JPH0956058A - 突入電流防止機能を有する回路装置 - Google Patents
突入電流防止機能を有する回路装置Info
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- JPH0956058A JPH0956058A JP7236127A JP23612795A JPH0956058A JP H0956058 A JPH0956058 A JP H0956058A JP 7236127 A JP7236127 A JP 7236127A JP 23612795 A JP23612795 A JP 23612795A JP H0956058 A JPH0956058 A JP H0956058A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源投入時の突入電流を簡単な回路構成によ
って防止する。 【構成】 電源回路1と平滑用コンデンサ10を有する
電力供給対象回路9との間にFET12を接続する。こ
のFET12を制御するために電源回路1の一対の出力
ライン7、8間に第1及び第2の抵抗13、14の直列
回路を接続する。第2の抵抗14に並列にコンデンサ1
5を接続する。コンデンサ15をFET12のゲート・
ソース間に接続する。
って防止する。 【構成】 電源回路1と平滑用コンデンサ10を有する
電力供給対象回路9との間にFET12を接続する。こ
のFET12を制御するために電源回路1の一対の出力
ライン7、8間に第1及び第2の抵抗13、14の直列
回路を接続する。第2の抵抗14に並列にコンデンサ1
5を接続する。コンデンサ15をFET12のゲート・
ソース間に接続する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、平滑用コンデンサ又は
補助電源用コンデンサ等の突入電流を防止する機能を有
する回路装置に関する。
補助電源用コンデンサ等の突入電流を防止する機能を有
する回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】整流回路の出力段に接続される平滑用コ
ンデンサには、電源投入時に突入電流即ちサージ電流が
流れる。このサージ電流を防止するための方式として電
源ラインに抵抗とサイリスタとの並列回路を接続し、電
源投入時には抵抗を介してコンデンサの充電電流を流
し、その後にサイリスタをオンにしてこのサイリスタを
通して負荷電流を流す方式がある。また、別の突入電流
防止方式として温度が高くなるに従って抵抗値が低下す
るNTC型サーミスタを接続する方式がある。この方式
では電源投入時にサーミスタの温度が低いためにサーミ
スタは高い抵抗値を示す。この結果、サーミスタによっ
て突入電流が防止される。その後負荷電流によってサー
ミスタの温度が上昇すると、サーミスタの抵抗が低下
し、電圧降下及び電力損失が小さくなる。
ンデンサには、電源投入時に突入電流即ちサージ電流が
流れる。このサージ電流を防止するための方式として電
源ラインに抵抗とサイリスタとの並列回路を接続し、電
源投入時には抵抗を介してコンデンサの充電電流を流
し、その後にサイリスタをオンにしてこのサイリスタを
通して負荷電流を流す方式がある。また、別の突入電流
防止方式として温度が高くなるに従って抵抗値が低下す
るNTC型サーミスタを接続する方式がある。この方式
では電源投入時にサーミスタの温度が低いためにサーミ
スタは高い抵抗値を示す。この結果、サーミスタによっ
て突入電流が防止される。その後負荷電流によってサー
ミスタの温度が上昇すると、サーミスタの抵抗が低下
し、電圧降下及び電力損失が小さくなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前者のサイ
リスタを使用する方式は、突入電流防止後にサイリスタ
をオンにするための制御回路を設けなければならず、回
路が複雑且つ高価になった。また、サイリスタがオンに
なる時に多少のサージ電流が流れる。後者のNTC型サ
ーミスタを使用する方式では、突入電流防止後サーミス
タの抵抗値が十分に小さくならないので、サーミスタに
おける電力損失が比較的大きくなった。また、再起動の
時にサーミスタの温度が低下していないと突入電流防止
作用が生じない。なお、上述のような問題は平滑用コン
デンサを有する回路に限ることなく、補助電源用コンデ
ンサを含む回路等においても生じる。
リスタを使用する方式は、突入電流防止後にサイリスタ
をオンにするための制御回路を設けなければならず、回
路が複雑且つ高価になった。また、サイリスタがオンに
なる時に多少のサージ電流が流れる。後者のNTC型サ
ーミスタを使用する方式では、突入電流防止後サーミス
タの抵抗値が十分に小さくならないので、サーミスタに
おける電力損失が比較的大きくなった。また、再起動の
時にサーミスタの温度が低下していないと突入電流防止
作用が生じない。なお、上述のような問題は平滑用コン
デンサを有する回路に限ることなく、補助電源用コンデ
ンサを含む回路等においても生じる。
【0004】そこで、本発明は、突入電流を簡単な回路
で確実に防止することができる回路装置を提供すること
にある。
で確実に防止することができる回路装置を提供すること
にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、直流電圧を供給するための直流電源回路
と、前記直流電源回路に接続された突入電流の流れる可
能性のある電力供給対象回路と、前記直流電源回路の一
対の出力端子間に接続された第1の抵抗と第2の抵抗と
の直列回路と、前記第2の抵抗に並列に接続されたコン
デンサと、前記直流電源回路と前記電力供給対象回路と
の間の電源ラインに直列に接続され、且つゲート電極が
前記コンデンサの一端に接続され、且つソース電極が前
記コンデンサの他端に接続された電界効果トランジスタ
とを備えた回路装置に係わるものである。なお、請求項
2に示すように温度検出スイッチをコンデンサに並列に
接続することができる。また、請求項3に示すように、
コンデンサに並列に電力供給オン・オフ制御スイッチを
接続することができる。また、請求項4に示すように、
第1の抵抗を電界効果トランジスタのオフ期間に第1の
抵抗から切り離すためのスイッチ手段を設けることがで
きる。また、請求項5に示すように、直流電源回路を整
流回路とし、電力供給対象回路を平滑用コンデンサを含
む回路とすることができる。
の本発明は、直流電圧を供給するための直流電源回路
と、前記直流電源回路に接続された突入電流の流れる可
能性のある電力供給対象回路と、前記直流電源回路の一
対の出力端子間に接続された第1の抵抗と第2の抵抗と
の直列回路と、前記第2の抵抗に並列に接続されたコン
デンサと、前記直流電源回路と前記電力供給対象回路と
の間の電源ラインに直列に接続され、且つゲート電極が
前記コンデンサの一端に接続され、且つソース電極が前
記コンデンサの他端に接続された電界効果トランジスタ
とを備えた回路装置に係わるものである。なお、請求項
2に示すように温度検出スイッチをコンデンサに並列に
接続することができる。また、請求項3に示すように、
コンデンサに並列に電力供給オン・オフ制御スイッチを
接続することができる。また、請求項4に示すように、
第1の抵抗を電界効果トランジスタのオフ期間に第1の
抵抗から切り離すためのスイッチ手段を設けることがで
きる。また、請求項5に示すように、直流電源回路を整
流回路とし、電力供給対象回路を平滑用コンデンサを含
む回路とすることができる。
【0006】
【発明の作用及び効果】各請求項の発明によれば、第1
及び第2の抵抗とコンデンサと電界効果トランジスタと
の組み合せから成る簡単な回路によって突入電流を確実
に防止することができる。また、電力供給開始時に電界
効果トランジスタの抵抗は徐々に低下するので、電界効
果トランジスタのオンに基づく急激な電流変動が生じな
い。請求項2の発明によれば、回路装置の異常温度状態
における保護と突入電流保護とを同一の電界効果トラン
ジスタを使用して行うことができ、回路装置の簡略化及
び低コスト化が達成される。請求項3の発明によれば、
電力供給のオン・オフ制御と突入電流防止とを同一の電
界効果トランジスタを使用して行うことができ、回路装
置の簡略化及び低コスト化が達成される。請求項4の発
明によれば、第1の抵抗がスイッチ手段で第2の抵抗か
ら切り離されるので、第1及び第2の抵抗での電力損失
を少なくすることができる。請求項5の発明によれば、
平滑用コンデンサに対する突入電流を容易且つ確実に防
止することができる。
及び第2の抵抗とコンデンサと電界効果トランジスタと
の組み合せから成る簡単な回路によって突入電流を確実
に防止することができる。また、電力供給開始時に電界
効果トランジスタの抵抗は徐々に低下するので、電界効
果トランジスタのオンに基づく急激な電流変動が生じな
い。請求項2の発明によれば、回路装置の異常温度状態
における保護と突入電流保護とを同一の電界効果トラン
ジスタを使用して行うことができ、回路装置の簡略化及
び低コスト化が達成される。請求項3の発明によれば、
電力供給のオン・オフ制御と突入電流防止とを同一の電
界効果トランジスタを使用して行うことができ、回路装
置の簡略化及び低コスト化が達成される。請求項4の発
明によれば、第1の抵抗がスイッチ手段で第2の抵抗か
ら切り離されるので、第1及び第2の抵抗での電力損失
を少なくすることができる。請求項5の発明によれば、
平滑用コンデンサに対する突入電流を容易且つ確実に防
止することができる。
【0007】
【第1の実施例】次に、図1及び図2を参照して第1の
実施例の回路装置を説明する。図1の回路装置の直流電
源回路1は、商用交流電源2を接続するための一対の端
子3、4と電源スイッチ5を介して端子3、4に接続さ
れたダイオード整流回路6とから成る。整流回路6の一
対の出力端子に接続された一対の電源ライン7、8は電
力供給対象回路9に接続されている。電力供給対象回路
9は、平滑用及び瞬時停電を補償するための電解コンデ
ンサ10と、このコンデンサ10に接続された負荷11
とから成る。なお、負荷11は例えばコンデンサ10に
対して定電圧制御回路を介して接続されたコンピュータ
システムの回路である。
実施例の回路装置を説明する。図1の回路装置の直流電
源回路1は、商用交流電源2を接続するための一対の端
子3、4と電源スイッチ5を介して端子3、4に接続さ
れたダイオード整流回路6とから成る。整流回路6の一
対の出力端子に接続された一対の電源ライン7、8は電
力供給対象回路9に接続されている。電力供給対象回路
9は、平滑用及び瞬時停電を補償するための電解コンデ
ンサ10と、このコンデンサ10に接続された負荷11
とから成る。なお、負荷11は例えばコンデンサ10に
対して定電圧制御回路を介して接続されたコンピュータ
システムの回路である。
【0008】コンデンサ10の突入電流を防止するため
に、ライン8に直列に絶縁ゲート型電界効果トランジス
タの1種であるNチャンネルのエンハンスメント型MO
SFET12が接続されている。なお、FET12はソ
ースSがサブストレート(バルク)に接続された構造で
あるので、ソースSとドレインDとの間にダイオードを
内蔵している。FET12を突入電流防止に使用するた
めに、FET12よりも電源側における一対の電源ライ
ン7、8間に第1の抵抗13と第2の抵抗14との直列
回路が接続され、第2の抵抗14に並列にコンデンサ1
5が接続され、このコンデンサ15の一端がFET12
のゲートGに接続され、コンデンサ15の他端がFET
12のソースSに接続されている。また、コンデンサ1
5及びゲート・ソース間に対して並列に電圧制限用ツエ
ナーダイオード16が接続されている。
に、ライン8に直列に絶縁ゲート型電界効果トランジス
タの1種であるNチャンネルのエンハンスメント型MO
SFET12が接続されている。なお、FET12はソ
ースSがサブストレート(バルク)に接続された構造で
あるので、ソースSとドレインDとの間にダイオードを
内蔵している。FET12を突入電流防止に使用するた
めに、FET12よりも電源側における一対の電源ライ
ン7、8間に第1の抵抗13と第2の抵抗14との直列
回路が接続され、第2の抵抗14に並列にコンデンサ1
5が接続され、このコンデンサ15の一端がFET12
のゲートGに接続され、コンデンサ15の他端がFET
12のソースSに接続されている。また、コンデンサ1
5及びゲート・ソース間に対して並列に電圧制限用ツエ
ナーダイオード16が接続されている。
【0009】図1の各部の定数を例示すると、電源2の
電圧は100V、コンデンサ10の容量は1000μ
F、第1の抵抗13は1MΩ、第2の抵抗14は100
KΩ、コンデンサ15は10μF、FET12のオン抵
抗は約0.3Ω、ゲートしきい値電圧は約2〜4Vであ
る。
電圧は100V、コンデンサ10の容量は1000μ
F、第1の抵抗13は1MΩ、第2の抵抗14は100
KΩ、コンデンサ15は10μF、FET12のオン抵
抗は約0.3Ω、ゲートしきい値電圧は約2〜4Vであ
る。
【0010】図2は図1の回路の動作を説明するための
ものであって、図2(A)はFET12のゲート・ソー
ス間電圧VGSの変化を示し、図2(B)はFET12の
ドレイン・ソース間抵抗RDSの変化を示す。コンデンサ
15が完全に放電されている状態において、図2のt0
時点で電源スイッチ5をオンにすると、第1の抵抗13
を介してコンデンサ15に充電電流が流れ、時間の経過
と共にコンデンサ15の充電電圧が徐々に上昇し、同時
にゲート・ソース間電圧も図2(A)に示すように徐々
に上昇する。ゲート・ソース間電圧がt1 時点でしきい
値VTH以上になると、FET12が導通してドレイン電
流が流れ始める。FET12のドレイン・ソース間抵抗
はゲート・ソース間電圧に反比例的に変化する。即ち、
図2(A)に示すようにコンデンサ15の電圧に基づい
てゲート・ソース間電圧が時間と共に徐々に増大する
と、逆にFET12のドレイン・ソース間抵抗は時間と
共に徐々に減少する。この結果、電源回路1と平滑用コ
ンデンサ10及び負荷11とFET12とから成る閉回
路に流れる電流は、電源スイッチ5の投入初期において
FET12で制限され、コンデンサ10に突入電流が流
れない。時間の経過と共にコンデンサ15の電圧が上昇
するとFET12の電流も徐々に大きくなる。最終的に
ゲート・ソース間電圧がツエナーダイオード16で制限
された12Vになると、FET12のオン抵抗は極めて
小さい値(例えば0.3Ω)になる。なお、12Vのゲ
ート・ソース間電圧はFET12を十分に飽和動作させ
る値である。FET12が完全にオンになると、コンデ
ンサ10及び負荷11に対する電力供給中におけるFE
T12における電力損失は極めて小さくなる。その後、
コンデンサ15の電圧はほぼ一定に保たれるので、FE
T12のオン抵抗もほぼ一定に保たれる。電源スイッチ
5をオフにした時には、コンデンサ15の電荷が抵抗1
4を介して放出される。従って、電源スイッチ5を再投
入した時にはコンデンサ15が再び徐々に充電され、F
ET12のドレイン・ソース間抵抗が図2(B)に示す
ように変化し、突入電流が防止される。
ものであって、図2(A)はFET12のゲート・ソー
ス間電圧VGSの変化を示し、図2(B)はFET12の
ドレイン・ソース間抵抗RDSの変化を示す。コンデンサ
15が完全に放電されている状態において、図2のt0
時点で電源スイッチ5をオンにすると、第1の抵抗13
を介してコンデンサ15に充電電流が流れ、時間の経過
と共にコンデンサ15の充電電圧が徐々に上昇し、同時
にゲート・ソース間電圧も図2(A)に示すように徐々
に上昇する。ゲート・ソース間電圧がt1 時点でしきい
値VTH以上になると、FET12が導通してドレイン電
流が流れ始める。FET12のドレイン・ソース間抵抗
はゲート・ソース間電圧に反比例的に変化する。即ち、
図2(A)に示すようにコンデンサ15の電圧に基づい
てゲート・ソース間電圧が時間と共に徐々に増大する
と、逆にFET12のドレイン・ソース間抵抗は時間と
共に徐々に減少する。この結果、電源回路1と平滑用コ
ンデンサ10及び負荷11とFET12とから成る閉回
路に流れる電流は、電源スイッチ5の投入初期において
FET12で制限され、コンデンサ10に突入電流が流
れない。時間の経過と共にコンデンサ15の電圧が上昇
するとFET12の電流も徐々に大きくなる。最終的に
ゲート・ソース間電圧がツエナーダイオード16で制限
された12Vになると、FET12のオン抵抗は極めて
小さい値(例えば0.3Ω)になる。なお、12Vのゲ
ート・ソース間電圧はFET12を十分に飽和動作させ
る値である。FET12が完全にオンになると、コンデ
ンサ10及び負荷11に対する電力供給中におけるFE
T12における電力損失は極めて小さくなる。その後、
コンデンサ15の電圧はほぼ一定に保たれるので、FE
T12のオン抵抗もほぼ一定に保たれる。電源スイッチ
5をオフにした時には、コンデンサ15の電荷が抵抗1
4を介して放出される。従って、電源スイッチ5を再投
入した時にはコンデンサ15が再び徐々に充電され、F
ET12のドレイン・ソース間抵抗が図2(B)に示す
ように変化し、突入電流が防止される。
【0011】上述から明らかなように本実施例によれ
ば、FET12と2つの抵抗13、14とコンデンサ1
5とから成る簡単な回路によって突入電流が確実に防止
される。これにより、電圧変動が抑制され、また、コン
デンサ10、整流回路6等の保護が達成される。また、
FET12を通る電流が徐々に変化するので、FET1
2によって電流を制御したことに基づいてノイズが発生
しない。また、ツエナーダイオード16を設けたので、
コンデンサ15の電圧を所定値以下に制限することがで
きる。
ば、FET12と2つの抵抗13、14とコンデンサ1
5とから成る簡単な回路によって突入電流が確実に防止
される。これにより、電圧変動が抑制され、また、コン
デンサ10、整流回路6等の保護が達成される。また、
FET12を通る電流が徐々に変化するので、FET1
2によって電流を制御したことに基づいてノイズが発生
しない。また、ツエナーダイオード16を設けたので、
コンデンサ15の電圧を所定値以下に制限することがで
きる。
【0012】
【第2の実施例】次に、図3及び図4を参照して第2の
実施例の回路装置を説明する。但し、図3において図1
と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明
を省略する。図3の回路装置は図1の電源回路1の代り
に電池から成る直流電源2aと電源スイッチ5とから成
る電源回路1aを設け、更に図1のツエナーダイオード
16に相当するものを設けない構成とした他は図1と同
一に構成したものである。直流電源2aは端子3a、4
aと電源スイッチ5を介して一対のライン7、8に直流
電圧を供給する。図3におけるコンデンサ10は補助電
源として使用される。即ち、コンデンサ10は電源スイ
ッチ5をオフにした後のわずかな時間だけ負荷11に電
力供給を継続するために設けられている。
実施例の回路装置を説明する。但し、図3において図1
と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明
を省略する。図3の回路装置は図1の電源回路1の代り
に電池から成る直流電源2aと電源スイッチ5とから成
る電源回路1aを設け、更に図1のツエナーダイオード
16に相当するものを設けない構成とした他は図1と同
一に構成したものである。直流電源2aは端子3a、4
aと電源スイッチ5を介して一対のライン7、8に直流
電圧を供給する。図3におけるコンデンサ10は補助電
源として使用される。即ち、コンデンサ10は電源スイ
ッチ5をオフにした後のわずかな時間だけ負荷11に電
力供給を継続するために設けられている。
【0013】FET12と抵抗13、14とコンデンサ
15とから成る突入電流防止回路は図1と同一構成であ
るので、図4のt0 時点で電源スイッチ5をオンにする
と、FET12のゲート・ソース間電圧VGSは図4
(A)に示すように徐々に高くなり、ドレイン・ソース
間抵抗RDSは図4(B)に示すようにゲート・ソース間
電圧VGSがしきい値VTHに達したt1 時点から徐々に低
下し、入力電流Iは図4(C)に示すようにt1 時点か
ら徐々に増大する。t2 時点でドレイン・ソース間抵抗
RDSがほぼ一定のオン抵抗Ronになると、電流Iもほぼ
一定になる。従って、第2の実施例によっても第1の実
施例と同一の作用効果を得ることができる。
15とから成る突入電流防止回路は図1と同一構成であ
るので、図4のt0 時点で電源スイッチ5をオンにする
と、FET12のゲート・ソース間電圧VGSは図4
(A)に示すように徐々に高くなり、ドレイン・ソース
間抵抗RDSは図4(B)に示すようにゲート・ソース間
電圧VGSがしきい値VTHに達したt1 時点から徐々に低
下し、入力電流Iは図4(C)に示すようにt1 時点か
ら徐々に増大する。t2 時点でドレイン・ソース間抵抗
RDSがほぼ一定のオン抵抗Ronになると、電流Iもほぼ
一定になる。従って、第2の実施例によっても第1の実
施例と同一の作用効果を得ることができる。
【0014】
【第3の実施例】次に、図5に示す第3の実施例の回路
装置を説明する。但し、図5及び後述する図6及び図7
において図1及び図3と実質的に同一の部分には同一の
符号を付してその説明を省略する。図5の回路装置は、
電力供給対象回路9における負荷11の異常温度を検出
する温度センサ20を有する。この温度センサ20は所
定温度以上になった時にオンになる温度検出スイッチ2
1を含み、この温度検出スイッチ21がコンデンサ15
に並列に接続されている。
装置を説明する。但し、図5及び後述する図6及び図7
において図1及び図3と実質的に同一の部分には同一の
符号を付してその説明を省略する。図5の回路装置は、
電力供給対象回路9における負荷11の異常温度を検出
する温度センサ20を有する。この温度センサ20は所
定温度以上になった時にオンになる温度検出スイッチ2
1を含み、この温度検出スイッチ21がコンデンサ15
に並列に接続されている。
【0015】この回路装置において、負荷11に電力を
供給している時に異常温度が検出され、温度検出スイッ
チ21がオンになると、コンデンサ15の電荷がスイッ
チ21を介して放出され、FET12はオフになり、コ
ンデンサ10及び負荷11に対する電力供給が遮断さ
れ、負荷11の保護が達成される。
供給している時に異常温度が検出され、温度検出スイッ
チ21がオンになると、コンデンサ15の電荷がスイッ
チ21を介して放出され、FET12はオフになり、コ
ンデンサ10及び負荷11に対する電力供給が遮断さ
れ、負荷11の保護が達成される。
【0016】図5の回路装置は、第1及び第2の実施例
と同様の作用効果を有する他に、FET12を突入電流
防止と温度保護とで兼用することによって回路構成が簡
単になるという効果も有する。
と同様の作用効果を有する他に、FET12を突入電流
防止と温度保護とで兼用することによって回路構成が簡
単になるという効果も有する。
【0017】
【第4の実施例】図6に示す第4の実施例の回路装置
は、図3の回路装置から電源スイッチ5を省き、この代
りにスイッチ5aをコンデンサ15に並列に接続した他
は図3と同一に構成したものである。スイッチ5aは電
力供給対象回路9に電力を供給しない時にはオンに保
つ。これにより、コンデンサ15の放電回路がスイッチ
5aを介して形成され、FET12のオフが保持され
る。スイッチ5aをオフにすると、コンデンサ15が充
電され、図3の回路装置と同様に突入電力防止効果が得
られる。
は、図3の回路装置から電源スイッチ5を省き、この代
りにスイッチ5aをコンデンサ15に並列に接続した他
は図3と同一に構成したものである。スイッチ5aは電
力供給対象回路9に電力を供給しない時にはオンに保
つ。これにより、コンデンサ15の放電回路がスイッチ
5aを介して形成され、FET12のオフが保持され
る。スイッチ5aをオフにすると、コンデンサ15が充
電され、図3の回路装置と同様に突入電力防止効果が得
られる。
【0018】図6の回路装置は図3の回路装置と同一の
作用効果を有する他に、スイッチ5aの電流容量を小さ
くすることができるという効果を有する。即ち、図3で
は電源スイッチ5に負荷電流が流れるが、図6のスイッ
チ5aにはコンデンサ15の放電電流と第1の抵抗13
で制限された電流が流れるのみであり、これ等は負荷電
流よりも小さい。従って、スイッチ5aを小容量のもの
として低コスト化を図ることができる。また、負荷電流
のオン・オフはFET12によって行われるので、負荷
電流のオン・オフを火花を伴なわない無接点スイッチで
達成することができる。また、図6ではFET12が突
入電流防止と負荷電流のオン・オフとの両方に使用され
ているので、回路装置の低コスト化が達成されている。
作用効果を有する他に、スイッチ5aの電流容量を小さ
くすることができるという効果を有する。即ち、図3で
は電源スイッチ5に負荷電流が流れるが、図6のスイッ
チ5aにはコンデンサ15の放電電流と第1の抵抗13
で制限された電流が流れるのみであり、これ等は負荷電
流よりも小さい。従って、スイッチ5aを小容量のもの
として低コスト化を図ることができる。また、負荷電流
のオン・オフはFET12によって行われるので、負荷
電流のオン・オフを火花を伴なわない無接点スイッチで
達成することができる。また、図6ではFET12が突
入電流防止と負荷電流のオン・オフとの両方に使用され
ているので、回路装置の低コスト化が達成されている。
【0019】
【第5の実施例】図7に示す第5の実施例は、図6のス
イッチ5aの代りに切替スイッチ5bを設けた他は図6
と同一に構成したものである。切替スイッチ5bの共通
の可動接触子22は第1及び第2の固定接点23、24
に選択的に接触する。可動接触子22は第2の抵抗14
及びコンデンサ15の上端に接続され、第1の固定接点
23はコンデンサ15の下端に接続され、第2の固定接
点24は第1の抵抗13の下端に接続されている。図7
の回路で第1の固定接点23に可動接触子22が挿入さ
れている時には、コンデンサ15の放電回路が形成さ
れ、FET12はオフに制御される。可動接触子22が
第2の固定接点24に投入された時にはコンデンサ15
に充電電流が流れ、図3の回路装置と同一の動作が生じ
る。
イッチ5aの代りに切替スイッチ5bを設けた他は図6
と同一に構成したものである。切替スイッチ5bの共通
の可動接触子22は第1及び第2の固定接点23、24
に選択的に接触する。可動接触子22は第2の抵抗14
及びコンデンサ15の上端に接続され、第1の固定接点
23はコンデンサ15の下端に接続され、第2の固定接
点24は第1の抵抗13の下端に接続されている。図7
の回路で第1の固定接点23に可動接触子22が挿入さ
れている時には、コンデンサ15の放電回路が形成さ
れ、FET12はオフに制御される。可動接触子22が
第2の固定接点24に投入された時にはコンデンサ15
に充電電流が流れ、図3の回路装置と同一の動作が生じ
る。
【0020】図7の回路装置は図3及び図6の回路装置
と同一の作用効果を有する他に、FET12のオフ期間
に抵抗13を通る電流をスイッチ5bで完全に遮断でき
るという効果を有する。
と同一の作用効果を有する他に、FET12のオフ期間
に抵抗13を通る電流をスイッチ5bで完全に遮断でき
るという効果を有する。
【0021】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 図5、図6及び図7の回路装置において電源回
路1aを図1の電源回路1と同様に整流回路とすること
ができる。 (2) 図3、図5、図6及び図7の回路装置に図1の
ツエナーダイオード16と同様なものを設けることがで
きる。 (3) 図1、図6及び図7の回路装置に図5の温度セ
ンサ20に相当するものを図5と同様に設けることがで
きる。 (4) ライン8を正の電源ライン、ライン7を負の電
源ラインに変形し、FET12の極性を変えることがで
きる。 (5) FET12の形式を変えることができる。 (6) スイッチ5で電力供給をオン・オフする代りに
プラグをコンセントに差し込む形式にすることができ
る。 (7) 図7の切替スイッチ5bの代りに互いに逆に動
作する2つのスイッチを設けることができる。 (8) コンデンサ10の突入電流に限らず、白熱ラン
プ等の起動時に抵抗又はインピーダンスが低くその後に
高くなる回路素子の突入電流防止にも本発明を適用する
ことができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 図5、図6及び図7の回路装置において電源回
路1aを図1の電源回路1と同様に整流回路とすること
ができる。 (2) 図3、図5、図6及び図7の回路装置に図1の
ツエナーダイオード16と同様なものを設けることがで
きる。 (3) 図1、図6及び図7の回路装置に図5の温度セ
ンサ20に相当するものを図5と同様に設けることがで
きる。 (4) ライン8を正の電源ライン、ライン7を負の電
源ラインに変形し、FET12の極性を変えることがで
きる。 (5) FET12の形式を変えることができる。 (6) スイッチ5で電力供給をオン・オフする代りに
プラグをコンセントに差し込む形式にすることができ
る。 (7) 図7の切替スイッチ5bの代りに互いに逆に動
作する2つのスイッチを設けることができる。 (8) コンデンサ10の突入電流に限らず、白熱ラン
プ等の起動時に抵抗又はインピーダンスが低くその後に
高くなる回路素子の突入電流防止にも本発明を適用する
ことができる。
【図1】第1の実施例の回路装置を示す回路図である。
【図2】図1の各部の状態を示す波形図である。
【図3】第2の実施例の回路装置を示す回路図である。
【図4】図3の各部の状態を示す波形図である。
【図5】第3の実施例の回路装置を示す回路図である。
【図6】第4の実施例の回路装置を示す回路図である。
【図7】第5の実施例の回路装置を示す回路図である。
9 電力供給対象回路 12 FET 15 コンデンサ
Claims (5)
- 【請求項1】 直流電圧を供給するための直流電源回路
と、 前記直流電源回路に接続された突入電流の流れる可能性
のある電力供給対象回路と、 前記直流電源回路の一対の出力端子間に接続された第1
の抵抗と第2の抵抗との直列回路と、 前記第2の抵抗に並列に接続されたコンデンサと、 前記直流電源回路と前記電力供給対象回路との間の電源
ラインに直列に接続され、且つゲート電極が前記コンデ
ンサの一端に接続され、且つソース電極が前記コンデン
サの他端に接続された電界効果トランジスタとを備えた
回路装置。 - 【請求項2】 更に、前記電力供給対象回路の温度を検
出し、この温度が所定値に達した時にオンになる温度検
出スイッチを有し、この温度検出スイッチが前記コンデ
ンサに並列に接続されていることを特徴とする請求項1
に従う回路装置。 - 【請求項3】 更に、前記直流電源回路から前記電力供
給対象回路への電力供給をオン・オフ制御するためのス
イッチが前記コンデンサに並列に接続されていることを
特徴とする請求項1又は2に従う回路装置。 - 【請求項4】 更に、前記コンデンサが前記スイッチに
よって短絡されている時に前記第1の抵抗を前記第2の
抵抗から切り離すためのスイッチ手段が設けられている
ことを特徴とする請求項3に従う回路装置。 - 【請求項5】 前記直流電源回路は、交流電源に接続さ
れる整流回路であり、前記電力供給対象回路は前記整流
回路の出力を平滑するための平滑用コンデンサを含む回
路である請求項1又は2又は3又は4記載の回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23612795A JP3301472B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 突入電流防止機能を有する回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23612795A JP3301472B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 突入電流防止機能を有する回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0956058A true JPH0956058A (ja) | 1997-02-25 |
| JP3301472B2 JP3301472B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=16996162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23612795A Expired - Fee Related JP3301472B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 突入電流防止機能を有する回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3301472B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007014064A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Seiko Instruments Inc | 電子機器 |
| KR100748799B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2007-08-13 | 우드워드 거버너 컴퍼니 | 전기 회전 작동기용 작동 스너버 회로 |
| JP2007215300A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Toshiba Tec Corp | 電源装置 |
| JP2008099426A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Yokogawa Electric Corp | スイッチ回路 |
| JP2011071863A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Nec Lcd Technologies Ltd | 時定数回路、スイッチ回路、dc/dcコンバータ及び表示装置 |
| CN102198799A (zh) * | 2010-03-27 | 2011-09-28 | 三洋电机株式会社 | 车辆用的电源装置以及搭载该电源装置的车辆 |
| JP2012175882A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電源装置及び空気調和装置 |
| KR20200025623A (ko) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 한국전자통신연구원 | 서지 보호 장치 |
| US11171495B2 (en) | 2017-09-15 | 2021-11-09 | Lg Chem, Ltd. | Battery pack having communication terminal isolation function |
| US11251609B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-02-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Surge protection apparatus |
-
1995
- 1995-08-21 JP JP23612795A patent/JP3301472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100748799B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2007-08-13 | 우드워드 거버너 컴퍼니 | 전기 회전 작동기용 작동 스너버 회로 |
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| CN102198799A (zh) * | 2010-03-27 | 2011-09-28 | 三洋电机株式会社 | 车辆用的电源装置以及搭载该电源装置的车辆 |
| JP2011211761A (ja) * | 2010-03-27 | 2011-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 車両用の電源装置及びこの電源装置を搭載する車両 |
| JP2012175882A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電源装置及び空気調和装置 |
| US11171495B2 (en) | 2017-09-15 | 2021-11-09 | Lg Chem, Ltd. | Battery pack having communication terminal isolation function |
| KR20200025623A (ko) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 한국전자통신연구원 | 서지 보호 장치 |
| US11251609B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-02-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Surge protection apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3301472B2 (ja) | 2002-07-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |