JPH0961843A - レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH0961843A JPH0961843A JP21193595A JP21193595A JPH0961843A JP H0961843 A JPH0961843 A JP H0961843A JP 21193595 A JP21193595 A JP 21193595A JP 21193595 A JP21193595 A JP 21193595A JP H0961843 A JPH0961843 A JP H0961843A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザアニール方法における被アニール膜の
レーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制する。 【解決手段】 図１（ａ）のようにエネルギ分布を線状
に整形したパルスレーザビームを用いて、このパルスレ
ーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さ
よりパルスレーザビームの走査ピッチＰを小さくするこ
とにより、被アニール膜全体に照射される実効エネルギ
がエネルギ立ち下がり領域で規定されるエネルギ密度で
均一化でき、被アニール膜のレーザビームの走査ピッチ
による特性変動を抑制できる。
レーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制する。 【解決手段】 図１（ａ）のようにエネルギ分布を線状
に整形したパルスレーザビームを用いて、このパルスレ
ーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さ
よりパルスレーザビームの走査ピッチＰを小さくするこ
とにより、被アニール膜全体に照射される実効エネルギ
がエネルギ立ち下がり領域で規定されるエネルギ密度で
均一化でき、被アニール膜のレーザビームの走査ピッチ
による特性変動を抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ等の形成に用いるレーザアニール方法および液晶表示
装置の製造方法に関するものである。
タ等の形成に用いるレーザアニール方法および液晶表示
装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタを用いたアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置は、高精細，低コスト
化の要望が強い。多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜
トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」
と略す）は、従来の非晶質シリコンを活性層に用いたＴ
ＦＴに比べ移動度が２桁以上大きいため、デバイスサイ
ズを小型化でき、高精細化が可能である。また、液晶表
示装置の駆動回路を同一基板上に形成できるため、低コ
スト化も実現できる技術として注目されている。なかで
も、大型化が容易で安価である無アルカリガラス基板が
使用可能な低温度域（＜５００℃）で、多結晶シリコン
ＴＦＴを実現する技術開発が活発化している。
ィブマトリックス型液晶表示装置は、高精細，低コスト
化の要望が強い。多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜
トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」
と略す）は、従来の非晶質シリコンを活性層に用いたＴ
ＦＴに比べ移動度が２桁以上大きいため、デバイスサイ
ズを小型化でき、高精細化が可能である。また、液晶表
示装置の駆動回路を同一基板上に形成できるため、低コ
スト化も実現できる技術として注目されている。なかで
も、大型化が容易で安価である無アルカリガラス基板が
使用可能な低温度域（＜５００℃）で、多結晶シリコン
ＴＦＴを実現する技術開発が活発化している。
【０００３】ガラス基板が使用可能な低温度域で良質な
多結晶シリコン薄膜を実現する手法の一つとしてレーザ
アニール法が注目されている。レーザアニール法は、Ａ
ｒレーザ等の連続発振（ＣＷ）レーザを用いる場合と、
エキシマレーザ等のパルスレーザを用いる場合とに分類
できるが、基板への熱ダメージやスループットの観点か
らエキシマレーザ等のパルスレーザを用いる場合が多
い。
多結晶シリコン薄膜を実現する手法の一つとしてレーザ
アニール法が注目されている。レーザアニール法は、Ａ
ｒレーザ等の連続発振（ＣＷ）レーザを用いる場合と、
エキシマレーザ等のパルスレーザを用いる場合とに分類
できるが、基板への熱ダメージやスループットの観点か
らエキシマレーザ等のパルスレーザを用いる場合が多
い。
【０００４】図５は従来のレーザアニール方法を説明す
るための図であり、図５（ａ）はエネルギ分布を一辺Ｗ
＝８ｍｍ角の正方形に整形したパルスレーザビームを示
し、図５（ｂ）はレーザアニールを行った場合のエネル
ギ分布を示す。エキシマレーザから放出されたレーザビ
ームは、ビームホモジナイザー等の光学系により、図５
（ａ）に示すように、８ｍｍ角のエネルギ分布をもつレ
ーザビームに整形される。このパルスレーザビームをＸ
およびＹ方向に走査して被アニール薄膜を結晶化する。
ビーム走査時の走査ピッチは平均照射数により設定され
る。非晶質シリコン薄膜を多結晶化しＴＦＴを作製する
場合、平均照射数が１０shots/point 以上であれば特性
がショット数によらず安定する。
るための図であり、図５（ａ）はエネルギ分布を一辺Ｗ
＝８ｍｍ角の正方形に整形したパルスレーザビームを示
し、図５（ｂ）はレーザアニールを行った場合のエネル
ギ分布を示す。エキシマレーザから放出されたレーザビ
ームは、ビームホモジナイザー等の光学系により、図５
（ａ）に示すように、８ｍｍ角のエネルギ分布をもつレ
ーザビームに整形される。このパルスレーザビームをＸ
およびＹ方向に走査して被アニール薄膜を結晶化する。
ビーム走査時の走査ピッチは平均照射数により設定され
る。非晶質シリコン薄膜を多結晶化しＴＦＴを作製する
場合、平均照射数が１０shots/point 以上であれば特性
がショット数によらず安定する。
【０００５】図５（ｂ）はＸおよびＹ方向送り量（走査
ピッチ）をそれぞれ２ｍｍとし、平均照射数１６shots/
point の場合のレーザアニールのエネルギ分布を示す図
である。図５（ｂ）に示すように、エネルギ分布は模式
的には台形状になっており、設定エネルギ密度Ｅm （ｍ
Ｊ／ｃｍ2 ）の領域とエネルギ立ち下がり領域との二つ
の領域を有している。エネルギ立ち下がり領域は、ビー
ム整形時の光学系の収差やレーザ光の位置揺らぎ等によ
り発生するものであり、除去することは原理的に困難で
ある。図５（ｂ）には多結晶シリコン薄膜を上記形状の
エネルギ分布を有するレーザビームを用いてアニールを
行った場合の結晶化状態も合わせて示している。設定エ
ネルギ密度Ｅm にてアニールされた領域Ａとエネルギ立
ち下がり領域により結晶化された領域Ｂが周期的に形成
される。領域Ｂは、領域Ａとは結晶状態が異なってお
り、次に設定エネルギ密度Ｅm でアニールされても領域
Ａの結晶状態には回復しない。したがって、このような
従来のレーザアニールを行った場合、特性の異なる領域
Ｂが周期的に存在し、この被アニール膜を用いたＴＦＴ
により液晶表示装置を作製した場合、周期的な特性変動
が画像むらとなって現れる。
ピッチ）をそれぞれ２ｍｍとし、平均照射数１６shots/
point の場合のレーザアニールのエネルギ分布を示す図
である。図５（ｂ）に示すように、エネルギ分布は模式
的には台形状になっており、設定エネルギ密度Ｅm （ｍ
Ｊ／ｃｍ2 ）の領域とエネルギ立ち下がり領域との二つ
の領域を有している。エネルギ立ち下がり領域は、ビー
ム整形時の光学系の収差やレーザ光の位置揺らぎ等によ
り発生するものであり、除去することは原理的に困難で
ある。図５（ｂ）には多結晶シリコン薄膜を上記形状の
エネルギ分布を有するレーザビームを用いてアニールを
行った場合の結晶化状態も合わせて示している。設定エ
ネルギ密度Ｅm にてアニールされた領域Ａとエネルギ立
ち下がり領域により結晶化された領域Ｂが周期的に形成
される。領域Ｂは、領域Ａとは結晶状態が異なってお
り、次に設定エネルギ密度Ｅm でアニールされても領域
Ａの結晶状態には回復しない。したがって、このような
従来のレーザアニールを行った場合、特性の異なる領域
Ｂが周期的に存在し、この被アニール膜を用いたＴＦＴ
により液晶表示装置を作製した場合、周期的な特性変動
が画像むらとなって現れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、エネル
ギ分布が矩形に整形されたパルスビームにおいては、エ
ネルギ分布が一定な領域とエネルギ分布の立ち上がりあ
るいは立ち下がり領域が必ず存在する。このようなエネ
ルギ分布を持つパルスレーザビームを走査してレーザア
ニールを行った場合には、被アニール膜に到達するエネ
ルギが一定な領域とエネルギ分布の立ち下がり（実効的
な到達エネルギが減少する）領域とが存在することが避
けられず、被アニール膜の特性がレーザビームの走査ピ
ッチを周期として変動する。このような被アニール膜を
用いて液晶表示装置に用いるＴＦＴアレイを作製する
と、ＴＦＴ特性（電子移動度等）がレーザビームの走査
ピッチに応じて変動する。さらにこのようなＴＦＴアレ
イを用いて駆動回路内蔵型液晶表示装置を作製すると、
表示領域内は特性変動が画像むらとなり、駆動回路部は
駆動能力が変動し周期むらとなって画像に現れ表示品位
が大きく低下する。
ギ分布が矩形に整形されたパルスビームにおいては、エ
ネルギ分布が一定な領域とエネルギ分布の立ち上がりあ
るいは立ち下がり領域が必ず存在する。このようなエネ
ルギ分布を持つパルスレーザビームを走査してレーザア
ニールを行った場合には、被アニール膜に到達するエネ
ルギが一定な領域とエネルギ分布の立ち下がり（実効的
な到達エネルギが減少する）領域とが存在することが避
けられず、被アニール膜の特性がレーザビームの走査ピ
ッチを周期として変動する。このような被アニール膜を
用いて液晶表示装置に用いるＴＦＴアレイを作製する
と、ＴＦＴ特性（電子移動度等）がレーザビームの走査
ピッチに応じて変動する。さらにこのようなＴＦＴアレ
イを用いて駆動回路内蔵型液晶表示装置を作製すると、
表示領域内は特性変動が画像むらとなり、駆動回路部は
駆動能力が変動し周期むらとなって画像に現れ表示品位
が大きく低下する。
【０００７】この発明の第１の目的は、被アニール膜の
レーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制するこ
とのできるレーザアニール方法を提供することである。
また、この発明の第２の目的は、画素用薄膜トランジス
タの活性層に用いる半導体薄膜のレーザビームの走査ピ
ッチによる特性変動を抑制し、均一な特性のＴＦＴアレ
イを実現し、表示品位を向上できる液晶表示装置の製造
方法を提供することである。
レーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制するこ
とのできるレーザアニール方法を提供することである。
また、この発明の第２の目的は、画素用薄膜トランジス
タの活性層に用いる半導体薄膜のレーザビームの走査ピ
ッチによる特性変動を抑制し、均一な特性のＴＦＴアレ
イを実現し、表示品位を向上できる液晶表示装置の製造
方法を提供することである。
【０００８】また、この発明の第３の目的は、表示領域
の周辺に形成する駆動用薄膜トランジスタの活性層に用
いる半導体薄膜のレーザビームの走査ピッチによる特性
変動を抑制し、駆動回路部の特性を均一化し、表示品位
を向上できる液晶表示装置の製造方法を提供することで
ある。
の周辺に形成する駆動用薄膜トランジスタの活性層に用
いる半導体薄膜のレーザビームの走査ピッチによる特性
変動を抑制し、駆動回路部の特性を均一化し、表示品位
を向上できる液晶表示装置の製造方法を提供することで
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のレーザア
ニール方法は、被アニール膜にエネルギ分布を線状に整
形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザ
ビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより
パルスレーザビームの走査ピッチを小さくすることを特
徴とする。
ニール方法は、被アニール膜にエネルギ分布を線状に整
形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザ
ビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより
パルスレーザビームの走査ピッチを小さくすることを特
徴とする。
【００１０】請求項２記載のレーザアニール方法は、請
求項１記載のレーザアニール方法において、パルスレー
ザビームの走査ピッチを、パルスレーザビームの短尺方
向のエネルギ立ち下がり領域の長さの１／２以下にして
いる。請求項３記載の液晶表示装置の製造方法は、マト
リクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを
配置し、各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画
素用薄膜トランジスタを接続した第１の基板と、この第
１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを
備えた液晶表示装置の製造方法であって、画素用薄膜ト
ランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際
に、半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルス
レーザビームを照射し、このパルスレーザビームの短尺
方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザビ
ームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレー
ザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向
のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さくし、かつパ
ルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にする
ことを特徴とする。
求項１記載のレーザアニール方法において、パルスレー
ザビームの走査ピッチを、パルスレーザビームの短尺方
向のエネルギ立ち下がり領域の長さの１／２以下にして
いる。請求項３記載の液晶表示装置の製造方法は、マト
リクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを
配置し、各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画
素用薄膜トランジスタを接続した第１の基板と、この第
１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを
備えた液晶表示装置の製造方法であって、画素用薄膜ト
ランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際
に、半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルス
レーザビームを照射し、このパルスレーザビームの短尺
方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザビ
ームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレー
ザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向
のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さくし、かつパ
ルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にする
ことを特徴とする。
【００１１】請求項４記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項３記載の液晶表示装置の製造方法において、
パルスレーザビームの走査方向を、画素用薄膜トランジ
スタのチャネル幅方向と異なる方向としてアニール処理
を行う。請求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、請
求項４記載の液晶表示装置の製造方法において、パルス
レーザビームの走査方向は、画素用薄膜トランジスタの
チャネル幅方向と１０度以上９０度以下の交差角度を有
してアニール処理を行う。
は、請求項３記載の液晶表示装置の製造方法において、
パルスレーザビームの走査方向を、画素用薄膜トランジ
スタのチャネル幅方向と異なる方向としてアニール処理
を行う。請求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、請
求項４記載の液晶表示装置の製造方法において、パルス
レーザビームの走査方向は、画素用薄膜トランジスタの
チャネル幅方向と１０度以上９０度以下の交差角度を有
してアニール処理を行う。
【００１２】請求項６記載の液晶表示装置の製造方法
は、マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース
配線とを配置し、各画素電極，ゲート配線およびソース
配線に画素用薄膜トランジスタを接続した表示領域と、
この表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタ
を有する駆動回路領域とを設けた第１の基板と、この第
１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを
備えた液晶表示装置の製造方法であって、駆動用薄膜ト
ランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際
に、半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルス
レーザビームを照射し、このパルスレーザビームの走査
ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち
下がり領域の長さより小さくし、パルスレーザビームの
走査方向を駆動用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と
異なる方向とすることを特徴とする。
は、マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース
配線とを配置し、各画素電極，ゲート配線およびソース
配線に画素用薄膜トランジスタを接続した表示領域と、
この表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタ
を有する駆動回路領域とを設けた第１の基板と、この第
１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを
備えた液晶表示装置の製造方法であって、駆動用薄膜ト
ランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際
に、半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルス
レーザビームを照射し、このパルスレーザビームの走査
ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち
下がり領域の長さより小さくし、パルスレーザビームの
走査方向を駆動用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と
異なる方向とすることを特徴とする。
【００１３】請求項７記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項３，４，５または６記載の液晶表示装置の製
造方法において、パルスレーザビームの走査方向を、画
素用薄膜トランジスタに接続したゲート配線またはソー
ス配線と直交させてアニール処理を行う。この発明のレ
ーザアニール方法は、エネルギ分布を線状に整形したパ
ルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの走
査ピッチを、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ
立ち下がり領域の長さより小さくすることにより、被ア
ニール膜全体に照射される実効エネルギがエネルギ立ち
下がり領域で規定されるエネルギ密度で均一化でき、被
アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動
を抑制できる。なお、正方形や長方形と言った矩形パル
スレーザビームを用いて送りピッチをエネルギ立ち下が
り領域長（通常は５０〜１００μｍ）より小さくした場
合には、平均照射数が増大しスループットの低下が大き
な問題となるが、エネルギ分布を線状に整形したパルス
レーザビームを用いた場合には、エネルギ分布の長尺方
向の走査ピッチを大きくすることによりスループットの
低下を防止できる。
は、請求項３，４，５または６記載の液晶表示装置の製
造方法において、パルスレーザビームの走査方向を、画
素用薄膜トランジスタに接続したゲート配線またはソー
ス配線と直交させてアニール処理を行う。この発明のレ
ーザアニール方法は、エネルギ分布を線状に整形したパ
ルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの走
査ピッチを、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ
立ち下がり領域の長さより小さくすることにより、被ア
ニール膜全体に照射される実効エネルギがエネルギ立ち
下がり領域で規定されるエネルギ密度で均一化でき、被
アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動
を抑制できる。なお、正方形や長方形と言った矩形パル
スレーザビームを用いて送りピッチをエネルギ立ち下が
り領域長（通常は５０〜１００μｍ）より小さくした場
合には、平均照射数が増大しスループットの低下が大き
な問題となるが、エネルギ分布を線状に整形したパルス
レーザビームを用いた場合には、エネルギ分布の長尺方
向の走査ピッチを大きくすることによりスループットの
低下を防止できる。
【００１４】また、この発明の液晶表示装置の製造方法
は、画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をア
ニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパ
ルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの短
尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザ
ビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレ
ーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方
向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さくし、かつ
パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にす
ることにより、ビーム重なり領域の特性変動が周期的に
画像に現れることを防止できる。さらに、パルスレーザ
ビームの走査方向を、画素用薄膜トランジスタのチャネ
ル幅方向と異なる方向とすることにより、画素用薄膜ト
ランジスタにおける半導体薄膜の少なくとも一部にビー
ム重なり領域が発生し、画素用薄膜トランジスタの特性
のばらつきを大幅に低減し、表示品位を向上できる。
は、画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をア
ニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパ
ルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの短
尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザ
ビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレ
ーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方
向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さくし、かつ
パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にす
ることにより、ビーム重なり領域の特性変動が周期的に
画像に現れることを防止できる。さらに、パルスレーザ
ビームの走査方向を、画素用薄膜トランジスタのチャネ
ル幅方向と異なる方向とすることにより、画素用薄膜ト
ランジスタにおける半導体薄膜の少なくとも一部にビー
ム重なり領域が発生し、画素用薄膜トランジスタの特性
のばらつきを大幅に低減し、表示品位を向上できる。
【００１５】また、この発明の液晶表示装置の製造方法
は、表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタ
を形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネル
ギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、こ
のパルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビー
ムの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さ
くし、パルスレーザビームの走査方向を駆動用薄膜トラ
ンジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることによ
り、駆動用薄膜トランジスタにおける半導体薄膜の少な
くとも一部にビーム重なり領域が発生し、画素用薄膜ト
ランジスタの特性のばらつきを大幅に低減し、駆動回路
部の出力むらを低減し、表示品位を向上できる。
は、表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタ
を形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネル
ギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、こ
のパルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビー
ムの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さ
くし、パルスレーザビームの走査方向を駆動用薄膜トラ
ンジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることによ
り、駆動用薄膜トランジスタにおける半導体薄膜の少な
くとも一部にビーム重なり領域が発生し、画素用薄膜ト
ランジスタの特性のばらつきを大幅に低減し、駆動回路
部の出力むらを低減し、表示品位を向上できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕図１はこの発明の第１の実施の形
態のレーザアニール方法を説明するための図であり、図
１（ａ）はエネルギ分布を線状に整形したレーザビーム
形状を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面で
のエネルギ分布を示す。
いて、図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕図１はこの発明の第１の実施の形
態のレーザアニール方法を説明するための図であり、図
１（ａ）はエネルギ分布を線状に整形したレーザビーム
形状を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面で
のエネルギ分布を示す。
【００１７】パルスレーザ光源として波長３０８ｎｍの
ＸｅＣｌエキシマレーザを用い、発振周波数が２００Ｈ
ｚ以上である。このパルスレーザ光の最終ビームの形状
は、図１（ａ）に示すように、長尺方向寸法Ｓ＝１８０
ｍｍ，短尺方向寸法Ｔ＝０．５ｍｍである。Ａ−Ａ’断
面でのビーム形状は、図１（ｂ）に示すように、台形状
であり、設定エネルギ密度の９０％以上の領域Ｌ１（台
形の略上辺に対応）の両端部分に、エネルギ立ち上がり
およびエネルギ立ち下がり領域を有し、台形の下辺領域
Ｌ２が形成されている。エネルギ密度の立ち上がりおよ
び立ち下がり領域は光学系の収差やレーザの位置揺らぎ
に起因するもので、比率Ｌ１／Ｌ２を０．８以上にする
ことは困難であり、比率Ｌ１／Ｌ２＜０．８となる。こ
のようなエネルギ分布を持つレーザビームを、図１
（ｂ）に示すように、ピッチＰにて走査してレーザアニ
ールを行う。この際、被アニール膜の結晶性は、設定エ
ネルギ密度Ｅm の１／２前後を境にして、図５に示した
結晶性の異なる領域ＡあるいはＢに変化するため、走査
ピッチＰをエネルギ立ち下がり領域の長さの１／２以下
にすることにより、結晶性を均一化できた。なお、ここ
では、エネルギ立ち下がり領域の長さは０．０８ｍｍで
あり、走査ピッチＰを０．０３ｍｍとした。
ＸｅＣｌエキシマレーザを用い、発振周波数が２００Ｈ
ｚ以上である。このパルスレーザ光の最終ビームの形状
は、図１（ａ）に示すように、長尺方向寸法Ｓ＝１８０
ｍｍ，短尺方向寸法Ｔ＝０．５ｍｍである。Ａ−Ａ’断
面でのビーム形状は、図１（ｂ）に示すように、台形状
であり、設定エネルギ密度の９０％以上の領域Ｌ１（台
形の略上辺に対応）の両端部分に、エネルギ立ち上がり
およびエネルギ立ち下がり領域を有し、台形の下辺領域
Ｌ２が形成されている。エネルギ密度の立ち上がりおよ
び立ち下がり領域は光学系の収差やレーザの位置揺らぎ
に起因するもので、比率Ｌ１／Ｌ２を０．８以上にする
ことは困難であり、比率Ｌ１／Ｌ２＜０．８となる。こ
のようなエネルギ分布を持つレーザビームを、図１
（ｂ）に示すように、ピッチＰにて走査してレーザアニ
ールを行う。この際、被アニール膜の結晶性は、設定エ
ネルギ密度Ｅm の１／２前後を境にして、図５に示した
結晶性の異なる領域ＡあるいはＢに変化するため、走査
ピッチＰをエネルギ立ち下がり領域の長さの１／２以下
にすることにより、結晶性を均一化できた。なお、ここ
では、エネルギ立ち下がり領域の長さは０．０８ｍｍで
あり、走査ピッチＰを０．０３ｍｍとした。
【００１８】すなわち、このレーザアニール方法を用い
ることにより、照射エネルギ履歴の差に起因する被アニ
ール膜の結晶性のばらつきを大幅に低減可能となった。 〔第２の実施の形態〕図２はこの発明の第２の実施の形
態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図であ
り、液晶表示装置のＴＦＴアレイの一画素部分を示す平
面配置図である。図２において、２１，２２はソース配
線、２３，２４はゲート配線、２５は画素電極、２６は
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）である。
ることにより、照射エネルギ履歴の差に起因する被アニ
ール膜の結晶性のばらつきを大幅に低減可能となった。 〔第２の実施の形態〕図２はこの発明の第２の実施の形
態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図であ
り、液晶表示装置のＴＦＴアレイの一画素部分を示す平
面配置図である。図２において、２１，２２はソース配
線、２３，２４はゲート配線、２５は画素電極、２６は
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）である。
【００１９】図２に示す液晶表示装置では、画素電極２
５がマトリクス状に配置され、一画素のサイズをＵ（＝
１０５μｍ）×Ｖ（＝２１０μｍ）として破線で示して
いる。各画素中には液晶に電圧を印加する画素電極２５
があり、例えばＴＦＴ２６に接続されたゲート配線２３
およびソース配線２１により、外部から画素電極２５を
スイッチングする。
５がマトリクス状に配置され、一画素のサイズをＵ（＝
１０５μｍ）×Ｖ（＝２１０μｍ）として破線で示して
いる。各画素中には液晶に電圧を印加する画素電極２５
があり、例えばＴＦＴ２６に接続されたゲート配線２３
およびソース配線２１により、外部から画素電極２５を
スイッチングする。
【００２０】この第２の実施の形態は、液晶表示装置の
ＴＦＴアレイのＴＦＴ２６の多結晶シリコン薄膜の形成
に、第１の実施の形態のように、エネルギ分布を線状に
整形したパルスレーザ（ＸｅＣｌエキシマレーザ）ビー
ムを用い、アニールを行うようにしている。パルスレー
ザビームはその短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長
さをパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小
さくし、パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレー
ザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さよ
り小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素
ピッチの約数にしている。そして、レーザビームをゲー
ト配線２３，２４と平行な方向に走査することにより、
半導体薄膜を結晶化し多結晶シリコン薄膜を形成してい
る。
ＴＦＴアレイのＴＦＴ２６の多結晶シリコン薄膜の形成
に、第１の実施の形態のように、エネルギ分布を線状に
整形したパルスレーザ（ＸｅＣｌエキシマレーザ）ビー
ムを用い、アニールを行うようにしている。パルスレー
ザビームはその短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長
さをパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小
さくし、パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレー
ザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さよ
り小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素
ピッチの約数にしている。そして、レーザビームをゲー
ト配線２３，２４と平行な方向に走査することにより、
半導体薄膜を結晶化し多結晶シリコン薄膜を形成してい
る。
【００２１】このレーザビーム走査方向での画素ピッチ
は１０５μｍであり、レーザビームの走査ピッチを画素
ピッチの約数にしている。ここで、レーザビームの走査
ピッチを画素ピッチの約数ではない例えば２３μｍに設
定した場合には、特性変動領域が２３μｍピッチで形成
される。この場合、画素ピッチと走査ピッチの最小公倍
数である２４１５μｍピッチ、すなわち２３画素ごとに
ビーム重なり部の特性変動領域がＴＦＴ２６に一致して
周期的な特性変動が発生し、画像の周期変動となり表示
品位が劣化する。これに対してこの実施の形態では、レ
ーザビームの走査ピッチを画素ピッチの約数である例え
ば２１μｍとすることにより、レーザビームの走査ピッ
チに起因する特性変動は画素ピッチに一致し、全てのＴ
ＦＴ２６にレーザ照射の重なり領域が形成されるため、
特性変動の周期性が低減し、ＴＦＴアレイの均一性が向
上した。このＴＦＴアレイを用いて液晶表示装置を作製
すると、レーザビームの走査ピッチに関わる周期的な画
像不均一性が解消され、表示品位が大幅に向上した。
は１０５μｍであり、レーザビームの走査ピッチを画素
ピッチの約数にしている。ここで、レーザビームの走査
ピッチを画素ピッチの約数ではない例えば２３μｍに設
定した場合には、特性変動領域が２３μｍピッチで形成
される。この場合、画素ピッチと走査ピッチの最小公倍
数である２４１５μｍピッチ、すなわち２３画素ごとに
ビーム重なり部の特性変動領域がＴＦＴ２６に一致して
周期的な特性変動が発生し、画像の周期変動となり表示
品位が劣化する。これに対してこの実施の形態では、レ
ーザビームの走査ピッチを画素ピッチの約数である例え
ば２１μｍとすることにより、レーザビームの走査ピッ
チに起因する特性変動は画素ピッチに一致し、全てのＴ
ＦＴ２６にレーザ照射の重なり領域が形成されるため、
特性変動の周期性が低減し、ＴＦＴアレイの均一性が向
上した。このＴＦＴアレイを用いて液晶表示装置を作製
すると、レーザビームの走査ピッチに関わる周期的な画
像不均一性が解消され、表示品位が大幅に向上した。
【００２２】〔第３の実施の形態〕図３はこの発明の第
３の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの図であり、液晶表示装置のＴＦＴアレイの一画素部
分を示す平面配置図である。図３において、２１はソー
ス配線、２３はゲート配線、２５は画素電極、２６はＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）、２７は多結晶シリコン薄膜
である。
３の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの図であり、液晶表示装置のＴＦＴアレイの一画素部
分を示す平面配置図である。図３において、２１はソー
ス配線、２３はゲート配線、２５は画素電極、２６はＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）、２７は多結晶シリコン薄膜
である。
【００２３】この第３の実施の形態は、液晶表示装置の
ＴＦＴアレイのＴＦＴ２６の多結晶シリコン薄膜２７の
形成に、第１の実施の形態のように、エネルギ分布を線
状に整形したパルスレーザ（ＸｅＣｌエキシマレーザ）
ビームを用い、このパルスレーザビームを走査すること
により、半導体薄膜を結晶化し多結晶シリコン薄膜２７
を形成している。
ＴＦＴアレイのＴＦＴ２６の多結晶シリコン薄膜２７の
形成に、第１の実施の形態のように、エネルギ分布を線
状に整形したパルスレーザ（ＸｅＣｌエキシマレーザ）
ビームを用い、このパルスレーザビームを走査すること
により、半導体薄膜を結晶化し多結晶シリコン薄膜２７
を形成している。
【００２４】パルスレーザビームサイズは、図１（ａ）
と同様、長尺方向が１８０ｍｍ，短尺方向が０．５ｍｍ
であり，短尺方向をソース配線２１と平行にし、２１μ
ｍピッチにて走査しており、平均照射数２３．８shots/
point である。画素ピッチは図２のものと同じである。
画素照射面でのエネルギ密度は３５０ｍＪ／ｃｍ2 であ
る。
と同様、長尺方向が１８０ｍｍ，短尺方向が０．５ｍｍ
であり，短尺方向をソース配線２１と平行にし、２１μ
ｍピッチにて走査しており、平均照射数２３．８shots/
point である。画素ピッチは図２のものと同じである。
画素照射面でのエネルギ密度は３５０ｍＪ／ｃｍ2 であ
る。
【００２５】この第３の実施の形態では、パルスレーザ
ビームをソース配線２１と平行に走査しており、走査方
向の画素ピッチは２１０μｍであり、レーザビームの走
査ピッチ（２１μｍ）は走査方向の画素ピッチの約数と
なっており、第２の実施の形態と同様、ＴＦＴ２６の全
てにレーザ照射の重なり領域が形成される。このＴＦＴ
２６のチャネル幅は６μｍである。このチャネル幅はレ
ーザビームの走査ピッチより小さいため、ＴＦＴのチャ
ネル幅方向がレーザビームの走査方向と一致している場
合には、レーザビームのアライメントの精度によりレー
ザビームのビーム立ち下がり領域のどの位置で半導体薄
膜にレーザビームが照射されるかが、基板によって異な
ってくる可能性が大きい。この照射位置の変動は実効的
な照射エネルギ履歴を変化させ、ＴＦＴ特性の再現性を
悪化させる。そこで、この実施の形態では、多結晶シリ
コン薄膜２７をソース配線２１に対して４５度傾けて配
置し、ＴＦＴ２６のチャネル幅方向がレーザビームの走
査方向に対して４５度の角度を有するようにしている。
これによりレーザビームに対するチャネル領域の交差領
域が広がり、レーザビームのアライメントずれ等による
レーザビームの重なり領域が常に多結晶シリコン薄膜２
７中に存在するようになり、ＴＦＴ特性のばらつきを緩
和することが可能となった。このＴＦＴアレイを用いて
液晶表示装置を作製すると、個々のＴＦＴ２６の特性ば
らつきを大幅に低減でき、表示品位が大きく向上した。
なお、パルスレーザビームの走査方向とＴＦＴ２６のチ
ャネル幅方向とは、１０度以上９０度以下の交差角度を
有してあればその効果は得られる。
ビームをソース配線２１と平行に走査しており、走査方
向の画素ピッチは２１０μｍであり、レーザビームの走
査ピッチ（２１μｍ）は走査方向の画素ピッチの約数と
なっており、第２の実施の形態と同様、ＴＦＴ２６の全
てにレーザ照射の重なり領域が形成される。このＴＦＴ
２６のチャネル幅は６μｍである。このチャネル幅はレ
ーザビームの走査ピッチより小さいため、ＴＦＴのチャ
ネル幅方向がレーザビームの走査方向と一致している場
合には、レーザビームのアライメントの精度によりレー
ザビームのビーム立ち下がり領域のどの位置で半導体薄
膜にレーザビームが照射されるかが、基板によって異な
ってくる可能性が大きい。この照射位置の変動は実効的
な照射エネルギ履歴を変化させ、ＴＦＴ特性の再現性を
悪化させる。そこで、この実施の形態では、多結晶シリ
コン薄膜２７をソース配線２１に対して４５度傾けて配
置し、ＴＦＴ２６のチャネル幅方向がレーザビームの走
査方向に対して４５度の角度を有するようにしている。
これによりレーザビームに対するチャネル領域の交差領
域が広がり、レーザビームのアライメントずれ等による
レーザビームの重なり領域が常に多結晶シリコン薄膜２
７中に存在するようになり、ＴＦＴ特性のばらつきを緩
和することが可能となった。このＴＦＴアレイを用いて
液晶表示装置を作製すると、個々のＴＦＴ２６の特性ば
らつきを大幅に低減でき、表示品位が大きく向上した。
なお、パルスレーザビームの走査方向とＴＦＴ２６のチ
ャネル幅方向とは、１０度以上９０度以下の交差角度を
有してあればその効果は得られる。
【００２６】〔第４の実施の形態〕図４はこの発明の第
４の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの図であり、液晶表示装置の平面配置図である。図４
において、２１，２２はソース配線、２３，２４はゲー
ト配線、３１は走査側駆動回路、３２はデータ側駆動回
路、３３は表示領域である。
４の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの図であり、液晶表示装置の平面配置図である。図４
において、２１，２２はソース配線、２３，２４はゲー
ト配線、３１は走査側駆動回路、３２はデータ側駆動回
路、３３は表示領域である。
【００２７】この第４の実施の形態は、表示領域３３の
各画素は図２または図３の構成と同様であり、走査側駆
動回路３１とデータ側駆動回路３２が内蔵された液晶表
示装置である。ゲート配線２３，２４とソース配線２
１，２２とが直交し、それぞれが走査側駆動回路３１と
データ側駆動回路３２により駆動されている。そして、
データ側駆動回路３２を形成するデータ側駆動用ＴＦＴ
のゲート配線の方向が、表示領域３３のソース配線２
１，２２の方向と平行にならず、かつ走査側駆動回路３
１を形成する走査側駆動用ＴＦＴのゲート配線の方向
が、表示領域３３のゲート配線２３，２４の方向と平行
にならないように形成されている。具体的には、走査
側，データ側駆動回路３１，３２を形成するＴＦＴのチ
ャネル長方向あるいはチャネル幅方向が、表示領域３３
のゲート配線２３，２４およびソース配線２１，２２の
方向と直交しないように配置されている。そして、レー
ザビームを、表示領域３３のゲート配線２３，２４と直
交する方向に走査している。
各画素は図２または図３の構成と同様であり、走査側駆
動回路３１とデータ側駆動回路３２が内蔵された液晶表
示装置である。ゲート配線２３，２４とソース配線２
１，２２とが直交し、それぞれが走査側駆動回路３１と
データ側駆動回路３２により駆動されている。そして、
データ側駆動回路３２を形成するデータ側駆動用ＴＦＴ
のゲート配線の方向が、表示領域３３のソース配線２
１，２２の方向と平行にならず、かつ走査側駆動回路３
１を形成する走査側駆動用ＴＦＴのゲート配線の方向
が、表示領域３３のゲート配線２３，２４の方向と平行
にならないように形成されている。具体的には、走査
側，データ側駆動回路３１，３２を形成するＴＦＴのチ
ャネル長方向あるいはチャネル幅方向が、表示領域３３
のゲート配線２３，２４およびソース配線２１，２２の
方向と直交しないように配置されている。そして、レー
ザビームを、表示領域３３のゲート配線２３，２４と直
交する方向に走査している。
【００２８】このようにして、走査側，データ側駆動回
路３１，３２の駆動用ＴＦＴを形成することにより、レ
ーザビームの走査方向に対する駆動用ＴＦＴのチャネル
領域の交差領域が広がり、レーザビームのアライメント
ずれ等によるレーザビームの重なり領域が常に駆動用Ｔ
ＦＴの多結晶シリコン薄膜中に存在するようになり、Ｔ
ＦＴ特性のばらつきを大幅に低減し、走査側，データ側
駆動回路３１，３２の出力むらを低減でき、表示品位が
大きく向上した。
路３１，３２の駆動用ＴＦＴを形成することにより、レ
ーザビームの走査方向に対する駆動用ＴＦＴのチャネル
領域の交差領域が広がり、レーザビームのアライメント
ずれ等によるレーザビームの重なり領域が常に駆動用Ｔ
ＦＴの多結晶シリコン薄膜中に存在するようになり、Ｔ
ＦＴ特性のばらつきを大幅に低減し、走査側，データ側
駆動回路３１，３２の出力むらを低減でき、表示品位が
大きく向上した。
【００２９】
【発明の効果】この発明のレーザアニール方法は、エネ
ルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、
このパルスレーザビームの走査ピッチを、パルスレーザ
ビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより
小さくすることにより、被アニール膜全体に照射される
実効エネルギがエネルギ立ち下がり領域で規定されるエ
ネルギ密度で均一化でき、被アニール膜のレーザビーム
の走査ピッチによる特性変動を抑制できる。
ルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、
このパルスレーザビームの走査ピッチを、パルスレーザ
ビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより
小さくすることにより、被アニール膜全体に照射される
実効エネルギがエネルギ立ち下がり領域で規定されるエ
ネルギ密度で均一化でき、被アニール膜のレーザビーム
の走査ピッチによる特性変動を抑制できる。
【００３０】また、この発明の液晶表示装置の製造方法
は、画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をア
ニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパ
ルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの短
尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザ
ビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレ
ーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方
向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さくし、かつ
パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にす
ることにより、ビーム重なり領域の特性変動が周期的に
画像に現れることを防止できる。さらに、パルスレーザ
ビームの走査方向を、画素用薄膜トランジスタのチャネ
ル幅方向と異なる方向とすることにより、画素用薄膜ト
ランジスタにおける半導体薄膜の少なくとも一部にビー
ム重なり領域が発生し、画素用薄膜トランジスタの特性
のばらつきを大幅に低減し、表示品位を向上できる。
は、画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をア
ニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパ
ルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの短
尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザ
ビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレ
ーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方
向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さくし、かつ
パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にす
ることにより、ビーム重なり領域の特性変動が周期的に
画像に現れることを防止できる。さらに、パルスレーザ
ビームの走査方向を、画素用薄膜トランジスタのチャネ
ル幅方向と異なる方向とすることにより、画素用薄膜ト
ランジスタにおける半導体薄膜の少なくとも一部にビー
ム重なり領域が発生し、画素用薄膜トランジスタの特性
のばらつきを大幅に低減し、表示品位を向上できる。
【００３１】また、この発明の液晶表示装置の製造方法
は、表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタ
を形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネル
ギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、こ
のパルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビー
ムの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さ
くし、パルスレーザビームの走査方向を駆動用薄膜トラ
ンジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることによ
り、駆動用薄膜トランジスタにおける半導体薄膜の少な
くとも一部にビーム重なり領域が発生し、画素用薄膜ト
ランジスタの特性のばらつきを大幅に低減し、駆動回路
部の出力むらを低減し、表示品位を向上できる。
は、表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタ
を形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネル
ギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、こ
のパルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビー
ムの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さ
くし、パルスレーザビームの走査方向を駆動用薄膜トラ
ンジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることによ
り、駆動用薄膜トランジスタにおける半導体薄膜の少な
くとも一部にビーム重なり領域が発生し、画素用薄膜ト
ランジスタの特性のばらつきを大幅に低減し、駆動回路
部の出力むらを低減し、表示品位を向上できる。
【図１】この発明の第１の実施の形態のレーザアニール
方法を説明するための図。
方法を説明するための図。
【図２】この発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法を説明するための図。
製造方法を説明するための図。
【図３】この発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法を説明するための図。
製造方法を説明するための図。
【図４】この発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の
製造方法を説明するための図。
製造方法を説明するための図。
【図５】従来のレーザアニール方法を説明するための
図。
図。
２１，２２ ソース配線 ２３，２４ ゲート配線 ２５ 画素電極 ２６ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ３１ 走査側駆動回路 ３２ データ側駆動回路
Claims (7)
- 【請求項１】 被アニール膜にエネルギ分布を線状に整
形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザ
ビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより
前記パルスレーザビームの走査ピッチを小さくすること
を特徴とするレーザアニール方法。 - 【請求項２】 パルスレーザビームの走査ピッチを、前
記パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり
領域の長さの１／２以下にする請求項１記載のレーザア
ニール方法。 - 【請求項３】 マトリクス状に画素電極とゲート配線お
よびソース配線とを配置し、前記各画素電極，ゲート配
線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続し
た第１の基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向
配置した第２の基板とを備えた液晶表示装置の製造方法
であって、 前記画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をア
ニール処理する際に、前記半導体薄膜にエネルギ分布を
線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパル
スレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の
長さを前記パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチ
より小さくし、前記パルスレーザビームの走査ピッチを
前記パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下が
り領域の長さより小さくし、かつ前記パルスレーザビー
ムの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 パルスレーザビームの走査方向を、画素
用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向とし
てアニール処理を行う請求項３記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項５】 パルスレーザビームの走査方向は、画素
用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と１０度以上９０
度以下の交差角度を有してアニール処理を行う請求項４
記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 マトリクス状に画素電極とゲート配線お
よびソース配線とを配置し、前記各画素電極，ゲート配
線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続し
た表示領域と、この表示領域の周辺に形成した駆動用薄
膜トランジスタを有する駆動回路領域とを設けた第１の
基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向配置した
第２の基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であっ
て、 前記駆動用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をア
ニール処理する際に、前記半導体薄膜にエネルギ分布を
線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパル
スレーザビームの走査ピッチを前記パルスレーザビーム
の短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さく
し、前記パルスレーザビームの走査方向を前記駆動用薄
膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向とするこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 パルスレーザビームの走査方向を、画素
用薄膜トランジスタに接続したゲート配線またはソース
配線と直交させてアニール処理を行う請求項３，４，５
または６記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21193595A JP3029787B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21193595A JP3029787B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961843A true JPH0961843A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3029787B2 JP3029787B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=16614124
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|---|---|---|---|
| JP21193595A Expired - Fee Related JP3029787B2 (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3029787B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023806A1 (fr) * | 1995-12-26 | 1997-07-03 | Seiko Epson Corporation | Substrat de matrice active, son procede de fabrication, affichage a cristaux liquides et equipement electronique |
| KR19990029581A (ko) * | 1997-09-08 | 1999-04-26 | 다카노 야스아키 | 반도체 장치 및 액정 표시 장치 |
| JPH11214700A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置 |
| JP2001326365A (ja) * | 2001-03-27 | 2001-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2002341378A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタパネルおよび液晶表示装置 |
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