JPH0955445A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＬＣＣタイプの半導体装置の安定搭載を図る
とともに、ボンディングワイヤーと半導体素子との接触
を防止すること。 【解決手段】 本発明の半導体装置１は、一方の面側に
半導体素子１０を実装する基台２と、基台２の半導体素
子１０が実装されていない他方の面側に設けられた電極
部材３とを備え、基台２の他方の面側に部品搭載用基板
８０との間で基台２を支持する凸部２１を備えている。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、先ず平板状の
基台２を用意して所定の導体パターン３０を被着し、次
に基台２に対してプレス加工を施して凹部２０と凸部２
１とを形成し、次いで凹部２０に半導体素子１０を実装
して封止樹脂５にて封止する製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、部品搭載用基板上
に面実装するタイプの半導体装置およびその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置においては、セラミッ
クスまたはエポキシ材等の中空パッケージ内にチップ状
の半導体素子を実装し、ボンディングワイヤーによる配
線を行った後にシールガラス等で気密封止する構造が多
く用いられている。

【０００３】また、近年ではコストダウン等の観点か
ら、透光性樹脂を中空パッケージ内にポッティングし、
チップ状の半導体素子や配線用のボンディングワイヤー
を樹脂封止する構造も提案されている。

【０００４】図９は透光性樹脂によるポッティング封止
型の半導体装置を説明する概略断面図である。すなわ
ち、この半導体装置１’は、セラミックスやエポキシ材
から成る平板状の基台２と、この基台２の一方の面側に
実装された半導体素子１０と、半導体素子１０と導体パ
ターン３０とを配線するボンディングワイヤー１１と、
ボンディングワイヤー１１の接続部分より外側を囲む状
態で配置される樹脂ダム４と、この樹脂ダム４内にポッ
ティングされる例えば透光性を有する封止樹脂５とから
構成されている。

【０００５】この半導体装置１’は基台２の半導体素子
１０が実装されていない他方の面側に接続用の導体パタ
ーン３０を備えたＬＣＣタイプであり、これを部品搭載
用基板８０上に搭載する場合には、半導体装置１’の電
極部材３と部品搭載用基板８０に設けられた電極パッド
８１とをはんだ３１’を介して接続するようにして面実
装を行っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置では、部品搭載用基板との接続面が基台
の端部に設けられた導体パターンの部分のみであり搭載
における安定性に欠ける構造である。さらに、この半導
体装置では平板状の基台の反りによって、導体パターン
と部品搭載用基板に設けられた電極パッドとの接続不良
が生じやすい。このような搭載時の不安定さや電気的な
接触不良は部品搭載用基板との間のみならず、半導体装
置の電気的特性等を測定するための測定用基板との間で
も生じ、正確な測定を行えないという問題が生じてい
る。

【０００７】また、平板状の基台に半導体素子を実装し
た場合、この実装面と半導体素子表面との間が約６００
μｍ程度あり、ボンディングワイヤーと半導体素子の端
部との接触を起こしやすいという問題がある。さらに、
これを回避するためにはボンディングワイヤーのアーチ
を高くする必要があり、外力によるボンディングワイヤ
ーの曲がりや切断を生じるという問題がある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するための成された半導体装置およびその製造方
法である。すなわち、本発明の半導体装置は、一方の面
側で半導体素子の実装および半導体素子との配線が行わ
れる基台と、基台の半導体素子が実装されていない他方
の面側に設けられ半導体素子と導通する電極部材とを備
え、電極部材が部品搭載用基板の電極パッドと接続する
状態で搭載されるものであり、この基台の電極部材が設
けられた他方の面側には、部品搭載用基板との間で基台
を支持するための凸部が設けられている。さらに、基台
における半導体素子の実装部分に所定深さの凹部が設け
られている半導体装置でもある。

【０００９】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
先ず、平板状の基台を用意し、この基台の一方の面側お
よび他方の面側に所定の導体パターンを被着し、次に、
基台に対してプレス加工を施して一方の面側における半
導体素子の実装部分に凹部を形成するとともに他方の面
側にこの凹部と対応した凸部を形成し、次いで、凹部に
半導体素子を実装し、半導体素子と一方の面側の導体パ
ターンとを電気的に配線し、その後、基台の一方の面側
において半導体素子を樹脂封止する方法である。

【００１０】このような本発明の半導体装置では、部品
搭載用基板に実装する場合に基台の他方の面側に設けら
れた凸部によって基台を支持する状態となる。これによ
り、半導体装置が部品搭載用基板上に安定して載置され
るとともに、基台の他方の面側に設けられた導体パター
ンと部品搭載用基板に設けられた電極パッドとが確実に
接触する状態となる。

【００１１】また、本発明の半導体装置の製造方法で
は、平板状の基台に対してプレス加工を施すことで、一
方の面側における半導体素子の実装部分に凹部を形成す
ると同時に、他方の面側に凹部と対応した凸部を形成す
ることができる。つまり、この凹部への半導体素子の実
装により、半導体素子の実装高さを平板の場合よりも低
くすることができ、凸部によって半導体装置を部品搭載
用基板上に実装する場合の支えにすることができるよう
になる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体装置およ
びその製造方法における実施の形態を図に基づいて説明
する。先ず、本発明の半導体装置における第１実施形態
を説明する。図１は、本発明の第１実施形態を説明する
概略断面図であり、（ａ）は搭載前、（ｂ）は搭載後の
状態を示している。

【００１３】図１（ａ）に示すように、第１実施形態に
おける半導体装置１は、一方の面（以下、実装面と言
う。）にチップ状の半導体素子１０の実装部分およびボ
ンディングワイヤー１１を介して半導体素子１０と接続
される導体パターン３０が形成された基台２と、基台２
の半導体素子１０が実装されていない他方の面（以下、
接続面と言う。）に設けられ、部品搭載用基板８０の電
極パッド８１と接続されるはんだボール３１を備えた電
極部材３と、基台２の実装面側において半導体素子１０
およびボンディングワイヤー１１を囲む状態で設けられ
る樹脂ダム４と、樹脂ダム４内にポッティングされる例
えば透光性を有する封止樹脂５とから構成されている。

【００１４】また、第１実施形態における半導体装置１
では、基台２の接続面側に部品搭載用基板８０との間で
基台２を支持するための凸部２１が設けられているとと
もに、基台２の実装面側に半導体素子１０を実装するた
めの凹部２０が設けられている。例えば、基台２がセラ
ミックスから成る場合にはこの凸部２１および凹部２０
をグリーンシートの状態でプレス加工して設けておく。
また、基台２がＢＴレジンやエポキシ材から成る場合に
は凸部２１および凹部２０を切削加工によって形成す
る。さらに、凹部２０の形状としては、半導体素子１０
の平面視外形よりもわずかに大きい窪み状となっていて
も、紙面垂直方向に沿った溝状となっていてもよい。な
お、基台２がセラミックスから成る場合の半導体装置１
の製造方法は後に詳細に説明する。

【００１５】この半導体装置１では、基台２の凹部２０
に半導体素子１０が実装されているため、基台２が平板
の場合と比べると凹部２０の深さ分だけ半導体素子１０
の上面の位置を低くできる。つまり、この深さ分だけ半
導体素子１０と導体パターン３０とを接続するボンディ
ングワイヤー１１のアーチを低くすることができ、ボン
ディングワイヤー１１と半導体素子１０の端部との接触
を回避しやすくなるとともに、外力が加わった場合の曲
がりや切断を抑制できるようになる。

【００１６】また、この半導体装置１を部品搭載用基板
８０上に搭載するには、基台２の接続面側に設けられた
凸部２１の接触面２１ａを部品搭載用基板８０に面接触
させ、凸部２１で基台２を支持するようにする。すなわ
ち、図１（ｂ）に示すように、半導体装置１を部品搭載
用基板８０上に搭載する場合には、基台２の接続面側に
設けられた電極部材３（図１（ａ）参照）を部品搭載用
基板８０の電極パッド８１と合わせるようにして載置
し、この状態で電極部材３のはんだボール３１（図１
（ａ）参照）を溶融してはんだ３１’とする。この溶融
により基台２と部品搭載用基板８０との間が狭くなり、
やがて凸部２１の接触面２１ａが部品搭載用基板８０に
面接触する状態となる。

【００１７】この状態ではんだ３１’を固化することに
より、半導体装置１の基台２は凸部２１で支持され、安
定した状態で搭載される状態となる。つまり、半導体装
置１は凸部２１の接触面２１ａを基準として正確に搭載
されるようになる。なお、半導体装置１を測定用基板
（図示せず）に載置する場合には、図１（ａ）に示すは
んだボール３１を測定用基板の端子と接触させた状態で
凸部２１が測定用基板の上面と接触できるようにしてお
く。例えば、測定用基板の上面で凸部と対応する位置に
台座（図示せず）を設けておき、この台座と凸部２１が
接触できるようにしておく。

【００１８】このような凸部２１によって、半導体装置
１を部品搭載用基板８０や測定用基板上に安定して載置
することができ、電極部材３と部品搭載用基板８０の電
極パッド８１または測定用基板の端子（図示せず）との
正確な電気的接触を得ることが可能となる。

【００１９】次に、図２の概略断面図に基づいて本発明
の半導体装置１の第２実施形態を説明する。第２実施形
態における半導体装置１では、基台２の接続面側に設け
られた電極部材３として、はんだめっきボール３２が使
用されている点に特徴がある。

【００２０】すなわち、第１実施形態では電極部材３と
して球状のはんだから成るはんだボール３１（図１
（ａ）参照）を用いているが、第２実施形態では例えば
銅や鉄のボールにＳｕ／はんだめっきを施したはんだめ
っきボール３２を用いている。このはんだめっきボール
３２は、半導体装置１を部品搭載用基板８０上に搭載す
る際、電極パッド８１と接触させた状態で加熱によって
はんだめっき部分が溶融し、これを固化して接続する。
このように溶融がはんだめっき部分だけで済むことか
ら、半導体装置１の搭載後の高さを高く均一に（ボール
の径を目安として）設定することが可能となる。

【００２１】このような接続を行う場合であっても、第
２実施形態における半導体装置１では、基台２の接続面
側に設けられた凸部２１の接触面２１ａが部品搭載用基
板８０に面接触するため、安定した搭載を実現できるこ
とになる。

【００２２】次に、図３の概略断面図に基づいて本発明
の半導体装置１の第３実施形態を説明する。第３実施形
態における半導体装置１は、基台２の接続面側の凸部２
１’が別物で取り付けられている点に特徴がある。第
１、第２実施形態では、いずれも凸部２１が基台２と一
体的に形成されていたが、第３実施形態では基台２を単
純な平板形状とし、この基台２の接続面に別物で凸部２
１’を取り付けて構成している。

【００２３】これにより、基台２に対する加工が非常に
単純化され、この基台２に凸部２１’を取り付けるだけ
で製造することが可能となる。第３実施形態では、特に
基台２がＢＴレジンやエポキシ材など凹凸加工のしにく
い材料から成る場合に有効であり、また、このような構
成にすることで、基台２がどのような材料から形成され
ていても対応できることになる。

【００２４】次いで、図４の概略断面図に基づいて本発
明の半導体装置１の第４実施形態を説明する。第４実施
形態における半導体装置１は、基台２の接続面側の凸部
２１として、基台２に形成された裏面パターン２２と、
例えばはんだから成る接続部材２３とから構成されてい
る点に特徴がある。すなわち、この半導体装置１では、
基台２の接続面に表面パターン同様に銅薄膜にＮｉ（１
０μｍ）−Ａｕ（０．５μｍ）めっきした裏面パターン
２２を形成しておき、この裏面パターン２２にはんだ等
から成る接続部材２３を設けておく。

【００２５】これにより、半導体装置１を部品搭載用基
板８０上に搭載する場合には、半導体装置１の接続部材
２３であるはんだ３１’を部品搭載用基板８０上の電極
パッド８１と溶融接続し、この溶融接続と同時に裏面パ
ターン２２と部品搭載用基板８０上の凸部２１と対応し
た電極パッド８２とをはんだ等から成る接続部材２３を
介して接続することができる。

【００２６】つまり、第４実施形態における半導体装置
１では、部品搭載用基板８０との接続を基台２の両端部
分のみならず略中央部分でも行うことができ、安定した
搭載と確実な電気的接続を得ることが可能となる。

【００２７】次に、図５の概略断面図に基づいて本発明
の半導体装置１の第５実施形態を説明する。第５実施形
態における半導体装置１は、基台２の接続面側の凸部２
１として、基台２に形成された裏面パターン２２を用い
ており、さらに基台２中においてこの裏面パターン２２
と半導体装置１の実装面１０ａとを導通する導電部材１
２が設けられている点に特徴がある。

【００２８】第５実施形態における半導体装置１では、
基台２の接続面に表面パターン同様に銅薄膜にＮｉ（１
０μｍ）−Ａｕ（０．５μｍ）めっきした裏面パターン
２２を形成しておき、この裏面パターン２２と部品搭載
用基板８０の電極パッド８２とをはんだ等から成る接続
部材（図示せず）で接続する点で第４実施形態における
半導体装置１と同様であるが、この裏面パターン２２と
半導体装置１の実装面１０ａとが導電部材１２を介して
導通している点で異なる。

【００２９】このような半導体装置１により、導電部材
１２を介して半導体素子１０のアースを取ることができ
るとともに、半導体素子１０の駆動による発熱を導電部
材１２を介して部品搭載用基板８０側へ伝え、外部へ逃
がすことが容易となる。さらに、半導体素子１０の実装
面１０ａと導通する裏面パターン２２によって電磁的な
シールド効果を持たせることも可能となる。

【００３０】なお、第３実施形態から第５実施形態にお
いては基台２として単純な平板状のものを使用する例を
示しているが、いずれも半導体素子１０が実装される基
台２に凹部２０（図１参照）を設けておき、半導体素子
１０の実装高さを平板の場合よりも低くしてボンディン
グワイヤー１１のアーチを低くするようにしてもよい。
これにより、第１実施形態および第２実施形態と同様、
ボンディングワイヤー１１と半導体素子１０との接触を
避けることができるとともに、ボンディングワイヤー１
１の外力による曲がりや切断を抑制できることになる。

【００３１】次に、本発明の半導体装置の製造方法を図
６〜図７の概略断面図に基づいて順に説明する。先ず、
図６（ａ）に示すように、平板状の基台２（セラミック
ス粉末（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、バインダー、可塑材、溶剤から
成るスラリーを一定の厚さに成形し、乾燥させてガム状
のグリーンシートにしたもの）を用意し、この基台２の
一方の面側および他方の面側にタングステンやモリブデ
ンペーストから成る導体パターン３０を印刷塗布する
（１０〜３０μｍ厚）。

【００３２】次いで、図６（ｂ）に示すように、基台２
の一方の面の半導体素子が実装される部分に８００〜９
００℃の加熱をしながらプレス加工（ホットプレス加
工）を施して凹部２０を形成するとともに、この凹部２
０と対応する基台２の他方の面に凸部２１を形成する処
理を行う。例えば、このプレス加工のプレス型として凸
型と凹型を用意しておき、一度のプレス加工によって凸
型に対応した凹部２０（例えば、深さ０．２ｍｍ程度）
を形成し、凹型に対応した凸部２１（例えば、高さ０．
２ｍｍ程度）を形成する。

【００３３】このホットプレス加工によって凹部２０お
よび凸部２１の面の反りを低減することができる。これ
により、半導体素子搭載面（凹部２０）の反りが低減し
て光学的特性を向上できるとともに、接続面（凸部２
１）の反りが低減して部品搭載用基板８０への安定した
搭載による光学的特性の向上および測定用基板（図示せ
ず）への安定した搭載によるばらつきの少ない正確な光
学的、電気的特性の測定が可能となる。

【００３４】次に、図６（ｃ）に示すように、基台２の
一方の面側および他方の面側に設けられた導体パターン
３０を各々導通させるため、基台２に孔３０ａをプレス
加工によって設け、この孔３０ａの内壁にメタライズペ
ーストを流動してメタライズ塗工を行う。また、この
後、基台２を分割するために使用する切り溝６を基台２
の１／２〜２／３程度入れる処理を行う。

【００３５】そして、この状態で１５００℃を越える加
熱炉を用いて焼成を行う。これによる脱バインダー、脱
カーボンでセラミックス粉末（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）とタングス
テンまたはモリブデン結晶粒子が成長し、それぞれ金属
化して化学的な焼成結合が成される。

【００３６】次に、焼成された基台２の一方の面側およ
び他方の面側に形成された導体パターン３０の表面に電
気めっきを施し、ニッケル（５〜１０μｍ）＋金（０．
５μｍ程度）を被着する。

【００３７】続いて、図６（ｄ）に示すように、基台２
の他方の面側の導体パターン３０にはんだボール３１を
取り付ける処理を行う。はんだボール３１は導体パター
ン３０にフラックスを塗布し、０．４〜１．０ｍｍ径程
度のものを搭載する。そして、リフロー炉を通過させて
溶融し、その際の表面張力で半球状にする。

【００３８】次いで、図７（ａ）に示すように、基台２
の凹部２０にチップ状（例えば、４００μｍ厚）の半導
体素子１０をペースト材（図示せず）を介してダイボン
ドし（１５０℃１時間キュア）、この半導体素子１０と
基台２の一方の面側の導体パターン３０とをボンディン
グワイヤー１１で接続する。このボンディングワイヤー
１１としては例えば２５μｍ径のものを使用し、１５０
℃のコラム温度にて接続処理を行う。

【００３９】次に、図７（ｂ）に示すように、基台２の
一方の面側におけるボンディングワイヤー１１の周辺に
樹脂ダム４を形成する。この樹脂ダム４としては、例え
ば２液性の透光性シリコーン樹脂を使用する。その後、
この樹脂ダム４の内側に例えば１液性の透光性シリコー
ン樹脂から成る封止樹脂５をポッティングし、半導体素
子１０およびボンディングワイヤー１１を封止する。

【００４０】そして、１５０℃４時間程度キュアして樹
脂ダム４と封止樹脂５とを同時に硬化させた後、基台２
に設けた切り溝６の部分から基台２を分割（いわゆる、
チョコレートブレーク）することで個々の半導体装置１
を完成させる。このようにして、基台２の一方の面側の
半導体素子１０を実装する部分に凹部２０が設けられ、
この凹部２０と対応する基台２の他方の面側に凸部２１
が設けられた半導体装置１を製造できるようになる。

【００４１】なお、この製造方法において図６（ｂ）に
示すプレス加工を行う際、凹部２０および凸部２１を形
成すると同時に基台２の他方の面側の導体パターン３０
部分に突起部を設けるようにしてもよい。図８はこの例
を第６実施形態として説明する概略断面図である。

【００４２】すなわち、セラミックスのグリーンシート
をプレス加工して先に説明した凹部２０および凸部２１
を形成する際、同時に基台２の他方の面側の導体パター
ン３０部分に突起部２１’’を設ける。これによって、
半導体装置１を部品搭載用基板８０（図１参照）に搭載
する場合、はんだめっきボール３２（図２参照）等を取
り付けることなく搭載高さ（基台２と部品搭載用基板８
０との隙間）を高く均一に設定することが可能となる。

【００４３】なお、図６〜図７に示す半導体装置１の製
造方法では示さなかったが、凸部２１の接触面２１ａに
部品搭載用基板８０と接触する導体パターンや、この導
体パターンにはんだ等の接続部材が設けられていてもよ
い。この場合には、導体パターンを図６（ａ）で示す導
体パターン３０の塗布の際に形成しておき、図６（ｄ）
に示すはんだボール３１の取り付けの際に凸部２１の接
触面２１ａにはんだ等の接続部材２３を被着しておく。

【００４４】また、この凸部２１の接触面２１ａに導体
パターンを設けた場合、この導体パターンと半導体素子
１０の実装面１０ａとを導通させる導電部材１２を設け
るようにしてもよい。この場合には、図６（ｃ）で示す
孔３０ａの形成の際に凹部２０と凸部２１とを貫通する
他の孔を基台２中に設けておき、この孔の内壁にメタラ
イズ処理を施すようにすればよい。

【００４５】また、本実施形態では、いずれも基台２上
に樹脂ダム４を形成し、この樹脂ダム４内に封止樹脂５
をポッティングする例を示したが、本発明はこれに限定
されず、樹脂ダム４を使用しないで封止樹脂５のチクソ
トロピック性を利用したポッティングにより半導体素子
１０およびボンディングワイヤー１１を封止するもので
あっても同様である。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置およびその製造方法によれば次のような効果がある。
すなわち、基台に設けた凹部によって半導体素子の表面
と基台の表面との高さの差を基台が平板の場合に比べて
小さくすることができ、ボンディングワイヤーと半導体
素子の端部との接触を防止できるようになる。また、ワ
イヤーボンディングのアーチ低減にともなうタクト減少
によりスループットの向上を図ることが可能となる。

【００４７】また、基台に設けた凸部によって半導体装
置を部品搭載用基板上に搭載する場合の支持を行うこと
ができ、基台に反りが生じていてもこの凸部の接触面を
基準として安定した搭載を実現できるようになる。さら
に、この凸部によって半導体装置の電気的特性等の測定
時における測定用基板上にも正確に搭載することがで
き、測定用基板の端子と半導体装置との確実な電気的接
触を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態を説明する概略断面図で、（ａ）
は搭載前、（ｂ）は搭載後を示すものである。

【図２】第２実施形態を説明する概略断面図である。

【図３】第３実施形態を説明する概略断面図である。

【図４】第４実施形態を説明する概略断面図である。

【図５】第５実施形態を説明する概略断面図である。

【図６】製造方法を順に説明する概略断面図（その１）
である。

【図７】製造方法を順に説明する概略断面図（その２）
である。

【図８】第６実施形態を説明する概略断面図である。

【図９】従来例を説明する概略断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 ２ 基台 ３ 電極部材 ４ 樹脂ダム ５ 封止樹脂 １０ 半導体素子 １１ ボンディングワイヤー ２０ 凹部 ２１ 凸部 ８０ 部品搭載用基板

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の面側で半導体素子の実装および該
   半導体素子との配線が行われる基台と、該基台の半導体
   素子が実装されていない他方の面側に設けられ該半導体
   素子と導通する電極部材とを備え、該電極部材が部品搭
   載用基板の電極パッドと接続する状態で搭載される半導
   体装置であって、 前記基台の前記電極部材が設けられた他方の面側には、
   前記部品搭載用基板との間で該基台を支持するための凸
   部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記凸部は、接続部材を介して前記部品
   搭載用基板と面状に接続されていることを特徴とする請
   求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記凸部は、前記部品搭載用基板と面接
   触する導体を備えているとともに、 前記基台中には前記導体と前記半導体素子の該基台との
   実装面とを導通するための導通部材が設けられているこ
   とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記基台における半導体素子の実装部分
   には所定深さの凹部が設けられていることを特徴とする
   請求項１記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記基台における半導体素子の実装部分
   には所定深さの凹部が設けられていることを特徴とする
   請求項２記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記基台における半導体素子の実装部分
   には所定深さの凹部が設けられていることを特徴とする
   請求項３記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 所定の基台における一方の面側に半導体
   素子を実装し、該半導体素子が実装されていない他方の
   面側で部品搭載用基板との接続を行う半導体装置の製造
   方法であって、 平板状の基台を用意し、該基台の一方の面側および他方
   の面側に所定の導体パターンを被着する工程と、 前記基台に対してプレス加工を施して前記一方の面側に
   おける前記半導体素子の実装部分に凹部を形成するとと
   もに前記他方の面側に該凹部と対応した凸部を形成する
   工程と、 前記凹部に前記半導体素子を実装し、該半導体素子と前
   記一方の面側の導体パターンとを電気的に配線する工程
   と、 前記基台の一方の面側において前記半導体素子を樹脂封
   止する工程とから成ることを特徴とする半導体装置の製
   造方法。