JPH0955420A

JPH0955420A - 静電吸着機構

Info

Publication number: JPH0955420A
Application number: JP22732395A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Tamura; 好宏田村
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1995-08-11
Filing date: 1995-08-11
Publication date: 1997-02-25
Also published as: TW303503B; KR100224967B1; KR970013177A; US5948165A

Abstract

(57)【要約】【課題】固定ネジによる固定の場合、熱的に過酷な条
件で使用すると、誘電体ブロックの熱膨張率と固定ネジ
及びその周辺の部材の熱膨張率の相違から、固定ネジの
周辺部分に熱応力歪みが集中し、この部分で誘電体ブロ
ックが割れてしまうことがあった。【解決手段】電極体１の前側に配置され、誘電分極し
て被吸着物体３を静電的に吸着する誘電体部分２１を含
む誘電体ブロック２と、電極体１と誘電体ブロック２と
の間に介在された中間層８とからなり、中間層８は電極
体１又は誘電体ブロック２の熱変形を吸収する伸延性を
有するインジウム等の金属から形成され、加熱加圧され
ることによって電極体１と誘電体ブロック２を接合固定
している。誘電体ブロック２の接合面にはインジウムや
クロム等の薄膜９が作成され、中間層８による接合力や
密着性を高めている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願の発明は、物体を静電的
に吸着する機構に関するものであり、例えば真空を利用
して基板を処理する処理装置における基板保持のための
機構に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】物体を静電的に保持する技術は、真空を
利用して基板を処理する真空処理装置等に頻繁に採用さ
れている。図４は、従来の静電吸着機構の一例として、
プラズマＣＶＤ（化学的気層成長）装置に採用された静
電吸着機構の構成例を装置の構成とともに示す正面断面
概略図である。図４に示す静電吸着機構は、電極体１
と、電極体１の前側に配置され、電極体１を介して印加
される直流電圧によって誘電分極して被吸着物体を静電
的に吸着する誘電体部分２１を含む誘電体ブロック２と
を有している。

【０００３】まず、電極体１は、低い高さの円柱状又は
角柱状の部材であり、アルミニウム等の金属で形成され
ている。誘電体ブロック２は、基板を吸着する側に凸な
形状の円盤状又は角盤状の部材である。そして、その突
出した部分の表面において基板３を吸着するようになっ
ている。誘電体ブロック２は、酸化アルミニウムを主成
分とするセラミックス等で形成される。尚、以下の説明
では、基板３を吸着する側を「前」とし、それとは反対
側を「後ろ」とする。

【０００４】電極体１の前面は、誘電体ブロック２の後
面に固定されている。固定は、ネジ止めの方法により成
されている。即ち、電極体１には、固定ネジ４が螺合す
る貫通孔が形成され、固定ネジ４が貫通孔を貫通して前
方に突出するようになっている。そして、誘電体ブロッ
ク２の後面には、固定ネジ４の突出位置に相当する位置
に小さな凹部が設けられており、この凹部に嵌め込むよ
うにして金属製のタップ体５が設けられている。タップ
体５は、誘電体ブロック２を直接ネジ切りすることが困
難なために設けられるものであり、円筒状の部材の内面
にネジ切りした構成を有している。そして、このタップ
体５に対して固定ネジ４をねじ込むことにより、誘電体
ブロック２が電極体１に固定された状態となっている。

【０００５】上記電極体１には、プラズマとの相互作用
により基板３にバイアス電圧を印加するためのバイアス
用高周波電源６がブロッキング用コンデンサ６１を介し
て接続されている。また、電極体１には、静電吸着のた
めの直流電源７が、高周波を除去するフィルタ７１を介
して接続されている。尚、電極体１の内部には、温度調
節のための熱媒（気体又は液体）を流通させる流路１１
が形成されており、この流路１１に熱媒を供給及び回収
する配管１２，１３が設けられている。

【０００６】一方、誘電体ブロック２の内部には、補助
電極板２２が誘電体ブロック２の前面と平行な姿勢で埋
設されている。補助電極板２２と電極体１とは、導体よ
りなる接続ブロック２３によって電気的に接続されてい
る。尚、直流電源７によって補助電極板２２に印加され
る直流電圧は、補助電極板２２の上側の誘電体部分２１
を誘電分極させ、この誘電分極によって基板３が静電吸
着される。

【０００７】また尚、上記静電吸着機構を採用したプラ
ズマＣＶＤ装置は、上記静電吸着機構を内部に配置した
反応容器１００と、反応容器１００内を排気する排気系
１０１と、反応容器１００内の空間に連通させて設けた
プラズマチャンバ１０２と、反応容器１００内に所定の
ガスを導入するガス導入機構１０３と、プラズマチャン
バ１０２内に拡散したガスにエネルギーを与えてプラズ
マを形成する電力供給機構１０４とから主に構成され
る。

【０００８】図４に示すプラズマＣＶＤ装置は、ガス導
入機構１０３によって例えばモノシランガスと酸素ガス
とアルゴンガスとを導入し、電力供給機構１０４によっ
て所定の高周波電力を供給する。形成されたプラズマ中
でモノシランガスが分解し、静電吸着機構によって吸着
された基板３上に酸化硅素薄膜が堆積する。この際、バ
イアス用高周波電源６が動作してプラズマとの相互作用
により基板３に所定のバイアス電圧を印加する。これに
よってプラズマ中のイオンが基板３に衝突し、このイオ
ン衝突によるエネルギーが薄膜の成長を助ける働きをす
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】さて、上述したような
静電吸着機構は、熱的に過酷な環境で使用される場合が
頻繁にある。例えば上述したプラズマＣＶＤ装置に採用
されるものの場合、プラズマＣＶＤ処理中は、電極体は
内部に流通される熱媒によって１００℃程度に維持され
る。さらに、バイアス電圧によるイオン衝突により基板
は例えば４００℃程度まで加熱され、従って、静電吸着
機構もこの程度の温度になる。一方、一枚の基板のＣＶ
Ｄ処理が終了して次の基板の処理までの休止期間では、
プラズマは存在しないのでバイアス電圧も印加されず、
従って、静電吸着機構の温度は１００℃程度に戻る。そ
して、次の基板が搬入されて、プラズマＣＶＤ処理が開
始されると、再び４００℃程度まで加熱される。つま
り、静電吸着機構は、１００℃と４００℃との間で上昇
及び下降を繰り返すことになる。

【００１０】このように高温領域で激しく昇降を繰り返
すという熱的に過酷な条件で静電吸着機構を使用する
と、次のような問題が生ずる。即ち、セラミックス等の
誘電体ブロック２の熱膨張率と、金属よりなる電極体
１、タップ体５、固定ネジ４等の部材の熱膨張率の相違
から、固定ネジ４の周辺部分に熱応力歪みが集中し、こ
の部分で誘電体ブロック２が割れてしまうことがあっ
た。この問題を避けるため、接着剤を使用して電極体１
に誘電体ブロック２を接着する構成が考えられるが、温
度上昇により接着剤の有機成分が蒸発して基板に付着し
て、基板を汚染させる原因となる。また、有機成分の蒸
発により接着剤が劣化し、接着部分が剥がれてしまうと
いう問題も生ずると考えられる。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明は、電極体と、電極体の
前側に配置され、電極体を介して印加される直流電圧に
よって誘電分極して被吸着物体を静電的に吸着する誘電
体部分を含む誘電体ブロックと、電極体と誘電体ブロッ
クとの間に介在された中間層とからなり、中間層は、電
極体又は誘電体ブロックの熱変形を吸収する伸延性を有
する金属から形成され、所定の温度に加熱され所定の圧
力に加圧されることによって電極体と誘電体ブロックと
を接合しており、この接合によって誘電体ブロックが電
極体に固定されているという構成を有する。同様に上記
課題を解決するため、請求項２記載の発明は、上記請求
項１の構成において、中間層は、インジウムから形成さ
れているという構成を有する。同様に上記課題を解決す
るため、請求項３記載の発明は、上記請求項１又は２の
構成において、中間層と誘電体ブロックとの間には、誘
電体ブロックの表面に作成された所定の薄膜が介在され
ているという構成を有する。同様に上記課題を解決する
ため、請求項４記載の発明は、上記請求項３の構成にお
いて、薄膜は、インジウム又はクロムから形成されてい
るという構成を有する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。図１は、本願発明の静電吸着機構の実施
の形態を説明する正面断面概略図である。図１に示す静
電吸着機構は、図２に示す従来のものと同様、電極体１
と、電極体１の前側に配置され、電極体１を介して印加
される直流電圧によって誘電分極して被吸着物体を静電
的に吸着する誘電体部分２１を含む誘電体ブロック２と
を有している。

【００１３】電極体１は、従来のものと同様、低い高さ
の円柱状又は角柱状の部材であり、アルミニウム等の金
属で形成されている。誘電体ブロック２も従来のものと
同様、酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス等
で形成された凸な形状の円盤状又は角盤状の部材であ
る。そして、その凸の部分の表面において基板３を吸着
するようになっている。

【００１４】本実施態様の静電吸着機構が従来のものと
大きく異なるのは、電極体１と誘電体ブロック２との固
定が従来のような固定ネジによるのではなく、電極体１
と誘電体ブロック２との間に介在された中間層８による
異種材料接合によって達成されている点である。

【００１５】まず、中間層８は、材料としてはインジウ
ムで形成され、厚さは０．３〜１ｍｍ程度である。本実
施形態では、接合面を構成する電極体１の前面と誘電体
ブロック２の後面とはほぼ同一の寸法形状を有している
が、中間層８はこの接合面のほぼ全面に亘って配設され
ている。但し、電極体１の前面や誘電体ブロック２の後
面には、図に示す以外にもピンや管を配設するための開
口や凹部が設けられる場合がある。この場合、そのよう
な開口や凹部には中間層８は配設されない場合もある。
尚、中間層８の端部は接合面の端部から１ｍｍ程度内側
の位置に達している。

【００１６】インジウムよりなる中間層８による異種材
料接合は、以下の方法により達成される。まず、誘電体
ブロック２の後面に、インジウムの薄膜９を０．５〜１
μｍ程度の膜厚で作成する。この薄膜作成は、例えばス
パッタリング法又は真空蒸着法により行える。このよう
にインジウムの薄膜９を作成しておくと、誘電体ブロッ
ク２の後面の表面に存在する微小な凹凸又は表面粗さを
被覆して平坦な表面にできる。

【００１７】次に、電極体１を約１５０℃に加熱しなが
ら、電極体１の前面の中央に所定量のインジウムを盛
る。盛られたインジウムを例えば超音波半田こて等を利
用して融解させる。この際、融解したインジウムの表面
には、インジウムの酸化物やスラグと呼ばれる不純物が
浮いてくるので、この不純物を丁寧に取り除く。尚、こ
れらの不純物を取り除かない場合には、中間層８による
異種材料接合効果が低下する。このようにして融解した
インジウムが盛られた電極体１の前面に、上記インジウ
ム薄膜が形成された誘電体ブロック２の後面を重ね合わ
せる。この状態で両者を１８０℃程度まで加熱するとと
もに、接合面に対して約２０グラム／ｃｍ² の圧力にて
約１０分間加圧処理する。このように加圧処理すること
で、中間層８による接合部分に気泡を発生させることな
く接合することができる。尚、上記条件で接合した静電
吸着機構をＸ線撮影すると、気泡の生成割合は接合面の
全面積の１％以下であった。

【００１８】上述のような加圧処理が終了した後、２時
間以上かけて静電吸着機構を室温まで徐々に冷却させ
る。急激に冷却を行うと、やはり接合面に気泡が発生す
る等の不都合が生じる。尚、気泡が発生すると、中間層
８による接合部分の熱伝導効率の低下を招いたり、当該
静電吸着機構に高周波電力が印加された場合に気泡部分
で異常放電が生じたりする問題がある。このような接合
処理を行うことで、誘電体ブロック２は、インジウムよ
りなる中間層８を介して電極体１に接合固定される。
尚、以上の説明から明かであるが、「接合」とは単に両
者の表面を接触させるという意味ではなく、固定即ち相
当程度以上の力を加えない限り剥がれないという状態の
意味で使用されている。

【００１９】インジウムよりなる中間層８の加熱加圧に
よって誘電体と金属とが何故接合できるかについては、
現時点で完全に解明された訳ではないが、インジウムを
融解した際に不純物を取り除かない場合に接合力が低下
することから、誘電体ブロック２の後面に作成した薄膜
９と中間層８との間で共晶結合等が生じ、これが接合力
を発生させているとも考えられる。

【００２０】上記インジウムは、柔らかな金属であり伸
延性を有する。従って、上述のように静電吸着機構を構
成した場合、誘電体ブロック２と電極体１との間に介在
されたインジウムよりなる中間層８は、誘電体ブロック
２と電極体１との熱膨張率の差に起因した熱膨張歪みを
吸収緩和するよう作用する。即ち、両者の熱変形（熱膨
張，熱収縮）を吸収して、熱応力歪みを緩和する。この
ため、従来のような固定ネジを採用したことに起因する
誘電体ブロック２の割れは生じない。尚、「伸延性」と
いう用語であるが、例えばブリネル硬さのように、ある
荷重がかかったときに相当程度以上に物体が変形すると
いう意味である。この場合、その物体は弾性体の場合も
あるし、塑性体である場合もある。

【００２１】また、インジウムからなる中間層８は、電
極体１と誘電体ブロック２との間の熱伝導性を向上させ
る働きも有する。即ち、中間層８が無く、電極体１と誘
電体２とが直接面接触して熱伝導する構成であると、電
極体１の前面や誘電，体ブロック２の後面には微小な凹
凸や表面粗さの存在が避けられないため、そのような凹
凸等による接触箇所に熱伝導が集中し、熱伝導が不均一
になったり熱伝導性が悪化したりする問題がある。しか
しながら、本実施形態のように熱伝導性の良く伸延性の
ある材料を中間層８として介在させることにより、両者
の熱接触が向上し、このため電極体１に熱媒を流通させ
ての温度制御が良好な応答性で行えることになる。また
尚、本実施形態の金属よりなる中間層８は、接続ブロッ
ク２３を介して電極体１と補助電極体２２とを導通させ
る役割も果たしている。

【００２２】上記構成に係る静電吸着機構は、従来のも
のと同様に動作する。即ち、直流電源７によって与えら
れる電圧によって補助電極板２２の前側の誘電体部分２
１が誘電分極し、これによって基板３３が静電吸着され
る。この際、必要に応じてバイアス用高周波電源６が動
作し、プラズマとの相互作用によりバイアス電圧が印加
される。

【００２３】表１は、上記実施形態の静電吸着機構と従
来の静電吸着機構の耐久性を試験した結果を示してい
る。

【表１】耐久性試験は、図１及び図４に示す各々の静電
吸着機構を、図４に示すプラズマＣＶＤ装置に交換しな
がらそれぞれ搭載し、半導体基板を吸着させてプラズマ
ＣＶＤ処理を一枚ずつ施した。そして、半導体基板の処
理枚数に対して安定した吸着動作がどこまで継続するか
を調べた。尚、バイアス用高周波電源６により１３．５
６ＭＨｚ２ｋＷの高周波電圧を印加し、基板に−１００
０Ｖ程度のバイアス電圧を与えた。

【００２４】通常、静電吸着機構の誘電体ブロック２が
割れたりして破損すると、被吸着物に対する吸着力が無
くなってしまったり、吸着力の吸着面内分布が不均一に
なったりする。この場合、被吸着物が割れたり所定の吸
着位置から外れたりして、ロボット等による回収が不可
能になる。従って、プラズマＣＶＤ処理後における半導
体基板の回収の成否をもって、当該静電吸着機構が正常
な吸着動作をしているかどうかを判断した。この耐久性
試験では、本実施形態の静電吸着機構と従来の静電吸着
機構とをそれぞれ１０個製作し、それぞれに対して試験
を行った。表１では、番号表示されたそれぞれの静電吸
着機構に対して、基板の回収が不可能になったときの通
算処理枚数（回数）が表示されている。通算処理枚数が
１０００枚と表示されている場合は、１０００枚にわた
り正常な吸着動作が行えたことを示しており、本耐久試
験では合格と判断した。尚、表１中、番号１〜１０が本
実施形態に係る静電吸着機構であり、番号１１〜２０が
従来の静電吸着機構である。

【００２５】表１に示す通り、従来の静電吸着機構を用
いた場合には、吸着動作は不安定であり、１０個の静電
吸着機構すべてが耐久試験に合格しなかった。また、静
電吸着機構毎に正常な吸着動作が可能な期間もばらつい
ていた。例えば、番号１２の静電吸着機構は、５００枚
程度の基板処理の期間内で耐久性を示したが、番号１４
の静電吸着機構は、僅かに３枚の基板処理を施した後に
基板が回収不可能になった。基板が回収不能になった時
点で、プラズマＣＶＤ装置の反応容器を大気開放して静
電吸着機構を観察すると、固定ネジ４で固定した部分か
らクラックが発生しており、誘電体ブロック２は割れて
いた。

【００２６】一方、本実施形態の静電吸着機構を用いた
場合、番号１〜１０のすべての静電吸着機構が１０００
枚の基板処理の期間内で正常な吸着動作を達成してお
り、すべて耐久試験合格であった。基板の割れとか回収
不能といった状況は発生せず、また、基板を１０００枚
処理した後に反応容器から静電吸着機構を取り出して観
察したところ、誘電体ブロック２にクラックの発生は見
られなかった。この表１の結果からも分かるように、本
実施形態の静電吸着機構によれば、従来の静電吸着機構
で困難であった激しい昇温下降を伴う環境下での使用に
対して、飛躍的に耐久性を高めることが可能となった。

【００２７】図２は、本願発明の静電吸着機構の他の実
施の形態を説明する正面断面概略図であり、図３は図２
の静電吸着機構に採用された補助電極板の構成を説明す
る平面概略図である。図２に示す静電吸着機構は、図１
に示す形態のものと同様、電極体１と、電極体１の前側
に配置され、電極体１を介して印加される直流電圧によ
って誘電分極して被吸着物体を静電的に吸着する誘電体
部分２１を含む誘電体ブロック２とを有している。

【００２８】この実施形態の静電吸着機構が図１のもの
と大きく異なるのは、補助電極板２２が二つに分割さ
れ、分割された補助電極板２２の間に直流電圧が印加さ
れるよう直流電源７が接続されている点である。このよ
うな構成によっても、補助電極板２２の上側の誘電体部
分２１を誘電分極させて基板３を吸着するよう動作する
ことができる。

【００２９】尚、図３に示すように、二つの補助電極板
２２は、円環状の部材を二つに割って少し離して配置し
たような構成となっている。また、図１に示すように、
各々の補助電極板２２へ直流電圧を供給する給電体２４
は、補助電極板２２に先端が接続されて誘電体ブロック
２及び電極体１を貫通して下方に延び、電極体１の外部
で直流電源７に接続されている。尚、電極体１と給電体
ブロック２４との間には、絶縁ブロック２５が介在され
て両者を絶縁している。これは、二つの補助電極板２２
の間の直流電界に、バイアス用高周波電源６による高周
波電界が重畳されないようにするためである。

【００３０】上記以外の実施形態として、図１の構成で
補助電極体２２及び接続ブロック２３を使用せず、電極
体１に重畳させた直流電圧で上側の誘電体ブロック２全
体を誘電分極させて基板３を吸着する構成を採用するこ
とも可能である。このような構成は、静電吸着のために
誘電分極させる誘電体部分の厚さを厚くして、耐久性の
点で優れた静電吸着機構を構成するのに適している。誘
電体ブロック２の前面は、プラズマや反応性ガス等に晒
されることによってエッチングされる場合があるが、こ
のような場合に誘電体部分の厚さを厚くしておくこと
で、寿命の長い静電吸着機構とすることができる。

【００３１】上記各実施形態において、中間層８の材料
としては、上記インジウムの他、錫等の金属が採用でき
る。また、インジウム又は錫を主成分とする合金例えば
鉛との合金等でもよい。さらに、インジウム錫合金でも
良い。尚、融解させて不純物を取り除いた方が接合力が
良好であることから、融解作業を容易にするため、中間
層８の材料は融点４５０℃以下の低融点金属であること
が好ましい。この場合には、静電吸着機構は、中間層８
の材料の融点以下の温度で使用されることが好ましい。
融点以上の温度で使用される場合、中間層８の材料の融
出を防止する堰板等を電極体１と誘電体ブロック２と間
の端部に設けるようにしても良い。

【００３２】また、誘電体ブロック２の後面に作成する
薄膜９としては、インジウムの他、クロム等でも良い。
特にクロム薄膜はセラミックスに対して密着性が良くて
剥がれにくいため、この点でさらに接合力を向上させる
ことができる。尚、中間層８がインジウム又は錫で薄膜
９がクロムである場合のように、中間層８と薄膜９とが
異種の金属である場合、両者の界面は合金化している場
合もある。また、薄膜９としては、クロムやインジウム
等の異種の薄膜を積層した構成を採用することができ
る。例えば、誘電体ブロック２の表面に密着性の良いク
ロム薄膜を０．５μｍ程度の膜厚で作成し、その上にイ
ンジウム薄膜を０．１μｍ程度の膜厚で作成して薄膜９
とし、中間層８との接合力を増加させるようにしても良
い。

【００３３】尚、補助電極板２２の前側の誘電体部分２
１は、熱ＣＶＤ法によって形成した誘電体膜で構成して
も良い。例えば、熱ＣＶＤ法によって窒化硼素、窒化硅
素又は炭化硅素膜を作成して誘電分極用の誘電体部分２
１を形成しても良い。これら熱ＣＶＤ法によって形成さ
れた誘電体は、耐熱性や耐衝撃性に優れるため、特に半
導体基板等の被吸着物を高温で処理する場合等の構成と
して好適である。上記説明において、誘電体ブロック２
の材料は酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス
であるとしたが、他のセラミックスでも良いし、セラミ
ックス以外の誘電体を使用しても良い。尚、セラミック
スの場合、セラミックス溶射法やグリーンシート積層法
によって製造したものであっても良い。

【００３４】

【発明の効果】以上説明した通り、本願の各請求項の発
明によれば、従来の静電吸着機構で困難であった激しい
昇温下降を伴う環境下での使用に対して、飛躍的に耐久
性が改善された静電吸着機構となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の静電吸着機構の実施の形態を説明す
る正面断面概略図である。

【図２】本願発明の静電吸着機構の他の実施形態を説明
する正面断面概略図である。

【図３】図２の静電吸着機構に採用された補助電極板の
構成を説明する平面概略図である。

【図４】従来の静電吸着機構の一例として、プラズマＣ
ＶＤ（化学的気層成長）装置に採用された静電吸着機構
の構成例を装置の構成とともに示す正面断面概略図であ
る。

【符号の説明】

１電極体２誘電体ブロック３基板７直流電源８中間層９薄膜

【手続補正書】

【提出日】平成７年１０月２５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【表１】耐久性試験は、図１及び図４に示す各々の静電吸着機構
を、図４に示すプラズマＣＶＤ装置に交換しながらそれ
ぞれ搭載し、半導体基板を吸着させてプラズマＣＶＤ処
理を一枚ずつ施した。そして、半導体基板の処理枚数に
対して安定した吸着動作がどこまで継続するかを調べ
た。尚、バイアス用高周波電源６により１３．５６ＭＨ
ｚ２ｋＷの高周波電圧を印加し、基板に−１０００Ｖ程
度のバイアス電圧を与えた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極体と、電極体の前側に配置され、電
極体を介して印加される直流電圧によって誘電分極して
被吸着物体を静電的に吸着する誘電体部分を含む誘電体
ブロックと、電極体と誘電体ブロックとの間に介在され
た中間層とからなり、中間層は、電極体又は誘電体ブロ
ックの熱変形を吸収する伸延性を有する金属から形成さ
れ、所定の温度に加熱され所定の圧力に加圧されること
によって電極体と誘電体ブロックとを接合しており、こ
の接合によって誘電体ブロックが電極体に固定されてい
ることを特徴とする静電吸着機構。
【請求項２】前記中間層は、インジウムから形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の静電吸着機構。
【請求項３】前記中間層と前記誘電体ブロックとの間
には、前記誘電体ブロックの表面に作成された所定の薄
膜が介在されていることを特徴とする請求項１又は２記
載の静電吸着機構。
【請求項４】前記薄膜は、インジウム又はクロムから
形成されていることを特徴とする請求項３記載の静電吸
着機構。