JPH0963138A

JPH0963138A - 光磁気ディスク

Info

Publication number: JPH0963138A
Application number: JP7220589A
Authority: JP
Inventors: Hirofumi Senda; 浩文千田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1995-08-29
Filing date: 1995-08-29
Publication date: 1997-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界が
小さくでき、膜の密着性を高めた光磁気ディスクを提供
する。【解決手段】誘電体層５と光磁気記録層６と誘電体層７
と反射層８とを順次積層し、この誘電体層５が酸化シリ
コン層５ａと窒化シリコン層５ｂと酸化シリコン層５ｃ
とを順次積層してなる３層構造である光磁気ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光磁気ディスクの改
良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】特公平７−７５３２号（特開昭６２−２
８１１４１号）には窒化シリコン層を透明ディスク基板
と光磁気記録層との間に設けて、窒化シリコン層におけ
る基板側の窒素含有量が光磁気記録層側のそれと比べて
大きくした光磁気ディスクが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記提
案の光磁気ディスクによれば、Ｃ／Ｎが向上し、光磁気
記録層の耐食性が改善されるが、その反面、低い記録パ
ワーでもってＣ／Ｎを向上させることができなく、これ
によってＣ／Ｎの磁界依存性において、立ち上がり磁界
が大きくなるという問題点があった。しかも、透明ディ
スク基板との密着性に劣るという問題点もあった。

【０００４】したがって、本発明の目的はＣ／Ｎの磁界
依存性における立ち上がり磁界を小さくした光磁気ディ
スクを提供することにある。

【０００５】また、本発明の他の目的は透明ディスク基
板との密着性に高めた光磁気ディスクを提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、透明ディスク
基板上に一方の誘電体層と情報の記録および消去を行う
光磁気記録層と他方の誘電体層と反射層とを順次積層し
た光磁気ディスクにおいて、一方の誘電体層が酸化シリ
コン層と窒化シリコン層と酸化シリコン層とを順次積層
して形成されていることを特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】光磁気ディスクの構成図１は本発明の光磁気ディスクＭ（直径３．５インチ）
の平面図であり、図２は図１に示す切断面線Ｘ−Ｘによ
る断面図である。また、図３（イ）は光磁気ディスクＭ
を構成する薄膜の層構造であり、（ロ）は前記一方の誘
電体層の３層構造を示す。

【０００８】図１と図２によれば、前記透明ディスク基
板としてのポリカーボネート樹脂から成る基板１の片面
側にはトラッキング用溝２が同心円状に多数形成され、
その中心部にはハブ装着用の穴３が設けられている。ト
ラッキング用溝２が形成された面上には薄膜４が被覆さ
れている。

【０００９】図３によれば、薄膜４は一方の誘電体層と
しての３層構造の誘電体層５と、情報の記録および消去
を行う光磁気記録層６と、他方の誘電体層としての誘電
体層７と、反射層８との積層構造であって、さらに耐食
性を高めるために紫外線硬化型樹脂からなる保護樹脂層
９を設けるのがよい。

【００１０】上記誘電体層５は基板側より順次酸化シリ
コン層５ａと窒化シリコン層５ｂと酸化シリコン層５ｃ
とを積層した３層構造である。酸化シリコン層５ａと酸
化シリコン層５ｃの双方を原子組成ＳｉＯ_Xにより表示
した場合、Ｘ値の範囲を１≦Ｘ≦２にするのがよく、こ
のＸ値範囲に設定すると、膜にクラックが発生しないと
いう点でよい。

【００１１】また、窒化シリコン層５ｂを原子組成Ｓｉ
Ｎ_Yにより表示した場合、Ｙ値の範囲を０＜Ｙ≦（４／
３）にするとよく、このＹ値範囲に設定すると、膜にク
ラックが発生しないという点でよい。

【００１２】これら各層の厚みについては、酸化シリコ
ン層５ａや酸化シリコン層５ｃは２０〜１２０Åにする
と磁界依存性に優れた影響をおよぼすことができるとい
う点でよい。窒化シリコン層５ｂを５００〜７００Åに
すると屈折率などの光学定数が良好な条件に定まるとい
う点でよい。

【００１３】その上、誘電体層５全体の厚みを５００〜
１０００Åにすると反射率の調整が容易にできるという
点ででよい。

【００１４】また、光磁気記録層６の材料には、たとえ
ばＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ、ＳｍＴｂＦｅＣｏ、Ｓ
ｍＤｙＦｅＣｏなどがある。

【００１５】誘電体層７の材料には、たとえば窒化シリ
コン、酸化シリコン、窒化アルミニウム、硫化亜鉛、酸
化マグネシウム、サイアロンなどがある。反射層８はた
とえばアルミニウム、チタン、クロムなどの材料により
形成する。

【００１６】上記構成の光磁気ディスクＭにおいては、
基板１を回転させながら、波長７８０ｎｍのレーザービ
ームを基板１を通して照射し、トラッキング用溝２に沿
ってトラッキングすると、そのレーザービームが誘電体
層５を通して光磁気記録層６へ到達し、さらにその一部
がこの光磁気記録層６を通過し、誘電体層７を通して反
射層８で反射され、その反射光が光磁気記録層６へ到
る。

【００１７】かくして上記光磁気ディスクＭによれば、
基板１と光磁気記録層６との間に、順次酸化シリコン層
５ａと窒化シリコン層５ｂと酸化シリコン層５ｃとを積
層した３層構造である誘電体層５を形成することによっ
て、Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界を小さ
くし、しかも、基板１との密着性に高められた。

【００１８】誘電体層５の作製方法図４により３層構造の誘電体層５を成膜するためのマグ
ネトロンスパッタリング装置１０を説明する。１１は真
空チャンバであって、真空チャンバ１１の内部には、上
方に公転機構１２を設け、公転機構１２に自転機構１３
を形成し、さらに自転機構１３に被成膜用基板１４を固
定している。公・自転機構１２、１３および基板１４と
対向するようにＳｉターゲート１５を配置し、このＳｉ
ターゲート１５にマグネット１６ならびにカソード１７
を配設する。そして、真空チャンバ１１の一部にはスパ
ッタリング用ガスであるＡｒガスの導入口１８と、酸素
ガスや窒素ガスの導入口１９と、成膜後の残余ガスを排
出する排気口２０とが設けられている。

【００１９】上記構成のマグネトロンスパッタリング装
置１０により誘電体層５を成膜するには、被成膜用基板
１４（基板１）を自転機構１２でもって自転させ、さら
に自転機構１３を公転機構１２により公転させ、これに
よって被成膜用基板１１を公・自転させ、そして、導入
口１８よりＡｒガスを導入し、カソード１７に電力を印
加して、スパッタリングをおこなう。

【００２０】そして、酸化シリコン層５ａ、５ｃを成膜
するには、さらに導入口１９より酸素ガスを導入し、他
方、窒化シリコン層５ｂを成膜するには導入口１９より
窒素ガスを導入することによって、それぞれ酸化シリコ
ン層および窒化シリコン層が被成膜用基板１４上に形成
される。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を詳述する。（例１）本例においては、薄膜４を下記の構成で作製し
た。なお、本例においては、保護樹脂層９を形成しない
で測定に供しているが、以下のすべての例は同様に保護
樹脂層９を形成していない。

【００２２】誘電体層５酸化シリコン層５ａ：ＳｉＯ（厚み１００Å）窒化シリコン層５ｂ：ＳｉＮ_1/9（厚み６００Å）酸化シリコン層５ｃ：ＳｉＯ（厚み１００Å）光磁気記録層６：ＴｂＦｅＣｏ（厚み４００Å）誘電体層７：ＳｉＮ_1/9（厚み３００Å）反射層８：Ａｌ（厚み１００Å）本例について、Ｃ／Ｎの磁界依存性を測定したところ、
図５に示す通りの結果が得られた。この測定において
は、３０００ｒｐｍ、記録パワー８．０ｍＷ、再生パワ
ー１．５ｍＷ、記録周波数５．８ＭＨｚの条件でもって
評価している。

【００２３】同図の結果から明らかな通り、本例では、
磁界依存性の立ち上がりが２５０（Ｏｅ）であり、消去
時に消し残りが生じなくなった。

【００２４】そして、密着性のテストを次のような方法
でおこなった。すなわち、本例の光磁気ディスクＭ（た
だし保護樹脂層９を形成せず）を８０℃、９０％の高温
高湿槽の環境下に置き、その環境配置前の状態と環境配
置５００時間後の状態を、それぞれ次のような方法によ
っておこなった。すなわち、膜面にセロハンテープを貼
り、充分に密着させ、次いで一定の力でもって剥がすと
いうことを１枚の光磁気ディスクにつき、４カ所おこな
い、その剥がれた割合により求めた。

【００２５】その結果、本例では初期から５００時間経
過後であってもまったく剥離が発生しなかった。また、
この密着性テストの開始前のＣ／Ｎは５５．４ｄＢであ
り、そのテスト後では５５．０ｄＢであり、その低下が
ほとんど認められなかった。

【００２６】（例２）本例においては、薄膜４を下記の
構成で作製した。誘電体層５酸化シリコン層５ａ：ＳｉＯ_1.5（厚み１００Å）窒化シリコン層５ｂ：ＳｉＮ_1/9（厚み６００Å）酸化シリコン層５ｃ：ＳｉＯ_1.5（厚み１００Å）光磁気記録層６：ＴｂＦｅＣｏ誘電体層７：ＳｉＮ_1/9（厚み３００Å）反射層８：Ａｌ（厚み４００Å）そして、Ｃ／Ｎの磁界依存性を（例１）と同様に測定し
たところ、図６に示す通りの結果が得られた。

【００２７】同図の結果から明らかな通り、本例では磁
界依存性の立ち上がりが２５０（Ｏｅ）であり、消去時
に消し残りが生じなくなった。そして、密着性のテスト
をおこなったところ、初期から５００時間経過後であっ
てもまったく剥離が発生しなかった。また、この密着性
テストの開始前のＣ／Ｎは５５．０ｄＢであり、そのテ
スト後では５４．８ｄＢであり、その低下がほとんど認
められなかった。

【００２８】（例３）本例においては、薄膜４を下記の
構成で作製した。誘電体層５酸化シリコン層５ａ：ＳｉＯ₂（厚み１００Å）窒化シリコン層５ｂ：ＳｉＮ_1/9（厚み６００Å）酸化シリコン層５ｃ：ＳｉＯ₂（厚み１００Å）光磁気記録層６：ＴｂＦｅＣｏ誘電体層７：ＳｉＮ_1/9（厚み３００Å）反射層８：Ａｌ（厚み４００Å）そして、Ｃ／Ｎの磁界依存性を（例１）と同様に測定し
たところ、図７に示す通りの結果が得られた。

【００２９】同図の結果から明らかな通り、本発明で
は、磁界依存性の立ち上がりが２５０（Ｏｅ）であり、
消去時に消し残りが生じなくなった。そして、密着性の
テストをおこなったところ、初期から５００時間経過後
であってもまったく剥離が発生しなかった。また、この
密着性テストの開始前のＣ／Ｎは５５．２ｄＢであり、
そのテスト後では５４．９ｄＢであり、その低下がほと
んど認められなかった。

【００３０】（例４）本例においては、比較例として同
様な薄膜を下記の構成で作製した。誘電体層５窒化シリコン層：ＳｉＮ_1/9（厚み８００Å）光磁気記録層６：ＴｂＦｅＣｏ（厚み４００Å）誘電体層７：ＳｉＮ_1/9（厚み３００Å）反射層８：Ａｌ（厚み４００Å）本例について、Ｃ／Ｎの磁界依存性を測定したところ、
図８に示す通りの結果が得られた。

【００３１】同図の結果から明らかな通り、本例では、
磁界依存性の立ち上がりが３００（Ｏｅ）であり、消去
時に消し残りが生じていた。そして、密着性のテストを
おこなったところ、テスト前であってもすでに２５％ほ
ど剥離が生じ、さらに５００時間経過後であれば、５
０．０％にもなっていた。また、この密着性テストの開
始前のＣ／Ｎは５３．８ｄＢであり、そのテスト後では
５０．８ｄＢであり、その低下が顕著であった。

【００３２】（例５）本例においては、比較例として同
様な薄膜を下記の構成で作製した。誘電体層５窒化シリコン層：ＳｉＮ_1.3から成る層（厚み２００
Å）とＳｉＮから成る層（厚み４００Å）とＳｉＮ_0.7
から成る層（厚み２００Å）とを順次積層してなる３層
構造光磁気記録層６：ＴｂＦｅＣｏ（厚み４００Å）誘電体層７：ＳｉＮ（厚み３００Å）反射層８：Ａｌ（厚み４００Å）本例について、Ｃ／Ｎの磁界依存性を測定したところ、
図９に示す通りの結果が得られた。

【００３３】同図の結果から明らかな通り、本例では、
磁界依存性の立ち上がりが３００（Ｏｅ）であり、消去
時に消し残りが生じていた。そして、密着性のテストを
おこなったところ、テスト前であれば、剥離が生じなか
ったが、５００時間経過後であれば、２５％にもなって
いた。

【００３４】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、透明ディ
スク基板と光磁気記録層との間に設けた一方の誘電体層
について、酸化シリコン層と窒化シリコン層と酸化シリ
コン層とが順次積層してなる３層構造にしているので、
Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界が小さくで
き、しかも、記録または消去が小さな外部磁場で達成で
き、その結果、磁界変調オーバーライトができる高性能
な光磁気ディスクが提供できる。

【００３５】また、本発明においては、この一方の誘電
体層によって透明ディスク基板との密着性を高めること
ができ、これによって高信頼性の光磁気ディスクが提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気ディスクＭの平面図である。

【図２】本発明の光磁気ディスクＭの断面図である。

【図３】（イ）と（ロ）は本発明の光磁気記録層の層構
成を示す断面図である。

【図４】スパッタリング装置の概略構成図である。

【図５】実施例における外部磁場に対するＣ／Ｎ特性を
示す線図である。

【図６】実施例における外部磁場に対するＣ／Ｎ特性を
示す線図である。

【図７】実施例における外部磁場に対するＣ／Ｎ特性を
示す線図である。

【図８】従来における外部磁場に対するＣ／Ｎ特性を示
す線図である。

【図９】従来における外部磁場に対するＣ／Ｎ特性を示
す線図である。

【符号の説明】

Ｍ光磁気ディスク１基板２トラッキング用溝４薄膜５、７誘電体層５ａ酸化シリコン層５ｂ窒化シリコン層５ｃ酸化シリコン層６光磁気記録層８反射層９保護樹脂層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明ディスク基板上に一方の誘電体層と
情報の記録および消去を行う光磁気記録層と他方の誘電
体層と反射層とを順次積層した光磁気ディスクにおい
て、前記一方の誘電体層が酸化シリコン層と窒化シリコ
ン層と酸化シリコン層とを順次積層して形成されている
ことを特徴とする光磁気ディスク。