JPH0961536A - Semiconductor radiation detection apparatus and manufacturing method thereof - Google Patents
Semiconductor radiation detection apparatus and manufacturing method thereofInfo
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- JPH0961536A JPH0961536A JP7219310A JP21931095A JPH0961536A JP H0961536 A JPH0961536 A JP H0961536A JP 7219310 A JP7219310 A JP 7219310A JP 21931095 A JP21931095 A JP 21931095A JP H0961536 A JPH0961536 A JP H0961536A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素間のクロストークがなく、正確な画像が
得られ、画素ピッチを細くして解像度を上げ、さらに蛍
光体を厚くして高感度とした、大面積の放射線検出装置
を実現する。
【解決手段】 蛍光体を有する半導体放射線検出装置の
製造方法において、前記半導体放射線検出装置の各画素
２ごとに仕切りを有するメッシュ状仕切り板４と一体的
に蛍光体層６を形成し、前記仕切り板の仕切り部分上の
前記蛍光体を、前記仕切り部分の表層部とともに、レー
ザー光により溝状に除去することにより、前記蛍光体を
前記各画素ごとに分離することを特徴とする半導体放射
線検出装置の製造方法及びこれにより作成された半導体
放射線検出装置。
(57) 【Abstract】 PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an accurate image without crosstalk between pixels, to reduce the pixel pitch to improve the resolution, and to increase the sensitivity by increasing the thickness of the phosphor to increase the radiation of a large area. Realize the detection device. In a method for manufacturing a semiconductor radiation detecting device having a phosphor, a phosphor layer (6) is formed integrally with a mesh partition plate (4) having a partition for each pixel (2) of the semiconductor radiation detecting device, and the partition is formed. A semiconductor radiation detecting apparatus, characterized in that the phosphor on the partition portion of the plate is removed along with the surface layer portion of the partition portion in a groove shape by laser light to separate the phosphor for each pixel. Manufacturing method and semiconductor radiation detecting device produced thereby.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質シリコン等
の半導体薄膜を用いた半導体放射線検出装置及びその製
造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor radiation detector using a semiconductor thin film such as amorphous silicon and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体放射線検出装置において
は、半導体光検出素子を用いて多種類のものが提案され
ている。2. Description of the Related Art Conventionally, various types of semiconductor radiation detecting devices have been proposed using semiconductor photodetecting elements.
【０００３】図７〜図９に従来知られている放射線検出
装置の概略を示す。7 to 9 schematically show a conventionally known radiation detecting apparatus.
【０００４】図７は、放射線入射側に蛍光板６を設置
し、入射した放射線が前記蛍光板６中で可視光に変換さ
れ、この変換された可視光が、半導体光検出素子２に入
射することによって電気信号に変換されるように構成し
たものである。In FIG. 7, a fluorescent plate 6 is installed on the radiation incident side, the incident radiation is converted into visible light in the fluorescent plate 6, and the converted visible light is incident on the semiconductor photodetecting element 2. It is configured to be converted into an electric signal.
【０００５】図８は、さらに蛍光板６を半導体光検出素
子２の各画素ごとに対応するように分離して設置し、入
射した放射線を前記画素分離した蛍光体６中で可視光に
変換し、この画素ごとに発生した可視光が、前記半導体
光検出素子２の各画素に入射することによって電気信号
に変換されるように構成したものである。In FIG. 8, a fluorescent plate 6 is further installed separately so as to correspond to each pixel of the semiconductor photodetecting element 2, and the incident radiation is converted into visible light in the phosphor 6 separated by the pixel. The visible light generated for each pixel is converted into an electric signal by being incident on each pixel of the semiconductor photodetecting element 2.
【０００６】図９は、放射線入射側と反対側に、各画素
ごとに分離した蛍光板６を設置し、入射した放射線を各
画素ごとに前記半導体光検出素子２で直接電気信号に変
換し、さらに、前記半導体光検出素子２を通過した放射
線を画素分離した前記蛍光板６中で可視光に変換し、該
可視光が前記半導体光検出素子２の各画素に入射するこ
とによって、電気信号に変換されるように構成したもの
である。In FIG. 9, a fluorescent plate 6 separated for each pixel is installed on the side opposite to the radiation incident side, and the incident radiation is directly converted into an electric signal by the semiconductor photodetector 2 for each pixel. The radiation that has passed through the semiconductor photodetection element 2 is converted into visible light in the fluorescent plate 6 in which the pixels are separated, and the visible light is incident on each pixel of the semiconductor photodetection element 2 to be converted into an electric signal. It is configured to.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
先行技術には、次に述べるような、さらに改善されるべ
き問題点が残っている。However, the above-mentioned prior art has the following problems to be further improved.
【０００８】図７における画素分離していない蛍光体を
用いる構成においては、入射した放射線が蛍光体中で可
視光に変換された時、隣接した半導体光検出素子の画素
にまで入射し、いわゆる画素間のクロストークを発生さ
せ、画像の正確な像をとらえることができなくなる。In the structure using the phosphor in which the pixels are not separated in FIG. 7, when the incident radiation is converted into visible light in the phosphor, it is incident on the pixel of the adjacent semiconductor photodetection element, so-called pixel. This causes crosstalk between them, making it impossible to capture an accurate image of the image.
【０００９】図８における画素分離した蛍光体を用いる
構成においては、前記のクロストークを改善できるが、
画素ピッチを細かくして解像度を上げ、さらに高感度に
するために蛍光体の厚さを厚くしようとした場合、具体
的な分離手段が提案されておらず、高解像度、高感度化
に限界が現われている。The crosstalk can be improved in the structure using the phosphor separated from the pixels in FIG.
When trying to increase the resolution by making the pixel pitch finer and further increase the thickness of the phosphor for higher sensitivity, no specific separating means has been proposed, and there is a limit to high resolution and high sensitivity. Appears.
【００１０】図９における構成においては、単結晶半導
体を用いた半導体光検出素子を用いる時は多少有効とな
るが、大面積の画像を処理する放射線検出装置として、
絶縁基板上に非晶質半導体、例えばａ−Ｓｉ半導体を用
いた装置においては、直接放射線を電気信号に変換でき
ず、前記と同様の問題点が解決できない。In the configuration shown in FIG. 9, when a semiconductor photodetecting element using a single crystal semiconductor is used, it is somewhat effective, but as a radiation detecting apparatus for processing a large area image,
In a device using an amorphous semiconductor, for example, an a-Si semiconductor, on an insulating substrate, radiation cannot be directly converted into an electric signal, and the same problems as described above cannot be solved.
【００１１】［発明の目的］本発明の目的は、画素間の
クロストークがなく、正確な画像が得られ、画素ピッチ
を細くして解像度を上げ、さらに蛍光体を厚くして高感
度とした、大面積の放射線検出装置を実現することにあ
る。[Object of the Invention] An object of the present invention is to obtain an accurate image without crosstalk between pixels, to reduce the pixel pitch to improve the resolution, and to increase the thickness of the phosphor to obtain high sensitivity. , To realize a large area radiation detection apparatus.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、以下の手段を提供する。The present invention provides the following means for solving the above-mentioned problems.
【００１３】［１］ 蛍光体を有する半導体放射線検出
装置の製造方法において、前記半導体放射線検出装置の
各画素ごとに仕切りを有するメッシュ状仕切り板と一体
的に蛍光体層を形成し、前記仕切り板の仕切り部分上の
前記蛍光体を、前記仕切り部分の表層部とともに、レー
ザー光により溝状に除去することにより、前記蛍光体を
前記各画素ごとに分離することを特徴とする半導体放射
線検出装置の製造方法。[1] In a method of manufacturing a semiconductor radiation detecting device having a phosphor, a phosphor layer is formed integrally with a mesh partition plate having a partition for each pixel of the semiconductor radiation detecting device, and the partition plate is formed. The phosphor on the partition part, together with the surface layer part of the partition part, is removed in a groove shape by laser light to separate the phosphor for each of the pixels. Production method.
【００１４】［２］ 複数の画素が形成された光検出器
基板と、前記各画素ごとに開口部と仕切りを有するメッ
シュ状仕切り板とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わ
せた基板のメッシュ状仕切り板上に蛍光体層を全面的に
形成する工程と、前記仕切り部分上の前記蛍光体層を、
前記仕切り部分の表層部とともに溝状に、レーザー光に
より除去することにより、該蛍光体を前記画素ごとに分
離する工程と、を有することを特徴とする［１］記載の
半導体放射線検出装置の製造方法。[2] A step of bonding a photodetector substrate having a plurality of pixels formed thereon and a mesh-shaped partition plate having openings and partitions for each pixel, and a mesh-shaped partition of the bonded substrates A step of forming a phosphor layer on the entire surface of the plate, and the phosphor layer on the partition portion,
Manufacturing the semiconductor radiation detecting apparatus according to [1], further comprising a step of separating the phosphor into each of the pixels by removing with a laser beam in a groove shape together with the surface layer portion of the partition portion. Method.
【００１５】［３］ 前記蛍光体を溝状に除去する工程
は、エキシマレーザーの照射により行なわれる［１］又
は［２］記載の半導体放射線検出装置の製造方法。[3] The method for manufacturing a semiconductor radiation detecting device according to [1] or [2], wherein the step of removing the phosphor in a groove shape is performed by irradiation with an excimer laser.
【００１６】［４］ 前記蛍光体層を形成する前に、前
記基板周囲に外枠を形成し、該枠内に前記蛍光体層を形
成することを特徴とする［１］又は［２］記載の半導体
放射線検出装置の製造方法。[4] Before forming the phosphor layer, an outer frame is formed around the substrate, and the phosphor layer is formed in the frame. [1] or [2] Of manufacturing method of semiconductor radiation detecting device.
【００１７】［５］ 前記溝の側面を含んで、前記蛍光
体表面に反射膜を形成したことを特徴とする［１］又は
［２］記載の半導体放射線検出装置の製造方法。[5] The method for manufacturing a semiconductor radiation detecting device according to [1] or [2], wherein a reflective film is formed on the surface of the phosphor including the side surface of the groove.
【００１８】［６］ 前記溝の側面を含んで、前記蛍光
体表面に黒色物質を含む膜を形成したことを特徴とする
［１］又は［２］記載の半導体放射線検出装置の製造方
法。[6] The method for manufacturing a semiconductor radiation detecting apparatus according to [1] or [2], wherein a film containing a black material is formed on the surface of the phosphor including the side surface of the groove.
【００１９】［７］ 蛍光体を具備してなる半導体放射
線検出装置において、該半導体放射線検出装置の各画素
は、メッシュ状の仕切り板と該仕切り板の仕切り部分上
の溝部に形成された反射膜によって、前記画素ごとに分
離された蛍光体を有することを特徴とする半導体放射線
検出装置。[7] In a semiconductor radiation detecting device provided with a phosphor, each pixel of the semiconductor radiation detecting device has a mesh-shaped partition plate and a reflective film formed in a groove on a partition part of the partition plate. The semiconductor radiation detection device according to claim 1, wherein the semiconductor radiation detection device has a phosphor separated for each pixel.
【００２０】［８］ 前記半導体放射線検出装置の各画
素は、メッシュ状の仕切り板と該仕切り板の仕切り部分
上の溝部に形成された黒色物質を含む膜によって前記画
素ごとに分離された蛍光体を有することを特徴とする
［７］記載の半導体放射線検出装置。[8] Each pixel of the semiconductor radiation detecting device is a phosphor separated for each pixel by a mesh-shaped partition plate and a film containing a black substance formed in a groove on the partition part of the partition plate. [7] The semiconductor radiation detecting device according to [7].
【００２１】[0021]
［作用］本発明によれば、パネル上に外枠として所望の
高さのワクを設けることにより、厚い蛍光体が均一に塗
布できるようになり、厚い蛍光体により、多量の可視光
が発生し、光検出素子としては高感度にすることができ
る。[Operation] According to the present invention, by providing the frame with a desired height as the outer frame, it becomes possible to uniformly apply the thick phosphor, and the thick phosphor produces a large amount of visible light. The photodetector can have high sensitivity.
【００２２】さらに、半導体光検出素子の各画素に仕切
り板が設置されるようにメッシュ状の下地を配置し、そ
の下地の一部も含めて、エキシマレーザーにより、蛍光
体を溝状に除去し、最後に、反射膜などを形成すること
によって、各画素ごとに光が集光され、クロストークが
ない高解像度の光検出素子とすることができる。Further, a mesh-like base is arranged so that a partition plate is installed in each pixel of the semiconductor photodetecting element, and a part of the base is removed by excimer laser to remove the phosphor in a groove shape. Finally, by forming a reflective film or the like, light can be condensed for each pixel, and a high-resolution photodetector without crosstalk can be obtained.
【００２３】また、外枠及びメッシュ状の仕切り板は安
く製造でき、エキシマレーザーのスループットが高いた
め、高感度、高解像度の放射線検出装置を安価に製造す
ることが可能となった。 ［第１の実施形態］以下、本発明の実施形態を図面に基
づいて詳細に説明する。Further, the outer frame and the mesh-shaped partition plate can be manufactured inexpensively, and the high throughput of the excimer laser makes it possible to manufacture the radiation detecting device having high sensitivity and high resolution at low cost. [First Embodiment] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００２４】図１は、本発明の一実施形態を示す半導体
放射線検出装置の断面図である。図１において、１はガ
ラス基板等の絶縁性基板であり、この上に非晶質シリコ
ンよりなる半導体薄膜を用いたセンサとＴＦＴよりなる
画素２が分離されて形成され、その表面にＳｉＮX より
なる保護層３が形成されている。各画素の分離溝上に
は、厚いＮｉで作られたメッシュ状の仕切り板４が設置
され、外枠５の高さまで蛍光体６が充填され、各画素ご
とにエキシマレーザーで蛍光体６が溝部により分離さ
れ、その溝部を含めて反射膜７が形成されている。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor radiation detecting apparatus showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an insulating substrate such as a glass substrate, on which a sensor using a semiconductor thin film made of amorphous silicon and a pixel 2 made of a TFT are separately formed, and SiN x is formed on the surface thereof. The protective layer 3 is formed. A mesh-shaped partition plate 4 made of thick Ni is installed on the separation groove of each pixel, and the phosphor 6 is filled up to the height of the outer frame 5, and the phosphor 6 is formed by the groove portion by an excimer laser for each pixel. The reflective film 7 is formed so as to include the groove portions.
【００２５】次に、図２〜図６により、この半導体放射
線検出装置の具体的な製造方法を説明する。Next, a specific method of manufacturing this semiconductor radiation detecting apparatus will be described with reference to FIGS.
【００２６】図２は、ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体薄膜を作成す
る通常の工程で作成された、大型の半導体光検出素子を
示す断面模式図であり、ＴＦＴとセンサーで構成された
各画素２が分離され、その表面にＳｉＮX よりなる保護
層３が形成されている。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a large-sized semiconductor photodetector element produced in the usual process of producing an a-Si: H semiconductor thin film, in which each pixel 2 composed of a TFT and a sensor is They are separated, the protective layer 3 is formed consisting of SiN X on its surface.
【００２７】図３は、図２で示した光検出素子パネルと
は別に作成された、メッシュ状のクロストーク防止用の
仕切り板４を示す斜視図である。図３はＮｉ材料の板厚
４０μの物をフォトリソグラフィーを用いて、各画素に
対応するように、開口部１４０μ□及び仕切りの板巾２
０μで作成して用意した。FIG. 3 is a perspective view showing a mesh-shaped partition plate 4 for preventing crosstalk, which is prepared separately from the photodetector panel shown in FIG. In FIG. 3, a Ni material having a plate thickness of 40 μ is subjected to photolithography so as to correspond to each pixel, and an opening 140 μ □ and a partition width 2
It was prepared by making 0 μm.
【００２８】次に、図４で示したように、図２の光検出
素子パネルと図４の仕切り板４とを接着剤で貼って形成
し、さらに、図５で示したように、仕切り板４の外側に
高さ２００μの外枠５を接着して形成した。Next, as shown in FIG. 4, the photodetector panel shown in FIG. 2 and the partition plate 4 shown in FIG. 4 are formed by adhering them together with an adhesive, and further, as shown in FIG. An outer frame 5 having a height of 200 μ was adhered and formed on the outer side of 4.
【００２９】次に、前記外枠５の中にフローコート法に
より蛍光体６をノズルから吹き出し、レベリングして２
００μの厚さに塗布する。Next, the phosphor 6 is blown out from the nozzle into the outer frame 5 by a flow coating method and leveled to 2
Apply to a thickness of 00μ.
【００３０】さらに、図６で示したように均一な厚さで
塗布された蛍光体はキュアーされた後、各画素２に対応
して接着された仕切り板４の上まで、エキシマレーザー
加工により、テーパーが付いた溝となるようにアブレー
ションされる。Further, as shown in FIG. 6, the phosphor coated with a uniform thickness is cured, and then the excimer laser processing is performed up to the top of the partition plate 4 bonded corresponding to each pixel 2. Ablated to form a tapered groove.
【００３１】エキシマレーザーは、ＫｒＦ２４８ｎｍの
波長でエネルギー密度０．６Ｊ／ｃｍ2 に設定して行
い、光学系に設置したマスクを用いて、仕切り板４のＮ
ｉ板のメッシュ上にアラインメントを行い、蛍光体６の
一部を除去した。この際、エネルギー密度０．６Ｊ／ｃ
ｍ2 においては、下地となる仕切り板４のＮｉも同時に
除去されるが、厚さが４０μと厚い為、保護膜３にダメ
ージを与えることなく、仕切り板４の厚さの途中で仕切
り板を残して、作業を終了できた。The excimer laser was set to have an energy density of 0.6 J / cm 2 at a wavelength of KrF 248 nm, and N of the partition plate 4 was set using a mask installed in the optical system.
Alignment was performed on the mesh of the i plate to remove a part of the phosphor 6. At this time, energy density 0.6 J / c
In m 2 , the Ni of the partition plate 4 as the base is also removed at the same time, but since the thickness is as thick as 40 μ, the partition plate is removed in the middle of the thickness of the partition plate 4 without damaging the protective film 3. I was able to finish the work, leaving it.
【００３２】その後、前記エキシマレーザーによって作
られた溝の側面も含めて、反射膜７として、蒸着法でＡ
ｌを形成することにより、図１で示した放射線検出装置
が完成した。After that, the reflective film 7 including the side surfaces of the groove formed by the excimer laser is formed by vapor deposition as A.
By forming l, the radiation detection apparatus shown in FIG. 1 was completed.
【００３３】本実施形態によれば、外枠５の高さを任意
に変更すれば、蛍光体６の厚さは任意に所望の厚さに形
成でき、さらに、仕切り板４の厚さは比較的厚く、通常
のフォトリソ技術を用いて安価に形成でき、エキシマレ
ーザーで加工する際に下地との選択比の問題を厳密に制
御する必要もなく、蛍光体の一部を画素分離することが
可能となった。According to this embodiment, if the height of the outer frame 5 is arbitrarily changed, the thickness of the phosphor 6 can be arbitrarily set to a desired thickness, and the thickness of the partition plate 4 can be compared. It is thick and can be formed at low cost by using ordinary photolithography technology, and it is possible to separate part of the phosphor from pixels without having to strictly control the problem of the selection ratio with the base when processing with an excimer laser. Became.
【００３４】さらに、画素分離用の溝を含めて、反射膜
が形成できるため、厚い蛍光体により、入射した放射線
を多量の可視光に変換でき、変換された可視光は、溝と
形成された反射膜７により、各画素ごとに十分半導体光
検出素子の各画素２に集光され、クロストークのない、
十分な量の電気信号に変換されることになる。Furthermore, since the reflection film can be formed including the groove for pixel separation, the thick phosphor can convert the incident radiation into a large amount of visible light, and the converted visible light is formed with the groove. By the reflection film 7, each pixel is sufficiently focused on each pixel 2 of the semiconductor photodetector, and there is no crosstalk.
It will be converted into a sufficient amount of electrical signals.
【００３５】また、製造工程も簡単であるため、安価に
高性能な放射線検出装置を製造することが可能になっ
た。Further, since the manufacturing process is simple, it is possible to manufacture a high-performance radiation detecting device at low cost.
【００３６】尚、本実施形態では、仕切り板として、Ｎ
ｉを用いたが、Ａｌ，Ｃｒ等他の金属材料、セラミック
等で形成しても同様の効果を有する。In this embodiment, the partition plate is N
Although i is used, the same effect can be obtained by forming it from another metal material such as Al or Cr, or ceramic.
【００３７】さらに、本実施形態では、エキシマレーザ
ーとしてＫｒＦ２４８ｎｍの波長を用いたが、蛍光体材
料によりアブレーションできる波長を、例えばＡｒＦ１
９３ｎｍ，ＸｅＣｌ ３０８ｎｍ，ＸｅＦ３５１ｎｍ等
から選択しても、同様の効果が得られる。Further, in the present embodiment, the wavelength of KrF 248 nm is used as the excimer laser, but the wavelength that can be ablated by the phosphor material is, for example, ArF1.
The same effect can be obtained by selecting from 93 nm, XeCl 308 nm, XeF 351 nm and the like.
【００３８】また、溝部にＡｌによる反射膜を形成した
例を示したが、Ａｌに限定されるものではなく、Ｃｒ，
Ｔｉ等の金属を用いた反射膜でも良く、さらに、光を吸
収する例えばＣ入り樹脂等の黒色の樹脂を用いても同様
の効果が得られる。Although an example in which a reflective film made of Al is formed in the groove has been shown, the present invention is not limited to Al, and Cr,
The same effect can be obtained by using a reflection film using a metal such as Ti, or by using a black resin such as a C-containing resin that absorbs light.
【００３９】また、蛍光体を溝状に除去する手段とし
て、エキシマレーザーによりアブレーションする例を示
したが、同様の効果の得られるものであれば、他の種類
のレーザー光でも可能であることは言うまでもない。Although an example of ablation with an excimer laser has been shown as a means for removing the phosphor in the form of grooves, other types of laser light may be used as long as the same effect can be obtained. Needless to say.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
各画素ごとに蛍光体を分離するための下地材料として、
板厚の厚いメッシュ状の部材を設け、そのメッシュ状の
仕切り板の上をエキシマレーザーで溝状に蛍光体を除去
することにより、素子にダメージを与えず、下地との選
択比を制御することなく、簡単にクロストークを防止で
きるようになった。As described above, according to the present invention,
As a base material for separating the phosphor for each pixel,
By providing a thick mesh member and removing the phosphor in the groove shape with an excimer laser on the mesh partition plate, it is possible to control the selection ratio with the base without damaging the element. Without it, you can easily prevent crosstalk.
【００４１】さらに、外枠の厚さを任意に厚くできるた
め、蛍光体の厚さを所望の厚さに形成でき、可視光を多
量に発生させ、高感度な放射線検出装置が得られる。Furthermore, since the thickness of the outer frame can be arbitrarily increased, the phosphor can be formed to have a desired thickness, a large amount of visible light is generated, and a highly sensitive radiation detecting device can be obtained.
【００４２】さらに、用いるメッシュ状の仕切り板は安
価に製造でき、エキシマレーザーのスループットが高い
ため、高性能な放射線検出装置を安価に製造することが
可能になった。Furthermore, the mesh-shaped partition plate used can be manufactured at low cost, and the high throughput of the excimer laser makes it possible to manufacture a high-performance radiation detecting device at low cost.
【図１】本発明の半導体放射線検出装置の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor radiation detection apparatus of the present invention.
【図２】本発明の製造工程を説明する断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the present invention.
【図３】本発明のメッシュ状仕切り板の斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a mesh partition plate of the present invention.
【図４】本発明の製造工程を説明する断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the present invention.
【図５】本発明の製造工程を説明する断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the present invention.
【図６】本発明の製造工程を説明する断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the present invention.
【図７】従来例を説明する斜視図。FIG. 7 is a perspective view illustrating a conventional example.
【図８】従来例を説明する斜視図。FIG. 8 is a perspective view illustrating a conventional example.
【図９】従来例を説明する斜視図。FIG. 9 is a perspective view illustrating a conventional example.
１ 絶縁性基板 ２ 半導体光検出素子の各画素 ３ 保護層 ４ 仕切り板 ５ 外枠 ６ 蛍光体 ７ 反射膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Each pixel of semiconductor photodetector element 3 Protective layer 4 Partition plate 5 Outer frame 6 Phosphor 7 Reflective film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 川崎 敬一 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内 (72)発明者 山▲崎▼ 達也 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Ichiro Tanaka 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Keiichi Kawasaki 53 Imaiue-cho, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Canon Inc. Company Kosugi Plant (72) Inventor Yama-saki Tatsuya 53 Imaiue-cho, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Canon Inc. Kosugi Plant
Claims (8)
製造方法において、 前記半導体放射線検出装置の各画素ごとに仕切りを有す
るメッシュ状仕切り板と一体的に蛍光体層を形成し、 前記仕切り板の仕切り部分上の前記蛍光体を、前記仕切
り部分の表層部とともに、レーザー光により溝状に除去
することにより、前記蛍光体を前記各画素ごとに分離す
ることを特徴とする半導体放射線検出装置の製造方法。1. A method for manufacturing a semiconductor radiation detecting device having a phosphor, wherein a phosphor layer is formed integrally with a mesh partition plate having a partition for each pixel of the semiconductor radiation detecting device, Manufacturing the semiconductor radiation detecting device characterized in that the phosphor on the partition part is removed along with the surface layer part of the partition part in a groove shape by laser light to separate the phosphor for each pixel. Method.
と、前記各画素ごとに開口部と仕切りを有するメッシュ
状仕切り板とを貼り合わせる工程と、 前記貼り合わせた基板のメッシュ状仕切り板上に蛍光体
層を全面的に形成する工程と、 前記仕切り部分上の前記蛍光体層を、前記仕切り部分の
表層部とともに溝状に、レーザー光により除去すること
により、該蛍光体を前記画素ごとに分離する工程と、を
有することを特徴とする請求項１記載の半導体放射線検
出装置の製造方法。2. A step of bonding a photodetector substrate having a plurality of pixels formed thereon and a mesh-shaped partition plate having openings and partitions for each of the pixels, and a mesh-shaped partition plate of the bonded substrates. A step of forming a phosphor layer on the entire surface, and removing the phosphor layer on the partition portion with a laser beam in a groove shape together with the surface layer portion of the partition portion by the pixel. The method for manufacturing a semiconductor radiation detecting apparatus according to claim 1, further comprising:
キシマレーザーの照射により行なわれる請求項１又は２
記載の半導体放射線検出装置の製造方法。3. The excimer laser irradiation is performed in the step of removing the phosphor in a groove shape.
A method for manufacturing the semiconductor radiation detection apparatus described.
周囲に外枠を形成し、該枠内に前記蛍光体層を形成する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体放射線検
出装置の製造方法。4. The semiconductor radiation according to claim 1, wherein an outer frame is formed around the substrate before forming the phosphor layer, and the phosphor layer is formed in the frame. Manufacturing method of detection device.
に反射膜を形成したことを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体放射線検出装置の製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor radiation detecting apparatus according to claim 1, wherein a reflective film is formed on the surface of the phosphor including the side surface of the groove.
に黒色物質を含む膜を形成したことを特徴とする請求項
１又は２記載の半導体放射線検出装置の製造方法。6. The method for manufacturing a semiconductor radiation detecting apparatus according to claim 1, wherein a film containing a black substance is formed on the surface of the phosphor including the side surface of the groove.
装置において、 該半導体放射線検出装置の各画素は、メッシュ状の仕切
り板と該仕切り板の仕切り部分上の溝部に形成された反
射膜によって、前記画素ごとに分離された蛍光体を有す
ることを特徴とする半導体放射線検出装置。7. A semiconductor radiation detecting device comprising a phosphor, wherein each pixel of the semiconductor radiation detecting device comprises a mesh-shaped partition plate and a reflective film formed in a groove on a partition part of the partition plate. A semiconductor radiation detection device, comprising a phosphor separated for each pixel.
メッシュ状の仕切り板と該仕切り板の仕切り部分上の溝
部に形成された黒色物質を含む膜によって前記画素ごと
に分離された蛍光体を有することを特徴とする請求項７
記載の半導体放射線検出装置。8. Each pixel of the semiconductor radiation detection device comprises:
8. The phosphor according to claim 7, wherein each of the pixels is separated by a mesh-shaped partition plate and a film containing a black substance formed in a groove portion on a partition portion of the partition plate.
The semiconductor radiation detection device described.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219310A JPH0961536A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Semiconductor radiation detection apparatus and manufacturing method thereof |
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| EP96113690A EP0762505A3 (en) | 1995-08-28 | 1996-08-27 | Apparatus for detecting radiation and method for manufacturing such apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219310A JPH0961536A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Semiconductor radiation detection apparatus and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961536A true JPH0961536A (en) | 1997-03-07 |
Family
ID=16733490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7219310A Pending JPH0961536A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Semiconductor radiation detection apparatus and manufacturing method thereof |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1995
- 1995-08-28 JP JP7219310A patent/JPH0961536A/en active Pending
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