JPH0971857A - 透明導電膜およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法Info
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- JPH0971857A JPH0971857A JP25024795A JP25024795A JPH0971857A JP H0971857 A JPH0971857 A JP H0971857A JP 25024795 A JP25024795 A JP 25024795A JP 25024795 A JP25024795 A JP 25024795A JP H0971857 A JPH0971857 A JP H0971857A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱やプラズマ等の影響により変質、劣化、
熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性および耐
プラズマ性の低い基材上に成膜される低抵抗で透明性が
高くパターニング特性に優れる透明導電膜と、このよう
な透明導電膜を簡便に形成することができる製造方法を
提供する。 【解決手段】 透明導電膜は、結晶粒を有しＸ線回折法
における（２２２）面のピーク強度Ｉ1 と（４００）面
のピーク強度Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 が５以上であり、か
つ比抵抗が０．８×１０-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍの
範囲である透明導電膜で、このような透明導電膜を、フ
ォロカソード型イオンプレーティング法を用い、蒸着源
と基材との間にプラズマを形成し、このプラズマにより
基材が悪影響を受けないような条件で基材上に成膜す
る。
熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性および耐
プラズマ性の低い基材上に成膜される低抵抗で透明性が
高くパターニング特性に優れる透明導電膜と、このよう
な透明導電膜を簡便に形成することができる製造方法を
提供する。 【解決手段】 透明導電膜は、結晶粒を有しＸ線回折法
における（２２２）面のピーク強度Ｉ1 と（４００）面
のピーク強度Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 が５以上であり、か
つ比抵抗が０．８×１０-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍの
範囲である透明導電膜で、このような透明導電膜を、フ
ォロカソード型イオンプレーティング法を用い、蒸着源
と基材との間にプラズマを形成し、このプラズマにより
基材が悪影響を受けないような条件で基材上に成膜す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜、特に耐
熱性および耐プラズマ性の低い基材上に成膜される低抵
抗の透明導電膜と、このような透明導電膜の製造方法に
関する。
熱性および耐プラズマ性の低い基材上に成膜される低抵
抗の透明導電膜と、このような透明導電膜の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、種々の電子部品、画像表示装
置等に透明導電膜が使用されており、この透明導電膜は
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、
酸化スズ（ＳｎＯ）等、およびその合金等を用いて、ス
パッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法に
より形成されていた。
置等に透明導電膜が使用されており、この透明導電膜は
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、
酸化スズ（ＳｎＯ）等、およびその合金等を用いて、ス
パッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法に
より形成されていた。
【０００３】上記の成膜方法のうち、スパッタリング法
では、例えば、ＩＴＯ酸化物ターゲット材をＡｒイオン
でスパッタして基材上にＩＴＯ膜を形成するものであ
る。このようなＩＴＯ膜は、成膜時の基材温度および成
膜後のアニール温度を２００〜３００℃として結晶化さ
せることにより低抵抗化がなされ、パターニング特性が
付与されていた。
では、例えば、ＩＴＯ酸化物ターゲット材をＡｒイオン
でスパッタして基材上にＩＴＯ膜を形成するものであ
る。このようなＩＴＯ膜は、成膜時の基材温度および成
膜後のアニール温度を２００〜３００℃として結晶化さ
せることにより低抵抗化がなされ、パターニング特性が
付与されていた。
【０００４】しかし、透明導電膜の成膜対象である基材
のなかには、成膜時の加熱やプラズマの影響等が原因で
水分や有機成分等のガスを発生する脱ガス現象を生じる
もの、あるいは、変質や劣化、熱分解等を生じるものが
ある。基材からの脱ガスがある場合、発生するガスによ
って透明導電膜中に結晶粒塊が生じて粗密な膜となり、
透明導電膜の低抵抗化が阻害される。また、例えば、透
明導電膜の成膜対象が液晶ディスプレイ用のカラーフィ
ルタを備えた基板の場合、透明導電膜に生じた上記の結
晶粒塊が原因で、透明導電膜の表面と接する液晶の配向
状態に悪影響が生じるという問題がある。このため、上
述のような脱ガスを生じる基材に対しては、予めガスバ
リアー性の薄膜を形成し、この薄膜上に透明導電膜を形
成することが行われている。
のなかには、成膜時の加熱やプラズマの影響等が原因で
水分や有機成分等のガスを発生する脱ガス現象を生じる
もの、あるいは、変質や劣化、熱分解等を生じるものが
ある。基材からの脱ガスがある場合、発生するガスによ
って透明導電膜中に結晶粒塊が生じて粗密な膜となり、
透明導電膜の低抵抗化が阻害される。また、例えば、透
明導電膜の成膜対象が液晶ディスプレイ用のカラーフィ
ルタを備えた基板の場合、透明導電膜に生じた上記の結
晶粒塊が原因で、透明導電膜の表面と接する液晶の配向
状態に悪影響が生じるという問題がある。このため、上
述のような脱ガスを生じる基材に対しては、予めガスバ
リアー性の薄膜を形成し、この薄膜上に透明導電膜を形
成することが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ガスバリアー性の薄膜は、珪素酸化物等の無機薄膜や合
成樹脂等の有機薄膜のような電気絶縁性の薄膜であり、
このようなガスバリアー性薄膜を形成することにより、
透明導電膜の製造工程が複雑になり、製造コストの上昇
を来たしていた。さらに、ガスバリアー性の薄膜を設け
る場合あっても、高温で透明導電膜を形成することによ
って耐熱性の低い基材に変質、劣化等（例えば、カラー
フィルタの色差変化）が生じることは避けられない。
ガスバリアー性の薄膜は、珪素酸化物等の無機薄膜や合
成樹脂等の有機薄膜のような電気絶縁性の薄膜であり、
このようなガスバリアー性薄膜を形成することにより、
透明導電膜の製造工程が複雑になり、製造コストの上昇
を来たしていた。さらに、ガスバリアー性の薄膜を設け
る場合あっても、高温で透明導電膜を形成することによ
って耐熱性の低い基材に変質、劣化等（例えば、カラー
フィルタの色差変化）が生じることは避けられない。
【０００６】これに対応するために、基材を１５０℃以
下の温度としてスパッタリング法による透明導電膜の形
成を行い、その後、熱処理（１６０〜２５０℃）を施し
て結晶化する方法が提案されている（特開平１−２５９
３２０号）。しかし、このような透明導電膜は、工程が
煩雑であり、また、プラズマの影響等による基材からの
脱ガス、すなわち、質量分析計で測定するとマスナンバ
ー６８以上のガス発生が生じ、形成された膜は粒塊構造
を有した膜になっており、比抵抗の低い透明導電膜は得
られないという問題があった。
下の温度としてスパッタリング法による透明導電膜の形
成を行い、その後、熱処理（１６０〜２５０℃）を施し
て結晶化する方法が提案されている（特開平１−２５９
３２０号）。しかし、このような透明導電膜は、工程が
煩雑であり、また、プラズマの影響等による基材からの
脱ガス、すなわち、質量分析計で測定するとマスナンバ
ー６８以上のガス発生が生じ、形成された膜は粒塊構造
を有した膜になっており、比抵抗の低い透明導電膜は得
られないという問題があった。
【０００７】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、加熱やプラズマにより変質、劣化、熱
分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性および耐プ
ラズマ性の低い基材上に成膜される低抵抗で透明性が高
くパターニング特性に優れる透明導電膜と、このような
透明導電膜を簡便に形成することができる製造方法を提
供することを目的とする。
れたものであり、加熱やプラズマにより変質、劣化、熱
分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性および耐プ
ラズマ性の低い基材上に成膜される低抵抗で透明性が高
くパターニング特性に優れる透明導電膜と、このような
透明導電膜を簡便に形成することができる製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の透明導電膜は、結晶粒を有し、Ｘ線
回折法における（２２２）面のピーク強度Ｉ1 と（４０
０）面のピーク強度Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 が５以上であ
るとともに、比抵抗が０．８×１０-4〜３．５×１０-4
Ω・ｃｍの範囲であるような構成とした。
るために、本発明の透明導電膜は、結晶粒を有し、Ｘ線
回折法における（２２２）面のピーク強度Ｉ1 と（４０
０）面のピーク強度Ｉ2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 が５以上であ
るとともに、比抵抗が０．８×１０-4〜３．５×１０-4
Ω・ｃｍの範囲であるような構成とした。
【０００９】また、本発明の透明導電膜は、移動度が３
０〜５０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの範囲であるような構成、波
長５５０ｎｍの光に対する透過率が８０〜１００％であ
るような構成、透明導電膜の表面における１００Å以上
の大きさの溝の面積占有率が１５％以下であるような構
成とした。
０〜５０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの範囲であるような構成、波
長５５０ｎｍの光に対する透過率が８０〜１００％であ
るような構成、透明導電膜の表面における１００Å以上
の大きさの溝の面積占有率が１５％以下であるような構
成とした。
【００１０】本発明の透明導電膜の製造方法は、反応性
蒸着法を用い、蒸着源と基材との間にプラズマを形成
し、かつ、該プラズマに曝される前記基材に悪影響が生
じないような条件で前記基材上に透明導電膜を成膜する
ような構成とした。
蒸着法を用い、蒸着源と基材との間にプラズマを形成
し、かつ、該プラズマに曝される前記基材に悪影響が生
じないような条件で前記基材上に透明導電膜を成膜する
ような構成とした。
【００１１】また、本発明の透明導電膜の製造方法は、
前記条件を、前記基材をプラズマ雰囲気中あるいは加熱
雰囲気中に曝したとき、質量分析計でマスナンバー６８
以上に該当する出力の分圧比が１×１０-11 Torr未満を
呈するような条件であるような構成とした。
前記条件を、前記基材をプラズマ雰囲気中あるいは加熱
雰囲気中に曝したとき、質量分析計でマスナンバー６８
以上に該当する出力の分圧比が１×１０-11 Torr未満を
呈するような条件であるような構成とした。
【００１２】このような本発明では、基材がプラズマに
曝されて悪影響を受けることなく透明導電膜が反応性蒸
着法によって成膜されるので、基材が加熱により変質、
劣化、熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性お
よび耐プラズマ性の低い基材であっても、成膜された透
明導電膜は結晶粒を有する緻密で表面平坦性に優れたも
のであり、これにより、膜構造中に空孔が生じないた
め、比抵抗が０．８×１０-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍ
と極めて低いものとなる。
曝されて悪影響を受けることなく透明導電膜が反応性蒸
着法によって成膜されるので、基材が加熱により変質、
劣化、熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性お
よび耐プラズマ性の低い基材であっても、成膜された透
明導電膜は結晶粒を有する緻密で表面平坦性に優れたも
のであり、これにより、膜構造中に空孔が生じないた
め、比抵抗が０．８×１０-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍ
と極めて低いものとなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１４】本発明の透明導電膜は結晶粒を有するもの
であり、この透明導電膜のＸ線回折法における（２２
２）面のピーク強度Ｉ1 と（４００）面のピーク強度Ｉ
2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 は５以上、好ましくは６〜１００で
あり、非結晶性ではなく明確な結晶構造をなすものであ
る。上記の結晶粒は、平均粒子径が３００〜１０００Å
程度の結晶性の粒子であるが、結晶粒塊は存在せず、透
明導電膜の表面は平坦である。また、上記のピーク強度
比Ｉ1 ／Ｉ2 が５未満であると、透明導電膜の結晶性が
不十分となり、下記のような良好な比抵抗および移動度
が得られない。ここで、本発明では、Ｘ線回折のピーク
強度比Ｉ1 ／Ｉ2 は、バックグランドを削除したＸ線回
折曲線の（２２２）面のピーク高さと（４００）面のピ
ーク高さの比より算出するものである。
であり、この透明導電膜のＸ線回折法における（２２
２）面のピーク強度Ｉ1 と（４００）面のピーク強度Ｉ
2 との比Ｉ1 ／Ｉ2 は５以上、好ましくは６〜１００で
あり、非結晶性ではなく明確な結晶構造をなすものであ
る。上記の結晶粒は、平均粒子径が３００〜１０００Å
程度の結晶性の粒子であるが、結晶粒塊は存在せず、透
明導電膜の表面は平坦である。また、上記のピーク強度
比Ｉ1 ／Ｉ2 が５未満であると、透明導電膜の結晶性が
不十分となり、下記のような良好な比抵抗および移動度
が得られない。ここで、本発明では、Ｘ線回折のピーク
強度比Ｉ1 ／Ｉ2 は、バックグランドを削除したＸ線回
折曲線の（２２２）面のピーク高さと（４００）面のピ
ーク高さの比より算出するものである。
【００１５】本発明の透明導電膜には、上記の結晶粒に
伴う粒界、および結晶粒の配向方向がある領域ごとに異
なるようなドメインが存在しない。そして、結晶粒は隙
間なく密に詰まった状態であるため、膜構造中には空孔
が生じておらず、これによって、比抵抗が０．８×１０
-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍと極めて低いものとなって
いる。また、本発明の透明導電膜は、その移動度が３０
〜５０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの範囲であり、かつ、波長５５
０ｎｍの光に対する透過率が８０〜１００％である。し
たがって、本発明の透明導電膜は、低抵抗で透明性の高
い透明導電膜である。
伴う粒界、および結晶粒の配向方向がある領域ごとに異
なるようなドメインが存在しない。そして、結晶粒は隙
間なく密に詰まった状態であるため、膜構造中には空孔
が生じておらず、これによって、比抵抗が０．８×１０
-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍと極めて低いものとなって
いる。また、本発明の透明導電膜は、その移動度が３０
〜５０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの範囲であり、かつ、波長５５
０ｎｍの光に対する透過率が８０〜１００％である。し
たがって、本発明の透明導電膜は、低抵抗で透明性の高
い透明導電膜である。
【００１６】さらに、本発明の透明導電膜の表面は、大
きさが１００Å以上の溝の面積占有率が１５％以下であ
り、極めて平坦な表面状態を有している。尚、透明導電
膜の表面における１００Å以上の溝の面積占有率は、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による表面観察（倍率１０万
倍）で、７ｃｍ×７ｃｍの面積内で１ｍｍ以上の溝が占
める面積の総和を求めて算出する。
きさが１００Å以上の溝の面積占有率が１５％以下であ
り、極めて平坦な表面状態を有している。尚、透明導電
膜の表面における１００Å以上の溝の面積占有率は、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による表面観察（倍率１０万
倍）で、７ｃｍ×７ｃｍの面積内で１ｍｍ以上の溝が占
める面積の総和を求めて算出する。
【００１７】このような本発明の透明導電膜は、酸化イ
ンジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、およ
び、その合金（ＡＺＯ（ＡｌドープのＺｎＯ膜））、Ｎ
ＥＳＡ膜（ＳｎＯ2 ）等で形成された薄膜であり、厚み
は５０〜１００００Å、好ましくは５００〜３０００Å
程度とすることができる。
ンジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、およ
び、その合金（ＡＺＯ（ＡｌドープのＺｎＯ膜））、Ｎ
ＥＳＡ膜（ＳｎＯ2 ）等で形成された薄膜であり、厚み
は５０〜１００００Å、好ましくは５００〜３０００Å
程度とすることができる。
【００１８】次に、本発明の透明導電膜の製造方法を説
明する。
明する。
【００１９】本発明の透明導電膜の製造方法は、上述の
ような本発明の透明導電膜を、加熱やプラズマの影響に
より変質、劣化、熱分解を生じたり脱ガスを生じるよう
な耐熱性および耐プラズマ性の低い基材上に簡便に成膜
できるものであり、反応性蒸着法を用い、蒸着源と基材
との間にプラズマを形成し、かつ、このプラズマに曝さ
れる基材に悪影響が生じないような条件で基材上に透明
導電膜を成膜するものである。
ような本発明の透明導電膜を、加熱やプラズマの影響に
より変質、劣化、熱分解を生じたり脱ガスを生じるよう
な耐熱性および耐プラズマ性の低い基材上に簡便に成膜
できるものであり、反応性蒸着法を用い、蒸着源と基材
との間にプラズマを形成し、かつ、このプラズマに曝さ
れる基材に悪影響が生じないような条件で基材上に透明
導電膜を成膜するものである。
【００２０】ここで、本発明における耐熱性および耐プ
ラズマ性の低い基材とは、真空中２００℃加熱あるいは
Ａｒプラズマ雰囲気中に基材を曝したとき、質量分析計
でマスナンバー６８以上に該当する出力の分圧比が１×
１０-11 Torr以上を呈するような基材を意味する。ま
た、基材がプラズマに曝されて悪影響が生じないような
条件とは、基材をプラズマ雰囲気中に曝したとき、質量
分析計でマスナンバー６８以上に該当する出力の分圧比
が１×１０-11 Torr未満を呈するような条件を意味す
る。
ラズマ性の低い基材とは、真空中２００℃加熱あるいは
Ａｒプラズマ雰囲気中に基材を曝したとき、質量分析計
でマスナンバー６８以上に該当する出力の分圧比が１×
１０-11 Torr以上を呈するような基材を意味する。ま
た、基材がプラズマに曝されて悪影響が生じないような
条件とは、基材をプラズマ雰囲気中に曝したとき、質量
分析計でマスナンバー６８以上に該当する出力の分圧比
が１×１０-11 Torr未満を呈するような条件を意味す
る。
【００２１】本発明の透明導電膜の製造方法に使用する
反応性蒸着法としては、フォロカソード型イオンプレー
ティング法、ＤＣ型イオンプレーティング法、ＲＦ型イ
オンプレーティング法等が挙げられる。
反応性蒸着法としては、フォロカソード型イオンプレー
ティング法、ＤＣ型イオンプレーティング法、ＲＦ型イ
オンプレーティング法等が挙げられる。
【００２２】ここで、フォロカソード型イオンプレーテ
ィング法について、図１を参照して説明する。図１は横
形フォロカソード型イオンプレーティング装置の一例を
示す構成図である。図１において、フォロカソード型イ
オンプレーティング装置１は、排気口２ａと反応ガス供
給口２ｂを設けた真空チャンバー２と、この真空チャン
バー２内の下部に配設された陽極（ハース）３、真空チ
ャンバー２内の上部に配設された基材ホルダー４、真空
チャンバー２の所定位置（図示例では真空チャンバー左
側壁）に配設されたプラズマガン５、陰極６、中間電極
７および補助コイル８を備えている。また、陽極３の下
方には永久磁石９が配設されている。
ィング法について、図１を参照して説明する。図１は横
形フォロカソード型イオンプレーティング装置の一例を
示す構成図である。図１において、フォロカソード型イ
オンプレーティング装置１は、排気口２ａと反応ガス供
給口２ｂを設けた真空チャンバー２と、この真空チャン
バー２内の下部に配設された陽極（ハース）３、真空チ
ャンバー２内の上部に配設された基材ホルダー４、真空
チャンバー２の所定位置（図示例では真空チャンバー左
側壁）に配設されたプラズマガン５、陰極６、中間電極
７および補助コイル８を備えている。また、陽極３の下
方には永久磁石９が配設されている。
【００２３】このようなフォロカソード型イオンプレー
ティング装置１を用いたイオンプレーティング法による
透明導電膜の形成は以下のように行われる。まず、陽極
３に蒸発源１１を配置し、また透明導電膜の被形成体で
ある基材１２を基材ホルダー４に保持し、真空チャンバ
ー２内部を１０-6〜１０-5Torr程度の真空度にする。こ
の状態で、アルゴン（Ａｒ）等のプラズマ用ガスをプラ
ズマガン５に導入する。そして、プラズマガン５で発生
したプラズマビーム１５は、補助コイル８により形成さ
れる磁界によって真空チャンバー２内に引き出され、陽
極３下方の永久磁石９が作る磁界によって蒸発源１１に
収束し、この蒸発源１１を加熱する。その結果、加熱さ
れた部分の蒸発源１１は蒸発し、プラズマビーム１５の
領域を通過する際に一部電離し、基材ホルダー４に保持
されている基材１２に到達して表面に膜を形成する。
ティング装置１を用いたイオンプレーティング法による
透明導電膜の形成は以下のように行われる。まず、陽極
３に蒸発源１１を配置し、また透明導電膜の被形成体で
ある基材１２を基材ホルダー４に保持し、真空チャンバ
ー２内部を１０-6〜１０-5Torr程度の真空度にする。こ
の状態で、アルゴン（Ａｒ）等のプラズマ用ガスをプラ
ズマガン５に導入する。そして、プラズマガン５で発生
したプラズマビーム１５は、補助コイル８により形成さ
れる磁界によって真空チャンバー２内に引き出され、陽
極３下方の永久磁石９が作る磁界によって蒸発源１１に
収束し、この蒸発源１１を加熱する。その結果、加熱さ
れた部分の蒸発源１１は蒸発し、プラズマビーム１５の
領域を通過する際に一部電離し、基材ホルダー４に保持
されている基材１２に到達して表面に膜を形成する。
【００２４】上述のような本発明の透明導電膜の製造方
法では、基材１２はプラズマビーム１５に曝されない位
置に配置されていることを特徴としている。これは、液
晶ディスプレイ用のカラーフィルタのような加熱により
熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性および耐
プラズマ性の低い基材をプラズマに曝した場合、基材か
らの脱ガスが発生して、成膜したＩＴＯ膜に結晶粒塊が
生じて粗密な膜となり低抵抗化が阻害されるという事実
を見いだしたことに起因している。すなわち、本発明の
透明導電膜の製造方法では、透明導電膜の被形成体であ
る基材の温度を、従来のスパッタリング法によるＩＴＯ
膜の形成時に比べて大幅に低い温度に設定することがで
き、プラズマに基材を曝さない状態でイオンプレーティ
ング法により透明導電膜を形成するので、加熱による変
質、劣化、熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱
性の低い基材に対しても、この基材の耐熱性温度内で透
明導電膜を形成することが可能である。そして、本発明
では、基材の脱ガスを有効に阻止しながら透明導電膜を
形成するので、従来のガスバリアー性の薄膜上に透明導
電膜を形成する２層成膜のような煩雑な工程が不要とな
り、生産性が大幅に向上する。また、従来の２層成膜に
よる透明導電膜に比べてパターニング特性に優れた透明
導電膜が得られる。
法では、基材１２はプラズマビーム１５に曝されない位
置に配置されていることを特徴としている。これは、液
晶ディスプレイ用のカラーフィルタのような加熱により
熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱性および耐
プラズマ性の低い基材をプラズマに曝した場合、基材か
らの脱ガスが発生して、成膜したＩＴＯ膜に結晶粒塊が
生じて粗密な膜となり低抵抗化が阻害されるという事実
を見いだしたことに起因している。すなわち、本発明の
透明導電膜の製造方法では、透明導電膜の被形成体であ
る基材の温度を、従来のスパッタリング法によるＩＴＯ
膜の形成時に比べて大幅に低い温度に設定することがで
き、プラズマに基材を曝さない状態でイオンプレーティ
ング法により透明導電膜を形成するので、加熱による変
質、劣化、熱分解を生じたり脱ガスを生じるような耐熱
性の低い基材に対しても、この基材の耐熱性温度内で透
明導電膜を形成することが可能である。そして、本発明
では、基材の脱ガスを有効に阻止しながら透明導電膜を
形成するので、従来のガスバリアー性の薄膜上に透明導
電膜を形成する２層成膜のような煩雑な工程が不要とな
り、生産性が大幅に向上する。また、従来の２層成膜に
よる透明導電膜に比べてパターニング特性に優れた透明
導電膜が得られる。
【００２５】尚、本発明の透明導電膜の製造方法におけ
る反応性蒸着法に用いるイオンプレーティング装置は、
蒸発源と基材との間に形成したプラズマに基材が曝され
ても、上述の条件を満足するような構成のイオンプレー
ティング装置であればよく、図１に示されるものに限定
されるものではない。
る反応性蒸着法に用いるイオンプレーティング装置は、
蒸発源と基材との間に形成したプラズマに基材が曝され
ても、上述の条件を満足するような構成のイオンプレー
ティング装置であればよく、図１に示されるものに限定
されるものではない。
【００２６】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。 （実施例１）厚み１．１ｍｍのガラス基板（コーニング
社製 ７０５９）と、このガラス基板の一方の面に顔料
分散法により液晶ディスプレイ用のカラーフィルタを形
成したカラーフィルタ基板とを準備した。
明する。 （実施例１）厚み１．１ｍｍのガラス基板（コーニング
社製 ７０５９）と、このガラス基板の一方の面に顔料
分散法により液晶ディスプレイ用のカラーフィルタを形
成したカラーフィルタ基板とを準備した。
【００２７】次に、図１に示されるようなフォロカソー
ド型イオンプレーティング装置の基材ホルダー上に上記
のカラーフィルタ基板あるいはガラス基板を保持した。
また、陽極（ハース）に蒸発源として蒸着材料（Ｉｎ2
Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（ＳｎＯ2 ５重量％））を載置し
た。その後、下記の成膜条件で成膜を行い、基材上に厚
さ１５００Åの透明導電膜（試料１、比較試料１）を作
製した。
ド型イオンプレーティング装置の基材ホルダー上に上記
のカラーフィルタ基板あるいはガラス基板を保持した。
また、陽極（ハース）に蒸発源として蒸着材料（Ｉｎ2
Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（ＳｎＯ2 ５重量％））を載置し
た。その後、下記の成膜条件で成膜を行い、基材上に厚
さ１５００Åの透明導電膜（試料１、比較試料１）を作
製した。
【００２８】（成膜条件） ・成膜真空度 ： ２．４×１０-4 Torr ・導入ガス ： Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝７ｓｃ
ｃｍ ・プラズマガン： 電圧＝６０Ｖ、電流＝１５０Ａ、ビ
ーム径＝数１０ｍｍ ・基材温度 ： １９０℃ ・成膜レート ： １５００Å／分 また、比較として、基材温度を６０℃とした他は、上記
の試料１と同様にして基材上に厚さ１５００Åの透明導
電膜（比較試料２、３）を作製した。
ｃｍ ・プラズマガン： 電圧＝６０Ｖ、電流＝１５０Ａ、ビ
ーム径＝数１０ｍｍ ・基材温度 ： １９０℃ ・成膜レート ： １５００Å／分 また、比較として、基材温度を６０℃とした他は、上記
の試料１と同様にして基材上に厚さ１５００Åの透明導
電膜（比較試料２、３）を作製した。
【００２９】さらに、比較として、上記と同様のガラス
板およびカラーフィルタ基板を用い、下記の成膜条件で
スパッタリング法により成膜を行って基材上に厚さ１５
００Åの透明導電膜（比較試料４〜７）を作製した。
板およびカラーフィルタ基板を用い、下記の成膜条件で
スパッタリング法により成膜を行って基材上に厚さ１５
００Åの透明導電膜（比較試料４〜７）を作製した。
【００３０】（成膜条件） ・雰囲気ガス ： Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ，Ｏ2 ＝２ｓ
ｃｃｍ ・雰囲気圧力 ： ６×１０-3Torr ・導入パワー ： ＤＣ２．５Ｗ／ｃｍ2 ・成膜レート ： ７２０Å／分 ・基板温度 ： ６０℃、１９０℃ ・ターゲット材： Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（Ｓｎ
Ｏ2 １０重量％） さらに、比較として、基材ホルダーをプラズマ放電内に
位置するようにした他は上記の試料１、２と同様（基材
温度１９０℃）にして、基材上に厚さ１５００Åの透明
導電膜（比較試料８、９）を作製した。尚、この場合、
基材は質量分析計（四重極質量分析計（ＳＫＫバキュー
ムエンジニアリング（株）製 ＤＡＱ２００／ＤＸ
Ｍ））でマスナンバー６１，９１（レジスト）、１２
９，１７２（顔料）、１９０（開始剤）に該当する出力
（分圧比１×１０-11 〜１０×１０-11Torrに相当）を
呈した。本実施例で用いた材料では、このような質量分
析計での出力となったが、使用する材料が変わればマス
ナンバーも当然変化する。但し、樹脂や顔料が用いられ
る基材は、マスナンバー６８以上のものが検出される。
ｃｃｍ ・雰囲気圧力 ： ６×１０-3Torr ・導入パワー ： ＤＣ２．５Ｗ／ｃｍ2 ・成膜レート ： ７２０Å／分 ・基板温度 ： ６０℃、１９０℃ ・ターゲット材： Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（Ｓｎ
Ｏ2 １０重量％） さらに、比較として、基材ホルダーをプラズマ放電内に
位置するようにした他は上記の試料１、２と同様（基材
温度１９０℃）にして、基材上に厚さ１５００Åの透明
導電膜（比較試料８、９）を作製した。尚、この場合、
基材は質量分析計（四重極質量分析計（ＳＫＫバキュー
ムエンジニアリング（株）製 ＤＡＱ２００／ＤＸ
Ｍ））でマスナンバー６１，９１（レジスト）、１２
９，１７２（顔料）、１９０（開始剤）に該当する出力
（分圧比１×１０-11 〜１０×１０-11Torrに相当）を
呈した。本実施例で用いた材料では、このような質量分
析計での出力となったが、使用する材料が変わればマス
ナンバーも当然変化する。但し、樹脂や顔料が用いられ
る基材は、マスナンバー６８以上のものが検出される。
【００３１】上記のように作製した透明導電膜（試料１
および比較試料１〜９）について、結晶構造、比抵抗、
移動度、透過率および配向膜適性を測定、評価して結果
を下記の表１に示した。
および比較試料１〜９）について、結晶構造、比抵抗、
移動度、透過率および配向膜適性を測定、評価して結果
を下記の表１に示した。
【００３２】（結晶構造の評価）Ｘ線回折法により、結
晶性を示す２θ＝３０．０８°（２２２）の回折ピーク
強度Ｉ1 および２θ＝３５．１２°（４００）の回折ピ
ーク強度Ｉ2 の比Ｉ1 ／Ｉ2 を算出した。
晶性を示す２θ＝３０．０８°（２２２）の回折ピーク
強度Ｉ1 および２θ＝３５．１２°（４００）の回折ピ
ーク強度Ｉ2 の比Ｉ1 ／Ｉ2 を算出した。
【００３３】Ｘ線回折測定条件 ・測定装置 ：粉末Ｘ線回折装置（理学電気（株）
製）（広角ゴニオメータ使用、ＣｕＫα線、２θ／θス
キャン） ・管電圧 ：４０Ｋｖ ・管電流 ：２００ｍＡ ・サンプリング幅：０．０２０° ・走査速度 ：４°／分 ・発散スリット ：１° ・散乱スリット ：１° ・受光スリット ：０．３０ｎｍ （比抵抗値の測定）三菱油化（株）製表面抵抗計ＬＯＲ
ＥＳＴＡ−ＦＰを用いてシート抵抗Ｒs （Ω／□）を測
定し、式（１）に示すように透明導電膜の厚みｄ（Å）
をかけて比抵抗ρ（Ω・ｃｍ）を求めた。
製）（広角ゴニオメータ使用、ＣｕＫα線、２θ／θス
キャン） ・管電圧 ：４０Ｋｖ ・管電流 ：２００ｍＡ ・サンプリング幅：０．０２０° ・走査速度 ：４°／分 ・発散スリット ：１° ・散乱スリット ：１° ・受光スリット ：０．３０ｎｍ （比抵抗値の測定）三菱油化（株）製表面抵抗計ＬＯＲ
ＥＳＴＡ−ＦＰを用いてシート抵抗Ｒs （Ω／□）を測
定し、式（１）に示すように透明導電膜の厚みｄ（Å）
をかけて比抵抗ρ（Ω・ｃｍ）を求めた。
【００３４】ρ＝ｄ×Ｒs …（１） （移動度の測定）Van der Pauw法によって作製して算出
した。
した。
【００３５】（透過率の測定）ガラス基板上に形成した
透明導電膜について、波長５５０ｎｍでの透過率を測定
した。
透明導電膜について、波長５５０ｎｍでの透過率を測定
した。
【００３６】（配向膜適性の評価）ポリイミド塗布用の
溶剤であるｎ−メチルプロテイド（ＮＭＰ）を滴下して
カラーフィルタの色材が流出するか否か評価した。
溶剤であるｎ−メチルプロテイド（ＮＭＰ）を滴下して
カラーフィルタの色材が流出するか否か評価した。
【００３７】評価基準 ○：色材の流出が生じない △：色材の流出がややみられる ×：色材の流出が顕著にみられる
【００３８】
【表１】 表１に示されるように、カラーフィルタ基板上に形成し
た透明導電膜（試料１）は、ガラス板上に形成した透明
導電膜（比較試料１）と同様にＸ線回折ピーク強度比Ｉ
1 ／Ｉ2 が５以上であり、結晶性の良好な透明導電膜で
あった。そして、この本発明の透明導電膜は、比抵抗が
３．５×１０-4Ω・ｃｍ以下、移動度が３０ｃｍ2 ／Ｖ
ｓｅｃ以上であり、かつ、波長５５０ｎｍにおける透過
率が８０％以上（比較試料１において）であり、電気的
特性および透明性ともに優れた透明導電膜であることが
確認された。さらに、配向膜特性も良好であり、液晶デ
ィスプレイ用の透明導電膜として実用に供し得るもので
あった。
た透明導電膜（試料１）は、ガラス板上に形成した透明
導電膜（比較試料１）と同様にＸ線回折ピーク強度比Ｉ
1 ／Ｉ2 が５以上であり、結晶性の良好な透明導電膜で
あった。そして、この本発明の透明導電膜は、比抵抗が
３．５×１０-4Ω・ｃｍ以下、移動度が３０ｃｍ2 ／Ｖ
ｓｅｃ以上であり、かつ、波長５５０ｎｍにおける透過
率が８０％以上（比較試料１において）であり、電気的
特性および透明性ともに優れた透明導電膜であることが
確認された。さらに、配向膜特性も良好であり、液晶デ
ィスプレイ用の透明導電膜として実用に供し得るもので
あった。
【００３９】これに対して、イオンプレーティング法や
従来のスパッタリング法により比較的低い基材温度で形
成された透明導電膜（比較試料２、３、４、６）は、Ｘ
線回折ピーク強度Ｉ1 、Ｉ2 が極めて小さく非結晶性に
近いものであり、比抵抗、移動度は不十分なものであっ
た。また、比較的高い基材温度で形成された透明導電膜
（比較試料５、７）のうち、カラーフィルタ基板上に形
成された透明導電膜（比較試料８）は、Ｘ線回折ピーク
強度比Ｉ1 ／Ｉ2 が５未満で結晶配向度が違い構造の異
なるものであり、このため比抵抗が３．５×１０-4Ω・
ｃｍを上回り、移動度が３０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ未満で、
電気的特性に劣り、かつ、配向膜特性も悪く、液晶ディ
スプレイ用の透明導電膜として実用に供し得ないもので
あった。 （実施例２）実施例１と同様にして、本発明の透明導電
膜の製造方法により下記の条件で基材上に厚さ１５００
Åの透明導電膜（試料Ｉ、比較試料Ｉ）を作製した。
尚、この透明導電膜（試料Ｉ、比較試料Ｉ）は、実施例
１の透明導電膜（試料１、比較試料１）に相当する。
従来のスパッタリング法により比較的低い基材温度で形
成された透明導電膜（比較試料２、３、４、６）は、Ｘ
線回折ピーク強度Ｉ1 、Ｉ2 が極めて小さく非結晶性に
近いものであり、比抵抗、移動度は不十分なものであっ
た。また、比較的高い基材温度で形成された透明導電膜
（比較試料５、７）のうち、カラーフィルタ基板上に形
成された透明導電膜（比較試料８）は、Ｘ線回折ピーク
強度比Ｉ1 ／Ｉ2 が５未満で結晶配向度が違い構造の異
なるものであり、このため比抵抗が３．５×１０-4Ω・
ｃｍを上回り、移動度が３０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ未満で、
電気的特性に劣り、かつ、配向膜特性も悪く、液晶ディ
スプレイ用の透明導電膜として実用に供し得ないもので
あった。 （実施例２）実施例１と同様にして、本発明の透明導電
膜の製造方法により下記の条件で基材上に厚さ１５００
Åの透明導電膜（試料Ｉ、比較試料Ｉ）を作製した。
尚、この透明導電膜（試料Ｉ、比較試料Ｉ）は、実施例
１の透明導電膜（試料１、比較試料１）に相当する。
【００４０】（成膜条件） ・到達真空度 ： １．０×１０-5 Torr 以下 ・成膜真空度 ： ２．４×１０-4 Torr ・導入ガス ： Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝７ｓｃ
ｃｍ ・プラズマガン： 電圧＝６０Ｖ、電流＝１５０Ａ、ビ
ーム径＝数１０ｍｍ ・基材温度 ： １９０℃ ・成膜レート ： １５００Å／分 比較として、実施例１と同様のガラス板およびカラーフ
ィルタ基板を用い、下記の成膜条件でスパッタリング法
により成膜を行い、基材上に厚さ１５００Åの透明導電
膜（比較試料II、III ）を作製した。
ｃｍ ・プラズマガン： 電圧＝６０Ｖ、電流＝１５０Ａ、ビ
ーム径＝数１０ｍｍ ・基材温度 ： １９０℃ ・成膜レート ： １５００Å／分 比較として、実施例１と同様のガラス板およびカラーフ
ィルタ基板を用い、下記の成膜条件でスパッタリング法
により成膜を行い、基材上に厚さ１５００Åの透明導電
膜（比較試料II、III ）を作製した。
【００４１】（成膜条件） ・雰囲気ガス ： Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ，Ｏ2 ＝２ｓ
ｃｃｍ ・雰囲気圧力 ： ６×１０-3Torr ・導入パワー ： ＤＣ２．５Ｗ／ｃｍ2 ・成膜レート ： ７２０Å／分 ・基板温度 ： １６５℃ ・ターゲット材： Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（Ｓｎ
Ｏ2 １０重量％） さらに、比較として、実施例１と同様のカラーフィルタ
基板を用い、下記の成膜条件でスパッタリング法により
成膜を行い、その後、熱処理（２００℃、３０分間）を
行って基材上に厚さ２４００Åの透明導電膜（比較試料
IV）を作製した。
ｃｃｍ ・雰囲気圧力 ： ６×１０-3Torr ・導入パワー ： ＤＣ２．５Ｗ／ｃｍ2 ・成膜レート ： ７２０Å／分 ・基板温度 ： １６５℃ ・ターゲット材： Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（Ｓｎ
Ｏ2 １０重量％） さらに、比較として、実施例１と同様のカラーフィルタ
基板を用い、下記の成膜条件でスパッタリング法により
成膜を行い、その後、熱処理（２００℃、３０分間）を
行って基材上に厚さ２４００Åの透明導電膜（比較試料
IV）を作製した。
【００４２】（成膜条件） ・雰囲気ガス ： Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ，Ｏ2 ＝２ｓ
ｃｃｍ ・雰囲気圧力 ： ６×１０-3Torr ・導入パワー ： ＤＣ２．５Ｗ／ｃｍ2 ・成膜レート ： ７２０Å／分 ・基板温度 ： ６０℃ ・ターゲット材： Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（Ｓｎ
Ｏ2 １０重量％） 上記のように作製した透明導電膜（試料Ｉおよび比較試
料Ｉ〜IV）について、表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて表面状態を撮影（倍率１０万倍）し、結果
を図２乃至図６に示した。また、実施例１と同様にして
比抵抗、透過率および配向膜適性を測定、評価して結果
を下記の表２に示した。
ｃｃｍ ・雰囲気圧力 ： ６×１０-3Torr ・導入パワー ： ＤＣ２．５Ｗ／ｃｍ2 ・成膜レート ： ７２０Å／分 ・基板温度 ： ６０℃ ・ターゲット材： Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 燒結体（Ｓｎ
Ｏ2 １０重量％） 上記のように作製した透明導電膜（試料Ｉおよび比較試
料Ｉ〜IV）について、表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて表面状態を撮影（倍率１０万倍）し、結果
を図２乃至図６に示した。また、実施例１と同様にして
比抵抗、透過率および配向膜適性を測定、評価して結果
を下記の表２に示した。
【００４３】
【表２】 図２に示されるカラーフィルタ基板上に形成した透明導
電膜（試料Ｉ）は、図３に示されるガラス板上に形成し
た透明導電膜（比較試料Ｉ）と同様に、結晶粒が密に存
在して表面が平坦であり、結晶粒の配向方法がある領域
ごとに異なるようなドメインが存在せず、かつ、表２に
示されるようにＸ線回折ピーク強度比Ｉ1 ／Ｉ2 が５以
上であり、結晶性の良好な透明導電膜であった。そし
て、これらの本発明の透明導電膜は、比抵抗が４．０×
１０-4Ω・ｃｍ以下、波長５５０ｎｍにおける透過率が
８０％以上であり、電気的特性および透明性ともに優れ
た透明導電膜であることが確認された。さらに、配向膜
特性も良好であり、液晶ディスプレイ用の透明導電膜と
して実用に供し得るものであった。
電膜（試料Ｉ）は、図３に示されるガラス板上に形成し
た透明導電膜（比較試料Ｉ）と同様に、結晶粒が密に存
在して表面が平坦であり、結晶粒の配向方法がある領域
ごとに異なるようなドメインが存在せず、かつ、表２に
示されるようにＸ線回折ピーク強度比Ｉ1 ／Ｉ2 が５以
上であり、結晶性の良好な透明導電膜であった。そし
て、これらの本発明の透明導電膜は、比抵抗が４．０×
１０-4Ω・ｃｍ以下、波長５５０ｎｍにおける透過率が
８０％以上であり、電気的特性および透明性ともに優れ
た透明導電膜であることが確認された。さらに、配向膜
特性も良好であり、液晶ディスプレイ用の透明導電膜と
して実用に供し得るものであった。
【００４４】これに対して、従来のスパッタリング法に
よりカラーフィルタ基板上に形成された透明導電膜（比
較試料III ）は、成膜時にカラーフィルタから発生した
ガスの影響により図５に示されるように結晶粒塊が生じ
て粗密な膜となり、このため、Ｘ線回折ピーク強度比Ｉ
1 ／Ｉ2 が極めて小さく、比抵抗は不十分なものであっ
た。
よりカラーフィルタ基板上に形成された透明導電膜（比
較試料III ）は、成膜時にカラーフィルタから発生した
ガスの影響により図５に示されるように結晶粒塊が生じ
て粗密な膜となり、このため、Ｘ線回折ピーク強度比Ｉ
1 ／Ｉ2 が極めて小さく、比抵抗は不十分なものであっ
た。
【００４５】一方、比較的低い基材温度でカラーフィル
タ基板上に形成された後、熱処理を施した透明導電膜
（比較試料IV）は、成膜時の脱ガスの発生がなく、図６
に示されるように結晶粒塊が生じて粗密な膜ではあるも
のの、熱処理により比抵抗および透過率が大幅に向上し
ている。しかし、この透明導電膜（比較試料IV）は配向
膜特性が悪く、液晶ディスプレイ用の透明導電膜として
実用に供し得ないものであった。
タ基板上に形成された後、熱処理を施した透明導電膜
（比較試料IV）は、成膜時の脱ガスの発生がなく、図６
に示されるように結晶粒塊が生じて粗密な膜ではあるも
のの、熱処理により比抵抗および透過率が大幅に向上し
ている。しかし、この透明導電膜（比較試料IV）は配向
膜特性が悪く、液晶ディスプレイ用の透明導電膜として
実用に供し得ないものであった。
【００４６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
材が加熱やプラズマの影響により変質、劣化、熱分解を
生じたり脱ガスを生じるような耐熱性の低い基材であっ
ても、この基材がプラズマに曝されることなく透明導電
膜がフォロカソード型イオンプレーティング法によって
成膜されるので、基材の変質、劣化、熱分解等、および
基材からの脱ガスが防止され、成膜された透明導電膜
は、結晶粒を有しＸ線回折法における（２２２）面のピ
ーク強度Ｉ1 と（４００）面のピーク強度Ｉ2 との比Ｉ
1 ／Ｉ2 が５以上である緻密で表面平坦性に優れ膜構造
中に空孔がほとんどない透明導電膜であるため、比抵抗
が０．８×１０-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍと極めて低
いものとなる。また、本発明の透明導電膜は単層構造で
あり１種のエッチング剤によるパターニングが可能であ
り、パターニング特性に優れた透明導電膜が得られる。
さらに、本発明の透明導電膜は、表面平坦性が優れるた
め、液晶ディスプレイ等における配向膜適性を具備する
ものである。
材が加熱やプラズマの影響により変質、劣化、熱分解を
生じたり脱ガスを生じるような耐熱性の低い基材であっ
ても、この基材がプラズマに曝されることなく透明導電
膜がフォロカソード型イオンプレーティング法によって
成膜されるので、基材の変質、劣化、熱分解等、および
基材からの脱ガスが防止され、成膜された透明導電膜
は、結晶粒を有しＸ線回折法における（２２２）面のピ
ーク強度Ｉ1 と（４００）面のピーク強度Ｉ2 との比Ｉ
1 ／Ｉ2 が５以上である緻密で表面平坦性に優れ膜構造
中に空孔がほとんどない透明導電膜であるため、比抵抗
が０．８×１０-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍと極めて低
いものとなる。また、本発明の透明導電膜は単層構造で
あり１種のエッチング剤によるパターニングが可能であ
り、パターニング特性に優れた透明導電膜が得られる。
さらに、本発明の透明導電膜は、表面平坦性が優れるた
め、液晶ディスプレイ等における配向膜適性を具備する
ものである。
【図１】本発明の透明導電膜の製造方法に使用できる横
形フォロカソード型イオンプレーティング装置の一例を
示す構成図である。
形フォロカソード型イオンプレーティング装置の一例を
示す構成図である。
【図２】本発明の透明導電膜を走査型電子顕微鏡で観察
した図面代用写真である。
した図面代用写真である。
【図３】ガラス基板上に形成した透明導電膜を走査型電
子顕微鏡で観察した図面代用写真である。
子顕微鏡で観察した図面代用写真である。
【図４】従来の透明導電膜を走査型電子顕微鏡で観察し
た図面代用写真である。
た図面代用写真である。
【図５】従来の透明導電膜を走査型電子顕微鏡で観察し
た図面代用写真である。
た図面代用写真である。
【図６】従来の透明導電膜を走査型電子顕微鏡で観察し
た図面代用写真である。
た図面代用写真である。
１…フォロカソード型イオンプレーティング装置 ２…真空チャンバー ３…陽極（ハース） ４…基材ホルダー ５…プラズマガン ６…陰極 ７…中間電極 ８…補助コイル １１…蒸発源 １２…基材 １５…プラズマビーム
Claims (6)
- 【請求項１】 耐熱性および耐プラズマ性の低い基材上
に設けられる透明導電膜において、 結晶粒を有し、Ｘ線回折法における（２２２）面のピー
ク強度Ｉ1 と（４００）面のピーク強度Ｉ2 との比Ｉ1
／Ｉ2 が５以上であるとともに、比抵抗が０．８×１０
-4〜３．５×１０-4Ω・ｃｍの範囲であることを特徴と
する透明導電膜。 - 【請求項２】 移動度が３０〜５０ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの
範囲であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電
膜。 - 【請求項３】 波長５５０ｎｍの光に対する透過率が８
０〜１００％であることを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の透明導電膜。 - 【請求項４】 透明導電膜の表面における１００Å以上
の大きさの溝の面積占有率は、１５％以下であることを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の透
明導電膜。 - 【請求項５】 反応性蒸着法を用い、蒸着源と基材との
間にプラズマを形成し、かつ、該プラズマに曝される前
記基材に悪影響が生じないような条件で前記基材上に透
明導電膜を成膜することを特徴とする透明導電膜の製造
方法。 - 【請求項６】 前記条件は、前記基材をプラズマ雰囲気
中あるいは加熱雰囲気中に曝したとき、質量分析計でマ
スナンバー６８以上に該当する出力の分圧比が１×１０
-11 Torr未満を呈するような条件であることを特徴とす
る請求項５に記載の透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25024795A JP3831433B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25024795A JP3831433B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971857A true JPH0971857A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3831433B2 JP3831433B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=17205042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25024795A Expired - Fee Related JP3831433B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3831433B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269338A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | フレキシブル透明電極基板および有機ｅｌディスプレイデバイス |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP25024795A patent/JP3831433B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269338A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | フレキシブル透明電極基板および有機ｅｌディスプレイデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3831433B2 (ja) | 2006-10-11 |
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