JPH0964459A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0964459A JPH0964459A JP22080695A JP22080695A JPH0964459A JP H0964459 A JPH0964459 A JP H0964459A JP 22080695 A JP22080695 A JP 22080695A JP 22080695 A JP22080695 A JP 22080695A JP H0964459 A JPH0964459 A JP H0964459A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドーパントの熱拡散を抑制した高品質の半導
体装置を得る。 【解決手段】 ＩｎＰ基板１に設けられて電流が狭窄す
るための電流狭窄手段を構成しているＭＱＷ吸収層７と
電流阻止層２、３及び４とが設けられ、また、その電流
狭窄手段上に設けられた、ＢｅをドープしたＩｎＰクラ
ッド層１１と、ＩｎＰクラッド層１１上に設けられ、Ｚ
ｎ及びＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト層１２
とを備えた半導体装置である。
体装置を得る。 【解決手段】 ＩｎＰ基板１に設けられて電流が狭窄す
るための電流狭窄手段を構成しているＭＱＷ吸収層７と
電流阻止層２、３及び４とが設けられ、また、その電流
狭窄手段上に設けられた、ＢｅをドープしたＩｎＰクラ
ッド層１１と、ＩｎＰクラッド層１１上に設けられ、Ｚ
ｎ及びＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト層１２
とを備えた半導体装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置に関
し、特に、光伝送システム等で光源として用いられる半
導体レーザを有する半導体装置に関するものである。
し、特に、光伝送システム等で光源として用いられる半
導体レーザを有する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光伝送システムの開発が進められ、その
光源として半導体レーザダイオード等が用いられてい
る。その中で、電界吸収型（Electro-absorption：以
下、ＥＡとする。）光変調器と分布帰環型レーザダイオ
ード（Distributed Feed-back Laser Diode：以下、Ｄ
ＦＢ−ＬＤとする。）とを集積した半導体装置が次世代
の幹線系光伝送システムのキーデバイスとして注目され
つつあり、近年、それらの実用化を目指した研究が活発
に行われるようになった。また、そのような半導体レー
ザにおいて、基板上に延びている活性層をクラッド層で
覆い、低いしきい値電流で高い発光効率が得られる埋め
込み型構造が一般に知られている。また、特に、１０Ｇ
ｂ／ｓ伝送用のデバイスにおいては、変調器の容量低減
のために、Ｆｅ（鉄）をドープしたＩｎＰ等の半絶縁性
層とｎ型ＩｎＰホールトラップ層とからなる電流狭窄構
造が用いられている。
光源として半導体レーザダイオード等が用いられてい
る。その中で、電界吸収型（Electro-absorption：以
下、ＥＡとする。）光変調器と分布帰環型レーザダイオ
ード（Distributed Feed-back Laser Diode：以下、Ｄ
ＦＢ−ＬＤとする。）とを集積した半導体装置が次世代
の幹線系光伝送システムのキーデバイスとして注目され
つつあり、近年、それらの実用化を目指した研究が活発
に行われるようになった。また、そのような半導体レー
ザにおいて、基板上に延びている活性層をクラッド層で
覆い、低いしきい値電流で高い発光効率が得られる埋め
込み型構造が一般に知られている。また、特に、１０Ｇ
ｂ／ｓ伝送用のデバイスにおいては、変調器の容量低減
のために、Ｆｅ（鉄）をドープしたＩｎＰ等の半絶縁性
層とｎ型ＩｎＰホールトラップ層とからなる電流狭窄構
造が用いられている。
【０００３】図６（ａ）は、例えば１９９５年電子情報
通信学会総合大会講演論文集（３４６頁）に示された、
変調器とＤＦＢ−ＬＤとを集積した従来の半導体装置の
構造を示す斜視図である。また、図６（ｂ）は、図６
（ａ）の１点鎖線Ｂで囲まれている部分の部分拡大断面
図で、図６（ａ）の従来の半導体装置に用いられている
ヘテロ接合構造を示したものである。図６において、１
はＳ（硫黄）をドープしたｎ型ＩｎＰ基板、２及び４は
Ｆｅ（鉄）をドープしたＩｎＰ等の半絶縁性（Semi-Ins
ulating：Ｓ.Ｉ.）層、３はＳをドープしたｎ型ＩｎＰ
ホールトラップ層、５はＺｎ（亜鉛）をドープしたｐ型
ＩｎＰクラッド層（キャリア濃度７±２×１０17ｃ
ｍ-3）、６はＺｎ（亜鉛）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層（キャリア濃度１×１０19ｃｍ-3以
上）、７はｎ型ＩｎＰ基板１上に設けられたＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＧａＡｓ多重量子井戸（Multiple Quantum W
ell：ＭＱＷ）吸収層（１２ウエル）（以下、ＭＱＷ吸
収層とする。）、８は同じくｎ型ＩｎＰ基板１上にＭＱ
Ｗ吸収層７と一体に設けられたＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧ
ａＡｓ多重量子井戸活性層（以下、ＭＱＷ活性層とす
る）、９は単一波長レーザダイオードで例えばＤＦＢ−
ＬＤであり、１０はＥＡ光変調器等のＥＡ外部変調噐で
ある。
通信学会総合大会講演論文集（３４６頁）に示された、
変調器とＤＦＢ−ＬＤとを集積した従来の半導体装置の
構造を示す斜視図である。また、図６（ｂ）は、図６
（ａ）の１点鎖線Ｂで囲まれている部分の部分拡大断面
図で、図６（ａ）の従来の半導体装置に用いられている
ヘテロ接合構造を示したものである。図６において、１
はＳ（硫黄）をドープしたｎ型ＩｎＰ基板、２及び４は
Ｆｅ（鉄）をドープしたＩｎＰ等の半絶縁性（Semi-Ins
ulating：Ｓ.Ｉ.）層、３はＳをドープしたｎ型ＩｎＰ
ホールトラップ層、５はＺｎ（亜鉛）をドープしたｐ型
ＩｎＰクラッド層（キャリア濃度７±２×１０17ｃ
ｍ-3）、６はＺｎ（亜鉛）をドープしたｐ型ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層（キャリア濃度１×１０19ｃｍ-3以
上）、７はｎ型ＩｎＰ基板１上に設けられたＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＧａＡｓ多重量子井戸（Multiple Quantum W
ell：ＭＱＷ）吸収層（１２ウエル）（以下、ＭＱＷ吸
収層とする。）、８は同じくｎ型ＩｎＰ基板１上にＭＱ
Ｗ吸収層７と一体に設けられたＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧ
ａＡｓ多重量子井戸活性層（以下、ＭＱＷ活性層とす
る）、９は単一波長レーザダイオードで例えばＤＦＢ−
ＬＤであり、１０はＥＡ光変調器等のＥＡ外部変調噐で
ある。
【０００４】このようなＤＦＢ−ＬＤ９においては、レ
ーザ発光はＭＱＷ活性層８で行われるが、上述の半絶縁
性層２及び４とｎ型ＩｎＰホールトラップ層３とが電流
阻止層として作用するため、注入電流がＭＱＷ活性層８
及びＭＱＷ吸収層７に集中（電流狭窄）して、それらの
電流阻止層２、３及び４には電流が流れないため、低い
しきい値電流で高い発光効率が得られる。なお、ここ
で、ＭＱＷ活性層８、ＭＱＷ吸収層７、半絶縁性層２及
び４、およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層３は、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１上に設けられて、電流を狭窄するための電流
狭窄手段を構成している。
ーザ発光はＭＱＷ活性層８で行われるが、上述の半絶縁
性層２及び４とｎ型ＩｎＰホールトラップ層３とが電流
阻止層として作用するため、注入電流がＭＱＷ活性層８
及びＭＱＷ吸収層７に集中（電流狭窄）して、それらの
電流阻止層２、３及び４には電流が流れないため、低い
しきい値電流で高い発光効率が得られる。なお、ここ
で、ＭＱＷ活性層８、ＭＱＷ吸収層７、半絶縁性層２及
び４、およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層３は、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１上に設けられて、電流を狭窄するための電流
狭窄手段を構成している。
【０００５】また、従来のＤＦＢ−ＬＤ９の活性層およ
びＥＡ外部変調器１０の吸収層は、それぞれ、ＭＱＷ活
性層８及びＭＱＷ吸収層７であり、変調器長は１００μ
ｍである。この従来の半導体装置においては、ＥＡ外部
変調器１０とＤＦＢ−ＬＤ９との間の電気的アイソレー
ションの改善のために、電流狭窄構造を上述したような
ｐ／Ｓ.Ｉ.／ｎ／Ｓ.Ｉ.／ｎ構造から構成している。こ
のような構造にすることは、ｐ型ＩｎＰクラッド層５と
ｎ型ＩｎＰホールトラップ層３との間の容量Ｃを低減さ
せて、ＥＡ外部変調器１０に印加した信号がｎ型ＩｎＰ
ホールトラップ層３を介してＤＦＢ−ＬＤ９側に漏洩す
るのを抑えることを意図したものである。
びＥＡ外部変調器１０の吸収層は、それぞれ、ＭＱＷ活
性層８及びＭＱＷ吸収層７であり、変調器長は１００μ
ｍである。この従来の半導体装置においては、ＥＡ外部
変調器１０とＤＦＢ−ＬＤ９との間の電気的アイソレー
ションの改善のために、電流狭窄構造を上述したような
ｐ／Ｓ.Ｉ.／ｎ／Ｓ.Ｉ.／ｎ構造から構成している。こ
のような構造にすることは、ｐ型ＩｎＰクラッド層５と
ｎ型ＩｎＰホールトラップ層３との間の容量Ｃを低減さ
せて、ＥＡ外部変調器１０に印加した信号がｎ型ＩｎＰ
ホールトラップ層３を介してＤＦＢ−ＬＤ９側に漏洩す
るのを抑えることを意図したものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図６の構造が理想通り
得られれば、良好なデバイス特性を得ることができるは
ずであるが、しかしながら、実際には、ｐ型ドーパント
であるＺｎが、エピタキシャル成長中に、ドープを行っ
たｐ型ＩｎＰクラッド層５やｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層６から、ドープを行わないＭＱＷ活性層８まで熱的
に拡散してしまい、所望の特性が得られず、場合によっ
ては、ＥＡ外部変調器１０に印加した信号がｎ型ＩｎＰ
ホールトラップ層３を介してＤＦＢ−ＬＤ９側に漏洩し
てしまう可能性があり、さらに、ドーピング濃度も拡散
した分だけ減ってしまい所望の濃度が得られないという
問題点があった。
得られれば、良好なデバイス特性を得ることができるは
ずであるが、しかしながら、実際には、ｐ型ドーパント
であるＺｎが、エピタキシャル成長中に、ドープを行っ
たｐ型ＩｎＰクラッド層５やｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層６から、ドープを行わないＭＱＷ活性層８まで熱的
に拡散してしまい、所望の特性が得られず、場合によっ
ては、ＥＡ外部変調器１０に印加した信号がｎ型ＩｎＰ
ホールトラップ層３を介してＤＦＢ−ＬＤ９側に漏洩し
てしまう可能性があり、さらに、ドーピング濃度も拡散
した分だけ減ってしまい所望の濃度が得られないという
問題点があった。
【０００７】図７は、図６の半導体装置におけるＭＱＷ
吸収層７中の不純物濃度と消光比との関係を示したグラ
フである。図７に示すように、ＭＱＷ吸収層７にＺｎ等
の不純物が侵入して不純物の濃度が増加すると、重要な
デバイス特性の一つである消光比が低下してしまうとい
う計算結果が出ている。また、図８は、実際にＺｎの拡
散の様子を二次イオン質量分析法（Secondary Ion Mass
Spectroscopy：ＳＩＭＳ）によって調べた結果を示し
たものである。図８に示されるように、ドーパントであ
るＺｎが、ドープを行ったｐ型ＩｎＰクラッド層５やｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６から、ドープを行わない
ＭＱＷ吸収層７やＭＱＷ活性層８にまで熱的に拡散して
しまうことがわかる。
吸収層７中の不純物濃度と消光比との関係を示したグラ
フである。図７に示すように、ＭＱＷ吸収層７にＺｎ等
の不純物が侵入して不純物の濃度が増加すると、重要な
デバイス特性の一つである消光比が低下してしまうとい
う計算結果が出ている。また、図８は、実際にＺｎの拡
散の様子を二次イオン質量分析法（Secondary Ion Mass
Spectroscopy：ＳＩＭＳ）によって調べた結果を示し
たものである。図８に示されるように、ドーパントであ
るＺｎが、ドープを行ったｐ型ＩｎＰクラッド層５やｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６から、ドープを行わない
ＭＱＷ吸収層７やＭＱＷ活性層８にまで熱的に拡散して
しまうことがわかる。
【０００８】また、例えば特開昭６１−１３９０８２号
公報や特開平７−８６６８３号公報に記載されている様
に、Ｚｎの代わりにＢｅ（ベリリウム）をドーパントと
して用いる方法も考えられるが、この場合は、後述する
独自の実験結果により、本発明に係るような半導体装置
においては所望のドーピング濃度や良好な鏡面を得るこ
とが困難であり、所望の特性を得ることができないこと
が分かったため、すなわち、ＺｎやＢｅを単にドーピン
グするだけでは、実際には実用化が図れないという問題
点があった。
公報や特開平７−８６６８３号公報に記載されている様
に、Ｚｎの代わりにＢｅ（ベリリウム）をドーパントと
して用いる方法も考えられるが、この場合は、後述する
独自の実験結果により、本発明に係るような半導体装置
においては所望のドーピング濃度や良好な鏡面を得るこ
とが困難であり、所望の特性を得ることができないこと
が分かったため、すなわち、ＺｎやＢｅを単にドーピン
グするだけでは、実際には実用化が図れないという問題
点があった。
【０００９】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、ドーパントの不要な熱拡散を防
止することができ、消光比等が低下することなく所望の
特性を得ることができるとともに、所望のドーピング濃
度や良好な鏡面を得ることができる、高品質な半導体装
置を得ることを目的とする。
になされたものであり、ドーパントの不要な熱拡散を防
止することができ、消光比等が低下することなく所望の
特性を得ることができるとともに、所望のドーピング濃
度や良好な鏡面を得ることができる、高品質な半導体装
置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、基板と、基板に設けられ、電流が狭窄するための
電流狭窄手段と、電流狭窄手段上に設けられた、Ｂｅを
ドープしたＩｎＰクラッド層と、ＩｎＰクラッド層上に
設けられ、Ｚｎ及びＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコン
タクト層と、を備えたものである。
置は、基板と、基板に設けられ、電流が狭窄するための
電流狭窄手段と、電流狭窄手段上に設けられた、Ｂｅを
ドープしたＩｎＰクラッド層と、ＩｎＰクラッド層上に
設けられ、Ｚｎ及びＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコン
タクト層と、を備えたものである。
【００１１】また、ＩｎＧａＡｓコンタクト層は、Ｚｎ
及びＢｅを共にそれぞれ所定の濃度でドープしたＩｎＧ
ａＡｓ層から構成する。
及びＢｅを共にそれぞれ所定の濃度でドープしたＩｎＧ
ａＡｓ層から構成する。
【００１２】また、ＩｎＧａＡｓコンタクト層は、Ｂｅ
をドープしたＩｎＧａＡｓ層から構成されて、ＩｎＰク
ラッド層上に設けられた第一の層と、Ｚｎをドープした
ＩｎＧａＡｓ層から構成されて、その第一の層上に設け
られた第二の層と、を備えている。
をドープしたＩｎＧａＡｓ層から構成されて、ＩｎＰク
ラッド層上に設けられた第一の層と、Ｚｎをドープした
ＩｎＧａＡｓ層から構成されて、その第一の層上に設け
られた第二の層と、を備えている。
【００１３】さらに、ＩｎＧａＡｓコンタクト層中のＢ
ｅの濃度を３×１０18ｃｍ-3以下にする。
ｅの濃度を３×１０18ｃｍ-3以下にする。
【００１４】また、第二の層の厚さｔ（μｍ）と、第二
の層中のＺｎの濃度〔Ｚｎ〕（cm-3）とが、第一の層中
のＢｅの濃度（cm-3）を〔Ｂｅ〕（cm-3）とすると、次
式 〔Ｚｎ〕ｔ＋〔Ｂｅ〕（１−ｔ）＝１×１０15（cm-2） を満たすようにする。
の層中のＺｎの濃度〔Ｚｎ〕（cm-3）とが、第一の層中
のＢｅの濃度（cm-3）を〔Ｂｅ〕（cm-3）とすると、次
式 〔Ｚｎ〕ｔ＋〔Ｂｅ〕（１−ｔ）＝１×１０15（cm-2） を満たすようにする。
【００１５】
実施の形態１．本発明の半導体装置は、後述する独自に
行った実験結果を基にして、図１に示すようなヘテロ接
合構造を備えるとともに、図６に示すが如くＥＡ外部変
調器１０とＤＦＢ−ＬＤ９とを集積して構成したもので
ある。
行った実験結果を基にして、図１に示すようなヘテロ接
合構造を備えるとともに、図６に示すが如くＥＡ外部変
調器１０とＤＦＢ−ＬＤ９とを集積して構成したもので
ある。
【００１６】本発明の半導体装置の構成について説明す
る前に、まずはじめに、その独自に行った実験結果につ
いて説明する。１×１０19ｃｍ-3程度のＺｎがドープさ
れているｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６からの下層へ
のＺｎ拡散を防ぐために、ドーパントとして、拡散が小
さいと期待されるＢｅをＺｎの代わりに用いることを考
え、有機金属気相成長法（Metal-organic Chemical Vap
or Deposition：ＭＯＣＶＤ）によるＩｎＰ系結晶への
ビスメチルシクロペンタジエニルベリリウム（Be(CH3C5
H4)2：Cp2Be）によるＢｅドーピングの実験を行い、ｐ
型ＩｎＰクラッド層５の仕様７×１０17cm-3とｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層６の仕様１×１０19cm-3を満たす
かどうかを調べた。その結果、ｐ型ＩｎＰクラッド層５
については仕様を満たす高品質のものが得られることが
わかったが、一方、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６に
ついては仕様は満たすものの、約４×１０18cm-3以上の
ドーピングで白濁してしまい表面状態を悪くすることが
わかった。この時点で単にＺｎをＢｅに変更するだけで
はだめなことが理解できた。また、この実験により、Ｂ
ｅはＺｎをドープした層には拡散するがそれ以外の層に
はほとんど拡散しないことも確認できた。
る前に、まずはじめに、その独自に行った実験結果につ
いて説明する。１×１０19ｃｍ-3程度のＺｎがドープさ
れているｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６からの下層へ
のＺｎ拡散を防ぐために、ドーパントとして、拡散が小
さいと期待されるＢｅをＺｎの代わりに用いることを考
え、有機金属気相成長法（Metal-organic Chemical Vap
or Deposition：ＭＯＣＶＤ）によるＩｎＰ系結晶への
ビスメチルシクロペンタジエニルベリリウム（Be(CH3C5
H4)2：Cp2Be）によるＢｅドーピングの実験を行い、ｐ
型ＩｎＰクラッド層５の仕様７×１０17cm-3とｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層６の仕様１×１０19cm-3を満たす
かどうかを調べた。その結果、ｐ型ＩｎＰクラッド層５
については仕様を満たす高品質のものが得られることが
わかったが、一方、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６に
ついては仕様は満たすものの、約４×１０18cm-3以上の
ドーピングで白濁してしまい表面状態を悪くすることが
わかった。この時点で単にＺｎをＢｅに変更するだけで
はだめなことが理解できた。また、この実験により、Ｂ
ｅはＺｎをドープした層には拡散するがそれ以外の層に
はほとんど拡散しないことも確認できた。
【００１７】次に、本発明の半導体装置の構成について
説明する。図１に示した本発明の実施の形態において、
図６の従来例と異なる点は、Ｚｎをドープしたｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層５の代わりにＢｅをドープしたＢｅドープ
ｐ型ＩｎＰクラッド層１１を用いたことと、Ｚｎをドー
プしたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の代わりに、Ｚ
ｎとＢｅとを共にドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１２を用いたこととの２点である。他の構造につい
ては、図６の従来例と同じであるため、図６を参照し、
ここではその説明を省略する。
説明する。図１に示した本発明の実施の形態において、
図６の従来例と異なる点は、Ｚｎをドープしたｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層５の代わりにＢｅをドープしたＢｅドープ
ｐ型ＩｎＰクラッド層１１を用いたことと、Ｚｎをドー
プしたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の代わりに、Ｚ
ｎとＢｅとを共にドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１２を用いたこととの２点である。他の構造につい
ては、図６の従来例と同じであるため、図６を参照し、
ここではその説明を省略する。
【００１８】この実施の形態においては、ＢｅドープＩ
ｎＰクラッド層１１のキャリア濃度は仕様通りの７×１
０17cm-3としている。また、Ｂｅ及びＺｎを共にドープ
したＩｎＧａＡｓコンタクト層１２のキャリア濃度も仕
様通りの１×１０19cm-3とするが、その中味は、Ｂｅ濃
度が約３×１０18cm-3で、Ｚｎ濃度が７×１０18cm-3と
している。これは、上述した実験結果から、Ｂｅ濃度が
約４×１０18cm-3以上のドーピングでは白濁してしまっ
て表面状態を悪くすることがわかったため、Ｂｅの濃度
を、白濁を起こさない最大値である約３×１０18cm-3に
抑えるようにして、良好な鏡面を得るようにしたもので
ある。また、拡散を起こすＺｎの含有量を低減させ、拡
散の少ないＢｅをできるだけ多く用いるようにしたの
で、ドーパントの熱拡散を防止抑制することができ、ド
ーパントの熱拡散による侵入によって起こる消光比の低
下等を防止することができ、所望の特性を得ることがで
きる。
ｎＰクラッド層１１のキャリア濃度は仕様通りの７×１
０17cm-3としている。また、Ｂｅ及びＺｎを共にドープ
したＩｎＧａＡｓコンタクト層１２のキャリア濃度も仕
様通りの１×１０19cm-3とするが、その中味は、Ｂｅ濃
度が約３×１０18cm-3で、Ｚｎ濃度が７×１０18cm-3と
している。これは、上述した実験結果から、Ｂｅ濃度が
約４×１０18cm-3以上のドーピングでは白濁してしまっ
て表面状態を悪くすることがわかったため、Ｂｅの濃度
を、白濁を起こさない最大値である約３×１０18cm-3に
抑えるようにして、良好な鏡面を得るようにしたもので
ある。また、拡散を起こすＺｎの含有量を低減させ、拡
散の少ないＢｅをできるだけ多く用いるようにしたの
で、ドーパントの熱拡散を防止抑制することができ、ド
ーパントの熱拡散による侵入によって起こる消光比の低
下等を防止することができ、所望の特性を得ることがで
きる。
【００１９】また、この実施の形態においては、ＥＡ外
部変調器１０とＤＦＢ−ＬＤ９との間の電気的アイソレ
ーションの改善のために、図６の従来例と同様に、電流
狭窄構造をｐ／Ｓ.Ｉ.／ｎ／Ｓ.Ｉ.／ｎ構造から構成す
るようにしたので、ｐ型ＢｅドープＩｎＰクラッド層１
１とｎ型ＩｎＰホールトラップ層３との間の容量Ｃ1を
低減させて、ＥＡ外部変調器１０に印加した信号がｎ型
ＩｎＰホールトラップ層３を介してＤＦＢ−ＬＤ９側に
漏洩するのを抑えることができ、かつ、図６の従来例と
異なり、上述したように、ドーパントの熱拡散を防止す
ることができるので、所望な良好なデバイス特性を得る
ことができる。
部変調器１０とＤＦＢ−ＬＤ９との間の電気的アイソレ
ーションの改善のために、図６の従来例と同様に、電流
狭窄構造をｐ／Ｓ.Ｉ.／ｎ／Ｓ.Ｉ.／ｎ構造から構成す
るようにしたので、ｐ型ＢｅドープＩｎＰクラッド層１
１とｎ型ＩｎＰホールトラップ層３との間の容量Ｃ1を
低減させて、ＥＡ外部変調器１０に印加した信号がｎ型
ＩｎＰホールトラップ層３を介してＤＦＢ−ＬＤ９側に
漏洩するのを抑えることができ、かつ、図６の従来例と
異なり、上述したように、ドーパントの熱拡散を防止す
ることができるので、所望な良好なデバイス特性を得る
ことができる。
【００２０】本発明のこの実施の形態によれば、上述し
たような構造にして、ＢｅドープＩｎＰクラッド層１１
と、ＺｎとＢｅとをドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト
層１２を用いるようにしたので、ドーパントの不要な熱
拡散を防止することができ、ドーパントの熱拡散によっ
て起こる消光比の低下等を防止することができ、所望の
特性を得ることができるとともに、所望のドーピング濃
度や良好な鏡面を得ることができ、高品質を保ったまま
熱拡散を防止することができる高品質な半導体装置を得
ることができる。
たような構造にして、ＢｅドープＩｎＰクラッド層１１
と、ＺｎとＢｅとをドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト
層１２を用いるようにしたので、ドーパントの不要な熱
拡散を防止することができ、ドーパントの熱拡散によっ
て起こる消光比の低下等を防止することができ、所望の
特性を得ることができるとともに、所望のドーピング濃
度や良好な鏡面を得ることができ、高品質を保ったまま
熱拡散を防止することができる高品質な半導体装置を得
ることができる。
【００２１】実施の形態２．本発明の他の実施の形態の
一例を図２に示す。図２に示した実施の形態のヘテロ接
合構造において、図１の実施の形態１との相違点は、Ｂ
ｅ及びＺｎをともにドープした図１のｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層１２の代わりに、ＢｅをドープしたＩｎＧ
ａＡｓ層から構成されて、ＢｅドープＩｎＰクラッド層
１１上に設けられたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２
ａａ（第一の層）と、ＺｎをドープしたＩｎＧａＡｓ層
から構成されて、上記のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１２ａａ（第一の層）上に設けられたｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層１２ａｂ（第二の層）との二層から構成さ
れたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａを用いた点で
ある。他の構造については図１の実施の形態１と同様で
あるためここではその説明を省略する。
一例を図２に示す。図２に示した実施の形態のヘテロ接
合構造において、図１の実施の形態１との相違点は、Ｂ
ｅ及びＺｎをともにドープした図１のｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層１２の代わりに、ＢｅをドープしたＩｎＧ
ａＡｓ層から構成されて、ＢｅドープＩｎＰクラッド層
１１上に設けられたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２
ａａ（第一の層）と、ＺｎをドープしたＩｎＧａＡｓ層
から構成されて、上記のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１２ａａ（第一の層）上に設けられたｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層１２ａｂ（第二の層）との二層から構成さ
れたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａを用いた点で
ある。他の構造については図１の実施の形態１と同様で
あるためここではその説明を省略する。
【００２２】このような構成にすると、エピタキシャル
成長中の熱印加によって最上層のＺｎをドープしたｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａｂとその直下のＢｅを
ドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａａとの間で
ＺｎとＢｅとの相互拡散が起こる。図３および図４は、
それぞれ、熱拡散前及び熱拡散後の各層におけるＺｎと
Ｂｅの濃度プロファイルを示したものである。図４から
わかるように、Ｚｎをドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓコン
タクト層１２ａｂとＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコン
タクト層１２ａａとの間では相互拡散が起こるが、Ｂｅ
をドープしたＩｎＰクラッド層１１へは拡散していな
い。このように、ＢｅがＺｎをドープした層には拡散す
るが、それ以外の層には拡散しないということは、上述
したように、上記の実験結果においても確認されている
通りである。
成長中の熱印加によって最上層のＺｎをドープしたｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａｂとその直下のＢｅを
ドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａａとの間で
ＺｎとＢｅとの相互拡散が起こる。図３および図４は、
それぞれ、熱拡散前及び熱拡散後の各層におけるＺｎと
Ｂｅの濃度プロファイルを示したものである。図４から
わかるように、Ｚｎをドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓコン
タクト層１２ａｂとＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコン
タクト層１２ａａとの間では相互拡散が起こるが、Ｂｅ
をドープしたＩｎＰクラッド層１１へは拡散していな
い。このように、ＢｅがＺｎをドープした層には拡散す
るが、それ以外の層には拡散しないということは、上述
したように、上記の実験結果においても確認されている
通りである。
【００２３】一般に、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層は
１μｍ厚程度が適当であるため、この実施の形態におい
ても、上述の２層１２ａａ及び１２ａｂを合わせたｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａ全体の厚さを１μｍ程
度に形成する。また、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１
２ａのキャリア濃度の仕様は上述したように１×１０19
（cm-3）であるため、この場合の最低限必要なＺｎ濃度
は、下記の（１）式のように規定することができる。 〔Ｚｎ〕ｔ＋〔Ｂｅ〕（１−ｔ）＝１×１０15（cm-2） ・・・ （１） ここで、〔Ｚｎ〕及び〔Ｂｅ〕はそれぞれＺｎとＢｅの
濃度（cm-3）であり、ｔはＺｎをドープしたＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層１２ａｂの厚さ（μｍ）である。
１μｍ厚程度が適当であるため、この実施の形態におい
ても、上述の２層１２ａａ及び１２ａｂを合わせたｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａ全体の厚さを１μｍ程
度に形成する。また、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１
２ａのキャリア濃度の仕様は上述したように１×１０19
（cm-3）であるため、この場合の最低限必要なＺｎ濃度
は、下記の（１）式のように規定することができる。 〔Ｚｎ〕ｔ＋〔Ｂｅ〕（１−ｔ）＝１×１０15（cm-2） ・・・ （１） ここで、〔Ｚｎ〕及び〔Ｂｅ〕はそれぞれＺｎとＢｅの
濃度（cm-3）であり、ｔはＺｎをドープしたＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層１２ａｂの厚さ（μｍ）である。
【００２４】図５に必要なＺｎ濃度をｔに対してプロッ
トしたものを示す。ここで、Ｂｅ濃度〔Ｂｅ〕について
は、上述の実験結果から約４×１０18cm-3以上のドーピ
ングでは白濁してしまって表面状態を悪くすることがわ
かったため、Ｂｅの濃度を白濁を起こさない最大値であ
る〔Ｂｅ〕＝３×１０18（cm-3）とする。このとき、例
えば、ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の厚みｔがｔ＝０.
５μｍの場合は上記の（１）式よりＺｎ濃度〔Ｚｎ〕は
〔Ｚｎ〕＝１．７×１０19cm-3と求められ、また、ｔ＝
０.３μｍの場合は〔Ｚｎ〕＝２．６×１０19cm-3と求
められる。このように、これらの（１）式から得られる
組合せを用いるようにすれば良い。
トしたものを示す。ここで、Ｂｅ濃度〔Ｂｅ〕について
は、上述の実験結果から約４×１０18cm-3以上のドーピ
ングでは白濁してしまって表面状態を悪くすることがわ
かったため、Ｂｅの濃度を白濁を起こさない最大値であ
る〔Ｂｅ〕＝３×１０18（cm-3）とする。このとき、例
えば、ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の厚みｔがｔ＝０.
５μｍの場合は上記の（１）式よりＺｎ濃度〔Ｚｎ〕は
〔Ｚｎ〕＝１．７×１０19cm-3と求められ、また、ｔ＝
０.３μｍの場合は〔Ｚｎ〕＝２．６×１０19cm-3と求
められる。このように、これらの（１）式から得られる
組合せを用いるようにすれば良い。
【００２５】この実施の形態によれば、図１の実施の形
態１で用いたＢｅ及びＺｎをともにドープしたｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層１２の代わりに、Ｂｅをドープし
たｐ型ＩｎＧａＡｓ層１２ａａとＺｎをドープしたｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａｂとの二層構造からな
る層を用いるようにしたので、上記の実施の形態１と同
様の効果を得るとともに、最表面にのみＺｎがある構造
にしたので、ＺｎドープＩｎＧａＡｓコンタクト層１２
ａｂの成長中にのみＺｎが熱拡散するだけなので、ＭＱ
Ｗ活性層８へのＺｎの拡散を確実に抑制でき、ドーパン
トの熱拡散によって起こる消光比の低下等を防止するこ
とができ、所望の特性を得ることができるとともに、所
望のドーピング濃度や良好な鏡面を得ることができ、高
品質な半導体装置を得ることができる。
態１で用いたＢｅ及びＺｎをともにドープしたｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層１２の代わりに、Ｂｅをドープし
たｐ型ＩｎＧａＡｓ層１２ａａとＺｎをドープしたｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２ａｂとの二層構造からな
る層を用いるようにしたので、上記の実施の形態１と同
様の効果を得るとともに、最表面にのみＺｎがある構造
にしたので、ＺｎドープＩｎＧａＡｓコンタクト層１２
ａｂの成長中にのみＺｎが熱拡散するだけなので、ＭＱ
Ｗ活性層８へのＺｎの拡散を確実に抑制でき、ドーパン
トの熱拡散によって起こる消光比の低下等を防止するこ
とができ、所望の特性を得ることができるとともに、所
望のドーピング濃度や良好な鏡面を得ることができ、高
品質な半導体装置を得ることができる。
【００２６】本発明は、以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載されるような効果を奏する。
いるので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２７】ＢｅをドープしたＩｎＰクラッド層上に、
Ｚｎ及びＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト層を
設けることにより、拡散の小さいＢｅの含有量を増やし
て、Ｚｎの含有量を低減させたので、ドーパントの不要
な熱拡散を防止することができ、それにより、ドーパン
トの熱拡散によって起こる消光比の低下等を防止するこ
とができて、所望の特性を得ることができるとともに、
高品質を保ったまま熱拡散を防止することができる半導
体装置を得ることができる。
Ｚｎ及びＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓコンタクト層を
設けることにより、拡散の小さいＢｅの含有量を増やし
て、Ｚｎの含有量を低減させたので、ドーパントの不要
な熱拡散を防止することができ、それにより、ドーパン
トの熱拡散によって起こる消光比の低下等を防止するこ
とができて、所望の特性を得ることができるとともに、
高品質を保ったまま熱拡散を防止することができる半導
体装置を得ることができる。
【００２８】ＩｎＧａＡｓコンタクト層をＺｎ及びＢｅ
をそれぞれ所定の濃度においてドープしたＩｎＧａＡｓ
層から構成するようにしたので、上記の効果を奏すると
ともに、製造工程も容易である。
をそれぞれ所定の濃度においてドープしたＩｎＧａＡｓ
層から構成するようにしたので、上記の効果を奏すると
ともに、製造工程も容易である。
【００２９】ＩｎＧａＡｓコンタクト層を、Ｂｅをドー
プしたＩｎＧａＡｓ層から構成されて、ＩｎＰクラッド
層上に設けられれた第一の層と、ＺｎをドープしたＩｎ
ＧａＡｓ層から構成されて、第一の層上に設けられた第
二の層とから構成するようにして、最表面にのみＺｎが
ある構造にしたので、ＺｎをドープしたＩｎＧａＡｓ層
の成長中にのみＺｎが熱拡散するだけなので、活性層へ
のＺｎの拡散を確実に抑制でき、ドーパントの熱拡散に
よって起こる消光比の低下等を防止することができ、所
望の特性を得ることができ、高品質な半導体装置を得る
ことができる。
プしたＩｎＧａＡｓ層から構成されて、ＩｎＰクラッド
層上に設けられれた第一の層と、ＺｎをドープしたＩｎ
ＧａＡｓ層から構成されて、第一の層上に設けられた第
二の層とから構成するようにして、最表面にのみＺｎが
ある構造にしたので、ＺｎをドープしたＩｎＧａＡｓ層
の成長中にのみＺｎが熱拡散するだけなので、活性層へ
のＺｎの拡散を確実に抑制でき、ドーパントの熱拡散に
よって起こる消光比の低下等を防止することができ、所
望の特性を得ることができ、高品質な半導体装置を得る
ことができる。
【００３０】また、ＩｎＧａＡｓコンタクト層中のＢｅ
の濃度を、白濁せずに良好な鏡面が得られる最大の値で
ある３×１０18ｃｍ-3以下に抑えるようにしたので、良
好な鏡面を得ることができる。
の濃度を、白濁せずに良好な鏡面が得られる最大の値で
ある３×１０18ｃｍ-3以下に抑えるようにしたので、良
好な鏡面を得ることができる。
【００３１】さらに、第二の層の厚さｔ（μｍ）と、第
二の層中のＺｎの濃度〔Ｚｎ〕（cm-3）とが、第一の層
中のＢｅの濃度（cm-3）を〔Ｂｅ〕（cm-3）とすると、
次式 〔Ｚｎ〕ｔ＋〔Ｂｅ〕（１−ｔ）＝１×１０15（cm-2） を満たすようにしたので、ＩｎＧａＡｓコンタクト層の
仕様である、ドーパントの濃度１×１０19（cm-3）及び
厚さ１μｍを満たしながら、Ｚｎの拡散を抑制でき、そ
れにより、ドーパントの熱拡散によって起こる消光比の
低下等を防止することができ、所望の特性を得ることが
でき、高品質な半導体装置を得ることができる。
二の層中のＺｎの濃度〔Ｚｎ〕（cm-3）とが、第一の層
中のＢｅの濃度（cm-3）を〔Ｂｅ〕（cm-3）とすると、
次式 〔Ｚｎ〕ｔ＋〔Ｂｅ〕（１−ｔ）＝１×１０15（cm-2） を満たすようにしたので、ＩｎＧａＡｓコンタクト層の
仕様である、ドーパントの濃度１×１０19（cm-3）及び
厚さ１μｍを満たしながら、Ｚｎの拡散を抑制でき、そ
れにより、ドーパントの熱拡散によって起こる消光比の
低下等を防止することができ、所望の特性を得ることが
でき、高品質な半導体装置を得ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１による半導体装置のヘ
テロ接合構造を示した部分拡大断面図である。
テロ接合構造を示した部分拡大断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２による半導体装置のヘ
テロ接合構造を示した部分拡大断面図である。
テロ接合構造を示した部分拡大断面図である。
【図３】 図２の構造における熱拡散前のＺｎ及びＢｅ
のプロファイルを示すＳＩＭＳ測定によるグラフを示し
た図である。
のプロファイルを示すＳＩＭＳ測定によるグラフを示し
た図である。
【図４】 図２の構造における熱拡散後のＺｎ及びＢｅ
のプロファイルを示すＳＩＭＳ測定によるグラフを示し
た図である。
のプロファイルを示すＳＩＭＳ測定によるグラフを示し
た図である。
【図５】 図２の構造におけるＺｎドープＩｎＧａＡｓ
層の厚さと必要なＺｎ濃度との関係を示した図である。
層の厚さと必要なＺｎ濃度との関係を示した図である。
【図６】 従来の半導体装置を示した斜視図及び部分拡
大断面図である。
大断面図である。
【図７】 従来の半導体装置におけるＭＱＷ吸収層の消
光比の不純物濃度依存性を示したグラフ図である。
光比の不純物濃度依存性を示したグラフ図である。
【図８】 ＺｎをドープしたＩｎＰクラッド層と、ドー
プしていないＭＱＷ吸収層及び活性層とにおける、Ｚｎ
の拡散プロファイルを示すＳＩＭＳ測定によるグラフを
示した図である。
プしていないＭＱＷ吸収層及び活性層とにおける、Ｚｎ
の拡散プロファイルを示すＳＩＭＳ測定によるグラフを
示した図である。
１ Ｓドープｎ型ＩｎＰ基板、２，４ ＦｅドープＩｎ
Ｐ半絶縁性層、３ ｎ型ＩｎＰホールトラップ層、５
Ｚｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層、６ Ｚｎドープｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層、７ ＭＱＷ吸収層、８ Ｍ
ＱＷ活性層、９単一波長レーザダイオード（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）、１０ ＥＡ外部変調噐、１１Ｂｅドープｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、１２，１２ａ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層、１２ａａ Ｂｅドープｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層、１２ａｂ Ｚｎドープｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層。
Ｐ半絶縁性層、３ ｎ型ＩｎＰホールトラップ層、５
Ｚｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層、６ Ｚｎドープｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層、７ ＭＱＷ吸収層、８ Ｍ
ＱＷ活性層、９単一波長レーザダイオード（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）、１０ ＥＡ外部変調噐、１１Ｂｅドープｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、１２，１２ａ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層、１２ａａ Ｂｅドープｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層、１２ａｂ Ｚｎドープｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、 上記基板に設けられ、電流が狭窄するための電流狭窄手
段と、 上記電流狭窄手段上に設けられた、ＢｅをドープしたＩ
ｎＰクラッド層と、 上記ＩｎＰクラッド層上に設けられ、Ｚｎ及びＢｅをド
ープしたＩｎＧａＡｓコンタクト層と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記ＩｎＧａＡｓコンタクト層が、 Ｚｎ及びＢｅをそれぞれ所定の濃度においてドープした
ＩｎＧａＡｓ層から構成されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記ＩｎＧａＡｓコンタクト層が、 ＢｅをドープしたＩｎＧａＡｓ層から構成されて、上記
ＩｎＰクラッド層上に設けられた第一の層と、 ＺｎをドープしたＩｎＧａＡｓ層から構成されて、上記
第一の層上に設けられた第二の層と、 を備えていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 上記ＩｎＧａＡｓコンタクト層に含まれ
るＢｅの濃度を３×１０18ｃｍ-3以下としたことを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 上記第二の層の厚さｔ（μｍ）と、上記
第二の層中のＺｎの濃度〔Ｚｎ〕（cm-3）とが、上記第
一の層中のＢｅの濃度（cm-3）を〔Ｂｅ〕（cm-3）とす
ると、次式 〔Ｚｎ〕ｔ＋〔Ｂｅ〕（１−ｔ）＝１×１０15（cm-2） を満たしていることを特徴とする請求項３または４記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22080695A JPH0964459A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22080695A JPH0964459A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964459A true JPH0964459A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16756861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22080695A Pending JPH0964459A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964459A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400836A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-03-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide-type semiconductor optical device and process of fabricating the same |
| US6734519B1 (en) | 2002-10-21 | 2004-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide photodiode |
| JP2006005073A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Hitachi Cable Ltd | レーザダイオード用エピタキシャルウェハ及びレーザダイオード |
| JP2010157691A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-07-15 | Opnext Japan Inc | 光半導体装置 |
| JP2019009169A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法 |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP22080695A patent/JPH0964459A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400836A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-03-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide-type semiconductor optical device and process of fabricating the same |
| US6734519B1 (en) | 2002-10-21 | 2004-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide photodiode |
| JP2004146408A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 導波路型フォトダイオードおよびその製造方法 |
| JP2006005073A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Hitachi Cable Ltd | レーザダイオード用エピタキシャルウェハ及びレーザダイオード |
| JP2010157691A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-07-15 | Opnext Japan Inc | 光半導体装置 |
| JP2019009169A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法 |
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