JPH0959063A - Ｘ７ｒ型低火度改良誘電性組成物とそのコンデンサー - Google Patents
Ｘ７ｒ型低火度改良誘電性組成物とそのコンデンサーInfo
- Publication number
- JPH0959063A JPH0959063A JP8162285A JP16228596A JPH0959063A JP H0959063 A JPH0959063 A JP H0959063A JP 8162285 A JP8162285 A JP 8162285A JP 16228596 A JP16228596 A JP 16228596A JP H0959063 A JPH0959063 A JP H0959063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- dielectric
- range
- base material
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 197
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 41
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 27
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 17
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(II) nitrate Inorganic materials [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 17
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- -1 formed into a sheet Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 Ｘ７Ｒ特性を示し、かつ３２００以上の誘電
率をも発揮し得る低火度多層コンデンサーを作るために
用いる誘電性セラミック組成物を提供する。 【解決手段】 多層セラミックコンデンサー用の新規な
低火度セラミック組成物で、それぞれが金属酸化物また
はその前駆体から誘導された基材料、セラミック焼結助
剤と低融点ガラス組成分を含み、この基材料は約９７．
８９から９８．１９重量％のチタン酸バリウムと約１．
８１から２．１１重量％の酸化ネオジムからなり、セラ
ミック焼結助剤はＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２から、またガ
ラス組成分は８６．０重量％のＰｂＯ，９．０重量％の
Ｂ２Ｏ３，１．５８重量％のＳｉＯ２，０．１３重量％
のＴｉＯ２と３．２９重量％のＡｌ２Ｏ３からなる。二
酸化マンガンまたはその前駆体を組成物の全体の約０．
２０５重量％で加えてもよい。
率をも発揮し得る低火度多層コンデンサーを作るために
用いる誘電性セラミック組成物を提供する。 【解決手段】 多層セラミックコンデンサー用の新規な
低火度セラミック組成物で、それぞれが金属酸化物また
はその前駆体から誘導された基材料、セラミック焼結助
剤と低融点ガラス組成分を含み、この基材料は約９７．
８９から９８．１９重量％のチタン酸バリウムと約１．
８１から２．１１重量％の酸化ネオジムからなり、セラ
ミック焼結助剤はＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２から、またガ
ラス組成分は８６．０重量％のＰｂＯ，９．０重量％の
Ｂ２Ｏ３，１．５８重量％のＳｉＯ２，０．１３重量％
のＴｉＯ２と３．２９重量％のＡｌ２Ｏ３からなる。二
酸化マンガンまたはその前駆体を組成物の全体の約０．
２０５重量％で加えてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック誘電性
組成物とそれから作られる多層セラミックコンデンサー
に関するものであり、更に詳細には３２００以上の誘電
率をも有し得る低火度多層セラミックコンデンサーを作
るのに特に適したＸ７Ｒ基準の改良された誘電性セラミ
ック組成物に関するものである。
組成物とそれから作られる多層セラミックコンデンサー
に関するものであり、更に詳細には３２００以上の誘電
率をも有し得る低火度多層セラミックコンデンサーを作
るのに特に適したＸ７Ｒ基準の改良された誘電性セラミ
ック組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ７Ｒ特性を示す種々のセラミック誘電
性組成物、即ち−５５℃から＋１２５℃の温度範囲にわ
たって室温２５℃における参照値から約±１５％以上変
わらない誘電率（Ｋ′）の温度係数（ＴＣ）を要求する
アメリカ合衆国電子工業協会（ＥＩＡ）の規格に適合す
る組成物を開示する多数のアメリカ合衆国特許が今まで
にある。これらの豊富な先公知例から教えられること
は、誘電性組成物の成分と又はその成分比をわずかに変
えることで新しくかつ予期しない特性が生じる事実であ
る。
性組成物、即ち−５５℃から＋１２５℃の温度範囲にわ
たって室温２５℃における参照値から約±１５％以上変
わらない誘電率（Ｋ′）の温度係数（ＴＣ）を要求する
アメリカ合衆国電子工業協会（ＥＩＡ）の規格に適合す
る組成物を開示する多数のアメリカ合衆国特許が今まで
にある。これらの豊富な先公知例から教えられること
は、誘電性組成物の成分と又はその成分比をわずかに変
えることで新しくかつ予期しない特性が生じる事実であ
る。
【０００３】このような新しい特性は、多層セラミック
コンデンサーに用いられたときにより良い特性を生じる
ことになる。
コンデンサーに用いられたときにより良い特性を生じる
ことになる。
【０００４】例えば、アメリカ合衆国特許第４８１６４
３０号は、Ｘ７Ｒ特性を有する組成物を開示するが、こ
の組成物で製品を作るのには比較的に高い温度、即ち１
２８０℃以上の温度で焼成する必要がある。この結果、
このような組成物から作られるコンデンサーは例えば純
パラジウムの如く高価な電極材料を使用しなければなら
ない。
３０号は、Ｘ７Ｒ特性を有する組成物を開示するが、こ
の組成物で製品を作るのには比較的に高い温度、即ち１
２８０℃以上の温度で焼成する必要がある。この結果、
このような組成物から作られるコンデンサーは例えば純
パラジウムの如く高価な電極材料を使用しなければなら
ない。
【０００５】本出願人のアメリカ合衆国特許第５１２８
２８９号もまた、Ｘ７Ｒ特性を有する誘電性セラミック
材料を開示しているが、これもまた１２８０℃以上の温
度で焼結しなければならない高火度組成物である。もっ
とも、この本出願人の特許にかかる組成物は非常に密で
きれいに細粒化したセラミックミクロ組織を有する製品
を生じ、これにより多層コンデンサーを製造するに当た
って、より薄い誘電性層を使える利点を持つ。このよう
なコンデンサーはその結果高い誘電率（Ｋ′）を示し従
って所定のキャパシタンス値に対してそれ程に高価でな
い電極材料を使うことが許される。
２８９号もまた、Ｘ７Ｒ特性を有する誘電性セラミック
材料を開示しているが、これもまた１２８０℃以上の温
度で焼結しなければならない高火度組成物である。もっ
とも、この本出願人の特許にかかる組成物は非常に密で
きれいに細粒化したセラミックミクロ組織を有する製品
を生じ、これにより多層コンデンサーを製造するに当た
って、より薄い誘電性層を使える利点を持つ。このよう
なコンデンサーはその結果高い誘電率（Ｋ′）を示し従
って所定のキャパシタンス値に対してそれ程に高価でな
い電極材料を使うことが許される。
【０００６】アメリカ合衆国特許第４５４０６７６号と
同第５２９６４２６号は、Ｘ７Ｒ特性を有するいわゆる
低火度誘電性組成物を開示しており、確かにこの組成物
から１１００から１１５０℃の範囲内でコンデンサーを
焼成することができるが、得られるコンデンサーは３２
００以上の誘電率値を示し得ない。
同第５２９６４２６号は、Ｘ７Ｒ特性を有するいわゆる
低火度誘電性組成物を開示しており、確かにこの組成物
から１１００から１１５０℃の範囲内でコンデンサーを
焼成することができるが、得られるコンデンサーは３２
００以上の誘電率値を示し得ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｘ７
Ｒ特性を示し、かつ３２００以上の誘電率（Ｋ′）をも
発揮し得るコンデンサーを作るために用いることができ
る誘電性セラミック組成物を提供することである。
Ｒ特性を示し、かつ３２００以上の誘電率（Ｋ′）をも
発揮し得るコンデンサーを作るために用いることができ
る誘電性セラミック組成物を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、非常に高い誘電率、
低い散逸係数、及び良好な温度安定性とを有する（１１
００℃又はそれ以下の）低火度コンデンサーを作るため
の上述した種類の改良されたＸ７Ｒ型セラミック誘電性
組成物を提供することにある。
低い散逸係数、及び良好な温度安定性とを有する（１１
００℃又はそれ以下の）低火度コンデンサーを作るため
の上述した種類の改良されたＸ７Ｒ型セラミック誘電性
組成物を提供することにある。
【０００９】本発明の更に他の目的は、変調波振幅（ｓ
ｉｇｎａｌ ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）が１ＶＲＭｓの１Ｋ
Ｈｚ試験周波数（ｔｅｓｔ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）にお
いて２．５％またはそれ以下である散逸係数（ＤＦ）を
出し得る多層セラミックコンデンサーを作る上記した種
類の組成物を提供することにある。
ｉｇｎａｌ ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）が１ＶＲＭｓの１Ｋ
Ｈｚ試験周波数（ｔｅｓｔ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）にお
いて２．５％またはそれ以下である散逸係数（ＤＦ）を
出し得る多層セラミックコンデンサーを作る上記した種
類の組成物を提供することにある。
【００１０】本発明のその他の目的は、本明細書の以下
の記述及び冒頭の特許請求の範囲から明らかな通りであ
る。
の記述及び冒頭の特許請求の範囲から明らかな通りであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】均一な粒子径で高純度の
チタン酸バリウムと酸化ネオジムの混合物を含む系をと
もに水溶性スラリーとして混合し、乾燥し、温度を上げ
て反応させる。この反応した粉末の粒径を機械的な粉砕
によって下げ、その後にＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と粉末
で低融点のガラスを加えて全体を水溶性スラリーとして
混合し、乾燥し、粉砕して細かで均一な粉末とする。
チタン酸バリウムと酸化ネオジムの混合物を含む系をと
もに水溶性スラリーとして混合し、乾燥し、温度を上げ
て反応させる。この反応した粉末の粒径を機械的な粉砕
によって下げ、その後にＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と粉末
で低融点のガラスを加えて全体を水溶性スラリーとして
混合し、乾燥し、粉砕して細かで均一な粉末とする。
【００１２】この粉末をそこで溶剤に溶かしたＰＶＢ結
合剤と混合し、シート状に成形し、これに電極材料をス
クリーン印刷し、積層して多層セラミックコンデンサー
を作る。かかるコンデンサーは、３５００の誘電率を示
すこともあった。
合剤と混合し、シート状に成形し、これに電極材料をス
クリーン印刷し、積層して多層セラミックコンデンサー
を作る。かかるコンデンサーは、３５００の誘電率を示
すこともあった。
【００１３】
実施例 本発明で開示する新規なセラミック誘電性組成物は、高
純度で均一な粒子径のＢａＴｉＯ３とＮｄ２Ｏ３の混合
物を含む基材料から作ることができる。以下に述べるサ
ンプルで用いられたＢａＴｉＯ３はＮｄ２Ｏ３とは別に
前仮焼された後にＮｄ２Ｏ３と混ぜて、この混合物を仮
焼し、そこで微粉末のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と微粉末
で低融点のガラスと混合された。所望の際には、Ｍｎ
（ＮＯ３）２を加えた。この混合物をなす高純度のチタ
ン酸バリウムは本出願人の一事業部であるトランセルコ
（Ｔｒａｎｓ−ｅｌｃｏ）が製品番号２１９−９として
販売する種類のものであり、例えば本出願人のアメリカ
合衆国特許第４６７０２４３号で教示される方法と基本
的には同一の三火殿法によって作られるものである。
純度で均一な粒子径のＢａＴｉＯ３とＮｄ２Ｏ３の混合
物を含む基材料から作ることができる。以下に述べるサ
ンプルで用いられたＢａＴｉＯ３はＮｄ２Ｏ３とは別に
前仮焼された後にＮｄ２Ｏ３と混ぜて、この混合物を仮
焼し、そこで微粉末のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と微粉末
で低融点のガラスと混合された。所望の際には、Ｍｎ
（ＮＯ３）２を加えた。この混合物をなす高純度のチタ
ン酸バリウムは本出願人の一事業部であるトランセルコ
（Ｔｒａｎｓ−ｅｌｃｏ）が製品番号２１９−９として
販売する種類のものであり、例えば本出願人のアメリカ
合衆国特許第４６７０２４３号で教示される方法と基本
的には同一の三火殿法によって作られるものである。
【００１４】例えば、以下の表中に列記されるサンプル
の誘電性組成物の各基材料は、スラリーにしてＺｒＯ２
粉砕媒体を用いて１．５時間振動型スウェコ（ｓｗｅｃ
ｏ）ミルで粉砕した。このスラリーを乾燥し、１０メッ
シュ篩でふるい、これを仮焼した。この仮焼した材料を
微粉末に粉砕し、以下の表中に示すパーセントのＢｉ２
Ｏ３・２ＴｉＯ２、ガラス粉末及びＭｎ（ＮＯ３）２と
混合して５０％水溶液とした。この組成物のスラリーを
Ａｌ２Ｏ３粉砕媒体を用いてローリングボールミル中で
４時間粉砕し、乾燥して微細で均一な誘電性粉末とし
た。
の誘電性組成物の各基材料は、スラリーにしてＺｒＯ２
粉砕媒体を用いて１．５時間振動型スウェコ（ｓｗｅｃ
ｏ）ミルで粉砕した。このスラリーを乾燥し、１０メッ
シュ篩でふるい、これを仮焼した。この仮焼した材料を
微粉末に粉砕し、以下の表中に示すパーセントのＢｉ２
Ｏ３・２ＴｉＯ２、ガラス粉末及びＭｎ（ＮＯ３）２と
混合して５０％水溶液とした。この組成物のスラリーを
Ａｌ２Ｏ３粉砕媒体を用いてローリングボールミル中で
４時間粉砕し、乾燥して微細で均一な誘電性粉末とし
た。
【００１５】この誘電性粉末をそこで市販される溶剤基
のＰＶＢバインダー系と混合し、成形用スリップを作っ
た。このスリップを薄板に成形して所望の寸法に切断
し、Ａｇ７０％−Ｐｄ３０％の内部電極ペーストで印刷
した。この薄板を積層して多層化し、これを切断して例
えば本出願人のアメリカ合衆国特許第４３７９３１９号
の「第２図」に図示されるような通常の形状を有する個
別の多層セラミックコンデンサーとした。このコンデン
サーを１０７０℃〜１１００℃の温度範囲内で焼結し
た。焼結コンデンサーの銀端子付けは、端部を１５分間
で温度７５０℃で焼いて行った。これらのコンデンサー
を試験して、その電気的特性を求めたところ、以下に記
載される通りであった。
のＰＶＢバインダー系と混合し、成形用スリップを作っ
た。このスリップを薄板に成形して所望の寸法に切断
し、Ａｇ７０％−Ｐｄ３０％の内部電極ペーストで印刷
した。この薄板を積層して多層化し、これを切断して例
えば本出願人のアメリカ合衆国特許第４３７９３１９号
の「第２図」に図示されるような通常の形状を有する個
別の多層セラミックコンデンサーとした。このコンデン
サーを１０７０℃〜１１００℃の温度範囲内で焼結し
た。焼結コンデンサーの銀端子付けは、端部を１５分間
で温度７５０℃で焼いて行った。これらのコンデンサー
を試験して、その電気的特性を求めたところ、以下に記
載される通りであった。
【００１６】下記の通りの組成率の異なる基材料の４組
（Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４）を用いて
以下に述べる通りの誘電性組成物サンプルを作った。
（Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４）を用いて
以下に述べる通りの誘電性組成物サンプルを作った。
【００１７】
【００１８】上記のそれぞれの基材料を実験用ボックス
キルン中で１３５０℃で３時間仮焼した。下記の組成で
この基材料Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４を
用いて４つの異なるサンプルの低火度誘電性組成物１
Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａを調整した。
キルン中で１３５０℃で３時間仮焼した。下記の組成で
この基材料Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４を
用いて４つの異なるサンプルの低火度誘電性組成物１
Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａを調整した。
【００１９】サンプル組成物の組成比は、次の通りとし
た。 基材料 ９１．０１３重量％ Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２ ７．９８３重量％ ガラス粉末 ０．７９９重量％ ５０％Ｍｎ（ＮＯ３）２ ０．２０５重量％ 上述のサンプル組成物１Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａから作ら
れた多層コンデンサーの電気的特性は表１の通りであっ
た。
た。 基材料 ９１．０１３重量％ Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２ ７．９８３重量％ ガラス粉末 ０．７９９重量％ ５０％Ｍｎ（ＮＯ３）２ ０．２０５重量％ 上述のサンプル組成物１Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａから作ら
れた多層コンデンサーの電気的特性は表１の通りであっ
た。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１に示され結果から、次のことが言え
る。この４つのサンプル組成物はすべてＸ７Ｒ型につい
てのＥＩＡ（Ｔｈｅ Ｕ．Ｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格
に適合する。また、上記のＮｏ．２基材料から作られた
サンプル組成物２Ａが最も高い誘電率を示す。
る。この４つのサンプル組成物はすべてＸ７Ｒ型につい
てのＥＩＡ（Ｔｈｅ Ｕ．Ｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格
に適合する。また、上記のＮｏ．２基材料から作られた
サンプル組成物２Ａが最も高い誘電率を示す。
【００２２】従って、ＢａＴｉＯ３をＮｄ２Ｏ３と混合
する前にＢａＴｉＯ３を仮焼する温度がサンプル組成物
にとっていかような影響を及ぶのかを知るために、Ｂａ
ＴｉＯ３粉末を上述した組成率でＮｄ２Ｏ３に混ぜてＮ
ｏ．２基材料とする前に、該ＢａＴｉＯ３粉末を異なる
温度で仮焼した。
する前にＢａＴｉＯ３を仮焼する温度がサンプル組成物
にとっていかような影響を及ぶのかを知るために、Ｂａ
ＴｉＯ３粉末を上述した組成率でＮｄ２Ｏ３に混ぜてＮ
ｏ．２基材料とする前に、該ＢａＴｉＯ３粉末を異なる
温度で仮焼した。
【００２３】そして、あらかじめ仮焼したＢａＴｉＯ３
をＮｄ２Ｏ３と混合し、仮焼し、これを上記したサンプ
ル組成物の組成比に従って他の組成分と混合し、サンプ
ル組成物５Ａ，６Ａ，７Ａ，８Ａ，９Ａを作った。
をＮｄ２Ｏ３と混合し、仮焼し、これを上記したサンプ
ル組成物の組成比に従って他の組成分と混合し、サンプ
ル組成物５Ａ，６Ａ，７Ａ，８Ａ，９Ａを作った。
【００２４】このサンプル組成物５Ａ，６Ａ，７Ａ，８
Ａ，９Ａに使ったＮｏ．２基材料のＢａＴｉＯ３はそれ
ぞれ９００℃，１０００℃，１１００℃，１２００℃，
１２２５℃で前仮焼した。なお、１１７７℃で前仮焼し
たＢａＴｉＯ３の場合は、上記したサンプル組成物２Ａ
である。サンプル組成物５Ａ〜９Ａの電気的特性は表２
に示す通りであった。
Ａ，９Ａに使ったＮｏ．２基材料のＢａＴｉＯ３はそれ
ぞれ９００℃，１０００℃，１１００℃，１２００℃，
１２２５℃で前仮焼した。なお、１１７７℃で前仮焼し
たＢａＴｉＯ３の場合は、上記したサンプル組成物２Ａ
である。サンプル組成物５Ａ〜９Ａの電気的特性は表２
に示す通りであった。
【００２５】
【表２】
【００２６】この表２に示す結果から、次のことが分か
る。ＢａＴｉＯ３を１０００℃あるいはそれ以下で仮焼
したときには、上記した組成ではＥＩＡ規格のＸ７Ｒ基
準に適合しない。残りの３つの仮焼による場合を比べて
みると、サンプル組成物７Ａを１１００℃で焼結したも
のが最高の誘電率を示すが、表１のサンプル組成物２Ａ
もまた、よりばらつきのない温度係数を１２５℃でより
高い絶縁抵抗を有しながら同様な高い誘電率を示してい
ることが分かる。
る。ＢａＴｉＯ３を１０００℃あるいはそれ以下で仮焼
したときには、上記した組成ではＥＩＡ規格のＸ７Ｒ基
準に適合しない。残りの３つの仮焼による場合を比べて
みると、サンプル組成物７Ａを１１００℃で焼結したも
のが最高の誘電率を示すが、表１のサンプル組成物２Ａ
もまた、よりばらつきのない温度係数を１２５℃でより
高い絶縁抵抗を有しながら同様な高い誘電率を示してい
ることが分かる。
【００２７】仮焼温度に関する他の実験として、１１７
７℃で前仮焼したＢａＴｉＯ３粉末をそれぞれ含むＮ
ｏ．２基材料の５つのサンプルについてテストした。
７℃で前仮焼したＢａＴｉＯ３粉末をそれぞれ含むＮ
ｏ．２基材料の５つのサンプルについてテストした。
【００２８】最初の基材料サンプルは仮焼しなかった。
残りの４つのサンプルの基材料をそれぞれ１２００℃，
１２５０℃，１３００℃，１３６５℃で仮焼した。この
ようにした５つのサンプル基材料をそれぞれ上述したサ
ンプル組成物の組成比に基づいて他の組成分と混ぜてサ
ンプル組成物１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ
を作った。なお、１３５０℃でしたＮｏ．２基材料の場
合は、上記したサンプル組成物２Ａである。サンプル組
成物１０Ａ〜１４Ａの電気的特性は表３に示す通りであ
った。
残りの４つのサンプルの基材料をそれぞれ１２００℃，
１２５０℃，１３００℃，１３６５℃で仮焼した。この
ようにした５つのサンプル基材料をそれぞれ上述したサ
ンプル組成物の組成比に基づいて他の組成分と混ぜてサ
ンプル組成物１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ
を作った。なお、１３５０℃でしたＮｏ．２基材料の場
合は、上記したサンプル組成物２Ａである。サンプル組
成物１０Ａ〜１４Ａの電気的特性は表３に示す通りであ
った。
【００２９】
【表３】
【００３０】表３から分かる通り、基材料を仮焼する温
度が高くなると、それにつれて誘電率が増加する。基材
料の仮焼温度を更に高くすれば、誘電率が更に増加する
かも知れないが、１３６５℃で仮焼したサンプル組成物
１４Ａでは絶縁抵抗が下がっていることからしてみる
と、より高い温度ではより下がると思われる。また、仮
焼温度を更に高くすれば、より高価でより高い耐火性の
仮焼さやが必要となって得策でない。
度が高くなると、それにつれて誘電率が増加する。基材
料の仮焼温度を更に高くすれば、誘電率が更に増加する
かも知れないが、１３６５℃で仮焼したサンプル組成物
１４Ａでは絶縁抵抗が下がっていることからしてみる
と、より高い温度ではより下がると思われる。また、仮
焼温度を更に高くすれば、より高価でより高い耐火性の
仮焼さやが必要となって得策でない。
【００３１】更に、実験をサンプル組成物１５Ａ，１６
Ａ，１７Ａの３つについて行った。これらのサンプルは
サンプル組成物１７Ａの場合を除き、Ｎｏ．２基材料と
Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の組成比を上述したサンプル組
成物の組成比と変えた。ただし、ガラス粉末とＭｎ（Ｎ
Ｏ３）２の組成比はそのままとした。
Ａ，１７Ａの３つについて行った。これらのサンプルは
サンプル組成物１７Ａの場合を除き、Ｎｏ．２基材料と
Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の組成比を上述したサンプル組
成物の組成比と変えた。ただし、ガラス粉末とＭｎ（Ｎ
Ｏ３）２の組成比はそのままとした。
【００３２】変えた基材料とＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の
組成比を次の通りとした。 これらのサンプル組成物１５Ａ〜１７Ａの電気的特性は
次の表４の通りであった。
組成比を次の通りとした。 これらのサンプル組成物１５Ａ〜１７Ａの電気的特性は
次の表４の通りであった。
【００３３】
【表４】
【００３４】低火度組成物でのＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２
の存在レベルと上記したサンプル組成物で作られた多層
セラミックコンデンサーの散逸係数％との関係を、実験
値は示す。即ち、Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量が増える
と散逸係数が改良され、この結果、材料がより薄い誘電
性積層コンデンサーを作るのに用い得ることになる。こ
れは、現在のＥＩＡ規格がＸ７Ｒ型誘電体は１ＶＲＭＳ
シグナルを使って電気的に評価するものとしていること
によるものである。
の存在レベルと上記したサンプル組成物で作られた多層
セラミックコンデンサーの散逸係数％との関係を、実験
値は示す。即ち、Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量が増える
と散逸係数が改良され、この結果、材料がより薄い誘電
性積層コンデンサーを作るのに用い得ることになる。こ
れは、現在のＥＩＡ規格がＸ７Ｒ型誘電体は１ＶＲＭＳ
シグナルを使って電気的に評価するものとしていること
によるものである。
【００３５】テストシグナルが一定の振幅に保たれると
すれば、同一の材料の散逸係数値はその誘電体の厚さが
減少するにつれて増加することになる。これと対照的
に、あるコンデンサーの誘電体の厚さが減少すると、そ
のキャパシタンスは増加する。小型化へと向かう現在と
将来の傾向からすると、約１０μｍの誘電体の厚み当り
２．５％またはそれ以下の散逸係数を出すことのできる
誘電性材料が必要であるとみられる。
すれば、同一の材料の散逸係数値はその誘電体の厚さが
減少するにつれて増加することになる。これと対照的
に、あるコンデンサーの誘電体の厚さが減少すると、そ
のキャパシタンスは増加する。小型化へと向かう現在と
将来の傾向からすると、約１０μｍの誘電体の厚み当り
２．５％またはそれ以下の散逸係数を出すことのできる
誘電性材料が必要であるとみられる。
【００３６】上述のサンプル組成物１５Ａに加えて、ガ
ラス粉末の量を最初に記したサンプル組成物の組成比と
変えて、２つのサンプル組成物１８Ａ，１９Ａを作っ
た。それらの組成比は、次の通りとした（基材料は上述
したＮｏ．２基材料である）。 これらの電気的特性は表５にて示される通りであった。
ラス粉末の量を最初に記したサンプル組成物の組成比と
変えて、２つのサンプル組成物１８Ａ，１９Ａを作っ
た。それらの組成比は、次の通りとした（基材料は上述
したＮｏ．２基材料である）。 これらの電気的特性は表５にて示される通りであった。
【００３７】
【表５】
【００３８】表５に示される結果から分かる通り、組成
物中のガラス量を増やすと、それに従って１２５℃にお
ける絶縁抵抗が増加するのが認められた。このようなよ
り高い値は突然な異常故障を起こし難いしっかりした材
料を一般的には示すので、コンデンサーメーカーにとっ
て上記した結果は注目されるところである。
物中のガラス量を増やすと、それに従って１２５℃にお
ける絶縁抵抗が増加するのが認められた。このようなよ
り高い値は突然な異常故障を起こし難いしっかりした材
料を一般的には示すので、コンデンサーメーカーにとっ
て上記した結果は注目されるところである。
【００３９】最後にサンプル組成物２０Ａ〜２４Ａを作
った。基材料はＮｏ．２基材料であり、各組成分の組成
比は最初に記したサンプル組成物の組成比と変え、特に
Ｍｎ（ＮＯ３）２の５０％水溶液の量を変えてみた。
った。基材料はＮｏ．２基材料であり、各組成分の組成
比は最初に記したサンプル組成物の組成比と変え、特に
Ｍｎ（ＮＯ３）２の５０％水溶液の量を変えてみた。
【００４０】
【００４１】表６は上記したサンプル組成物２０Ａ〜２
４Ａとなるコンデンサーの電気的特性を示すものであ
る。
４Ａとなるコンデンサーの電気的特性を示すものであ
る。
【００４２】
【表６】
【００４３】
【発明の効果】上述したところから明らかな通り、本発
明は約１０００℃またはそれ以下で焼結される低火度の
種類の多層コンデンサーを作るのに適した新規なセラミ
ック誘電性組成物を提供するものである。
明は約１０００℃またはそれ以下で焼結される低火度の
種類の多層コンデンサーを作るのに適した新規なセラミ
ック誘電性組成物を提供するものである。
【００４４】コンデンサーをこのような低い温度で焼結
できるので、先にも述べた通り、例えば高火度の種類の
ものと比べたときに、相当に安価な電極材料を使用する
ことができることとなる。
できるので、先にも述べた通り、例えば高火度の種類の
ものと比べたときに、相当に安価な電極材料を使用する
ことができることとなる。
【００４５】比較的に低い温度でこのようにコンデンサ
ーを焼結できるのは、ビスマスとチタンの酸化物あるい
はその前駆体から作られるセラミック焼結助剤，少量の
ガラス粉末及び微量の二酸化マンガンあるいはその前駆
体と混合したチタン酸バリウムを含む特定の基材料を使
うためである。
ーを焼結できるのは、ビスマスとチタンの酸化物あるい
はその前駆体から作られるセラミック焼結助剤，少量の
ガラス粉末及び微量の二酸化マンガンあるいはその前駆
体と混合したチタン酸バリウムを含む特定の基材料を使
うためである。
【００４６】この基材料はチタン酸バリウムと酸化ネオ
ジムの混合物からなり、上述した焼結助剤，ガラス粉
末，二酸化マンガンを含む組成で使われるものである
が、基材料中のチタン酸バリウムの重量％が９７．８９
から９８．１９の範囲にあり、かつ酸化ネオジムの重量
％が１．８１から２．１１の範囲内の時に好適なＸ７Ｒ
組成をもたらす。このような誘電性セラミック組成物を
作るのに適した典型的な組成は、それぞれ重量％で９
１．０１３の量の基材料，Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の形
で７．９８３の量の焼結助剤，０．７９９の量のガラス
粉末（実際的にはこのからガラス粉末は８６．０重量％
のＰｂＯ，９．０重量％のＢ２Ｏ３，１．５８重量％の
ＳｉＯ２，０．１３重量％のＴｉＯ２と３．２４重量％
のＡｌ２Ｏ３からなる）、ならびに０．２０５の量の二
酸化マンガンからなるものである。
ジムの混合物からなり、上述した焼結助剤，ガラス粉
末，二酸化マンガンを含む組成で使われるものである
が、基材料中のチタン酸バリウムの重量％が９７．８９
から９８．１９の範囲にあり、かつ酸化ネオジムの重量
％が１．８１から２．１１の範囲内の時に好適なＸ７Ｒ
組成をもたらす。このような誘電性セラミック組成物を
作るのに適した典型的な組成は、それぞれ重量％で９
１．０１３の量の基材料，Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の形
で７．９８３の量の焼結助剤，０．７９９の量のガラス
粉末（実際的にはこのからガラス粉末は８６．０重量％
のＰｂＯ，９．０重量％のＢ２Ｏ３，１．５８重量％の
ＳｉＯ２，０．１３重量％のＴｉＯ２と３．２４重量％
のＡｌ２Ｏ３からなる）、ならびに０．２０５の量の二
酸化マンガンからなるものである。
【００４７】さらに、上述したところから分かる通り、
基材量に使われるチタン酸バリウムは少なくとも１００
０℃またはそれ以上の温度で前仮焼しないと、組成物が
必ずしもＸ７Ｒ基準を達成し得るとはいえない。
基材量に使われるチタン酸バリウムは少なくとも１００
０℃またはそれ以上の温度で前仮焼しないと、組成物が
必ずしもＸ７Ｒ基準を達成し得るとはいえない。
【００４８】また、更に注目すべきところとして、上述
した組成によったサンプル組成物は誘電率が２７００以
上になるが、３０００以上の誘電率をもつ誘電性組成物
を作るのには、基材料の仮焼温度を若干調整したり、ま
たは組成物中のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量を若干変え
たりすることが望ましい。組成中のガラス粉末を若干変
えることによっても、誘電率を同様に改善することがで
きる。組成中の二酸化マンガンの量を変えることによっ
て、わずかではあるが誘電率が変わる。
した組成によったサンプル組成物は誘電率が２７００以
上になるが、３０００以上の誘電率をもつ誘電性組成物
を作るのには、基材料の仮焼温度を若干調整したり、ま
たは組成物中のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量を若干変え
たりすることが望ましい。組成中のガラス粉末を若干変
えることによっても、誘電率を同様に改善することがで
きる。組成中の二酸化マンガンの量を変えることによっ
て、わずかではあるが誘電率が変わる。
【００４９】更にまた、上述したところにより、非常に
信頼性があり、かつ経済的な低火度・多層コンデンサー
が本発明による新規なＸ７Ｒ型誘電性組成物によって作
り得ることが明らかである。
信頼性があり、かつ経済的な低火度・多層コンデンサー
が本発明による新規なＸ７Ｒ型誘電性組成物によって作
り得ることが明らかである。
【００５０】本発明をその数実施例によって詳述した
が、それを改変することができ、本発明は当該技術者に
とって容易なそのような改変例と特許請求の範囲内にあ
るそのような改変例にも及ぶことは勿論なことである。
が、それを改変することができ、本発明は当該技術者に
とって容易なそのような改変例と特許請求の範囲内にあ
るそのような改変例にも及ぶことは勿論なことである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年７月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 Ｘ７Ｒ型低火度改良誘電性組成物と
そのコンデンサー
そのコンデンサー
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック誘電性
組成物とそれから作られる多層セラミックコンデンサー
に関するものであり、更に詳細には３２００以上の誘電
率をも有し得る低火度多層セラミックコンデンサーを作
るのに特に適したＸ７Ｒ基準の改良された誘電性セラミ
ック組成物に関するものである。
組成物とそれから作られる多層セラミックコンデンサー
に関するものであり、更に詳細には３２００以上の誘電
率をも有し得る低火度多層セラミックコンデンサーを作
るのに特に適したＸ７Ｒ基準の改良された誘電性セラミ
ック組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ７Ｒ特性を示す種々のセラミック誘電
性組成物、即ち−５５℃から＋１２５℃の温度範囲にわ
たって室温２５℃における参照値から約±１５％以上変
わらない誘電率（Ｋ′）の温度係数（ＴＣ）を要求する
アメリカ合衆国電子工業協会（ＥＩＡ）の規格に適合す
る組成物を開示する多数のアメリカ合衆国特許が今まで
にある。これらの豊富な先公知例から教えられること
は、誘電性組成物の成分と又はその成分比をわずかに変
えることで新しくかつ予期しない特性が生じる事実であ
る。
性組成物、即ち−５５℃から＋１２５℃の温度範囲にわ
たって室温２５℃における参照値から約±１５％以上変
わらない誘電率（Ｋ′）の温度係数（ＴＣ）を要求する
アメリカ合衆国電子工業協会（ＥＩＡ）の規格に適合す
る組成物を開示する多数のアメリカ合衆国特許が今まで
にある。これらの豊富な先公知例から教えられること
は、誘電性組成物の成分と又はその成分比をわずかに変
えることで新しくかつ予期しない特性が生じる事実であ
る。
【０００３】このような新しい特性は、多層セラミック
コンデンサーに用いられたときにより良い特性を生じる
ことになる。
コンデンサーに用いられたときにより良い特性を生じる
ことになる。
【０００４】例えば、アメリカ合衆国特許第４８１６４
３０号は、Ｘ７Ｒ特性を有する組成物を開示するが、こ
の組成物で製品を作るのには比較的に高い温度、即ち１
２８０℃以上の温度で焼成する必要がある。この結果、
このような組成物から作られるコンデンサーは例えば純
パラジウムの如く高価な電極材料を使用しなければなら
ない。
３０号は、Ｘ７Ｒ特性を有する組成物を開示するが、こ
の組成物で製品を作るのには比較的に高い温度、即ち１
２８０℃以上の温度で焼成する必要がある。この結果、
このような組成物から作られるコンデンサーは例えば純
パラジウムの如く高価な電極材料を使用しなければなら
ない。
【０００５】本出願人のアメリカ合衆国特許第５１２８
２８９号もまた、Ｘ７Ｒ特性を有する誘電性セラミック
材料を開示しているが、これもまた１２８０℃以上の温
度で焼結しなければならない高火度組成物である。もっ
とも、この本出願人の特許にかかる組成物は非常に密で
きれいに細粒化したセラミックミクロ組織を有する製品
を生じ、これにより多層コンデンサーを製造するに当た
って、より薄い誘電性層を使える利点を持つ。このよう
なコンデンサーはその結果高い誘電率（Ｋ′）を示し従
って所定のキャパシタンス値に対してそれ程に高価でな
い電極材料を使うことが許される。
２８９号もまた、Ｘ７Ｒ特性を有する誘電性セラミック
材料を開示しているが、これもまた１２８０℃以上の温
度で焼結しなければならない高火度組成物である。もっ
とも、この本出願人の特許にかかる組成物は非常に密で
きれいに細粒化したセラミックミクロ組織を有する製品
を生じ、これにより多層コンデンサーを製造するに当た
って、より薄い誘電性層を使える利点を持つ。このよう
なコンデンサーはその結果高い誘電率（Ｋ′）を示し従
って所定のキャパシタンス値に対してそれ程に高価でな
い電極材料を使うことが許される。
【０００６】アメリカ合衆国特許第４５４０６７６号と
同第５２９６４２６号は、Ｘ７Ｒ特性を有するいわゆる
低火度誘電性組成物を開示しており、確かにこの組成物
から１１００から１１５０℃の範囲内でコンデンサーを
焼成することができるが、得られるコンデンサーは３２
００以上の誘電率値を示し得ない。
同第５２９６４２６号は、Ｘ７Ｒ特性を有するいわゆる
低火度誘電性組成物を開示しており、確かにこの組成物
から１１００から１１５０℃の範囲内でコンデンサーを
焼成することができるが、得られるコンデンサーは３２
００以上の誘電率値を示し得ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｘ７
Ｒ特性を示し、かつ３２００以上の誘電率（Ｋ′）をも
発揮し得るコンデンサーを作るために用いることができ
る誘電性セラミック組成物を提供することである。
Ｒ特性を示し、かつ３２００以上の誘電率（Ｋ′）をも
発揮し得るコンデンサーを作るために用いることができ
る誘電性セラミック組成物を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、非常に高い誘電率、
低い散逸係数、及び良好な温度安定性とを有する（１１
００℃又はそれ以下の）低火度コンデンサーを作るため
の上述した種類の改良されたＸ７Ｒ型セラミック誘電性
組成物を提供することにある。
低い散逸係数、及び良好な温度安定性とを有する（１１
００℃又はそれ以下の）低火度コンデンサーを作るため
の上述した種類の改良されたＸ７Ｒ型セラミック誘電性
組成物を提供することにある。
【０００９】本発明の更に他の目的は、変調波振幅（ｓ
ｉｇｎａｌ ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）が１ＶＲＭｓの１Ｋ
Ｈｚ試験周波数（ｔｅｓｔ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）にお
いて２．５％またはそれ以下である散逸係数（ＤＦ）を
出し得る多層セラミックコンデンサーを作る上記した種
類の組成物を提供することにある。
ｉｇｎａｌ ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）が１ＶＲＭｓの１Ｋ
Ｈｚ試験周波数（ｔｅｓｔ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）にお
いて２．５％またはそれ以下である散逸係数（ＤＦ）を
出し得る多層セラミックコンデンサーを作る上記した種
類の組成物を提供することにある。
【００１０】本発明のその他の目的は、本明細書の以下
の記述及び冒頭の特許請求の範囲から明らかな通りであ
る。
の記述及び冒頭の特許請求の範囲から明らかな通りであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】均一な粒子径で高純度の
チタン酸バリウムと酸化ネオジムの混合物を含む系をと
もに水溶性スラリーとして混合し、乾燥し、温度を上げ
て反応させる。この反応した粉末の粒径を機械的な粉砕
によって下げ、その後にＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と粉末
で低融点のガラスを加えて全体を水溶性スラリーとして
混合し、乾燥し、粉砕して細かで均一な粉末とする。
チタン酸バリウムと酸化ネオジムの混合物を含む系をと
もに水溶性スラリーとして混合し、乾燥し、温度を上げ
て反応させる。この反応した粉末の粒径を機械的な粉砕
によって下げ、その後にＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と粉末
で低融点のガラスを加えて全体を水溶性スラリーとして
混合し、乾燥し、粉砕して細かで均一な粉末とする。
【００１２】この粉末をそこで溶剤に溶かしたＰＶＢ結
合剤と混合し、シート状に成形し、これに電極材料をス
クリーン印刷し、積層して多層セラミックコンデンサー
を作る。かかるコンデンサーは、３５００の誘電率を示
すこともあった。
合剤と混合し、シート状に成形し、これに電極材料をス
クリーン印刷し、積層して多層セラミックコンデンサー
を作る。かかるコンデンサーは、３５００の誘電率を示
すこともあった。
【００１３】
【発明の実施の形態】 実施例 本発明で開示する新規なセラミック誘電性組成物は、高
純度で均一な粒子径のＢａＴｉＯ３とＮｄ２Ｏ３の混合
物を含む基材料から作ることができる。以下に述べるサ
ンプルで用いられたＢａＴｉＯ３はＮｄ２Ｏ３とは別に
前カ焼された後にＮｄ２Ｏ３と混ぜて、この混合物をカ
焼し、そこで微粉末のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と微粉末
で低融点のガラスと混合された。所望の際には、Ｍｎ
（ＮＯ３）２を加えた。この混合物をなす高純度のチタ
ン酸バリウムは本出願人の一事業部であるトランセルコ
（Ｔｒａｎｓｅｌｃｏ）が製品番号２１９−９として販
売する種類のものであり、例えば本出願人のアメリカ合
衆国特許第４６７０２４３号で教示される方法と基本的
には同一の沈殿法によって作られるものである。
純度で均一な粒子径のＢａＴｉＯ３とＮｄ２Ｏ３の混合
物を含む基材料から作ることができる。以下に述べるサ
ンプルで用いられたＢａＴｉＯ３はＮｄ２Ｏ３とは別に
前カ焼された後にＮｄ２Ｏ３と混ぜて、この混合物をカ
焼し、そこで微粉末のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２と微粉末
で低融点のガラスと混合された。所望の際には、Ｍｎ
（ＮＯ３）２を加えた。この混合物をなす高純度のチタ
ン酸バリウムは本出願人の一事業部であるトランセルコ
（Ｔｒａｎｓｅｌｃｏ）が製品番号２１９−９として販
売する種類のものであり、例えば本出願人のアメリカ合
衆国特許第４６７０２４３号で教示される方法と基本的
には同一の沈殿法によって作られるものである。
【００１４】例えば、以下の表中に列記されるサンプル
の誘電性組成物の各基材料は、スラリーにしてＺｒＯ２
粉砕媒体を用いて１．５時間振動型スウェコ（ｓｗｅｃ
ｏ）ミルで粉砕した。このスラリーを乾燥し、１０メッ
シュ篩でふるい、これをカ焼した。このカ焼した材料を
微粉末に粉砕し、以下の表中に示すパーセントのＢｉ２
Ｏ３・２ＴｉＯ２、ガラス粉末及びＭｎ（ＮＯ３）２と
混合して５０％水溶液とした。この組成物のスラリーを
Ａｌ２Ｏ３粉砕媒体を用いてローリングボールミル中で
４時間粉砕し、乾燥して微細で均一な誘電性粉末とし
た。
の誘電性組成物の各基材料は、スラリーにしてＺｒＯ２
粉砕媒体を用いて１．５時間振動型スウェコ（ｓｗｅｃ
ｏ）ミルで粉砕した。このスラリーを乾燥し、１０メッ
シュ篩でふるい、これをカ焼した。このカ焼した材料を
微粉末に粉砕し、以下の表中に示すパーセントのＢｉ２
Ｏ３・２ＴｉＯ２、ガラス粉末及びＭｎ（ＮＯ３）２と
混合して５０％水溶液とした。この組成物のスラリーを
Ａｌ２Ｏ３粉砕媒体を用いてローリングボールミル中で
４時間粉砕し、乾燥して微細で均一な誘電性粉末とし
た。
【００１５】この誘電性粉末をそこで市販される溶剤基
のＰＶＢバインダー系と混合し、成形用スリップを作っ
た。このスリップを薄板に成形して所望の寸法に切断
し、Ａｇ７０％−Ｐｄ３０％の内部電極ペーストで印刷
した。この薄板を積層して多層化し、これを切断して例
えば本出願人のアメリカ合衆国特許第４３７９３１９号
の「第２図」に図示されるような通常の形状を有する個
別の多層セラミックコンデンサーとした。このコンデン
サーを１０７０℃〜１１００℃の温度範囲内で焼結し
た。焼結コンデンサーの銀端子付けは、端部を１５分間
で温度７５０℃で焼いて行った。これらのコンデンサー
を試験して、その電気的特性を求めたところ、以下に記
載される通りであった。
のＰＶＢバインダー系と混合し、成形用スリップを作っ
た。このスリップを薄板に成形して所望の寸法に切断
し、Ａｇ７０％−Ｐｄ３０％の内部電極ペーストで印刷
した。この薄板を積層して多層化し、これを切断して例
えば本出願人のアメリカ合衆国特許第４３７９３１９号
の「第２図」に図示されるような通常の形状を有する個
別の多層セラミックコンデンサーとした。このコンデン
サーを１０７０℃〜１１００℃の温度範囲内で焼結し
た。焼結コンデンサーの銀端子付けは、端部を１５分間
で温度７５０℃で焼いて行った。これらのコンデンサー
を試験して、その電気的特性を求めたところ、以下に記
載される通りであった。
【００１６】下記の通りの組成率の異なる基材料の４組
（Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４）を用いて
以下に述べる通りの誘電性組成物サンプルを作った。
（Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４）を用いて
以下に述べる通りの誘電性組成物サンプルを作った。
【００１７】
【００１８】上記のそれぞれの基材料を実験用ボックス
キルン中で１３５０℃で３時間カ焼した。下記の組成で
この基材料Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４を
用いて４つの異なるサンプルの低火度誘電性組成物１
Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａを調成した。
キルン中で１３５０℃で３時間カ焼した。下記の組成で
この基材料Ｎｏ．１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３，Ｎｏ．４を
用いて４つの異なるサンプルの低火度誘電性組成物１
Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａを調成した。
【００１９】サンプル組成物の組成比は、次の通りとし
た。 基材料 ９１．０１３重量％ Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２ ７．９８３重量％ ガラス粉末 ０．７９９重量％ ５０％Ｍｎ（ＮＯ３）２ ０．２０５重量％ 上述のサンプル組成物１Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａから作ら
れた多層コンデンサーの電気的特性は表１の通りであっ
た。
た。 基材料 ９１．０１３重量％ Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２ ７．９８３重量％ ガラス粉末 ０．７９９重量％ ５０％Ｍｎ（ＮＯ３）２ ０．２０５重量％ 上述のサンプル組成物１Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａから作ら
れた多層コンデンサーの電気的特性は表１の通りであっ
た。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１に示され結果から、次のことが言え
る。この４つのサンプル組成物はすべてＸ７Ｒ型につい
てのＥＩＡ（Ｔｈｅ Ｕ．Ｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格
に適合する。また、上記のＮｏ．２基材料から作られた
サンプル組成物２Ａが最も高い誘電率を示す。
る。この４つのサンプル組成物はすべてＸ７Ｒ型につい
てのＥＩＡ（Ｔｈｅ Ｕ．Ｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格
に適合する。また、上記のＮｏ．２基材料から作られた
サンプル組成物２Ａが最も高い誘電率を示す。
【００２２】従って、ＢａＴｉＯ３をＮｄ２Ｏ３と混合
する前にＢａＴｉＯ３をカ焼する温度がサンプル組成物
にとっていかような影響を及ぼすのかを知るために、Ｂ
ａＴｉＯ３粉末を上述した組成率でＮｄ２Ｏ３に混ぜて
Ｎｏ．２基材料とする前に、該ＢａＴｉＯ３粉末を異な
る温度でカ焼した。
する前にＢａＴｉＯ３をカ焼する温度がサンプル組成物
にとっていかような影響を及ぼすのかを知るために、Ｂ
ａＴｉＯ３粉末を上述した組成率でＮｄ２Ｏ３に混ぜて
Ｎｏ．２基材料とする前に、該ＢａＴｉＯ３粉末を異な
る温度でカ焼した。
【００２３】そして、あらかじめカ焼したＢａＴｉＯ３
をＮｄ２Ｏ３と混合し、カ焼し、これを上記したサンプ
ル組成物の組成比に従って他の組成分と混合し、サンプ
ル組成物５Ａ，６Ａ，７Ａ，８Ａ，９Ａを作った。
をＮｄ２Ｏ３と混合し、カ焼し、これを上記したサンプ
ル組成物の組成比に従って他の組成分と混合し、サンプ
ル組成物５Ａ，６Ａ，７Ａ，８Ａ，９Ａを作った。
【００２４】このサンプル組成物５Ａ，６Ａ，７Ａ，８
Ａ，９Ａに使ったＮｏ．２基材料のＢａＴｉＯ３はそれ
ぞれ９００℃，１０００℃，１１００℃，１２００℃，
１２２５℃で前カ焼した。なお、１１７７℃で前カ焼し
たＢａＴｉＯ３の場合は、上記したサンプル組成物２Ａ
である。サンプル組成物５Ａ〜９Ａの電気的特性は表２
に示す通りであった。
Ａ，９Ａに使ったＮｏ．２基材料のＢａＴｉＯ３はそれ
ぞれ９００℃，１０００℃，１１００℃，１２００℃，
１２２５℃で前カ焼した。なお、１１７７℃で前カ焼し
たＢａＴｉＯ３の場合は、上記したサンプル組成物２Ａ
である。サンプル組成物５Ａ〜９Ａの電気的特性は表２
に示す通りであった。
【００２５】
【表２】
【００２６】この表２に示す結果から、次のことが分か
る。ＢａＴｉＯ３を１０００℃あるいはそれ以下でカ焼
したときには、上記した組成ではＥＩＡ規格のＸ７Ｒ基
準に適合しない。残りの３つのカ焼による場合を比べて
みると、サンプル組成物７Ａを１１００℃で焼結したも
のが最高の誘電率を示すが、表１のサンプル組成物２Ａ
もまた、よりばらつきのない温度係数を１２５℃でより
高い絶縁抵抗を有しながら同様な高い誘電率を示してい
ることが分かる。
る。ＢａＴｉＯ３を１０００℃あるいはそれ以下でカ焼
したときには、上記した組成ではＥＩＡ規格のＸ７Ｒ基
準に適合しない。残りの３つのカ焼による場合を比べて
みると、サンプル組成物７Ａを１１００℃で焼結したも
のが最高の誘電率を示すが、表１のサンプル組成物２Ａ
もまた、よりばらつきのない温度係数を１２５℃でより
高い絶縁抵抗を有しながら同様な高い誘電率を示してい
ることが分かる。
【００２７】カ焼温度に関する他の実験として、１１７
７℃で前カ焼したＢａＴｉＯ３粉末をそれぞれ含むＮ
ｏ．２基材料の５つのサンプルについてテストした。
７℃で前カ焼したＢａＴｉＯ３粉末をそれぞれ含むＮ
ｏ．２基材料の５つのサンプルについてテストした。
【００２８】最初の基材料サンプルはカ焼しなかった。
残りの４つのサンプルの基材料をそれぞれ１２００℃，
１２５０℃，１３００℃，１３６５℃でカ焼した。この
ようにした５つのサンプル基材料をそれぞれ上述したサ
ンプル組成物の組成比に基づいて他の組成分と混ぜてサ
ンプル組成物１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ
を作った。なお、１３５０℃でカ焼したＮｏ．２基材料
の場合は、上記したサンプル組成物２Ａである。サンプ
ル組成物１０Ａ〜１４Ａの電気的特性は表３に示す通り
であった。
残りの４つのサンプルの基材料をそれぞれ１２００℃，
１２５０℃，１３００℃，１３６５℃でカ焼した。この
ようにした５つのサンプル基材料をそれぞれ上述したサ
ンプル組成物の組成比に基づいて他の組成分と混ぜてサ
ンプル組成物１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ
を作った。なお、１３５０℃でカ焼したＮｏ．２基材料
の場合は、上記したサンプル組成物２Ａである。サンプ
ル組成物１０Ａ〜１４Ａの電気的特性は表３に示す通り
であった。
【００２９】
【表３】
【００３０】表３から分かる通り、基材料をカ焼する温
度が高くなると、それにつれて誘電率が増加する。基材
料のカ焼温度を更に高くすれば、誘電率が更に増加する
かも知れないが、１３６５℃でカ焼したサンプル組成物
１４Ａでは絶縁抵抗が下がっていることからしてみる
と、より高い温度ではより下がると思われる。また、カ
焼温度を更に高くすれば、より高価でより高い耐火性の
カ焼さやが必要となって得策でない。
度が高くなると、それにつれて誘電率が増加する。基材
料のカ焼温度を更に高くすれば、誘電率が更に増加する
かも知れないが、１３６５℃でカ焼したサンプル組成物
１４Ａでは絶縁抵抗が下がっていることからしてみる
と、より高い温度ではより下がると思われる。また、カ
焼温度を更に高くすれば、より高価でより高い耐火性の
カ焼さやが必要となって得策でない。
【００３１】更に、実験をサンプル組成物１５Ａ，１６
Ａ，１７Ａの３つについて行った。これらのサンプルは
サンプル組成物１７Ａの場合を除き、Ｎｏ．２基材料と
Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の組成比を上述したサンプル組
成物の組成比と変えた。ただし、ガラス粉末とＭｎ（Ｎ
Ｏ３）２の組成比はそのままとした。
Ａ，１７Ａの３つについて行った。これらのサンプルは
サンプル組成物１７Ａの場合を除き、Ｎｏ．２基材料と
Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の組成比を上述したサンプル組
成物の組成比と変えた。ただし、ガラス粉末とＭｎ（Ｎ
Ｏ３）２の組成比はそのままとした。
【００３２】変えた基材料とＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の
組成比を次の通りとした。 これらのサンプル組成物１５Ａ〜１７Ａの電気的特性は
次の表４の通りであった。
組成比を次の通りとした。 これらのサンプル組成物１５Ａ〜１７Ａの電気的特性は
次の表４の通りであった。
【００３３】
【表４】
【００３４】低火度組成物でのＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２
の存在レベルと上記したサンプル組成物で作られた多層
セラミックコンデンサーの散逸係数％との関係を、実験
値は示す。即ち、Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量が増える
と散逸係数が改良され、この結果、材料がより薄い誘電
性積層コンデンサーを作るのに用い得ることになる。こ
れは、現在のＥＩＡ規格がＸ７Ｒ型誘電体は１ＶＲＭＳ
シグナルを使って電気的に評価するものとしていること
によるものである。
の存在レベルと上記したサンプル組成物で作られた多層
セラミックコンデンサーの散逸係数％との関係を、実験
値は示す。即ち、Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量が増える
と散逸係数が改良され、この結果、材料がより薄い誘電
性積層コンデンサーを作るのに用い得ることになる。こ
れは、現在のＥＩＡ規格がＸ７Ｒ型誘電体は１ＶＲＭＳ
シグナルを使って電気的に評価するものとしていること
によるものである。
【００３５】テストシグナルが一定の振幅に保たれると
すれば、同一の材料の散逸係数値はその誘電体の厚さが
減少するにつれて増加することになる。これと対照的
に、あるコンデンサーの誘電体の厚さが減少すると、そ
のキャパシタンスは増加する。小型化へと向かう現在と
将来の傾向からすると、約１０μｍの誘電体の厚み当り
２．５％またはそれ以下の散逸係数を出すことのできる
誘電性材料が必要であるとみられる。
すれば、同一の材料の散逸係数値はその誘電体の厚さが
減少するにつれて増加することになる。これと対照的
に、あるコンデンサーの誘電体の厚さが減少すると、そ
のキャパシタンスは増加する。小型化へと向かう現在と
将来の傾向からすると、約１０μｍの誘電体の厚み当り
２．５％またはそれ以下の散逸係数を出すことのできる
誘電性材料が必要であるとみられる。
【００３６】上述のサンプル組成物１５Ａに加えて、ガ
ラス粉末の量を最初に記したサンプル組成物の組成比と
変えて、２つのサンプル組成物１８Ａ，１９Ａを作っ
た。それらの組成比は、次の通りとした（基材料は上述
したＮｏ．２基材料である）。 これらの電気的特性は表５にて示される通りであった。
ラス粉末の量を最初に記したサンプル組成物の組成比と
変えて、２つのサンプル組成物１８Ａ，１９Ａを作っ
た。それらの組成比は、次の通りとした（基材料は上述
したＮｏ．２基材料である）。 これらの電気的特性は表５にて示される通りであった。
【００３７】
【表５】
【００３８】表５に示される結果から分かる通り、組成
物中のガラス量を増やすと、それに従って１２５℃にお
ける絶縁抵抗が増加するのが認められた。このようなよ
り高い値は突然な異常故障を起し難いしっかりした材料
を一般的には示すので、コンデンサーメーカーにとって
上記した結果は注目されるところである。
物中のガラス量を増やすと、それに従って１２５℃にお
ける絶縁抵抗が増加するのが認められた。このようなよ
り高い値は突然な異常故障を起し難いしっかりした材料
を一般的には示すので、コンデンサーメーカーにとって
上記した結果は注目されるところである。
【００３９】最後にサンプル組成物２０Ａ〜２４Ａを作
った。基材料はＮｏ．２基材料であり、各組成分の組成
比は最初に記したサンプル組成物の組成比と変え、特に
Ｍｎ（ＮＯ３）２の５０％水溶液の量を変えてみた。
った。基材料はＮｏ．２基材料であり、各組成分の組成
比は最初に記したサンプル組成物の組成比と変え、特に
Ｍｎ（ＮＯ３）２の５０％水溶液の量を変えてみた。
【００４０】
【００４１】表６は上記したサンプル組成物２０Ａ〜２
４Ａになるコンデンサーの電気的特性を示すものであ
る。
４Ａになるコンデンサーの電気的特性を示すものであ
る。
【００４２】
【表６】
【００４３】
【発明の効果】上述したところから明らかな通り、本発
明は約１０００℃またはそれ以下で焼結される低火度の
種類の多層コンデンサーを作るのに適した新規なセラミ
ック誘電性組成物を提供するものである。
明は約１０００℃またはそれ以下で焼結される低火度の
種類の多層コンデンサーを作るのに適した新規なセラミ
ック誘電性組成物を提供するものである。
【００４４】コンデンサーをこのような低い温度で焼結
できるので、先にも述べた通り、例えば高火度の種類の
ものと比べたときに、相当に安価な電極材料を使用する
ことができることとなる。
できるので、先にも述べた通り、例えば高火度の種類の
ものと比べたときに、相当に安価な電極材料を使用する
ことができることとなる。
【００４５】比較的に低い温度でこのようにコンデンサ
ーを焼結できるのは、ビスマスとチタンの酸化物あるい
はその前駆体から作られるセラミック焼結助剤，少量の
ガラス粉末及び微量の二酸化マンガンあるいはその前駆
体と混合したチタン酸バリウムを含む特定の基材料を使
うためである。
ーを焼結できるのは、ビスマスとチタンの酸化物あるい
はその前駆体から作られるセラミック焼結助剤，少量の
ガラス粉末及び微量の二酸化マンガンあるいはその前駆
体と混合したチタン酸バリウムを含む特定の基材料を使
うためである。
【００４６】この基材料はチタン酸バリウムと酸化ネオ
ジムの混合物からなり、上述した焼結助剤，ガラス粉
末，二酸化マンガンを含む組成で使われるものである
が、基材料中のチタン酸バリウムの重量％が９７．８９
から９８．１９の範囲にあり、かつ酸化ネオジムの重量
％が１．８１から２．１１の範囲内の時に好適なＸ７Ｒ
組成をもたらす。このような誘電性セラミック組成物を
作るのに適した典型的な組成は、それぞれ重量％で９
１．０１３の量の基材料，Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の形
で７．９８３の量の焼結助剤，０．７９９の量のガラス
粉末（実際的にはこのからガラス粉末は８６．０重量％
のＰｂＯ，９．０重量％のＢ２Ｏ３，１．５８重量％の
ＳｉＯ２，０．１３重量％のＴｉＯ２と３．２９重量％
のＡｌ２Ｏ３からなる）、ならびに０．２０５の量の二
酸化マンガンからなるものである。
ジムの混合物からなり、上述した焼結助剤，ガラス粉
末，二酸化マンガンを含む組成で使われるものである
が、基材料中のチタン酸バリウムの重量％が９７．８９
から９８．１９の範囲にあり、かつ酸化ネオジムの重量
％が１．８１から２．１１の範囲内の時に好適なＸ７Ｒ
組成をもたらす。このような誘電性セラミック組成物を
作るのに適した典型的な組成は、それぞれ重量％で９
１．０１３の量の基材料，Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の形
で７．９８３の量の焼結助剤，０．７９９の量のガラス
粉末（実際的にはこのからガラス粉末は８６．０重量％
のＰｂＯ，９．０重量％のＢ２Ｏ３，１．５８重量％の
ＳｉＯ２，０．１３重量％のＴｉＯ２と３．２９重量％
のＡｌ２Ｏ３からなる）、ならびに０．２０５の量の二
酸化マンガンからなるものである。
【００４７】さらに、上述したところから分かる通り、
基材量に使われるチタン酸バリウムは少なくとも１００
０℃またはそれ以上の温度で前カ焼しないと、組成物が
必ずしもＸ７Ｒ基準を達成し得るとはいえない。
基材量に使われるチタン酸バリウムは少なくとも１００
０℃またはそれ以上の温度で前カ焼しないと、組成物が
必ずしもＸ７Ｒ基準を達成し得るとはいえない。
【００４８】また、更に注目すべきところとして、上述
した組成によったサンプル組成物は誘電率が２７００以
上になるが、３０００以上の誘電率をもつ誘電性組成物
を作るのには、基材料のカ焼温度を若干調整したり、ま
たは組成物中のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量を若干変え
たりすることが望ましい。組成中のガラス粉末を若干変
えることによっても、誘電率を同様に改善することがで
きる。組成中の二酸化マンガンの量を変えることによっ
て、わずかではあるが誘電率が変わる。
した組成によったサンプル組成物は誘電率が２７００以
上になるが、３０００以上の誘電率をもつ誘電性組成物
を作るのには、基材料のカ焼温度を若干調整したり、ま
たは組成物中のＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の量を若干変え
たりすることが望ましい。組成中のガラス粉末を若干変
えることによっても、誘電率を同様に改善することがで
きる。組成中の二酸化マンガンの量を変えることによっ
て、わずかではあるが誘電率が変わる。
【００４９】更にまた、上述したところにより、非常に
信頼性があり、かつ経済的な低火度・多層コンデンサー
が本発明による新規なＸ７Ｒ型誘電性組成物によって作
り得ることが明らかである。
信頼性があり、かつ経済的な低火度・多層コンデンサー
が本発明による新規なＸ７Ｒ型誘電性組成物によって作
り得ることが明らかである。
【００５０】本発明をその数実施例によって詳述した
が、それを改変することができ、本発明は当該技術者に
とって容易なそのような改変例と特許請求の範囲内にあ
るそのような改変例にも及ぶことは勿論なことである。
が、それを改変することができ、本発明は当該技術者に
とって容易なそのような改変例と特許請求の範囲内にあ
るそのような改変例にも及ぶことは勿論なことである。
Claims (9)
- 【請求項１】 多層コンデンサー用の粉末状の低火度セ
ラミック誘電性組成物にして、−５５℃〜１２５℃の温
度範囲に渡って２５℃における値から約１５％以上変わ
らない誘電率を有し、かつ組成物の約８８．６から９１
重量％の範囲内で存在して基材料をなすチタン酸バリウ
ムと酸化ネオジムの混合物、組成物の約７．９８から１
０．０重量％の範囲内で存在するＢｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ
２焼結助剤、組成物の約０．８から１．６重量％の範囲
内で存在するガラス粉末を主としてなり、必要の際は微
量の二酸化マンガンを含んでなる上記の組成物。 - 【請求項２】 請求項１に述べる低火度セラミック誘電
性組成物にして、チタン酸バリウムが基材料の約９７．
８９から９８．１９重量％の範囲内で存在し、酸化ネオ
ジムが基材料の約１．８１から２．１１重量％の範囲内
で存在する上記の組成物。 - 【請求項３】 請求項１に述べる低火度セラミック誘電
性組成物にして、二酸化マンガンが組成物の約０．２０
５重量％の値で存在する上記の組成物。 - 【請求項４】 請求項１に述べる低火度セラミック誘電
性組成物にして、チタン酸バリウムが１１００〜１２２
５℃の範囲内の温度で仮焼されてなる上記の組成物。 - 【請求項５】 請求項１に述べる低火度セラミック誘電
性組成物にして、基材料が１２００〜１３６５℃の範囲
内の温度で仮焼されてなる上記の組成物。 - 【請求項６】 請求項１に述べる低火度セラミック誘電
性組成物にして、Ｂｉ２Ｏ・２ＴｉＯ２焼結助剤が組成
物の９．９８３から７．９８３重量％の範囲内で存在
し、基材料が８９．０１３から９１．０１３重量％の範
囲内で存在する上記の組成物。 - 【請求項７】 請求項１に述べる組成物から作られる低
火度多層セラミックコンデンサー。 - 【請求項８】 請求項７に述べる低火度多層セラミック
コンデンサーにして、３０００またはそれ以上の誘電率
を有するコンデンサー。 - 【請求項９】 請求項８に述べる低火度多層セラミック
コンデンサーにして、１１００℃またはそれ以下の温度
で焼成されてなるコンデンサー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/517,737 US5571767A (en) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | Low fire X7R dielectric compositions and capacitors made therefrom |
| US081517,737 | 1995-08-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959063A true JPH0959063A (ja) | 1997-03-04 |
Family
ID=24061029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8162285A Pending JPH0959063A (ja) | 1995-08-21 | 1996-05-20 | Ｘ７ｒ型低火度改良誘電性組成物とそのコンデンサー |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5571767A (ja) |
| EP (1) | EP0759626A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0959063A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149658A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 誘電体ペースト、ガラスセラミック多層配線基板、電子装置、およびガラスセラミック多層配線基板の製造方法。 |
| WO2008117710A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 感光性誘電体ペーストおよびそれを用いた電子部品 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650367A (en) * | 1994-01-28 | 1997-07-22 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition |
| DE19546237A1 (de) * | 1995-12-12 | 1997-06-19 | Philips Patentverwaltung | Vielschichtkondensator mit Dielektrikum aus modifiziertem Bariumstrontiumtitanat |
| US5783165A (en) * | 1997-01-08 | 1998-07-21 | Ferro Corporation | Method of making barium titanate |
| CN1067361C (zh) * | 1998-11-20 | 2001-06-20 | 清华大学 | 温度稳定型高介多层陶瓷电容器材料的组成和制备方法 |
| EP1096518A4 (en) * | 1999-02-26 | 2007-05-09 | Tdk Corp | METHOD OF MANUFACTURING DIELECTIC PORCELAIN COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD OF DIELECTRIC COATING ELECTRONIC COMPONENTS |
| DE19922556C1 (de) * | 1999-05-17 | 2000-12-21 | Epcos Ag | X7R-Keramikmassen und Verfahren zur Herstellung |
| KR100495210B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2005-06-14 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 저온소성 유전체 자기조성물, 이를 이용한적층세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| US7230817B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-06-12 | Ferro Corporation | Y5V dielectric composition |
| US7161795B1 (en) | 2005-09-26 | 2007-01-09 | Ferro Corporation | COG dielectric composition for use with copper electrodes |
| US7858548B2 (en) * | 2006-09-13 | 2010-12-28 | Ferro Corporation | COG dielectric composition for use with nickel electrodes |
| US20070109720A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corporation | Dielectric paste, capacitor-embedded glass-ceramic multilayer substrate, electronic component and method of manufacturing capacitor-embedded glass-ceramic multilayer substrate |
| JP2007230819A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物、電子部品およびその製造方法 |
| US7541306B2 (en) * | 2007-01-17 | 2009-06-02 | Ferro Corporation | X8R dielectric composition for use with nickel electrodes |
| CN101033132B (zh) * | 2007-02-13 | 2010-10-13 | 电子科技大学 | 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料 |
| US7521390B2 (en) * | 2007-03-05 | 2009-04-21 | Ferro Corporation | Ultra low temperature fixed X7R and BX dielectric ceramic composition and method of making |
| US8305731B2 (en) * | 2007-11-06 | 2012-11-06 | Ferro Corporation | Lead and cadmium free, low temperature fired X7R dielectric ceramic composition and method of making |
| US8076257B1 (en) | 2008-04-23 | 2011-12-13 | MRA Laboratories, Inc | High temperature ceramic dielectric composition and capacitors made from the composition |
| KR101931108B1 (ko) | 2014-07-09 | 2018-12-20 | 페로 코포레이션 | 미드-k ltcc 조성물 및 디바이스 |
| US10287211B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-05-14 | Ferro Corporation | Low-K and mid-K LTCC dielectric compositions and devices |
| TWI634092B (zh) | 2015-07-23 | 2018-09-01 | 菲洛公司 | 與鎳電極倂用之ｃｏｇ介電組成物及形成電子組件之方法 |
| US10065894B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-09-04 | Ferro Corporation | High-K LTCC dielectric compositions and devices |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4047903A (en) * | 1972-09-26 | 1977-09-13 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for the production of abrasives |
| US4457766A (en) * | 1980-10-08 | 1984-07-03 | Kennecott Corporation | Resin systems for high energy electron curable resin coated webs |
| US4588419A (en) * | 1980-10-08 | 1986-05-13 | Carborundum Abrasives Company | Resin systems for high energy electron curable resin coated webs |
| US4547204A (en) * | 1980-10-08 | 1985-10-15 | Carborundum Abrasives Company | Resin systems for high energy electron curable resin coated webs |
| JPS6018086B2 (ja) * | 1981-04-13 | 1985-05-08 | 株式会社村田製作所 | 温度補償用磁器誘電体 |
| US4379319A (en) * | 1982-02-18 | 1983-04-05 | Ferro Corporation | Monolithic ceramic capacitors and improved ternary ceramic compositions for producing same |
| FR2522870A1 (fr) * | 1982-03-02 | 1983-09-09 | Europ Composants Electron | Composition ceramique dielectrique a base de titanate de baryum stable en fonction de la temperature et condensateur utilisant cette composition |
| JPS6051207B2 (ja) * | 1982-11-09 | 1985-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| US4540676A (en) * | 1984-05-23 | 1985-09-10 | Tam Ceramics | Low temperature fired dielectric ceramic composition with flat TC characteristic and method of making |
| US4670243A (en) * | 1986-06-30 | 1987-06-02 | Ferro Corporation | Method of precipitating metal titanate powders |
| US4816430A (en) * | 1987-06-09 | 1989-03-28 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric ceramic composition |
| JP2654112B2 (ja) * | 1988-08-11 | 1997-09-17 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| US4927431A (en) * | 1988-09-08 | 1990-05-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Binder for coated abrasives |
| US4903440A (en) * | 1988-11-23 | 1990-02-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive product having binder comprising an aminoplast resin |
| US5055113A (en) * | 1988-11-23 | 1991-10-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive product having binder comprising an aminoplast resin |
| US5296426A (en) * | 1990-06-15 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-fire X7R compositions |
| US5128289A (en) * | 1990-12-07 | 1992-07-07 | Ferro Corporation | X7R dielectric ceramic composition and capacitor made therefrom |
| JPH04310565A (ja) * | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
-
1995
- 1995-08-21 US US08/517,737 patent/US5571767A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-20 JP JP8162285A patent/JPH0959063A/ja active Pending
- 1996-08-19 EP EP96306028A patent/EP0759626A1/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149658A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 誘電体ペースト、ガラスセラミック多層配線基板、電子装置、およびガラスセラミック多層配線基板の製造方法。 |
| WO2008117710A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 感光性誘電体ペーストおよびそれを用いた電子部品 |
| JP5104852B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-12-19 | 株式会社村田製作所 | 感光性誘電体ペーストおよびそれを用いた電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5571767A (en) | 1996-11-05 |
| EP0759626A1 (en) | 1997-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5571767A (en) | Low fire X7R dielectric compositions and capacitors made therefrom | |
| CN100559523C (zh) | 介电陶瓷，制造该介电陶瓷的方法，以及独石陶瓷电容器 | |
| JP2000247735A (ja) | 低温焼結セラミック組成物の製造方法 | |
| US4939108A (en) | Process for producing dielectric ceramic composition with high dielectric constant, low dissipation factor and flat TC characteristics | |
| JP2594320B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
| JP2000223351A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| US5599757A (en) | NPO dielectric ceramic compositions and capacitors made therefrom | |
| JPH0715856B2 (ja) | 多層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2958817B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH11302072A (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3783678B2 (ja) | 誘電体セラミック用原料粉末の製造方法、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP4497162B2 (ja) | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ | |
| US5479140A (en) | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition | |
| JPH0831232A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0283256A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4353183B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層型電子部品 | |
| JPS63103861A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2005526687A (ja) | チタン酸バリウムをベースとする誘電組成物 | |
| JPH11302071A (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3146966B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JPH05213670A (ja) | 極微粒子の粒度のチタン酸バリウムを使用する高温焼成のｘ７ｒ誘電セラミック組成物 | |
| JP3080587B2 (ja) | 誘電体磁器組成物と磁器コンデンサ | |
| JP3350326B2 (ja) | 積層型コンデンサ | |
| JPH08239266A (ja) | セラミック誘電組成物及びその製造方法 | |
| KR100703080B1 (ko) | 저온 소성용 유전체 분말의 제조 방법과 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서의 제조 방법 |