良品
としてラインからはずされるとともに所定の処置が施さ
れる。
In order to measure the deformation of the lead 1b from the silhouettes captured by the first and second CCD cameras 3 and 4, a control unit 7 is provided which is electrically connected to these cameras 3 and 4. There is. In the control unit 7, the deformation amount is calculated by comparing the observed dimension of the lead 1b with the regular lead dimension input in advance. When the lead 1b is not deformed, the semiconductor device is transferred to the next step, and when the deformation is measured, the semiconductor device is removed from the line as a defective product and a predetermined treatment is performed.

【0022】このようなリード検査装置では、たとえば
面実装タイプであるSOP(SamllOutline Package)の
半導体装置1のリード1bの変形が計測される。
In such a lead inspection apparatus, for example, the deformation of the lead 1b of the surface mounting type SOP (Samll Outline Package) semiconductor device 1 is measured.

【0023】光源6からリード1bに向けて光が照射さ
れると、第1のCCDカメラ3では図2に示す画像が、
第2のCCDカメラ4では図3に示す画像がそれぞれ観
測される。本実施例では、〜の5本のリード1b
(図1、図4)のうちのリード1bが浮いている状態
のものが示されている。
When light is emitted from the light source 6 toward the lead 1b, the image shown in FIG.
The images shown in FIG. 3 are respectively observed by the second CCD camera 4. In this embodiment, the five leads 1b of
Among the (FIGS. 1 and 4), the lead 1b is in a floating state.

【0024】のリード1bは、図2において、その先
端が基準線5からXだけ離れており、図3において基準
線5からHだけ離れている。このような図2および図3
の画像は、のリード1bが図4に示す状態にある場合
に観測される。すなわち、図4において、のリード1
bは、第1のCCDカメラ3で垂直方向から観測したと
きに基準線5(ここでは点で現れる)に対してずれ量X
(このずれ量Xは、垂直方向からの観測により得られて
いるので、正味のずれ量Xである。)を有し、第2のC
CDカメラ4で基準線5に対して傾斜角θ1 の角度から
観測したときに浮き量H(この浮き量Hは、斜めからの
観測により得られているので、リード1b先端の見掛け
の浮き量Hである。)を有しているものである。そし
て、図2および図3におけるX,Hにそれぞれ投影され
ている。
The tip of the lead 1b is separated from the reference line 5 by X in FIG. 2, and is separated from the reference line 5 by H in FIG. Such FIG. 2 and FIG.
The image of 1 is observed when the lead 1b is in the state shown in FIG. That is, in FIG. 4, lead 1
b is a shift amount X with respect to the reference line 5 (which appears as a point here) when observed from the vertical direction by the first CCD camera 3.
(This shift amount X is a net shift amount X because it is obtained by observation from the vertical direction.)
The float amount H when observed from the CD camera 4 from the angle of inclination θ 1 with respect to the reference line 5 (since this float amount H is obtained by oblique observation, the apparent float amount at the tip of the lead 1b is shown. H.). Then, they are projected on X and H in FIGS. 2 and 3, respectively.

【0025】したがって、図4で示す正味の浮き量Wは
次式で求められる。
Therefore, the net floating amount W shown in FIG. 4 is obtained by the following equation.

【0026】[0026]

【数1】 [Equation 1]

【0027】なお、Xはリード1bの先端が基準線5か
ら外方にずれている場合には正、内方にずれている場合
には負の符号とされる。
Note that X has a positive sign when the tip of the lead 1b is displaced outward from the reference line 5 and is a negative sign when it is displaced inward.

【0028】このように、本実施例のリード検査装置で
は、検査ステージ2の垂直方向に設置された第1のCC
Dカメラ3により観測される図2の画像によってずれ量
Xが求められ、第1および第2のCCDカメラ3,4に
より観測される図2および図3の画像から得られるX,
Hを数1に示す式に代入することによって正味の浮き量
Wが求められる。
As described above, in the lead inspection apparatus of this embodiment, the first CC installed in the vertical direction of the inspection stage 2 is used.
The shift amount X is obtained from the image of FIG. 2 observed by the D camera 3, and X obtained from the images of FIGS. 2 and 3 observed by the first and second CCD cameras 3 and 4,
By substituting H into the equation shown in Formula 1, the net floating amount W is obtained.

【0029】したがって、リード1bがスタンドオフ以
上に浮いている場合、リード1bの先端が浮いているが
曲げ根元は検査ステージ2に接触している場合、スタン
ドオフが殆どあるいは全くない場合などであっても、リ
ード1bの変形を確実に検出することが可能になる。
Therefore, when the lead 1b floats above the standoff, when the tip of the lead 1b floats but the bending root is in contact with the inspection stage 2, or when there is little or no standoff. However, it is possible to reliably detect the deformation of the lead 1b.

【0030】(実施例2)図5は本発明の他の実施例で
あるリード検査装置の一部を示す概略図、図6はそのリ
ード検査装置によって観測される画像を示す説明図であ
る。なお、図5においても装置の右半分が示されている
が、左半分も同様の構成となっている。
(Embodiment 2) FIG. 5 is a schematic view showing a part of a lead inspection apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an explanatory view showing an image observed by the lead inspection apparatus. Although the right half of the device is shown in FIG. 5, the left half has the same configuration.

【0031】本実施例のリード検査装置では、検査ステ
ージ2に55゜の傾斜角θ2 をもってリード1bに向け
て反射鏡(光反射手段)8が取り付けられており、検査
ステージ2のほぼ垂直方向に1台のCCDカメラ(リー
ド観測手段)9が設置されているものである。そして、
その他の点では実施例1によるリード検査装置と同一の
構成とされている。なお、反射鏡8の傾斜角θ2 は45
゜<θ2 ≦55゜の範囲であればよく、55゜に限定さ
れるものではない。
In the lead inspection apparatus of the present embodiment, a reflection mirror (light reflecting means) 8 is attached to the inspection stage 2 at an inclination angle θ 2 of 55 ° toward the lead 1b, and the inspection stage 2 is placed in a substantially vertical direction. One CCD camera (read observation means) 9 is installed in the. And
In other respects, it has the same configuration as the lead inspection apparatus according to the first embodiment. The inclination angle θ 2 of the reflecting mirror 8 is 45
It may be in the range of ° <θ 2 ≤55 °, and is not limited to 55 °.

【0032】本実施例のリード検査装置では、光源6か
ら照射される光により、垂直方向から見たリード1bが
直接に、また、反射鏡8の反射を介して斜め上方から見
たリード1bが間接に、それぞれ1台のCCDカメラ9
により観測される。したがって、得られる画像は図6に
示すように、直接観測による垂直方向からのシルエット
が左半分に、反射鏡8による斜めからのシルエットが右
半分に表されたものになる。
In the lead inspection apparatus of this embodiment, the lead 1b viewed from the vertical direction is directly irradiated by the light emitted from the light source 6, and the lead 1b viewed obliquely from above is reflected by the reflection mirror 8. Indirectly, one CCD camera 9 each
Observed by. Therefore, as shown in FIG. 6, the obtained image is such that the silhouette from the vertical direction by direct observation is shown in the left half, and the diagonal silhouette by the reflecting mirror 8 is shown in the right half.

【0033】実施例1に示すものと同様にのリード1
bが変形した半導体装置1を本検査装置で検査した場合
には、ずれ量Xは直接に、正味の浮き量WはX,Hを計
算式に代入して求められる点では同じであるが、反射鏡
8の傾斜角θ2 を考慮する必要があるために、正味の浮
き量Wを算出する計算式は次のようになる。
Lead 1 similar to that shown in Example 1
When the semiconductor device 1 in which b is deformed is inspected by this inspection device, the deviation amount X is directly obtained, and the net floating amount W is obtained by substituting X and H into the calculation formula. Since it is necessary to consider the tilt angle θ 2 of the reflecting mirror 8, the calculation formula for calculating the net floating amount W is as follows.

【0034】[0034]

【数2】 [Equation 2]

【0035】なお、リード1bの先端のずれが基準線5
から外方か内方かによってXの符号が異なる点は数1と
共通である。
The deviation of the tip of the lead 1b is caused by the reference line 5.
The point that the sign of X differs depending on whether it is outward or inward is common to the equation 1.

【0036】本実施例のリード検査装置では、1台のC
CDカメラ9によって2方向からのリード1bのシルエ
ットが同時に観測されてずれ量Xと浮き量Wとが計測さ
れるので、種々の形態のリード1bの変形を確実に検出
することが可能になるのみならず、検査処理時間の短縮
化を図ることができ、さらに、部品点数の削減による信
頼性の向上やコストの低減、装置の小型化を図ることも
可能になる。
In the lead inspection apparatus of this embodiment, one C
Since the CD camera 9 simultaneously observes the silhouette of the lead 1b from two directions and measures the shift amount X and the floating amount W, it is possible to reliably detect the deformation of the lead 1b in various forms. In addition, the inspection processing time can be shortened, and further, the reliability can be improved by reducing the number of parts, the cost can be reduced, and the apparatus can be downsized.

【0037】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0038】たとえば、本実施例では面実装型の2方向
リードであるSOPタイプの半導体装置1のリード1b
の変形が観測されるが、外方に向かってリード1bが延
出された他の種々の半導体装置のリードの変形を計測す
ることが可能である。
For example, in this embodiment, the lead 1b of the SOP type semiconductor device 1 which is a surface mount type bidirectional lead.
Although the deformation of the semiconductor device is observed, it is possible to measure the deformation of the leads of other various semiconductor devices in which the lead 1b is extended outward.

【0039】なお、実施例1における第1および第2の
CCDカメラ3,4、あるいは実施例2におけるCCD
カメラ9は導出される方向分だけ設置するのが望まし
い。したがって、本実施例に示すようなSOPなどの2
方向リードであれば2台、たとえばQFP(Quad Flat
Package)などの4方向リードであれば4台設置される。
The first and second CCD cameras 3 and 4 in the first embodiment or the CCD in the second embodiment.
It is desirable to install the cameras 9 only in the direction in which they are led out. Therefore, 2 such as SOP as shown in this embodiment is used.
Two directional leads, for example, QFP (Quad Flat
If it is a 4-way lead such as Package), 4 units will be installed.

【0040】[0040]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
The effects obtained by the typical inventions among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0041】(1).すなわち、本発明のリード検査装置に
よれば、リードが検査ステージの垂直方向および斜め上
方の2方向から観測されるので、リードがスタンドオフ
以上に浮いている場合、リードの先端が浮いているが曲
げ根元は検査ステージに接触している場合、スタンドオ
フが殆どあるいは全くない場合などであっても、リード
の変形を確実に検出することが可能になる。
(1) That is, according to the lead inspection apparatus of the present invention, the leads are observed from two directions, the vertical direction and the obliquely upper side of the inspection stage. Therefore, when the leads float above the standoff, The deformation of the lead can be reliably detected even when the tip of the lead is floating but the bending root is in contact with the inspection stage, or when there is little or no standoff.

【0042】(2).光反射手段を用いて2方向からのリー
ドの観測画像を1つの画面で得ることにより、検査処理
時間の短縮化を図ることができる。また、部品点数が削
減されて、信頼性の向上やコストの低減、装置の小型化
を図ることも可能になる。
(2) By using the light reflecting means to obtain the observation images of the leads from two directions on one screen, the inspection processing time can be shortened. Moreover, the number of parts is reduced, and it is possible to improve reliability, reduce cost, and downsize the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1によるリード検査装置の一部
を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a part of a lead inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のリード検査装置によって観測される画像
を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an image observed by the lead inspection apparatus of FIG.

【図3】図1のリード検査装置によって観測される画像
を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an image observed by the lead inspection apparatus of FIG.

【図4】図1のリード検査装置による計測メカニズムを
示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a measurement mechanism by the lead inspection apparatus of FIG.

【図5】本発明の実施例2によるリード検査装置を示す
断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a lead inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図5のリード検査装置によって観測される画像
を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an image observed by the lead inspection apparatus of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置 1a 本体 1b リード 2 検査ステージ 3 第1のCCDカメラ(第1の観測手段) 4 第2のCCDカメラ(第2の観測手段) 5 基準線 6 光源 7 制御部 8 反射鏡(光反射手段) 9 CCDカメラ(リード観測手段) H 浮き量 W 浮き量 X ずれ量 θ1 傾斜角 θ2 傾斜角1 semiconductor device 1a main body 1b lead 2 inspection stage 3 first CCD camera (first observing means) 4 second CCD camera (second observing means) 5 reference line 6 light source 7 control section 8 reflector (light reflection) Means) 9 CCD camera (lead observation means) H Float amount W Float amount X Deviation amount θ 1 Tilt angle θ 2 Tilt angle

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置の本体から延在されたリード
の変形を検査するリード検査装置であって、 前記半導体装置を所定位置に保持する検査ステージと、 前記リードに光を照射する光源と、 前記検査ステージのほぼ垂直方向に設置され、前記光源
からの光の照射により前記リードを観測する第1の観測
手段と、 前記検査ステージに対して所定の傾斜角θ1 を有する方
向に設置され、同様に前記光源からの光の照射により前
記リードを観測する第2の観測手段とを有することを特
徴とするリード検査装置。
1. A lead inspection apparatus for inspecting a deformation of a lead extending from a main body of a semiconductor device, the inspection stage holding the semiconductor device at a predetermined position, and a light source for irradiating the lead with light. Installed in a substantially vertical direction of the inspection stage, a first observation means for observing the lead by irradiation of light from the light source, and installed in a direction having a predetermined inclination angle θ 1 with respect to the inspection stage, Similarly, a lead inspection apparatus having a second observation means for observing the lead by irradiation of light from the light source.
【請求項2】 請求項1記載のリード検査装置におい
て、前記第2の観測手段の傾斜角θ1 は0゜<θ1 ≦1
0゜であることを特徴とするリード検査装置。
2. The lead inspection apparatus according to claim 1, wherein the inclination angle θ 1 of the second observation means is 0 ° <θ 1 ≦ 1.
Lead inspection device characterized by being 0 °.
【請求項3】 半導体装置の本体から延在されたリード
の変形を検査するリード検査装置であって、 前記半導体装置を所定位置に保持する検査ステージと、 前記リードに光を照射する光源と、 前記検査ステージに45゜を超える傾斜角θ2 をもって
前記リードに向けて取り付けられた光反射手段と、 前記検査ステージのほぼ垂直方向に設置され、前記光源
からの光の照射により前記リードを直接観測するととも
に前記光反射手段を介して前記リードを観測するリード
観測手段とを有することを特徴とするリード検査装置。
3. A lead inspection apparatus for inspecting a deformation of a lead extending from a main body of a semiconductor device, the inspection stage holding the semiconductor device at a predetermined position, and a light source for irradiating the lead with light. A light reflecting means attached to the inspection stage at an inclination angle θ 2 of more than 45 °, and a light reflection means installed substantially vertically to the inspection stage, and directly observing the lead by irradiation of light from the light source. And a lead observation device for observing the lead via the light reflection device.
【請求項4】 請求項3記載のリード検査装置におい
て、前記光反射手段の傾斜角θ2 は45゜<θ2 ≦55
゜であることを特徴とするリード検査装置。
4. The lead inspection apparatus according to claim 3, wherein the inclination angle θ 2 of the light reflecting means is 45 ° <θ 2 ≦ 55.
Lead inspection device characterized by being at a degree.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれか一項に記載のリ
ード検査装置において、前記検査ステージは透明性を有
する部材からなり、前記光源は前記第1の観測手段また
は前記リード観測手段と対向する位置に設置されて前記
検査ステージを介して前記リードに光を照射することを
特徴とするリード検査装置。
5. The lead inspection apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the inspection stage is made of a transparent member, and the light source is the first observation means or the lead observation means. A lead inspection apparatus, which is installed at a position facing each other, and irradiates the lead with light through the inspection stage.
JP20549095A 1995-08-11 1995-08-11 Lead inspection device Pending JPH0955413A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100338194B1 (en) * 1999-10-16 2002-05-27 김주환 Inspection system of Semiconductor device package with 3 dimension type and the inspection method thereof

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