JPH095788A - マトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
マトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH095788A JPH095788A JP15492095A JP15492095A JPH095788A JP H095788 A JPH095788 A JP H095788A JP 15492095 A JP15492095 A JP 15492095A JP 15492095 A JP15492095 A JP 15492095A JP H095788 A JPH095788 A JP H095788A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マトリクス型液晶表示装置において、コンタ
クトホールをエッチング加工する際の加工形状の再現
性、カバレージの均一性がすぐれ、レイヤ間のコンタク
トの信頼性が充分なコンタクトホール形状を有する液晶
表示装置を提供することを目的とする。 【構成】 絶縁層およびその下層および上層に導電性の
電極パターンを有する導電層からなるレイヤ構造をもつ
マトリクス型液晶表示装置において、コンタクトホール
がテーパ状に、すなわち、該ホールの側壁面と底面との
なす角度が７５度以下になるように形成される。またコ
ンタクトホールの表面形状が長方形であるばあい、その
長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２を満足するような形状
にする。さらにコンタクトホールに直角のコーナが生じ
ないように、その平面形状が多角形となるように形成す
ることもできる。
クトホールをエッチング加工する際の加工形状の再現
性、カバレージの均一性がすぐれ、レイヤ間のコンタク
トの信頼性が充分なコンタクトホール形状を有する液晶
表示装置を提供することを目的とする。 【構成】 絶縁層およびその下層および上層に導電性の
電極パターンを有する導電層からなるレイヤ構造をもつ
マトリクス型液晶表示装置において、コンタクトホール
がテーパ状に、すなわち、該ホールの側壁面と底面との
なす角度が７５度以下になるように形成される。またコ
ンタクトホールの表面形状が長方形であるばあい、その
長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２を満足するような形状
にする。さらにコンタクトホールに直角のコーナが生じ
ないように、その平面形状が多角形となるように形成す
ることもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマトリクス型液晶表示装
置、とりわけ透明基板上に薄膜トランジスタを有するマ
トリクス型液晶表示装置に関する。
置、とりわけ透明基板上に薄膜トランジスタを有するマ
トリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタを有する液晶表
示装置においては、絶縁層をはさんで上層および下層の
導電性の電極パターンを有する導電層のレイヤ（層、以
下、単にレイヤという）間の電気的コンタクト（以下、
単にコンタクトという）をとるためのコンタクトホール
の平面形状としては正方形の形状が理想形状であること
が知られているが、パターンレイアウトの制約上、常に
正方形のパターンをとりうるとは限らない。
示装置においては、絶縁層をはさんで上層および下層の
導電性の電極パターンを有する導電層のレイヤ（層、以
下、単にレイヤという）間の電気的コンタクト（以下、
単にコンタクトという）をとるためのコンタクトホール
の平面形状としては正方形の形状が理想形状であること
が知られているが、パターンレイアウトの制約上、常に
正方形のパターンをとりうるとは限らない。
【０００３】このようなばあいには特開昭６１−１６６
０４８号公報明細書に開示されるように等間隔に正方形
を複数個連ねた配置をとることが知られている（図４参
照）。
０４８号公報明細書に開示されるように等間隔に正方形
を複数個連ねた配置をとることが知られている（図４参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のような形状を有
するコンタクトホールを加工して設けるばあい、レジス
トを用いて形成したパターンをエッチングマスクとして
ドライエッチングするのが一般的な方法である。この方
法により、露光装置の解像性能の限界の近傍を利用する
ばあい、たとえば、光のまわりこみのため正方形のレジ
ストパターンが実際には円形になり、かつ深さ方向にレ
ジストのすそ引きが起こってスカムを生じやすくなる。
このため、図４に示すような複数個の正方形を連ねた配
置のパターンを形成すると、形成されるレジストパター
ンの再現性、安定性が不充分となって確実なコンタクト
がえられなくなり、製品としてえられる薄膜トランジス
タの動作不良など特性上の問題が生ずる。
するコンタクトホールを加工して設けるばあい、レジス
トを用いて形成したパターンをエッチングマスクとして
ドライエッチングするのが一般的な方法である。この方
法により、露光装置の解像性能の限界の近傍を利用する
ばあい、たとえば、光のまわりこみのため正方形のレジ
ストパターンが実際には円形になり、かつ深さ方向にレ
ジストのすそ引きが起こってスカムを生じやすくなる。
このため、図４に示すような複数個の正方形を連ねた配
置のパターンを形成すると、形成されるレジストパター
ンの再現性、安定性が不充分となって確実なコンタクト
がえられなくなり、製品としてえられる薄膜トランジス
タの動作不良など特性上の問題が生ずる。
【０００５】また、コンタクトホールの平面形状が図５
および図６（ａ）、（ｂ）に示すような長方形パターン
のばあいではドライエッチングで加工してできたホール
の断面のプロファイルにおいて、長辺方向のプロファイ
ルと短辺方向のプロファイルとでその形状が異なるた
め、次工程の成膜の際にカバレージがコンタクトホール
のどの面にもおよびどの角部にも均等になされるという
均一性（以下、単にカバレージの均一性という）が不充
分となり、部分的断線が発生して断線の原因を生じるの
で、レイヤ間のコンタクトの信頼性保証上、重大な不良
を引き起こす可能性がある。
および図６（ａ）、（ｂ）に示すような長方形パターン
のばあいではドライエッチングで加工してできたホール
の断面のプロファイルにおいて、長辺方向のプロファイ
ルと短辺方向のプロファイルとでその形状が異なるた
め、次工程の成膜の際にカバレージがコンタクトホール
のどの面にもおよびどの角部にも均等になされるという
均一性（以下、単にカバレージの均一性という）が不充
分となり、部分的断線が発生して断線の原因を生じるの
で、レイヤ間のコンタクトの信頼性保証上、重大な不良
を引き起こす可能性がある。
【０００６】本発明はかかる課題を解決し、コンタクト
ホールに関するカバレージの均一性を向上させて、製造
上のレジストパターンの再現性、カバレージの均一性が
すぐれた液晶表示装置を提供することを目的とする。
ホールに関するカバレージの均一性を向上させて、製造
上のレジストパターンの再現性、カバレージの均一性が
すぐれた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】本発明では、
かかる課題を解決するためにマトリクス型液晶表示装置
を形成するばあいの長方形のコンタクトホールの形状に
ついて、平面的に最大限のコンタクト面積を確保し、か
つ断面プロファイル形状を短辺側と長辺側とでほぼ同等
に加工することができる加工均一性を確保できる縦と横
の構成比を規定することによりコンタクトホール部のコ
ンタクトが確実でカバレージの均一性が良好な安定した
積層構造を形成する。
かかる課題を解決するためにマトリクス型液晶表示装置
を形成するばあいの長方形のコンタクトホールの形状に
ついて、平面的に最大限のコンタクト面積を確保し、か
つ断面プロファイル形状を短辺側と長辺側とでほぼ同等
に加工することができる加工均一性を確保できる縦と横
の構成比を規定することによりコンタクトホール部のコ
ンタクトが確実でカバレージの均一性が良好な安定した
積層構造を形成する。
【０００８】また、かかるコンタクトホールにおいて直
角のコーナが生じないように、すなわち該コンタクトホ
ールの平面形状が多角形になるように該コンタクトホー
ルを形成することにより、コンタクトホールの断面プロ
ファイルの均一性を確保することができ、その結果同様
にコンタクトホール部のコンタクトが確実でカバレージ
の均一性が良好な安定した積層構造を形成する。
角のコーナが生じないように、すなわち該コンタクトホ
ールの平面形状が多角形になるように該コンタクトホー
ルを形成することにより、コンタクトホールの断面プロ
ファイルの均一性を確保することができ、その結果同様
にコンタクトホール部のコンタクトが確実でカバレージ
の均一性が良好な安定した積層構造を形成する。
【０００９】このため本発明のマトリクス型液晶表示装
置は絶縁体基板上に薄膜トランジスタと、絶縁層ならび
に絶縁層をはさんで下層および上層に導電性の電極パタ
ーンを有する導電層からなるレイヤ構造とを含むマトリ
クス型液晶表示装置であって、該液晶表示装置には、前
記レイヤ構造のレイヤ間のコンタクトをとるコンタクト
ホールがテーパ状に形成され、かつ、該ホールの断面形
状が、該ホールの側壁面と該ホールの底面とのなす角度
が７５度以下となるように形成されてなることを特徴と
する。
置は絶縁体基板上に薄膜トランジスタと、絶縁層ならび
に絶縁層をはさんで下層および上層に導電性の電極パタ
ーンを有する導電層からなるレイヤ構造とを含むマトリ
クス型液晶表示装置であって、該液晶表示装置には、前
記レイヤ構造のレイヤ間のコンタクトをとるコンタクト
ホールがテーパ状に形成され、かつ、該ホールの断面形
状が、該ホールの側壁面と該ホールの底面とのなす角度
が７５度以下となるように形成されてなることを特徴と
する。
【００１０】前記コンタクトホールが、該ホールの平面
形状が長方形であり、かつ、該長方形の少なくとも長辺
の長さが、感光性樹脂を用いる写真製版プロセスとエッ
チングプロセスとによってパターン形成する際に使用す
る露光装置の解像限界長さの１．２５倍以上となるばあ
いに、前記長方形の長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２を
満たすようにされてなることが好ましい。
形状が長方形であり、かつ、該長方形の少なくとも長辺
の長さが、感光性樹脂を用いる写真製版プロセスとエッ
チングプロセスとによってパターン形成する際に使用す
る露光装置の解像限界長さの１．２５倍以上となるばあ
いに、前記長方形の長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２を
満たすようにされてなることが好ましい。
【００１１】前記長方形の長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ
≦２を満たさないばあいに、前記コンタクトホールが、
当該ホールの平面形状が多角形になるように形成されて
なることが好ましい。
≦２を満たさないばあいに、前記コンタクトホールが、
当該ホールの平面形状が多角形になるように形成されて
なることが好ましい。
【００１２】前記コンタクトホールが、当該ホールの平
面形状が多角形になるように形成されてなることが好ま
しい。
面形状が多角形になるように形成されてなることが好ま
しい。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
【００１４】実施例１ 図１は、本発明による一実施例について示した平面説明
図であり、補助容量を含む構造として付加容量型構造を
採用したばあいに、補助容量を形成する電極と前段のゲ
ートラインとコンタクトをとるために絶縁膜に形成した
コンタクトホールを有するデバイスの平面図を示してい
る。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、同様に図２
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図である。
図であり、補助容量を含む構造として付加容量型構造を
採用したばあいに、補助容量を形成する電極と前段のゲ
ートラインとコンタクトをとるために絶縁膜に形成した
コンタクトホールを有するデバイスの平面図を示してい
る。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、同様に図２
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１５】ここでは下層に形成する補助容量電極には
スパッタ法で成膜したＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、ＩＴＯなどを
用いることができる。膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲内
で適当な膜厚で成膜する。また、絶縁膜としてはＣＶＤ
法によって成膜したシリコン窒化膜あるいはシリコン酸
化膜などを用いることができる。さらに上層に形成する
ゲート配線には、スパッタ法によるＣｒ、Ａｌ、Ｔａな
どの金属が用いられる。膜厚は、１００〜５００ｎｍの
範囲で成膜される。
スパッタ法で成膜したＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、ＩＴＯなどを
用いることができる。膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲内
で適当な膜厚で成膜する。また、絶縁膜としてはＣＶＤ
法によって成膜したシリコン窒化膜あるいはシリコン酸
化膜などを用いることができる。さらに上層に形成する
ゲート配線には、スパッタ法によるＣｒ、Ａｌ、Ｔａな
どの金属が用いられる。膜厚は、１００〜５００ｎｍの
範囲で成膜される。
【００１６】つぎにレジストを用いて形成したパターン
をエッチングマスクとしてドライエッチングしてコンタ
クトホールを形成する。ドライエッチングによってコン
タクトホールをテーパ状に形成する方法は以下に示すよ
うに通常のドライエッチングと同様にして行なう。マス
クとするレジストには通常のノボラック系のポジレジス
トを用いる。現像後のベークはホットプレート上で温度
約１５０℃、時間約３分でなされるのが好ましい。ドラ
イエッチングの標準的な条件はＲＩＥ方式により、ＣＦ
4／Ｏ2（８０／４０ＳＣＣＭ）のガスにより圧力７．５
Ｐａ、ＲＦパワー１．５ＫＷである。
をエッチングマスクとしてドライエッチングしてコンタ
クトホールを形成する。ドライエッチングによってコン
タクトホールをテーパ状に形成する方法は以下に示すよ
うに通常のドライエッチングと同様にして行なう。マス
クとするレジストには通常のノボラック系のポジレジス
トを用いる。現像後のベークはホットプレート上で温度
約１５０℃、時間約３分でなされるのが好ましい。ドラ
イエッチングの標準的な条件はＲＩＥ方式により、ＣＦ
4／Ｏ2（８０／４０ＳＣＣＭ）のガスにより圧力７．５
Ｐａ、ＲＦパワー１．５ＫＷである。
【００１７】つぎに、コンタクトホールの側壁面と底面
とのなす角度の測定方法と当該角度の範囲を定めた理由
について説明する。当該角度を測定する方法は、その断
面プロファイル形状を断面ＳＥＭ（scanning electron
microscope 走査型電子顕微鏡）を用いて実測して行な
う。なお、ここで側壁面と底面とのなす角度θは、たと
えば図２（ａ）において絶縁層１２が補助容量電極パタ
ーン２と接している部分の絶縁層の底面からコンタクト
ホールの側壁面へ向かって測った角度θをいうものとす
る。コンタクトホールの側壁面と底面とのなす好ましい
角度を７５度以下としたのは、つぎの理由による。すな
わち、当該角度が７５度をこえると、側壁面が垂直に立
つ方向であり、このような断面形状では上部導電層の成
膜時のカバレージがわるくなり、コンタクト不良の原因
となる。種々角度を変えて実験的に調べたところ７５度
以下とすると前記コンタクト不良が起きることがなく安
定して製品を製造できることがわかったことによる。な
お、当該角度の下限値はとくに限定しないが、たとえば
６０度以下のような角度はコンタクトホールの周囲の絶
縁層の厚さが薄くなることになり好ましくないので、実
際には７５度以下であって、製造上のばらつきによる７
５度より少し小さい角度までの範囲で実施される。
とのなす角度の測定方法と当該角度の範囲を定めた理由
について説明する。当該角度を測定する方法は、その断
面プロファイル形状を断面ＳＥＭ（scanning electron
microscope 走査型電子顕微鏡）を用いて実測して行な
う。なお、ここで側壁面と底面とのなす角度θは、たと
えば図２（ａ）において絶縁層１２が補助容量電極パタ
ーン２と接している部分の絶縁層の底面からコンタクト
ホールの側壁面へ向かって測った角度θをいうものとす
る。コンタクトホールの側壁面と底面とのなす好ましい
角度を７５度以下としたのは、つぎの理由による。すな
わち、当該角度が７５度をこえると、側壁面が垂直に立
つ方向であり、このような断面形状では上部導電層の成
膜時のカバレージがわるくなり、コンタクト不良の原因
となる。種々角度を変えて実験的に調べたところ７５度
以下とすると前記コンタクト不良が起きることがなく安
定して製品を製造できることがわかったことによる。な
お、当該角度の下限値はとくに限定しないが、たとえば
６０度以下のような角度はコンタクトホールの周囲の絶
縁層の厚さが薄くなることになり好ましくないので、実
際には７５度以下であって、製造上のばらつきによる７
５度より少し小さい角度までの範囲で実施される。
【００１８】前述のようにして形成されたコンタクトホ
ール部をおおってなされる金属スパッタ膜のカバレージ
のうち、コンタクトホールのボトム部やエッジ部（ホー
ルの入り口のふちの部分）などになされたカバレージに
は亀裂の発生などはなく部分的断線が発生したりするこ
とがないのでレイヤ間のコンタクトは良好である。
ール部をおおってなされる金属スパッタ膜のカバレージ
のうち、コンタクトホールのボトム部やエッジ部（ホー
ルの入り口のふちの部分）などになされたカバレージに
は亀裂の発生などはなく部分的断線が発生したりするこ
とがないのでレイヤ間のコンタクトは良好である。
【００１９】実施例２ 図３（ａ）は従来例のコンタクト部の平面説明図、図３
（ｂ）は図３（ａ）と同様の構成において本発明を適用
したコンタクト部の実施例の他の例を示す平面説明図で
ある。本実施例は、コンタクトホールがその平面形状が
長方形であり、かつ、その長方形の長辺の長さおよび短
辺の長さの両方、または長辺の長さが、感光性樹脂を用
いる写真製版プロセスとエッチングプロセスとによって
パターン形成する際に使用する露光装置の解像限界長さ
の１．２５倍以上となるばあいに適用される。前記長方
形の長辺の長さおよび短辺の長さの両方、または長辺の
長さが前記露光装置の解像限界長さの１．２５倍以上と
するのは当該長辺および短辺の長さを種々変更して実験
的に調べた結果、当該１．２５倍以上のばあいには、長
方形パターンの長辺および短辺の長さの差が大きいばあ
い（長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２を満たさないばあ
い）にえられるコンタクトホール形状の再現性、安定性
がわるくなるということがわかったことに基づく。
（ｂ）は図３（ａ）と同様の構成において本発明を適用
したコンタクト部の実施例の他の例を示す平面説明図で
ある。本実施例は、コンタクトホールがその平面形状が
長方形であり、かつ、その長方形の長辺の長さおよび短
辺の長さの両方、または長辺の長さが、感光性樹脂を用
いる写真製版プロセスとエッチングプロセスとによって
パターン形成する際に使用する露光装置の解像限界長さ
の１．２５倍以上となるばあいに適用される。前記長方
形の長辺の長さおよび短辺の長さの両方、または長辺の
長さが前記露光装置の解像限界長さの１．２５倍以上と
するのは当該長辺および短辺の長さを種々変更して実験
的に調べた結果、当該１．２５倍以上のばあいには、長
方形パターンの長辺および短辺の長さの差が大きいばあ
い（長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２を満たさないばあ
い）にえられるコンタクトホール形状の再現性、安定性
がわるくなるということがわかったことに基づく。
【００２０】パターンサイズとして図３（ａ）に示すよ
うなばあいは、コンタクトの平面形状として最も有利で
あると言われている正方形を有するばあいでは、辺の長
さｘ、ｙのいずれもたとえば４μｍ（ｚは６μｍ、ｗは
４μｍ）とすると２個の正方形のコンタクトの合計面積
は３２μｍ2であるが、本発明を適用すれば図３（ｂ）
に示すように、長辺の長さｘを６μｍ、短辺の長さｙを
４μｍ（ｚは４μｍ）として２個の長方形のコンタクト
の合計面積として４８μｍ2を確保し、さらにコンタク
ト抵抗、カバレージの均一性など、コンタクトとしての
要求特性を低下させることなく、必要充分な特性を有す
るデバイスを形成することができる。
うなばあいは、コンタクトの平面形状として最も有利で
あると言われている正方形を有するばあいでは、辺の長
さｘ、ｙのいずれもたとえば４μｍ（ｚは６μｍ、ｗは
４μｍ）とすると２個の正方形のコンタクトの合計面積
は３２μｍ2であるが、本発明を適用すれば図３（ｂ）
に示すように、長辺の長さｘを６μｍ、短辺の長さｙを
４μｍ（ｚは４μｍ）として２個の長方形のコンタクト
の合計面積として４８μｍ2を確保し、さらにコンタク
ト抵抗、カバレージの均一性など、コンタクトとしての
要求特性を低下させることなく、必要充分な特性を有す
るデバイスを形成することができる。
【００２１】ここで、長辺側の断面プロファイルと短辺
側の断面プロファイルとがほぼ同等の形状に加工でき、
カバレージの均一性が長辺側とも良好な状態で実現でき
る範囲として長方形の長辺と短辺の比率Ｘを１＜Ｘ≦２
とした。
側の断面プロファイルとがほぼ同等の形状に加工でき、
カバレージの均一性が長辺側とも良好な状態で実現でき
る範囲として長方形の長辺と短辺の比率Ｘを１＜Ｘ≦２
とした。
【００２２】実施例３ つぎに、長方形の長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２を満
たさないばあいの実施例である、実施例２の１つの変形
例として、長方形のコンタクトホールにおいて直角のコ
ーナが生じないように、すなわち該コンタクトホールの
平面形状が多角形になるように形成されたコンタクトホ
ールについて説明する。ここで、かかる平面形状が多角
形になるように形成する方法は、マスクのパターンとし
て多角形のパターンを形成しておき、レジストを当該マ
スクを用いて露光、現像することにより基板上に転写す
ることによって行なう。このようにコンタクトホールの
平面形状が多角形となるようにコンタクトホールを形成
することにより、コンタクトホールに直角のコーナが生
じず、かつ平面的に最大限のコンタクト面積を確保する
ことができる。
たさないばあいの実施例である、実施例２の１つの変形
例として、長方形のコンタクトホールにおいて直角のコ
ーナが生じないように、すなわち該コンタクトホールの
平面形状が多角形になるように形成されたコンタクトホ
ールについて説明する。ここで、かかる平面形状が多角
形になるように形成する方法は、マスクのパターンとし
て多角形のパターンを形成しておき、レジストを当該マ
スクを用いて露光、現像することにより基板上に転写す
ることによって行なう。このようにコンタクトホールの
平面形状が多角形となるようにコンタクトホールを形成
することにより、コンタクトホールに直角のコーナが生
じず、かつ平面的に最大限のコンタクト面積を確保する
ことができる。
【００２３】なお、前記長方形の長辺と短辺の比率には
無関係にコンタクトホールに直角のコーナが生じない多
角形の平面形状を有するコンタクトホールを形成したば
あい、当該ホールの断面プロファイルがテーパ状とな
り、カバレージの均一性がえられ、充分なコンタクト面
積を確保できる。
無関係にコンタクトホールに直角のコーナが生じない多
角形の平面形状を有するコンタクトホールを形成したば
あい、当該ホールの断面プロファイルがテーパ状とな
り、カバレージの均一性がえられ、充分なコンタクト面
積を確保できる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明の液晶表示装置
は、平面的に最大限のコンタクト面積を確保し、かつ断
面プロファイルの均一性が良好なコンタクトホールを形
成することができたので、コンタクト抵抗やカバレージ
の均一性について従来品と同等以上の特性を有する結果
がえられた。したがってその波及効果としてこれまでの
ようにコンタクト形状を正方形にすることにとらわれる
ことなく、採用できる形状に幅ができることにより設計
上の自由度があがるという効果もある。
は、平面的に最大限のコンタクト面積を確保し、かつ断
面プロファイルの均一性が良好なコンタクトホールを形
成することができたので、コンタクト抵抗やカバレージ
の均一性について従来品と同等以上の特性を有する結果
がえられた。したがってその波及効果としてこれまでの
ようにコンタクト形状を正方形にすることにとらわれる
ことなく、採用できる形状に幅ができることにより設計
上の自由度があがるという効果もある。
【図１】本発明の実施例の平面説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施例を示す図１のＡ−Ａ線
断面図、（ｂ）は本発明の実施例を示す図１のＢ−Ｂ線
断面図である。
断面図、（ｂ）は本発明の実施例を示す図１のＢ−Ｂ線
断面図である。
【図３】（ａ）は従来例のコンタクト部の平面説明図、
（ｂ）は図３（ａ）と同様の構成において本発明を適用
したコンタクト部の平面説明図である。
（ｂ）は図３（ａ）と同様の構成において本発明を適用
したコンタクト部の平面説明図である。
【図４】従来例によるコンタクト部の平面説明図であ
る。
る。
【図５】別の従来例によるコンタクト部の平面説明図で
ある。
ある。
【図６】（ａ）は従来例を示す図５のＡ−Ａ線断面図、
（ｂ）は従来例を示す図５のＢ−Ｂ線断面図である。
（ｂ）は従来例を示す図５のＢ−Ｂ線断面図である。
１ コンタクトホールパターン ２ 補助容量電極パターン ３ ゲート電極パターン １０ 下部導電性電極パターン １１ 上部導電性電極パターン １２ 絶縁層
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁体基板上に薄膜トランジスタと、絶
縁層ならびに絶縁層をはさんで下層および上層に導電性
の電極パターンを有する導電層からなるレイヤ構造とを
含むマトリクス型液晶表示装置であって、該液晶表示装
置には、前記レイヤ構造のレイヤ間のコンタクトをとる
コンタクトホールがテーパ状に形成され、かつ、該ホー
ルの断面形状が、該ホールの側壁面と該ホールの底面と
のなす角度が７５度以下となるように形成されてなるこ
とを特徴とするマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記コンタクトホールが、該ホールの平
面形状が長方形であり、かつ、該長方形の少なくとも長
辺の長さが、感光性樹脂を用いる写真製版プロセスとエ
ッチングプロセスとによってパターン形成する際に使用
する露光装置の解像限界長さの１．２５倍以上となるば
あいに、前記長方形の長辺と短辺の比率Ｘが１＜Ｘ≦２
を満たすようにされてなる請求項１記載のマトリクス型
液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記長方形の長辺と短辺の比率Ｘが１＜
Ｘ≦２を満たさないばあいに、前記コンタクトホール
が、当該ホールの平面形状が多角形になるように形成さ
れてなる請求項２記載のマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記コンタクトホールが、当該ホールの
平面形状が多角形になるように形成されてなる請求項２
記載のマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15492095A JPH095788A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | マトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15492095A JPH095788A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | マトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095788A true JPH095788A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15594849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15492095A Pending JPH095788A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | マトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095788A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414730B1 (en) | 1998-10-26 | 2002-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| JP2006201041A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
| JP2006313879A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、集積回路、および液晶表示装置 |
| US7843523B2 (en) | 2005-04-04 | 2010-11-30 | Kabushiki Kaisha Ekisho Sentan Gijutsu Kaihatsu Center | Thin film transistor, integrated circuit, liquid crystal display, method of producing thin film transistor, and method of exposure using attenuated type mask |
-
1995
- 1995-06-21 JP JP15492095A patent/JPH095788A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414730B1 (en) | 1998-10-26 | 2002-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| JP2006201041A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
| JP2006313879A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、集積回路、および液晶表示装置 |
| US7843523B2 (en) | 2005-04-04 | 2010-11-30 | Kabushiki Kaisha Ekisho Sentan Gijutsu Kaihatsu Center | Thin film transistor, integrated circuit, liquid crystal display, method of producing thin film transistor, and method of exposure using attenuated type mask |
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