JPH0969535A - 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法Info
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- JPH0969535A JPH0969535A JP7223367A JP22336795A JPH0969535A JP H0969535 A JPH0969535 A JP H0969535A JP 7223367 A JP7223367 A JP 7223367A JP 22336795 A JP22336795 A JP 22336795A JP H0969535 A JPH0969535 A JP H0969535A
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の樹脂封止型半導体装置の封止用金型で
は、載置片裏面に薄バリが発生した。 【課題解決手段】 上面モールド金型１１と下面モール
ド金型１２とを有し、該上面モールド金型１１と下面モ
ールド金型１２とを重ね合わすことにより両金型１１，
１２間に封止用空間部１３を形成してなり、該封止用空
間部１３に前記載置片２を配置すると共に前記リード端
子３，４，５を上面モールド金型１１と下面モールド金
型１２とで挟持し、前記封止用空間部１３に封止樹脂を
注入して載置片２及び半導体チップ６を封止する樹脂封
止型半導体装置の封止用金型において、前記上面モール
ド金型１１を挿通し、前記載置片２表面を所定圧力で下
面モールド金型１２に押し付けて該載置片２を押圧固定
する可動棒１７を設けてなることを特徴とする。
は、載置片裏面に薄バリが発生した。 【課題解決手段】 上面モールド金型１１と下面モール
ド金型１２とを有し、該上面モールド金型１１と下面モ
ールド金型１２とを重ね合わすことにより両金型１１，
１２間に封止用空間部１３を形成してなり、該封止用空
間部１３に前記載置片２を配置すると共に前記リード端
子３，４，５を上面モールド金型１１と下面モールド金
型１２とで挟持し、前記封止用空間部１３に封止樹脂を
注入して載置片２及び半導体チップ６を封止する樹脂封
止型半導体装置の封止用金型において、前記上面モール
ド金型１１を挿通し、前記載置片２表面を所定圧力で下
面モールド金型１２に押し付けて該載置片２を押圧固定
する可動棒１７を設けてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に半導体チッ
プが搭載された載置片の裏面を封止樹脂表面から露出さ
せてなる放熱構造を備えた樹脂封止型半導体装置の封止
用金型およびこれを用いた製造方法に関するものであ
る。
プが搭載された載置片の裏面を封止樹脂表面から露出さ
せてなる放熱構造を備えた樹脂封止型半導体装置の封止
用金型およびこれを用いた製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】以下、図７乃至図１０にしたがって、従
来の樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用
いた製造方法について説明する。
来の樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用
いた製造方法について説明する。
【０００３】図７は、リードフレームへの半導体チップ
のダイボンド，ワイヤーボンド工程を説明するための図
であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は破線部の拡大
図である。図８は、従来の樹脂封止工程及び封止用金型
を説明するための図であり、（ａ）は側面断面図であ
り、（ｂ）は上面側からの透視図である。図９は、従来
の樹脂封止後のリードフレームを示す図であり、（ａ）
は平面図であり、（ｂ）は側面図である。図１０は、従
来の完成品である樹脂封止型半導体装置を示す図であ
り、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
のダイボンド，ワイヤーボンド工程を説明するための図
であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は破線部の拡大
図である。図８は、従来の樹脂封止工程及び封止用金型
を説明するための図であり、（ａ）は側面断面図であ
り、（ｂ）は上面側からの透視図である。図９は、従来
の樹脂封止後のリードフレームを示す図であり、（ａ）
は平面図であり、（ｂ）は側面図である。図１０は、従
来の完成品である樹脂封止型半導体装置を示す図であ
り、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【０００４】まず、樹脂封止型半導体装置の封止用金型
の構造について、以下説明する。
の構造について、以下説明する。
【０００５】従来の封止用金型は、図８に示すように、
上面モールド金型１１と下面モールド金型１２とを備
え、両モールド金型１１，１２の所定の位置に凹部が形
成され、該凹部を対向させて両モールド金型１１，１２
を重ね合わせることにより、キャビティ（封止用空間
部）１３及び樹脂注入ゲート１４並びにゲート口１５が
形成されてなる構造からなる。
上面モールド金型１１と下面モールド金型１２とを備
え、両モールド金型１１，１２の所定の位置に凹部が形
成され、該凹部を対向させて両モールド金型１１，１２
を重ね合わせることにより、キャビティ（封止用空間
部）１３及び樹脂注入ゲート１４並びにゲート口１５が
形成されてなる構造からなる。
【０００６】次に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
ついて、以下説明する。
ついて、以下説明する。
【０００７】図７に示すリードフレーム１は、複数個の
載置片２及びそれぞれ複数個のリード端子３，４，５が
一方向に多連状に一体的に形成され、前記載置片２とリ
ード端子４とは直接連結されてた構造をなし、該リード
端子４の連結部分近傍に折り曲げ加工（図示せず）が施
されてなるものである。このようなリードフレーム１
に、まず、その各載置片２にそれぞれ半導体チップ６を
半田，銀ペースト等にてダイボンドし、該半導体チップ
６とリード端子３，５とをボンディングワイヤ７により
内部結線して回路形成する。なお、図中、８は第１支持
タイバーであり、９はリードタイバーであり、１０は第
２支持タイバーである。
載置片２及びそれぞれ複数個のリード端子３，４，５が
一方向に多連状に一体的に形成され、前記載置片２とリ
ード端子４とは直接連結されてた構造をなし、該リード
端子４の連結部分近傍に折り曲げ加工（図示せず）が施
されてなるものである。このようなリードフレーム１
に、まず、その各載置片２にそれぞれ半導体チップ６を
半田，銀ペースト等にてダイボンドし、該半導体チップ
６とリード端子３，５とをボンディングワイヤ７により
内部結線して回路形成する。なお、図中、８は第１支持
タイバーであり、９はリードタイバーであり、１０は第
２支持タイバーである。
【０００８】次に、半導体チップ６が搭載されたリード
フレーム１を、図８に示すように、封止用金型内に配置
する。即ち、リードフレーム１のリード端子３，４，５
及び第１支持タイバー８の樹脂注入ゲート１４に対応す
る部分を除く各タイバー８，９，１０を上面モールド金
型１１と下面モールド金型１２との間で挟持すると共
に、載置片２を両モールド金型１１，１２を重ね合わせ
ることによって形成されたキャビティ１３に配置する。
ここで、前記載置片２はその裏面が前記下面モールド金
型１２の表面と接触した状態で配置される。
フレーム１を、図８に示すように、封止用金型内に配置
する。即ち、リードフレーム１のリード端子３，４，５
及び第１支持タイバー８の樹脂注入ゲート１４に対応す
る部分を除く各タイバー８，９，１０を上面モールド金
型１１と下面モールド金型１２との間で挟持すると共
に、載置片２を両モールド金型１１，１２を重ね合わせ
ることによって形成されたキャビティ１３に配置する。
ここで、前記載置片２はその裏面が前記下面モールド金
型１２の表面と接触した状態で配置される。
【０００９】この後、樹脂注入ゲート１４からエポキシ
樹脂，ポリイミド樹脂等からなる封止樹脂（図示せず）
が導かれ、ゲート口１５を介してキャビティ１３内に充
填する。
樹脂，ポリイミド樹脂等からなる封止樹脂（図示せず）
が導かれ、ゲート口１５を介してキャビティ１３内に充
填する。
【００１０】そして、前記封止樹脂が硬化した後、樹脂
封止されてなるリードフレーム１が封止用金型から取り
出される。該樹脂封止後のリードフレーム１を図９に示
す。図中、１６は封止樹脂体である。
封止されてなるリードフレーム１が封止用金型から取り
出される。該樹脂封止後のリードフレーム１を図９に示
す。図中、１６は封止樹脂体である。
【００１１】最後に、リードフレーム１のタイバー８，
９，１０の所定部分が切断され、リードフォーミングさ
れることにより、図１０に示すような樹脂封止型半導体
装置が完成する。
９，１０の所定部分が切断され、リードフォーミングさ
れることにより、図１０に示すような樹脂封止型半導体
装置が完成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製造方法及び封止用金型では、リードフレーム１の載置
片２にソリ，曲がり，うねり若しくは表面粗度が大きい
場合、下面モールド金型１２表面に異物付着の場合、又
は封止樹脂の樹脂注入圧により載置片２が封止用空間部
１３内で上下に動いた場合、図１１に示すように、放熱
部である載置片２裏面に樹脂の薄バリ１６ａが発生する
こととなった。
製造方法及び封止用金型では、リードフレーム１の載置
片２にソリ，曲がり，うねり若しくは表面粗度が大きい
場合、下面モールド金型１２表面に異物付着の場合、又
は封止樹脂の樹脂注入圧により載置片２が封止用空間部
１３内で上下に動いた場合、図１１に示すように、放熱
部である載置片２裏面に樹脂の薄バリ１６ａが発生する
こととなった。
【００１３】本樹脂封止型半導体装置は、面実装デバイ
スで載置片２裏面をプリント基板に直接半田付けするた
め、この部分に樹脂の薄バリ１６ａがあると、プリント
基板との半田付け不良，載置片２裏面からの放熱不良等
が発生することとなる。
スで載置片２裏面をプリント基板に直接半田付けするた
め、この部分に樹脂の薄バリ１６ａがあると、プリント
基板との半田付け不良，載置片２裏面からの放熱不良等
が発生することとなる。
【００１４】このため、従来ではこの薄バリ１６ａを取
り除くために、樹脂封止工程の後工程として物理的に除
去する手法又は化学的に除去するなどの薄バリ除去工程
を付加しており、該薄バリ除去工程はコストアップを招
くと共に樹脂封止型半導体装置の信頼性の低下を招くこ
ととなった。
り除くために、樹脂封止工程の後工程として物理的に除
去する手法又は化学的に除去するなどの薄バリ除去工程
を付加しており、該薄バリ除去工程はコストアップを招
くと共に樹脂封止型半導体装置の信頼性の低下を招くこ
ととなった。
【００１５】本発明は、上記課題に鑑み、樹脂封止工程
において載置片裏面に薄バリが発生することを防止し、
製造工程の簡素化及び信頼性の向上並びにコスト低減が
図れる樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを
用いた製造方法の提供を目的とするものである。
において載置片裏面に薄バリが発生することを防止し、
製造工程の簡素化及び信頼性の向上並びにコスト低減が
図れる樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを
用いた製造方法の提供を目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
樹脂封止型半導体装置の封止用金型は、表面に半導体チ
ップが搭載された載置片とリード端子とを備えたリード
フレームの前記載置片及び半導体チップを封止樹脂にて
封止するとともに前記載置片裏面が前記封止樹脂表面か
ら露出するよう封止するものであって、上面金型と下面
金型とを有し、該上面金型と下面金型とを重ね合わすこ
とにより両金型間に封止用空間部が形成され、該封止用
空間部に前記載置片を配置すると共に前記リード端子を
上面金型と下面金型とで挟持し、前記封止用空間部に封
止樹脂を充填して前記載置片及び半導体チップを封止す
る樹脂封止型半導体装置の封止用金型において、前記上
面金型を挿通し、前記載置片表面を所定圧力で下面金型
に押し付けて該載置片を押圧固定する可動棒を設けてな
ることを特徴とするものである。
樹脂封止型半導体装置の封止用金型は、表面に半導体チ
ップが搭載された載置片とリード端子とを備えたリード
フレームの前記載置片及び半導体チップを封止樹脂にて
封止するとともに前記載置片裏面が前記封止樹脂表面か
ら露出するよう封止するものであって、上面金型と下面
金型とを有し、該上面金型と下面金型とを重ね合わすこ
とにより両金型間に封止用空間部が形成され、該封止用
空間部に前記載置片を配置すると共に前記リード端子を
上面金型と下面金型とで挟持し、前記封止用空間部に封
止樹脂を充填して前記載置片及び半導体チップを封止す
る樹脂封止型半導体装置の封止用金型において、前記上
面金型を挿通し、前記載置片表面を所定圧力で下面金型
に押し付けて該載置片を押圧固定する可動棒を設けてな
ることを特徴とするものである。
【００１７】また、本発明の請求項２記載の樹脂封止型
半導体装置の封止用金型は、前記可動棒の先端を錐状と
したことを特徴とするものである。
半導体装置の封止用金型は、前記可動棒の先端を錐状と
したことを特徴とするものである。
【００１８】さらに、本発明の請求項３記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、上記封止用金型を用いた樹
脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体チップ
が搭載された載置片を上面金型と下面金型との間で形成
された封止用空間部に配置するとともに、リード端子を
上面金型と下面金型とで挟持する工程と、前記載置片を
可動棒にて下面金型に押し付け押圧固定する工程と、該
押圧固定した状態で前記封止用空間部に封止樹脂を充填
する工程と、前記封止樹脂の硬化後に前記可動棒を載置
片表面から離間させる工程とを備えてなることを特徴と
するものである。
型半導体装置の製造方法は、上記封止用金型を用いた樹
脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体チップ
が搭載された載置片を上面金型と下面金型との間で形成
された封止用空間部に配置するとともに、リード端子を
上面金型と下面金型とで挟持する工程と、前記載置片を
可動棒にて下面金型に押し付け押圧固定する工程と、該
押圧固定した状態で前記封止用空間部に封止樹脂を充填
する工程と、前記封止樹脂の硬化後に前記可動棒を載置
片表面から離間させる工程とを備えてなることを特徴と
するものである。
【００１９】上記構成によれば、本発明の請求項１記載
の樹脂封止型半導体装置の封止用金型は、上面金型を挿
通し、前記載置片表面を所定圧力で下面金型に押し付け
て該載置片を押圧固定する可動棒を設けてなる構成なの
で、該可動棒により載置片を押圧して該載置片自身のソ
リ，曲がり，うねり等を矯正し且つ載置片裏面と下面金
型表面との間に発生する隙間をなくすことができ、これ
により樹脂封止工程にて発生する薄バリの抑制が可能な
樹脂封止型半導体装置の封止用金型を提供することがで
きる。また、本発明の請求項２記載の樹脂封止型半導体
装置の封止用金型は、前記可動棒の先端を錐状としたの
で、封止樹脂の可動棒跡より載置片表面が露出する面積
を低減することができる。
の樹脂封止型半導体装置の封止用金型は、上面金型を挿
通し、前記載置片表面を所定圧力で下面金型に押し付け
て該載置片を押圧固定する可動棒を設けてなる構成なの
で、該可動棒により載置片を押圧して該載置片自身のソ
リ，曲がり，うねり等を矯正し且つ載置片裏面と下面金
型表面との間に発生する隙間をなくすことができ、これ
により樹脂封止工程にて発生する薄バリの抑制が可能な
樹脂封止型半導体装置の封止用金型を提供することがで
きる。また、本発明の請求項２記載の樹脂封止型半導体
装置の封止用金型は、前記可動棒の先端を錐状としたの
で、封止樹脂の可動棒跡より載置片表面が露出する面積
を低減することができる。
【００２０】さらに、本発明の請求項３記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、載置片を可動棒にて下面金
型に押し付け押圧固定する工程と、該押圧固定した状態
で前記封止用空間部に封止樹脂を充填する工程と、前記
封止樹脂の硬化後に前記可動棒を載置片表面から離間さ
せる工程とを備えてなる構成なので、前記可動棒にて樹
脂注入前に載置片を押圧して押圧固定することにより、
該載置片のソリ，曲がり，うねり等を矯正し且つ載置片
裏面と下面金型表面との間に発生する隙間をなくすこと
ができ、この状態で樹脂充填，樹脂硬化を行うため、樹
脂封止工程にて発生する載置片裏面の薄バリの形成を抑
制することができる。これにより、従来、樹脂封止工程
の後工程に必要であった物理的又は化学的な薄バリ除去
工程を削減することが可能となり、製造工程の簡素化、
信頼性の向上及びコスト低減が可能である。
型半導体装置の製造方法は、載置片を可動棒にて下面金
型に押し付け押圧固定する工程と、該押圧固定した状態
で前記封止用空間部に封止樹脂を充填する工程と、前記
封止樹脂の硬化後に前記可動棒を載置片表面から離間さ
せる工程とを備えてなる構成なので、前記可動棒にて樹
脂注入前に載置片を押圧して押圧固定することにより、
該載置片のソリ，曲がり，うねり等を矯正し且つ載置片
裏面と下面金型表面との間に発生する隙間をなくすこと
ができ、この状態で樹脂充填，樹脂硬化を行うため、樹
脂封止工程にて発生する載置片裏面の薄バリの形成を抑
制することができる。これにより、従来、樹脂封止工程
の後工程に必要であった物理的又は化学的な薄バリ除去
工程を削減することが可能となり、製造工程の簡素化、
信頼性の向上及びコスト低減が可能である。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図１乃至図４にしたがっ
て、本発明の一実施例よりなる樹脂封止型半導体装置の
封止用金型およびこれを用いた製造方法について説明す
る。本実施例について、従来例と相違する点のみ説明す
る。
て、本発明の一実施例よりなる樹脂封止型半導体装置の
封止用金型およびこれを用いた製造方法について説明す
る。本実施例について、従来例と相違する点のみ説明す
る。
【００２２】図１は同実施例の樹脂封止工程及び封止用
金型の構造を説明するための図であり、（ａ）は載置片
を押圧固定する前の状態を示す断面図であり、（ｂ）は
載置片を押圧固定した状態を示す断面図であり、（ｃ）
は載置片を押圧固定した状態を示す上面側からの透視図
である。図２は、同実施例の樹脂封止後のリードフレー
ムを示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側
面図である。図３は、同実施例にて製造された樹脂封止
型半導体装置の完成品を示す図であり、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は側面図であり、（ｃ）は底面図であ
る。図４は同実施例と従来例との製造工程フローチャー
トの対比図であり、（ａ）は同実施例を示し、（ｂ）は
従来例を示す。
金型の構造を説明するための図であり、（ａ）は載置片
を押圧固定する前の状態を示す断面図であり、（ｂ）は
載置片を押圧固定した状態を示す断面図であり、（ｃ）
は載置片を押圧固定した状態を示す上面側からの透視図
である。図２は、同実施例の樹脂封止後のリードフレー
ムを示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側
面図である。図３は、同実施例にて製造された樹脂封止
型半導体装置の完成品を示す図であり、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は側面図であり、（ｃ）は底面図であ
る。図４は同実施例と従来例との製造工程フローチャー
トの対比図であり、（ａ）は同実施例を示し、（ｂ）は
従来例を示す。
【００２３】まず、樹脂封止型半導体装置の封止用金型
の構造について、以下説明する。
の構造について、以下説明する。
【００２４】本実施例の封止用金型は、図１に示すよう
に、従来の封止用金型に、さらに前記上面モールド金型
１１を挿通して前記封止用空間部１３内を上下動する可
動棒１７を設けてなる構造からなる。
に、従来の封止用金型に、さらに前記上面モールド金型
１１を挿通して前記封止用空間部１３内を上下動する可
動棒１７を設けてなる構造からなる。
【００２５】該可動棒１７は、後述する載置片２をその
表面から下面モールド金型１２表面に強制的に押圧する
ものであり、油圧，バネ圧若しくはモーター制御等によ
り駆動制御される。
表面から下面モールド金型１２表面に強制的に押圧する
ものであり、油圧，バネ圧若しくはモーター制御等によ
り駆動制御される。
【００２６】前記可動棒１７の動作については後述する
製造工程において説明する。
製造工程において説明する。
【００２７】次に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
ついて、以下説明する。
ついて、以下説明する。
【００２８】本実施例の製造方法は、上述した封止用金
型を用いてなる樹脂封止方法が、従来の製造方法におけ
る樹脂封止方法と相異する。
型を用いてなる樹脂封止方法が、従来の製造方法におけ
る樹脂封止方法と相異する。
【００２９】以下、前記樹脂封止方法について図１にし
たがって説明すると、図７に示すように各載置片２にそ
れぞれ半導体チップ６がダイボンドされ、該半導体チッ
プ６がリード端子３，５にワイヤーボンドされたリード
フレーム１を、まず、図１（ａ）に示すように、封止用
金型内に配置する。即ち、リードフレーム１のリード端
子３，４，５及び第１支持タイバー８の樹脂注入ゲート
１４に対応する部分を除く各タイバー８，９，１０を上
面モールド金型１１と下面モールド金型１２との間で挟
持すると共に載置片２を両モールド金型１１，１２を重
ね合わせることによって形成されたキャビティ１３に前
記載置片２の裏面を下面モールド金型１２表面に接触さ
せた状態で配置する。この時、可動棒１７の位置は、作
業効率を考慮し上面モールド金型１１の表面から突出し
ない位置に配置しておく。
たがって説明すると、図７に示すように各載置片２にそ
れぞれ半導体チップ６がダイボンドされ、該半導体チッ
プ６がリード端子３，５にワイヤーボンドされたリード
フレーム１を、まず、図１（ａ）に示すように、封止用
金型内に配置する。即ち、リードフレーム１のリード端
子３，４，５及び第１支持タイバー８の樹脂注入ゲート
１４に対応する部分を除く各タイバー８，９，１０を上
面モールド金型１１と下面モールド金型１２との間で挟
持すると共に載置片２を両モールド金型１１，１２を重
ね合わせることによって形成されたキャビティ１３に前
記載置片２の裏面を下面モールド金型１２表面に接触さ
せた状態で配置する。この時、可動棒１７の位置は、作
業効率を考慮し上面モールド金型１１の表面から突出し
ない位置に配置しておく。
【００３０】次に、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、
可動棒１７を下降させ、該可動棒１７にて載置片２を下
面モールド金型１２に押し付け、該載置片２を可動棒１
７と下面モールド金型１２との間で押圧固定する。ここ
で、可動棒１７により載置片２に与える圧力としては、
載置片２自身のソリ，曲がり，うねり等を矯正できうる
圧力及び載置片２の裏面と下面モールド金型１２の表面
との微妙なクリアランスをなくすことができる圧力が必
要となる。
可動棒１７を下降させ、該可動棒１７にて載置片２を下
面モールド金型１２に押し付け、該載置片２を可動棒１
７と下面モールド金型１２との間で押圧固定する。ここ
で、可動棒１７により載置片２に与える圧力としては、
載置片２自身のソリ，曲がり，うねり等を矯正できうる
圧力及び載置片２の裏面と下面モールド金型１２の表面
との微妙なクリアランスをなくすことができる圧力が必
要となる。
【００３１】次に、載置片２を押圧固定した状態で、樹
脂注入ゲート１４からエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等
からなる封止樹脂（図示せず）が導かれゲート口１５を
介してキャビティ１３内に充填する。
脂注入ゲート１４からエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等
からなる封止樹脂（図示せず）が導かれゲート口１５を
介してキャビティ１３内に充填する。
【００３２】ここで、載置片２は可動棒１７により載置
片２自身のソリ，曲がり，うねり等を矯正できうる圧力
及び載置片２の裏面と下面モールド金型１２の表面との
微妙なクリアランスをなくすことができる圧力にて押圧
固定されているので、載置片２裏面と下面モールド金型
１２表面との隙間がなく、載置片２と下面モールド金型
１２との間に封止樹脂が入ることがない。
片２自身のソリ，曲がり，うねり等を矯正できうる圧力
及び載置片２の裏面と下面モールド金型１２の表面との
微妙なクリアランスをなくすことができる圧力にて押圧
固定されているので、載置片２裏面と下面モールド金型
１２表面との隙間がなく、載置片２と下面モールド金型
１２との間に封止樹脂が入ることがない。
【００３３】そして、前記封止樹脂が硬化した後、可動
棒１７を上面モールド金型１１の表面から突出しない位
置まで上昇させ、続いて両モールド金型１１，１２を開
いて樹脂封止されたリードフレーム１が取り出される。
樹脂封止後のリードフレーム１を図２に示す。図中、１
６は封止樹脂体であり、１７ａは可動棒１７の抜け跡か
らなる可動棒跡である。
棒１７を上面モールド金型１１の表面から突出しない位
置まで上昇させ、続いて両モールド金型１１，１２を開
いて樹脂封止されたリードフレーム１が取り出される。
樹脂封止後のリードフレーム１を図２に示す。図中、１
６は封止樹脂体であり、１７ａは可動棒１７の抜け跡か
らなる可動棒跡である。
【００３４】なお、前記樹脂封止されたリードフレーム
１は、この後タイバーカット，フォーミング工程を経
て、図３に示すような樹脂封止型半導体装置の完成品と
なる。このように、上記封止用金型によれば、載置片２
を押圧して該載置片２自身のソリ，曲がり，うねり等を
矯正し且つ載置片２裏面と下面モールド金型１２表面と
の間に発生する隙間をなくすことができ、これにより樹
脂封止工程にて発生する薄バリの抑制が可能となる。
１は、この後タイバーカット，フォーミング工程を経
て、図３に示すような樹脂封止型半導体装置の完成品と
なる。このように、上記封止用金型によれば、載置片２
を押圧して該載置片２自身のソリ，曲がり，うねり等を
矯正し且つ載置片２裏面と下面モールド金型１２表面と
の間に発生する隙間をなくすことができ、これにより樹
脂封止工程にて発生する薄バリの抑制が可能となる。
【００３５】また、上記樹脂封止工程によれば、従来の
樹脂封止工程において発生していた載置片２裏面の薄バ
リが発生することがなくなり、これにより従来の樹脂封
止工程の後処理工程として必要であった薄バリ除去工程
が不要となる。
樹脂封止工程において発生していた載置片２裏面の薄バ
リが発生することがなくなり、これにより従来の樹脂封
止工程の後処理工程として必要であった薄バリ除去工程
が不要となる。
【００３６】したがって、本実施例よりなる樹脂封止型
半導体装置の製造方法としては、図４（ａ）に示すよう
な製造工程となり、図４（ｂ）に示す従来の製造工程と
比較して製造工程の簡素化が可能となる。
半導体装置の製造方法としては、図４（ａ）に示すよう
な製造工程となり、図４（ｂ）に示す従来の製造工程と
比較して製造工程の簡素化が可能となる。
【００３７】また、物理的または化学的な従来の薄バリ
除去工程が削除されることから、樹脂封止型半導体装置
の信頼性の向上及びコスト低減が図れる。
除去工程が削除されることから、樹脂封止型半導体装置
の信頼性の向上及びコスト低減が図れる。
【００３８】本発明よりなる封止用金型は、上記実施例
に限らず、以下に示すような構造としても良い。図５及
び図６はそれぞれ他の実施例よりなる封止用金型にて形
成されてなる樹脂封止型半導体装置の完成品を示す図で
ある。図５中、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図
であり、（ｃ）は裏面図である。また、図６中、（ａ）
は平面図であり、（ｂ）は側面図である。図中、１７
ｂ，１７ｃは可動棒跡である。
に限らず、以下に示すような構造としても良い。図５及
び図６はそれぞれ他の実施例よりなる封止用金型にて形
成されてなる樹脂封止型半導体装置の完成品を示す図で
ある。図５中、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図
であり、（ｃ）は裏面図である。また、図６中、（ａ）
は平面図であり、（ｂ）は側面図である。図中、１７
ｂ，１７ｃは可動棒跡である。
【００３９】即ち、封止用金型の可動棒を４本にしても
良く（図５の可動棒跡１７ｂ参照）、また、各可動棒の
先端を錘状としても良い（図６の可動棒跡１７ｃ参
照）。
良く（図５の可動棒跡１７ｂ参照）、また、各可動棒の
先端を錘状としても良い（図６の可動棒跡１７ｃ参
照）。
【００４０】ここで、可動棒の先端を錘状とすることに
より載置片表面の露出が点露出となり、先端を平面にし
た場合に比べて載置片表面の露出面積を低減することが
可能となり、樹脂封止型半導体装置内への水分の侵入を
防止することができ、耐湿性の低下が防止される。
より載置片表面の露出が点露出となり、先端を平面にし
た場合に比べて載置片表面の露出面積を低減することが
可能となり、樹脂封止型半導体装置内への水分の侵入を
防止することができ、耐湿性の低下が防止される。
【００４１】なお、この他、可動棒を円柱に代わって多
角柱としても良い。
角柱としても良い。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置の封止用金型によれば、可
動棒により載置片を押圧して該載置片自身のソリ，曲が
り，うねり等を矯正し且つ載置片裏面と下面金型表面と
の間に発生する隙間をなくすことができ、これにより樹
脂封止工程にて発生する薄バリの抑制が可能な樹脂封止
型半導体装置の封止用金型を提供できる。また、本発明
の請求項２記載の樹脂封止型半導体装置の封止用金型に
よれば、前記可動棒の先端を錐状としたので、封止樹脂
の可動棒跡より載置片表面が露出する面積を低減するこ
とが可能となり、樹脂封止型半導体装置の耐湿性の低下
を防止することも可能となる。
記載の樹脂封止型半導体装置の封止用金型によれば、可
動棒により載置片を押圧して該載置片自身のソリ，曲が
り，うねり等を矯正し且つ載置片裏面と下面金型表面と
の間に発生する隙間をなくすことができ、これにより樹
脂封止工程にて発生する薄バリの抑制が可能な樹脂封止
型半導体装置の封止用金型を提供できる。また、本発明
の請求項２記載の樹脂封止型半導体装置の封止用金型に
よれば、前記可動棒の先端を錐状としたので、封止樹脂
の可動棒跡より載置片表面が露出する面積を低減するこ
とが可能となり、樹脂封止型半導体装置の耐湿性の低下
を防止することも可能となる。
【００４３】さらに、本発明の請求項３記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法によれば、前記可動棒により載
置片のソリ，曲がり，うねり等を矯正し且つ載置片裏面
と下面金型表面との間に発生する隙間をなくすことがで
き、この状態で樹脂注入，樹脂硬化を行うため、樹脂封
止工程にて発生する載置片裏面の薄バリの形成を抑制す
ることができる。これにより、従来、樹脂封止工程の後
工程に必要であった物理的又は化学的な薄バリ除去工程
を削減することが可能となり、製造工程の簡素化、信頼
性の向上及びコスト低減が図れる。
型半導体装置の製造方法によれば、前記可動棒により載
置片のソリ，曲がり，うねり等を矯正し且つ載置片裏面
と下面金型表面との間に発生する隙間をなくすことがで
き、この状態で樹脂注入，樹脂硬化を行うため、樹脂封
止工程にて発生する載置片裏面の薄バリの形成を抑制す
ることができる。これにより、従来、樹脂封止工程の後
工程に必要であった物理的又は化学的な薄バリ除去工程
を削減することが可能となり、製造工程の簡素化、信頼
性の向上及びコスト低減が図れる。
【図１】本発明の一実施例よりなる樹脂封止型半導体装
置の封止用金型および封止方法を説明するための図であ
る。
置の封止用金型および封止方法を説明するための図であ
る。
【図２】同実施例の樹脂封止後のリードフレームを示す
図である。
図である。
【図３】同実施例にて製造された樹脂封止型半導体装置
の完成品を示す図である。
の完成品を示す図である。
【図４】同実施例と従来例との樹脂封止型半導体装置の
製造工程の対比図であり、（ａ）は同実施例であり、
（ｂ）は従来例である。
製造工程の対比図であり、（ａ）は同実施例であり、
（ｂ）は従来例である。
【図５】他の封止用金型にて製造された樹脂封止型半導
体装置を示す図である。
体装置を示す図である。
【図６】さらに他の封止用金型にて製造された樹脂封止
型半導体装置を示す図である。
型半導体装置を示す図である。
【図７】リードフレームへの半導体チップのダイボン
ド，ワイヤーボンド工程を説明するための図である。
ド，ワイヤーボンド工程を説明するための図である。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の封止用金型およ
び封止方法を説明するための図である。
び封止方法を説明するための図である。
【図９】従来の樹脂封止後のリードフレームを示す図で
ある。
ある。
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の完成品を示す
図である。
図である。
【図１１】従来の問題点を説明するための図である。
１ リードフレーム ２ 載置片 ３，４，５ リード端子 ６ 半導体チップ ７ ボンディングワイヤー ８ 第１支持タイバー ９ リードタイバー １０ 第２支持タイバー １１ 上面モールド金型 １２ 下面モールド金型 １３ キャビティ（封止用空間部） １４ 樹脂注入ゲート １５ ゲート口 １６ 封止樹脂体 １７ 可動棒
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に半導体チップが搭載された載置片
とリード端子とを備えたリードフレームの前記載置片及
び半導体チップを封止樹脂にて封止するとともに前記載
置片裏面が前記封止樹脂表面から露出するよう封止する
ものであって、 上面金型と下面金型とを有し、該上面金型と下面金型と
を重ね合わすことにより両金型間に封止用空間部が形成
され、該封止用空間部に前記載置片を配置すると共に前
記リード端子を上面金型と下面金型とで挟持し、前記封
止用空間部に封止樹脂を充填して前記載置片及び半導体
チップを封止する樹脂封止型半導体装置の封止用金型に
おいて、 前記上面金型を挿通し、前記載置片表面を所定圧力で下
面金型に押し付けて該載置片を押圧固定する可動棒を設
けてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の封止
用金型。 - 【請求項２】 前記可動棒の先端を錐状としたことを特
徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の封止用
金型。 - 【請求項３】 上記封止用金型を用いた樹脂封止型半導
体装置の製造方法であって、 半導体チップが搭載された載置片を上面金型と下面金型
との間で形成された封止用空間部に配置するとともに、
リード端子を上面金型と下面金型とで挟持する工程と、 前記載置片を可動棒にて下面金型に押し付け押圧固定す
る工程と、 該押圧固定した状態で前記封止用空間部に封止樹脂を充
填する工程と、 前記封止樹脂の硬化後に前記可動棒を載置片表面から離
間させる工程と、を備えてなることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07223367A JP3127104B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07223367A JP3127104B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969535A true JPH0969535A (ja) | 1997-03-11 |
| JP3127104B2 JP3127104B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=16797039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07223367A Expired - Fee Related JP3127104B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127104B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273884A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
| CN117584359A (zh) * | 2023-10-20 | 2024-02-23 | 敦南微电子（无锡）有限公司 | 用于半导体器件的塑封模具及塑封方法、顶压装置和器件 |
-
1995
- 1995-08-31 JP JP07223367A patent/JP3127104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273884A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
| CN117584359A (zh) * | 2023-10-20 | 2024-02-23 | 敦南微电子（无锡）有限公司 | 用于半导体器件的塑封模具及塑封方法、顶压装置和器件 |
| WO2025082527A1 (zh) * | 2023-10-20 | 2025-04-24 | 敦南微电子（无锡）有限公司 | 用于半导体器件的塑封模具及塑封方法、顶压装置和器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3127104B2 (ja) | 2001-01-22 |
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