JPH0969406A - 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
角形薄膜チップ抵抗器の製造方法Info
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- JPH0969406A JPH0969406A JP7223288A JP22328895A JPH0969406A JP H0969406 A JPH0969406 A JP H0969406A JP 7223288 A JP7223288 A JP 7223288A JP 22328895 A JP22328895 A JP 22328895A JP H0969406 A JPH0969406 A JP H0969406A
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- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分割形状に優れ、かつ安価に角形薄膜チップ
抵抗器を製造することを目的とするものである。 【構成】 裏面にのみ縦方向および横方向の分割溝２を
有する９６アルミナ基板１の表面上に薄膜上面電極層３
を形成する工程Ａと、この薄膜上面電極層３に重なるよ
うに薄膜抵抗体５を形成する工程Ｃと、この薄膜抵抗体
５の抵抗値を修正する工程Ｆと、この薄膜抵抗体５を完
全に覆うように保護コート７を形成する工程Ｇと、基板
を一次分割する工程と、薄膜上面電極層３と薄膜裏面電
極層とを電気的に接続するように薄膜端面電極層８を形
成する工程Ｉと、個片に分割する工程Ｊと、露出した電
極部にめっき層９を形成する工程Ｋとから構成するもの
である。
抵抗器を製造することを目的とするものである。 【構成】 裏面にのみ縦方向および横方向の分割溝２を
有する９６アルミナ基板１の表面上に薄膜上面電極層３
を形成する工程Ａと、この薄膜上面電極層３に重なるよ
うに薄膜抵抗体５を形成する工程Ｃと、この薄膜抵抗体
５の抵抗値を修正する工程Ｆと、この薄膜抵抗体５を完
全に覆うように保護コート７を形成する工程Ｇと、基板
を一次分割する工程と、薄膜上面電極層３と薄膜裏面電
極層とを電気的に接続するように薄膜端面電極層８を形
成する工程Ｉと、個片に分割する工程Ｊと、露出した電
極部にめっき層９を形成する工程Ｋとから構成するもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子回路に用いら
れる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関するものであ
る。
れる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路基
板に使用される電子部品に対しても実装密度を高めるた
め、高精度品への要求が高まっている。角形チップ抵抗
器に対しても、電子回路の無調整化のため、抵抗値許容
差の高精度な薄膜チップ抵抗器への要求が高まってお
り、需要の増大にともないローコスト要望が電子機器製
造メーカー側から出されるようになってきた。
板に使用される電子部品に対しても実装密度を高めるた
め、高精度品への要求が高まっている。角形チップ抵抗
器に対しても、電子回路の無調整化のため、抵抗値許容
差の高精度な薄膜チップ抵抗器への要求が高まってお
り、需要の増大にともないローコスト要望が電子機器製
造メーカー側から出されるようになってきた。
【０００３】以下に、従来の角形薄膜チップ抵抗器の製
造方法について、図面を参照しながら説明する。
造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０００４】図３は従来の角形薄膜チップ抵抗器の製造
工程を示す図である。まず、工程Ａに示すように、高純
度のアルミナなどからなる耐熱性の分割溝の無い絶縁基
板２１を受け入れる。
工程を示す図である。まず、工程Ａに示すように、高純
度のアルミナなどからなる耐熱性の分割溝の無い絶縁基
板２１を受け入れる。
【０００５】次に、工程Ｂに示すように、絶縁基板２１
上にスパッタにてＮｉ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体を形成し、
工程Ｃに示すように、薄膜抵抗体をエッチングして抵抗
パターン２２に形成する。
上にスパッタにてＮｉ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体を形成し、
工程Ｃに示すように、薄膜抵抗体をエッチングして抵抗
パターン２２に形成する。
【０００６】次に、工程Ｄに示すように、抵抗パターン
２２上にスパッタにてＣｕ等の薄膜電極を形成し、工程
Ｅに示すように、エッチングにて薄膜電極を電極パター
ン２３に形成する。
２２上にスパッタにてＣｕ等の薄膜電極を形成し、工程
Ｅに示すように、エッチングにて薄膜電極を電極パター
ン２３に形成する。
【０００７】次に、工程Ｆに示すように、抵抗パターン
２２および電極パターン２３を安定な膜にするために、
窒素中などで３５０〜４００℃の温度の熱処理を行う。
２２および電極パターン２３を安定な膜にするために、
窒素中などで３５０〜４００℃の温度の熱処理を行う。
【０００８】次に工程Ｇに示すように、抵抗パターン２
２の抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミ
ング等により、抵抗値修正を行う。
２の抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミ
ング等により、抵抗値修正を行う。
【０００９】次に、工程Ｈに示すように、抵抗値修正済
抵抗パターン２４を保護するために、少なくとも抵抗パ
ターン２２を覆うように熱硬化性の樹脂による保護コー
ト２５を行う。
抵抗パターン２４を保護するために、少なくとも抵抗パ
ターン２２を覆うように熱硬化性の樹脂による保護コー
ト２５を行う。
【００１０】次に、工程Ｉに示すように、絶縁基板２１
を分割し、端面電極層２７を形成するための準備工程と
して、絶縁基板２１に分割のための溝２６を形成する。
を分割し、端面電極層２７を形成するための準備工程と
して、絶縁基板２１に分割のための溝２６を形成する。
【００１１】次に、工程Ｊに示すように、絶縁基板２１
を短冊状基板２１ａに分割する一次基板分割を行い、工
程Ｋに示すように、その短冊状基板２１ａの端面にスパ
ッタ等を用い、端面電極層２７を形成する端面電極形成
をする。
を短冊状基板２１ａに分割する一次基板分割を行い、工
程Ｋに示すように、その短冊状基板２１ａの端面にスパ
ッタ等を用い、端面電極層２７を形成する端面電極形成
をする。
【００１２】次に、工程Ｌに示すように、露出している
電極面にめっきを施すための準備工程として、短冊状基
板２１ａを個片状基板２１ｂに分割する二次基板分割す
る。
電極面にめっきを施すための準備工程として、短冊状基
板２１ａを個片状基板２１ｂに分割する二次基板分割す
る。
【００１３】最後に、工程Ｍに示すように、はんだ付け
時の信頼性の確保のため電極めっき２８を形成して、角
形薄膜チップ抵抗器を製造していた。
時の信頼性の確保のため電極めっき２８を形成して、角
形薄膜チップ抵抗器を製造していた。
【００１４】また、他の方法として、絶縁基板として両
面に縦方向及び横方向の分割溝を有する絶縁基板を用
い、これにＮｉ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体をスパッタ形成す
る方法もある。しかしながら、この方法では分割溝の中
に薄膜抵抗体材料が侵入してしまい、これを完全に除去
することが難しく、この除去のために工程を増やさざる
を得なかった。
面に縦方向及び横方向の分割溝を有する絶縁基板を用
い、これにＮｉ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体をスパッタ形成す
る方法もある。しかしながら、この方法では分割溝の中
に薄膜抵抗体材料が侵入してしまい、これを完全に除去
することが難しく、この除去のために工程を増やさざる
を得なかった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜チップ抵抗器の製造方法では、以下に示すような課
題を有していた。
薄膜チップ抵抗器の製造方法では、以下に示すような課
題を有していた。
【００１６】（１）分割溝無しの絶縁基板２１にパター
ン形成後、レーザースクライブによって分割のための溝
を形成しているため、美観を損なうばかりでなく、レー
ザーの熱的衝撃による基板のマイクロクラックが生じや
すく、絶縁劣化の原因になりかねない。また、工程も煩
雑になりやすい。
ン形成後、レーザースクライブによって分割のための溝
を形成しているため、美観を損なうばかりでなく、レー
ザーの熱的衝撃による基板のマイクロクラックが生じや
すく、絶縁劣化の原因になりかねない。また、工程も煩
雑になりやすい。
【００１７】（２）分割溝のある基板に薄膜抵抗体を形
成すると、分割溝の中に薄膜抵抗体材料が侵入してしま
い、これを除去することが難しい。分割溝の中に薄膜抵
抗体材料が残留した場合には、隣同士の抵抗体が連結さ
れてしまい、正確な抵抗値修正ができなくなり、さらに
後のめっき工程で残留した部分に電極めっき２８が形成
されてしまい、特性および外観を低下させていた。
成すると、分割溝の中に薄膜抵抗体材料が侵入してしま
い、これを除去することが難しい。分割溝の中に薄膜抵
抗体材料が残留した場合には、隣同士の抵抗体が連結さ
れてしまい、正確な抵抗値修正ができなくなり、さらに
後のめっき工程で残留した部分に電極めっき２８が形成
されてしまい、特性および外観を低下させていた。
【００１８】本発明は上記従来の課題を解決するため
に、簡単な工程により、安価で、基板の絶縁性に優れた
角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的
とするという課題を有していた。
に、簡単な工程により、安価で、基板の絶縁性に優れた
角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的
とするという課題を有していた。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、一方の
面にのみ縦方向および横方向の分割溝を有する絶縁基板
を用い、前記絶縁基板の分割溝の無い面上に薄膜抵抗体
層を形成し、個片に分割することを特徴とするものであ
る。
に本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、一方の
面にのみ縦方向および横方向の分割溝を有する絶縁基板
を用い、前記絶縁基板の分割溝の無い面上に薄膜抵抗体
層を形成し、個片に分割することを特徴とするものであ
る。
【００２０】
【作用】本発明によれば、あらかじめ一方の面にのみ分
割溝を有する絶縁基板を使用するため、従来のようにレ
ーザースクライブによって分割のための溝を形成する必
要がないため、基板の絶縁性が向上され、分割形状も良
好であり、工程の簡略化も図れる。
割溝を有する絶縁基板を使用するため、従来のようにレ
ーザースクライブによって分割のための溝を形成する必
要がないため、基板の絶縁性が向上され、分割形状も良
好であり、工程の簡略化も図れる。
【００２１】また、薄膜抵抗体層を絶縁基板の分割溝の
無い面に形成することにより、分割溝の中に薄膜抵抗体
材料が残留することがなくなり、隣同士の抵抗体の連結
による抵抗値修正での不具合や、残留部分へのめっき形
成が防止できる。
無い面に形成することにより、分割溝の中に薄膜抵抗体
材料が残留することがなくなり、隣同士の抵抗体の連結
による抵抗値修正での不具合や、残留部分へのめっき形
成が防止できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例における角形薄膜チ
ップ抵抗器の製造方法について、図面を用いて説明す
る。
ップ抵抗器の製造方法について、図面を用いて説明す
る。
【００２３】図１は本発明の一実施例における角形薄膜
チップ抵抗器の製造方法を示す工程図、図２は同断面図
である。本実施例では９６％アルミナを有する絶縁基板
（以下、「９６アルミナ基板」と記す）の表裏面の区別
のため、分割溝のある面を裏面、分割溝の無い面を表面
として説明する。
チップ抵抗器の製造方法を示す工程図、図２は同断面図
である。本実施例では９６％アルミナを有する絶縁基板
（以下、「９６アルミナ基板」と記す）の表裏面の区別
のため、分割溝のある面を裏面、分割溝の無い面を表面
として説明する。
【００２４】まず、工程Ａに示すように、耐熱性および
絶縁性に優れた９６アルミナ基板１を受け入れる。この
９６アルミナ基板１の裏面には、短冊状および個片状に
分割するために設けた複数の縦方向および横方向の分割
溝２が形成されている。
絶縁性に優れた９６アルミナ基板１を受け入れる。この
９６アルミナ基板１の裏面には、短冊状および個片状に
分割するために設けた複数の縦方向および横方向の分割
溝２が形成されている。
【００２５】次に、工程Ｂに示すように、９６アルミナ
基板１の表面（分割溝の無い面）にＡｕを主成分とする
金属有機物からなる電極ペーストをスクリーン印刷・乾
燥し、更に９６アルミナ基板１の裏面に金属有機物電極
ペーストの有機成分だけを飛ばし、金属成分だけをアル
ミナ基板１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉
によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−Ｏ
ＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、薄膜上
面電極層３および薄膜裏面電極層４を同時に形成する。
基板１の表面（分割溝の無い面）にＡｕを主成分とする
金属有機物からなる電極ペーストをスクリーン印刷・乾
燥し、更に９６アルミナ基板１の裏面に金属有機物電極
ペーストの有機成分だけを飛ばし、金属成分だけをアル
ミナ基板１上に焼き付けるために、ベルト式連続焼成炉
によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−Ｏ
ＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、薄膜上
面電極層３および薄膜裏面電極層４を同時に形成する。
【００２６】次に、工程Ｃに示すように、９６アルミナ
基板１の薄膜上面電極層３を形成した面（分割溝の無い
面）上にスパッタにてＮｉ−Ｃｒの薄膜抵抗体５を形成
する。
基板１の薄膜上面電極層３を形成した面（分割溝の無い
面）上にスパッタにてＮｉ−Ｃｒの薄膜抵抗体５を形成
する。
【００２７】次に、工程Ｄに示すように、薄膜抵抗体５
を抵抗パターン６に整形するエッチングを行う。
を抵抗パターン６に整形するエッチングを行う。
【００２８】次に、工程Ｅに示すように、抵抗パターン
を安定な膜にするために、窒素中で２５０〜４００℃の
温度の熱処理を行う。
を安定な膜にするために、窒素中で２５０〜４００℃の
温度の熱処理を行う。
【００２９】次に、工程Ｆに示すように、抵抗パターン
６の抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミ
ングにより、抵抗値修正を行う。
６の抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミ
ングにより、抵抗値修正を行う。
【００３０】次に、工程Ｇに示すように、抵抗値修正済
み抵抗パターンを保護するために、樹脂ペーストをスク
リーン印刷し、熱硬化して保護コート７を形成する。
み抵抗パターンを保護するために、樹脂ペーストをスク
リーン印刷し、熱硬化して保護コート７を形成する。
【００３１】次に、工程Ｈに示すように、９６アルミナ
基板１を分割し、薄膜端面電極層８を形成するための準
備工程として、９６アルミナ基板１を短冊状基板１ａに
分割する一次基板分割し、工程Ｉに示すように、その短
冊状基板１ａの端面にスパッタによりＮｉ−Ｃｒの薄膜
端面電極層８を形成する端面電極形成をする。
基板１を分割し、薄膜端面電極層８を形成するための準
備工程として、９６アルミナ基板１を短冊状基板１ａに
分割する一次基板分割し、工程Ｉに示すように、その短
冊状基板１ａの端面にスパッタによりＮｉ−Ｃｒの薄膜
端面電極層８を形成する端面電極形成をする。
【００３２】次に、工程Ｊに示すように、露出している
電極面にめっきを施すための準備工程として、短冊状基
板１ａを個片状基板１ｂに分割する二次基板分割を行
う。
電極面にめっきを施すための準備工程として、短冊状基
板１ａを個片状基板１ｂに分割する二次基板分割を行
う。
【００３３】最後に工程Ｋに示すように、露出している
薄膜上面電極層３と薄膜裏面電極層４と薄膜端面電極層
８のはんだ付け時の電極食われの防止およびはんだ付け
時の信頼性の確保のため、電解めっきによってＮｉ，Ｓ
ｎ−Ｐｂのめっき層９を形成して、角形薄膜チップ抵抗
器を製造するものである。
薄膜上面電極層３と薄膜裏面電極層４と薄膜端面電極層
８のはんだ付け時の電極食われの防止およびはんだ付け
時の信頼性の確保のため、電解めっきによってＮｉ，Ｓ
ｎ−Ｐｂのめっき層９を形成して、角形薄膜チップ抵抗
器を製造するものである。
【００３４】以上の工程により、本発明の実施例による
角形薄膜チップ抵抗器を試作した。この結果、従来の製
造方法で課題となっていた抵抗値修正時の隣同士の素子
間の連結による不具合、ならびに完成品での分割溝付近
での薄膜抵抗体の残留によるめっき形成も発生しなかっ
た。また、電極めっき後の完成品の分割形状も従来より
良好であった。
角形薄膜チップ抵抗器を試作した。この結果、従来の製
造方法で課題となっていた抵抗値修正時の隣同士の素子
間の連結による不具合、ならびに完成品での分割溝付近
での薄膜抵抗体の残留によるめっき形成も発生しなかっ
た。また、電極めっき後の完成品の分割形状も従来より
良好であった。
【００３５】また、本発明の角形薄膜チップ抵抗器と、
従来の角形薄膜チップ抵抗器との抵抗値ばらつき、抵抗
温度特性、電流雑音特性を比較したところ、同等である
ことがわかった。
従来の角形薄膜チップ抵抗器との抵抗値ばらつき、抵抗
温度特性、電流雑音特性を比較したところ、同等である
ことがわかった。
【００３６】なお、本実施例では金属有機物電極ペース
トを用いて薄膜上面電極層および薄膜裏面電極層を形成
したが、これは製造材料および方法を制限するものでは
なく、薄膜抵抗体と同様の形成方法（スパッタおよびエ
ッチング）でも可能である。
トを用いて薄膜上面電極層および薄膜裏面電極層を形成
したが、これは製造材料および方法を制限するものでは
なく、薄膜抵抗体と同様の形成方法（スパッタおよびエ
ッチング）でも可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明は、あらかじめ一方
の面にのみ分割溝を形成済みの絶縁基板を用いることに
より、従来必要とされたレーザースクライブによって分
割のための溝を形成する必要がなくなり、製造工程の簡
略化により製造コストを低減できるとともに、基板の絶
縁性が向上できる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を提
供するものである。
の面にのみ分割溝を形成済みの絶縁基板を用いることに
より、従来必要とされたレーザースクライブによって分
割のための溝を形成する必要がなくなり、製造工程の簡
略化により製造コストを低減できるとともに、基板の絶
縁性が向上できる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を提
供するものである。
【００３８】また、薄膜抵抗体層を絶縁基板の分割溝の
無い面に形成することにより、分割溝の中に薄膜抵抗体
材料が残留することがなくなり、隣同士の抵抗体の連結
による抵抗値修正での不具合や残留部分へのめっき形成
が防止でき、製品の品質レベルを向上できる角形薄膜チ
ップ抵抗器の製造方法を提供するものである。
無い面に形成することにより、分割溝の中に薄膜抵抗体
材料が残留することがなくなり、隣同士の抵抗体の連結
による抵抗値修正での不具合や残留部分へのめっき形成
が防止でき、製品の品質レベルを向上できる角形薄膜チ
ップ抵抗器の製造方法を提供するものである。
【図１】本発明の一実施例における角形薄膜チップ抵抗
器の製造方法を示す工程図
器の製造方法を示す工程図
【図２】同断面図
【図３】従来の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を示す
工程図
工程図
１ ９６アルミナ基板 ２ 分割溝 ３ 薄膜上面電極層 ４ 薄膜裏面電極層 ５ 薄膜抵抗体 ７ 保護コート ８ 薄膜端面電極層 ９ めっき層
Claims (2)
- 【請求項１】 一方の面にのみ縦方向および横方向の分
割溝を有する絶縁基板の分割溝の無い面上に薄膜抵抗体
層を形成し、個片に分割してなる角形薄膜チップ抵抗器
の製造方法。 - 【請求項２】 一方の面にのみ縦方向および横方向の分
割溝を有する絶縁基板の分割溝の無い面上に一対の薄膜
上面電極層を形成し、この面に前記一対の薄膜上面電極
層に重なるように薄膜抵抗体層を形成し、この薄膜抵抗
体層の抵抗値を修正し、この薄膜抵抗体層を完全に覆う
ように保護膜層を形成し、薄膜端面電極層を形成するた
めの準備工程として基板を一次分割し、前記一対の薄膜
上面電極層と電気的に接続するように一次分割により露
出した面に一対の薄膜端面電極層を形成し、電極めっき
のための準備工程として基板を個片に分割し、露出した
電極部に電極めっきを形成することを特徴とする角形薄
膜チップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7223288A JPH0969406A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7223288A JPH0969406A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969406A true JPH0969406A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16795793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7223288A Pending JPH0969406A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969406A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999001876A1 (en) * | 1997-07-03 | 1999-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and method of producing the same |
| EP0929083A1 (en) * | 1998-01-08 | 1999-07-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Resistor and its manufacturing method |
| JP2001044001A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Rohm Co Ltd | 薄膜型抵抗器の構造及び抵抗値調整方法 |
| US7103965B2 (en) | 2002-01-17 | 2006-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Method of making chip resistor |
| WO2018061961A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
-
1995
- 1995-08-31 JP JP7223288A patent/JPH0969406A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999001876A1 (en) * | 1997-07-03 | 1999-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and method of producing the same |
| KR100333298B1 (ko) * | 1997-07-03 | 2002-04-25 | 모리시타 요이찌 | 저항기 및 그 제조방법 |
| US6636143B1 (en) | 1997-07-03 | 2003-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and method of manufacturing the same |
| EP0929083A1 (en) * | 1998-01-08 | 1999-07-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Resistor and its manufacturing method |
| US6023217A (en) * | 1998-01-08 | 2000-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and its manufacturing method |
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| CN109416964A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-03-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 芯片电阻器 |
| JPWO2018061961A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2019-07-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
| CN109416964B (zh) * | 2016-09-27 | 2021-04-23 | 松下知识产权经营株式会社 | 芯片电阻器 |
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