JPH0961826A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置に関し、液晶材料のプレチルト
角を大きくすることを課題とする。 【解決手段】 少なくともいずれか一方に配向処理を施
した一対の基板を用意する工程と、一対の基板を対向配
置して基板間に液晶材料を注入する工程と、基板間に電
界を印加した状態で、基板間の液晶材料を等方相から液
晶相に相転移させる工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製造
方法に関し、特にプレチルトを持つ液晶材料を有する液
晶表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９は、従来技術による液晶表示装置の
製造方法を説明するための、液晶表示装置の断面図であ
る。

【０００３】図９（Ａ）は、空セルの作製工程を示す。
まず、ガラス基板５１を用意し、ガラス基板５１の上に
配向膜５３を形成する。次に、配向膜５３に対して、光
配向処理を行う。以上のようにして、２枚の基板１を作
製し、対向配置する。２枚の基板１は、配向処理方向を
お互いに９０°ずらせば、９０°ねじれたツイストネマ
チック液晶セルを作製することができる。２枚の基板１
の間に、ギャップコントロール剤（図示せず）を挟み、
基板間のギャップを所定値にする。

【０００４】図９（Ｂ）は、液晶注入工程を示す。空セ
ルを加熱し、アイソトロピック相（等方相）の液晶材料
５７を基板５１間に注入する。液晶注入する際、液晶材
料５７をＮ−Ｉ（ネマチック−アイソトロピック）相転
移温度以上まで加熱することにより、アイソトロピック
相にする。

【０００５】図９（Ｃ）は、液晶セルの冷却工程を示
す。高温状態にある液晶セルを徐冷し、液晶材料５７を
ネマチック相（液晶相）にする。液晶材料５７は、Ｎ−
Ｉ相転移温度以下まで冷却することにより、ネマチック
相になる。基板５１上の配向力が弱くても、アイソトロ
ピック相から徐冷するすることにより、均一な配向が得
られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図９（Ａ）において、
ガラス基板５１上の配向膜５３に光配向処理を行うこと
を示した。光配向処理を行う方法として、以下に示す光
偏光記憶膜を用いる方法が発表されている。

【０００７】ジアゾアミン染料をドープしたシリコン
ポリイミドを用いる方法（Wayne MGibbons 等, NATURE
Vol.351 (1991) P49 ）。 アゾ染料をドープしたＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）を用いる方法（飯村靖文等, 第１８回液晶討論会−
日本化学会第６４秋期年会−, p34,平成４年９月１１日
発行, 社団法人日本化学会； Jpn J. Appl. Phys. Vol.
32 (1993) pp.L93-L96）。

【０００８】光重合フォトポリマーを用いる方法（Ma
rtin Schadt 等, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.31 (1992)
pp.2155-2164）。 ポリビニル４−メトキシシンナメート（ＰＶＣ）膜に
偏光を照射することにより、偏光方向と直交する方向に
液晶を水平配向させる方法。

【０００９】ＰＶＣ膜に対し、基板の法線方向から偏
向光を照射し、さらに基板の法線に対し一定の角度でか
つ前記偏光方向と直交（方位角方向）する方向から偏向
光を照射することによりプレチルト角を有する配向を与
える方法。

【００１０】図９（Ｃ）において、液晶セルを冷却する
と、ネマチック相の液晶分子５７は、配向処理方法に応
じてプレチルトを有する。上記〜の配向処理方法で
は、プレチルトはほとんど生じない。の方法では、わ
ずかにプレチルトが生じるものの、そのプレチルト角は
極めて小さい。

【００１１】プレチルトとは、基板間に電圧を印加して
いない際、液晶分子の長軸方向の一端が基板面に対して
持ち上がった状態をいう。プレチルト角とは、基板間に
電圧を印加していない際、基板面と液晶分子の長軸との
間の角度をいう。

【００１２】プレチルトを持つ液晶分子は、基板間に電
圧が印加されると、基板面に対して持ち上がっている一
端側より立ち上がる。全ての液晶分子が同じ向きのプレ
チルトを持っていれば、液晶分子は全て同じ方向に立ち
上がる。

【００１３】これに対し、プレチルトを持たない液晶分
子は、長軸方向のいずれの端部から立ち上がるかが定ま
らない。全ての液晶分子がプレチルトを持たない、また
は極めて小さなプレチルト角であるとき、長軸方向のあ
る一端から立ち上がる液晶分子の領域と他端から立ち上
がる液晶分子の領域が生じる。その領域の境界では、液
晶表示画面上において線欠陥（リバースチルトディスク
リネーションライン）が現れやすい。

【００１４】特に、印加電圧が液晶セルのしきい値付近
において、リバースチルトディスクリネーションライン
が発生し易い。また、印加電圧の変化や時間経過によ
り、リバースチルトディスクリネーションラインの位置
が変化するため、線欠陥の存在が肉眼で認識できる。さ
らに、光散乱の発生や、コントラストの低下も生じるた
め、液晶表示装置として著しく表示品質を低下させるこ
とになる。

【００１５】本発明の目的は、大きなプレチルト角を持
つ液晶材料を有する液晶表示装置の製造方法を提供する
ことである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置の製造方法は、少なくともいずれか一方に配向処理を
施した一対の基板を用意する工程と、一対の基板を対向
配置して基板間に液晶材料を注入する工程と、基板間に
電界または磁界を印加した状態で、基板間の液晶材料を
等方相から液晶相に相転移させる工程とを含む。

【００１７】基板間に電界または磁界を印加した状態
で、基板間の液晶材料を等方相から液晶相に相転移させ
ることにより、大きなプレチルト角を持つ液晶表示装置
を製造することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１（Ａ）から図６（Ｅ）までを
順に参照して、本発明の実施例による液晶表示装置の製
造方法を説明する。まず、液晶表示装置に用いる基板の
作製方法を説明する。

【００１９】図２は、基板の作製工程を説明するため
の、基板の断面図である。ガラス基板１を用意し、ガラ
ス基板１の上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜２を形
成する。ＩＴＯ膜２は、透明導電膜である。さらに、Ｉ
ＴＯ膜２の上に、配向膜３を形成する。配向膜３は、例
えばＰＶＣ（ポリビニルシンナメート）膜である。

【００２０】ＩＴＯ膜２は、例えば、スパッタリングや
蒸着法により形成できる。配向膜３の形成方法を、以下
説明する。まず、ＰＶＣを、モノクロロベンゼンとジク
ロロメタンの混合溶剤に２ｗｔ％溶解する。このＰＶＣ
溶液を、スピナにてガラス基板１に塗布する。１００℃
で１時間乾燥させ、膜厚約１０００ÅのＰＶＣ膜３を形
成する。

【００２１】ＰＶＣ膜３は、光偏光記憶膜の一種であ
り、光配向処理を行うことにより、基板面に配向構造を
形成することができる。光配向処理は、後に、図４を参
照しながら説明する。

【００２２】図２では簡略化してＩＴＯ膜２を示してあ
るが、実際上、ＩＴＯ膜２は基板１上に形成される薄膜
トランジスタに接続される画素電極であり、画素毎に分
離して設けられている。なお、基板１上に複数のセグメ
ント電極やコモン電極を形成したり、基板１上の全面に
ＩＴＯ膜２を形成してもよい。

【００２３】図３は、画素電極を有する基板１の構成例
を示す。ガラス基板１ａ上に配線または電極２ａ、画素
電極２ｂ、薄膜トランジスタＱが形成されている。電極
２ａと画素電極２ｂは、図２のＩＴＯ膜２に相当する。
配線２ａはトランジスタＱを介して画素電極２ｂに接続
される。たとえば、配線２ａと画素電極２ｂはＩＴＯ膜
で形成し、薄膜トランジスタの電極部はドープドポリシ
リコン、チャンネル部はポリシリコン、ゲート絶縁膜は
シリコン酸化膜で形成する。

【００２４】図４は、光配向処理工程を示す図である。
光配向処理は、基板１表面上のＰＶＣ膜３に、２回の光
照射（第１照射、第２照射）を行う。以下、詳細に説明
する。

【００２５】図４（Ａ）は、ＰＶＣ膜３への第１照射方
法を示す図である。ガラス基板１は、その表面にＰＶＣ
膜３が形成されている。基板面を、ｘ軸とｙ軸を含むｘ
ｙ平面とし、基板法線方向をｚ軸とする。

【００２６】ＰＶＣ膜３に、第１照射光Ｓ１を５０秒照
射する。例えば、高圧水銀灯を用いて光照射する。照射
エネルギは１．５Ｊ／ｃｍ² であり、第１照射光Ｓ１の
波長は３１３ｎｍである。

【００２７】第１照射光Ｓ１は、ｚ軸方向の光であり、
偏光方向αの直線偏光光である。偏光方向αは、ｙ軸方
向である。図４（Ｂ）は、ＰＶＣ膜３への第２照射方法
を示す図である。ＰＶＣ膜３に、第２照射光Ｓ２を５秒
照射する。第２照射光Ｓ２は、第１照射光Ｓ１に比べ、
照射方向と偏光方向のみが異なり、照射エネルギおよび
光波長は同じである。

【００２８】第２照射光Ｓ２は、基板法線方向（ｚ軸方
向）に対し入射角（極角）θ＝４５°を持つ、偏光方向
βの直線偏光光である。偏光方向βは、ｘｚ面内の方向
であり、第１照射光Ｓ１の偏光方向αと直交する方向で
ある。

【００２９】図４（Ｃ）は、第１照射および第２照射に
より生成される液晶分子の配向方向ＤＲを示す図であ
る。配向膜３の上に液晶材料を満たした際、配向膜３と
液晶材料との界面における液晶分子は、長軸が矢印ＤＲ
の方向に配向する。

【００３０】配向方向ＤＲは、第２照射光Ｓ１の偏光方
向αと直交する方向であり、ｘｚ面内の方向である。配
向方向ＤＲの極角δは、第２照射光Ｓ２の入射光θに依
存する。入射角θが大きいほど、極角δが大きくなる。
言い換えると、入射角θが大きいほど、液晶分子のプレ
チルト角（９０°−δ）が小さくなる。

【００３１】次に、以上作製した基板を２枚用いて、液
晶表示装置を製造する方法を説明する。図１（Ａ）は、
空セルの作製工程を示す図である。ガラス基板１の表面
には、ＩＴＯ膜２と配向膜（ＰＶＣ膜）３が形成されて
いる。この基板１を２枚用意し、ギャップコントロール
剤（図示せず）を挟んで、対向配置する。基板間のギャ
ップは、ギャップコントロール剤により５μｍに固定さ
れる。

【００３２】なお、２枚の基板は、上述の光配向処理の
方向が異なる。一方の基板の配向処理方向は、他方に比
べて、基板面内において９０°ずれている。これは、９
０°ねじれたツイストネマチック液晶層を作製するため
である。

【００３３】図１（Ｂ）は、空セルを高温通電する工程
を示す図である。上記工程により作製した空セルを、高
温槽６に入れる。高温槽６は、ヒータを有し、空セルを
Ｎ−Ｉ相転移点以上に加熱する。Ｎ−Ｉ相転移点は、後
の工程で基板間に注入する液晶材料の相転移点である。

【００３４】交流電源５は、一対の基板１にそれぞれ形
成されるＩＴＯ膜２の間に接続される。基板１に画素電
極２を形成する場合（図３）は、全画素に対応する薄膜
トランジスタをオンにし、全画素電極２に電圧を印加す
る。セグメント電極、コモン電極の場合も全電極に通電
する。

【００３５】空セルに交流電源５を接続し、２０Ｖ、６
４Ｈｚの方形波交流電圧を基板間に印加する。ここで、
液晶セルのしきい値は１．７Ｖである。印加電圧値は、
液晶セルのしきい値の１０倍程度が好ましい。

【００３６】図５（Ｃ）は、基板間に液晶材料を注入す
る工程を示す図である。空セルを高温槽６に入れたまま
の状態で、カイラル剤を含むフッ素型混合ネマティック
液晶材料（Ｎ−Ｉ相転移点９８℃）７を加熱し、アイソ
トロピック状態で、対向配置した基板間に注入する。基
板間への液晶注入は、真空注入、毛細管注入等の方法に
よって行なえる。液晶注入した後、液晶注入口をシール
材等で封止する。

【００３７】図５（Ｄ）は、液晶セルを通電冷却する工
程を示す図である。高温状態にある液晶セルを高温槽６
から取り出し、交流電源５により基板間に電界を印加し
たままの状態で、相転移温度以下（例えば室温）まで徐
冷する。液晶材料７は、相転移温度以下まで冷却される
と、アイソトロピック相からネマチック相に相転移す
る。

【００３８】液晶分子７は、基板１の配向処理方法、か
つ交流電源９による電界に応じて、配向方向が決まる。
電界をかけない場合には、基板の配向処理方法のみによ
って配向方向が決まる。しかし、電界をかけない場合
は、液晶分子７のチルト角は極めて小さい。

【００３９】交流電源９により電界をかけながら液晶セ
ルを徐冷すると、液晶分子７は立ち上がった状態で配向
する。この際の液晶分子７のチルト角は、大きいものと
なる。

【００４０】図６（Ｅ）は、電界除去の工程を示す図で
ある。液晶材料７を十分に冷却した後、基板間に接続さ
れていた交流電源９（図５（Ｄ））を外し、電界をオフ
にする。電界がオフになると、液晶分子７のチルト角は
小さくなる。ただし、このチルト角は、従来技術（図９
（Ｃ））に示したように、電界をかけずに液晶分子を配
向させたときのものより大きい。基板間の液晶分子７
は、適度なプレチルト角を有する均一配向状態となる。

【００４１】基板間の液晶分子７のプレチルト角は、交
流電源９による電界条件および基板１の配向処理方法に
より制御することができる。例えば、基板間に高電圧を
印加するほど、プレチルト角は大きくなる。

【００４２】ただし、印加電圧が小さすぎると、プレチ
ルト角はあまり大きくならない。逆に、印加電圧が大き
すぎると、ツイストネマチック液晶層７のツイスト角が
所望のものからずれてしまう。印加電圧は、液晶セルの
しきい値電圧の１０倍程度が好ましい。例えば、しきい
値の２〜２０倍程度とする。周波数と波形は、種々のも
のを用いることができる。交流でなく、直流でもよい。

【００４３】なお、図５（Ｃ）において、基板間に液晶
材料７を注入する際、液晶材料７はアイソトロピック状
態でなく、ネマチック状態でもよい。その場合、ネマチ
ック状態で基板間に液晶を注入した後、液晶セルを十分
Ｎ−Ｉ相転移温度よりも高い温度に加熱し、基板間に電
界を加えた状態で、徐冷すればよい。Ｎ−Ｉ点よりも十
分高い温度に加熱すれば、基板表面に吸着した液晶分子
も自由運動が可能となり、メモリ効果を消滅できる。

【００４４】また、基板間に注入する液晶材料に、必ず
しもカイラル剤を添加する必要はない。さらに、ツイス
トネマチック液晶層のツイスト角は、９０°より大きく
ても小さくてもよい。スーパーツイストネマチック液晶
層を形成するようにしてもよい。

【００４５】図７は、図１（Ｂ）の電界印加を行う代わ
りに、磁界印加を行う工程を示す。一対の基板１間に、
磁界Ｈをかける。磁界は、例えばコイルに電流を流すこ
とにより発生させることができる。基板間に磁界をかけ
た状態で、空セルを高温槽６の中に配置する。その後、
前述と同様に、液晶材料を基板間に注入し、冷却し、そ
の後磁界を０にすれば、プレチルト角の大きな液晶分子
が基板間で配向する。

【００４６】磁界についても、電界と同様に、種々のパ
ラメータを用いることができる。磁界を用いた場合に
は、さらに、磁界を印加する角度を任意に制御すること
ができるので、磁界の印加角度によりプレチルト角を調
整することができる。磁界の大きさは液晶セルのしきい
値磁界の１０倍程度、磁界の方向は基板法線方向に対し
て０°〜４５°の範囲が好ましい。

【００４７】以上は、配向膜３としてＰＶＣ膜を用い、
光配向処理を行う場合について述べたが、その他の配向
膜を用いて、それに応じた配向処理を行ってもよい。例
えば、ラビングポリイミド膜、斜方蒸着膜、ラングミュ
ア・ブロジェット（ＬＢ）膜、ＳｉＯ₂ 膜、延伸高分子
膜等を用いて配向構造を作製してもよい。

【００４８】配向処理は、必ずしも一対の基板の両方に
行う必要はない。片方の基板のみに、配向処理を行った
場合でも、液晶分子を均一配向状態にすることができ
る。また、液晶分子を均一配向する場合について述べた
が、液晶分子を分割配向することもできる。

【００４９】図８は、分割配向の基板を作製する方法を
示す。代表例として、図８（Ｃ）に示すような２分割配
向の場合を例にとって説明する。液晶表示装置ＬＣＤは
行列状に配置された多数の画素ＰＸを含む。各画素ＰＸ
は、たとえば正方形等の矩形であり、配向方向が逆の２
つのサブ画素領域ＰＸａ、ＰＸｂからなる。

【００５０】図８（Ａ）と図８（Ｂ）は、基板を作製す
る工程を示す。まず、前述と同様に、ガラス基板１の上
にＩＴＯ膜２および配向膜３を形成する。ただし、配向
膜３は、例えばポリイミド膜である。以下、配向処理と
して、ラビング処理を例にとって説明するが、その他の
配向処理を採用することもできる。

【００５１】次に、配向膜３の上に一方のサブ画素領域
ＰＸａを覆い、他方のサブ画素領域ＰＸｂを露出するフ
ォトレジストパターンＭＫ１を形成する。フォトレジス
トパターンＭＫ１は、一般的なフォトレジスト、たとえ
ば東京応化製ＯＦＰＲ８００をスピンコートやロールコ
ートで基板上に塗布し、露光、現像により不要領域を除
去して形成する。

【００５２】まず、図８（Ａ）で示すように、ラビング
ローラＲＲを矢印Ｒ１の方向（時計回り方向）に回転し
ながらフォトレジスト膜ＭＫ１が形成された基板１上を
擦り、ラビングローラＲＲと基板１を相対的に矢印Ｔ１
の方向に移動させ、配向膜３にラビング処理を行なう。
このラビング工程により、フォトレジスト膜ＭＫ１で覆
われず、配向膜３の露出した領域のみが図の右から左に
向かう方向を配向方向としてラビングされる。

【００５３】次に、図８（Ａ）のフォトレジスト膜ＭＫ
１を除去して、新たなフォトレジスト膜を塗布する。図
８（Ｂ）に示すようにすでにラビングを行ったサブ画素
領域ＰＸｂを覆い、他のサブ画素領域ＰＸａを露出する
ようにフォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジ
ストパターンＭＫ２を形成する。

【００５４】今度はラビングローラＲＲを矢印Ｒ２で示
す逆方向（反時計回り方向）に回転しながら基板１上を
擦り、基板１とラビングローラＲＲとを矢印Ｔ２で示す
方向に相対的に移動させ、配向膜３を擦って行く。図８
（Ｂ）のラビング工程では、フォトレジストパターンＭ
Ｋ２に覆われず、配向膜３の露出した領域のみが図の左
から右に向かう方向を配向方向としてラビングされる。

【００５５】配向膜３上のフォトレジストパターンＭＫ
２を除去すると、基板１上には図８（Ｃ）に示すような
配向方向が互いに逆向きの２分割サブ画素領域ＰＸａ，
ＰＸｂに対応する配向処理した配向膜３ができる。これ
で分割配向のための基板が完成する。

【００５６】なお、配向方向が互いに異なる２つのサブ
画素領域が配向処理の不要な領域で仕切られて互いに離
れて配置されるパターンの場合には、配向処理の不要な
領域をフォトレジストパターンで覆い、サブ画素領域毎
にラビングローラＲＲの回転方向を制御するだけで配向
方向を変化することも可能である。この場合は、フォト
レジストパターンの形成は１回で済む。

【００５７】また、ラビングローラＲＲによるラビング
領域の位置制御精度がかなり高ければ、フォトレジスト
パターンを用いずに、ラビングローラＲＲの位置制御に
よって、直接分割配向処理を行なうことも可能である。
もちろん、ラビングローラＲＲ以外の手段で配向膜３を
擦ってラビング処理をしてもかまわない。

【００５８】図８（Ｄ）に示すような４分割配向等、２
分割配向に限らず、それ以上の多分割配向を行なった
り、ラビング以外の配向処理方法を用いて基板の配向構
造を作製してもよい。

【００５９】

【実施例】図１（Ａ）から図６（Ｅ）に示した工程に従
い、光偏光記憶膜で配向構造を作成し、カイラル剤を含
むフッ素型混合液晶材料を用いた液晶表示装置を作製し
た。分割配向処理は行っていない。作製した液晶セルの
表面を、偏光顕微鏡にて観察した。基板間の液晶分子
は、均一な配向状態として観察された。液晶セルをオン
状態にし、偏光顕微鏡で液晶セルを観察した結果、リバ
ースチルトディスクリネーションラインは発見されず、
きれいな表示画面が得られた。これは、同時に、大きな
プレチルト角が得られたことをも示す。

【００６０】次に、カイラル剤を含まないフッ素型混合
液晶材料を用いて、５μｍのアンチパラレル液晶表示装
置を作製した。この液晶セルについて、プレチルト角を
クリスタルローテーション法により測定した。その結
果、０．６〜１．６°の大きなプレチルト角が測定され
た。

【００６１】これに対し、電界を与えずに液晶材料を注
入し相転移させた場合には、プレチルト角が０．１〜
０．３°程度しか得られなかった。さらに、この液晶セ
ルをオンにして観察すると、液晶セルをオンにした直後
は、多数のリバースチルトディスクリネーションライン
が発生してしまった。

【００６２】最適なプレチルト角は、ツイストネマチッ
ク液晶層の場合約１〜３°であり、スーパーツイストネ
マチック液晶層の場合約４〜１０°である。本測定で用
いたクリスタルローテーション法とは、直交ニコルの偏
向子間に４５°方位で液晶セルを配置し、基板面内に軸
を置き液晶セルを回転させたときの透過光強度の変化に
より、プレチルト角を測定する方法である。

【００６３】以上のように、基板間に液晶材料を注入す
る際、基板間に電界または磁界を加え、液晶材料をアイ
ソトロピック相からネマチック相に相転移させることに
より、プレチルト角を増大させることができる。具体的
には、印加電圧、印加磁界強度、および磁界の印加角度
によりプレチルト角が決まる。

【００６４】また、光配向処理のように、ラビング配向
処理に比べ大きなプレチルト角を得にくい配向処理であ
っても、電界または磁界を制御することにより、大きな
プレチルト角を得ることができる。ラビング配向処理を
行う場合に適用すれば、より大きなプレチルト角を付与
することができる。

【００６５】本実施例によれば、大きなプレチルト角を
持つ液晶セルを作製することができるので、液晶分子の
立ち上がり方向が一意的に決まり、均一な表示を行うこ
とができる。大きなプレチルト角を付与することによ
り、液晶セルへの印加電圧が急激に変化しても、リバー
スチルトディスクリネーションラインが発生しないの
で、表示品位が向上する。

【００６６】光配向処理等を用いれば、ラビング配向処
理を行う必要がないので、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
やＭＩＭ（metal insulator metal diode ）等のアクテ
ィブ素子に、ラビングによる静電ダメージを与えずに、
ＬＣＤを作製することができる。静電気による特性劣化
や絶縁破壊を防止し、ＬＣＤの表示品位の低下を防止す
ることができる。

【００６７】多分割配向のＬＣＤは、優れた視覚特性を
有し、高品位な表示を行うことができる。特に、４分割
以上の分割配向ＬＣＤは、いずれの方向から見ても、視
覚特性が同じである。

【００６８】以上説明した実施例の構成、材料等はあく
までも例示であって、本発明はこれに限るものではな
く、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能であること
は当業者にとって自明であろう。

【００６９】

【発明の効果】本発明によれば、基板間に電界または磁
界を印加した状態で、基板間の液晶材料を等方相から液
晶相に相転移させることにより、大きなプレチルト角を
持つ液晶表示装置を製造することができる。プレチルト
角を大きくすることにより、表示画面上においてリバー
スチルトディスクリネーションラインの発生を抑えるこ
とができ、表示品位を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）は空セルの作製工程を示す空セルの
断面図であり、図１（Ｂ）は空セルを高温通電する工程
を示す空セルの断面図である。

【図２】基板の作製工程を説明するための基板断面図で
ある。

【図３】画素電極を有する基板の構成例を示す基板断面
図である。

【図４】光配向処理工程を示す。図４（Ａ）は第１光照
射工程、図４（Ｂ）は第２光照射工程、図４（Ｃ）は液
晶分子の配向方向を説明するための図である。

【図５】図５（Ｃ）は基板間に液晶材料を注入する工程
を示す断面図であり、図５（Ｄ）は液晶セルを通電冷却
する工程を示す断面図である。

【図６】図６（Ｅ）は電界除去の工程を示す断面図であ
る。

【図７】本発明の他の実施例による液晶表示装置の製造
方法を説明する断面図である。

【図８】本発明の実施例による２分割配向の基板を製作
する工程を説明するための断面図である。

【図９】従来技術による液晶表示装置の製造工程を示
す。図９（Ａ）は空セルの作製工程、図９（Ｂ）は液晶
注入工程、図９（Ｃ）は冷却工程を説明するための断面
図である。

【符号の説明】

１，５１ 基板 ２ ＩＴＯ膜 ３，５３ 配向膜 ５ 交流電源 ６ 高温槽 ７，５７ 液晶材料 ＲＲ ラビングローラ ＭＫ フォトレジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 潔 神奈川県横浜市青葉区荏田西１−３−１ スタンレー電気株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくともいずれか一方に配向処理を施
   した一対の基板を用意する工程と、 前記一対の基板を対向配置して基板間に液晶材料を注入
   する工程と、 前記基板間に電界を印加した状態で、基板間の液晶材料
   を等方相から液晶相に相転移させる工程とを含む液晶表
   示装置の製造方法。
2. 【請求項２】 少なくともいずれか一方に配向処理を施
   した一対の基板を用意する工程と、 前記一対の基板を対向配置して基板間に液晶材料を注入
   する工程と、 前記基板間に磁界を印加した状態で、基板間の液晶材料
   を等方相から液晶相に相転移させる工程とを含む液晶表
   示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記一対の基板を用意する工程は、該一
   対の基板のうちいずれか一方の基板表面に光偏光記憶膜
   を形成し、該光偏光記憶膜に対して配向処理を施す工程
   を含む請求項１または２記載の液晶表示装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記配向処理を施す工程は、基板表面に
   形成された光偏光記憶膜に照射方向を変えて２回以上偏
   光を照射する工程である請求項３記載の液晶表示装置の
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記基板表面に光偏光記憶膜を形成する
   工程において、該光偏光記憶膜は、ポリビニルシンナメ
   ート膜である請求項３または４記載の液晶表示装置の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記基板間に液晶材料を注入する工程に
   おいて、該液晶材料はカイラル剤を含む請求項１〜５の
   いずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記基板に配向処理を施す工程は、複数
   の異なる配向方向の領域を形成する工程である請求項１
   〜６のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記一対の基板を用意する工程は、ガラ
   ス基板上に透明導電膜および配向膜を形成する工程を含
   む請求項１、３〜７のいずれかに記載の液晶表示装置の
   製造方法。