JPH097127A - 薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置Info
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- JPH097127A JPH097127A JP7173875A JP17387595A JPH097127A JP H097127 A JPH097127 A JP H097127A JP 7173875 A JP7173875 A JP 7173875A JP 17387595 A JP17387595 A JP 17387595A JP H097127 A JPH097127 A JP H097127A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きなセンス電流を流してもノイズ発生が少
なく、しかもマイグレーションの起りにくい薄膜磁気ヘ
ッドを具備する磁気ディスク装置を提供する。 【構成】 反強磁性膜を有するＭＲ素子と、このＭＲ素
子を設けたスライダと、スライダを支持するジンバルと
を含む薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であ
って、ＭＲ素子近傍のスライダ又はジンバルに配置され
たペルチェ素子と、ＭＲ素子による再生動作時に、ペル
チェ素子に熱吸収が起こる方向に電流を流す制御回路と
を備えており、ＭＲ素子の温度を反強磁性膜のネール温
度より低く保つように構成されている。
なく、しかもマイグレーションの起りにくい薄膜磁気ヘ
ッドを具備する磁気ディスク装置を提供する。 【構成】 反強磁性膜を有するＭＲ素子と、このＭＲ素
子を設けたスライダと、スライダを支持するジンバルと
を含む薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であ
って、ＭＲ素子近傍のスライダ又はジンバルに配置され
たペルチェ素子と、ＭＲ素子による再生動作時に、ペル
チェ素子に熱吸収が起こる方向に電流を流す制御回路と
を備えており、ＭＲ素子の温度を反強磁性膜のネール温
度より低く保つように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反強磁性膜を有す
る磁気抵抗効果（ＭＲ）型薄膜磁気ヘッドを具備する磁
気ディスク装置に関する。
る磁気抵抗効果（ＭＲ）型薄膜磁気ヘッドを具備する磁
気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】インダ
クティブ型薄膜磁気ヘッドにおいて、再生開始直後のノ
イズ発生を低減するために、非記録時にペルチェ素子に
よりヘッドの冷却を行う技術は公知である（特開平５−
５４３２８号公報）。
クティブ型薄膜磁気ヘッドにおいて、再生開始直後のノ
イズ発生を低減するために、非記録時にペルチェ素子に
よりヘッドの冷却を行う技術は公知である（特開平５−
５４３２８号公報）。
【０００３】この公知技術は、 インダクティブ型薄膜磁気ヘッドの磁極を記録終了か
ら再生開始までペルチェ素子により冷却してその間に強
制的にポップコーンノイズを発生させ、再生開始までに
ポップコーンノイズの発生を略終了させることにより再
生開始直後のノイズ発生を低減するか、 インダクティブ型薄膜磁気ヘッドの磁極を記録中にペ
ルチェ素子により加熱し記録終了から再生開始までペル
チェ素子により冷却することによって記録時と記録後と
の温度差を大きくして記録終了から再生開始までの間に
強制的にポップコーンノイズを発生させ、再生開始まで
にポップコーンノイズの発生を略終了させることにより
再生開始直後のノイズ発生を低減するか、又は インダクティブ型薄膜磁気ヘッドの磁極を記録中にペ
ルチェ素子により冷却し記録終了から再生開始までペル
チェ素子により加熱することによって記録時と記録後と
の温度差をなくすことにより再生開始時の磁極の急速な
収縮を防止することにより再生開始直後のポップコーン
ノイズ発生を低減するようにしたものである。
ら再生開始までペルチェ素子により冷却してその間に強
制的にポップコーンノイズを発生させ、再生開始までに
ポップコーンノイズの発生を略終了させることにより再
生開始直後のノイズ発生を低減するか、 インダクティブ型薄膜磁気ヘッドの磁極を記録中にペ
ルチェ素子により加熱し記録終了から再生開始までペル
チェ素子により冷却することによって記録時と記録後と
の温度差を大きくして記録終了から再生開始までの間に
強制的にポップコーンノイズを発生させ、再生開始まで
にポップコーンノイズの発生を略終了させることにより
再生開始直後のノイズ発生を低減するか、又は インダクティブ型薄膜磁気ヘッドの磁極を記録中にペ
ルチェ素子により冷却し記録終了から再生開始までペル
チェ素子により加熱することによって記録時と記録後と
の温度差をなくすことにより再生開始時の磁極の急速な
収縮を防止することにより再生開始直後のポップコーン
ノイズ発生を低減するようにしたものである。
【０００４】即ち、上述した公知技術は、いずれもイン
ダクティブ型薄膜磁気ヘッドの磁極の温度制御を行うべ
くペルチェ素子を設けたものであり、反強磁性膜を備え
たＭＲ型薄膜磁気ヘッドに対して冷却、温度制御するも
のではない。
ダクティブ型薄膜磁気ヘッドの磁極の温度制御を行うべ
くペルチェ素子を設けたものであり、反強磁性膜を備え
たＭＲ型薄膜磁気ヘッドに対して冷却、温度制御するも
のではない。
【０００５】近年の磁気ディスク装置の高記録密度化に
伴い、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドにおいては、そのＭＲハイ
トを狭くせざるを得ず、その結果、ＭＲ膜の発熱量が大
きくなってきている。このＭＲ膜を流れるセンス電流が
大きいほど、ヘッドの再生出力は大きくなるが、それに
伴って発熱量も多くなってマイグレーションが起こる可
能性があるので、ある限度以上のセンス電流を流すこと
はできない。通電体温度が高いほどマイグレーションが
起り易くなることは、例えば半導体ハンドブック編集委
員会、「半導体ハンドブック（第２版）」、第５６７
頁、１９７７参照のこと。
伴い、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドにおいては、そのＭＲハイ
トを狭くせざるを得ず、その結果、ＭＲ膜の発熱量が大
きくなってきている。このＭＲ膜を流れるセンス電流が
大きいほど、ヘッドの再生出力は大きくなるが、それに
伴って発熱量も多くなってマイグレーションが起こる可
能性があるので、ある限度以上のセンス電流を流すこと
はできない。通電体温度が高いほどマイグレーションが
起り易くなることは、例えば半導体ハンドブック編集委
員会、「半導体ハンドブック（第２版）」、第５６７
頁、１９７７参照のこと。
【０００６】また、ＭＲ素子には、磁区を制御してノイ
ズを抑制するために反強磁性膜が用いられているが、Ｍ
Ｒ膜の温度が一回でもこの反強磁性膜のネール温度以上
になると、この反強磁性膜には反強磁性特性がなくなっ
てしまい、その結果、ＭＲ膜のノイズ抑制効果がなくな
る。さらに、ＭＲ膜に電流を流して多大の発熱を招く
と、そのＭＲ膜にかかる応力状態が変化し、これによっ
てもノイズが発生する。
ズを抑制するために反強磁性膜が用いられているが、Ｍ
Ｒ膜の温度が一回でもこの反強磁性膜のネール温度以上
になると、この反強磁性膜には反強磁性特性がなくなっ
てしまい、その結果、ＭＲ膜のノイズ抑制効果がなくな
る。さらに、ＭＲ膜に電流を流して多大の発熱を招く
と、そのＭＲ膜にかかる応力状態が変化し、これによっ
てもノイズが発生する。
【０００７】従って本発明の目的は、大きなセンス電流
を流してもノイズ発生が少なく、しかもマイグレーショ
ンの起りにくい薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク
装置を提供することにある。
を流してもノイズ発生が少なく、しかもマイグレーショ
ンの起りにくい薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、反強磁
性膜を有するＭＲ素子と、このＭＲ素子を設けたスライ
ダと、スライダを支持するジンバルとを含む薄膜磁気ヘ
ッドを具備する磁気ディスク装置であって、ＭＲ素子近
傍のスライダ又はジンバルに配置されたペルチェ素子
と、ＭＲ素子による再生動作時に、ペルチェ素子に熱吸
収が起こる方向に電流を流す制御回路とを備えており、
ＭＲ素子の温度を反強磁性膜のネール温度より低く保つ
ように構成された磁気ディスク装置が提供される。
性膜を有するＭＲ素子と、このＭＲ素子を設けたスライ
ダと、スライダを支持するジンバルとを含む薄膜磁気ヘ
ッドを具備する磁気ディスク装置であって、ＭＲ素子近
傍のスライダ又はジンバルに配置されたペルチェ素子
と、ＭＲ素子による再生動作時に、ペルチェ素子に熱吸
収が起こる方向に電流を流す制御回路とを備えており、
ＭＲ素子の温度を反強磁性膜のネール温度より低く保つ
ように構成された磁気ディスク装置が提供される。
【０００９】制御回路は、ＭＲ素子に電流が流れて発熱
する再生動作時に、ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向
に電流を流す。これにより、ＭＲ素子が冷却されその温
度が反強磁性膜のネール温度より低く保たれる。その結
果、反強磁性膜の反強磁性効果が失われる恐れがなくな
り、熱によるノイズの発生を防止できる。しかも従来よ
り大きなセンス電流を流すことが可能となるため、ノイ
ズが少なくかつ再生出力の大きい磁気ディスク装置が得
られる。
する再生動作時に、ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向
に電流を流す。これにより、ＭＲ素子が冷却されその温
度が反強磁性膜のネール温度より低く保たれる。その結
果、反強磁性膜の反強磁性効果が失われる恐れがなくな
り、熱によるノイズの発生を防止できる。しかも従来よ
り大きなセンス電流を流すことが可能となるため、ノイ
ズが少なくかつ再生出力の大きい磁気ディスク装置が得
られる。
【００１０】制御回路は、再生制御信号が再生動作を指
示している際にペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に電
流を流すように構成されていることが好ましい。
示している際にペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に電
流を流すように構成されていることが好ましい。
【００１１】本発明の一実施態様においては、インダク
ティブ型磁気記録ヘッドをさらに備えており、制御回路
は、ＭＲ素子による再生動作時及びインダクティブ型磁
気記録ヘッドによる記録動作時に、ペルチェ素子に熱吸
収が起こる方向に電流を流すように構成されていてい
る。
ティブ型磁気記録ヘッドをさらに備えており、制御回路
は、ＭＲ素子による再生動作時及びインダクティブ型磁
気記録ヘッドによる記録動作時に、ペルチェ素子に熱吸
収が起こる方向に電流を流すように構成されていてい
る。
【００１２】この場合、制御回路は、再生制御信号が再
生動作を指示している際及び記録制御信号が記録動作を
指示している際にペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に
電流を流すように構成されていることが好ましい。
生動作を指示している際及び記録制御信号が記録動作を
指示している際にペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に
電流を流すように構成されていることが好ましい。
【００１３】ペルチェ素子の具体的な取り付け方法とし
て、スライダのＭＲ素子と同じ面上であってそのＭＲ素
子の下側層又は上側層に設けられるか、スライダの浮上
面とは反対側の面に設けられるか、又はジンバルのスラ
イダへの取り付け部に設けらることが好ましい。
て、スライダのＭＲ素子と同じ面上であってそのＭＲ素
子の下側層又は上側層に設けられるか、スライダの浮上
面とは反対側の面に設けられるか、又はジンバルのスラ
イダへの取り付け部に設けらることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施形
態を詳細に説明する。
態を詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施形態における磁気ヘ
ッド部の構成を概略的に示す断面図である。この実施形
態は、本発明をＭＲ型再生ヘッドとインダクティブ型磁
気記録ヘッドとを備えた複合型薄膜磁気ヘッドを具備す
る磁気ディスク装置に適用した場合である。
ッド部の構成を概略的に示す断面図である。この実施形
態は、本発明をＭＲ型再生ヘッドとインダクティブ型磁
気記録ヘッドとを備えた複合型薄膜磁気ヘッドを具備す
る磁気ディスク装置に適用した場合である。
【００１６】同図において、１０は浮上型ヘッドスライ
ダとなる基板を示しており、この基板１０の表面上に
は、絶縁膜１１を介してペルチェ素子１２を構成する半
導体膜１２ａ及び１２ｂが積層形成されている。ペルチ
ェ素子１２上には、絶縁膜１３が積層されており、その
上には通常の複合型薄膜磁気ヘッドが形成されている。
即ち、下部シールド膜１４、絶縁膜１５、ＭＲ膜１６及
びリード１７、絶縁膜１８、下部磁極１９、絶縁膜２０
及び２１、コイル導体２２、上部磁極２３及び保護膜２
４が順次積層されている。ペルチェ素子１２の部分を除
くこれら積層構造体は公知であるため、それらの材料、
膜厚及び形成方法等についての説明は省略する。
ダとなる基板を示しており、この基板１０の表面上に
は、絶縁膜１１を介してペルチェ素子１２を構成する半
導体膜１２ａ及び１２ｂが積層形成されている。ペルチ
ェ素子１２上には、絶縁膜１３が積層されており、その
上には通常の複合型薄膜磁気ヘッドが形成されている。
即ち、下部シールド膜１４、絶縁膜１５、ＭＲ膜１６及
びリード１７、絶縁膜１８、下部磁極１９、絶縁膜２０
及び２１、コイル導体２２、上部磁極２３及び保護膜２
４が順次積層されている。ペルチェ素子１２の部分を除
くこれら積層構造体は公知であるため、それらの材料、
膜厚及び形成方法等についての説明は省略する。
【００１７】ペルチェ素子１２は、熱電性能指数Ｚの大
きいものを用いる。例えば、半導体膜１２ａをＢｉ2 Ｔ
ｅ3 に５〜２５％のＳｂ2 Ｔｅ3 を固溶させたＰ型半導
体で構成し、半導体膜１２ｂをＢｉ2 Ｔｅ3 に５〜２５
％のＳｂ2 Ｓｅ3 を固溶させたＮ型半導体で構成する。
この場合、ＰＮ接合部（冷接点）の最大温度変化は約７
０℃となる。また、ＭＲ膜１６は、通常ノイズの発生を
抑制するために反強磁性膜を備えている（図示せず）。
きいものを用いる。例えば、半導体膜１２ａをＢｉ2 Ｔ
ｅ3 に５〜２５％のＳｂ2 Ｔｅ3 を固溶させたＰ型半導
体で構成し、半導体膜１２ｂをＢｉ2 Ｔｅ3 に５〜２５
％のＳｂ2 Ｓｅ3 を固溶させたＮ型半導体で構成する。
この場合、ＰＮ接合部（冷接点）の最大温度変化は約７
０℃となる。また、ＭＲ膜１６は、通常ノイズの発生を
抑制するために反強磁性膜を備えている（図示せず）。
【００１８】図２は、本実施形態における磁気ディスク
装置の記録再生回路の一例を示すブロック図である。同
図において、２５は入力端子２６ａ及び２６ｂを介して
記録データを受け取るライトゲート、２７はライト回
路、２８は前述した磁極１９及び２３並びにコイル導体
２２等から構成されたインダクティブ型薄膜磁気記録ヘ
ッド、２９は前述したＭＲ膜１６等から構成されたＭＲ
型薄膜再生ヘッド、３０はＭＲ型薄膜再生ヘッドへ電流
を供給する定電流回路、３１はＭＲ型薄膜再生ヘッドの
出力電圧を増幅する増幅器、３２は出力端子３３ａ及び
３３ｂを介して再生データを出力する復調回路、３４は
ペルチェ素子１２の制御回路、３５及び３６は再生制御
信号及び記録制御信号が印加される制御端子をそれぞれ
示している。
装置の記録再生回路の一例を示すブロック図である。同
図において、２５は入力端子２６ａ及び２６ｂを介して
記録データを受け取るライトゲート、２７はライト回
路、２８は前述した磁極１９及び２３並びにコイル導体
２２等から構成されたインダクティブ型薄膜磁気記録ヘ
ッド、２９は前述したＭＲ膜１６等から構成されたＭＲ
型薄膜再生ヘッド、３０はＭＲ型薄膜再生ヘッドへ電流
を供給する定電流回路、３１はＭＲ型薄膜再生ヘッドの
出力電圧を増幅する増幅器、３２は出力端子３３ａ及び
３３ｂを介して再生データを出力する復調回路、３４は
ペルチェ素子１２の制御回路、３５及び３６は再生制御
信号及び記録制御信号が印加される制御端子をそれぞれ
示している。
【００１９】入力端子２６ａ及び２６ｂを介して印加さ
れる記録データはライトゲート２５に供給される。ライ
トゲート２５は制御端子３６を介して供給される記録制
御信号が記録動作を指示するときのみ、記録データをラ
イト回路２７へ供給する。ライト回路２７はこの記録デ
ータに従ってコイル２２に書き込み電流を流し、コイル
２２と磁極１９及び２３等とで構成されるインダクティ
ブ型薄膜磁気ヘッドにより記録媒体（図示なし）上に記
録を行う。
れる記録データはライトゲート２５に供給される。ライ
トゲート２５は制御端子３６を介して供給される記録制
御信号が記録動作を指示するときのみ、記録データをラ
イト回路２７へ供給する。ライト回路２７はこの記録デ
ータに従ってコイル２２に書き込み電流を流し、コイル
２２と磁極１９及び２３等とで構成されるインダクティ
ブ型薄膜磁気ヘッドにより記録媒体（図示なし）上に記
録を行う。
【００２０】制御端子３５より供給される再生制御信号
が再生動作を指示するときのみ、定電流回路３０からＭ
Ｒ膜１６に定電流が流れる。このＭＲ型薄膜磁気ヘッド
２９により再生された信号は増幅器３１で増幅された
後、復調回路３２で復調され、得られた再生データが出
力端子３３ａ及び３３ｂを介して出力される。
が再生動作を指示するときのみ、定電流回路３０からＭ
Ｒ膜１６に定電流が流れる。このＭＲ型薄膜磁気ヘッド
２９により再生された信号は増幅器３１で増幅された
後、復調回路３２で復調され、得られた再生データが出
力端子３３ａ及び３３ｂを介して出力される。
【００２１】本実施形態におけるペルチェ素子制御回路
３４は、図３に示すような構成となっており、ペルチェ
素子１２の半導体膜１２ａ及び１２ｂ間に、直流定電圧
回路３４ａ、スイッチングトランジスタ３４ｂ及び電流
値調整用の抵抗３４ｄによる直列回路と、直流定電圧回
路３４ａ、スイッチングトランジスタ３４ｃ及び電流値
調整用の抵抗３４ｅによる直列回路とがそれぞれ直列に
接続されている。スイッチングトランジスタ３４ｂ及び
３４ｃのゲートには、制御端子３５及び３６がそれぞれ
接続されている。
３４は、図３に示すような構成となっており、ペルチェ
素子１２の半導体膜１２ａ及び１２ｂ間に、直流定電圧
回路３４ａ、スイッチングトランジスタ３４ｂ及び電流
値調整用の抵抗３４ｄによる直列回路と、直流定電圧回
路３４ａ、スイッチングトランジスタ３４ｃ及び電流値
調整用の抵抗３４ｅによる直列回路とがそれぞれ直列に
接続されている。スイッチングトランジスタ３４ｂ及び
３４ｃのゲートには、制御端子３５及び３６がそれぞれ
接続されている。
【００２２】記録制御信号が記録動作指示のとき、スイ
ッチングトランジスタ３４ｃがオンとなって抵抗３４ｅ
によって調整された一定の電流Ｉb がペルチェ素子１２
に流れる。この電流の方向は、ペルチェ素子１２が熱吸
収を起こす方向である。また、再生制御信号が再生動作
指示のとき、スイッチングトランジスタ３４ｂがオンと
なって抵抗３４ｄによって調整された一定の電流Ｉa が
ペルチェ素子１２に流れる。この電流の方向もペルチェ
素子１２が熱吸収を起こす方向である。
ッチングトランジスタ３４ｃがオンとなって抵抗３４ｅ
によって調整された一定の電流Ｉb がペルチェ素子１２
に流れる。この電流の方向は、ペルチェ素子１２が熱吸
収を起こす方向である。また、再生制御信号が再生動作
指示のとき、スイッチングトランジスタ３４ｂがオンと
なって抵抗３４ｄによって調整された一定の電流Ｉa が
ペルチェ素子１２に流れる。この電流の方向もペルチェ
素子１２が熱吸収を起こす方向である。
【００２３】再生時にはＭＲ膜１６に電流が流れるため
にヘッドの温度は上昇し、その温度は例えばＴRE℃とな
る。ＭＲ膜１６に流れるこの電流値は一定であり、再生
時のみに流れる。従って、通常の使用状態では、再生時
のヘッドの温度はほぼ一定（ＴRE℃）となる。記録時に
もインダクティブ型記録ヘッドのコイル２２に電流が流
れるためにヘッドの温度は上昇し、例えばＴWR℃とな
る。この記録電流は一定であり、記録時にのみコイル２
２に流れる。従って、通常の使用状態では、記録時のヘ
ッドの温度は一定（ＴWR℃）である。Ｂの値もＡと同様
にほぼ一定である。さらに、磁気ディスク装置が稼働状
態で記録再生を行っていない場合にも、ドライブモータ
からの発熱、空気とディスクとの摩擦熱等によりヘッド
の温度は上昇する。通常の使用状態では、このときのヘ
ッドの温度はほとんど一定であり、ＴDR℃である。ただ
し、このＴDR℃は、空気の結露温度＜ＴDR℃＜反強磁性
膜のネール温度となるように設定されている。また当然
に、ＴDR℃＜ＴRE℃、ＴDR℃＜ＴWR℃である。
にヘッドの温度は上昇し、その温度は例えばＴRE℃とな
る。ＭＲ膜１６に流れるこの電流値は一定であり、再生
時のみに流れる。従って、通常の使用状態では、再生時
のヘッドの温度はほぼ一定（ＴRE℃）となる。記録時に
もインダクティブ型記録ヘッドのコイル２２に電流が流
れるためにヘッドの温度は上昇し、例えばＴWR℃とな
る。この記録電流は一定であり、記録時にのみコイル２
２に流れる。従って、通常の使用状態では、記録時のヘ
ッドの温度は一定（ＴWR℃）である。Ｂの値もＡと同様
にほぼ一定である。さらに、磁気ディスク装置が稼働状
態で記録再生を行っていない場合にも、ドライブモータ
からの発熱、空気とディスクとの摩擦熱等によりヘッド
の温度は上昇する。通常の使用状態では、このときのヘ
ッドの温度はほとんど一定であり、ＴDR℃である。ただ
し、このＴDR℃は、空気の結露温度＜ＴDR℃＜反強磁性
膜のネール温度となるように設定されている。また当然
に、ＴDR℃＜ＴRE℃、ＴDR℃＜ＴWR℃である。
【００２４】このように、通常の磁気ディスク装置で
は、ヘッドの使用状況によりヘッドの温度が変化し、ヘ
ッドの使用状態の切り替わり時、たとえば、記録時から
再生時に変わるときにヘッドの温度がＴWR℃からＴRE℃
に変わり、切り替わり直後の再生時にはこの温度変化に
ともない、ヘッドに加わる応力などが変化して、ノイズ
が発生する。しかしながら、本実施形態のように、ペル
チェ素子１２を設け、しかも制御回路３４によって、再
生時にＭＲ膜の温度がほぼＴDR℃となるようにペルチェ
素子に熱吸収が起こる方向に一定の電流Ｉa を流し、記
録時にもヘッドの温度がほぼＴDR℃となるようにペルチ
ェ素子に熱吸収が起こる方向に一定の電流Ｉb を流すこ
とにより、磁気ディスク装置の駆動時には、記録再生時
にかかわらずヘッドの温度がほぼ一定となる。このた
め、ＭＲ膜の温度が、使用している反強磁性膜のネール
温度より低くかつ磁気ディスク装置内の空気の結露温度
以上に保たれ、その結果、反強磁性膜の反強磁性効果が
失われず、熱によるノイズの発生がなく、従来よりも大
きな電流が流せるので、出力の大きいヘッドを提供する
ことができる。
は、ヘッドの使用状況によりヘッドの温度が変化し、ヘ
ッドの使用状態の切り替わり時、たとえば、記録時から
再生時に変わるときにヘッドの温度がＴWR℃からＴRE℃
に変わり、切り替わり直後の再生時にはこの温度変化に
ともない、ヘッドに加わる応力などが変化して、ノイズ
が発生する。しかしながら、本実施形態のように、ペル
チェ素子１２を設け、しかも制御回路３４によって、再
生時にＭＲ膜の温度がほぼＴDR℃となるようにペルチェ
素子に熱吸収が起こる方向に一定の電流Ｉa を流し、記
録時にもヘッドの温度がほぼＴDR℃となるようにペルチ
ェ素子に熱吸収が起こる方向に一定の電流Ｉb を流すこ
とにより、磁気ディスク装置の駆動時には、記録再生時
にかかわらずヘッドの温度がほぼ一定となる。このた
め、ＭＲ膜の温度が、使用している反強磁性膜のネール
温度より低くかつ磁気ディスク装置内の空気の結露温度
以上に保たれ、その結果、反強磁性膜の反強磁性効果が
失われず、熱によるノイズの発生がなく、従来よりも大
きな電流が流せるので、出力の大きいヘッドを提供する
ことができる。
【００２５】図４は本発明の他の実施形態を示してお
り、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペンションの
斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
り、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペンションの
斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
【００２６】同図において、４０はサスペンション、４
１はサスペンション４０の先端部に取り付けられたジン
バル、４２はジンバル４１に取り付けられた磁気ヘッド
スライダ、４３は磁気ディスクをそれぞれ示している。
本実施形態における磁気ヘッドは、図１の実施形態の場
合と同様にＭＲ型再生ヘッドとインダクティブ型磁気記
録ヘッドとを備えた複合型薄膜磁気ヘッドであり、ペル
チェ素子の取り付け位置を除いてその構成は図１の実施
形態の磁気ヘッドと全く同じ構成となっている。即ち、
図１の実施形態の磁気ヘッドでは、ペルチェ素子がＭＲ
素子より下側層（スライダ基板側）に積層されている
が、本実施形態ではペルチェ素子４４がＭＲ素子（及び
インダクティブ記録ヘッド）より上側の層として、例え
ば図１の保護膜２４の上に形成されている。もちろん、
ペルチェ素子４４はＭＲ素子の近傍位置に設けられてい
る。
１はサスペンション４０の先端部に取り付けられたジン
バル、４２はジンバル４１に取り付けられた磁気ヘッド
スライダ、４３は磁気ディスクをそれぞれ示している。
本実施形態における磁気ヘッドは、図１の実施形態の場
合と同様にＭＲ型再生ヘッドとインダクティブ型磁気記
録ヘッドとを備えた複合型薄膜磁気ヘッドであり、ペル
チェ素子の取り付け位置を除いてその構成は図１の実施
形態の磁気ヘッドと全く同じ構成となっている。即ち、
図１の実施形態の磁気ヘッドでは、ペルチェ素子がＭＲ
素子より下側層（スライダ基板側）に積層されている
が、本実施形態ではペルチェ素子４４がＭＲ素子（及び
インダクティブ記録ヘッド）より上側の層として、例え
ば図１の保護膜２４の上に形成されている。もちろん、
ペルチェ素子４４はＭＲ素子の近傍位置に設けられてい
る。
【００２７】図５は、本実施形態におけるペルチェ素子
４４の構成を示す断面図である。図１に示した保護膜２
４等からなる基板４５上に絶縁膜４６（本実施形態では
なくともよい）を介して半導体膜４４ａ及び４４ｂ（組
成等は図１の実施形態における半導体膜１２ａ及び１２
ｂとそれぞれ同じ）が積層されており、その上に絶縁膜
４７が形成されている。半導体膜４４ａ及び４４ｂは導
体４８ａ及び４８ｂを介してペルチェ素子制御回路に接
続されている。このペルチェ素子制御回路の構成及び動
作は、図１の実施形態の場合と全く同じである。
４４の構成を示す断面図である。図１に示した保護膜２
４等からなる基板４５上に絶縁膜４６（本実施形態では
なくともよい）を介して半導体膜４４ａ及び４４ｂ（組
成等は図１の実施形態における半導体膜１２ａ及び１２
ｂとそれぞれ同じ）が積層されており、その上に絶縁膜
４７が形成されている。半導体膜４４ａ及び４４ｂは導
体４８ａ及び４８ｂを介してペルチェ素子制御回路に接
続されている。このペルチェ素子制御回路の構成及び動
作は、図１の実施形態の場合と全く同じである。
【００２８】本実施形態における動作及び作用効果も図
１の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略す
る。
１の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略す
る。
【００２９】図６は本発明のさらに他の実施形態を示し
ており、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペンショ
ンの斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
ており、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペンショ
ンの斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
【００３０】同図において、６０はサスペンション、６
１はサスペンション６０の先端部に取り付けられたジン
バル、６２はジンバル６１に取り付けられた磁気ヘッド
スライダ、６３は磁気ディスク、６５はＭＲ素子及びイ
ンダクティブ型磁気記録素子等による読み書き素子をそ
れぞれ示している。本実施形態は、ペルチェ素子の取り
付け位置を除いて図４の実施形態と全く同じ構成となっ
ている。即ち、本実施形態ではペルチェ素子６４がスラ
イダ６２の浮上面とは反対側の面でＭＲ素子の近傍位置
に設けられている。
１はサスペンション６０の先端部に取り付けられたジン
バル、６２はジンバル６１に取り付けられた磁気ヘッド
スライダ、６３は磁気ディスク、６５はＭＲ素子及びイ
ンダクティブ型磁気記録素子等による読み書き素子をそ
れぞれ示している。本実施形態は、ペルチェ素子の取り
付け位置を除いて図４の実施形態と全く同じ構成となっ
ている。即ち、本実施形態ではペルチェ素子６４がスラ
イダ６２の浮上面とは反対側の面でＭＲ素子の近傍位置
に設けられている。
【００３１】本実施形態における動作及び作用効果も図
４の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略す
る。
４の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略す
る。
【００３２】図７は本発明のまたさらに他の実施形態を
示しており、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペン
ションの斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
示しており、（Ａ）は磁気ヘッドスライダ及びサスペン
ションの斜視図、（Ｂ）はその側面図である。
【００３３】同図において、７０はサスペンション、７
１はサスペンション７０の先端部に取り付けられたジン
バル、７２はジンバル７１に取り付けられた磁気ヘッド
スライダ、７３は磁気ディスク、７５はＭＲ素子及びイ
ンダクティブ型磁気記録素子等による読み書き素子をそ
れぞれ示している。本実施形態は、ペルチェ素子の取り
付け位置を除いて図４の実施形態と全く同じ構成となっ
ている。即ち、本実施形態ではペルチェ素子７４がスラ
イダ７２に取り付けられたジンバル７１上でＭＲ素子の
近傍位置に設けられている。
１はサスペンション７０の先端部に取り付けられたジン
バル、７２はジンバル７１に取り付けられた磁気ヘッド
スライダ、７３は磁気ディスク、７５はＭＲ素子及びイ
ンダクティブ型磁気記録素子等による読み書き素子をそ
れぞれ示している。本実施形態は、ペルチェ素子の取り
付け位置を除いて図４の実施形態と全く同じ構成となっ
ている。即ち、本実施形態ではペルチェ素子７４がスラ
イダ７２に取り付けられたジンバル７１上でＭＲ素子の
近傍位置に設けられている。
【００３４】本実施形態における動作及び作用効果も図
４の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略す
る。
４の実施形態の場合と全く同じであるため説明を省略す
る。
【００３５】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、反強磁性膜を有するＭＲ素子と、このＭＲ素子を設
けたスライダと、スライダを支持するジンバルとを含む
薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であって、
ＭＲ素子近傍のスライダ又はジンバルに配置されたペル
チェ素子と、ＭＲ素子による再生動作時に、ペルチェ素
子に熱吸収が起こる方向に電流を流す制御回路とを備え
ており、ＭＲ素子の温度を反強磁性膜のネール温度より
低く保つように構成されているため、大きなセンス電流
を流してもノイズ発生が少なくなり、しかもマイグレー
ションが起りにくい。即ち、制御回路は、ＭＲ素子に電
流が流れて発熱する再生動作時に、ペルチェ素子に熱吸
収が起こる方向に電流を流す。これにより、ＭＲ素子が
冷却されその温度が反強磁性膜のネール温度より低く保
たれる。その結果、反強磁性膜の反強磁性効果が失われ
る恐れがなくなり、熱によるノイズの発生を防止でき
る。しかも従来より大きなセンス電流を流すことが可能
となるため、ノイズが少なくかつ再生出力の大きい磁気
ディスク装置が得られる。
ば、反強磁性膜を有するＭＲ素子と、このＭＲ素子を設
けたスライダと、スライダを支持するジンバルとを含む
薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置であって、
ＭＲ素子近傍のスライダ又はジンバルに配置されたペル
チェ素子と、ＭＲ素子による再生動作時に、ペルチェ素
子に熱吸収が起こる方向に電流を流す制御回路とを備え
ており、ＭＲ素子の温度を反強磁性膜のネール温度より
低く保つように構成されているため、大きなセンス電流
を流してもノイズ発生が少なくなり、しかもマイグレー
ションが起りにくい。即ち、制御回路は、ＭＲ素子に電
流が流れて発熱する再生動作時に、ペルチェ素子に熱吸
収が起こる方向に電流を流す。これにより、ＭＲ素子が
冷却されその温度が反強磁性膜のネール温度より低く保
たれる。その結果、反強磁性膜の反強磁性効果が失われ
る恐れがなくなり、熱によるノイズの発生を防止でき
る。しかも従来より大きなセンス電流を流すことが可能
となるため、ノイズが少なくかつ再生出力の大きい磁気
ディスク装置が得られる。
【図１】本発明の磁気ディスク装置の一実施形態におけ
る磁気ヘッド部の構成を概略的に示す断面図である。
る磁気ヘッド部の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の実施形態における磁気ディスク装置の記
録再生回路例を示すブロック図である。
録再生回路例を示すブロック図である。
【図３】図２のペルチェ素子制御回路を示すブロック図
である。
である。
【図４】本発明の他の実施形態における磁気ヘッドスラ
イダ及びサスペンションの斜視図及び側面図である。
イダ及びサスペンションの斜視図及び側面図である。
【図５】図４の実施形態におけるペルチェ素子の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッ
ドスライダ及びサスペンションの斜視図及び側面図であ
る。
ドスライダ及びサスペンションの斜視図及び側面図であ
る。
【図７】本発明のまたさらに他の実施形態における磁気
ヘッドスライダ及びサスペンションの斜視図及び側面図
である。
ヘッドスライダ及びサスペンションの斜視図及び側面図
である。
１０ 基板 １１、１３、１５、１８、２０、２１ 絶縁膜 １２ ペルチェ素子 １２ａ、１２ｂ 半導体膜 １４ 下部シールド膜 １６ ＭＲ膜 １７ リード １９ 下部磁極 ２２ コイル導体 ２３ 上部磁極 ２４ 保護膜 ２５ ライトゲート ２６ａ、２６ｂ 入力端子 ２７ ライト回路 ２９ ＭＲ型薄膜磁気ヘッド ３０ 定電流回路 ３１ 増幅器 ３２ 復調回路 ３３ａ、３３ｂ 出力端子 ３４ ペルチェ素子制御回路 ３５ａ、３５ｂ 制御端子
Claims (8)
- 【請求項１】 反強磁性膜を有する磁気抵抗効果素子
と、該磁気抵抗効果素子を設けたスライダと、該スライ
ダを支持するジンバルとを含む薄膜磁気ヘッドを具備す
る磁気ディスク装置であって、前記磁気抵抗効果素子近
傍の前記スライダ又は前記ジンバルに配置されたペルチ
ェ素子と、該磁気抵抗効果素子による再生動作時に、前
記ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に電流を流す制御
回路とを備えており、前記磁気抵抗効果素子の温度を前
記反強磁性膜のネール温度より低く保つように構成した
ことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 前記制御回路は、再生制御信号が再生動
作を指示している際に前記ペルチェ素子に熱吸収が起こ
る方向に電流を流すように構成されていることを特徴と
する請求項１記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 前記磁気ヘッドがインダクティブ型磁気
記録ヘッドをさらに備えており、前記制御回路は、前記
磁気抵抗効果素子による再生動作時及び前記インダクテ
ィブ型磁気記録ヘッドによる記録動作時に、前記ペルチ
ェ素子に熱吸収が起こる方向に電流を流すように構成さ
れていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気
ディスク装置。 - 【請求項４】 前記制御回路は、再生制御信号が再生動
作を指示している際及び記録制御信号が記録動作を指示
している際に前記ペルチェ素子に熱吸収が起こる方向に
電流を流すように構成されていることを特徴とする請求
項３記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記ペルチェ素子が、前記スライダの前
記磁気抵抗効果素子と同じ面上であって該磁気抵抗効果
素子の下側層に設けられていることを特徴とする請求項
１から４のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記ペルチェ素子が、前記スライダの前
記磁気抵抗効果素子と同じ面上であって該磁気抵抗効果
素子の上側層に設けられていることを特徴とする請求項
１から４のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 前記ペルチェ素子が、前記スライダの浮
上面とは反対側の面に設けられていることを特徴とする
請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気ディスク装
置。 - 【請求項８】 前記ペルチェ素子が、前記ジンバルの前
記スライダへの取り付け部に設けられていることを特徴
とする請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気ディ
スク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173875A JPH097127A (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173875A JPH097127A (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097127A true JPH097127A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15968753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7173875A Pending JPH097127A (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 薄膜磁気ヘッドを具備する磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097127A (ja) |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP7173875A patent/JPH097127A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000829 |