JPH0955413A - リード検査装置 - Google Patents
リード検査装置Info
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- JPH0955413A JPH0955413A JP20549095A JP20549095A JPH0955413A JP H0955413 A JPH0955413 A JP H0955413A JP 20549095 A JP20549095 A JP 20549095A JP 20549095 A JP20549095 A JP 20549095A JP H0955413 A JPH0955413 A JP H0955413A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のリードの変形を確実に検出でき
るリード検査装置を提供する。 【構成】 半導体装置１を所定位置に保持する検査ステ
ージ２と、リード１ｂに光を照射する光源６と、検査ス
テージ２のほぼ垂直方向に設置され、光源６からの光の
照射によりリード１ｂを観測する第１のＣＣＤカメラ３
と、検査ステージ２に対して０゜＜θ1 ≦１０゜の傾斜
角θ1 を有する方向に設置され、同様に光源６からの光
の照射によりリード１ｂを観測する第２のＣＣＤカメラ
４とを有するリード検査装置である。
るリード検査装置を提供する。 【構成】 半導体装置１を所定位置に保持する検査ステ
ージ２と、リード１ｂに光を照射する光源６と、検査ス
テージ２のほぼ垂直方向に設置され、光源６からの光の
照射によりリード１ｂを観測する第１のＣＣＤカメラ３
と、検査ステージ２に対して０゜＜θ1 ≦１０゜の傾斜
角θ1 を有する方向に設置され、同様に光源６からの光
の照射によりリード１ｂを観測する第２のＣＣＤカメラ
４とを有するリード検査装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に設けられ
たリードの変形を検査するリード検査装置に関する。
たリードの変形を検査するリード検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の薄型化や高集積化が進行す
る中で、周辺装置との電気的接続を行うリードについて
もファインピッチ化や微細化が一層促進されている。そ
のため、切断成形されたリードの曲がりや寸法不足、あ
るいは面実装タイプの半導体装置におけるリード浮きが
発生しやすい状況になっている。
る中で、周辺装置との電気的接続を行うリードについて
もファインピッチ化や微細化が一層促進されている。そ
のため、切断成形されたリードの曲がりや寸法不足、あ
るいは面実装タイプの半導体装置におけるリード浮きが
発生しやすい状況になっている。
【０００３】そして、リードの変形は実装後における導
通不良の原因となるために、これを発見して所定の対策
を講じることが必要である。
通不良の原因となるために、これを発見して所定の対策
を講じることが必要である。
【０００４】そこで、組立完了後の半導体装置に対し
て、リード検査装置を用いてリードの変形を検査するこ
とが行われている。このリード検査装置は、たとえばプ
レスジャーナル社発行「93〜94年度版 半導体製造装置
・材料総合ガイドブック」平成4年11月10日発行、P29
8、P304などに紹介されている。
て、リード検査装置を用いてリードの変形を検査するこ
とが行われている。このリード検査装置は、たとえばプ
レスジャーナル社発行「93〜94年度版 半導体製造装置
・材料総合ガイドブック」平成4年11月10日発行、P29
8、P304などに紹介されている。
【０００５】リード検査装置の構造としては、たとえば
検査ステージに保持された半導体装置に対して、検査ス
テージと装置下面とで形成される隙間（スタンドオフ）
を透過するように側方から光を照射してリードのシルエ
ットをカメラで捉え、これによってリードの浮きやピッ
チを計測するものが考えられる。
検査ステージに保持された半導体装置に対して、検査ス
テージと装置下面とで形成される隙間（スタンドオフ）
を透過するように側方から光を照射してリードのシルエ
ットをカメラで捉え、これによってリードの浮きやピッ
チを計測するものが考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなリ
ード検査装置によれば、リードがスタンドオフ以上に浮
いている場合には、これをシルエットとして捉えること
ができず、計測不能になるという問題が予想される。特
に、スタンドオフが小さくなる傾向にある最近の薄型パ
ッケージでは、この問題が顕著になるものと想定され
る。
ード検査装置によれば、リードがスタンドオフ以上に浮
いている場合には、これをシルエットとして捉えること
ができず、計測不能になるという問題が予想される。特
に、スタンドオフが小さくなる傾向にある最近の薄型パ
ッケージでは、この問題が顕著になるものと想定され
る。
【０００７】また、先端は浮いているのに曲げ根元が検
査ステージに接触している形態のリード変形では、先端
の浮きが計測されない可能性がある。
査ステージに接触している形態のリード変形では、先端
の浮きが計測されない可能性がある。
【０００８】他のリード検査装置の構造としては、反射
照明を用いてリードの先端に向けて光を照射して像を捉
え、前記した先端の浮きを計測するものが考えられる
が、先端の断面が汚れていたり先端部がダレていたりす
ると計測が困難になる。
照明を用いてリードの先端に向けて光を照射して像を捉
え、前記した先端の浮きを計測するものが考えられる
が、先端の断面が汚れていたり先端部がダレていたりす
ると計測が困難になる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、半導体装置のリ
ードの浮き、曲がり、寸法不足といった変形を確実に検
出することのできる技術を提供することにある。
ードの浮き、曲がり、寸法不足といった変形を確実に検
出することのできる技術を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１２】すなわち、本発明によるリード検査装置
は、半導体装置の本体から延在されたリードの変形を検
査するものであり、半導体装置を所定位置に保持する検
査ステージと、リードに光を照射する光源と、検査ステ
ージのほぼ垂直方向に設置され、光源からの光の照射に
よりリードを観測する第１の観測手段と、検査ステージ
に対して所定の傾斜角θ1 を有する方向に設置され、同
様に光源からの光の照射によりリードを観測する第２の
観測手段とを有するものである。第２の観測手段の傾斜
角θ1 は０゜＜θ1 ≦１０゜とするのがよい。
は、半導体装置の本体から延在されたリードの変形を検
査するものであり、半導体装置を所定位置に保持する検
査ステージと、リードに光を照射する光源と、検査ステ
ージのほぼ垂直方向に設置され、光源からの光の照射に
よりリードを観測する第１の観測手段と、検査ステージ
に対して所定の傾斜角θ1 を有する方向に設置され、同
様に光源からの光の照射によりリードを観測する第２の
観測手段とを有するものである。第２の観測手段の傾斜
角θ1 は０゜＜θ1 ≦１０゜とするのがよい。
【００１３】また、本発明によるリード検査装置は、半
導体装置の本体から延在されたリードの変形を検査する
ものであり、半導体装置を所定位置に保持する検査ステ
ージと、リードに光を照射する光源と、検査ステージに
４５゜を超える傾斜角θ2 をもってリードに向けて取り
付けられた光反射手段と、検査ステージのほぼ垂直方向
に設置され、光源からの光の照射によりリードを直接観
測するとともに光反射手段を介してリードを観測するリ
ード観測手段とを有するものである。光反射手段の傾斜
角θ2 は４５゜＜θ2 ≦５５゜とするのがよい。
導体装置の本体から延在されたリードの変形を検査する
ものであり、半導体装置を所定位置に保持する検査ステ
ージと、リードに光を照射する光源と、検査ステージに
４５゜を超える傾斜角θ2 をもってリードに向けて取り
付けられた光反射手段と、検査ステージのほぼ垂直方向
に設置され、光源からの光の照射によりリードを直接観
測するとともに光反射手段を介してリードを観測するリ
ード観測手段とを有するものである。光反射手段の傾斜
角θ2 は４５゜＜θ2 ≦５５゜とするのがよい。
【００１４】これらのリード検査装置では、検査ステー
ジを透明性を有する部材で構成し、光源を第１の観測手
段またはリード観測手段と対向する位置に設置して検査
ステージを介してリードに光を照射するようにしてもよ
い。
ジを透明性を有する部材で構成し、光源を第１の観測手
段またはリード観測手段と対向する位置に設置して検査
ステージを介してリードに光を照射するようにしてもよ
い。
【００１５】
【作用】上記のような構成のリード検査装置によれば、
リードが検査ステージの垂直方向および斜め上方の２方
向から観測されるので、リードがスタンドオフ以上に浮
いている場合、リードの先端が浮いているが曲げ根元は
検査ステージに接触している場合、スタンドオフが殆ど
あるいは全くない場合などであっても、リードの変形を
確実に検出することが可能になる。
リードが検査ステージの垂直方向および斜め上方の２方
向から観測されるので、リードがスタンドオフ以上に浮
いている場合、リードの先端が浮いているが曲げ根元は
検査ステージに接触している場合、スタンドオフが殆ど
あるいは全くない場合などであっても、リードの変形を
確実に検出することが可能になる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返し
の説明は省略する。
細に説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返し
の説明は省略する。
【００１７】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
るリード検査装置の一部を示す概略図、図２および図３
はそのリード検査装置によって観測される画像を示す説
明図、図４はそのリード検査装置による計測メカニズム
を示す説明図である。なお、図１においては装置の右半
分が示されているが、左半分も同様の構成となってい
る。
るリード検査装置の一部を示す概略図、図２および図３
はそのリード検査装置によって観測される画像を示す説
明図、図４はそのリード検査装置による計測メカニズム
を示す説明図である。なお、図１においては装置の右半
分が示されているが、左半分も同様の構成となってい
る。
【００１８】本実施例のリード検査装置は、半導体装置
１の本体１ａから延びたリード１ｂの変形、つまり曲が
り、浮き、寸法不良などを検出するものであり、図１に
示すように、半導体装置１を所定位置に保持する検査ス
テージ２のほぼ垂直方向の上方には第１のＣＣＤカメラ
（第１の観測手段）３が、斜め側方には第２のＣＣＤカ
メラ（第２の観測手段）４がそれぞれ設置されいる。第
２のＣＣＤカメラ４は検査ステージ２に対して１０゜の
傾斜角θ1 を有しており、検査ステージ２上に保持され
たリード１ｂを斜め上から観測するようになっている。
なお、第２のＣＣＤカメラ４の傾斜角θ1 は、想定され
るリード１ｂの上向きの変形量を勘案すると０゜＜θ1
≦１０゜の範囲内とされていることが望ましいが、本実
施例のような１０゜に限定されるものでない。さらに、
この範囲内で傾斜角θ1 が可変とされていてもよい。
１の本体１ａから延びたリード１ｂの変形、つまり曲が
り、浮き、寸法不良などを検出するものであり、図１に
示すように、半導体装置１を所定位置に保持する検査ス
テージ２のほぼ垂直方向の上方には第１のＣＣＤカメラ
（第１の観測手段）３が、斜め側方には第２のＣＣＤカ
メラ（第２の観測手段）４がそれぞれ設置されいる。第
２のＣＣＤカメラ４は検査ステージ２に対して１０゜の
傾斜角θ1 を有しており、検査ステージ２上に保持され
たリード１ｂを斜め上から観測するようになっている。
なお、第２のＣＣＤカメラ４の傾斜角θ1 は、想定され
るリード１ｂの上向きの変形量を勘案すると０゜＜θ1
≦１０゜の範囲内とされていることが望ましいが、本実
施例のような１０゜に限定されるものでない。さらに、
この範囲内で傾斜角θ1 が可変とされていてもよい。
【００１９】半導体装置１が支持される検査面がフラッ
トにされた検査ステージ２には、図２および図３に示す
ように、基準線５が引かれており、半導体装置１はその
リード１ｂの先端がこの基準線５に合うようにして検査
ステージ２に保持される。検査ステージ２は、たとえば
半透明である乳白色のアクリルからなっている。但し、
構成部材はアクリルに限定されるものではなく、透明あ
るいは半透明の部材つまり透明性を有する部材であれば
種々のものを用いることができる。なお、基準線５は、
検査する半導体装置１のサイズに応じて位置の変更が可
能とされているのが望ましい。
トにされた検査ステージ２には、図２および図３に示す
ように、基準線５が引かれており、半導体装置１はその
リード１ｂの先端がこの基準線５に合うようにして検査
ステージ２に保持される。検査ステージ２は、たとえば
半透明である乳白色のアクリルからなっている。但し、
構成部材はアクリルに限定されるものではなく、透明あ
るいは半透明の部材つまり透明性を有する部材であれば
種々のものを用いることができる。なお、基準線５は、
検査する半導体装置１のサイズに応じて位置の変更が可
能とされているのが望ましい。
【００２０】検査ステージ２の下方、すなわち保持され
た半導体装置１の背面側には、アクリルの検査ステージ
２を介してリード１ｂに光を照射する光源６が設けられ
ている。したがって、光源６と対向する位置に設けられ
た第１のＣＣＤカメラ３および検査ステージ２の斜め上
方に設けられた第２のＣＣＤカメラ４では、光源６から
照射された光が検査ステージ２で拡散されて、適正な観
測条件のもとにリード１ｂのシルエットが観測される。
なお、検査ステージ２を透明性を有しない部材で構成
し、光源６を検査ステージ２の上方で且つ第１および第
２のＣＣＤカメラ３，４と干渉しない位置に設置するよ
うにして、透過光ではなく反射光によるシルエットを観
測するようにしてもよい。
た半導体装置１の背面側には、アクリルの検査ステージ
２を介してリード１ｂに光を照射する光源６が設けられ
ている。したがって、光源６と対向する位置に設けられ
た第１のＣＣＤカメラ３および検査ステージ２の斜め上
方に設けられた第２のＣＣＤカメラ４では、光源６から
照射された光が検査ステージ２で拡散されて、適正な観
測条件のもとにリード１ｂのシルエットが観測される。
なお、検査ステージ２を透明性を有しない部材で構成
し、光源６を検査ステージ２の上方で且つ第１および第
２のＣＣＤカメラ３，４と干渉しない位置に設置するよ
うにして、透過光ではなく反射光によるシルエットを観
測するようにしてもよい。
【００２１】第１および第２のＣＣＤカメラ３，４に取
り込まれたシルエットからリード１ｂの変形を計測する
ために、これらのカメラ３，４と電気的に接続されて制
御部７が設けられている。この制御部７では、観測され
たリード１ｂの寸法と予め入力された正規のリード寸法
と比較することで変形量が算出されるようになってい
る。なお、リード１ｂに変形がない場合には半導体装置
は次工程に移送され、変形が計測された場合には不良品
としてラインからはずされるとともに所定の処置が施さ
れる。
り込まれたシルエットからリード１ｂの変形を計測する
ために、これらのカメラ３，４と電気的に接続されて制
御部７が設けられている。この制御部７では、観測され
たリード１ｂの寸法と予め入力された正規のリード寸法
と比較することで変形量が算出されるようになってい
る。なお、リード１ｂに変形がない場合には半導体装置
は次工程に移送され、変形が計測された場合には不良品
としてラインからはずされるとともに所定の処置が施さ
れる。
【００２２】このようなリード検査装置では、たとえば
面実装タイプであるＳＯＰ（SamllOutline Package)の
半導体装置１のリード１ｂの変形が計測される。
面実装タイプであるＳＯＰ（SamllOutline Package)の
半導体装置１のリード１ｂの変形が計測される。
【００２３】光源６からリード１ｂに向けて光が照射さ
れると、第１のＣＣＤカメラ３では図２に示す画像が、
第２のＣＣＤカメラ４では図３に示す画像がそれぞれ観
測される。本実施例では、〜の５本のリード１ｂ
（図１、図４）のうちのリード１ｂが浮いている状態
のものが示されている。
れると、第１のＣＣＤカメラ３では図２に示す画像が、
第２のＣＣＤカメラ４では図３に示す画像がそれぞれ観
測される。本実施例では、〜の５本のリード１ｂ
（図１、図４）のうちのリード１ｂが浮いている状態
のものが示されている。
【００２４】のリード１ｂは、図２において、その先
端が基準線５からＸだけ離れており、図３において基準
線５からＨだけ離れている。このような図２および図３
の画像は、のリード１ｂが図４に示す状態にある場合
に観測される。すなわち、図４において、のリード１
ｂは、第１のＣＣＤカメラ３で垂直方向から観測したと
きに基準線５（ここでは点で現れる）に対してずれ量Ｘ
（このずれ量Ｘは、垂直方向からの観測により得られて
いるので、正味のずれ量Ｘである。）を有し、第２のＣ
ＣＤカメラ４で基準線５に対して傾斜角θ1 の角度から
観測したときに浮き量Ｈ（この浮き量Ｈは、斜めからの
観測により得られているので、リード１ｂ先端の見掛け
の浮き量Ｈである。）を有しているものである。そし
て、図２および図３におけるＸ，Ｈにそれぞれ投影され
ている。
端が基準線５からＸだけ離れており、図３において基準
線５からＨだけ離れている。このような図２および図３
の画像は、のリード１ｂが図４に示す状態にある場合
に観測される。すなわち、図４において、のリード１
ｂは、第１のＣＣＤカメラ３で垂直方向から観測したと
きに基準線５（ここでは点で現れる）に対してずれ量Ｘ
（このずれ量Ｘは、垂直方向からの観測により得られて
いるので、正味のずれ量Ｘである。）を有し、第２のＣ
ＣＤカメラ４で基準線５に対して傾斜角θ1 の角度から
観測したときに浮き量Ｈ（この浮き量Ｈは、斜めからの
観測により得られているので、リード１ｂ先端の見掛け
の浮き量Ｈである。）を有しているものである。そし
て、図２および図３におけるＸ，Ｈにそれぞれ投影され
ている。
【００２５】したがって、図４で示す正味の浮き量Ｗは
次式で求められる。
次式で求められる。
【００２６】
【数１】
【００２７】なお、Ｘはリード１ｂの先端が基準線５か
ら外方にずれている場合には正、内方にずれている場合
には負の符号とされる。
ら外方にずれている場合には正、内方にずれている場合
には負の符号とされる。
【００２８】このように、本実施例のリード検査装置で
は、検査ステージ２の垂直方向に設置された第１のＣＣ
Ｄカメラ３により観測される図２の画像によってずれ量
Ｘが求められ、第１および第２のＣＣＤカメラ３，４に
より観測される図２および図３の画像から得られるＸ，
Ｈを数１に示す式に代入することによって正味の浮き量
Ｗが求められる。
は、検査ステージ２の垂直方向に設置された第１のＣＣ
Ｄカメラ３により観測される図２の画像によってずれ量
Ｘが求められ、第１および第２のＣＣＤカメラ３，４に
より観測される図２および図３の画像から得られるＸ，
Ｈを数１に示す式に代入することによって正味の浮き量
Ｗが求められる。
【００２９】したがって、リード１ｂがスタンドオフ以
上に浮いている場合、リード１ｂの先端が浮いているが
曲げ根元は検査ステージ２に接触している場合、スタン
ドオフが殆どあるいは全くない場合などであっても、リ
ード１ｂの変形を確実に検出することが可能になる。
上に浮いている場合、リード１ｂの先端が浮いているが
曲げ根元は検査ステージ２に接触している場合、スタン
ドオフが殆どあるいは全くない場合などであっても、リ
ード１ｂの変形を確実に検出することが可能になる。
【００３０】（実施例２）図５は本発明の他の実施例で
あるリード検査装置の一部を示す概略図、図６はそのリ
ード検査装置によって観測される画像を示す説明図であ
る。なお、図５においても装置の右半分が示されている
が、左半分も同様の構成となっている。
あるリード検査装置の一部を示す概略図、図６はそのリ
ード検査装置によって観測される画像を示す説明図であ
る。なお、図５においても装置の右半分が示されている
が、左半分も同様の構成となっている。
【００３１】本実施例のリード検査装置では、検査ステ
ージ２に５５゜の傾斜角θ2 をもってリード１ｂに向け
て反射鏡（光反射手段）８が取り付けられており、検査
ステージ２のほぼ垂直方向に１台のＣＣＤカメラ（リー
ド観測手段）９が設置されているものである。そして、
その他の点では実施例１によるリード検査装置と同一の
構成とされている。なお、反射鏡８の傾斜角θ2 は４５
゜＜θ2 ≦５５゜の範囲であればよく、５５゜に限定さ
れるものではない。
ージ２に５５゜の傾斜角θ2 をもってリード１ｂに向け
て反射鏡（光反射手段）８が取り付けられており、検査
ステージ２のほぼ垂直方向に１台のＣＣＤカメラ（リー
ド観測手段）９が設置されているものである。そして、
その他の点では実施例１によるリード検査装置と同一の
構成とされている。なお、反射鏡８の傾斜角θ2 は４５
゜＜θ2 ≦５５゜の範囲であればよく、５５゜に限定さ
れるものではない。
【００３２】本実施例のリード検査装置では、光源６か
ら照射される光により、垂直方向から見たリード１ｂが
直接に、また、反射鏡８の反射を介して斜め上方から見
たリード１ｂが間接に、それぞれ１台のＣＣＤカメラ９
により観測される。したがって、得られる画像は図６に
示すように、直接観測による垂直方向からのシルエット
が左半分に、反射鏡８による斜めからのシルエットが右
半分に表されたものになる。
ら照射される光により、垂直方向から見たリード１ｂが
直接に、また、反射鏡８の反射を介して斜め上方から見
たリード１ｂが間接に、それぞれ１台のＣＣＤカメラ９
により観測される。したがって、得られる画像は図６に
示すように、直接観測による垂直方向からのシルエット
が左半分に、反射鏡８による斜めからのシルエットが右
半分に表されたものになる。
【００３３】実施例１に示すものと同様にのリード１
ｂが変形した半導体装置１を本検査装置で検査した場合
には、ずれ量Ｘは直接に、正味の浮き量ＷはＸ，Ｈを計
算式に代入して求められる点では同じであるが、反射鏡
８の傾斜角θ2 を考慮する必要があるために、正味の浮
き量Ｗを算出する計算式は次のようになる。
ｂが変形した半導体装置１を本検査装置で検査した場合
には、ずれ量Ｘは直接に、正味の浮き量ＷはＸ，Ｈを計
算式に代入して求められる点では同じであるが、反射鏡
８の傾斜角θ2 を考慮する必要があるために、正味の浮
き量Ｗを算出する計算式は次のようになる。
【００３４】
【数２】
【００３５】なお、リード１ｂの先端のずれが基準線５
から外方か内方かによってＸの符号が異なる点は数１と
共通である。
から外方か内方かによってＸの符号が異なる点は数１と
共通である。
【００３６】本実施例のリード検査装置では、１台のＣ
ＣＤカメラ９によって２方向からのリード１ｂのシルエ
ットが同時に観測されてずれ量Ｘと浮き量Ｗとが計測さ
れるので、種々の形態のリード１ｂの変形を確実に検出
することが可能になるのみならず、検査処理時間の短縮
化を図ることができ、さらに、部品点数の削減による信
頼性の向上やコストの低減、装置の小型化を図ることも
可能になる。
ＣＤカメラ９によって２方向からのリード１ｂのシルエ
ットが同時に観測されてずれ量Ｘと浮き量Ｗとが計測さ
れるので、種々の形態のリード１ｂの変形を確実に検出
することが可能になるのみならず、検査処理時間の短縮
化を図ることができ、さらに、部品点数の削減による信
頼性の向上やコストの低減、装置の小型化を図ることも
可能になる。
【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３８】たとえば、本実施例では面実装型の２方向
リードであるＳＯＰタイプの半導体装置１のリード１ｂ
の変形が観測されるが、外方に向かってリード１ｂが延
出された他の種々の半導体装置のリードの変形を計測す
ることが可能である。
リードであるＳＯＰタイプの半導体装置１のリード１ｂ
の変形が観測されるが、外方に向かってリード１ｂが延
出された他の種々の半導体装置のリードの変形を計測す
ることが可能である。
【００３９】なお、実施例１における第１および第２の
ＣＣＤカメラ３，４、あるいは実施例２におけるＣＣＤ
カメラ９は導出される方向分だけ設置するのが望まし
い。したがって、本実施例に示すようなＳＯＰなどの２
方向リードであれば２台、たとえばＱＦＰ（Quad Flat
Package)などの４方向リードであれば４台設置される。
ＣＣＤカメラ３，４、あるいは実施例２におけるＣＣＤ
カメラ９は導出される方向分だけ設置するのが望まし
い。したがって、本実施例に示すようなＳＯＰなどの２
方向リードであれば２台、たとえばＱＦＰ（Quad Flat
Package)などの４方向リードであれば４台設置される。
【００４０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
【００４１】(1).すなわち、本発明のリード検査装置に
よれば、リードが検査ステージの垂直方向および斜め上
方の２方向から観測されるので、リードがスタンドオフ
以上に浮いている場合、リードの先端が浮いているが曲
げ根元は検査ステージに接触している場合、スタンドオ
フが殆どあるいは全くない場合などであっても、リード
の変形を確実に検出することが可能になる。
よれば、リードが検査ステージの垂直方向および斜め上
方の２方向から観測されるので、リードがスタンドオフ
以上に浮いている場合、リードの先端が浮いているが曲
げ根元は検査ステージに接触している場合、スタンドオ
フが殆どあるいは全くない場合などであっても、リード
の変形を確実に検出することが可能になる。
【００４２】(2).光反射手段を用いて２方向からのリー
ドの観測画像を１つの画面で得ることにより、検査処理
時間の短縮化を図ることができる。また、部品点数が削
減されて、信頼性の向上やコストの低減、装置の小型化
を図ることも可能になる。
ドの観測画像を１つの画面で得ることにより、検査処理
時間の短縮化を図ることができる。また、部品点数が削
減されて、信頼性の向上やコストの低減、装置の小型化
を図ることも可能になる。
【図１】本発明の実施例１によるリード検査装置の一部
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図２】図１のリード検査装置によって観測される画像
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】図１のリード検査装置によって観測される画像
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】図１のリード検査装置による計測メカニズムを
示す説明図である。
示す説明図である。
【図５】本発明の実施例２によるリード検査装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】図５のリード検査装置によって観測される画像
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１ 半導体装置 １ａ 本体 １ｂ リード ２ 検査ステージ ３ 第１のＣＣＤカメラ（第１の観測手段） ４ 第２のＣＣＤカメラ（第２の観測手段） ５ 基準線 ６ 光源 ７ 制御部 ８ 反射鏡（光反射手段） ９ ＣＣＤカメラ（リード観測手段） Ｈ 浮き量 Ｗ 浮き量 Ｘ ずれ量 θ1 傾斜角 θ2 傾斜角
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置の本体から延在されたリード
の変形を検査するリード検査装置であって、 前記半導体装置を所定位置に保持する検査ステージと、 前記リードに光を照射する光源と、 前記検査ステージのほぼ垂直方向に設置され、前記光源
からの光の照射により前記リードを観測する第１の観測
手段と、 前記検査ステージに対して所定の傾斜角θ1 を有する方
向に設置され、同様に前記光源からの光の照射により前
記リードを観測する第２の観測手段とを有することを特
徴とするリード検査装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のリード検査装置におい
て、前記第２の観測手段の傾斜角θ1 は０゜＜θ1 ≦１
０゜であることを特徴とするリード検査装置。 - 【請求項３】 半導体装置の本体から延在されたリード
の変形を検査するリード検査装置であって、 前記半導体装置を所定位置に保持する検査ステージと、 前記リードに光を照射する光源と、 前記検査ステージに４５゜を超える傾斜角θ2 をもって
前記リードに向けて取り付けられた光反射手段と、 前記検査ステージのほぼ垂直方向に設置され、前記光源
からの光の照射により前記リードを直接観測するととも
に前記光反射手段を介して前記リードを観測するリード
観測手段とを有することを特徴とするリード検査装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のリード検査装置におい
て、前記光反射手段の傾斜角θ2 は４５゜＜θ2 ≦５５
゜であることを特徴とするリード検査装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載のリ
ード検査装置において、前記検査ステージは透明性を有
する部材からなり、前記光源は前記第１の観測手段また
は前記リード観測手段と対向する位置に設置されて前記
検査ステージを介して前記リードに光を照射することを
特徴とするリード検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20549095A JPH0955413A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | リード検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20549095A JPH0955413A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | リード検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955413A true JPH0955413A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16507726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20549095A Pending JPH0955413A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | リード検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955413A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338194B1 (ko) * | 1999-10-16 | 2002-05-27 | 김주환 | 3차원 반도체 패키지 검사방법 및 검사장치 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP20549095A patent/JPH0955413A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338194B1 (ko) * | 1999-10-16 | 2002-05-27 | 김주환 | 3차원 반도체 패키지 검사방법 및 검사장치 |
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