JPH0845026A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH0845026A JPH0845026A JP17846994A JP17846994A JPH0845026A JP H0845026 A JPH0845026 A JP H0845026A JP 17846994 A JP17846994 A JP 17846994A JP 17846994 A JP17846994 A JP 17846994A JP H0845026 A JPH0845026 A JP H0845026A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
- G11B5/3136—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure for reducing the pole-tip-protrusion at the head transducing surface, e.g. caused by thermal expansion of dissimilar materials
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- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子の発熱を吸収し、該ＭＲ素子に流す
センス電流を増加して再生出力の増大を図る。 【構成】 ペルチェ効果を示す電子冷却素子１２を、Ｍ
Ｒ素子６近傍のバイアス導体７に設けた磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
センス電流を増加して再生出力の増大を図る。 【構成】 ペルチェ効果を示す電子冷却素子１２を、Ｍ
Ｒ素子６近傍のバイアス導体７に設けた磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
駆動装置等に用いて有用な磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
関する。
駆動装置等に用いて有用な磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気抵抗効果を有するパーマロイ
等の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）の開発が盛んに進められている。
等の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）の開発が盛んに進められている。
【０００３】かかるＭＲヘッドは、磁気記録媒体から漏
れ出る信号磁束によりパーマロイよりなるＭＲ素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ようになされている。
れ出る信号磁束によりパーマロイよりなるＭＲ素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ようになされている。
【０００４】このようなＭＲヘッドは、通常の電磁誘導
型磁気ヘッド（以下、インダクティブヘッドと称す
る。）に比べて、短波長感度に優れることから、狭トラ
ック再生、短波長再生、超低速再生において高い感度が
得られるとされている。
型磁気ヘッド（以下、インダクティブヘッドと称す
る。）に比べて、短波長感度に優れることから、狭トラ
ック再生、短波長再生、超低速再生において高い感度が
得られるとされている。
【０００５】一般に、ＭＲヘッドは、例えばＡｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣ等からなるスライダーと称される基体の一側面
上にパーマロイよりなるＭＲ素子を有し、そのＭＲ素子
の長手方向における両端部に電極が設けられ、これら電
極間にセンス電流を流すことで、媒体からＭＲ素子に入
り込んだ磁束による抵抗変化を電圧変化として取り出す
ことができるように構成されている。
−ＴｉＣ等からなるスライダーと称される基体の一側面
上にパーマロイよりなるＭＲ素子を有し、そのＭＲ素子
の長手方向における両端部に電極が設けられ、これら電
極間にセンス電流を流すことで、媒体からＭＲ素子に入
り込んだ磁束による抵抗変化を電圧変化として取り出す
ことができるように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＭＲヘッ
ドでは、出力信号を取り出すために、ＭＲ素子にセンス
電流を流す必要がある。このため、センス電流を通電す
ることによって発生するジュール熱により、ＭＲ素子に
流せる電流は制限されてしまう。従って、最大出力での
使用ができず、ヘッドの高出力化の妨げとなっている。
かかる発熱による影響は、ＭＲ素子膜の熱劣化、マイグ
レーションによる断線、またはヘッド寿命の短縮化等を
誘発し、信頼性の面で不利となる。
ドでは、出力信号を取り出すために、ＭＲ素子にセンス
電流を流す必要がある。このため、センス電流を通電す
ることによって発生するジュール熱により、ＭＲ素子に
流せる電流は制限されてしまう。従って、最大出力での
使用ができず、ヘッドの高出力化の妨げとなっている。
かかる発熱による影響は、ＭＲ素子膜の熱劣化、マイグ
レーションによる断線、またはヘッド寿命の短縮化等を
誘発し、信頼性の面で不利となる。
【０００７】これまでは、ＭＲ素子の発熱対策として、
ＭＲ素子を表面に露出させることにより空気中へ放熱す
る方法やＭＲ素子の周りを熱伝導の良い材料で覆うこと
で、放熱を促す等の方法を採用してきた。
ＭＲ素子を表面に露出させることにより空気中へ放熱す
る方法やＭＲ素子の周りを熱伝導の良い材料で覆うこと
で、放熱を促す等の方法を採用してきた。
【０００８】しかしながら、これらの方法では、充分で
はなく、ＭＲ素子の最大通電電流を決めて、発熱を抑え
ながら使用しているのが現状である。
はなく、ＭＲ素子の最大通電電流を決めて、発熱を抑え
ながら使用しているのが現状である。
【０００９】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、ＭＲ素子の
発熱を吸収し、該ＭＲ素子へのセンス電流の増加を図
り、再生出力の向上を実現するＭＲヘッドを提供するこ
とを目的とする。
的な課題に鑑みて提案されたものであって、ＭＲ素子の
発熱を吸収し、該ＭＲ素子へのセンス電流の増加を図
り、再生出力の向上を実現するＭＲヘッドを提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明では、ＭＲ素子の
発熱を抑え、該ＭＲ素子へのセンス電流を増加させて再
生出力の向上を図るべく、ペルチェ効果を示す電子冷却
素子を設ける。
発熱を抑え、該ＭＲ素子へのセンス電流を増加させて再
生出力の向上を図るべく、ペルチェ効果を示す電子冷却
素子を設ける。
【００１１】電子冷却素子を設ける場所は、ＭＲ素子よ
り放熱される熱を効率良く吸収すべく、該ＭＲ素子にな
るべく近いところが好ましく、例えばバイアス導体、先
端電極、後端電極のうち少なくともいずれか一カ所に設
けることが望ましい。もちろん、バイアス導体、先端電
極、後端電極の全てに設けるようにしてもよい。但し、
電子冷却素子をバイアス導体に設ける場合は、バイアス
導体に電流を流してバイアス磁界をＭＲ素子に印加す
る，いわゆる電流バイアス方式のＭＲヘッドに適用する
必要がある。
り放熱される熱を効率良く吸収すべく、該ＭＲ素子にな
るべく近いところが好ましく、例えばバイアス導体、先
端電極、後端電極のうち少なくともいずれか一カ所に設
けることが望ましい。もちろん、バイアス導体、先端電
極、後端電極の全てに設けるようにしてもよい。但し、
電子冷却素子をバイアス導体に設ける場合は、バイアス
導体に電流を流してバイアス磁界をＭＲ素子に印加す
る，いわゆる電流バイアス方式のＭＲヘッドに適用する
必要がある。
【００１２】この電子冷却素子が設けられるＭＲヘッド
としては、磁気記録媒体との対向面に対して長手方向が
垂直に配されたＭＲ素子を有した，いわゆる縦型ＭＲヘ
ッドであるか、媒体対向面に対して長手方向が平行に配
されたＭＲ素子を有した，いわゆる横型ＭＲヘッドであ
るかを問わない。
としては、磁気記録媒体との対向面に対して長手方向が
垂直に配されたＭＲ素子を有した，いわゆる縦型ＭＲヘ
ッドであるか、媒体対向面に対して長手方向が平行に配
されたＭＲ素子を有した，いわゆる横型ＭＲヘッドであ
るかを問わない。
【００１３】縦型ＭＲヘッドというのは、磁気記録媒体
との対向面に対して長手方向が垂直となるように配され
ると共に、その先端側の一側縁が媒体対向面に臨むよう
になされた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子
の先端側に積層され、その先端側の一側縁が媒体対向面
に臨む先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積
層される後端電極と、上記先端電極と後端電極が積層さ
れた磁気抵抗効果素子を膜厚方向から挟み込む一対のシ
ールド磁性体と、電流の通電により発生するバイアス磁
界を磁気抵抗効果素子に印加するバイアス導体とを備え
た構成である。横型ＭＲヘッドというのは、磁気記録媒
体との対向面に対して長手方向が平行となるように配さ
れると共に、先端側の一側縁が媒体対向面に臨むように
なされた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の
長手方向における両端部に積層され、媒体対向面に対し
て垂直方向に該媒体対向面より後方に引き出される一対
の電極とを備えた構成である。
との対向面に対して長手方向が垂直となるように配され
ると共に、その先端側の一側縁が媒体対向面に臨むよう
になされた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子
の先端側に積層され、その先端側の一側縁が媒体対向面
に臨む先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積
層される後端電極と、上記先端電極と後端電極が積層さ
れた磁気抵抗効果素子を膜厚方向から挟み込む一対のシ
ールド磁性体と、電流の通電により発生するバイアス磁
界を磁気抵抗効果素子に印加するバイアス導体とを備え
た構成である。横型ＭＲヘッドというのは、磁気記録媒
体との対向面に対して長手方向が平行となるように配さ
れると共に、先端側の一側縁が媒体対向面に臨むように
なされた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の
長手方向における両端部に積層され、媒体対向面に対し
て垂直方向に該媒体対向面より後方に引き出される一対
の電極とを備えた構成である。
【００１４】また、これら縦型ＭＲヘッドと横型ＭＲヘ
ッドのいずれの場合においても、ＭＲ素子を含む電気回
路と、ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイア
ス導体を直列または並列に接続するようにしてもよい。
ッドのいずれの場合においても、ＭＲ素子を含む電気回
路と、ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイア
ス導体を直列または並列に接続するようにしてもよい。
【００１５】
【作用】本発明に係るＭＲヘッドにおいては、ペルチェ
効果を示す電子冷却素子が素子内に設けられているの
で、センス電流の通電によってＭＲ素子に発生する熱
が、この電子冷却素子によって吸収される。従って、Ｍ
Ｒ素子へのセンス電流の増加が図れ、該ＭＲ素子の出力
の向上が実現される。また、電子冷却素子によってＭＲ
素子より放熱される熱が吸収されるので、該ＭＲ素子の
熱劣化が回避され、連続通電寿命が大幅に伸びる。
効果を示す電子冷却素子が素子内に設けられているの
で、センス電流の通電によってＭＲ素子に発生する熱
が、この電子冷却素子によって吸収される。従って、Ｍ
Ｒ素子へのセンス電流の増加が図れ、該ＭＲ素子の出力
の向上が実現される。また、電子冷却素子によってＭＲ
素子より放熱される熱が吸収されるので、該ＭＲ素子の
熱劣化が回避され、連続通電寿命が大幅に伸びる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】実施例１ この実施例は、ＭＲ素子を含む電気回路とバイアス導体
を直列に接続したもので、そのバイアス導体に電子冷却
素子を設けた例である。
を直列に接続したもので、そのバイアス導体に電子冷却
素子を設けた例である。
【００１８】本実施例のＭＲヘッドは、図１及び図２に
示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなるスライダー
１の一側面上に形成される一対のシールド磁性体２，３
と、これらシールド磁性体２，３間に先端電極４と後端
電極５が積層されてなるＭＲ素子６と、このＭＲ素子６
にバイアス磁界を印加するバイアス導体７とを有して構
成されている。
示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなるスライダー
１の一側面上に形成される一対のシールド磁性体２，３
と、これらシールド磁性体２，３間に先端電極４と後端
電極５が積層されてなるＭＲ素子６と、このＭＲ素子６
にバイアス磁界を印加するバイアス導体７とを有して構
成されている。
【００１９】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体２を下部シールド磁性体２、上層に形成されるシール
ド磁性体３を上部シールド磁性体３という。
体２を下部シールド磁性体２、上層に形成されるシール
ド磁性体３を上部シールド磁性体３という。
【００２０】ＭＲ素子６は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対向面（以下、ＡＢＳ面８という。）に対して垂直
となるように設けられると共に、その先端側の一側縁が
上記ＡＢＳ面８に臨むようになされている。そして、か
かるＭＲ素子６は、例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜
からなり、下部シールド磁性体２上に下層ギャップ膜と
して機能する絶縁膜９を介して蒸着やスパッタリング等
の真空薄膜形成手段によって形成されている。
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対向面（以下、ＡＢＳ面８という。）に対して垂直
となるように設けられると共に、その先端側の一側縁が
上記ＡＢＳ面８に臨むようになされている。そして、か
かるＭＲ素子６は、例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜
からなり、下部シールド磁性体２上に下層ギャップ膜と
して機能する絶縁膜９を介して蒸着やスパッタリング等
の真空薄膜形成手段によって形成されている。
【００２１】上記ＭＲ素子６は、パーマロイよりなる薄
膜素子の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
薄膜素子を積層した積層膜構造であってもよい。積層膜
構造とすれば、バルクハウゼンノイズの発生を回避する
ことができる。
膜素子の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
薄膜素子を積層した積層膜構造であってもよい。積層膜
構造とすれば、バルクハウゼンノイズの発生を回避する
ことができる。
【００２２】先端電極４は、その一側縁がＡＢＳ面８に
臨むようにしてＭＲ素子６の先端部に直接積層され、こ
のＭＲ素子６と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極４は、ＭＲ素子６にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップの
上層ギャップ膜としても機能するようになっている。
臨むようにしてＭＲ素子６の先端部に直接積層され、こ
のＭＲ素子６と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極４は、ＭＲ素子６にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップの
上層ギャップ膜としても機能するようになっている。
【００２３】一方、後端電極５は、ＭＲ素子６の後端部
の一部に重なるようにして積層され、ＡＢＳ面８とは反
対側の素子後方に引き出されている。その後端電極５の
引き出された導体部分は、後述するバイアス導体７と直
列に接続されている。
の一部に重なるようにして積層され、ＡＢＳ面８とは反
対側の素子後方に引き出されている。その後端電極５の
引き出された導体部分は、後述するバイアス導体７と直
列に接続されている。
【００２４】バイアス導体７は、ＭＲ素子６にバイアス
磁界を印加するためのもので、先端電極４と後端電極５
の間であって、該ＭＲ素子６の長手方向に対して直交す
る方向に設けられている。かかるバイアス導体７には、
図示しない定電流源より直流電流が通電されるようにな
されている。この電流により発生するバイアス磁界は、
ＭＲ素子６に対してその長手方向に亘り印加されるよう
になっている。
磁界を印加するためのもので、先端電極４と後端電極５
の間であって、該ＭＲ素子６の長手方向に対して直交す
る方向に設けられている。かかるバイアス導体７には、
図示しない定電流源より直流電流が通電されるようにな
されている。この電流により発生するバイアス磁界は、
ＭＲ素子６に対してその長手方向に亘り印加されるよう
になっている。
【００２５】そして、上記ＭＲ素子６を上下方向から挟
み込む形で設けられる一対のシールド磁性体２，３は、
ＭＲ素子６から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受
けないようにするシールドとして機能するもので、例え
ばパーマロイやセンダスト等によって形成されている。
み込む形で設けられる一対のシールド磁性体２，３は、
ＭＲ素子６から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受
けないようにするシールドとして機能するもので、例え
ばパーマロイやセンダスト等によって形成されている。
【００２６】下部シールド磁性体２は、上記ＡＢＳ面８
にその一側縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ面８に
対して垂直方向に延在して設けられている。一方、これ
に対向して設けられる上部シールド磁性体３は、先の下
部シールド磁性体２と同様に上記ＡＢＳ面８にその一側
縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ面８に対して垂直
にバック側へ延在して設けられている。この上部シール
ド磁性体３は、ＡＢＳ面８側で先端電極４に対して直接
積層されると共に、その後方側においてＭＲ素子６やバ
イアス導体７との絶縁性を確保するための絶縁層１０を
介して積層されている。
にその一側縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ面８に
対して垂直方向に延在して設けられている。一方、これ
に対向して設けられる上部シールド磁性体３は、先の下
部シールド磁性体２と同様に上記ＡＢＳ面８にその一側
縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ面８に対して垂直
にバック側へ延在して設けられている。この上部シール
ド磁性体３は、ＡＢＳ面８側で先端電極４に対して直接
積層されると共に、その後方側においてＭＲ素子６やバ
イアス導体７との絶縁性を確保するための絶縁層１０を
介して積層されている。
【００２７】なお、上部シールド磁性体３の後方には、
この上部シールド磁性体３と電気的に接続する導体パタ
ーン１３が接続されている。また、上部シールド磁性体
３の上には、ヘッド素子を保護するための保護膜１１が
積層されている。
この上部シールド磁性体３と電気的に接続する導体パタ
ーン１３が接続されている。また、上部シールド磁性体
３の上には、ヘッド素子を保護するための保護膜１１が
積層されている。
【００２８】そして特に、このＭＲヘッドでは、バイア
ス導体７の一部にペルチェ効果を示す電子冷却素子１２
が設けられている。電子冷却素子１２は、異なる２種金
属間に電流を流すと、接合面で発熱又は吸熱現象を起こ
す素子である。この現象は、ペルチェ効果と呼ばれる。
ペルチェ効果は、次式（１）で表される。
ス導体７の一部にペルチェ効果を示す電子冷却素子１２
が設けられている。電子冷却素子１２は、異なる２種金
属間に電流を流すと、接合面で発熱又は吸熱現象を起こ
す素子である。この現象は、ペルチェ効果と呼ばれる。
ペルチェ効果は、次式（１）で表される。
【００２９】Ｑｐ＝π×Ｉｓ ・・・・（１）式 （π：ペルチェ係数、Ｉｓ：ペルチェ効果を示す素子に
流れる電流） そして、ＭＲ素子部の発熱は、次式（２）で表される。
流れる電流） そして、ＭＲ素子部の発熱は、次式（２）で表される。
【００３０】 Ｑｍｒ＝Ｒｍｒ×Ｉｓ2 ・・・・（２）式 （Ｒｍｒ：ＭＲ素子の抵抗） ペルチェ効果を示す電子冷却素子１２としては、例えば
表１に示される２種金属の組み合わせが挙げられる。
表１に示される２種金属の組み合わせが挙げられる。
【００３１】
【表１】
【００３２】かかる表１中、ペルチェ係数がプラスのも
のは発熱を、マイナスのものは吸熱を示し、その係数が
大きくなる程、発熱量又は吸熱量が多くなることを示
す。但し、ペルチェ係数がプラスのものでも、これら金
属に流す電流の向きを変えることで吸熱となる。したが
って、表１に示す例１〜例６に挙げられる全ての電子冷
却素子１２を使用することができる。
のは発熱を、マイナスのものは吸熱を示し、その係数が
大きくなる程、発熱量又は吸熱量が多くなることを示
す。但し、ペルチェ係数がプラスのものでも、これら金
属に流す電流の向きを変えることで吸熱となる。したが
って、表１に示す例１〜例６に挙げられる全ての電子冷
却素子１２を使用することができる。
【００３３】この電子冷却素子１２を設ける場所は、Ｍ
Ｒ素子６より発生する熱を効率よく吸収するために、な
るべくＭＲ素子６に近い場所に設ける。この実施例で
は、図１中斜線で示すＭＲ素子６の真上に電子冷却素子
１２を設けている。
Ｒ素子６より発生する熱を効率よく吸収するために、な
るべくＭＲ素子６に近い場所に設ける。この実施例で
は、図１中斜線で示すＭＲ素子６の真上に電子冷却素子
１２を設けている。
【００３４】電子冷却素子１２は、例えば図３に示すよ
うに、ペルチェ効果を示す第１の金属膜１２ａと第２の
金属膜１２ｂとからなり、これら金属膜１２ａ，１２ｂ
がバイアス導体７の中途部に設けられた構成とされてい
る。
うに、ペルチェ効果を示す第１の金属膜１２ａと第２の
金属膜１２ｂとからなり、これら金属膜１２ａ，１２ｂ
がバイアス導体７の中途部に設けられた構成とされてい
る。
【００３５】第１の金属膜１２ａは、バイアス導体７の
端縁部７ａに一部重なるようにして設けられている。そ
して、この第１の金属膜１２ａの後端部には、その一部
が重なり合うようにして第２の金属膜１２ｂが設けられ
ている。また、この第２の金属膜１２ｂの後端部には、
バイアス導体７の端縁部７ｂが重なり合うようにして設
けられている。これら第１の金属膜１２ａと第２の金属
膜１２ｂよりなる電子冷却素子１２は、左側のバイアス
導体７、第１の金属膜１２ａ、第２の金属膜１２ｂ、バ
イアス導体７の順にスパッタリングまたは蒸着すること
によって形成される。
端縁部７ａに一部重なるようにして設けられている。そ
して、この第１の金属膜１２ａの後端部には、その一部
が重なり合うようにして第２の金属膜１２ｂが設けられ
ている。また、この第２の金属膜１２ｂの後端部には、
バイアス導体７の端縁部７ｂが重なり合うようにして設
けられている。これら第１の金属膜１２ａと第２の金属
膜１２ｂよりなる電子冷却素子１２は、左側のバイアス
導体７、第１の金属膜１２ａ、第２の金属膜１２ｂ、バ
イアス導体７の順にスパッタリングまたは蒸着すること
によって形成される。
【００３６】以上のようにして構成されたＭＲヘッドに
おいては、ＭＲ素子６を含む電気回路と、電子冷却素子
１２が設けられたバイアス導体７が直列に接続された構
造とされている。このため、バイアス導体７に流れる電
流によりＭＲ素子６の長手方向にバイアス磁界が印加さ
れると共に、かかる電流が電子冷却素子１２を流れるこ
とにより第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂの接
合面Ｓで吸熱現象を起こす。その結果、ＭＲ素子６で発
生する熱が電子冷却素子１２によって吸収され、該ＭＲ
素子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きく
とれる。また、ＭＲ素子６の発熱が電子冷却素子１２に
よって吸熱されるので、ＭＲ素子６の熱劣化が防止さ
れ、連続通電寿命を大幅に延ばすことができ、最大通電
電流も大きく確保することができる。さらに、高温雰囲
気での耐熱性が向上するので、信頼性も確保される。
おいては、ＭＲ素子６を含む電気回路と、電子冷却素子
１２が設けられたバイアス導体７が直列に接続された構
造とされている。このため、バイアス導体７に流れる電
流によりＭＲ素子６の長手方向にバイアス磁界が印加さ
れると共に、かかる電流が電子冷却素子１２を流れるこ
とにより第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂの接
合面Ｓで吸熱現象を起こす。その結果、ＭＲ素子６で発
生する熱が電子冷却素子１２によって吸収され、該ＭＲ
素子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きく
とれる。また、ＭＲ素子６の発熱が電子冷却素子１２に
よって吸熱されるので、ＭＲ素子６の熱劣化が防止さ
れ、連続通電寿命を大幅に延ばすことができ、最大通電
電流も大きく確保することができる。さらに、高温雰囲
気での耐熱性が向上するので、信頼性も確保される。
【００３７】これらの効果が得られるのは、次のデータ
に基づく。先ず、図４にＭＲ素子の発熱による推定温度
とセンス電流との関係を示す。この図は、室温のＭＲ素
子の抵抗を８Ωとして計算したものである。このときの
ＭＲ素子の寸法は、厚み，幅，長さをそれぞれ２０ｎｍ
（２層）×３．７５μｍ×１１μｍである。
に基づく。先ず、図４にＭＲ素子の発熱による推定温度
とセンス電流との関係を示す。この図は、室温のＭＲ素
子の抵抗を８Ωとして計算したものである。このときの
ＭＲ素子の寸法は、厚み，幅，長さをそれぞれ２０ｎｍ
（２層）×３．７５μｍ×１１μｍである。
【００３８】ＭＲ素子の断線は（斜線で示す領域）、セ
ンス電流が４０〜４５ｍＡで起こるが、実際にはＭＲ素
子の膜劣化のため、３５ｍＡまでセンス電流は制限され
る。
ンス電流が４０〜４５ｍＡで起こるが、実際にはＭＲ素
子の膜劣化のため、３５ｍＡまでセンス電流は制限され
る。
【００３９】また、図５には、連続通電によるＭＲヘッ
ドの推定寿命を示す。この表から、使用電流Ｉｓ＝１５
ｍＡによる連続通電時の推定寿命は、約２万時間（２
年）と推定される。この図から、ヘッド寿命を延ばすに
は、使用電流を下げるか放熱の効率を上げるしかない。
ドの推定寿命を示す。この表から、使用電流Ｉｓ＝１５
ｍＡによる連続通電時の推定寿命は、約２万時間（２
年）と推定される。この図から、ヘッド寿命を延ばすに
は、使用電流を下げるか放熱の効率を上げるしかない。
【００４０】ここで、バイアス導体に設けた電子冷却素
子として負極にＳｂを正極にＢｉを用いた場合の熱量を
求めてみる。ＭＲ素子の抵抗Ｒｍｒを８Ω、ペルチェ係
数πを＋４４８ｍＶ、電子冷却素子の吸熱効率を５０％
とすると、ＭＲ素子と電子冷却素子の熱量の差ΔＱは、
次式（３）で表される。
子として負極にＳｂを正極にＢｉを用いた場合の熱量を
求めてみる。ＭＲ素子の抵抗Ｒｍｒを８Ω、ペルチェ係
数πを＋４４８ｍＶ、電子冷却素子の吸熱効率を５０％
とすると、ＭＲ素子と電子冷却素子の熱量の差ΔＱは、
次式（３）で表される。
【００４１】 ΔＱ＝Ｑｍｒ−Ｑｐ ＝Ｒｍｒ×Ｉｓ2 −０．５×π×Ｉｓ ＝８Ｉｓ2 −０．５×０．４４８Ｉｓ ・・・・（３）式 この（３）式を仮想ΔＱとし図６に示す。図６は、電子
冷却素子として正極にＳｂ、負極にＢｉを用いたときの
データである。ＭＲ素子の膜劣化が起こる温度は、約２
８０度、センス電流は３５ｍＡとする。このときのＭＲ
素子の発熱量Ｑｍｒは、Ｑｍｒ＝８×０．０３５2 ＝
９．８（ｍＷ）となる。
冷却素子として正極にＳｂ、負極にＢｉを用いたときの
データである。ＭＲ素子の膜劣化が起こる温度は、約２
８０度、センス電流は３５ｍＡとする。このときのＭＲ
素子の発熱量Ｑｍｒは、Ｑｍｒ＝８×０．０３５2 ＝
９．８（ｍＷ）となる。
【００４２】（３）式においてΔＱ＝９．８ｍＷになる
には、電子冷却素子を設けた場合、Ｉｓ＝５０ｍＡまで
流すことができる。また、センス電流３０ｍＡまでは、
発熱量も低く抑えられている。したがって、素子寿命の
延長も期待できる。
には、電子冷却素子を設けた場合、Ｉｓ＝５０ｍＡまで
流すことができる。また、センス電流３０ｍＡまでは、
発熱量も低く抑えられている。したがって、素子寿命の
延長も期待できる。
【００４３】また、動作させたい使用電流領域は、ペル
チェ係数の違う材料を用いて変えることができる。例え
ば、電子冷却素子として負極にＣｕ、正極にコンスタン
タンを用い、π＝０．１０２ｍＶとしたときのΔＱを図
７に示す。かかる電子冷却素子を用いた場合には、ΔＱ
＝９．８ｍＷになるには、Ｉｓ＝３７．５ｍＡ程度まで
流すことができる。
チェ係数の違う材料を用いて変えることができる。例え
ば、電子冷却素子として負極にＣｕ、正極にコンスタン
タンを用い、π＝０．１０２ｍＶとしたときのΔＱを図
７に示す。かかる電子冷却素子を用いた場合には、ΔＱ
＝９．８ｍＷになるには、Ｉｓ＝３７．５ｍＡ程度まで
流すことができる。
【００４４】実施例２ この実施例は、図８に示すように、ＭＲ素子６を含む電
気回路とバイアス導体７を並列に接続したもので、その
バイアス導体７に電子冷却素子１２を設けた例である。
その他の構成は、実施例１と同じである。
気回路とバイアス導体７を並列に接続したもので、その
バイアス導体７に電子冷却素子１２を設けた例である。
その他の構成は、実施例１と同じである。
【００４５】この実施例のＭＲヘッドにおいても、実施
例１のＭＲヘッドと同様に、バイアス導体７に流す電流
によって電子冷却素子１２が吸熱現象を起こし、ＭＲ素
子６で発生する熱を吸収するようになっている。したが
って、ＭＲ素子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出
力を大きくとることができる。
例１のＭＲヘッドと同様に、バイアス導体７に流す電流
によって電子冷却素子１２が吸熱現象を起こし、ＭＲ素
子６で発生する熱を吸収するようになっている。したが
って、ＭＲ素子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出
力を大きくとることができる。
【００４６】実施例３ この実施例では、先端電極に電子冷却素子を用いた例で
ある。
ある。
【００４７】本実施例のＭＲヘッドにおいては、図９に
示すように、実施例１の縦型ＭＲヘッドにおける先端電
極部分に電子冷却素子１２を設けた構造とされている。
なお、実施例１のＭＲヘッドと同一の部材については、
同一の符号を付するものとし、その説明は省略する。
示すように、実施例１の縦型ＭＲヘッドにおける先端電
極部分に電子冷却素子１２を設けた構造とされている。
なお、実施例１のＭＲヘッドと同一の部材については、
同一の符号を付するものとし、その説明は省略する。
【００４８】すなわち、ＡＢＳ面８に一側縁が臨むよう
にして、ＭＲ素子６の先端部に下地膜１４を介してペル
チェ効果を示す第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２
ｂが順次積層された電子冷却素子１２が設けられてい
る。
にして、ＭＲ素子６の先端部に下地膜１４を介してペル
チェ効果を示す第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２
ｂが順次積層された電子冷却素子１２が設けられてい
る。
【００４９】電子冷却素子１２には、前記した表１に示
す例１〜例６までに挙げるものがいずれも使用できる。
この例では、第１の金属膜１２ａとしてＣｕ、第２の金
属膜１２ｂとしてコンスタンタンを使用した。この電子
冷却素子１２の下に設けられる下地膜１４は、第１の金
属膜１２ａとＭＲ素子６との密着性を確保すると共に、
磁気特性を下げないために設けられる。
す例１〜例６までに挙げるものがいずれも使用できる。
この例では、第１の金属膜１２ａとしてＣｕ、第２の金
属膜１２ｂとしてコンスタンタンを使用した。この電子
冷却素子１２の下に設けられる下地膜１４は、第１の金
属膜１２ａとＭＲ素子６との密着性を確保すると共に、
磁気特性を下げないために設けられる。
【００５０】なお、この下地膜１４と第１の金属膜１２
ａ、第２の金属膜１２ｂが先端電極として機能すること
になる。
ａ、第２の金属膜１２ｂが先端電極として機能すること
になる。
【００５１】かかる構成のＭＲヘッドでは、後端電極５
側よりＭＲ素子６へと流れるセンス電流Ｉｓにより、電
子冷却素子１２が吸熱現象を起こし、ＭＲ素子６で発生
する熱を吸収するようになっている。その結果、ＭＲ素
子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きく確
保できる。
側よりＭＲ素子６へと流れるセンス電流Ｉｓにより、電
子冷却素子１２が吸熱現象を起こし、ＭＲ素子６で発生
する熱を吸収するようになっている。その結果、ＭＲ素
子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きく確
保できる。
【００５２】また、このＭＲヘッドでは、電子冷却素子
１２に電流を流すことのできる構成であれば、ＭＲ素子
６を含む電気回路とバイアス導体７を直列または並列に
したもののいずれにも適用できる。さらに、この実施例
３のＭＲヘッドの構成に加えて、バイアス導体に電子冷
却素子を設けるようにしてもよい。
１２に電流を流すことのできる構成であれば、ＭＲ素子
６を含む電気回路とバイアス導体７を直列または並列に
したもののいずれにも適用できる。さらに、この実施例
３のＭＲヘッドの構成に加えて、バイアス導体に電子冷
却素子を設けるようにしてもよい。
【００５３】実施例４ この実施例では、後端電極に電子冷却素子を設けた例で
ある。
ある。
【００５４】本実施例のＭＲヘッドにおいては、図１０
に示すように、実施例１の縦型ＭＲヘッドにおける後端
電極部分に電子冷却素子１２を用いた構造とされてい
る。なお、実施例１のＭＲヘッドと同一の部材について
は、同一の符号を付するものとし、その説明は省略す
る。
に示すように、実施例１の縦型ＭＲヘッドにおける後端
電極部分に電子冷却素子１２を用いた構造とされてい
る。なお、実施例１のＭＲヘッドと同一の部材について
は、同一の符号を付するものとし、その説明は省略す
る。
【００５５】すなわち、ＭＲ素子６と後端電極５の間に
電子冷却素子１２が設けられた構成とされている。電子
冷却素子１２は、実施例１で説明したように図３に示す
第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂを接触するよ
うに形成した構成であり、その金属膜の組み合わせも表
１に挙げられるものが使用される。
電子冷却素子１２が設けられた構成とされている。電子
冷却素子１２は、実施例１で説明したように図３に示す
第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂを接触するよ
うに形成した構成であり、その金属膜の組み合わせも表
１に挙げられるものが使用される。
【００５６】通常、後端電極５にはＣｕが用いられるこ
とから、ＭＲ素子６と後端電極５との間には、このＣｕ
との組み合わせによりペルチェ効果を示す金属膜を設け
ることで、電子冷却素子１２が形成されることになる。
とから、ＭＲ素子６と後端電極５との間には、このＣｕ
との組み合わせによりペルチェ効果を示す金属膜を設け
ることで、電子冷却素子１２が形成されることになる。
【００５７】このような構成としたＭＲヘッドでは、後
端電極５側よりＭＲ素子６へと流れるセンス電流Ｉｓに
より、電子冷却素子１２が吸熱現象を起こし、ＭＲ素子
６で発生する熱を効率良く吸収する。その結果、ＭＲ素
子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きくと
ることができる。
端電極５側よりＭＲ素子６へと流れるセンス電流Ｉｓに
より、電子冷却素子１２が吸熱現象を起こし、ＭＲ素子
６で発生する熱を効率良く吸収する。その結果、ＭＲ素
子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きくと
ることができる。
【００５８】また、このＭＲヘッドでは、電子冷却素子
１２に電流を流すことのできる構成であれば、ＭＲ素子
６を含む電気回路とバイアス導体７を直列または並列に
したもののいずれにも適用できる。さらに、この実施例
４のＭＲヘッドの構成に加えて、バイアス導体に電子冷
却素子を設けるようにしてもよい。
１２に電流を流すことのできる構成であれば、ＭＲ素子
６を含む電気回路とバイアス導体７を直列または並列に
したもののいずれにも適用できる。さらに、この実施例
４のＭＲヘッドの構成に加えて、バイアス導体に電子冷
却素子を設けるようにしてもよい。
【００５９】実施例５ この実施例では、先端電極と後端電極の両方に電子冷却
素子を設けた例である。
素子を設けた例である。
【００６０】本実施例のＭＲヘッドにおいては、図１１
に示すように、実施例３のＭＲヘッドと実施例４のＭＲ
ヘッドを組み合わせたもので、実施例３のＭＲヘッドの
後端電極に電子冷却素子１２を使用した構造とされてい
る。なお、実施例３のＭＲヘッドと同一の部材について
は、同一の符号を付するものとし、その説明は省略す
る。
に示すように、実施例３のＭＲヘッドと実施例４のＭＲ
ヘッドを組み合わせたもので、実施例３のＭＲヘッドの
後端電極に電子冷却素子１２を使用した構造とされてい
る。なお、実施例３のＭＲヘッドと同一の部材について
は、同一の符号を付するものとし、その説明は省略す
る。
【００６１】すなわち、このＭＲヘッドでは、先端電極
と後端電極の両方に電子冷却素子１２を設けた構造とさ
れている。電子冷却素子１２には、表１に挙げられるも
のが使用される。このように、先端電極と後端電極の両
方に電子冷却素子１２を設けた場合、ＭＲ素子６で発生
する熱がこれら電子冷却素子１２によってその前後より
吸収されるので、より効率良く冷却することができる。
それによって、ＭＲ素子６へのセンス電流の増加が図
れ、再生出力をより一層大きくとることができる。
と後端電極の両方に電子冷却素子１２を設けた構造とさ
れている。電子冷却素子１２には、表１に挙げられるも
のが使用される。このように、先端電極と後端電極の両
方に電子冷却素子１２を設けた場合、ＭＲ素子６で発生
する熱がこれら電子冷却素子１２によってその前後より
吸収されるので、より効率良く冷却することができる。
それによって、ＭＲ素子６へのセンス電流の増加が図
れ、再生出力をより一層大きくとることができる。
【００６２】また、このＭＲヘッドにおいても、ＭＲ素
子６を含む電気回路とバイアス導体７を直列または並列
にしたもののいずれにも適用できる。
子６を含む電気回路とバイアス導体７を直列または並列
にしたもののいずれにも適用できる。
【００６３】実施例６ この実施例では、先端電極と後端電極の両方に電子冷却
素子を用いると共に、バイアス導体にも電子冷却素子を
用いた例である。
素子を用いると共に、バイアス導体にも電子冷却素子を
用いた例である。
【００６４】本実施例のＭＲヘッドにおいては、実施例
５のＭＲヘッドに加え、バイアス導体７に電子冷却素子
１２を設けた構造とされている。先端電極と後端電極の
両方に電子冷却素子１２を用いた構造に加えて、バイア
ス導体７にも電子冷却素子１２を設けた構造とすると、
実施例５のＭＲヘッドよりもさらにＭＲ素子６で発生す
る熱をより効率良く吸収することができ、さらなる再生
出力の向上が期待できる。また、このＭＲヘッドにおい
ても、ＭＲ素子６を含む電気回路とバイアス導体７を直
列または並列にしたもののいずれにも適用できる。
５のＭＲヘッドに加え、バイアス導体７に電子冷却素子
１２を設けた構造とされている。先端電極と後端電極の
両方に電子冷却素子１２を用いた構造に加えて、バイア
ス導体７にも電子冷却素子１２を設けた構造とすると、
実施例５のＭＲヘッドよりもさらにＭＲ素子６で発生す
る熱をより効率良く吸収することができ、さらなる再生
出力の向上が期待できる。また、このＭＲヘッドにおい
ても、ＭＲ素子６を含む電気回路とバイアス導体７を直
列または並列にしたもののいずれにも適用できる。
【００６５】図１２には、実施例３のＭＲヘッド、実施
例５のＭＲヘッド、実施例６のＭＲヘッドにおける仮想
ΔＱの計算結果に基づく特性図を示す。吸熱の効率は全
ての場合で５０％とする。この結果から明らかなよう
に、電子冷却素子を先端電極だけでなく、後端電極にも
使用したものの方がより良い結果が得られていることが
わかる。そして、先端電極と後端電極に加えバイアス導
体にも電子冷却素子を使用した場合には、より一層優れ
た結果が得られていることがわかる。
例５のＭＲヘッド、実施例６のＭＲヘッドにおける仮想
ΔＱの計算結果に基づく特性図を示す。吸熱の効率は全
ての場合で５０％とする。この結果から明らかなよう
に、電子冷却素子を先端電極だけでなく、後端電極にも
使用したものの方がより良い結果が得られていることが
わかる。そして、先端電極と後端電極に加えバイアス導
体にも電子冷却素子を使用した場合には、より一層優れ
た結果が得られていることがわかる。
【００６６】実施例７ この実施例では、ＭＲ素子をＡＢＳ面に対してその長手
方向が平行となるように配すると共に、先端側の一側縁
がＡＢＳ面に臨むようになされた，いわゆる横型ＭＲヘ
ッドの例である。
方向が平行となるように配すると共に、先端側の一側縁
がＡＢＳ面に臨むようになされた，いわゆる横型ＭＲヘ
ッドの例である。
【００６７】本実施例のＭＲヘッドは、図１３に示すよ
うに、先端側の一側縁がＡＢＳ面に臨むようにして、そ
の長手方向がＡＢＳ面に対して平行となるように配され
たＭＲ素子６と、このＭＲ素子６の長手方向における両
端部に積層され、ＡＢＳ面に対して垂直方向に該ＡＢＳ
面より後方に引き出される一対の電極と、この電極に設
けられる電子冷却素子１２とから構成されている。
うに、先端側の一側縁がＡＢＳ面に臨むようにして、そ
の長手方向がＡＢＳ面に対して平行となるように配され
たＭＲ素子６と、このＭＲ素子６の長手方向における両
端部に積層され、ＡＢＳ面に対して垂直方向に該ＡＢＳ
面より後方に引き出される一対の電極と、この電極に設
けられる電子冷却素子１２とから構成されている。
【００６８】ＭＲ素子６としては、例えばパーマロイか
らなる薄膜素子が使用される。このＭＲ素子６の下に
は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ等からなる非磁性膜１５とＭＲ素
子６の磁化の方向を安定化させるＳＡＬ膜１６が設けら
れる。
らなる薄膜素子が使用される。このＭＲ素子６の下に
は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ等からなる非磁性膜１５とＭＲ素
子６の磁化の方向を安定化させるＳＡＬ膜１６が設けら
れる。
【００６９】電子冷却素子１２は、ペルチェ効果を示す
第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂとからなる。
これら第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂの組み
合わせとしては、前述した表１に示す例１〜例６のもの
がいずれも適用できる。この実施例では、図面に向かっ
て左側の第１の金属膜１２ａにはＢｉ、右側の第１の金
属膜１２ｂにはＦｅ、第２の金属膜１２ｂには左右共に
Ｃｕを用いた。
第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂとからなる。
これら第１の金属膜１２ａと第２の金属膜１２ｂの組み
合わせとしては、前述した表１に示す例１〜例６のもの
がいずれも適用できる。この実施例では、図面に向かっ
て左側の第１の金属膜１２ａにはＢｉ、右側の第１の金
属膜１２ｂにはＦｅ、第２の金属膜１２ｂには左右共に
Ｃｕを用いた。
【００７０】このＣｕよりなる第２の金属膜１２ｂは、
電子冷却素子１２としての機能の他に、電極としての導
体パターンとしても機能する。つまり、電子冷却素子１
２の一部が電極として作用する。
電子冷却素子１２としての機能の他に、電極としての導
体パターンとしても機能する。つまり、電子冷却素子１
２の一部が電極として作用する。
【００７１】このように構成された横型ＭＲヘッドで
は、一方の電極からセンス電流Ｉｓが流れるとＭＲ素子
６を通して他方の電極へと流れるが、かかる電流が電子
冷却素子１２を流れることで、第１の金属膜１２ａと第
２の金属膜１２ｂの界面で吸熱現象が起こる。従って、
ＭＲ素子６で発生する熱が効率良く吸収され、該ＭＲ素
子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きくと
ることができる。
は、一方の電極からセンス電流Ｉｓが流れるとＭＲ素子
６を通して他方の電極へと流れるが、かかる電流が電子
冷却素子１２を流れることで、第１の金属膜１２ａと第
２の金属膜１２ｂの界面で吸熱現象が起こる。従って、
ＭＲ素子６で発生する熱が効率良く吸収され、該ＭＲ素
子６へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きくと
ることができる。
【００７２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のＭＲヘッドにおいては、ペルチェ効果を示す電子冷
却素子を先端電極、後端電極、バイアス導体のうち少な
くともいずれか一カ所に使用しているので、ＭＲ素子で
発生する熱をこの電子冷却素子によって吸収することが
でき、該ＭＲ素子へ通電するセンス電流を増加させるこ
とが可能となり、再生出力を向上させることができる。
明のＭＲヘッドにおいては、ペルチェ効果を示す電子冷
却素子を先端電極、後端電極、バイアス導体のうち少な
くともいずれか一カ所に使用しているので、ＭＲ素子で
発生する熱をこの電子冷却素子によって吸収することが
でき、該ＭＲ素子へ通電するセンス電流を増加させるこ
とが可能となり、再生出力を向上させることができる。
【００７３】また、ＭＲ素子の発熱を抑えられるので、
ＭＲ素子の熱劣化が防止され、連続通電寿命を延ばすこ
とができると共に、最大通電電流も大きくとることがで
きる。さらに、高温雰囲気での耐熱性が向上するので、
信頼性も高まる。
ＭＲ素子の熱劣化が防止され、連続通電寿命を延ばすこ
とができると共に、最大通電電流も大きくとることがで
きる。さらに、高温雰囲気での耐熱性が向上するので、
信頼性も高まる。
【図１】実施例１のＭＲヘッドの概略的な平面図であ
る。
る。
【図２】実施例１のＭＲヘッドの断面図である。
【図３】バイアス導体に電子冷却素子を設けた状態を示
す要部拡大斜視図である。
す要部拡大斜視図である。
【図４】ＭＲ素子の発熱による推定温度とセンス電流の
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図５】連続通電によるＭＲヘッドの推定寿命を示す特
性図である。
性図である。
【図６】電子冷却素子としてＳｂとＢｉを用いたときの
発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を示す特性図
である。
発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を示す特性図
である。
【図７】電子冷却素子としてＣｕとコンスタンタンを用
いたときの発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を
示す特性図である。
いたときの発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を
示す特性図である。
【図８】実施例２のＭＲヘッドの概略的な平面図であ
る。
る。
【図９】実施例３のＭＲヘッドの断面図である。
【図１０】実施例４のＭＲヘッドの断面図である。
【図１１】実施例５のＭＲヘッドの断面図である。
【図１２】実施例３、実施例５、実施例６のＭＲヘッド
における発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を示
す特性図である。
における発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を示
す特性図である。
【図１３】実施例７のＭＲヘッドの断面図である。
１ スライダー ２ 下部シールド磁性体 ３ 上部シールド磁性体 ４ 先端電極 ５ 後端電極 ６ ＭＲ素子 ７ バイアス導体 ８ ＡＢＳ面 １２ 電子冷却素子 １２ａ 第１の金属膜 １２ｂ 第２の金属膜
Claims (13)
- 【請求項１】 ペルチェ効果を示す電子冷却素子を有し
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 バイアス導体に電流を流してバイアス磁
界を磁気抵抗効果素子に印加するようにした磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペルチェ効果
を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を直列に接続
したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 バイアス導体に電流を流してバイアス磁
界を磁気抵抗効果素子に印加するようにした磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペルチェ効果
を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を並列に接続
したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配されると共に、その先端側の一
側縁が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素
子と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側に積層され、その先端側
の一側縁が媒体対向面に臨む先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を膜厚方向から挟み込む一対のシールド磁性体と、 電流の通電により発生するバイアス磁界を磁気抵抗効果
素子に印加するバイアス導体とを備えてなり、 上記先端電極にペルチェ効果を示す電子冷却素子を用い
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項５】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配されると共に、その先端側の一
側縁が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素
子と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側に積層され、その先端側
の一側縁が媒体対向面に臨む先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を膜厚方向から挟み込む一対のシールド磁性体と、 電流の通電により発生するバイアス磁界を磁気抵抗効果
素子に印加するバイアス導体とを備えてなり、 上記後端電極にペルチェ効果を示す電子冷却素子を用い
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項６】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配されると共に、その先端側の一
側縁が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素
子と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側に積層され、その先端側
の一側縁が媒体対向面に臨む先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を膜厚方向から挟み込む一対のシールド磁性体と、 電流の通電により発生するバイアス磁界を磁気抵抗効果
素子に印加するバイアス導体とを備えてなり、 上記先端電極と後端電極にペルチェ効果を示す電子冷却
素子を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項７】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が平行となるように配されると共に、先端側の一側縁
が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素子
と、 上記磁気抵抗効果素子の長手方向における両端部に積層
され、媒体対向面に対して垂直方向に該媒体対向面より
後方に引き出される一対の電極とを備えてなり、 上記両電極にペルチェ効果を示す電子冷却素子を用いた
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項８】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペ
ルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を
直列に接続したことを特徴とする請求項４記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項９】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペ
ルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を
直列に接続したことを特徴とする請求項５記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を直列に接続したことを特徴とする請求項６記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を並列に接続したことを特徴とする請求項４記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を並列に接続したことを特徴とする請求項５記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を並列に接続したことを特徴とする請求項６記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17846994A JPH0845026A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17846994A JPH0845026A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845026A true JPH0845026A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16049057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17846994A Withdrawn JPH0845026A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845026A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051762A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 電磁変換素子およびｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子 |
| US6987650B2 (en) * | 2003-05-22 | 2006-01-17 | Headway Technologies, Inc. | Device with thermoelectric cooling |
| WO2009004521A3 (en) * | 2007-07-02 | 2009-10-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thermally stabilized pet detector for hybrid pet-mr system |
| US7869154B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-01-11 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic tape driving apparatus |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17846994A patent/JPH0845026A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051762A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 電磁変換素子およびｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子 |
| US6987650B2 (en) * | 2003-05-22 | 2006-01-17 | Headway Technologies, Inc. | Device with thermoelectric cooling |
| WO2009004521A3 (en) * | 2007-07-02 | 2009-10-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thermally stabilized pet detector for hybrid pet-mr system |
| US8378677B2 (en) | 2007-07-02 | 2013-02-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thermally stabilized pet detector for hybrid PET-MR system |
| US7869154B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-01-11 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic tape driving apparatus |
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