JPH0971635A

JPH0971635A - 樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number: JPH0971635A
Application number: JP23086595A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Tanaka; 正幸田中; Toshihiro Teshiba; 敏博手柴; Yoshiichi Maeda; 芳一前田
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1995-09-08
Filing date: 1995-09-08
Publication date: 1997-03-18

Abstract

(57)【要約】【課題】パッケージの樹脂充填性が良好で、そりがな
く、かつ半田耐熱性が優れた高信頼性を有する樹脂封止
型半導体装置を提供する。【解決手段】ＴＡＢテープに接合したＩＣを(A) エポ
キシ樹脂、(B) 硬化剤および(C) 充填剤を含んでなるエ
ポキシ樹脂組成物で封止後、該樹脂組成物を硬化せしめ
た樹脂封止型半導体装置において、(A) エポキシ樹脂が
ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を必須成分として
含有し、(C) 充填剤の割合が全体の６５〜８２重量％で
あり、かつ該エポキシ樹脂組成物の成形温度における最
低溶融粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓであることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は成形性に優れる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止され
た高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特
性、接着性などに優れており、さらに配合処方により種
々の特性が付与できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材
料など工業材料として利用されている。

【０００３】たとえば、半導体装置などの電子回路部品
の封止方法として従来より金属やセラミックスによるハ
ーメチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されている。し
かし、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキ
シ樹脂による樹脂封止が中心になっている。

【０００４】近年、プリント基板への部品実装において
も高密度化、自動化が進められており、従来のリードピ
ンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基
板表面に部品を半田付けする“表面実装方式”が盛んに
なってきた。それに伴いパッケージも従来のＤＩＰ（デ
ュアル・インライン・パッケージ）から高密度実装、表
面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック
・パッケージ）に移行しつつある。

【０００５】この技術の方向に沿うものの一つとして、
モールドＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏ
ｎｄｉｎｇ）パッケージがある。

【０００６】ＬＳＩなどの半導体装置を樹脂でモールド
するにあたり、ＩＣ接合済みのＴＡＢテープを使用する
ＴＡＢパッケージはよく知られており、ＴＡＢテープを
用いた半導体装置の接合方法はＵＳＰ３，６８９，９９
１号公報、あるいはこれに対応する特公昭４７−３２０
６号公報によってよく知られている。ＩＣ接合済みのＴ
ＡＢテープを使用し、エポキシ封止樹脂を用いてトラン
スファー成形することにより、モールドＴＡＢパッケー
ジが得られる。

【０００７】しかし従来のエポキシ樹脂組成物を用い、
トランスファー成形して得られたモールドＴＡＢパッケ
ージは、種々の問題点や欠点を抱えていた。すなわち、
成形の際、ＩＣチップが傾いたり、移動したりして、ひ
どい場合にはＩＣチップの露出が発生した。また得られ
たパッケージがそる問題があった。さらにパッケージを
基板実装するにあたり、半田付け工程において、パッケ
ージにクラックが発生したり、チップと樹脂の間に剥離
が生じたりして、信頼性が低下して製品として使用でき
ないという問題がおきた。

【０００８】またＩＣ接合済みのＴＡＢテープを使用
し、従来のエポキシ封止樹脂を用いて樹脂封止した半導
体装置はテープと封止樹脂の接着性が必ずしもよくな
く、テープと樹脂の間に剥離を生じたり、水分侵入のた
め信頼性の低下を来していた。

【０００９】半田付け工程におけるクラックの発生は、
後硬化してから実装工程の間までに吸湿した水分が半田
付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨張することに起因す
るといわれており、その対策として後硬化したパッケー
ジを完全に乾燥し密封した容器に収納して出荷する方法
が用いられてる。

【００１０】封止樹脂の改良も種々検討されている。た
とえば、マトリックス樹脂にノボラック型エポキシ樹脂
とフェノールアラルキル樹脂を配合する方法（特開昭５
３−２９９号公報、特開昭５９−６７６６０号公報）、
マトリックス樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂とフェノ
ールアラルキル樹脂を用い充填剤を６０〜８５重量％配
合する方法（特開平３−２０７７１４号公報、特開平４
−４８７５９号公報、特開平４−５５４２３号公報）な
どが提案されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかるに乾燥パッケー
ジを容器に封入する方法は製造工程および製品の取扱い
作業が繁雑になるうえ、製品価格が高価になる欠点があ
る。

【００１２】また、種々の方法で改良された樹脂も、そ
れぞれ少しずつ効果を挙げてきているが、まだ十分では
ない。マトリックス樹脂にノボラック型エポキシ樹脂と
フェノールアラルキル樹脂を配合する方法（特開昭５３
−２９９、特開昭５９−６７６６０号公報）、マトリッ
クス樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂と通常のフェノー
ルアラルキル樹脂を用い破砕系充填剤を６０〜８５重量
％配合する方法（特開平３−２０７７１４号公報、特開
平４−４８７５９号公報、特開平４−５５４２３号公
報）は充填性が不十分であり、そりが劣るばかりでな
く、半田付け時のパッケージのクラック防止も十分なレ
ベルでなかった。

【００１３】このように、従来の樹脂封止型半導体装置
は成形時の充填性や、そり、上記表面実装時の半田付け
耐熱性に関して十分満足できるものではなく改良が求め
られていた。

【００１４】また、モールドＴＡＢパッケージのトラン
スファーモールド法による樹脂封止の場合、半導体装置
およびテープとその上に形成されたリードが一体的に樹
脂封止される。この時、樹脂封止用金型の内部空間はテ
ープにより上下に２分割され、封止樹脂が金型の上下部
分を移動できる間隙は半導体装置とテープの間にわずか
に残されているだけである。

【００１５】封止のために注入された樹脂がテープによ
り２分割された上下間を移動できる面積は、これまで広
く使用されている金属リードフレームに比べれ大幅に狭
く、完全な封止を行うためには、封止樹脂のより一層の
流動性と充填性が望まれるが、これまでの改良された樹
脂では不十分であった。

【００１６】さらに、従来の封止樹脂または種々の方法
で改良された封止樹脂ともにポリイミドテープとの接着
性を特別に考慮したものではなく、樹脂封止された後、
テープと樹脂の境界面からの水分の侵入による信頼性低
下、またこの水分に起因する半田付け時のクラック発生
などの問題を生じていた。

【００１７】このような問題点を解決すべくビフェニル
骨格を有するエポキシ樹脂と低粘度のフェノール化合物
および高充填量フィラーを含有する樹脂組成物による封
止が提案された（特開平６−２１６２７９号公報）。

【００１８】しかしながら、この樹脂組成物による封止
は充填性は改善されるものの、そりがまだ改善できなか
った。

【００１９】本発明の目的は、このような従来の樹脂封
止型半導体装置の欠点を改良することにあり、成形時の
未充填、パッケージのそり、半田付け工程で生じる樹脂
クラックの問題を同時に解決し、半田耐熱性、耐湿信頼
性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。

【００２０】さらに、エポキシ樹脂組成物とポリイミド
テープとの接着性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供
することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次の構成をとる。

【００２２】すなわち、本発明は、デバイスホールを穿
ったフィルムキャリアと、該フィルムキャリア上に設け
られたリードと、前記リードに接続されたＩＣチップ
と、前記フィルムキャリア、ＩＣチップを封止した、エ
ポキシ樹脂(A) 、硬化物(B) および充填剤(C) を含んで
なるエポキシ樹脂組成物(I) の硬化物とを有する樹脂封
止型半導体装置であって、前記エポキシ樹脂組成物(I)
において、前記エポキシ樹脂(A) が次の一般式(1)

【化２】（式中Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子、炭素数１〜４のアルキル
基またはハロゲン原子を示す。）で表される骨格を有す
るエポキシ樹脂(a) を必須成分として含有し、エポキシ
樹脂組成物(I) 中の充填剤(C) の割合が６５〜８２重量
％であり、かつエポキシ樹脂組成物(I) の成形温度にお
ける最低溶融粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓであることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置である。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細を説明
する。

【００２４】本発明におけるエポキシ樹脂(A) は、上記
式(I) で表される骨格を有するエポキシ樹脂(a) を必須
成分として含有することが重要である。エポキシ樹脂
(a) を含有しない場合は、半田付け工程におけるクラッ
クの発生防止効果は発揮されない。

【００２５】上記式(I) において、Ｒ¹〜Ｒ⁸の好まし
い具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、塩素原子、臭素原子など
が挙げられる。

【００２６】本発明におけるエポキシ樹脂(a) の好まし
い具体例としては、４，４´−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）ビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エ
ポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチ
ルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロ
ポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチル−２−ク
ロロビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプ
ロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチル−２−
ブロモビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラエチルビフ
ェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキ
シ）−３，３´，５，５´−テトラブチルビフェニルな
どが挙げられ、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロ
ポキシ）ビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビ
フェニルが特に好ましい。

【００２７】本発明におけるエポキシ樹脂(A) は上記の
エポキシ樹脂(a) とともにそのエポキシ樹脂(a) 以外の
他のエポキシ樹脂をも併用して含有することができる。

【００２８】併用できる他のエポキシ樹脂としては、た
とえば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡやレ
ゾルシンなどから合成される各種ノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、線状脂肪族エ
ポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹
脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。

【００２９】エポキシ樹脂(A) 中に含有されるエポキシ
樹脂(a) の割合に関しては特に制限はないが、より十分
な効果を発揮させるためには、エポキシ樹脂(a) をエポ
キシ樹脂(A) 中に通常５０重量％以上、好ましくは７０
重量％以上含有せしめる必要がある。

【００３０】本発明のエポキシ樹脂組成物(I) において
エポキシ樹脂(A) の配合量は通常２〜２５重量％、好ま
しくは３〜２０重量％である。

【００３１】本発明における硬化剤(B) は、エポキシ樹
脂(A) と反応して硬化させるものであれば特に制限され
ず、それらの具体例としては、たとえばフェノールノボ
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、下記一般式
(2) で表されるフェノール化合物

【化３】（ただし、Ｒは水素原子または炭素数１〜４のアルキル
基、ｎは０以上の整数を示す。）ビスフェノールＡやレゾルシンから合成される各種ノボ
ラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、ジ
ヒドロキシビフェニルなどの多種多価フェノール化合
物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット
酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジア
ミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンな
どの芳香族アミンなどが挙げられる。半導体封止用とし
ては、耐熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノー
ル系硬化剤が好ましく用いられ、用途によっては２種以
上の硬化剤を併用してもよい。

【００３２】本発明において、硬化剤(B) の配合量は通
常０．１〜２５重量％、好ましくは０．５〜２０重量％
である。さらには、エポキシ樹脂(A) と硬化剤(B) の配
合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点から(A) に対
する(B) の化学当量比が０．５〜１．５、特に０．７〜
１．３の範囲にあることが好ましい。

【００３３】また、本発明においてエポキシ樹脂(A) と
硬化剤(B) の硬化反応を促進するため硬化触媒を用いて
もよい。硬化触媒は硬化反応を促進するものならば特に
限定されず、たとえば２−メチルイミダゾール、２，４
−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール、２−ヘプタンデシルイミダゾ
ールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベ
ンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチルアミ
ン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，
４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメトキシ
ド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス（ア
セチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセチルアセ
トナト）アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリ
フェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィンなどの有機ホスフィン化合物が挙げられる。中で
も耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物が好ましく、
トリフェニルホスフィンが特に好ましく用いられる。こ
れらの硬化触媒は、用途によって２種以上を併用しても
よい。

【００３４】本発明における充填剤(C) としては、溶融
シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシ
ウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸
カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベス
ト、ガラス繊維などが挙げられるが、中でも溶融シリカ
は線膨張係数を低下させる効果が大きく、低応力化に有
効なため好ましく用いられる。

【００３５】ここでいう溶融シリカは真比重２．３以下
の非晶性シリカを意味する。その製造は必ずしも溶融状
態を経る必要はなく、任意の製造法を用いることができ
る。たとえば、結晶性シリカを溶融する方法、各種原料
から合成する方法などが挙げられる。

【００３６】溶融シリカの形状および粒径は特に限定さ
れないが、通常は破砕シリカ、球状シリカ、微細シリカ
を単独でまたは併用して用いられる。たとえば平均粒径
５〜３０μｍの球状溶融シリカ、平均粒径４〜１７μｍ
の破砕溶融シリカおよび平均粒径２μｍ以下の球状溶融
シリカから選ばれた１種または２種以上の組合せが好ま
しく用いられる。中でも、特に（イ）平均粒径４〜１７
μｍの破砕溶融シリカ９９〜８０重量％と平均粒径２μ
ｍ以下の球状溶融シリカ１〜２０重量％からなるシリカ
組成物、（ロ）平均粒径４〜１７μｍの破砕溶融シリカ
９５〜４０重量％と平均粒径５〜３０μｍの球状溶融シ
リカ５〜６０重量％からなるシリカ組成物、または
（ハ）平均粒径５〜３０μｍの球状溶融シリカ９９〜５
０重量％と平均粒径２μｍ以下の球状溶融シリカ１〜５
０重量％からなるシリカ組成物が望ましい。

【００３７】本発明のエポキシ樹脂組成物(I) における
充填剤(C) の配合量は６５〜８２重量％、望ましくは７
０〜７５重量％である。充填剤(C) の配合量が６５重量
％未満では半田耐熱性、耐湿信頼性が劣り、８２重量％
を超えると成形における充填性が劣るため好ましくな
い。

【００３８】本発明において、充填剤をシランカップリ
ング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング
剤であらかじめ表面処理することが、信頼性の点で好ま
しい。カップリング剤としてエポキシシラン、アミノシ
ラン、メルカプトシランなどのシランカップリング剤が
好ましく用いられる。

【００３９】本発明にかかわるエポキシ樹脂組成物(I)
にはハロゲン化エポキシ樹脂などのハロゲン化合物、リ
ン化合物などの難燃剤、三酸化アンチモンなどの難燃助
剤、カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、シリコー
ンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変
性ポリブタジエンゴム、変性シリコーンオイルなどのエ
ラストマー、ポリエチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂
肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長
鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤お
よび有機過酸化物などの架橋剤を任意に添加することが
できる。

【００４０】本発明にかかわるエポキシ樹脂組成物(I)
は溶融混練することが好ましく、たとえばバンバリーミ
キサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機
およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混
練することにより製造される。

【００４１】本発明のエポキシ樹脂組成物(I) は成形温
度における最低溶融粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓ、好ま
しくは１〜８Ｐａ・ｓであることが必要である。０．１
Ｐａ・ｓ未満または１０Ｐａ・ｓを超える場合は成形時
に未充填不良が発生したり、パッケージがそったりする
不良が発生するため好ましくない。

【００４２】ここで樹脂組成物の最低溶融粘度は高架式
フローテスターによりノズル０．５mmφ×１．０mmｌ、
荷重１０Kg、温度１７５℃の条件で測定したものをい
う。

【００４３】本発明のエポキシ樹脂組成物(I) の成形温
度には特に制限はなく、通常は１６０〜１９０℃、好ま
しくは１７０〜１８０℃である。

【００４４】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記エ
ポキシ樹脂組成物(I) ないし成形材料を用いて半導体装
置を封止することにより容易に製造することができる。

【００４５】以下に、その製造方法の一例を図面に基づ
いて説明する。

【００４６】図１は、本発明において使用するＩＣ接合
ＴＡＢテープの平面断面図、図２は、図１のＩＣ接合Ｔ
ＡＢテープを金型で挟みトランスファーモールドを行う
状態を示す正面断面図である。

【００４７】図１において、１は、フィルムキャリア、
２は、フィルムキャリアの両側に穿たれたスプロケット
ホール、３は、フィルムキャリアの中央部に穿たれたデ
バイスホール、４は、デバイスホール３の中に収納され
たＩＣチップ、５は、アウターリード、６は、インナー
リード、７は、テストパッド、８は、電極、９は、タイ
バー、１０は、サポートリング、１１は、アウターリー
ドホール、１６は、リード、１７は、ＴＡＢテープであ
る。

【００４８】なお、テストパッド７に連なるリード１６
のアウターリードホール１１を跨ぐ部分をアウターリー
ド５、サポートリング１０からデバイスホール３側へ突
出した部分をインナリード６として説明する。

【００４９】また、ＴＡＢテープ１７は、スプロケット
ホール２、デバイスホール３の形成されたフィルムキャ
リア１と、テストパッド７に連なるアウターリード５、
インナーリード６とで形成されている。

【００５０】図１は、このＴＡＢテープ１７にＩＣチッ
プ４が装着されたＩＣ接合ＴＡＢテープを示し、また、
インナーリード６とデバイスホール３に挿入されたＩＣ
チップ４の電極８とが接続されていることを示してい
る。

【００５１】なお、フィルムキャリア１のスプロケット
ホール２、デバイスホール３の形成位置や形状は任意で
よく、図示したもの限定されるものではない。

【００５２】図２は、ＩＣ接合ＴＡＢテープを使用して
トランスファーモールドを行っている状態を示してい
る。なお、図２のＩＣ接合ＴＡＢテープの断面は図１の
ＩＣ接合ＴＡＢテープ１７のＸ−Ｘ´断面を示してい
る。

【００５３】すなわち、ＩＣチップ４を上下の金型１
２、１３によって形成される空間に挿入し、フィルムキ
ャリア１とそのフィルムキャリア１上に設けられたリー
ド１６とを前記上下の金型１２と１３とで挟み、金型の
樹脂注入口１５から本発明にかかわる前記エポキシ樹脂
組成物（モールド樹脂）１４を注入し、その組成物１４
を硬化させた後、金型１２、１３を取外し、アウタリー
ド５をアウタリードホール１１の外側で切断すれば、モ
ールドされたパッケージ、すなわち、樹脂封止型半導体
装置が得られる。

【００５４】なお、ＴＡＢテープ１７に、リード２１と
して用いられる銅箔の厚さは特に限定されないが、１５
〜３５μｍが好ましく、具体的には１オンス銅箔で３０
μｍ、３／４オンス銅箔で約２２μｍである。フィルム
キャリア１は、厚さが特に限定されないが５０〜２５０
μｍが好ましく、通常１２５μｍや７５μｍの厚さのも
のが用いられ、また、そのフィルムの組成は特に限定さ
れないが、公知のポリイミド樹脂で形成されているのが
好ましい。

【００５５】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。

【００５６】なお、実施例中の％は、重量％を意味す
る。

【００５７】実施例１〜１１、比較例１〜５表１、２、３に示した成分を、表４に示した組成比でミ
キサーによりドライブレンドした。これをロール表面温
度９０℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練
後、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
製造した。

【００５８】ここで樹脂組成物の最低溶融粘度は高架式
フローテスターによりノズル０．５mmφ×１．０mmｌ、
荷重１０Kg、温度１７５℃の条件で測定した。

【００５９】

【表１】

【００６０】

【表２】

【００６１】

【表３】

【００６２】この組成物を用い、図２に示したデバイ
ス、金型を用い、低圧トランスファー成形法により１７
５℃×２分の条件で成形することにより半導体装置を樹
脂封止した。この後さらに１７５℃×８時間の条件で後
硬化して樹脂封止型半導体装置を作成した。

【００６３】こうして作成した樹脂封止型半導体装置を
次の方法で各種の検査、測定を行った。

【００６４】(1) 充填性：樹脂パッケージの未充填、
ピンホール、ボイドを目視で測定して、良、不良を判定
した。

【００６５】(2) そり：パッケージを目視観察して、
そりの有無を判定した。

【００６６】(3) 半田耐熱性：樹脂封止型半導体装置を
８５℃／８５％ＲＨの条件で７２時間吸湿させた後、Ｉ
Ｒリフロー炉で最高温度２４５℃×１０秒の条件で加熱
した。そのパッケージ表面を外観観察することにより、
外部クラックを測定した。さらに超音波探傷画像装置に
より、パッケージの内部クラック、チップ面の密着性
（剥離の有無）およびポリイミドテープ面の密着性（剥
離の有無）を測定した。測定は２０個のデバイスで行
い、結果を不良が発生したデバイスの数で表した。

【００６７】これらの結果を表４および表５に示した。

【００６８】

【表４】

【００６９】

【表５】

【００７０】表４および表５の結果から、本発明のエポ
キシ樹脂組成物で封止した半導体装置は、樹脂の充填性
が良好で、かつパッケージのそりもない。さらに半田耐
熱性が良好であり、吸湿後ＩＲリフロー処理しても、外
部クラック、内部クラック、チップ面の剥離、ポリイミ
ドテープ面の剥離が発生しない（実施例１〜１１）。し
たがって優れた耐湿信頼性も期待できる。

【００７１】エポキシ樹脂、硬化剤および充填剤の配合
組成が本発明の組成範囲内にあっても、その最低溶融粘
度が１０Ｐａ・ｓを超える場合は未充填、パッケージの
そりが発生する。さらにポリイミドテープ面の剥離が発
生することがある（比較例１〜３）。また、最低溶融粘
度が本発明の範囲内（０．１〜１０Ｐａ・ｓ）にあって
も、充填剤量が６５重量％未満の樹脂組成物で封止した
半導体装置は充填性、パッケージのそりとも不良であ
り、半田耐熱性も劣る（比較例４、５）。

【００７２】

【発明の効果】本発明にかかわるエポキシ樹脂組成物は
(A) 特定の構造のエポキシ樹脂、(B)硬化剤および(C)
充填剤を特定の組成で配合し、かつその成形温度におけ
る最低溶融粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓであるため、Ｔ
ＡＢ型半導体装置をトランスファー成形により樹脂封止
した場合、充填性が良好でありパッケージのそりも発生
しない。また得られた半導体装置は半田耐熱性が極めて
優れ、高い信頼性を実現するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において使用するＩＣ接合ＴＡＢテー
プの平面断面図である。

【図２】図１のＩＣ接合ＴＡＢテープを金型で挟みト
ランスファーモールドを行う状態を示す正面断面図であ
る。

【符号の説明】

１：フィルムキャリア２：スプロケットホール３：デバイスホール４：ＩＣチップ５：アウターリード６：インナーリード７：テストパッド８：電極９：タイバー１０：サポートリング１１：アウターリードホール１２：上金型１３：下金型１４：モールド樹脂１５：樹脂注入口１６：リード１７：ＴＡＢテープ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】デバイスホールを穿ったフィルムキャリ
アと、該フィルムキャリア上に設けられたリードと、該
リードに接続されたＩＣチップと、前記フィルムキャリ
ア、ＩＣチップを封止したエポキシ樹脂(A) 、硬化物
(B) および充填剤(C) を含んでなるエポキシ樹脂組成物
(I) の硬化物とを有する樹脂封止型半導体装置であっ
て、前記エポキシ樹脂組成物(I) において前記エポキシ
樹脂(A) が次の一般式(1) 【化１】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基またはハロゲン原子を示す。）で表される骨格を有
するエポキシ樹脂(a) を必須成分として含有し、エポキ
シ樹脂組成物(I) 中の充填剤(C) の割合が６５〜８２重
量％であり、かつエポキシ樹脂組成物(I) の成形温度に
おける最低溶融粘度が０．１〜１０Ｐａ．ｓであること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】エポキシ樹脂組成物(I) において充填剤
(C) が平均粒径５〜３０μｍの球状溶融シリカ、平均粒
径４〜１７μｍの破砕溶融シリカおよび平均粒径２μｍ
以下の球状溶融シリカから選ばれた１種または２種以上
の溶融シリカであることを特徴とする請求項１記載の樹
脂封止型半導体装置。
【請求項３】エポキシ樹脂組成物(I)において充填剤
(C) が平均粒径４〜１７μｍの破砕溶融シリカ９９〜８
０重量％および平均粒径２μｍ以下の球状溶融シリカ１
〜２０重量％からなることを特徴とする請求項１記載の
樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】エポキシ樹脂組成物(I) において充填剤
(C) が平均粒径５〜３０μｍの球状溶融シリカ９９〜５
０重量％および平均粒径２μｍ以下の球状溶融シリカ１
〜５０重量％からなることを特徴とする請求項１記載の
樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】エポキシ樹脂組成物(I)において充填剤
(C) が平均粒径４〜１７μｍの破砕シリカ９５〜４０重
量％および平均粒径５〜３０μｍの球状溶融シリカ５〜
６０重量％からなることを特徴とする請求項１記載の樹
脂封止型半導体装置。
【請求項６】エポキシ樹脂組成物(I) における充填剤
(C)の配合量が７０〜７５重量％であることを特徴とす
る請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】エポキシ樹脂組成物(I) の成形温度にお
ける最低溶融粘度が１〜８Ｐａ．ｓであることを特徴と
する特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。