JPH0969636A - 複合ダイオードチップ及びブリッジ整流器 - Google Patents
複合ダイオードチップ及びブリッジ整流器Info
- Publication number
- JPH0969636A JPH0969636A JP24545495A JP24545495A JPH0969636A JP H0969636 A JPH0969636 A JP H0969636A JP 24545495 A JP24545495 A JP 24545495A JP 24545495 A JP24545495 A JP 24545495A JP H0969636 A JPH0969636 A JP H0969636A
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- Japan
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- diode chip
- bridge rectifier
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- anode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のブリッジ整流器は、ダイオードチップ
の実装工数、ボンディング工数が多く、製造工程が複雑
でコスト高となっている。また、平面実装のため小型化
が難しい。 【解決手段】 Ｎ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合
ダイオードチップを、アノードとなるＰ側からＮ形ベー
ス部分を残してダイシングカットすることにより、カソ
ードコモン複合ダイオードチップ２１を構成する。同様
に、Ｐ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合ダイオード
チップを、カソードとなるＮ側からＰ形ベース部分を残
してダイシングカットすることにより、アノードコモン
複合ダイオードチップ２６を構成する。これらのチップ
２１，２６のダイシングカット側に交流側電極３３を接
合し、コモン側に直流側電極３１，３２を接合して積層
形のブリッジ整流器を構成する。
の実装工数、ボンディング工数が多く、製造工程が複雑
でコスト高となっている。また、平面実装のため小型化
が難しい。 【解決手段】 Ｎ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合
ダイオードチップを、アノードとなるＰ側からＮ形ベー
ス部分を残してダイシングカットすることにより、カソ
ードコモン複合ダイオードチップ２１を構成する。同様
に、Ｐ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合ダイオード
チップを、カソードとなるＮ側からＰ形ベース部分を残
してダイシングカットすることにより、アノードコモン
複合ダイオードチップ２６を構成する。これらのチップ
２１，２６のダイシングカット側に交流側電極３３を接
合し、コモン側に直流側電極３１，３２を接合して積層
形のブリッジ整流器を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合ダイオードチ
ップ、及び、この複合ダイオードチップから構成される
交流−直流変換用のブリッジ整流器に関する。
ップ、及び、この複合ダイオードチップから構成される
交流−直流変換用のブリッジ整流器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブリッジ整流器は、各相当たり２
個のダイオードチップを用いる（単相の場合は４個、三
相の場合は６個）と共に、これらのダイオードチップを
銅パターン及びボンディングワイヤにて電気的に接続し
ていた。
個のダイオードチップを用いる（単相の場合は４個、三
相の場合は６個）と共に、これらのダイオードチップを
銅パターン及びボンディングワイヤにて電気的に接続し
ていた。
【０００３】図８は従来のダイオードチップの構造を示
しており、ダイオードチップ１のカソード側にカッパー
ベース２がハンダ接合されており、これをプリント基板
３に実装すると基板３側がカソードとなる。図９は上記
ダイオードチップを用いてプリント基板上に三相ブリッ
ジ整流器を構成したものである。上アーム用としてダイ
オードチップ６を３個、下アーム用としてダイオードチ
ップ７を３個使用し、これらのダイオードチップ６，７
がプリント基板上の銅パターン９及びボンディングワイ
ヤ８により電気的に接続されている。なお、４は交流側
端子、５は直流側端子である。
しており、ダイオードチップ１のカソード側にカッパー
ベース２がハンダ接合されており、これをプリント基板
３に実装すると基板３側がカソードとなる。図９は上記
ダイオードチップを用いてプリント基板上に三相ブリッ
ジ整流器を構成したものである。上アーム用としてダイ
オードチップ６を３個、下アーム用としてダイオードチ
ップ７を３個使用し、これらのダイオードチップ６，７
がプリント基板上の銅パターン９及びボンディングワイ
ヤ８により電気的に接続されている。なお、４は交流側
端子、５は直流側端子である。
【０００４】また、図１０は上記ブリッジ整流器の回路
構成図であり、１０は３個のダイオードチップ６からな
る上アームダイオードブリッジ、１１は３個のダイオー
ドチップ７からなる下アームダイオードブリッジであ
る。
構成図であり、１０は３個のダイオードチップ６からな
る上アームダイオードブリッジ、１１は３個のダイオー
ドチップ７からなる下アームダイオードブリッジであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のブリッジ整
流器では、各相当たり２個のダイオードチップを必要と
するため実装工数が多くなると共に、電気的接続のため
のボンディング工数も多くなり、これらが製造工程の複
雑化やコスト上昇の原因となっていた。また、複数のダ
イオードチップが平面実装されているため、平面的な占
有スペースが大きく、小型化が困難であった。
流器では、各相当たり２個のダイオードチップを必要と
するため実装工数が多くなると共に、電気的接続のため
のボンディング工数も多くなり、これらが製造工程の複
雑化やコスト上昇の原因となっていた。また、複数のダ
イオードチップが平面実装されているため、平面的な占
有スペースが大きく、小型化が困難であった。
【０００６】そこで本発明は、新規な構造の複合ダイオ
ードチップ及びこれを使用したブリッジ整流器を提供
し、製造工程の簡略化、コストの低減及び小型化を図ろ
うとするものである。
ードチップ及びこれを使用したブリッジ整流器を提供
し、製造工程の簡略化、コストの低減及び小型化を図ろ
うとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載のカソードコモン複合ダイオードチッ
プは、Ｎ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合ダイオー
ドチップを、アノードとなるＰ側からＮ形ベース部分を
残してダイシングカットすることにより、カソードを共
通にした複数個のダイオードを形成したものである。
め、請求項１記載のカソードコモン複合ダイオードチッ
プは、Ｎ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合ダイオー
ドチップを、アノードとなるＰ側からＮ形ベース部分を
残してダイシングカットすることにより、カソードを共
通にした複数個のダイオードを形成したものである。
【０００８】請求項２記載のアノードコモン複合ダイオ
ードチップは、Ｐ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合
ダイオードチップを、カソードとなるＮ側からＰ形ベー
ス部分を残してダイシングカットすることにより、アノ
ードを共通にした複数個のダイオードを形成したもので
ある。
ードチップは、Ｐ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合
ダイオードチップを、カソードとなるＮ側からＰ形ベー
ス部分を残してダイシングカットすることにより、アノ
ードを共通にした複数個のダイオードを形成したもので
ある。
【０００９】請求項３記載のハーフブリッジ整流器は、
請求項１記載のカソードコモン複合ダイオードチップの
アノード側に交流側電極を各相ごとに接続すると共に、
カソード側に正の直流側電極を接続したものである。
請求項１記載のカソードコモン複合ダイオードチップの
アノード側に交流側電極を各相ごとに接続すると共に、
カソード側に正の直流側電極を接続したものである。
【００１０】請求項４記載のハーフブリッジ整流器は、
請求項２記載のアノードコモン複合ダイオードチップの
カソード側に交流側電極を各相ごとに接続すると共に、
アノード側に負の直流側電極を接続したものである。
請求項２記載のアノードコモン複合ダイオードチップの
カソード側に交流側電極を各相ごとに接続すると共に、
アノード側に負の直流側電極を接続したものである。
【００１１】請求項５記載のフルブリッジ整流器は、請
求項３記載のハーフブリッジ整流器のアノード側と請求
項４記載のハーフブリッジ整流器のカソード側とを共通
の交流側電極を介して接続し、各ハーフブリッジ整流器
を構成する複合ダイオードチップを上下に積層して一体
化したものである。
求項３記載のハーフブリッジ整流器のアノード側と請求
項４記載のハーフブリッジ整流器のカソード側とを共通
の交流側電極を介して接続し、各ハーフブリッジ整流器
を構成する複合ダイオードチップを上下に積層して一体
化したものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図に沿って本発明の実施の
形態を説明する。図１は、請求項１記載の発明の実施形
態であるカソードコモン複合ダイオードチップ２１の構
造を示しており、Ｎ形シリコン単結晶をベースとしたＰ
Ｎ接合ダイオードチップをアノード側からＰ+層２４と
Ｎ-層２３とを超えてＮ+層２２までダイシングカットす
ることにより、２本のダイシングスリット２５が形成さ
れる。このような構造により、ダイオードチップ２１の
回路構成は、図２のように３個のダイオードのカソード
を共通接続したものとなる。
形態を説明する。図１は、請求項１記載の発明の実施形
態であるカソードコモン複合ダイオードチップ２１の構
造を示しており、Ｎ形シリコン単結晶をベースとしたＰ
Ｎ接合ダイオードチップをアノード側からＰ+層２４と
Ｎ-層２３とを超えてＮ+層２２までダイシングカットす
ることにより、２本のダイシングスリット２５が形成さ
れる。このような構造により、ダイオードチップ２１の
回路構成は、図２のように３個のダイオードのカソード
を共通接続したものとなる。
【００１３】同様にして、図３は請求項２記載の発明の
実施形態であるアノードコモン複合ダイオードチップ２
６を示しており、Ｐ形シリコン単結晶をベースとしたＰ
Ｎ接合ダイオードチップをカソード側からＮ+層２９と
Ｎ-層２８とを超えてＰ+層２７までダイシングカットす
ることにより、２本のダイシングスリット３０が形成さ
れる。このような構造により、ダイオードチップ２６の
回路構成は、図４のように３個のダイオードのアノード
を共通接続したものとなる。
実施形態であるアノードコモン複合ダイオードチップ２
６を示しており、Ｐ形シリコン単結晶をベースとしたＰ
Ｎ接合ダイオードチップをカソード側からＮ+層２９と
Ｎ-層２８とを超えてＰ+層２７までダイシングカットす
ることにより、２本のダイシングスリット３０が形成さ
れる。このような構造により、ダイオードチップ２６の
回路構成は、図４のように３個のダイオードのアノード
を共通接続したものとなる。
【００１４】すなわち、ＰＮ接合ダイオードはＰ+層、
Ｎ-層及びＮ+層の三層構造となっており、このうちダイ
オードの機能を果たすのはＰ+層とＮ-層との接合部のみ
である。従って、一つのダイオードチップをＮ+層また
はＰ+層までダイシングカットしてダイシングスリット
により３つの領域に分割すれば、カソードまたはアノー
ドを共通とする３個のダイオードを形成することができ
る。
Ｎ-層及びＮ+層の三層構造となっており、このうちダイ
オードの機能を果たすのはＰ+層とＮ-層との接合部のみ
である。従って、一つのダイオードチップをＮ+層また
はＰ+層までダイシングカットしてダイシングスリット
により３つの領域に分割すれば、カソードまたはアノー
ドを共通とする３個のダイオードを形成することができ
る。
【００１５】次に、図５〜図７は上記複合ダイオードチ
ップ２１，２６を使用したブリッジ整流器であり、カソ
ードコモン複合ダイオードチップ２１のカソード側を正
の直流側電極３１にハンダ接合したものと、アノードコ
モン複合ダイオードチップ２６のアノード側を負の直流
側電極３２にハンダ接合したものとを、各々のアノード
側及びカソード側（ダイシングカットした面）を対向さ
せて交流側電極３３を介し積層してハンダ接合すること
により、三相ブリッジ整流器が一体的に構成されてい
る。なお、直流側電極３１，３２、交流側電極３３は何
れもブスバー電極である。
ップ２１，２６を使用したブリッジ整流器であり、カソ
ードコモン複合ダイオードチップ２１のカソード側を正
の直流側電極３１にハンダ接合したものと、アノードコ
モン複合ダイオードチップ２６のアノード側を負の直流
側電極３２にハンダ接合したものとを、各々のアノード
側及びカソード側（ダイシングカットした面）を対向さ
せて交流側電極３３を介し積層してハンダ接合すること
により、三相ブリッジ整流器が一体的に構成されてい
る。なお、直流側電極３１，３２、交流側電極３３は何
れもブスバー電極である。
【００１６】ここで、各電極３１，３２，３３の端部３
１ａ，３２ａ，３３ａを図６に示すごとく同一面上に配
置すれば、このブリッジ整流器をプリント基板に実装し
た際に、プリント基板上の銅パターンによってすべての
電極を電気的に接続することが可能になる。
１ａ，３２ａ，３３ａを図６に示すごとく同一面上に配
置すれば、このブリッジ整流器をプリント基板に実装し
た際に、プリント基板上の銅パターンによってすべての
電極を電気的に接続することが可能になる。
【００１７】図７はこのブリッジ整流器の回路構成を示
しており、その全体により請求項５に記載した発明の実
施形態であるフルブリッジ整流器が構成され、また、カ
ソードコモン複合ダイオードチップ２１、交流側電極３
３及び直流側電極３１により請求項３に記載した発明の
実施形態であるハーフブリッジ整流器が構成され、アノ
ードコモン複合ダイオードチップ２６、交流側電極３３
及び直流側電極３２により請求項４に記載した発明の実
施形態であるハーフブリッジ整流器が構成される。
しており、その全体により請求項５に記載した発明の実
施形態であるフルブリッジ整流器が構成され、また、カ
ソードコモン複合ダイオードチップ２１、交流側電極３
３及び直流側電極３１により請求項３に記載した発明の
実施形態であるハーフブリッジ整流器が構成され、アノ
ードコモン複合ダイオードチップ２６、交流側電極３３
及び直流側電極３２により請求項４に記載した発明の実
施形態であるハーフブリッジ整流器が構成される。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、２個のダ
イオードチップからカソードコモン形またはアノードコ
モン形の複合ダイオードチップを形成でき、これらを積
層配置してブスバ−状の交流側電極、直流側電極を接続
すれば三相ブリッジ整流器を構成することができる。従
って、従来技術として説明したごとく６個のダイオード
チップを使用する場合に比べ、実装工数が大幅に少なく
なると共にボンディング工程が不要になり、製造工程の
簡略化、コストの低減が可能になる。
イオードチップからカソードコモン形またはアノードコ
モン形の複合ダイオードチップを形成でき、これらを積
層配置してブスバ−状の交流側電極、直流側電極を接続
すれば三相ブリッジ整流器を構成することができる。従
って、従来技術として説明したごとく６個のダイオード
チップを使用する場合に比べ、実装工数が大幅に少なく
なると共にボンディング工程が不要になり、製造工程の
簡略化、コストの低減が可能になる。
【００１９】また、本発明のブリッジ整流器は、複合ダ
イオードチップ、交流側電極、直流側電極からなる一体
的な構造により、その全体を１個の部品として取り扱う
ことが可能であるから、従来よりも実装コストを低下さ
せることができる。更に、本発明はブリッジ整流器の上
下アームを構成する２個の複合ダイオードチップを上下
に積層した構造となるため、従来の平面実装に比べて実
装スペースも少なくて済む。よって、このブリッジ整流
器が組み込まれる機器の小型化が可能である。
イオードチップ、交流側電極、直流側電極からなる一体
的な構造により、その全体を１個の部品として取り扱う
ことが可能であるから、従来よりも実装コストを低下さ
せることができる。更に、本発明はブリッジ整流器の上
下アームを構成する２個の複合ダイオードチップを上下
に積層した構造となるため、従来の平面実装に比べて実
装スペースも少なくて済む。よって、このブリッジ整流
器が組み込まれる機器の小型化が可能である。
【図１】カソードコモン複合ダイオードチップの構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１の回路構成図である。
【図３】アノードコモン複合ダイオードチップの構造を
示す図である。
示す図である。
【図４】図３の回路構成図である。
【図５】複合ダイオードチップ積層形ブリッジ整流器の
構造を示す平面図である。
構造を示す平面図である。
【図６】図５の正面図である。
【図７】図５、図６の回路構成図である。
【図８】従来のダイオードチップの構造を示す図であ
る。
る。
【図９】従来の三相ブリッジ整流器の構造を示す平面図
である。
である。
【図１０】図９の回路構成図である。
２１ カソードコモン複合ダイオードチップ ２２，２９ Ｎ+層 ２３，２８ Ｎ-層 ２４，２７ Ｐ+層 ２５，３０ ダイシングスリット ２６ アノードコモン複合ダイオードチップ ３１，３２ 直流側電極 ３３ 交流側電極 ３１ａ，３２ａ，３３ａ 端部
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｎ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合
ダイオードチップを、アノードとなるＰ側からＮ形ベー
ス部分を残してダイシングカットすることにより、カソ
ードを共通にした複数個のダイオードを形成したことを
特徴とするカソードコモン複合ダイオードチップ。 - 【請求項２】 Ｐ形半導体結晶をベースとしたＰＮ接合
ダイオードチップを、カソードとなるＮ側からＰ形ベー
ス部分を残してダイシングカットすることにより、アノ
ードを共通にした複数個のダイオードを形成したことを
特徴とするアノードコモン複合ダイオードチップ。 - 【請求項３】 請求項１記載のカソードコモン複合ダイ
オードチップのアノード側に交流側電極を各相ごとに接
続すると共に、カソード側に正の直流側電極を接続した
ことを特徴とするハーフブリッジ整流器。 - 【請求項４】 請求項２記載のアノードコモン複合ダイ
オードチップのカソード側に交流側電極を各相ごとに接
続すると共に、アノード側に負の直流側電極を接続した
ことを特徴とするハーフブリッジ整流器。 - 【請求項５】 請求項３記載のハーフブリッジ整流器の
アノード側と請求項４記載のハーフブリッジ整流器のカ
ソード側とを共通の交流側電極を介して接続し、各ハー
フブリッジ整流器を構成する複合ダイオードチップを上
下に積層して一体化したことを特徴とするフルブリッジ
整流器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24545495A JPH0969636A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 複合ダイオードチップ及びブリッジ整流器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24545495A JPH0969636A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 複合ダイオードチップ及びブリッジ整流器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969636A true JPH0969636A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=17133908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24545495A Pending JPH0969636A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 複合ダイオードチップ及びブリッジ整流器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969636A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001148484A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Rohm Co Ltd | アノードコモンツェナーダイオード |
| US20100325870A1 (en) * | 2008-01-30 | 2010-12-30 | Stmicroelectronics (Grenoble) Sas | Method and device for transporting electronic modules |
| KR20120072592A (ko) * | 2010-12-24 | 2012-07-04 | (주) 이노비전 | 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드 |
| CN107331654A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-11-07 | 捷捷半导体有限公司 | 一种整流桥器件及其制作方法 |
| CN113824337A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-21 | 捷捷半导体有限公司 | 一种三相整流模块及其制作方法 |
| CN115037168A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-09-09 | 精工爱普生株式会社 | 整流电路以及受电控制装置 |
| CN119153541A (zh) * | 2024-09-12 | 2024-12-17 | 西安电子科技大学 | 准垂直jbs二极管及单片集成dru三相整流单元 |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP24545495A patent/JPH0969636A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001148484A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Rohm Co Ltd | アノードコモンツェナーダイオード |
| US20100325870A1 (en) * | 2008-01-30 | 2010-12-30 | Stmicroelectronics (Grenoble) Sas | Method and device for transporting electronic modules |
| KR20120072592A (ko) * | 2010-12-24 | 2012-07-04 | (주) 이노비전 | 발광다이오드 조명장치의 브릿지 다이오드 |
| CN107331654A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-11-07 | 捷捷半导体有限公司 | 一种整流桥器件及其制作方法 |
| CN115037168A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-09-09 | 精工爱普生株式会社 | 整流电路以及受电控制装置 |
| CN115037168B (zh) * | 2021-02-25 | 2026-03-10 | 精工爱普生株式会社 | 整流电路以及受电控制装置 |
| CN113824337A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-21 | 捷捷半导体有限公司 | 一种三相整流模块及其制作方法 |
| CN113824337B (zh) * | 2021-09-16 | 2023-12-12 | 捷捷半导体有限公司 | 一种三相整流模块及其制作方法 |
| CN119153541A (zh) * | 2024-09-12 | 2024-12-17 | 西安电子科技大学 | 准垂直jbs二极管及单片集成dru三相整流单元 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060525 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060921 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |