JPH0973332A - Constant current supply device - Google Patents
Constant current supply deviceInfo
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- JPH0973332A JPH0973332A JP7226491A JP22649195A JPH0973332A JP H0973332 A JPH0973332 A JP H0973332A JP 7226491 A JP7226491 A JP 7226491A JP 22649195 A JP22649195 A JP 22649195A JP H0973332 A JPH0973332 A JP H0973332A
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- current
- mirror circuit
- current mirror
- thermal coupling
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- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流ミラー回路の出力電流の温度依存性を小
さく又はなくす。
【解決手段】 電流ミラー回路2,3と、該電流ミラー
回路に接続された基準電流源4,17,18と、該電流
ミラー回路の近傍に配置された周囲温度を感知する熱結
合用素子11とを備え、前記熱結合用素子11により周
囲温度を感知し、前記基準電流源にフィードバックする
ことで、前記電流ミラー回路の出力電流の温度依存性を
小さく又はなくす。
(57) Abstract: The temperature dependence of the output current of a current mirror circuit is reduced or eliminated. Kind Code: A1 Current mirror circuits 2, 3, reference current sources 4, 17, 18 connected to the current mirror circuits, and a thermal coupling element 11 arranged in the vicinity of the current mirror circuits for sensing ambient temperature. And the ambient temperature is sensed by the thermal coupling element 11 and fed back to the reference current source to reduce or eliminate the temperature dependency of the output current of the current mirror circuit.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は定電流供給装置に係
わり、特に温度補償機能を有する定電流供給装置に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a constant current supply device, and more particularly to a constant current supply device having a temperature compensation function.
【0002】[0002]
【従来の技術】図16は、従来から知られている電流ミ
ラー回路を示す回路図である。図16において、1は基
準電流源、4は電圧源(Vcc)である。2及び3は電
流ミラー回路を構成するPMOSトランジスタであり、
PMOSトランジスタ2のドレインゲートショート端に
は基準電流源1が接続され、このドレイン電流値がPM
OSトランジスタ3の出力電流にミラーされる。5はG
ND(接地)電位点である。2. Description of the Related Art FIG. 16 is a circuit diagram showing a conventionally known current mirror circuit. In FIG. 16, 1 is a reference current source and 4 is a voltage source (Vcc). 2 and 3 are PMOS transistors forming a current mirror circuit,
The reference current source 1 is connected to the drain gate short end of the PMOS transistor 2, and the drain current value is PM.
It is mirrored by the output current of the OS transistor 3. 5 is G
This is the ND (ground) potential point.
【0003】図17は、特開平5−243654号公報
に示されているカソードコモンタイプのレーザ駆動回路
を示す回路図である。図17において、1はレーザダイ
オード9の駆動電流を決定するための基準電流源であ
り、通常、レーザダイオード9の発光量をホトダイオー
ド(図示せず)でモニタしてその出力電流が一定になる
ように制御される。電流ミラー回路を構成するPMOS
トランジスタ2,3の動作は図16に示したものと同じ
である。PMOSトランジスタ3のドレイン出力は、N
PNトランジスタ6のコレクタベースショート端にミラ
ーされる。NPNトランジスタ7のベースはNPNトラ
ンジスタ6のコレクタベースショート端と接続されてお
り、これら両NPNトランジスタ6及び7で電流ミラー
回路を構成している。ここで、NPNトランジスタ6及
び7のエミッタ面積比を1:Nにしておくことにより、
共通エミッタ端からはPMOSトランジスタ3のドレイ
ン出力電流の(1+N)倍の電流を出力できる。9はレ
ーザダイオードであり、そのカソードはGND(接地)
電位点5に接続され、またアノードはNPNトランジス
タ6及び7の共通エミッタ端に接続されている。Nチャ
ンネルのMOSトランジスタ8はスイッチング用トラン
ジスタであり、制御信号入力端子10がHIレベルの時
ONし、PMOSトランジスタ3の電流出力を吸い込
み、NPNトランジスタ6のコレクタベースショート端
には電流は流れず、NPNトランジスタ6及び7で構成
される電流ミラー回路はOFFし、レーザ駆動電流は0
となる。またNMOSトランジスタ8は、制御信号入力
端子10がLOWレベルの時OFFし、PMOSトラン
ジスタ3の電流出力は、NPNトランジスタ6及び7で
構成される電流ミラー回路で(1+N)倍され、レーザ
ダイオード9を駆動する。FIG. 17 is a circuit diagram showing a cathode common type laser drive circuit disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-243654. In FIG. 17, reference numeral 1 is a reference current source for determining the drive current of the laser diode 9. Normally, the light emission amount of the laser diode 9 is monitored by a photodiode (not shown) so that the output current becomes constant. Controlled by. PMOS forming a current mirror circuit
The operations of the transistors 2 and 3 are the same as those shown in FIG. The drain output of the PMOS transistor 3 is N
It is mirrored at the collector base short end of the PN transistor 6. The base of the NPN transistor 7 is connected to the collector base short end of the NPN transistor 6, and these NPN transistors 6 and 7 form a current mirror circuit. Here, by setting the emitter area ratio of the NPN transistors 6 and 7 to 1: N,
A current (1 + N) times the drain output current of the PMOS transistor 3 can be output from the common emitter end. 9 is a laser diode, the cathode of which is GND (ground)
It is connected to the potential point 5 and the anode is connected to the common emitter end of the NPN transistors 6 and 7. The N-channel MOS transistor 8 is a switching transistor, which is turned on when the control signal input terminal 10 is at the HI level, absorbs the current output of the PMOS transistor 3, and does not flow into the collector-base short end of the NPN transistor 6, The current mirror circuit composed of NPN transistors 6 and 7 is turned off, and the laser drive current is 0.
Becomes The NMOS transistor 8 is turned off when the control signal input terminal 10 is at the LOW level, the current output of the PMOS transistor 3 is multiplied by (1 + N) by the current mirror circuit composed of the NPN transistors 6 and 7, and the laser diode 9 is turned on. To drive.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図16
で示した電流ミラー回路の従来例では、電流ミラー回路
自身も発熱源となっているため、電流の流し始めと終わ
りでは周囲温度が変化しPMOSトランジスタ2及び3
のしきい値電圧VTHが連動し、出力電流が温度依存性を
持つという課題があった。However, FIG.
In the conventional example of the current mirror circuit shown in, since the current mirror circuit itself is also a heat source, the ambient temperature changes at the beginning and end of the current flow, and the PMOS transistors 2 and 3
There is a problem that the threshold voltage V TH of the above is interlocked and the output current has temperature dependency.
【0005】また、図17に示したカソードコモンタイ
プのレーザ駆動回路の従来例では、PMOS電流ミラー
回路以外にも、NPN電流ミラー回路自身発熱源となっ
ているため、周囲温度が変化し、PMOSトランジスタ
2及び3のしきい値電圧VTH以外にも、NPNトランジ
スタ6及び7のベース・エミッタ電圧VBEが変動し、レ
ーザ駆動電流が温度依存性を持つという課題があった。
そのため、前記レーザ駆動回路を使用したレーザビーム
プリンタで真黒な原稿を印刷した場合、最初と最後での
前記レーザ駆動回路の周囲温度に差異が生じ、画像に濃
度差が出るという課題があった。Further, in the conventional example of the cathode common type laser drive circuit shown in FIG. 17, since the NPN current mirror circuit itself is a heat source in addition to the PMOS current mirror circuit, the ambient temperature changes and the PMOS In addition to the threshold voltage V TH of the transistors 2 and 3, the base-emitter voltage V BE of the NPN transistors 6 and 7 fluctuates, and there is a problem that the laser drive current has temperature dependence.
Therefore, when a black-colored original is printed by a laser beam printer using the laser drive circuit, there is a problem that a difference occurs in the ambient temperature of the laser drive circuit at the beginning and the end, resulting in a density difference in an image.
【0006】よって、本発明の目的は、上述の点に鑑
み、電流ミラー回路の出力電流の温度依存性を小さく又
はなくすことにある。Therefore, in view of the above points, an object of the present invention is to reduce or eliminate the temperature dependence of the output current of the current mirror circuit.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の定電流供給装置は、電流ミラー回路と、該
電流ミラー回路に接続された基準電流源と、該電流ミラ
ー回路の近傍に配置された周囲温度を感知する熱結合用
素子とを備え、前記熱結合用素子により周囲温度を感知
し、前記基準電流源にフィードバックすることで、前記
電流ミラー回路の出力電流の温度依存性を小さく又はな
くしたことを特徴とする。To achieve the above object, a constant current supply device of the present invention includes a current mirror circuit, a reference current source connected to the current mirror circuit, and a vicinity of the current mirror circuit. And a thermal coupling element for sensing the ambient temperature, the ambient temperature is sensed by the thermal coupling element and fed back to the reference current source to determine the temperature dependence of the output current of the current mirror circuit. Characterized by being small or eliminated.
【0008】また、本発明の定電流供給装置は、電流ミ
ラー回路が複数段設けられ、前段の電流ミラー回路の出
力電流が後段の電流ミラー回路の基準電流となっている
定電流供給装置において、複数段の電流ミラー回路のう
ちの少なくとも一つの電流ミラー回路の近傍に熱結合用
素子を配置し、該熱結合用素子により周囲温度を感知
し、該熱結合用素子の近傍の電流ミラー回路に供給され
る基準電流にフィードバックすることで、該電流ミラー
回路の出力電流の温度依存性を小さく又はなくしたこと
を特徴とする。The constant current supply device of the present invention is a constant current supply device in which a plurality of stages of current mirror circuits are provided, and the output current of the current mirror circuit of the preceding stage is the reference current of the current mirror circuit of the following stage. A thermal coupling element is arranged in the vicinity of at least one current mirror circuit of a plurality of current mirror circuits, the ambient temperature is sensed by the thermal coupling element, and a current mirror circuit in the vicinity of the thermal coupling element is provided. By feeding back to the supplied reference current, the temperature dependence of the output current of the current mirror circuit is reduced or eliminated.
【0009】さらに、本発明の定電流供給装置は、上記
本発明の定電流供給装置において、前記熱結合用素子
と、少なくとも前記電流ミラー回路の一部または全部を
共通の配線層で被うようにしたことを特徴とする。Further, in the constant current supply apparatus of the present invention, in the constant current supply apparatus of the present invention, the thermal coupling element and at least a part or all of the current mirror circuit are covered with a common wiring layer. It is characterized by having done.
【0010】なお、本発明において、熱結合用素子は電
流ミラー回路の一部又は全部(好ましくは発熱の大きい
領域)の近傍に配置される。例えば電流ミラー回路が二
つのバイポーラ型トランジスタで構成される場合は、熱
結合用素子を、一つ又は二つのバイポーラトランジスタ
の近傍に配置する、或は一つ又は二つのバイポーラトラ
ンジスタのコレクタ、エミッタ、ベース、配線等の一部
(一つ或は二以上)又は全部の近傍に配置することがで
きる。電流ミラー回路が複数設けられた場合には更に熱
結合用素子を複数の電流ミラー回路の近傍に配置するこ
とができる。In the present invention, the thermal coupling element is arranged in the vicinity of a part or the whole of the current mirror circuit (preferably a large heat generation region). For example, when the current mirror circuit is composed of two bipolar type transistors, the thermal coupling element is arranged in the vicinity of one or two bipolar transistors, or the collector and emitter of one or two bipolar transistors, It can be arranged in the vicinity of a part (one or more) or all of the base, wiring and the like. When a plurality of current mirror circuits are provided, the thermal coupling element can be further arranged near the plurality of current mirror circuits.
【0011】[0011]
(作用)上記本発明によれば、電流ミラー回路の出力電
流の温度依存性を小さく又はなくすことができる。ま
た、前記電流ミラー回路の出力電流で半導体レーザを駆
動する場合にはレーザ駆動電流の温度依存性を低減又は
なくすことができ、レーザ駆動電流が決定されるレーザ
ビームプリンタにおいては、画像濃度の均一化が図れ
る。(Operation) According to the present invention, the temperature dependence of the output current of the current mirror circuit can be reduced or eliminated. Further, when the semiconductor laser is driven by the output current of the current mirror circuit, the temperature dependence of the laser drive current can be reduced or eliminated, and in the laser beam printer in which the laser drive current is determined, the image density is uniform. Can be realized.
【0012】さらに、熱結合用素子と電流ミラー回路の
一部又は全部とを共通の配線層で被うようにすれば、配
線層の高い熱伝導率を利用して、熱結合用素子の周囲温
度感知特性の向上を図ることができる。Further, if the thermal coupling element and a part or all of the current mirror circuit are covered with a common wiring layer, the high thermal conductivity of the wiring layer can be utilized to surround the thermal coupling element. It is possible to improve the temperature sensing characteristics.
【0013】(実施の形態)以下、本発明の実施形態に
ついて図面を用いて説明する。(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態を示す回路構成図である。同図において、1
2〜15は直列接続された抵抗群であり、該抵抗群の両
端はGND(接地)点5及び電源(Vcc)4に接続さ
れている。11は熱結合用PNPトランジスタであり、
抵抗13及び14と並列に接続されている。16及び1
7はバッファ回路で、抵抗13及び14の共通接点電位
Vcontをバッファする。18は基準電流(Iref)設定
用抵抗である。2及び3は電流ミラー回路を構成するP
MOSトランジスタであり、PMOSトランジスタ2の
ドレインゲートショート端にはNPNトランジスタ17
のコレクタに接続され、このドレイン電流値がPMOS
トランジスタ3の出力電流にミラーされる。ここで、基
準電流源は電源4、NPNトランジスタ17、抵抗18
である。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
2 is a circuit configuration diagram showing an embodiment of FIG. In the figure, 1
2 to 15 are resistance groups connected in series, and both ends of the resistance group are connected to a GND (ground) point 5 and a power supply (Vcc) 4. 11 is a PNP transistor for thermal coupling,
It is connected in parallel with the resistors 13 and 14. 16 and 1
A buffer circuit 7 buffers the common contact potential Vcont of the resistors 13 and 14. Reference numeral 18 is a reference current (Iref) setting resistor. 2 and 3 are P constituting a current mirror circuit
It is a MOS transistor, and the NPN transistor 17 is provided at the drain gate short end of the PMOS transistor 2.
Connected to the collector of the
It is mirrored by the output current of the transistor 3. Here, the reference current source is the power supply 4, the NPN transistor 17, the resistor 18
It is.
【0015】次に上記構成におけるVcontは以下の式で
示される。Next, Vcont in the above configuration is expressed by the following equation.
【0016】[0016]
【数1】 (但し、VBE:熱結合用PNPトランジスタ11のベ
ース・エミッタ電圧) 熱結合用PNPトランジスタ11を、PMOSトランジ
スタ2及び3で構成される電流ミラー回路近傍に配置す
ることで、Vcontは以下に示す温度特性を持つ。[Equation 1] (However, VBE: base-emitter voltage of the thermal coupling PNP transistor 11) By disposing the thermal coupling PNP transistor 11 in the vicinity of the current mirror circuit configured by the PMOS transistors 2 and 3, Vcont is set to the temperature shown below. It has characteristics.
【0017】[0017]
【数2】 (2)式より、基準電流(Iref)は以下の温度特性を
持つ。[Equation 2] From the equation (2), the reference current (Iref) has the following temperature characteristics.
【0018】[0018]
【数3】 但し、基準電流設定用抵抗18は温度変化の少ない場所
に配置することで ∂RC/∂T=0 と仮定する。(Equation 3) However, it is assumed that ∂RC / ∂T = 0 by arranging the reference current setting resistor 18 in a place where the temperature change is small.
【0019】(3)式の値を、PMOSトランジスタ2
及び3で構成されるPMOS電流ミラー回路の出力電流
の温度特性と極性の異なる同じ値に設定することで、出
力電流の温度依存性を小さく又はなくすことができる。The value of the equation (3) is used as the PMOS transistor 2
The temperature dependence of the output current can be reduced or eliminated by setting the temperature characteristics of the output current of the PMOS current mirror circuit configured by 3 and 3 to the same value with different polarities.
【0020】また、図1の中で使用しているPMOS電
流ミラー回路の代わりに、PNP電流ミラー回路を使用
したり、熱結合用素子として、PNPトランジスタの代
わりに、NPNトランジスタ、PMOSトランジスタ、
NMOSトランジスタ、抵抗等を使用することも可能で
ある。 (第2の実施形態)図2は本発明の第2の実施形態を示
す回路構成図である。本実施形態では図1に示した第1
の実施形態のPMOS電流ミラー回路の出力電流が、N
PNトランジスタ6及び7で構成される電流ミラー回路
の基準電流となっている。前記NPNトランジスタ6,
7のエミッタ面積を1:Nとすることで共通エミッタ端
からは、PMOS電流ミラー回路の出力電流の(1+
N)倍の出力電流が得られる。Further, a PNP current mirror circuit may be used instead of the PMOS current mirror circuit used in FIG. 1, or an NPN transistor, a PMOS transistor, instead of a PNP transistor may be used as a thermal coupling element.
It is also possible to use NMOS transistors, resistors and the like. (Second Embodiment) FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the first shown in FIG.
The output current of the PMOS current mirror circuit of the embodiment is N
It is the reference current of the current mirror circuit composed of the PN transistors 6 and 7. The NPN transistor 6,
By setting the emitter area of 7 to 1: N, the output current of the PMOS current mirror circuit is (1+
N) times the output current is obtained.
【0021】Nが大きい場合、NPNトランジスタ7に
は、他のトランジスタに較べ大電流が流れ、温度変化も
大きいため、該近傍に熱結合用素子を配置することは好
適である。 (第3の実施形態)図3は図1に示した第1の実施形態
の変形例である。熱結合用素子として、図1ではPNP
トランジスタを使用している代わりに、図3ではNMO
Sトランジスタ19を使用している。図1ではPMOS
トランジスタで構成される電流ミラー回路を使用してい
るが、図3ではNPNトランジスタ21,22で構成さ
れる電流ミラー回路を使用している。また図1中NPN
トランジスタ17の代わりに図3ではPNPトランジス
タ20を使用している。そして、NMOSトランジスタ
19はNPNトランジスタ21,22で構成される電流
ミラー回路近傍に配置されている。When N is large, a large current flows through the NPN transistor 7 as compared with other transistors, and the temperature change is large, so it is preferable to dispose a thermal coupling element in the vicinity thereof. (Third Embodiment) FIG. 3 is a modification of the first embodiment shown in FIG. In FIG. 1, a PNP is used as a thermal coupling element.
Instead of using transistors, in FIG.
The S transistor 19 is used. In Figure 1, PMOS
Although the current mirror circuit composed of transistors is used, in FIG. 3, the current mirror circuit composed of NPN transistors 21 and 22 is used. In addition, NPN in FIG.
Instead of the transistor 17, a PNP transistor 20 is used in FIG. The NMOS transistor 19 is arranged near the current mirror circuit formed by the NPN transistors 21 and 22.
【0022】上記構成における基準電流(Iref)の温
度特性を以下に示す。The temperature characteristics of the reference current (Iref) in the above structure are shown below.
【0023】[0023]
【数4】 (但し、VGS:熱結合用PMOSトランジスタ19の
ゲート・ソース電圧) (第4の実施形態)図4は図2に示した第2の実施形態
の変形例である。図4中、添字23,24が付けられた
素子(PNPトランジスタ)以外の主な変更箇所は図3
で説明したので省略する。図2ではNPNトランジスタ
6及び7で構成される電流ミラー回路を使用している代
わりに、図4ではPNPトランジスタ23,24を使用
している。 (第5の実施形態)図5及び図6は、それぞれ図1及び
図2に示した回路の出力電流が、カソードコモンタイプ
のレーザダイオード9を駆動する実施形態を示す図であ
る。すなわち、レーザダイオード9のアノード端が電流
ミラー回路の出力端に接続され、カソード端が接地(G
ND)点5に接続されている。 (第6の実施形態)図7及び図8は、図3及び図4に示
した回路の出力電流がアノードコモンタイプのレーザダ
イオード9を駆動する実施形態である。すなわち、レー
ザダイオード9のカソード端が電流ミラー回路の出力端
に接続され、アノード端が電源(Vcc)点4に接続さ
れている。 (第7の実施形態)図9は、本発明の第7の実施形態を
示す平面図である。同図において、添字2,3,6,
7,11が付けられた素子は、図6の同じ添字の付けら
れた素子に対応する。25は第1の配線層である。(Equation 4) (However, VGS: gate-source voltage of thermal coupling PMOS transistor 19) (Fourth Embodiment) FIG. 4 is a modification of the second embodiment shown in FIG. In FIG. 4, the main changes other than the elements (PNP transistors) with the subscripts 23 and 24 are shown in FIG.
Since it has been described above, it will be omitted. Instead of using the current mirror circuit composed of NPN transistors 6 and 7 in FIG. 2, PNP transistors 23 and 24 are used in FIG. (Fifth Embodiment) FIGS. 5 and 6 are views showing an embodiment in which the output currents of the circuits shown in FIGS. 1 and 2 drive a laser diode 9 of a common cathode type. That is, the anode end of the laser diode 9 is connected to the output end of the current mirror circuit, and the cathode end is grounded (G
ND) connected to point 5. (Sixth Embodiment) FIGS. 7 and 8 show an embodiment in which the output current of the circuits shown in FIGS. 3 and 4 drives a laser diode 9 of common anode type. That is, the cathode end of the laser diode 9 is connected to the output end of the current mirror circuit, and the anode end is connected to the power supply (Vcc) point 4. (Seventh Embodiment) FIG. 9 is a plan view showing a seventh embodiment of the present invention. In the figure, subscripts 2, 3, 6,
The elements labeled with 7 and 11 correspond to the elements labeled with the same subscript in FIG. Reference numeral 25 is a first wiring layer.
【0024】上記構成において、熱結合用PNPトラン
ジスタ11は周囲温度感知のため、PMOSトランジス
タ2,3、及びNPNトランジスタ6,7で構成される
電流ミラー回路近傍に配置している。 (第8の実施形態)図10は図9に示した実施形態にお
いて、さらなる周囲温度感知性向上のために、第2の配
線26を用いて、熱結合用PNPトランジスタの一部分
としてコレクタと、PMOSトランジスタ2及び3で構
成される電流ミラー回路の一部分として前記PMOSト
ランジスタ2のドレインを被っている。 (第9の実施形態)図11は図10に示した実施形態の
変形例である。図11において、第2の配線層26は熱
結合用PNPトランジスタ11全体を被っている。 (第10の実施形態)図12は図10で示した実施形態
の変形例である。図12において、第2の配線層26は
熱結合用PNPトランジスタ11の一部分と、NPNト
ランジスタ6及び7で構成される電流ミラー回路の一部
分として前記NPNトランジスタ6全体を被っている。 (第11の実施形態)図13は図10で示した実施形態
の変形例である。図13において、第2の配線層26は
熱結合用PNPトランジスタ11の全体と、NPNトラ
ンジスタ6及び7で構成される電流ミラー回路の一部分
として、前記NPNトランジスタ6及び7の両エミッタ
を被っている。 (第12の実施形態)図14は図10で示した実施形態
の変形例である。図14において、第2の配線層26は
熱結合用PNPトランジスタ11全体と、NPNトラン
ジスタ6及び7で構成される電流ミラー回路全体を被っ
ている。 (第13の実施形態)図15は図10で示した実施形態
の変形例である。図15において、第2の配線層26は
熱結合用PNPトランジスタ11全体と、NPNトラン
ジスタ6及び7以外にも、PMOSトランジスタ2及び
3で構成される電流ミラー回路、そして電源(Vcc)
を被っている。In the above structure, the thermal coupling PNP transistor 11 is arranged near the current mirror circuit composed of the PMOS transistors 2 and 3 and the NPN transistors 6 and 7 for sensing the ambient temperature. (Eighth Embodiment) FIG. 10 is a circuit diagram of the embodiment shown in FIG. 9, in which the second wiring 26 is used to further improve the ambient temperature sensitivity by using a collector and a PMOS as a part of the PNP transistor for thermal coupling. It covers the drain of the PMOS transistor 2 as part of a current mirror circuit consisting of transistors 2 and 3. (Ninth Embodiment) FIG. 11 is a modification of the embodiment shown in FIG. In FIG. 11, the second wiring layer 26 covers the entire PNP transistor 11 for thermal coupling. (Tenth Embodiment) FIG. 12 is a modification of the embodiment shown in FIG. In FIG. 12, the second wiring layer 26 covers a part of the thermal coupling PNP transistor 11 and the entire NPN transistor 6 as a part of the current mirror circuit composed of the NPN transistors 6 and 7. (Eleventh Embodiment) FIG. 13 is a modification of the embodiment shown in FIG. In FIG. 13, the second wiring layer 26 covers both the thermal coupling PNP transistor 11 and both emitters of the NPN transistors 6 and 7 as a part of the current mirror circuit composed of the NPN transistors 6 and 7. . (Twelfth Embodiment) FIG. 14 is a modification of the embodiment shown in FIG. In FIG. 14, the second wiring layer 26 covers the entire thermal coupling PNP transistor 11 and the entire current mirror circuit composed of the NPN transistors 6 and 7. (Thirteenth Embodiment) FIG. 15 is a modification of the embodiment shown in FIG. In FIG. 15, the second wiring layer 26 includes the entire PNP transistor 11 for thermal coupling, the current mirror circuit including the PMOS transistors 2 and 3 in addition to the NPN transistors 6 and 7, and the power supply (Vcc).
Is wearing
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電流ミラー回路近傍に熱結合用素子を配置し、周囲温度
を感知し、基準電流にフィードバックすることで、出力
電流の温度依存性を小さく又はなくすことができる。As described above, according to the present invention,
By disposing the thermal coupling element in the vicinity of the current mirror circuit, sensing the ambient temperature, and feeding it back to the reference current, the temperature dependence of the output current can be reduced or eliminated.
【0026】また、電流ミラー回路の出力電流でレーザ
駆動電流が決定されるレーザビームプリンタにおいて
は、画像濃度の均一化を図ることができる。Further, in the laser beam printer in which the laser drive current is determined by the output current of the current mirror circuit, the image density can be made uniform.
【0027】さらに、熱結合用素子と、少なくとも電流
ミラー回路の一部または全部を共通の配線層で被うこと
で、熱結合用素子の周囲温度感知性向上を図ることがで
きる。Further, by covering the thermal coupling element and at least part or all of the current mirror circuit with a common wiring layer, it is possible to improve the ambient temperature sensitivity of the thermal coupling element.
【図1】本発明の第1の実施形態を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施形態を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図3】図1に示した実施形態の変形例を示す回路図で
ある。FIG. 3 is a circuit diagram showing a modification of the embodiment shown in FIG.
【図4】図2に示した実施形態の変形例を示す回路図で
ある。FIG. 4 is a circuit diagram showing a modified example of the embodiment shown in FIG.
【図5】図1に示した実施形態の変形例を示す回路図で
ある。5 is a circuit diagram showing a modification of the embodiment shown in FIG.
【図6】図2に示した実施形態の変形例を示す回路図で
ある。FIG. 6 is a circuit diagram showing a modification of the embodiment shown in FIG.
【図7】図3に示した実施形態の変形例を示す回路図で
ある。FIG. 7 is a circuit diagram showing a modification of the embodiment shown in FIG.
【図8】図4に示した実施形態の変形例を示す回路図で
ある。FIG. 8 is a circuit diagram showing a modification of the embodiment shown in FIG.
【図9】本発明の第7の実施形態を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a seventh embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第8の実施形態を示す平面図であ
る。FIG. 10 is a plan view showing an eighth embodiment of the present invention.
【図11】図10に示した実施形態の変形例を示す平面
図である。11 is a plan view showing a modification of the embodiment shown in FIG.
【図12】図10に示した実施形態の変形例を示す平面
図である。12 is a plan view showing a modified example of the embodiment shown in FIG.
【図13】図10に示した実施形態の変形例を示す平面
図である。13 is a plan view showing a modified example of the embodiment shown in FIG.
【図14】図10に示した実施形態の変形例を示す平面
図である。14 is a plan view showing a modification of the embodiment shown in FIG.
【図15】図10に示した実施形態の変形例を示す平面
図である。15 is a plan view showing a modified example of the embodiment shown in FIG.
【図16】従来から知られている電流ミラー回路を示す
図である。FIG. 16 is a diagram showing a conventionally known current mirror circuit.
【図17】従来から知られているカソードコモンタイプ
のレーザダイオード駆動回路を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing a conventionally known cathode common type laser diode drive circuit.
1 基準電流源 2 PMOSトランジスタ 3 PMOSトランジスタ 4 電源Vcc 5 グランドGND 6 NPNトランジスタ 7 NPNトランジスタ 8 スイッチング用NMOSトランジスタ 9 レーザダイオード 10 制御信号入力端子 11 熱結合用PNPトランジスタ 12 抵抗 13 抵抗 14 抵抗 15 抵抗 16 OPアンプ 17 NPNトランジスタ 18 基準電流設定用抵抗 19 熱結合用NMOSトランジスタ 20 PNPトランジスタ 21 NPNトランジスタ 22 NPNトランジスタ 23 PNPトランジスタ 24 PNPトランジスタ 25 第1の配線層 26 第2の配線層 1 Reference Current Source 2 PMOS Transistor 3 PMOS Transistor 4 Power Supply Vcc 5 Ground GND 6 NPN Transistor 7 NPN Transistor 8 Switching NMOS Transistor 9 Laser Diode 10 Control Signal Input Terminal 11 Thermal Coupling PNP Transistor 12 Resistor 13 Resistor 14 Resistor 15 Resistor 16 OP amplifier 17 NPN transistor 18 Reference current setting resistor 19 Thermal coupling NMOS transistor 20 PNP transistor 21 NPN transistor 22 NPN transistor 23 PNP transistor 24 PNP transistor 25 First wiring layer 26 Second wiring layer
Claims (6)
接続された基準電流源と、該電流ミラー回路の近傍に配
置された周囲温度を感知する熱結合用素子とを備え、 前記熱結合用素子により周囲温度を感知し、前記基準電
流源にフィードバックすることで、前記電流ミラー回路
の出力電流の温度依存性を小さく又はなくしたことを特
徴とする定電流供給装置。1. A current mirror circuit, a reference current source connected to the current mirror circuit, and a thermal coupling element disposed near the current mirror circuit for sensing an ambient temperature. A constant current supply device characterized in that temperature dependency of an output current of the current mirror circuit is reduced or eliminated by sensing ambient temperature by an element and feeding back to the reference current source.
て、前記電流ミラー回路の出力電流が半導体発光素子を
駆動するものであることを特徴とする定電流供給装置。2. The constant current supply device according to claim 1, wherein the output current of the current mirror circuit drives a semiconductor light emitting element.
装置において、前記熱結合用素子と、少なくとも前記電
流ミラー回路の一部または全部を共通の配線層で被うこ
とを特徴とする定電流供給装置。3. The constant current supply device according to claim 1, wherein the thermal coupling element and at least a part or all of the current mirror circuit are covered with a common wiring layer. Constant current supply device.
の電流ミラー回路の出力電流が後段の電流ミラー回路の
基準電流となっている定電流供給装置において、 複数段の電流ミラー回路のうちの少なくとも一つの電流
ミラー回路の近傍に熱結合用素子を配置し、該熱結合用
素子により周囲温度を感知し、該熱結合用素子の近傍の
電流ミラー回路に供給される基準電流にフィードバック
することで、該電流ミラー回路の出力電流の温度依存性
を小さく又はなくしたことを特徴とする定電流供給装
置。4. A constant current supply device in which a plurality of stages of current mirror circuits are provided, and the output current of the current mirror circuit of the preceding stage serves as a reference current of the current mirror circuit of the succeeding stage. Arranging a thermal coupling element near at least one current mirror circuit, sensing an ambient temperature by the thermal coupling element, and feeding back to a reference current supplied to a current mirror circuit near the thermal coupling element. The constant current supply device characterized in that the temperature dependence of the output current of the current mirror circuit is reduced or eliminated.
て、最終段の電流ミラー回路の出力電流が半導体発光素
子を駆動するものであることを特徴とする定電流供給装
置。5. The constant current supply apparatus according to claim 4, wherein the output current of the current mirror circuit at the final stage drives the semiconductor light emitting element.
装置において、前記熱結合用素子と、少なくとも前記複
数段ある電流ミラー回路の一部または全部を共通の配線
層で被うことを特徴とする定電流供給装置。6. The constant current supply device according to claim 4 or 5, wherein the thermal coupling element and at least a part or all of the current mirror circuits having a plurality of stages are covered with a common wiring layer. Characteristic constant current supply device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226491A JPH0973332A (en) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | Constant current supply device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226491A JPH0973332A (en) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | Constant current supply device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973332A true JPH0973332A (en) | 1997-03-18 |
Family
ID=16845942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7226491A Pending JPH0973332A (en) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | Constant current supply device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0973332A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006158193A (en) * | 2004-11-18 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High efficiency and high slew rate switching regulator / amplifier |
| CN112904923A (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-04 | 瑞昱半导体股份有限公司 | Current generating circuit |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP7226491A patent/JPH0973332A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006158193A (en) * | 2004-11-18 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High efficiency and high slew rate switching regulator / amplifier |
| CN112904923A (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-04 | 瑞昱半导体股份有限公司 | Current generating circuit |
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| A02 | Decision of refusal |
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