JPH0967348A - ピラゾールのn−アルキル化方法 - Google Patents

ピラゾールのn−アルキル化方法

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JPH0967348A
JPH0967348A JP8159347A JP15934796A JPH0967348A JP H0967348 A JPH0967348 A JP H0967348A JP 8159347 A JP8159347 A JP 8159347A JP 15934796 A JP15934796 A JP 15934796A JP H0967348 A JPH0967348 A JP H0967348A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ピラゾールのN−アルキル化方法を提供する。 【解決手段】(I)と(II)から(III)を製造する方法
において、触媒として結晶性アルミノシリケートまたは
結晶性アルミノホスフェートを用いることを特徴とする
ピラゾールのN−アルキル化方法。 【化1】 (R1、R2およびR3は水素、アルキル、アルケニルま
たはフェニル、Rはアルキル、Qは水素、アルキルまた
はCOORを表す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、農薬、医薬等の種々の
ファインケミカル原料および中間体として有用なN−ア
ルキルピラゾール誘導体の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、種々の複素環化合物が農薬、医
薬、染料、感光材料等の種々のファインケミカル原料お
よび中間体として利用されている。その代表的複素環化
合物の一つとしてN−置換ピラゾール誘導体があげられ
る。一般に、N−置換ピラゾール誘導体を得るには、N
−モノ置換ヒドラジンと1,3−ジカルボニル化合物を
反応させる方法が常法として知られている。この方法は
極めて簡便であり、実験室的には有用な方法であるが、
N−モノ置換ヒドラジン類は一般に高価なものが多いた
め、工業的には安価なヒドラジンを用いてN−無置換ピ
ラゾール誘導体を得た後に、N−アルキル化反応により
対応するN−アルキルピラゾール誘導体を得る方法が選
ばれる場合が多い。
【0003】従来、N−無置換ピラゾール誘導体からN
−アルキルピラゾール誘導体を得る一般的な合成法とし
ては、理論量の塩基の存在下、ハロゲン化アルキルに代
表される活性アルキル化剤と反応させる方法が、 (1)欧州特許公開454,307号 (2)ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー
(J.Org.Chem. )、49巻、24号、4687頁、19
84年 (3)ジャーナル・オブ・メヂシナル・ケミストリー
(J.Med.Chem. )、27巻、4号、539頁、1984
年 等をはじめとして数多く報告されている。
【0004】また近年では、アルコールを用いる方法と
して、 (4)ケミストリー・レター(Chem.Lett.)、575
頁、1992年のVIII 族錯体触媒を用いる方法 (5)欧州特許公開625,563号のγ−アルミナお
よび/またはシリカ触媒を用いる方法 等が報告されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】(1)〜(3)の方法
は全ての場合、量論量以上の塩基あるいは縮合剤を必要
とし、工業的にはしばしば問題となる大量の塩類等の副
生物を生じる。アルコールを用いる方法は、基本的に水
のみを副生物とするために優れた方法と考えられるが、
(4)のVIII 族錯体触媒を用いる方法は、工業的には
必ずしも安価とは言えない触媒を用いる点に問題があ
る。また、もう一つの(5)のシリカアルミナあるいは
それにリン酸を添加したものを触媒とする方法は、多く
の場合に反応温度が400℃以上と高温を要し、シリカ
アルミナのような無定形の物質は触媒の活性により再現
性を得難いという欠点がある。さらに、リン酸を添加し
た触媒では、長時間の使用によりリン酸が飛散するおそ
れがある。
【0006】従って、種々の置換基を有するN−アルキ
ルピラゾール誘導体合成に適用可能な安価かつ安全で、
かつ工業的にも実施容易なN−無置換ピラゾール誘導体
を原料とするN−アルキルピラゾール誘導体のさらに優
れた製造方法が求められている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果本発明を完成するに
至った。本発明は、式(I):
【0008】
【化4】
【0009】(式中、R1、R2およびR3は各々独立し
て、水素原子、C1-20のアルキル基(該アルキル基は、
その構造中に任意に脂環式構造を有していてもよく、フ
ェニル基によって置換されていてもよい。)、C2-20
アルケニル基(該アルケニル基は、その構造中に任意に
脂環式構造を有していてもよく、フェニル基によって置
換されていてもよい。)またはフェニル基を表す。)で
表されるピラゾール誘導体、と式(II):
【0010】
【化5】
【0011】(式中、RはC1-20のアルキル基を表し、
Qは水素原子、C1-20のアルキル基またはCOOR基を
表す。)で表されるアルコールまたはその誘導体から、
式(III):
【0012】
【化6】
【0013】で表されるN−アルキルピラゾール誘導体
を製造する方法において、触媒として結晶性アルミノシ
リケートまたは結晶性アルミノホスフェートを用いるこ
とを特徴とするピラゾールのN−アルキル化方法(以
下、本発明の方法という)である。以下に、本発明の方
法が適応される式(I)で表されるピラゾール誘導体お
よび式(II)で表されるアルコールまたはアルコール誘
導体について述べる。
【0014】R1 、R2 およびR3 としては、水素原
子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル
基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-
ブチル基、n-アミル基、iso-アミル基、ネオペンチル
基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、2−エチルヘキシル
基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ドデシ
ル基、n-ヘキサデシル基、n-オクタデシル基、シクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロオクチル基、シクロプロピルメチル
基、シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、
シクロヘキシルメチル基、ベンジル基、1−フェネチル
基、2−フェネチル基、3−フェニルプロピル基、ビニ
ル基、2−プロペニル基、アリル基、メタリル基、クロ
チル基、3−ブテニル基、3−ヘキセニル基、シンナミ
ル基等があげられる。
【0015】Rとしては、メチル基、エチル基、n-プロ
ピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、
sec-ブチル基、tert- ブチル基、n-アミル基、iso-アミ
ル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、
2−エチルヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-
デシル基、n-ドデシル基、n-ヘキサデシル基、n-オクタ
デシル基等があげられる。
【0016】Qとしては、水素原子、COOCH3 等が
あげられる。次に、触媒について述べる。触媒として
は、結晶性アルミノシリケートおよび結晶性アルミノホ
スフェートがあげられ、好ましくは結晶性アルミノシリ
ケートがあげられる。結晶性アルミノシリケートとして
は、ホージャサイト(XおよびY)、EMT、モルデナ
イト、ベータ、L、ZSM−5など各種の構造を持つア
ルミノシリケート(狭義のゼオライト)、ホウ素、ガリ
ウムなどのイオンをアルミノシリケートの骨格に同型置
換した物質があげられる。
【0017】結晶性アルミノホスフェートとしては、ア
ルミノホスフェート(AlPO4 −n、n=5、11、
36など)、シリコアルミノホスフェート(SAPO−
n、n=5、11、36など)、MnやZnなどの金属
イオンを同型置換したアルミノホスフェート、シリコア
ルミノホスフェート(MAPO−n、ZAPO−n、M
APSO−n、ZAPSO−n、n=5、11、36な
ど)があげられる。
【0018】これらのうち、0.7〜1.0nmの細孔
径をもつ結晶性物質が本反応の触媒として特に適してお
り、ホージャサイト、EMT、ベータ、SAPO−5、
MAPO−5、MAPO−36などがあげられる。ま
た、これらの物質は固体酸性(カチオン)を持つとき、
特に高い触媒活性を示す。狭義のゼオライトやシリコア
ルミノホスフェートでは、細孔内のカチオンをプロトン
にすることで達成される。また、カチオンをMg2+、C
2+などの2価カチオンやLa3+などの3価イオンを細
孔内に導入する方法によっても達成できる。
【0019】反応は、上記触媒を充填搭に充填した反応
装置に原料を気化させて反応させる流通系の反応、オー
トクレーブ等の反応装置内で触媒と原料を混合反応させ
る回分式の反応など様々の反応様式を選択することが可
能であるが、操作性、生産性等の理由から気相流通系で
行なうことが望ましい。反応に用いる式(II)のアルコ
ールまたはアルコール誘導体の量は、反応の目的によっ
て自由に選択することが可能であるが、通常は式(I)
のピラゾール誘導体1モルに対して式(II)のアルコー
ルまたはその誘導体を0.01〜50モル、好ましくは
0.1〜20モル、より好ましくは0.5〜10モルの
範囲から選択することが望ましい。
【0020】反応は気相流通系反応の場合は、式(I)
のピラゾール誘導体と式(II)のアルコールまたはアル
コール誘導体を、同時に加熱気化させた後に反応器内に
連続的に供給することで行なう。反応温度は、通常15
0〜400℃、好ましくは200〜350℃である。反
応圧力は、前記原料類の分圧の和として、通常1〜10
000kPaのあらゆる範囲で可能であるが、操作上、
生産性、安全性等の面から、好ましくは5〜1000k
Paの範囲で行なう。
【0021】反応は上記原料のみを気化させて行なうこ
とも可能であるが、窒素、アルゴン等の不活性気体、ま
たはその他の反応に不活性な気体をキャリアーとして用
いることが望ましい。この場合、反応系内の全圧として
は、通常10〜10000kPa、好ましくは50〜5
000kPaの範囲で行なうことが望ましい。反応時間
は、気相流通系反応の場合、適当な空間速度S/Vは、
用いられる基質、触媒の活性等に応じて選ばれるが、通
常3 x10〜3 x105 -1であるが、収率、生産性な
どを考慮すると、好ましくは6 x10〜2 x10h-1
ある。
【0022】反応終了後の処理方法としては、反応器よ
り得られた反応液から、副生した水および未反応のアル
コールまたはその誘導体を留去または濃縮後分別蒸留す
ることによって容易に純粋なN−アルキルピラゾール誘
導体を得ることができる。また、式(I)のピラゾール
誘導体1モルに対する式(II)のアルコールまたはその
誘導体の使用量が1モルであり、その反応率が100%
またはこれに近い場合は、反応器より得られた反応液か
ら水のみを留去または分液操作により分離するだけで、
実用上全く問題の無い高純度のN−アルキルピラゾール
誘導体を得ることができる。
【0023】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、本実施例は、全ての例において、あらかじめ生成
物を標品として別途合成し、純品として単離したもの
と、内部標準物質とにより検量線を作成し、反応生成物
中の各生成物量をガスクロマトグラフィーによる内標定
量法により正確に求めた。
【0024】〔実施例1〕 1−メチルピラゾールの合
【0025】
【化7】
【0026】酸型ホージャサイトのHY型ゼオライト触
媒0.72gを充填した石英製常圧流通式反応管を30
0℃に加熱し、ピラゾールおよびメタノールを気化させ
て、各々の分圧が16.7kPa、33.3kPaとな
るように窒素とともに全圧を1気圧、空間速度S/Vを
7.5 x102 -1で連続的に供給した。反応器より得
られたガスを冷却、凝縮して得られた粗反応液をガスク
ロマトグラフィーにて定量分析した結果、原料のピラゾ
ールの転化率は100%であり、N−メチルピラゾール
が、供給したピラゾールに対して100%の収率で得ら
れていた。
【0027】〔実施例2〜7〕上記実施例1に準じて、
S/Vおよび反応温度を変化させて反応を行なった。そ
の結果を以下の表1に示す。
【0028】
【表1】 表1.ピラゾールのN−メチル化反応 ──────────────────────────────────── 実施例No. S/V 反応温度 ピラゾール メチルピラゾール (h-1) (℃) 転化率(%) 収率(%) ──────────────────────────────────── 2 7.5 x 102 270 100 100 3 7.5 x 102 240 100 98 4 1.4 x 103 300 100 100 5 1.4 x 103 270 100 99 6 2.8 x 103 300 100 99 7 2.8 x 103 270 99 97 8 2.8 x 103 240 83 77 ────────────────────────────────────
【0029】〔実施例9〕 1,4−ジメチルピラゾー
ル(DP)の合成
【0030】
【化8】
【0031】前記実施例1に準じて、H−EMT触媒
1.0gを充填した石英製常圧流通式反応管を300℃
に加熱し、4−メチルピラゾール(MP)およびメタノ
ールを気化させて、各々の分圧が8.2kPa、42.
5kPaとなるように窒素とともに全圧を1気圧、S/
V=7.5h-1で連続的に供給した。反応器より得られ
たガスを冷却、凝縮して得られた粗反応液をガスクロマ
トグラフィーにて定量分析した結果、原料のMPの転化
率は100%であり、1,4−ジメチルピラゾール(D
P)が、供給したMPに対して100%の収率で得られ
ていた。
【0032】〔実施例10〕 1,4−ジメチルピラゾ
ール(DP)の合成 上記実施例9に準じて、酸型ホージャサイトのHY型ゼ
オライト触媒1.0gを充填した石英製常圧流通式反応
管を300℃に加熱し、4−メチルピラゾール(MP)
およびメタノールを気化させて、各々の分圧が8.2k
Pa、42.5kPaとなるように窒素とともに全圧を
1気圧、S/V=7.5h-1で連続的に供給した。反応
器より得られたガスを冷却、凝縮して得られた粗反応液
をガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、原料
のMPの転化率は100%であり、1,4−ジメチルピ
ラゾール(DP)が、供給したMPに対して100%の
収率で得られていた。
【0033】〔実施例11〜14〕上記実施例に準じ
て、MPおよびメタノールの分圧、S/Vおよび反応温
度を変化させて反応を行なった。その結果を以下の表2
に示す。
【0034】
【表2】 表2.4−メチルピラゾール(MP)のN−メチル化反応による1,4−ジメ チルピラゾール(DP)の合成 ────────────────────────────────── 実施例No. 分圧(kPa) S/V 反応温度 MP DP MP CH3OH (h-1) (℃) 転化率(%) 収率(%) ────────────────────────────────── 11 16.9 33.7 7.5 x 102 270 100 99 12 25.3 25.3 5.8 x 102 300 100 97 13 25.3 25.3 9.3 x 102 270 99 99 14 25.3 25.3 7.5 x 102 300 100 100 ──────────────────────────────────
【0035】〔比較例〕 1,4−ジメチルピラゾール
(DP)の合成 上記実施例9に準じて、リン酸/シリカ(リン酸22
%)触媒1.0gを充填した石英製常圧流通式反応管を
270℃に加熱し、4−メチルピラゾール(MP)およ
びメタノールを気化させて、各々の分圧が25.3kP
a、25.3kPaとなるように窒素とともに全圧を1
気圧、S/V=5.8h-1で連続的に供給した。反応器
より得られたガスを冷却、凝縮して得られた粗反応液を
ガスクロマトグラフィーにて定量分析した結果、原料の
MPの転化率は79%であり、1,4−ジメチルピラゾ
ール(DP)が、供給したMPに対して68%の収率で
得られていた。
【0036】
【発明の効果】本発明の方法に従えば、工業的に安価に
得られるN−無置換ピラゾール誘導体から穏和な反応条
件下で目的とするN−アルキルピラゾール誘導体を高収
率で得ることができる。また、従来法でしばしば問題と
なった塩類などの副生物を全く生じないで、実質上は反
応液中からの水の分離のみで容易に純粋なN−アルキル
ピラゾール誘導体を得ることができるため工業的にも非
常に有用な方法である。

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(I): 【化1】 (式中、R1、R2およびR3は各々独立して、水素原
    子、C1-20のアルキル基(該アルキル基は、その構造中
    に任意に脂環式構造を有していてもよく、フェニル基に
    よって置換されていてもよい。)、C2-20のアルケニル
    基(該アルケニル基は、その構造中に任意に脂環式構造
    を有していてもよく、フェニル基によって置換されてい
    てもよい。)またはフェニル基を表す。)で表されるピ
    ラゾール誘導体、と式(II): 【化2】 (式中、RはC1-20のアルキル基を表し、Qは水素原
    子、C1-20のアルキル基またはCOOR基を表す。)で
    表されるアルコールまたはその誘導体から、式(II
    I): 【化3】 で表されるN−アルキルピラゾール誘導体を製造する方
    法において、触媒として結晶性アルミノシリケートまた
    は結晶性アルミノホスフェートを用いることを特徴とす
    るピラゾールのN−アルキル化方法。
  2. 【請求項2】 触媒の細孔系が0.7〜1.0nmで
    ある請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 触媒が固体酸性(カチオン)を有する
    請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 触媒がカチオンとしてプロトンを有す
    る請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】 触媒がカチオンとして2価または3価
    の金属イオンを有する請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】 触媒が結晶性アルミノシリケートであ
    る請求項1記載の化方法。
  7. 【請求項7】 結晶性アルミノシリケートの細孔系が
    0.7〜1.0nmである請求項6記載の方法。
  8. 【請求項8】 結晶性アルミノシリケートがカチオン
    としてプロトンを含む請求項7記載の方法。
  9. 【請求項9】 結晶性アルミノシリケートがホージャ
    サイトの結晶構造を有する請求項8記載の方法。
  10. 【請求項10】 結晶性アルミノシリケートがEMT
    の結晶構造を有する請求項8記載の方法。
  11. 【請求項11】 結晶性アルミノシリケートがベータ
    の結晶構造を有する請求項8記載の方法。
  12. 【請求項12】 触媒がカチオンとして2価または3
    価の金属イオンを有する請求項6記載の方法。
  13. 【請求項13】 結晶性アルミノシリケートがホージ
    ャサイトの結晶構造を有する請求項12記載の方法。
  14. 【請求項14】 結晶性アルミノシリケートがEMT
    の結晶構造を有する請求項12記載の方法。
  15. 【請求項15】 触媒が結晶性アルミノホスフェート
    である請求項1記載の方法。
  16. 【請求項16】 R1 、R2 およびR3 が各々独立し
    て、水素原子、C1- 20のアルキル基、C2-20のアルケニ
    ル基またはフェニル基を表す請求項1記載の方法。
  17. 【請求項17】 R1 、R2 およびR3 が各々独立し
    て、水素原子またはメチル基を表す請求項1記載の方
    法。
  18. 【請求項18】 RがC1-4 のアルキル基を表す請求
    項1記載の方法。
  19. 【請求項19】 Rがメチル基を表す請求項1記載の
    方法。
  20. 【請求項20】 Qが水素原子を表す前記請求項1記
    載の方法。
  21. 【請求項21】 RがC1-4 のアルキル基を表し、R
    1 、R2 およびR3が各々独立して、水素原子またはメ
    チル基を表す請求項20記載の方法。
  22. 【請求項22】 Rがメチル基を表し、R1 、R2
    よびR3 が各々独立して、水素原子またはメチル基を表
    す請求項20記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018520191A (ja) * 2015-07-20 2018-07-26 中国科学院大▲連▼化学物理研究所Dalian Institute Of Chemical Physics,Chinese Academy Of Sciences 酢酸メチルの生産方法
JP2018524375A (ja) * 2015-07-20 2018-08-30 中国科学院大▲連▼化学物理研究所Dalian Institute Of Chemical Physics,Chinese Academy Of Sciences 低級脂肪族カルボン酸アルキルエステルの生産方法

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