JPH0964128A - バーンイン方法および装置 - Google Patents
バーンイン方法および装置Info
- Publication number
- JPH0964128A JPH0964128A JP21842495A JP21842495A JPH0964128A JP H0964128 A JPH0964128 A JP H0964128A JP 21842495 A JP21842495 A JP 21842495A JP 21842495 A JP21842495 A JP 21842495A JP H0964128 A JPH0964128 A JP H0964128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- temperature
- burn
- output voltage
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の温度を正確に測定できるバーン
イン装置を提供する。 【構成】 半導体装置2を複数種の温度に加熱する液体
Lと、半導体装置2に電源電圧を印加する電源供給部1
1と、半導体装置2に形成された感熱ダイオード2aの
出力電圧を測定する電圧測定部12と、半導体装置2に
電源電圧が印加されていないときの複数種の加熱温度と
これに対応する感熱ダイオード2aの出力電圧値とから
該半導体装置2固有の温度特性を求め、バーンイン時に
は、感熱ダイオード2aの出力電圧を温度特性に当ては
めて半導体装置2の温度を算出する温度算出部14とを
有するバーンイン装置である。
イン装置を提供する。 【構成】 半導体装置2を複数種の温度に加熱する液体
Lと、半導体装置2に電源電圧を印加する電源供給部1
1と、半導体装置2に形成された感熱ダイオード2aの
出力電圧を測定する電圧測定部12と、半導体装置2に
電源電圧が印加されていないときの複数種の加熱温度と
これに対応する感熱ダイオード2aの出力電圧値とから
該半導体装置2固有の温度特性を求め、バーンイン時に
は、感熱ダイオード2aの出力電圧を温度特性に当ては
めて半導体装置2の温度を算出する温度算出部14とを
有するバーンイン装置である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、バーンイン方法および
装置に関し、特に被検査対象である半導体装置のバーン
イン時における温度制御に適用して有効な技術に関す
る。
装置に関し、特に被検査対象である半導体装置のバーン
イン時における温度制御に適用して有効な技術に関す
る。
【0002】
【従来の技術】固有欠陥や製造上のバラツキに起因して
時間とストレスに依存する故障を引き起こす半導体装置
を取り除くための試験装置として、バーンイン装置があ
る。このバーンイン装置では、半導体装置をたとえば 1
00℃程度に加熱した状態で電源電圧を印加し、デバイス
に電流を流して温度および電圧ストレスを加えながらス
クリーニングが行われる。
時間とストレスに依存する故障を引き起こす半導体装置
を取り除くための試験装置として、バーンイン装置があ
る。このバーンイン装置では、半導体装置をたとえば 1
00℃程度に加熱した状態で電源電圧を印加し、デバイス
に電流を流して温度および電圧ストレスを加えながらス
クリーニングが行われる。
【0003】なお、このようなバーンインに関する技術
を詳しく記載している例としては、たとえば、プレスジ
ャーナル発行、「月刊 Semiconductor World」1993年 8
月号(平成 5年 7月20日発行)、P121〜P123がある。
を詳しく記載している例としては、たとえば、プレスジ
ャーナル発行、「月刊 Semiconductor World」1993年 8
月号(平成 5年 7月20日発行)、P121〜P123がある。
【0004】バーンイン時における半導体装置の温度
は、電源電位供給による装置自体の発熱により、加熱す
る気体や液体の温度より高温になるのが一般的である。
したがって、チップに形成された感熱ダイオードの出力
電圧を測定し、この値を予め用意された感熱ダイオード
の代表的な温度特性(感熱ダイオードの出力電圧と半導
体装置の温度との関係)に当てはめて半導体装置の温度
を求めることが考えられる。
は、電源電位供給による装置自体の発熱により、加熱す
る気体や液体の温度より高温になるのが一般的である。
したがって、チップに形成された感熱ダイオードの出力
電圧を測定し、この値を予め用意された感熱ダイオード
の代表的な温度特性(感熱ダイオードの出力電圧と半導
体装置の温度との関係)に当てはめて半導体装置の温度
を求めることが考えられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感熱ダ
イオードの温度特性は個々にバラツキがあるため、前述
のように代表的なものを用いて半導体装置の温度を求め
た場合には誤差を生じることになり、正確な測定がなさ
れていないことになる。
イオードの温度特性は個々にバラツキがあるため、前述
のように代表的なものを用いて半導体装置の温度を求め
た場合には誤差を生じることになり、正確な測定がなさ
れていないことになる。
【0006】そこで、本発明の目的は、バーンイン時に
おける半導体装置の温度を正確に測定することのできる
技術を提供することにある。
おける半導体装置の温度を正確に測定することのできる
技術を提供することにある。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【0009】すなわち、本発明によるバーンイン方法
は、電源電圧が印加されていないときの半導体装置の感
熱ダイオードの出力電圧と加熱温度とから半導体装置の
温度特性を予め求めておき、感熱ダイオードの出力電圧
を測定してこれを温度特性に当てはめて半導体装置の温
度を算出しながらバーンインを行うことを特徴とするも
のである。
は、電源電圧が印加されていないときの半導体装置の感
熱ダイオードの出力電圧と加熱温度とから半導体装置の
温度特性を予め求めておき、感熱ダイオードの出力電圧
を測定してこれを温度特性に当てはめて半導体装置の温
度を算出しながらバーンインを行うことを特徴とするも
のである。
【0010】また、本発明によるバーンイン装置は、半
導体装置を複数種の温度に加熱する加熱媒体と、半導体
装置に電源電圧を印加する電源供給部と、半導体装置に
形成された感熱ダイオードの出力電圧を測定する電圧測
定部と、半導体装置に電源電圧が印加されていないとき
の複数種の加熱温度とこれに対応する感熱ダイオードの
出力電圧値とから該半導体装置固有の温度特性を求め、
バーンイン時には、感熱ダイオードの出力電圧を温度特
性に当てはめて半導体装置の温度を算出する温度算出部
とを有することを特徴とするものである。この場合にお
いて、加熱媒体には気体または液体を用いることができ
る。
導体装置を複数種の温度に加熱する加熱媒体と、半導体
装置に電源電圧を印加する電源供給部と、半導体装置に
形成された感熱ダイオードの出力電圧を測定する電圧測
定部と、半導体装置に電源電圧が印加されていないとき
の複数種の加熱温度とこれに対応する感熱ダイオードの
出力電圧値とから該半導体装置固有の温度特性を求め、
バーンイン時には、感熱ダイオードの出力電圧を温度特
性に当てはめて半導体装置の温度を算出する温度算出部
とを有することを特徴とするものである。この場合にお
いて、加熱媒体には気体または液体を用いることができ
る。
【0011】
【作用】上記した手段によれば、バーンインされる半導
体装置個々に対して固有の温度特性を求め、バーンイン
時には感熱ダイオードの出力電圧をこの温度特性に当て
はめて半導体装置の温度を算出するようにしているの
で、バーンイン時における半導体装置の温度を正確に測
定することができる。
体装置個々に対して固有の温度特性を求め、バーンイン
時には感熱ダイオードの出力電圧をこの温度特性に当て
はめて半導体装置の温度を算出するようにしているの
で、バーンイン時における半導体装置の温度を正確に測
定することができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【0013】図1は本発明の一実施例であるバーンイン
装置を示す概略図、図2はそのバーンイン装置で検査さ
れる半導体装置の温度とその半導体装置に形成された感
熱ダイオードの出力電圧との関係を示すグラフである。
装置を示す概略図、図2はそのバーンイン装置で検査さ
れる半導体装置の温度とその半導体装置に形成された感
熱ダイオードの出力電圧との関係を示すグラフである。
【0014】本実施例のバーンイン装置は、検査治具1
に保持された半導体装置2を加熱するための加熱機構を
有している。図示するように、この加熱機構は、加熱媒
体として相互に温度が異なる液体Lが収容された第1〜
第3の槽3a,3b,3cを持っており、たとえば第1
の槽3a内の液体Lの温度は50℃、第2の槽3b内は10
0℃、第3の槽3c内は 150℃に、内部のヒータによっ
てそれぞれ温調されている。なお、加熱媒体としては気
体を用いることもでき、また、槽は3つに限定されるこ
となく、複数設けられていればよい。
に保持された半導体装置2を加熱するための加熱機構を
有している。図示するように、この加熱機構は、加熱媒
体として相互に温度が異なる液体Lが収容された第1〜
第3の槽3a,3b,3cを持っており、たとえば第1
の槽3a内の液体Lの温度は50℃、第2の槽3b内は10
0℃、第3の槽3c内は 150℃に、内部のヒータによっ
てそれぞれ温調されている。なお、加熱媒体としては気
体を用いることもでき、また、槽は3つに限定されるこ
となく、複数設けられていればよい。
【0015】液体Lを半導体装置2に噴射するため、槽
3a,3b,3cと半導体装置2との間には供給配管4
が設けられている。この供給配管4の一方側は各槽3
a,3b,3cにそれぞれ固定されており、切換バルブ
5を介して集合されて他方側が半導体装置2に向けられ
ている。また、供給配管4の途中には、槽3a,3b,
3c内の液体Lを半導体装置2に向かって送り出すため
のポンプ6が設けられている。さらに、供給配管4の半
導体装置2側には噴射ノズル7が取り付けられている。
これにより、切換バルブ5を操作してたとえば第1の槽
3aを選択すれば、半導体装置2には50℃の液体Lが噴
射される。
3a,3b,3cと半導体装置2との間には供給配管4
が設けられている。この供給配管4の一方側は各槽3
a,3b,3cにそれぞれ固定されており、切換バルブ
5を介して集合されて他方側が半導体装置2に向けられ
ている。また、供給配管4の途中には、槽3a,3b,
3c内の液体Lを半導体装置2に向かって送り出すため
のポンプ6が設けられている。さらに、供給配管4の半
導体装置2側には噴射ノズル7が取り付けられている。
これにより、切換バルブ5を操作してたとえば第1の槽
3aを選択すれば、半導体装置2には50℃の液体Lが噴
射される。
【0016】半導体装置2に噴射した液体Lを回収する
ために、槽3a,3b,3cと半導体装置2との間には
回収配管8が設けられている。すなわち、この回収配管
8は、噴射された液体Lの落下位置に配置された回収プ
レート9に一方側が取り付けられ、切換バルブ10を介
して3つに分岐されて他方側が各槽3a,3b,3cに
取り付けられている。なお、この切換バルブ10は、供
給配管4に取り付けられた切換バルブ5とリンクして動
作するようになっており、たとえば切換バルブ5が第1
の槽3aを選択する位置にある時には、この切換バルブ
10は自動的に第1の槽3aを選択する位置に設定され
る。
ために、槽3a,3b,3cと半導体装置2との間には
回収配管8が設けられている。すなわち、この回収配管
8は、噴射された液体Lの落下位置に配置された回収プ
レート9に一方側が取り付けられ、切換バルブ10を介
して3つに分岐されて他方側が各槽3a,3b,3cに
取り付けられている。なお、この切換バルブ10は、供
給配管4に取り付けられた切換バルブ5とリンクして動
作するようになっており、たとえば切換バルブ5が第1
の槽3aを選択する位置にある時には、この切換バルブ
10は自動的に第1の槽3aを選択する位置に設定され
る。
【0017】このバーンイン装置には、半導体装置2に
電源電圧を印加するための電源供給部11、半導体装置
2に形成された感熱ダイオード2aの出力電圧を測定す
るための電圧測定部12、および、噴射される液体Lの
温度を噴射ノズル7の位置で測定する温度測定部13が
設けられ、電圧測定部12での出力電圧値と温度測定部
13での液温とが入力される温度算出部14を有してい
る。この温度算出部14は、半導体装置2に電源電圧が
印加されていないときの所定の温度下における感熱ダイ
オード2aの出力電圧値から検査対象の半導体装置2に
固有の温度特性を求め、バーンイン時には、感熱ダイオ
ード2aの出力電圧をこの温度特性に当てはめて半導体
装置2の温度を算出するようになっている(図2参
照)。なお、算出された温度を表示するための温度表示
部15が温度算出部14に接続されている。
電源電圧を印加するための電源供給部11、半導体装置
2に形成された感熱ダイオード2aの出力電圧を測定す
るための電圧測定部12、および、噴射される液体Lの
温度を噴射ノズル7の位置で測定する温度測定部13が
設けられ、電圧測定部12での出力電圧値と温度測定部
13での液温とが入力される温度算出部14を有してい
る。この温度算出部14は、半導体装置2に電源電圧が
印加されていないときの所定の温度下における感熱ダイ
オード2aの出力電圧値から検査対象の半導体装置2に
固有の温度特性を求め、バーンイン時には、感熱ダイオ
ード2aの出力電圧をこの温度特性に当てはめて半導体
装置2の温度を算出するようになっている(図2参
照)。なお、算出された温度を表示するための温度表示
部15が温度算出部14に接続されている。
【0018】このようなバーンイン装置による半導体装
置2の温度測定は次のようにして行われる。
置2の温度測定は次のようにして行われる。
【0019】先ず、電源電圧を印加しない状態で槽3
a,3b,3cからの液体Lを用いて半導体装置2を加
熱し、この半導体装置2の温度と形成された感熱ダイオ
ード2aの出力電圧との関係、つまり半導体装置2の温
度特性を求める。感熱ダイオード2aの出力電圧は温度
と比例関係を有しているので、複数種たとえば2種の温
度に加熱してそれぞれのときの出力電圧を求めることに
より得られる。
a,3b,3cからの液体Lを用いて半導体装置2を加
熱し、この半導体装置2の温度と形成された感熱ダイオ
ード2aの出力電圧との関係、つまり半導体装置2の温
度特性を求める。感熱ダイオード2aの出力電圧は温度
と比例関係を有しているので、複数種たとえば2種の温
度に加熱してそれぞれのときの出力電圧を求めることに
より得られる。
【0020】本実施例においては、3つの槽3a,3
b,3cの液体Lで半導体装置2を3種の温度、すなわ
ち、50℃、 100℃、 150℃に加熱し、このときの出力電
圧を電圧測定部12で測定する。たとえば、50℃に加熱
したときの出力電圧が 500mV、100℃のときが1000mV、
150℃のときが1500mVと測定されたとき、これをグラフ
にプロットして求められた半導体装置2の温度と感熱ダ
イオード2aの出力電圧との関係を図2に示す。そし
て、マイコンよりなる温度算出部14には、電圧測定部
12で測定された感熱ダイオード2aの出力電圧値(つ
まり、 500mV、1000mV、1500mV)と温度測定部13で測
定された液体Lの液温(つまり、50℃、 100℃、 150
℃)とが入力され、これらのデータから図2のような温
度特性がメモリに格納される。
b,3cの液体Lで半導体装置2を3種の温度、すなわ
ち、50℃、 100℃、 150℃に加熱し、このときの出力電
圧を電圧測定部12で測定する。たとえば、50℃に加熱
したときの出力電圧が 500mV、100℃のときが1000mV、
150℃のときが1500mVと測定されたとき、これをグラフ
にプロットして求められた半導体装置2の温度と感熱ダ
イオード2aの出力電圧との関係を図2に示す。そし
て、マイコンよりなる温度算出部14には、電圧測定部
12で測定された感熱ダイオード2aの出力電圧値(つ
まり、 500mV、1000mV、1500mV)と温度測定部13で測
定された液体Lの液温(つまり、50℃、 100℃、 150
℃)とが入力され、これらのデータから図2のような温
度特性がメモリに格納される。
【0021】温度特性を求めた後、バーンインを開始す
る。
る。
【0022】電源供給部11により定格もしくはそれを
超える電源電圧が半導体装置2に印加されてバーンイン
が行われるので、たとえば第2の槽3bから 100℃の液
体Lを噴射したとしても、半導体装置2の温度は 100℃
以上になる。そして、特に発熱量の大きいものである場
合には、その傾向が顕著になる。
超える電源電圧が半導体装置2に印加されてバーンイン
が行われるので、たとえば第2の槽3bから 100℃の液
体Lを噴射したとしても、半導体装置2の温度は 100℃
以上になる。そして、特に発熱量の大きいものである場
合には、その傾向が顕著になる。
【0023】ここで、バーンイン時の感熱ダイオード2
aの出力電圧が電圧測定部12によりたとえば1200mVと
測定されたとする。前述のように、温度算出部14には
図2に示すような温度特性が格納されているので、これ
から出力電圧が1200mVのときの半導体装置2の温度は 1
20℃と算出される(図2参照)。そして、このようにし
て半導体装置2の温度を測定しながらバーンインを行
う。
aの出力電圧が電圧測定部12によりたとえば1200mVと
測定されたとする。前述のように、温度算出部14には
図2に示すような温度特性が格納されているので、これ
から出力電圧が1200mVのときの半導体装置2の温度は 1
20℃と算出される(図2参照)。そして、このようにし
て半導体装置2の温度を測定しながらバーンインを行
う。
【0024】半導体装置2に対してのバーンインの終了
後、これを検査治具から取り外して次の半導体装置をセ
ットする。そして、同様の要領で温度特性を求めてから
バーンインを行う。
後、これを検査治具から取り外して次の半導体装置をセ
ットする。そして、同様の要領で温度特性を求めてから
バーンインを行う。
【0025】このように、本実施例のバーンイン装置に
よれば、バーンインされる半導体装置2個々に対して固
有の温度特性を求め、バーンイン時には感熱ダイオード
2aの出力電圧をこの温度特性に当てはめて半導体装置
2の温度を算出するようにしているので、バーンイン時
における半導体装置2の温度を正確に測定することがで
きる。
よれば、バーンインされる半導体装置2個々に対して固
有の温度特性を求め、バーンイン時には感熱ダイオード
2aの出力電圧をこの温度特性に当てはめて半導体装置
2の温度を算出するようにしているので、バーンイン時
における半導体装置2の温度を正確に測定することがで
きる。
【0026】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0027】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【0028】(1).すなわち、本発明のバーンイン技術に
よれば、バーンインされる半導体装置個々に対して固有
の温度特性を求め、バーンイン時には感熱ダイオードの
出力電圧をこの温度特性に当てはめて半導体装置の温度
を算出するようにしているので、バーンイン時における
半導体装置の温度を正確に測定することができる。
よれば、バーンインされる半導体装置個々に対して固有
の温度特性を求め、バーンイン時には感熱ダイオードの
出力電圧をこの温度特性に当てはめて半導体装置の温度
を算出するようにしているので、バーンイン時における
半導体装置の温度を正確に測定することができる。
【0029】(2).また、同一スペックの半導体装置を同
一条件でバーンインしたときの各半導体装置の温度差を
測定することが可能になるので、半導体装置の放熱特性
の良否を判断することが可能になる。
一条件でバーンインしたときの各半導体装置の温度差を
測定することが可能になるので、半導体装置の放熱特性
の良否を判断することが可能になる。
【図1】本発明の一実施例によるバーンイン装置を示す
概略図である。
概略図である。
【図2】図1のバーンイン装置で検査される半導体装置
の温度とその半導体装置に形成された感熱ダイオードの
出力電圧との関係を示すグラフである。
の温度とその半導体装置に形成された感熱ダイオードの
出力電圧との関係を示すグラフである。
1 検査治具 2 半導体装置 2a 感熱ダイオード 3a 第1の槽 3b 第2の槽 3c 第3の槽 4 供給配管 5 切換バルブ 6 ポンプ 7 噴射ノズル 8 回収配管 9 回収プレート 10 切換バルブ 11 電源供給部 12 電圧測定部 13 温度測定部 14 温度算出部 15 温度表示部 L 液体(加熱媒体)
Claims (3)
- 【請求項1】 電源電圧が印加されていないときの半導
体装置の感熱ダイオードの出力電圧と加熱温度とから前
記半導体装置の温度特性を予め求めておき、前記感熱ダ
イオードの出力電圧を測定してこれを前記温度特性に当
てはめて前記半導体装置の温度を算出しながらバーンイ
ンを行うことを特徴とするバーンイン方法。 - 【請求項2】 半導体装置を複数種の温度に加熱する加
熱媒体と、 前記半導体装置に電源電圧を印加する電源供給部と、 前記半導体装置に形成された感熱ダイオードの出力電圧
を測定する電圧測定部と、 前記半導体装置に電源電圧が印加されていないときの複
数種の加熱温度とこれに対応する前記感熱ダイオードの
出力電圧値とから該半導体装置固有の温度特性を求め、
バーンイン時には、前記感熱ダイオードの出力電圧を前
記温度特性に当てはめて前記半導体装置の温度を算出す
る温度算出部とを有することを特徴とするバーンイン装
置。 - 【請求項3】 請求項2記載のバーンイン装置におい
て、前記加熱媒体は気体または液体であることを特徴と
するバーンイン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21842495A JPH0964128A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | バーンイン方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21842495A JPH0964128A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | バーンイン方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964128A true JPH0964128A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16719704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21842495A Pending JPH0964128A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | バーンイン方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008142769A1 (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置の試験装置及び試験方法 |
| JPWO2007023557A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2009-02-26 | 株式会社アドバンテスト | 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法 |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP21842495A patent/JPH0964128A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007023557A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2009-02-26 | 株式会社アドバンテスト | 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法 |
| WO2008142769A1 (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置の試験装置及び試験方法 |
| JPWO2008142769A1 (ja) * | 2007-05-21 | 2010-08-05 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の試験装置及び試験方法 |
| KR101106608B1 (ko) * | 2007-05-21 | 2012-01-20 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체장치의 시험장치 및 시험방법 |
| CN101675347B (zh) | 2007-05-21 | 2012-08-22 | 富士通半导体股份有限公司 | 半导体装置的测试装置及测试方法 |
| JP5051224B2 (ja) * | 2007-05-21 | 2012-10-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の試験装置及び試験方法 |
| US8395400B2 (en) | 2007-05-21 | 2013-03-12 | Fujitsu Semiconductor Limited | Testing device and testing method of semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7901130B2 (en) | Method and apparatus for calibrating a thermistor | |
| US6552561B2 (en) | Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode | |
| JPH10142289A (ja) | テスト中の装置の温度制御方法及び装置 | |
| CN103837822A (zh) | 一种超大规模集成电路结到壳热阻测试的方法 | |
| US5291142A (en) | Method and apparatus for measuring the resistance of conductive materials due to electromigration | |
| US6378978B1 (en) | Chip structure of inkjet printhead and method of estimating working life through detection of defects | |
| CN105021313B (zh) | 聚乙烯压力管道热熔焊机温度检测装置及方法 | |
| JPH10300811A (ja) | Led直流熱抵抗測定方法および測定装置 | |
| JPH0964128A (ja) | バーンイン方法および装置 | |
| JP2014151360A (ja) | 溶接品質検査方法 | |
| TWI331938B (en) | Redundant control circuit for hot melt adhesive hose assembly heater circuits and temperature sensors | |
| CN114927502A (zh) | 电迁移测试结构及方法 | |
| CN101493497B (zh) | 一种可提高测试效率的应力迁移测试方法 | |
| JPH0774218A (ja) | Icのテスト方法およびそのプローブカード | |
| JP3539231B2 (ja) | 接合温度測定方法及びその方法を実施するための測定装置 | |
| JP3995800B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JP2005216904A (ja) | ウエハ検査方法およびウエハ検査装置 | |
| CN114335323A (zh) | 压力芯片封装方法、计算机可读存储介质及计算机设备 | |
| TW201013202A (en) | Test apparatus and test method | |
| JPS63147666A (ja) | サ−マルヘツド基板の検査装置 | |
| JPH06151537A (ja) | 配線寿命の評価方法 | |
| CA2167083C (en) | A method and apparatus for testing the thermal stability of an (aviation) fuel | |
| SU868652A1 (ru) | Способ контрол и поиска неисправностей в электронном блоке | |
| CN209559976U (zh) | 小电阻元件电阻温度系数的测试装置 | |
| JPH02284440A (ja) | 太陽電池溶接温度測定方法及び太陽電池特性確認方法 |