JPH0961856A

JPH0961856A - 液晶素子及びその製造方法、該素子を用いた液晶装置

Info

Publication number: JPH0961856A
Application number: JP23598495A
Authority: JP
Inventors: Koichi Sato; 公一佐藤; Yukio Haniyu; 由紀夫羽生; Kenji Shinjo; 健司新庄; Yoshimasa Mori; 省誠森; Nobutsugu Yamada; 修嗣山田; Koji Noguchi; 幸治野口
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-08-23
Filing date: 1995-08-23
Publication date: 1997-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】カイラルスメクティック液晶を用いてなる液
晶素子において、スイッチング性の経時的な劣化を抑制
し、信頼性の高い表示装置を実現する。【解決手段】少なくとも一方の基板にポリイミドから
なる配向制御層を設けた液晶素子において、カイラルス
メクティック液晶注入前または注入後に光束が３０００
［ｌｍ］以上で３５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長域の光源
により露光を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフラットパネルディ
スプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター
等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子及び
その製造方法、該素子を使用した液晶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から最も広範に用いられてきている
ディスプレイとしては、ＣＲＴが知られている。ＣＲＴ
は、テレビやＶＴＲなどの動画出力、あるいはパソコン
のモニターとして広く用いられている。しかしながら、
ＣＲＴはその特性上、静止画像に対してはフリッカや解
像度不足による走査縞等が視認性を低下させたり、焼き
つきによる蛍光体の劣化が起こったりする。また、最近
ではＣＲＴが発生する電磁波が人体に悪影響を与えるこ
とが分かり、ＶＤＴ作業者の健康を害する恐れがある。
そして、構造上、画面後方に広く体積を有するため、オ
フィス、家庭の省スペース化を阻害し、ひいては、高度
情報社会におけるディスプレイとしての責任を果たし得
ない可能性がある。

【０００３】このようなＣＲＴの欠点を解決するものと
して液晶表示素子がある。例えばエム・シャット（Ｍ．
Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅ
ｌｆｒｉｃｈ）著”アプライド・フィジックス・レター
ズ”（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ
ｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）
第１２７頁〜１２８頁において示されたツイステッド・
ネマティック（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）液晶
を用いたものが知られている。ひとつにはコスト面で優
位性を持つ単純マトリクスタイプの液晶素子がある。こ
の液晶素子は画素密度を高くしたマトリクス電極構造を
用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問題点
があるため、画素数が制限されていた。また、応答速度
が数十ミリ秒以上と遅いため、ディスプレイとしての用
途も制限されていた。近年このような単純マトリクスタ
イプのものに対して、ＴＦＴといわれる液晶素子の開発
が行われている。このタイプは一つ一つの画素にトラン
ジスタを作成するため、クロストークや応答速度の問題
は解決される反面、大面積になればなるほど、不良画素
なく液晶素子を作成することが工業的に非常に困難であ
り、また可能であっても多大なコストが発生する。

【０００４】このような従来型の液晶素子の欠点を改善
するものとして、双安定性からなる液晶素子の使用がク
ラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗ
ａｌｌ）により提案されている。（特開昭５６−１０７
２１６、米国特許第４３６７９２４号明細書）この双安
定性からなる液晶としては、一般にカイラルスメクティ
ックＣ相またはカイラルスメクティックＨ相からなる強
誘電性液晶が用いられている。この強誘電性液晶は、自
発分極により反転スイッチングを行うため、非常に早い
応答速度からなる上にメモリー性のある双安定状態を発
現させることができる。さらに視野角特性も優れている
ことから、高速、高精細、大面積の表示素子あるいはラ
イトバルブとして適していると考えられる。また、最近
では、チャンダニ、竹添らにより、３つの安定状態を有
するカイラルスメクティック反強誘電液晶素子も提案さ
れている（ジャパニーズジャーナルオブアプライ
ドフィジックス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ）２７巻、１９８
８年Ｌ７２９頁）。

【０００５】さらにブックシェルフといわれる層状構造
（以下該構造をブックシェルフと記す）あるいはそれに
近い構造を現出させ、高コントラストを実現しようとい
う動きがある（例えば「次世代液晶ディスプレイと液晶
材料」（株）シーエムシー、福田敦夫編、１９９２
年）。また、ブックシェルフあるいはそれに近い構造を
もつ液晶としてパーフルオロエーテル側鎖をもつ液晶性
化合物（米国特許５，２６２，０８２、国際出願特許Ｗ
Ｏ９３／２２３９６、１９９３年第４回強誘電液晶国際
会議Ｐ−４６、ＭａｒｃＤ．Ｒａｄｃｌｉｆｆｅら）
が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】以上に説明してきた、
ツイステッドネマティック（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａ
ｔｉｃ）液晶を用いた液晶素子、カイラルスメクティッ
クＣ相またはカイラルスメクティックＨ相からなる強誘
電性液晶が用いた液晶素子については、経時的にスイッ
チング性が劣化するという問題点が存在する場合が多
い。代表的には焼き付きと言われる現象があるが、一般
に経時劣化の機構は非常に複雑であり、様々な手法によ
る改善が強く求められている。

【０００７】本発明は上記従来技術に鑑みてなされたも
のであり、その課題とするところは、液晶素子における
スイッチング性の経時的な劣化が抑制された液晶素子、
ひいては耐久性の高い液晶装置を提供しようとすること
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、上
下電極上に配向制御層を有しかつ液晶物質を担持し電気
信号により液晶の配向状態を変化させる液晶素子におい
て、液晶の注入前あるいは注入後に、光束が３０００
［ｌｍ］以上の光源を用いて、露光を行った液晶素子に
よって達成される。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１に本発明の液晶素子の１例を
挙げた。１が液晶組成物からなる液晶層であり、２は基
板であり、ガラス、プラスチック等が用いられる。３が
ＩＴＯ等の透明電極である。４が配向制御層であり、少
なくとも一方の基板上に一軸配向制御層が必要である。
４とＩＴＯ等の電極との間に何らかの中間層、例えばシ
ョート防止層等の中間層を有していても良い。５は、基
板を貼り合わせるシール材である。この他に、基板間に
はシリカビーズ等のギャップ制御スペーサー（不図示）
等が設けられる。７が信号電源、８が偏光板、９がバッ
クライトである。信号電源７からのスイッチング信号に
応じ透明電極３を介して液晶１に電圧が印加されてスイ
ッチングが行われ、表示素子等のライトバルブとして機
能する。また、透明電極３を上下でマトリクスとすれば
パターン表示、パターン露光が可能となり、例えばワー
クステーション、パーソナルコンピューター、ワードプ
ロセッサー等のディスプレイ、プリンター用ライトバル
ブとして用いられ得る。

【００１０】本発明は、このような液晶素子の液晶注入
前あるいは注入の後に光束が３０００［ｌｍ］以上の光
源を用いて、露光を行うことに特徴を有する。

【００１１】液晶素子に用いられる配向制御層あるいは
中間層は半導性もしくは絶縁性であるため、光誘起の帯
電現象が生じる。これは通常の使用状態における室内の
環境においても生じている可能性が高い。本発明はこの
点に着目し、帯電状況を安定化するため、通常使用環境
以上の強度の光で一定時間以上露光処理を行ったとこ
ろ、液晶素子の使用後におけるスイッチング性の経時的
変化の抑制をはかることができた。

【００１２】本発明中における露光の光は、通常使用環
境における波長環境が望ましく、３５０ｎｍ〜７００ｎ
ｍの範囲を持つものが良く、さらに通常使用環境の光強
度より強いことが必要である。具体的には３０００［ｌ
ｍ］以上であり、露光時間を短縮する意味でも好ましく
は５０００［ｌｍ］以上である。露光は液晶が入った状
態でもよく、入っていない状態でも良い。光源には紫外
光が含まれている場合もあることから、液晶が入った状
態で行う場合、液晶の分解が懸念されることから、ＵＶ
カットフィルターを光源にとりつけた方がよい。本発明
に用いられる光源としては、十分な光強度を有するもの
ならばよく、高圧水銀灯やキセノンランプ等が用いられ
る。また、３５０ｎｍ〜７００ｎｍの全範囲の波長を持
たない光源であっても、レーザーのように高強度の光源
であれば、用いることもできる。露光時間については、
セルに使用される材料に依存するが、強い光強度によれ
ばよるほど短時間で効果を得ることができ、コスト的に
有利である。一方であまりに過度に光強度を強くすると
液晶材料の分解劣化を引き起こす可能性があるため、用
いられるセル構成、液晶材料によって最適化する必要が
あるが、通常１分から１０００時間の範囲で露光する。

【００１３】本発明の液晶素子としては、自発分極によ
る反転を利用したカイラルスメクティック液晶素子が極
性によるスイッチングにより駆動することから、帯電の
影響を受けやすいという点で、帯電状況を安定化させる
という本発明の効果が顕著である。また、上下の配向制
御層が異なる構成の素子は、その構成が非対称のため、
上下で帯電によると考えられる経時的変化が異なる場合
が多く、本発明による経時安定化の効果が大きい。

【００１４】本発明に用いられる液晶としては、ツイス
テッドネマティック（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉ
ｃ）液晶、カイラルスメクティックＣ相またはカイラル
スメクティックＨ相からなる強誘電性液晶等が用いられ
る。本発明で好ましく用いられる強誘電性液晶について
はカイラルスメクティックＣ相またはカイラルスメクテ
ィックＨ相からなるものであればどんなものでも良い
が、好ましくはブックシェルフあるいはそれに近い層傾
き角の小さな層構造を有するカイラルスメクティック液
晶が良好な駆動特性を有するという点でよい。また、液
晶としては、少なくとも一種のカイラルドーパントを含
み、（１）フルオロカーボン末端部分及び炭化水素また
はもう一つのフルオロカーボン末端部分を含むアキラル
フッ素含有液晶化合物であって、末端部分が中心核によ
って結合され、化合物がスメクティック中間相または潜
在的スメクティック中間相を持つものを含むもの、ある
いは（２）少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を持つ
フルオロカーボン末端鎖と、炭化水素末端鎖からなるフ
ッ素含有液晶化合物であって、該末端鎖が中心核によっ
て結合され、化合物がスメクティック中間相あるいは潜
在的スメクティック中間相を持つ化合物が電子スペクト
ル吸収波長端が短波長のため、本発明の露光による光劣
化を受けにくいため、そしてもう一つはブックシェルフ
構造をとりやすく良好な駆動特性を有するという点で好
ましく用いられる。具体的な例としては次のものが挙げ
られる。

【００１５】

【化１】

【００１６】

【化２】

【００１７】透過型の液晶素子の場合、多くはバックラ
イトなるものが用いられる。バックライトには通常蛍光
ランプが用いられる。このような液晶素子に対して、本
発明は特に有効である。バックライトの光強度は、液晶
素子の帯電状態を安定化するためには十分でなく、従来
から駆動特性の経時的変化が問題となっていた。バック
ライトが用いられる液晶素子においては、本発明の高強
度の光による露光処理はバックライトの光強度以上の光
源が好ましく用いられ、このことにより、帯電状態を安
定化し、特に有効である。このような観点でバックライ
トの光強度に応じて、本発明の露光処理には、３０００
［ｌｍ］以上、あるいは５０００［ｌｍ］以上、より好
ましくは７０００［ｌｍ］以上の光源が用いられる。ま
た、１００００［ｌｍ］以上の光源が好適に用いられる
場合もある。

【００１８】また、このような液晶素子において、本発
明で好ましく用いられる液晶である“フルオロカーボン
末端部分及び炭化水素またはもう一つのフルオロカーボ
ン末端部分を含むアキラルフッ素含有液晶化合物であっ
て、末端部分が中心核によって結合され、化合物がスメ
クティック中間相または潜在的スメクティック中間相を
持つものを含むもの”あるいは“少なくとも一つの連鎖
中エーテル酸素を持つフルオロカーボン末端鎖と、炭化
水素末端鎖からなるフッ素含有液晶化合物であって、該
末端鎖が中心核によって結合され、化合物がスメクティ
ック中間相あるいは潜在的スメクティック中間相を持つ
化合物”はティルト角が最適の透過率が得られる２２．
５度付近であるため、ここで用いられるバックライトの
光量は従来ある液晶素子に比べ、低強度で十分な表示性
能を得ることができる。これは低消費電力、バックライ
トコストの低減という点では非常に好ましいが、バック
ライトの低光量が長期にわたる帯電状態の変化を誘起す
ることもある。このようなケースにとって本発明の高強
度の露光処理は極めて有効である。

【００１９】本発明の液晶素子の駆動法としては、例え
ば特開昭５９−１９３４２６号公報、特開昭５９−１９
３４２７号公報、特開昭６０−１５６０４６号公報、特
開昭６０−１５６０４７号公報などに開示された駆動法
を適用することができる。

【００２０】図６は、上記駆動法の波形図の一例であ
る。また、図５は、マトリクス電極を配置したカイラル
スメクティック液晶パネルの一例の平面図である。図５
の液晶パネル５１には、走査電極群５２の走査線と情報
電極群５３のデータ線とが互いに交差して配線され、そ
の交差部の走査線とデータ線との間にはカイラルスメク
ティック液晶が配置されている。

【００２１】図６（Ａ）中のＳ_Sは選択された走査線に
印加する選択走査波形を、Ｓ_Nは選択されていない非選
択走査波形を、Ｉ_Sは選択されたデータ線に印加する選
択情報波形（黒）を、Ｉ_Nは選択されていないデータ線
に印加する非選択情報信号（白）を表わしている。ま
た、図中（Ｉ_S−Ｓ_S）と（Ｉ_N−Ｓ_S）は選択された走査
線上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉ_S−Ｓ_S）が
印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉ_N−
Ｓ_S）が印加された画素は白の表示状態をとる。

【００２２】図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示す駆動波形
で、図４に示す表示を行ったときの時系列波形である。

【００２３】図６に示す駆動例では、選択された走査線
上の画素に印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔ
が書込み位相ｔ₂の時間に相当し、１ラインクリヤｔ₁位
相の時間が２Δｔに設定されている。

【００２４】さて、図６に示した駆動波形の各パラメー
タＶ_S，Ｖ_I，Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチン
グ特性によって決定される。

【００２５】図７は後述するバイアス比を一定に保った
まま駆動電圧（Ｖ_S＋Ｖ_I）を変化させた時の透過率Ｔの
変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここではΔ
ｔ＝５０μｓｅｃ、バイアス比Ｖ_I／（Ｖ_I＋Ｖ_S）＝１
／３に固定されている。図７の正側は図６で示した（Ｉ
_N−Ｓ_S）、負側は（Ｉ_S−Ｓ_S）で示した波形が印加され
る。

【００２６】ここで、Ｖ₁，Ｖ₃をそれぞれ実駆動閾値電
圧及びクロストーク電圧と呼ぶ。また、Ｖ₂＜Ｖ₁＜Ｖ₃
の時ΔＶ＝（Ｖ₃−Ｖ₁）／（Ｖ₃＋Ｖ₁）を電圧マージン
と呼び、マトリクス駆動可能な電圧幅のパラメータとな
る。Ｖ₃はカイラルスメクティック液晶表示素子駆動
上、一般的に存在すると言ってよい。具体的には、図６
（Ａ）（Ｉ_N−Ｓ_S）の波形におけるＶ_Bによるスイッチ
ングを起こす電圧値である。勿論、バイアス比を大きく
することによりＶ₃の値を大きくすることは可能である
が、バイアス比を増すことは情報信号の振幅を大きくす
ることを意味し、画質的にはちらつきの増大、コントラ
ストの低下を招き好ましくない。

【００２７】我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４
程度が実用的であった。ところで、バイアス比を固定す
れば、電圧マージンΔＶは液晶材料のスイッチング特性
及び素子構成に強く依存し、ΔＶの大きい素子がマトリ
クス駆動上非常に有利であることは言うまでもない。

【００２８】また、同様に上述した電圧を一定に保ち、
電圧印加時間をΔｔを変化させていくことにより、駆動
をすることも可能である。上述した電圧をそのまま電圧
印加時間とすればよく、その際電圧印加時間閾値をΔｔ
₁とし、電圧印加時間クロストーク値をΔｔ₂とし、（Δ
ｔ₂−Δｔ₁）／（Δｔ₂＋Δｔ₁）＝ΔＴを電圧印加時間
マージンという。

【００２９】この様なある一定温度において、情報信号
の２通りの向きによって選択画素に「黒」及び「白」の
２状態を書き込むことが可能であり、非選択画素はその
「黒」又は「白」の状態を保持することが可能である電
圧マージンまたは電圧印加時間マージンは液晶材料及び
素子構成によって差が有り、特有なものである。また、
環境温度の変化によっても駆動マージンはズレていくた
め、実際の表示装置の場合、液晶材料、素子構成や環境
温度に対して最適な駆動条件にしておく必要がある。

【００３０】また、４の配向制御層は上下で異なる材料
であっても、あるいは処理されていても良い。一軸配向
制御層の形成方法としては、例えば基板上に溶液塗工ま
たは蒸着あるいはスパッタリング等により、一酸化珪
素、二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ
化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリ
コン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機
物やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリイミドア
ミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエステルイミ
ド、ポリパラキシレン、ポリカーボネート、ポリビニル
アセタール、ポリビニルクロライド、ポリスチレン、ポ
リシロキサン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ウレア
樹脂、アクリル樹脂などの有機物を用いて被膜形成した
のち、表面をビロード、布あるいは紙等の繊維状のもの
で摺擦（ラビング）することにより得られる。また、Ｓ
ｉＯ等の酸化物あるいは窒化物などを基板の斜方から蒸
着する、斜方蒸着法なども用いられ得る。

【００３１】本発明の液晶素子の配向膜材料としては、
耐熱性、塗工性等の観点で以下の一般式［１］で表され
る繰り返し単位を有するポリイミドが良好な配向を得ら
れる点で好ましく用いられる。

【００３２】一般式［１］

【００３３】

【化３】

【００３４】

【化４】を表す。

【００３５】具体的な例示としては以下の構造が挙げら
れる。

【００３６】

【化５】

【００３７】

【化６】

【００３８】本発明中の液晶素子の配向膜構成は、用い
られる液晶がネマティック相あるいはコレステリック相
を持たない場合特に、良好な配向性が得られるという点
で非対称である方が良い。その時、ポリイミド等のラビ
ング膜の対向側は透明電極そのままでも良いが、ショー
ト防止等のための膜が存在している方がよく、具体的に
は有機膜、無機膜のいずれもが用いられ得る。良好な塗
工性を有する点で、シランカップリング剤あるいは有機
高分子材料が好ましい。

【００３９】本発明の液晶素子は種々の機能を有する能
動素子として種々の液晶装置を構成する。その具体例と
して、当該液晶素子を表示パネル部に使用し、図２、図
３に示した走査線アドレス情報をもつ画像情報なるデー
タフォーマット及びＳＹＮ信号による通信同期手段を取
ることにより液晶表示装置を実現する。図中の符号はそ
れぞれ以下のとおりである。

【００４０】１０１カイラルスメクティック液晶表示
装置１０２グラフィックコントローラ１０３表示パネル１０４走査線駆動装置１０５情報線駆動装置１０６デコーダ１０７走査信号発生装置１０８シフトレジスタ１０９ラインメモリ１１０情報信号発生装置１１１駆動制御回路１１２ＧＣＰＵ１１３ホストＣＰＵ１１４ＶＲＡＭ

【００４１】画像情報の発生は、本体装置側のグラフィ
ックコントローラ１０２にて行われ、図２及び図３に示
した信号転送手段にしたがって表示パネル１０３へと転
送される。グラフィックコントローラ１０２は、ＣＰＵ
（中央演算処理装置、ＧＣＰＵと略す。）及びＶＲＡＭ
（画像情報格納用メモリ）１１４を核にホストＣＰＵ１
１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の管理や通信を
つかさどっている。尚、該表示パネルの裏面には、光源
が配置されている。

【００４２】本発明の液晶装置の一例である表示装置で
は、表示媒体である液晶素子のスイッチング特性の経済
時な劣化あるいは変化がきわめて効果的に抑制されてい
るために、高信頼性、高精細、大面積の表示画像を得る
ことができる。

【００４３】

【実施例】以下本発明を実施例に沿ってさらに詳細に説
明する。

【００４４】［セルの作成］ＩＴＯ付きガラス基板に東
レ（株）製ポリイミド前駆体ＬＰ６４のＮＭＰ／ｎＢＣ
＝２／１溶液をスピンコートし、焼成して以下の構造の
ポリイミド塗工膜を得た。これを布でラビング処理を施
し、一軸配向膜とした。次にＩＴＯ付きガラス基板にシ
ランカップリング剤（オクタデシルトリエトキシシラ
ン）をスピンコートし、焼成した。両基板にシリカビー
ズスペーサーを散布し、貼り合わせ、ギャップ１．８μ
ｍのセルを作成した。

【００４５】［特性評価］コントラストは偏光顕微鏡を
用いて、フォトマルチプライヤーにより、最暗軸にステ
ージを固定し、白状態の出力を黒状態の出力で除した値
である。駆動波形は前述したバイアス比１／３の波形を
用いた。駆動マージンも同様に評価した。

【００４６】［実施例１］前記セルに５００Ｗのキセノ
ンランプ（１３０００［ｌｍ］）を３０ｃｍの距離から
２時間光照射した。このセルに下記の液晶組成物を注入
したところ、注入後のコントラストは６７であった。ま
た、１００時間後のコントラストをコントラストの保持
率で評価したところ、その保持率は９８．８％であっ
た。駆動マージン保持率は８８％であった。ここでの駆
動マージン保持率が少なくとも６０％以上であれば、実
用上大きな効果がある。

【００４７】本発明で用いた液晶組成物は次に示す化合
物を下記の比率で混合したものである。

【００４８】Ａ／Ｂ₁／Ｂ₂／Ｂ₃／Ｃ＝８０／３／３／
４／５（重量比）

【００４９】

【化７】

【００５０】［実施例２］前記セルに前記液晶組成物を
注入し、５００Ｗのキセノンランプ（１３０００［ｌ
ｍ］）を３０ｃｍの距離からＵＶカットフィルターを介
して４時間光照射した。実施例１と同様にコントラスト
保持率は高く、９４．５％であった。駆動マージン保持
率は８９％であった。

【００５１】［比較例１］前記実施例１で用いた同じセ
ルでキセノンランプによる光照射をしなかったセルを用
いて、同じ液晶を注入し、直後のコントラストを評価し
たところ、６５であった。経時変化を評価した。コント
ラスト保持率は５８％、駆動マージン保持率は３７％で
あった。

【００５２】［比較例２］前記セル構成で両側基板にポ
リイミド配向膜を設けたセルを作成した。キセノンラン
プによる光照射をせず、実施例１で用いた液晶を注入
し、直後のコントラストを評価したところ、２８であっ
た。経時変化を評価した。コントラスト保持率は５６
％、駆動マージン保持率は０％であった。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、簡易な手段により液晶
素子の経理時安定性を飛躍的に改善し、優れた表示品
位、大面積、高精細、高信頼性のスイッチング素子、ラ
イトバルブ素子を実現することができ、これまでにな
い、優れた性能を有する表示装置の実現を可能とした。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の断面図を示す図である。

【図２】本発明の液晶素子を備えた表示装置とグラフィ
ックスコントローラを示すブロック図である。

【図３】表示装置とグラフィクスコントローラとの間の
画像情報通信タイミングチャートを示す図である。

【図４】図６に示す時系列駆動波形で実際の駆動を行な
った時の表示パターンの模式図である。

【図５】マトリクス電極を配置した液晶パネルの平面図
である。

【図６】本発明の液晶素子の駆動に用いられる駆動波形
の一例を示す図である。

【図７】本発明にかかる、駆動電圧を変化させた時の透
過率の変化を表すグラフ（Ｖ−Ｔ特性図）である。１液晶層２基板３透明電極４配向制御層５スペーサー６リード線７信号電源８偏光板９光源１０１カイラルスメクティック液晶表示装置１０２グラフィックコントローラ１０３表示パネル１０４走査線駆動装置１０５情報線駆動装置１０６デコーダ１０７走査信号発生装置１０８シフトレジスタ１０９ラインメモリ１１０情報信号発生装置１１１駆動制御回路１１２ＧＣＰＵ１１３ホストＣＰＵ１１４ＶＲＡＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者森省誠東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者山田修嗣東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者野口幸治東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上下電極上に配向制御層を有しかつ液晶
物質を担持し電気信号により液晶の配向状態を変化させ
る液晶素子において、液晶の注入前あるいは注入後に、
光束が３０００［ｌｍ］以上の光源を用いて、露光を行
ったことを特徴とする液晶素子。
【請求項２】前記光源が３５０ｎｍ〜７００ｎｍの範
囲の波長域を持つ請求項１記載の液晶素子。
【請求項３】前記光源の光束が５０００［ｌｍ］以上
の光源を用いた請求項１または２に記載の液晶素子。
【請求項４】前記液晶素子中の配向制御層が上下で異
なる請求項１〜３いずれかに記載の液晶素子。
【請求項５】前記液晶素子中に用いられる液晶がカイ
ラルスメクティック液晶である請求項１〜４いずれかに
記載の液晶素子。
【請求項６】前記カイラルスメクティック液晶が強誘
電性を有する請求項５記載の液晶素子。
【請求項７】前記１〜６のいずれかに記載の液晶素子
を使用したことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】上下電極上に配向制御層を有しかつ液晶
物質を担持し電気信号により液晶の配向状態を変化させ
る液晶素子の製造方法であって、液晶の注入前あるいは
注入後に、光束が３０００［ｌｍ］以上の光源を用い
て、露光を行うことを特徴とする液晶素子の製造方法。