JPH0959370A - 芳香族ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 色調に優れた芳香族ポリカーボネートをエス
テル交換法で製造する方法を提供する。 【解決手段】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとを加熱溶融下重縮合させて芳香族ポリカーボネー
トを製造する方法において、使用する炭酸ジエステル
が、塔頂温度２００℃以下、理論段数５段以下、還流比
３以下で蒸留精製を行った炭酸ジエステルであり、かつ
加水分解可能な塩素の含有量が５０ｐｐｍ以下であるこ
とを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
トの製造方法に関するものであり、更に詳しくは色調の
良好な芳香族ポリカーボネートを製造するに必要十分で
しかも安価に製造できる炭酸ジエステルを使用した芳香
族ポリカーボネート製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ビスフェノールＡとホスゲンとの界面重
縮合から得られるポリカーボネート樹脂は、その優れた
機械的特性、熱的特性から各種用途に幅広く用いられて
いるが、有毒であるホスゲンを利用することで安全性に
問題があり、また溶媒として塩化メチレンを使用するこ
とで環境破壊などの問題点が多い。

【０００３】そこで最近塩化メチレンやホスゲンを使用
しないエステル交換法が脚光を浴びているが、エステル
交換法で得られるポリカーボネート樹脂は通常２５０〜
３３０℃の温度に加熱しながら重縮合を行うため、高温
で長時間の熱履歴を受け色調の悪化など品質的に優れた
ものは得られず、この為上記の方法により得られるポリ
カーボネートは色調が要求される分野では用いることが
できなかった。そこで最近色調の優れる芳香族ポリカー
ボネートを提供する方法が種々示されている。

【０００４】例えば特公平６―１８８６８号公報におい
ては炭酸ジエステルに含まれる加水分解可能な塩素を３
ｐｐｍ以下、ナトリウムイオンを１ｐｐｍ以下、鉄イオ
ンを１ｐｐｍ以下にした炭酸ジエステルを用いることで
芳香族ポリカーボネートの色調を向上させることを提案
している。しかしながら炭酸ジエステルの加水分解可能
塩素分、ナトリウムイオン、鉄イオンを上記特定値にす
るには製造工程の中でも特に精製工程を強化する必要が
あり、生産設備の高額化、ひいては芳香族ポリカーボネ
ートの製造コストも高くなるという問題点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は色調に優れる
芳香族ポリカーボネートをエステル交換法で安価に製造
する方法を提供することを目的とする。本発明者は、蒸
留精製の際の熱履歴の少ない炭酸ジエステルを用いれば
加水分解可能な塩素の含有量が多くても特性値以下であ
れば安価にかつ色調も良好な芳香族ポリカーボネートを
製造できることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、芳香
族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを加熱溶融下
重縮合せしめて芳香族ポリカーボネートを製造する方法
において、使用する炭酸ジエステルが塔頂温度２００℃
以下、理論段数５段以下、還流比３以下で蒸留精製を行
った炭酸ジエステルであり、かつ加水分解可能な塩素の
含有量が５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする芳香族
ポリカーボネートの製造方法である。

【０００７】本発明では、用いる炭酸ジエステルに含ま
れる加水分解可能塩素分が５０ｐｐｍ以下、好ましくは
３０ｐｐｍ以下であり、かつ炭酸ジエステル蒸留精製工
程で溶融状態での熱履歴が低減されるよう特に蒸留精製
時に溶融加熱状態が継続しないよう短時間に処理した炭
酸ジエステルを用いることが重要である。

【０００８】加水分解可能塩素分が５０ｐｐｍ以上にな
ると熱履歴を少なくしても、得られる芳香族ポリカーボ
ネートの色調が悪くなるため好ましくない。３ｐｐｍ以
下にまで低減させるとジフェニルカーボネートの蒸留精
製工程における熱履歴に関係なく、得られる芳香族ポリ
カーボネートの色調は良好となるが、蒸留精製工程にお
ける熱履歴を低減した場合には加水分解可能塩素分を３
ｐｐｍ以下とすることは必要なく、かえって製造コスト
の低減化が計れる利点がある。したがって、加水分解可
能な塩素の含有量は３ｐｐｍより多くてもよく、５ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。

【０００９】このような含有する加水分解可能塩素分が
特性値以下である炭酸ジエステルを製造するには、ホス
ゲン法における製造中間体として炭酸ジエステル中に残
存するクロロ蟻酸フェニル、また水に溶解しうる塩、金
属塩等の不純物を溶融状態で熱水によって除去し、熱履
歴の低減される減圧蒸留によって加水分解可能塩素を特
性値以下とすることが好ましい。

【００１０】このように加水分解可能塩素を含有してい
る炭酸ジエステルは、炭酸ジエステル製造工程の中で蒸
留精製時の加熱量による熱分解に起因する微量の不純物
が生成し、ポリカーボネート製造の際に着色の原因とな
っているものと本発明者らは推察している。

【００１１】また特性値内の加水分解可能塩素を含有
し、かつ熱履歴の低減された炭酸ジエステルはポリカー
ボネート製造のエステル交換反応工程において熱履歴を
受けるが、炭酸ジエステルは製造工程初期のエステル交
換反応によって消費されるため、エステル交換反応での
熱履歴はほとんど無視され、炭酸ジエステルの熱分解に
起因する不純物は生成せず着色の原因とはならないと考
えられている。

【００１２】本発明に使用される芳香族ジヒドロキシ化
合物としては特に制限はないが、例えば２，２―ビス
（４―ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２―ビス
（４―ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２―ビス（４
―ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４―ヒドロキ
シフェニル）フェニルメタン、２，２―ビス（４―ヒド
ロキシ―３―メチルフェニル）プロパン、１，１―ビス
（４―ヒドロキシ―ｔ―ブチルフェニル）プロパンなど
のビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、１，１―ビ
ス（４―ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１
―ビス（ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンなどのビ
ス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、４，４′
―ジヒドロキシジフェニルエーテルなどのジヒドロキシ
アリールエーテル類、４，４′―ジヒドロキシジフェニ
ルスルフィドなどのジヒドロキシアリールスルフィド
類、４，４′―ジヒドロキシジフェニルスルホキシドな
どのジヒドロキシアリールスルホキシド類、４，４′―
ジヒドロキシジフェニルスルホンなどのジヒドロキシア
リールスルホン類等が用いられる。特に２，２―ビス
（４―ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましい。

【００１３】本発明で使用される炭酸ジエステルとして
は置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、
アラルキル基等のエステルが挙げられる。具体的にはジ
フェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス
（クロロフェニル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボ
ネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）
カーボネート等が挙げられる。これらのうちジフェニル
カーボネートが特に好ましい。

【００１４】本発明でポリカーボネートを製造するに際
して、上記のような芳香族炭酸ジエステル芳香族ジヒド
ロキシ化合物１モルに対して、１．００〜１．３０モ
ル、好ましくは１．００５〜１．１０モルの量で用いら
れる。

【００１５】本発明では、上記のような芳香族ジヒドロ
キシ化合物と芳香族炭酸ジエステルとのエステル交換反
応によりポリカーボネートを製造するに際し、重合速度
を速めるために重合触媒を用いることもできる。

【００１６】この様な重合触媒は、アルカリ金属化合
物、アルカリ土類金属化合物を主成分として、必要に応
じ含窒素塩基性化合物を従成分として構成される。

【００１７】アルカリ金属化合物としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリ
ウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナト
リウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸リチウ
ム、ビスフェノールＡのナトリウム塩、カリウム塩、リ
チウム塩、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安
息香酸リチウムなどが挙げられる。

【００１８】アルカリ土類金属化合物としては、水酸化
カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水
酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素バ
リウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素ストロンチウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウ
ム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸バリウ
ケ、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、ステアリ
ン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸
マグネシウム、ステアリン酸ストロンチウム等が挙げら
れる。

【００１９】含窒素塩基性化合物としては、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、ト
リメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルベンジル
アミン、トリフェニルアミン等が挙げられる。

【００２０】上記の重合触媒は単独で使用しても良い
し、組み合わせて使用しても良い。

【００２１】本発明に於けるこれらの重合触媒の使用量
はアルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物の場
合は芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し１×１０^-7
〜１×１０^-4当量、好ましくは１×１０^-6〜５×１０^-5
当量の範囲で選ばれる。また、含窒素塩基性化合物を従
成分として使用する場合は芳香族ジヒドロキシ化合物１
モルに対し１×１０^-5〜１×１０^-3当量、好ましくは１
×１０^-5〜５×１０^-4当量の範囲で選ばれる。

【００２２】アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属
化合物と、含窒素塩基性化合物を組み合わせて使用する
場合は好ましい使用量は上記範囲の和に相当し、芳香族
ジヒドロキシ化合物１モルに対し１×１０^-7〜１×１０
^-3当量、好ましくは１×１０ ^-6〜５×１０^-4当量が選ば
れる。

【００２３】本発明において、必要に応じその他の化合
物を補助触媒として用いることもできる。この様な化合
物としては、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカ
リ金属やアルカリ土類金属塩、第４級アンモニウム塩
類、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド
類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜
鉛化合物類、ホウ素化合物類、珪素化合物類、ゲルマニ
ウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスニ
ウム化合物類、アンチモン化合物類、ジルコニウム化合
物類などの通常エステル化反応、エステル交換反応に使
用される触媒を用いることができるがこれらに限定され
るものではない。補助触媒を用いる場合１種だけを用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２４】本発明の芳香族ジヒドロキシ化合物と芳香
族炭酸ジエステルとのエステル交換反応は、従来知られ
ているように不活性ガス雰囲気下で加熱しながら攪拌し
て生成する芳香族モノヒドロキシ化合物を留出させるこ
とで行われる。反応温度は通常１２０〜３５０℃の範囲
であり、反応後期には系の減圧度を１０〜０．１Ｔｏｒ
ｒに高めて生成する芳香族モノヒドロキシ化合物の留出
を容易にさせて反応を完結させる。

【００２５】本発明においては必要に応じて安定剤を用
いることができる。

【００２６】安定剤を重縮合生成物に添加する方法とし
ては特に限定されない。例えば、反応生成物であるポリ
カーボネートが溶融状態にある間にこれらを添加しても
よいし、一旦ポリカーボネートをペレタイズした後、再
溶融して添加してもよい。前者においては、重縮合反応
が終了して得られる溶融状態にある反応機内または押出
機内の反応生成物であるポリカーボネートが溶融状態に
ある間に、これらを添加してもよいし、また、重縮合反
応で得られたポリカーボネートが反応機から押出機を通
ってペレタイズされる間に、安定剤を添加して混練する
こともできる。以下各安定剤について説明する。

【００２７】式（Ｉ）の安定剤

【００２８】

【化１】

【００２９】ここで、Ａ¹ は置換基を有していても良い
ｍ価の炭化水素基であり、Ｙ¹ は単結合または酸素原子
であり、Ｘ¹ は２級または３級の１価の炭化水素基、１
当量の金属カチオン、アンモニウムカチオンまたはホス
ホニウムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である、但
しＹ¹ が単結合であるときｍ個のＸ¹ の全てが１当量の
金属カチオンであることはない。

【００３０】ｍ価の炭化水素基としては、例えばｍ価の
飽和脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または飽和脂
肪族―芳香族炭化水素基等を好ましいものとして挙げる
ことが出来る。

【００３１】Ｙ¹ は単結合または酸素原子であるまた、
Ｘ¹ は２級または３級の１価の炭化水素基、１当量の金
属カチオン、アンモニウムカチオンまたはホスホニウム
カチオンである。

【００３２】２級または３級の１価の炭化水素基として
は、例えば下記式（Ｉ）−ｄ

【００３３】

【化２】

【００３４】［ここで、Ｒ¹⁵は水素原子もしくは炭素数
１〜５のアルキル基であり、Ｒ¹⁶は水素原子、フェニル
基もしくは炭素数１〜５のアルキル基であり、そしてＲ
¹⁷はＲ ¹⁵と同一もしくは異なりＲ¹⁵の定義と同じであ
る。］で表わされる２級または３級のアルキル基が好ま
しい。これらのうち、特にＲ¹⁵およびＲ¹⁷が同一もしく
は異なり、水素原子、メチル基、エチル基またはプロピ
ル基でありそしてＲ¹⁶がメチル基またはフェニル基であ
るのがより好ましい。

【００３５】一当量の金属カチオンとしては、例えばリ
チウム、ナトリウム、カリウムの如きアルカリ金属カチ
オン；カルシウム、バリウムの如きアルカリ土類金属カ
チオンの１／２あるいはアルミニウムの如き３価の金属
カチオンの１／３等を挙げることができる。

【００３６】アンモニウムカチオンとしては、例えば下
記式（Ｉ）−ａ

【００３７】

【化３】

【００３８】［ここで、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ およびＲ
⁴ は、互いに独立して水素原子または１価の炭化水素基
である。］で表わされるカチオンを挙げることができ
る。

【００３９】式（Ｉ）−ａにおいて、Ｒ¹ 等が表わす１
価の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０のアル
キル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１０
のアラルキル基等が好ましい。

【００４０】また、ホスホニウムカチオンとしては、例
えば下記式（Ｉ）−ｂ

【００４１】

【化４】

【００４２】［ここで、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ およびＲ
⁸ は、互いに独立した水素原子または１価の炭化水素基
である。］で表わされるカチオンを挙げることができ
る。

【００４３】式（Ｉ）−ｂにおいて、Ｒ⁵ 等が表わす１
価の炭化水素基としては、式（Ｉ）−ａについて例示し
た１価の炭素数基と同じものを挙げることができる。

【００４４】これらのうち、Ｘ¹ としては２級または３
級のアルキル基、アルカリ金属カチオン、上記式（Ｉ）
−ａで表わされるカチオンおよび上記式（Ｉ）−ｂで表
わされるカチオンが好ましい。

【００４５】また上記式（Ｉ）において、ｍは１〜４の
整数であり、好ましくは１又は２である。

【００４６】上記式（Ｉ）で表わされる化合物は、Ｙ¹
の定義に従って便宜的に２群に分けられる。すなわち、
Ｙ¹ が単結合である化合物群とＹ¹ が酸素原子である化
合物群である。Ｙ¹ が単結合である化合物群は、例えば
ｍが１である場合、下記式（Ｉ）−１

【００４７】

【化５】 Ａ¹ ―ＳＯ₃ Ｘ¹ ……（Ｉ）−１ ［ここで、Ａ¹ およびＸ¹ の定義は上記式（Ｉ）に同じ
である。］で表わされる。

【００４８】上記式（Ｉ）−１で表わされる化合物のう
ち、Ａ¹ が一価の飽和脂肪族炭化水素基または飽和脂肪
族―芳香族炭化水素基であるのが好ましく、とりわけ下
記式（Ｉ）−ｃ

【００４９】

【化６】

【００５０】［ここで、Ａ¹¹は炭素数１〜１８のアルキ
ル基であり、ｊは０または１の整数である。］で表わさ
れる基であるのが特に好ましい。

【００５１】また、Ｙ¹ が酸素原子である化合物群は、
例えばｍが１である場合、下記式（Ｉ）−２

【００５２】

【化７】 Ａ¹ ―Ｏ―ＳＯ₃ Ｘ¹ ……（Ｉ）−２ ［ここで、Ａ¹ およびＸ¹ の定義は上記式（Ｉ）に同じ
である。］で表わされる。

【００５３】上記式（Ｉ）−２で表わされる化合物のう
ち、Ａ¹ が一価の飽和脂肪族炭化水素基であるのが好ま
しく、とりわけ炭素数１〜１８のアルキル基であるのが
特に好ましい。

【００５４】上記式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例
としては、例えば下記の化合物を挙げることができる。

【００５５】Ｙ¹ が単結合であり、Ｘ¹ が２級または３
級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１である場合の
化合物として、ベンゼンスルホン酸ベンジル、ベンゼン
スルホン酸２―フェニル―２―プロピル、ベンゼンスル
ホン酸２―フェニル―２―ブチル、トルエンスルホン酸
ベンジル、トルエンスルホン酸２―フェニル―２―プロ
ピル、トルエンスルホン酸２―プロピル―２―ブチル、
オクチルベンゼンスルホン酸ベンジル、オクチルベンゼ
ンスルホン酸２―フェニル―２―プロピル、オクチルベ
ンゼンスルホン酸２―フェニル―２―ブチル、ドデシル
ベンゼンスルホン酸ベンジル、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸２―フェニル―２―プロピル、ドデシルベンゼンス
ルホン酸２―フェニル―２―ブチルなどをあげることが
できる。

【００５６】Ｙ¹ が単結合であり、Ｘ¹ が上記式（Ｉ）
−ｂで表わされるホスホニウムカチオンでありそしてｍ
が１である場合の化合物として、ヘキシルスルホン酸テ
トラメチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラ
エチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラブチ
ルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラヘキシル
ホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラオクチルホ
スホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラメチルホスホ
ニウム塩、オクチルスルホン酸テトラエチルホスホニウ
ム塩、オクチルスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、オクチルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム
塩、オクチルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム
塩、デシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、デ
シルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、デシルス
ルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、デシルスルホン
酸テトラヘキシルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テ
トラオクチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テト
ラメチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラエ
チルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラブチル
ホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラヘキシルホ
スホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラオクチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラメチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラエチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラブチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラヘキシルホ
スホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラオクチル
ホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラメチルホス
ホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニ
ウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、ベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム
塩、ベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム
塩、トルエンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、
トルエンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、トル
エンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、トルエン
スルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、トルエンス
ルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルベン
ゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシル
ベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデ
シルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、
ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウ
ム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチルホス
ホニウム塩等が挙げられる。

【００５７】Ｙ¹ が酸素原子であり、Ｘ¹ が２級もしく
は３級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１である場
合の化合物としては、Ａ¹ とＸ¹ の炭素数の合計が８〜
４０であるのが好ましい。かかる具体例として、ジブチ
ルサルフェート、ジペンチルサルフェート、ジヘキシル
サルフェート、ジオクチルサルフェート、ジノニルサル
フェート、ジデシルサルフェート、ジトリデシルサルフ
ェート、ジテトラデシルサルフェート、ジヘキサデシル
サルフェート、ジシクロヘキシルサルフェート、ジベン
ジルサルフェート等が挙げられる。これらの具体例のア
ルキル基はいずれも２級もしくは３級であると理解され
るべきである。

【００５８】Ｙ¹ が酸素原子であり、Ｘ¹ が一当量の金
属カチオンでありそしてｍが１である場合の化合物とし
て、ナトリウムオクチルサルフェート、カリウムオクチ
ルサルフェート、セシウムオクチルサルフェート、リチ
ウムデシルサルフェート、ナトリウムデシルサルフェー
ト、ナトリウムドデシルサルフェート、カリウムドデシ
ルサルフェート、リチウムテトラデシルサルフェート、
ナトリウムテトラデシルサルフェート、カリウムデシル
サルフェート、リチウムヘキサデシルサルフェート、ナ
トリウムオレイルサルフェート、カリウムヘキサデシル
サルフェートが挙げられる。

【００５９】Ｙ¹ が酸素原子であり、Ｘ¹ が上記式
（Ｉ）−ａで表わされるアンモニウムカチオンである場
合の化合物として、アンモニウムオクチルサルフェー
ト、アンモニウムデシルサルフェート、アンモニウムド
デシルサルフェート、アンモニウムヘキサデシルサルフ
ェートの如きアンモニウム塩があげられる。

【００６０】また、メチルアンモニウムヘキシルサルフ
ェート、メチルアンモニウムオクチルサルフェート、メ
チルアンモニウムヘキサデシルサルフェート、エチルア
ンモニウムヘキシルサルフェート、ブチルアンモニウム
ノナデシルサルフェート、ヘキシルアンモニウムオクタ
デシルサルフェート、デシルアンモニウムエチルサルフ
ェート、デシルアンモニウムブチルサルフェート、デシ
ルアンモニウムデシルサルフェート、ドデシルアンモニ
ウムメチルサルフェート、ドデシルアンモニウムエチル
サルフェート、ドデシルアンモニウムオクチルサルフェ
ート、テトラデシルアンモニウムブチルサルフェート、
ペンタデシルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサ
デシルアンモニウムブチルサルフェート、ヘキサデシル
アンモニウムオクチルサルフェート、ヘキサデシルアン
モニウムデシルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウ
ムドデシルサルフェートの如き１級アンモニウム塩があ
げられる。

【００６１】またジメチルアンモニウムヘキシルサルフ
ェート、ジメチルアンモニウムオクチルサルフェート、
ジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、ジエ
チルアンモニウムオクタデシルサルフェート、ブチルメ
チルアンモニウムテトラデシルサルフェート、ヘキシル
メチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、デシル
メチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルエチル
アンモニウムエチルサルフェート、デシルメチルアンモ
ニウムオクチルサルフェート、ドデシルメチルアンモニ
ウムメチルサルフェート、テトラデシルメチルアンモニ
ウムメチルサルフェート、テトラデシルエチルアンモニ
ウムサルフェート、ペンタデシルメチルアンモニウムメ
チルサルフェート、ペンタデシルエチルアンモニウムエ
チルサルフェート、ヘキサデシルメチルアンモニウムメ
チルサルフェート、ヘキサデシルエチルアンモニウムエ
チルサルフェートの如き２級アンモニウム塩があげられ
る。

【００６２】また、トリメチルアンモニウムオクチルサ
ルフェート、トリメチルアンモニウムデシルサルフェー
ト、ブチルジメチルアンモニウムデシルサルフェート、
ヘキシルジメチルアンモニウムドデシルサルフェート、
デシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシ
ルジメチルアンモニウムトリデシルサルフェート、ドデ
シルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシ
ルジブチルアンモニウムブチルサルフェート、ドデシル
ジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、テト
ラデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、テ
トラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサルフェー
ト、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェ
ート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサルフ
ェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエチル
サルフェートの如き３級アンモニウム塩があげられる。

【００６３】また、テトラメチルアンモニウムヘキシル
サルフェート、テトラエチルアンモニウムトリデシルサ
ルフェート、ブチルトリメチルアンモニウムオクチルサ
ルフェート、デシルトリメチルアンモニウムメチルサル
フェート、デシルトリエチルアンモニウムエチルサルフ
ェート、デシルトリメチルアンモニウムヘキサデシルサ
ルフェート、ペンタデシルトリメチルアンモニウムメチ
ルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモニ
ウムエチルサルフェートの如き４級アンモニウム塩が挙
げられる。

【００６４】この中で、リチウムデシルサルフェート、
ナトリウムデシルサルフェート、ナトリウムドデシルサ
ルフェート、カリウムドデシルサルフェート、リチウム
テトラデシルサルフェート、ナトリウムテトラデシルサ
ルフェート、リチウムヘキサデシルサルフェート、ナト
リウムオレイルサルフェート、ドデシルアンモニウムエ
チルサルフェート、ドデシルメチルアンモニウムメチル
サルフェート、デシルメチルアンモニウムメチルサルフ
ェート、デシルエチルアンモニウムエチルサルフェー
ト、テトラデシルエチルアンモニウムエチルサルフェー
ト、テトラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサル
フェート、ペンタデシルエチルアンモニウムエチルサル
フェート、ヘキサデシルメチルアンモニウムメチルサル
フェート、ヘキサデシルエチルアンモニウムエチルサル
フェート、デシルジメチルアンモニウムメチルサルフェ
ート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサルフ
ェート、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサル
フェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエチ
ルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモニ
ウムエチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウム
トリデシルサルフェート、テトラデシルジメチルアンモ
ニウムメチルサルフェート、ドデシルジエチルアンモニ
ウムエチルサルフェート、テトラデシルジエチルアンモ
ニウムエチルサルフェート、デシルトリメチルアンモニ
ウムメチルサルフェート、ペンタデシルトリメチルアン
モニウムメチルサルフェート、デシルトリエチルアンモ
ニウムエチルサルフェートがより好ましく用いられる。

【００６５】式（II）の安定剤

【００６６】

【化８】

【００６７】ここで、Ａ² は２価の炭化水素基であり、
⁺Ｘ² は２〜４級のアンモニウムカチオンまたはホスホ
ニウムカチオンであり、そしてＹ¹ の定義は上記に同じ
である。上記式（II）中、Ａ² の２価の炭化水素基とし
ては２価の飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。この飽和
脂肪族炭化水素基としては炭素数１〜２０のものがより
好ましい。

【００６８】⁺Ｘ² はアンモニウムカチオンもしくはホ
スホニウムカチオンである。アンモニウムカチオンとし
ては、下記式（II）−ａ

【００６９】

【化９】

【００７０】［ここで、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰、およびＲ¹¹は、互
いに独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］
で表わされるカチオンが好ましい。

【００７１】Ｒ⁹ 等の１価の炭化水素基としては上記式
（Ｉ）−ａについて例示したものと同じものをここでも
例示できる。

【００７２】ホスホニウムカチオンとしては、下記式
（II）−ｂ

【００７３】

【化１０】

【００７４】［ここで、Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、互い
に独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］で
表わされるカチオンが好ましい。Ｒ¹²等が表わす１価の
炭化水素基としては、上記式（Ｉ）−ｂについて例示し
たものと同じものを例示できる。

【００７５】上記式（II）で表わされる化合物の具体例
としては下記の化合物を例示することができる。

【００７６】

【化１１】

【００７７】式（III ）の安定剤

【００７８】

【化１２】

【００７９】ここで、Ａ³ はｎ価の炭化水素基であり、
⁺Ｘ³ はアンモニウムカチオンもしくはホスホニウムカ
チオンであり、Ｒは１価の炭化水素基でありｎは２〜４
の整数でありそしてＹ¹ の定義は上記に同じである。

【００８０】Ａ³ のｎ価の炭化水素基としては、例えば
ｎ価の飽和脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または
飽和脂肪族―芳香族炭化水素基が好ましい。

【００８１】また、 ⁺Ｘ³ はアンモニウムカチオンおよ
びホスホニウムカチオンとしてはそれぞれ例えば前記式
（II）−ａおよび（II）−ｂで表わされるものを挙げる
ことができる。

【００８２】Ｒは１価の炭化水素基であり、その例とし
てはアルキル基、アリール基およびアラルキル基が好ま
しい。アルキル基としては炭素数１〜２０のものが好ま
しく、アリール基としては炭素数６〜２０のものが好ま
しく、アラルキル基とは炭素数７〜２０のものが好まし
い。

【００８３】ｎは２、３または４であり、Ｙ¹ の定義は
前記と同じく、単結合もしくは酸素原子である。

【００８４】上記式（III ）で表わされる化合物の具体
例としては下記の化合物を例示することができる。Ｙ¹
が単結合であり、 ⁺Ｘ³ が前記式（II）−ａで表わされ
るアンモニウムカチオンであり、そしてｎが２である場
合の化合物として、

【００８５】

【化１３】

【００８６】

【化１４】

【００８７】Ｙ¹ が酸素原子であり ⁺Ｘ³ が前記式（I
I）−ａで表わされるアンモニウムカチオンであり、そ
してｎが２である場合の化合物として、

【００８８】

【化１５】

【００８９】Ｙ¹ が単結合であり ⁺Ｘ³ が前記式（II）
−ｂで表わされるホスホニウムカチオンであり、そして
ｎが２である場合の化合物として、

【００９０】

【化１６】

【００９１】Ｙ¹ が酸素原子であり ⁺Ｘ³ が前記式（I
I）−ｂで表わされるホスホニウムカチオンであり、そ
してｎが２である場合の化合物として、

【００９２】

【化１７】

【００９３】式（IV）の安定剤

【００９４】

【化１８】

【００９５】ここで、Ａ⁵ は１または２価の炭化水素基
であり、Ａ⁴ は２価の炭化水素基であり、Ａｄ¹ および
Ａｄ² は、同一もしくは異なり―ＳＯ₂ ―Ｏ―ＳＯ
₂ ―、―ＳＯ₂ ―Ｏ―ＣＯ―または―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ₂
―から選ばれる酸無水物基であり、ｋは０または１であ
る。但し、ｋが０のとき、―（Ａｄ² ―Ａ⁵ ）_k は水素
原子を表わすかあるいはＡ⁴ とＡ⁵ とを結合する結合手
を表わす（この場合、Ａ⁵は２価の炭化水素基又は単結
合である）。

【００９６】上記式（IV）で表わされる化合物は、ｋの
定義に従って、便宜的に、下記式（IV）−１

【００９７】

【化１９】 Ａ⁵ ―Ａｄ¹ ―Ａ⁴ ―Ａｄ² ―Ａ⁵ …（IV）−１ ［ここで、Ａ⁴ 、Ａｄ¹ およびＡｄ² の定義は上記式
（IV）に同じであり、そしてＡ⁵ は１価の炭化水素基で
ある。］で表わされる化合物、下記式（IV）−２

【００９８】

【化２０】 Ａ⁵ ―Ａｄ¹ ―Ａ⁴ ―Ｈ …（IV）−２ ［ここで、Ａｄ¹ 、Ａ⁴ の定義は上記式（IV）に同じで
あり、そしてＡ⁵ は１価の炭化水素基である。］で表わ
される化合物および下記式（IV）−３

【００９９】

【化２１】

【０１００】［ここでＡｄ¹ 、Ａ⁴ の定義は上記式（I
V）に同じでありそしてＡ⁵ は２価の炭化水素基又は単
結合である。］で表わされる化合物に分けて表示でき
る。

【０１０１】上記式（IV）、（IV）−１および（IV）−
２において、Ａ⁵ が表わす１価の炭化水素基としては、
例えばアルキル基、アリール基またはアラルキル基を好
ましいものとして挙げることができる。アルキル基とし
ては炭素数１〜２０のものが好ましく、アリール基とし
ては炭素数６〜２０のものが好ましく、またアラルキル
基としては炭素数７〜２０のものが好ましい。

【０１０２】また、上記式（IV）および（IV）−３にお
いて、Ａ⁵ が表わす２価の炭化水素基としては、例えば
アルキレン基、アリーレン基およびアラルキレン基を挙
げることができる。アルキレン基は炭素数１〜２０のも
のが好ましく、アリーレン基は炭素数６〜２０のものが
好ましく、またアラルキル基としては炭素数７〜２０の
ものが好ましい。

【０１０３】Ａ⁴ は２価の炭化水素基であり、その例と
してはＡ⁵ の２価の炭化水素基と同じものを挙げること
ができる。

【０１０４】Ａｄ¹ およびＡｄ² は、同一もしくは異な
り、―ＳＯ₂ ―Ｏ―ＳＯ₂ ―、―ＳＯ₂ ―Ｏ―ＣＯ―も
しくは―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ₂ ―のいずれかの酸無水物基で
ある。これらの酸無水物基は、スルホン酸とスルホン酸
の間の無水物基（―ＳＯ₂ ―Ｏ―ＳＯ₂ ―）であるかあ
るいはスルホン酸とカルボン酸の間の無水物基（―ＳＯ
₂ ―Ｏ―ＣＯ―又は―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ₂ ―）である。

【０１０５】かかるスルホン酸化合物は、一価もしくは
二価のスルホン酸化合物であり、具体的には、メチルス
ルホン酸、エチルスルホン酸、プロピルスルホン酸、ブ
チルスルホン酸、ヘキシルスルホン酸、デシルスルホン
酸、ヘキサデシルスルホン酸、フェニルスルホン酸、ｐ
―トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、
オクタデシルベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン
酸、トルエンジスルホン酸などが用いられる。

【０１０６】同様に、カルボン酸化合物は一価もしくは
二価のカルボン酸化合物であり、具体的には、酢酸、プ
ロピオン酸、酪酸、吉草酸、ステアリン酸、ミリスチン
酸、オレイン酸、安息香酸、フェニル酢酸、トルイル
酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フタル酸、イ
ソフタル酸、テレフタル酸などが用いられる。

【０１０７】上記式（IV）で表わされる化合物の具体例
としては下記の化合物を挙げることができる。

【０１０８】式（IV）−１で表わされる化合物として

【０１０９】

【化２２】

【０１１０】

【化２３】

【０１１１】式（IV）−２で表わされる化合物として

【０１１２】

【化２４】

【０１１３】

【化２５】

【０１１４】

【化２６】

【０１１５】式（IV）−３で表わされる化合物として

【０１１６】

【化２７】

【０１１７】上記式（Ｉ）〜（IV）の安定剤の中でホス
ホニウムもしくはアンモニウム塩型の安定剤はそれ自身
２００℃以上でも安定であり、ポリマーに添加した場合
速やかに触媒を無毒化し、目的とするポリマーを得るこ
とが出来る。この様な安定剤の内でもスルホン酸のアン
モニウム塩、ホスホニウム塩が好ましく、更にドデシル
ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩等のド
デシルベンゼンスルホン酸の上記塩類やパラトルエンス
ルホン酸テトラブチルアンモニウム塩等のパラトルエン
スルホン酸の上記塩類が好ましい。

【０１１８】本発明方法では、上記式（Ｉ）〜（IV）で
表わされる化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１
種の安定剤を、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属
化合物より選ばれた前記主重縮合触媒１モルあたり０．
５〜５０モルの割合で、好ましくは０．５〜１０モルの
割合で、更に好ましくは０．８〜５モルの割合で使用す
る。これは通常、生成するポリカーボネートに対し０．
０１〜５００ｐｐｍの割合で使用することに相当する。

【０１１９】本発明に係るポリカーボネートの製造方法
では、上記安定剤とともにエポキシ化合物を添加するこ
とも好ましく実施しうる。このようなエポキシ化合物と
して、１分子中にエポキシ基を１個以上有する化合物が
用いられる。

【０１２０】具体的には、エポキシ化大豆油、エポキシ
化アマニ油、フェニルグリシジルエーテル、アクルグリ
シジルエーテル、ｔ―ブチルフェニルグリシジルエーテ
ル、３，４―エポキシシクロヘキシルメチル―３，４′
―エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、３，４―
エポキシ―６―メチルシクロヘキシルメチル―３′，
４′―エポキシ―６′―メチルシクロヘキシルカルボキ
シレート、２，３―エポキシシクロヘキシルメチル―
３′，４′―エポキシシクロヘキシルカルボキシレー
ト、４―（３，４―エポキシ―５―メチルシクロヘキシ
ル）ブチル―３′，４′―エポキシシクロヘキシルカル
ボキシレート、３，４―エポキシシクロヘキシルエチレ
ンオキシド、シクロヘキシルメチル―３，４―エポキシ
シクロヘキシルカルボキシレート、３，４―エポキシ―
６―メチルシクロヘキシルメチル―６′―メチルシクロ
ヘキシルカルボキシレート、ビスフェノールＡジグリシ
ジルエーテル、テトラブロモビスフェノールＡグリシジ
ルエーテル、フタル酸のジグリシジルエステル、ヘキサ
ヒドロフタル酸のジグリシジルエステル、ビス―エポキ
シジシクロペンタジエニルエーテル、ビス―エポキシエ
チレングリコール、ビス―エポキシシクロヘキシルアジ
ペート、ブタジエンジエポキシド、テトラフェニルエチ
レネポキシド、オクチルエポキシタレート、エポキシ化
ポリブタジエン、３，４―ジメチル―１，２―エポキシ
シクロヘキサン、３，５―ジメチル―１，２―エポキシ
シクロヘキサン、３―メチル―５―ｔ―ブチル―１，２
―エポキシシクロヘキサン、オクタデシル―２，２―ジ
メチル―３，４―エポキシシクロヘキシルカルボキシレ
ート、Ｎ―ブチル―２，２―ジメチル―３，４―エポキ
シシクロヘキシルカルボキシレート、シクロヘキシル―
２―メチル―３，４―エポキシシクロヘキシルカルボキ
シレート、Ｎ―ブチル―２―イソプロピル―３，４―エ
ポキシ―５―メチルシクロヘキシルカルボキシレート、
オクタデシル―３，４―エポキシシクロヘキシルカルボ
キシレート、２―エチルヘキシル―３′，４′―エポキ
シシクロヘキシルカルボキシレート、４，６―ジメチル
―２，３―エポキシシクロヘキシル―３′，４′―エポ
キシシクロヘキシルカルボキシレート、４，５―エポキ
シ無水テトラヒドロフタル酸、３―ｔ―ブチル―４，５
―エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、ジエチル―４，
５―エポキシ―シス―１，２―シクロヘキシルジカルボ
キシレート、ジ―ｎ―ブチル―３―ｔ―ブチル―４，５
―エポキシ―シス―１，２―シクロヘキシルジカルボキ
シレートなどを挙げることができる。

【０１２１】これらは単独で用いても２種以上混合して
用いてもよい。これらのうち、脂環族エポキシ化合物が
好ましく用いられ、特に３，４―エポキシシクロヘキシ
ルメチル―３′，４′―エポキシシクロヘキシルカルボ
キシレートが好ましく用いられる。

【０１２２】本発明では、このようなエポキシ化合物
を、ポリカーボネートに対して、１〜２０００ｐｐｍの
量で、好ましくは１〜１０００ｐｐｍの量で添加するこ
とが好ましい。

【０１２３】このようにエポキシ化合物を上記量で添加
すると、ポリカーボネート中に上記安定剤が過剰に残存
しても、これがエポキシ化合物と反応して無毒化され、
最終的に色相安定性に優れ、耐熱特性に優れるととも
に、特に耐水性が向上されたポリカーボネートが得られ
るようになる。

【０１２４】本発明に係るポリカーボネートの製造方法
では、上記安定剤とともにリン化合物を添加してもよ
い。このようなリン化合物としては、リン酸、亜リン
酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、リン酸エス
テルおよび亜リン酸エステルを用いることができる。

【０１２５】このようなリン酸エステルとしては、具体
的に、例えば、トリメチルホスフェート、トリエチルホ
スフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホ
スフェート、トリデシルホスフェート、トリオクタデシ
ルホスフェート、ジステアリルペンタエリスリチルジホ
スフェート、トシル（２―クロロエチル）ホスフェー
ト、トリス（２，３―ジクロロプロピル）ホスフェート
などのトリアルキルホスフェート、トリシクロヘキシル
ホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフェート、
トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェー
ト、トリス（ノニルフェニル）ホスフェート、２―エチ
ルフェニルジフェニルホスフェートなどのトリアリール
ホスフェートなどを挙げることができる。

【０１２６】また、亜リン酸エステルとしては、下記一
般式で表わされる化合物を挙げることができる。

【０１２７】

【化２８】Ｐ（ＯＲ）₃（式中、Ｒは脂環族炭化水素
基、脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基を表わ
す。これらは同一であっても異なっていてもよい。）

【０１２８】このような式で表わされる化合物として、
例えば、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファ
イト、トリブチルホスファイト、トリオクチルホスファ
イト、トリス（２―エチルヘキシル）ホスファイト、ト
リノニルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリ
オクタデシルホスファイト、トリステアリルホスファイ
ト、トリス（２―クロロエチル）ホスファイト、トリス
（２，３―ジクロロプロピル）ホスファイトなどのトリ
アルキルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイ
トなどのトリシクロアルキルホスファイト、トリフェニ
ルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス
（エチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４―ジ
―ｔ―ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ノニル
フェニル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシフェニ
ル）ホスファイトなどのトリアリールホスファイト、フ
ェニルジデシルホスファイト、ジフェニルデシルホスフ
ァイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニ
ルイソオクチルホスファイト、２―エチルヘキシルジフ
ェニルホスファイトなどのアリールアルキルホスファイ
トなどを挙げることができる。

【０１２９】さらに亜リン酸エステルとして、ジステア
リルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス（２，４
―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホス
ファイトなどである。この中で、特にトリス（２，４―
ジ―ｔ―ブチルフェニル）ホスファイトが好ましく用い
られる。

【０１３０】これらの化合物は、単独で、あるいは組合
せて用いることができる。これらは別々に添加してもよ
いし、あるいは同時に添加してもよい。本発明では、上
記の如きリン化合物を、ポリカーボネート樹脂に対して
１０〜１０００ｐｐｍ、好ましくは５０〜５００ｐｐｍ
の量で添加することができる。

【０１３１】本発明では、上記のようなエポキシ化合物
およびリン化合物を、反応生成物であるポリカーボネー
トに添加する方法は特に限定されない。例えば、反応生
成物であるポリカーボネートが溶融状態にある間にこれ
らを添加してもよいし、一旦ポリカーボネートをペレタ
イズした後、再溶融して添加してもよい。前者において
は、重縮合反応が終了して得られる溶融状態にある反応
機内または押出機内の反応生成物であるポリカーボネー
トが溶融状態にある間に、これらを添加してもよいし、
また、重縮合反応で得られたポリカーボネートが反応機
から押出機を通ってペレタイズされる間に、安定剤を添
加して混練することもできる。

【０１３２】この際、これらの各化合物は同時に添加し
てもよいし、別々に添加してもよい。また、これらの各
化合物を組み合わせて添加する場合、これらの添加順序
は問わない。

【０１３３】本発明では、上記のようにして得られるポ
リカーボネートに、用途により、耐熱安定剤、紫外線吸
収剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、スリップ剤、アン
チロッキング剤、滑剤、防曇剤、天然油、合成油、ワッ
クス、有機系充填剤、無機系充填剤などを添加してもよ
い。このような添加剤は、芳香族ジヒドロキシ化合物と
同時に添加してもよいし、別々に添加してもよい。

【０１３４】

【発明の効果】本発明によれば、ポリカーボネートを製
造するに際して、原料として使用する炭酸ジエステルに
含有する加水分解可能塩素分が多くとも特定範囲内であ
れば、炭酸ジエステル製造の特に精留精製工程におい
て、熱履歴を低減することによって製造した炭酸ジエス
テルを使用することで、色調に優れる芳香族ポリカーボ
ネートを製造設備的に安価に得ることができ、光学用途
にも十分使用しうるポリカーボネートを得ることができ
る。

【０１３５】

【実施例】以下実施例によって説明する。なお実施例中
の％及び部は特に断らない限り重量％または重量部であ
る。なお以下の実施例において用いた炭酸ジエステル及
び得られたポリカーボネートの物性は以下のようにして
測定した。含有加水分解可能塩素 ：試料１．５ｇをテフロン容器に
いれ、水１５ｍｍｌを加えてから１２０℃で２４時間加
熱溶出し、ミリポアフィルター（０．４５μｍ）で濾過
したものを水で１０倍に希釈した。その抽出液中の塩素
含量を溶離液に２ｍＭ ＮａＨＣＯ₃ を用いたイオンク
ロマトグラフィー（Ｄｉｏｎｅ×社製イオンクロマトグ
ラフＤＸ―３００）にて測定した。粘度平均分子量 ：０．７ｇ／ｄｌの塩化メチレン溶液を
ウベローデ粘度計を用い固有粘度を測定し、次式により
粘度平均分子量（Ｍｖ）を求めた。 ［η］＝１．２３×１０^-4Ｍｖ^0.83 色調（ｂ値） ：ポリカーボネートペレットのＬａｂ値を
日本電色工業製ＮＤ―１００１ＤＰを用い反射法で測定
し黄色度の尺度としてｂ値を用いた。

【０１３６】［実施例１］加水分解可能塩素を７ｐｐｍ
含有する粗ジフェニルカーボネート１００ｋｇを３００
リットルの蒸留装置に仕込、蒸留塔を理論段数４段とし
還流比３、塔頂温度１８０℃で２リットル／分の溜出速
度で蒸留した。この際初溜１０ｋｇは廃棄し釜残は２０
ｋｇとした。このようにして得られた、ジフェニルカー
ボネートは加水分解可能塩素を２ｐｐｍ含有していた。

【０１３７】攪拌機、蒸留塔を備えた反応器に調製した
上記ジフェニルカーボネート４９．２ｋｇ、上記ビスフ
ェノールＡ（新日鐵化学製）５０ｋｇ、触媒として水酸
化ナトリウム１０ｍｇとテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド２．０ｇを仕込み窒素置換を行った。

【０１３８】この混合物を１３５℃まで加熱して、攪拌
しながら溶解させた。次いで減圧度を３０ｍｍＨｇとし
て２００℃まで加熱し１時間で大半のフェノールを留去
した。ついで２７０℃まで温度を上げ、減圧度１ｍｍＨ
ｇとして２．５時間エステル交換反応を行うと粘度平均
分子量２５５００のポリカーボネートが得られ、カッタ
ーで切断してペレットし、色調を測定した。結果を表１
に示す。

【０１３９】［実施例２］加水分解可能塩素を１１ｐｐ
ｍ含有する粗ジフェニルカーボネートを実施例１と同様
に蒸留し、加水分解可能塩素を５ｐｐｍ含有するジフェ
ニルカーボネートを得た。このジフェニルカーボネート
を用いる以外は実施例１と同様のエステル交換反応を行
いポリカーボネートを製造し、粘度平均分子量および色
調を測定した。結果を表１に示す。

【０１４０】［実施例３］加水分解可能塩素を７２ｐｐ
ｍ含有する粗ジフェニルカーボネートを実施例１と同様
に蒸留し、加水分解可能塩素を２８ｐｐｍ含有するジフ
ェニルカーボネートを得た。このジフェニルカーボネー
トを用いる以外は実施例１と同様のエステル交換反応を
行いポリカーボネートを製造し、粘度平均分子量および
色調を測定した。結果を表１に示す。

【０１４１】［実施例４］加水分解可能塩素を１１０ｐ
ｐｍ含有する粗ジフェニルカーボネートを実施例１と同
様に蒸留し、加水分解可能塩素を４９ｐｐｍ含有するジ
フェニルカーボネートを得た。このジフェニルカーボネ
ートを用いる以外は実施例１と同様のエステル交換反応
を行いポリカーボネートを得、粘度平均分子量および色
調を測定した。結果を表１に示す。

【０１４２】

【表１】

【０１４３】［比較例１］加水分解可能塩素を１１０ｐ
ｐｍ含有する粗ジフェニルカーボネート１００ｋｇを３
００リットルの蒸留装置に仕込、蒸留塔を理論段数４段
とし還流比３、塔頂温度２２０℃で２リットル／分の溜
出速度で蒸留した。加水分解可能塩素を５２ｐｐｍ含有
するジフェニルカーボネートを得た。このジフェニルカ
ーボネートを用いる以外は実施例１と同様のエステル交
換反応を行いポリカーボネートを得、粘度平均分子量お
よび色調を測定した。結果を表２に示す。

【０１４４】［比較例２］加水分解可能塩素を１１０ｐ
ｐｍ含有する粗ジフェニルカーボネート１００ｋｇを３
００リットルの蒸留装置に仕込、蒸留塔を理論段数４段
とし還流比１０、塔頂温度１８０℃で０．７リットル／
分の溜出速度で蒸留し、加水分解可能塩素を５ｐｐｍ含
有するジフェニルカーボネートを得た。このジフェニル
カーボネートを用いる以外は実施例１と同様のエステル
交換反応を行いポリカーボネートを得、粘度平均分子量
および色調を測定した。結果を表２に示す。

【０１４５】［比較例３］加水分解可能塩素を１４４ｐ
ｐｍ含有する粗ジフェニルカーボネートを比較例２と同
様に蒸留し、加水分解可能塩素を２９ｐｐｍ含有するジ
フェニルカーボネートを得た。このジフェニルカーボネ
ートを用いる以外は実施例１と同様のエステル交換反応
を行いポリカーボネートを得、粘度平均分子量および色
調を測定した。結果を表２に示す。

【０１４６】［比較例４］加水分解可能塩素を１６０ｐ
ｐｍ含有する粗ジフェニルカーボネートを比較例２と同
様に蒸留し、加水分解可能塩素を４７ｐｐｍ含有するジ
フェニルカーボネートを得た。このジフェニルカーボネ
ートを用いる以外は実施例１と同様のエステル交換反応
を行いポリカーボネートを得、粘度平均分子量および色
調を測定した。結果を表２に示す。

【０１４７】［比較例５］加水分解可能塩素を１８３ｐ
ｐｍ含有する粗ジフェニルカーボネートを比較例２と同
様に蒸留し、加水分解可能塩素を７１ｐｐｍ含有するジ
フェニルカーボネートを得た。このジフェニルカーボネ
ートを用いる以外は実施例１と同様のエステル交換反応
を行いポリカーボネートを得、粘度平均分子量および色
調を測定した。結果を表２に示す。

【０１４８】

【表２】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
   テルとを加熱溶融下、重縮合せしめて芳香族ポリカーボ
   ネートを製造する方法において、使用する炭酸ジエステ
   ルが、塔頂温度２００℃以下、理論段数５段以下、還流
   比３以下で蒸留精製を行った炭酸ジエステルであり、か
   つ加水分解可能な塩素の含有量が５０ｐｐｍ以下である
   ことを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法。