JPH0973769A - ディジタルrfメモリ装置 - Google Patents

ディジタルrfメモリ装置

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JPH0973769A
JPH0973769A JP7226205A JP22620595A JPH0973769A JP H0973769 A JPH0973769 A JP H0973769A JP 7226205 A JP7226205 A JP 7226205A JP 22620595 A JP22620595 A JP 22620595A JP H0973769 A JPH0973769 A JP H0973769A
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JP
Japan
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signal
address
memory
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JP7226205A
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Inventor
Tomoaki Murakami
友章 村上
Tomohiro Haruta
朋広 春田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は位相ずれの無い繰り返し信号の再生を
可能とすることによりスプリアスを抑圧することができ
るディジタルRFメモリ装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】手段11でRF信号をディジタル信号(D
信号)に変換し、手段12でD信号の記憶/再生を行
い、再生D信号を手段13でアナログ信号に変換するデ
ィジタルRFメモリ装置であって、手段14で、D信号
を手段12の任意区間のアドレスA0 〜An の記憶領域
に記憶する制御と、D信号記憶先頭から複数個のアドレ
スA0 〜A0+n の記憶領域のD信号振幅値を検出し、検
出振幅値と一致する振幅値のD信号の記憶領域のアドレ
スAL を検出し、先頭アドレスA0 から検索アドレスA
L 間のアドレスを再生アドレスA0 〜AL として記憶し
ておき、再生アドレスA0 〜AL の記憶領域に記憶され
たD信号を読み出す制御を行うように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はパルス変調等のかか
った広帯域のRF(Radio Frequency) 信号の記憶/再生
を行うディジタルRFメモリ装置(DRFM)に関す
る。
【0002】このDRFMは、レーダーのトランスポン
ダやリピータ、ジャマー等のアナログ信号の記憶と再生
が必要となる装置、違法電波の探索や医療分野等の信号
の記憶/再生が必要となる装置に適用されるものであ
り、より精度の高い信号波形の記憶/再生が要望されて
いる。
【0003】
【従来の技術】DRFMは、パルス変調等のかかった複
雑な信号波形の記憶/再生が可能であり、瞬時の信号波
形の記憶と、所望時間に所望の信号波形を再生できるよ
うになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のDRFMにおいては、図18に示すように、記憶信
号波形1,2の繰り返し再生を行い、再生信号波形3を
得た場合に、符号4で示すように波形のつなぎ目に位相
ずれが生じ、スプリアス増大の要因となる問題があっ
た。
【0005】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、位相ずれの無い繰り返し信号の再生を可能
とすることによりスプリアスを抑圧することができるデ
ィジタルRFメモリ装置を提供することを目的としてい
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】図1に本発明の原理図を
示す。図中、11はA/D変換手段であり、RF信号を
ディジタル信号に変換するものである。12はメモリ手
段であり、ディジタル信号の記憶/再生を行うものであ
る。
【0007】14はメモリ制御手段であり、ディジタル
信号をメモリ手段12の任意区間のアドレスA0 〜An
の記憶領域に記憶する制御と、ディジタル信号が記憶さ
れた先頭から複数個のアドレスA0 〜A0+n の記憶領域
に記憶された複数の基準となる振幅値を検出し、この検
出された複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値の先
頭の振幅値が記憶された記憶領域のアドレスAL を検出
し、先頭アドレスA0から検出アドレスAL 間のアドレ
スを再生アドレスA0 〜AL として記憶し、該再生アド
レスA0 〜AL の記憶領域に記憶されたディジタル信号
を読み出す制御を行うものである。
【0008】13はD/A変換手段であり、メモリ手段
12から読み出されたディジタル信号をアナログ信号に
変換するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図2は本発明の第1実施形
態によるDRFMのブロック構成図である。
【0010】図2において、符号11はA/D変換部、
12はメモリ部、13はD/A変換部、14はメモリ制
御部である。A/D変換部11は、入力されるアナログ
のRF信号をディジタル信号に変換してメモリ部12へ
出力するものである。
【0011】メモリ部12は、A/D変換部11から出
力されるディジタル信号の記憶/再生を行うものであ
る。メモリ制御部14は、メモリ部12へのディジタル
信号の記憶/再生の制御を行うものである。記憶制御
は、ディジタル信号を所定周期分、メモリ部12の図3
に示すアドレスA0 〜An の記憶領域に記憶するように
制御するものである。但し、図3にはディジタル信号を
変換前のアナログ信号波形で示した。
【0012】再生制御は、まず、ディジタル信号が記憶
された先頭から複数個のアドレスA 0 〜A0+n の記憶領
域に記憶されたディジタル信号の各々の振幅値(複数の
基準振幅値)を検出し、複数の基準振幅値と一致(同配
列で且つ同値)する複数の振幅値をアドレスの記憶領域
を順番に検索することによって検出する。
【0013】複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値
が検出された場合、その検出された複数の振幅値の先頭
の振幅値が記憶されたメモリ部12の記憶領域のアドレ
スA L を検出し、先頭アドレスA0 〜検索アドレスAL
間のアドレスを、再生アドレスA0 〜AL として再生ア
ドレス記憶部19に記憶しておき、メモリ部12からの
読み出し時に、その再生アドレスA0 〜AL に対応する
アドレスの記憶領域に記憶されたディジタル信号が読み
だされるように制御する。
【0014】先頭アドレスA0 の振幅値と検索アドレス
L の振幅値とは同値なので、1回の再生制御で1周期
分の信号波形が読みだされるようになる。D/A変換部
13は、メモリ部12から出力されるディジタル信号を
アナログ信号に変換して出力するものである。この出力
されるアナログ信号が再生されたRF信号となる。
【0015】このような構成において、メモリ部12に
記憶された信号波形が例えば3回連続して再生される場
合、メモリ制御部14の制御によって、図4に符号1
5,16,17で示すように、再生アドレスA0 〜AL
の信号波形が連続3回メモリ部12から読みだされ、こ
の読みだされたディジタル信号がD/A変換部13で変
換されることによって符号18で示すつなぎ目に位相ず
れのない信号波形が得られることになる。
【0016】上述した第1実施形態によれば、メモリ部
12に記憶したディジタルの信号波形を再生する場合
に、メモリ部12から読みだされる信号波形の1周期の
先頭位置の振幅値と後尾位置の振幅値とが同値なので、
再生を連続複数回行って連続する再生信号波形を得た場
合に、従来のように信号波形のつなぎ目に位相ずれが生
じることがなくなる。即ち、位相ずれの無い繰り返し信
号の再生を可能とすることによりスプリアスを抑圧する
ことができる。
【0017】次に、第2実施形態を図5を参照して説明
する。但し、図5に示す第2実施形態において図2に示
した第1実施形態の各部に対応する部分には同一符号を
付し、その説明を省略する。
【0018】図5において、20は一致回数設定部、2
1はメモリ制御部14に設けた一致回数カウント部であ
る。一致回数設定部20は、第1実施形態で説明した複
数の基準振幅値と一致する複数の振幅値の箇所をメモリ
制御部14に何箇所検出させるかを設定するものであ
る。
【0019】一致回数カウント部21は、メモリ制御部
14が複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値の箇所
を、一致回数設定部20に設定された回数検出するまで
カウントし、設定回数検出した時点で検出動作を停止さ
せるものである。
【0020】このような構成において、一致回数設定部
20に検出回数が3回と設定されているとする。再生制
御は、まず、メモリ制御部14が、複数の基準振幅値を
検出し、複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値の箇
所を3箇所検出する。
【0021】この際、複数の基準振幅値と一致する複数
の振幅値の先頭振幅値が記憶された記憶領域の第1検出
アドレスAL1が検出されると、再生アドレス記憶部19
に先頭アドレスA0 〜第1検出アドレスAL1間の第1再
生アドレスA0 〜AL1が記憶される。
【0022】次に、第1検出アドレスAL1以降の、複数
の基準振幅値と一致する複数の振幅値の先頭振幅値が記
憶された記憶領域の第2検出アドレスAL2が検出される
と、再生アドレス記憶部19に第1検索アドレスAL1
第2検索アドレスAL2間の第2再生アドレスAL1〜AL2
が記憶される。
【0023】そして、第2検出アドレスAL2以降の、複
数の基準振幅値と一致する複数の振幅値の先頭振幅値が
記憶された記憶領域の第3検出アドレスAL3が検出され
ると、再生アドレス記憶部19に第2検索アドレスAL2
〜第3検索アドレスAL3間の第3再生アドレスAL2〜A
L3が記憶される。
【0024】ここで、再生アドレス記憶部19に記憶さ
れた第1〜第3再生アドレスA0 〜AL1,AL1〜AL2
L2〜AL3に対応する各々の1周期分の信号波形の両側
の振幅値は何れも同値となっている。
【0025】従って、何れの再生アドレスA0 〜AL1
L1〜AL2,AL2〜AL3に対応するメモリ部12のアド
レスの記憶領域に記憶されたディジタル信号を読み出
し、つなぎ合わせたとしても、つなぎ目に位相ずれのな
い信号波形が得られることになる。
【0026】以上説明した第2実施形態によれば、第1
実施形態と同様な効果が得られる他、各々波形が異なる
複数の信号を任意に再生してつなぎ目に位相ずれのない
連続した信号を得ることができる。また、同一振幅値間
の信号波形を1区間の再生波形とするので、入力RF信
号が変調信号であってもつなぎ目に位相ずれのない連続
した信号を得ることができる。
【0027】次に、第3実施形態を図6を参照して説明
する。但し、図6に示す第3実施形態において図2に示
した第1実施形態の各部に対応する部分には同一符号を
付し、その説明を省略する。
【0028】図6において、23はメモリ領域設定スイ
ッチである。このメモリ領域設定スイッチ23は、メモ
リ制御部14の制御によって書き込まれるメモリ部12
へのディジタル信号のメモリ領域を設定するものであ
る。
【0029】メモリ領域の設定は、メモリ部12のアド
レスの指定によって行われるものであり、予め判明して
いる入力RF信号の周波数からメモリ部12にRF信号
を何周期分記憶させるかを求め、この求めた周期分のR
F信号が記憶できるメモリ量が設定されるものである。
【0030】また、メモリ制御部14は、メモリ領域設
定スイッチ23で設定されたアドレスA0 〜Am 間にデ
ィジタル信号を順次書き込む制御を行い、その書き込み
時に先頭から複数個のアドレスA0 〜A0+n の記憶領域
に記憶されたディジタル信号の各々の振幅値(複数の基
準振幅値)を検出し、また後尾設定アドレスAm にディ
ジタル信号が書き込まれた以降、複数の基準振幅値と一
致する複数の振幅値が記憶されるまで書き込み制御を行
い、その複数の振幅値が書き込まれた時点で、その複数
の振幅値の先頭の振幅値が記憶された記憶領域のアドレ
スAL を検出し、先頭アドレスA0 〜検索アドレスAL
間のアドレスを、再生アドレスA0 〜A L として再生ア
ドレス記憶部19に記憶し、メモリ部12からの読み出
し時に、その再生アドレスA0 〜AL に対応するアドレ
スの記憶領域に記憶されたディジタル信号が読みだされ
るように制御する。
【0031】このような構成によれば、任意周期分のデ
ィジタル信号の記憶動作をメモリ量を設定することによ
って行うことが可能となり、その記憶されたディジタル
信号の再生を第1実施形態同様に行うことができる。
【0032】従って、第3実施形態によれば、第1実施
形態と同様な効果が得られる他、各々波形が異なる複数
の信号を任意に再生してつなぎ目に位相ずれのない連続
した信号を得ることができる。また、同一振幅値間の信
号波形を1区間の再生波形とするので、入力RF信号が
変調信号であってもつなぎ目に位相ずれのない連続した
信号を得ることができる。
【0033】次に、第4実施形態を図7を参照して説明
する。但し、図7に示す第4実施形態において図2に示
した第1実施形態の各部に対応する部分には同一符号を
付し、その説明を省略する。
【0034】図7に示す第4実施形態が図2に示した第
1実施形態と異なる点は、位相レベル許容範囲設定スイ
ッチ25を設けることによって、メモリ制御部14が、
複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値を検出する際
に、複数の振幅値が複数の基準振幅値と完全に一致しな
くてもほぼ一致していれば、その後、第1実施形態で説
明したと同様に、その複数の振幅値の先頭の振幅値が記
憶されたメモリ部12の記憶領域のアドレスAL を検出
し、先頭アドレスA0 〜検索アドレスAL 間のアドレス
を、再生アドレスA0 〜AL として再生アドレス記憶部
19に記憶しておき、メモリ部12からの読み出し時
に、その再生アドレスA0 〜AL に対応するアドレスの
記憶領域に記憶されたディジタル信号が読みだされるよ
うに制御するようにした点にある。
【0035】このような第4実施形態においても、第1
実施形態とほぼ同様な効果が得られ、その他、一致検出
まので時間を短縮することができる。次に、第5実施形
態を図8を参照して説明する。但し、図8に示す第5実
施形態において図2に示した第1実施形態の各部に対応
する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0036】図8に示す第5実施形態が図2に示した第
1実施形態と異なる点は、位相不一致許容個数設定スイ
ッチ27を設けることによって、メモリ制御部14が、
複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値を検出する際
に、複数の振幅値の全てが複数の基準振幅値と一致しな
くても、何個かの振幅値が基準振幅値と一致していれ
ば、その後、第1実施形態で説明したと同様に、その複
数の振幅値の先頭の振幅値が記憶されたメモリ部12の
記憶領域のアドレスAL を検出し、先頭アドレスA0
検索アドレスAL 間のアドレスを、再生アドレスA0
L として再生アドレス記憶部19に記憶しておき、メ
モリ部12からの読み出し時に、その再生アドレスA0
〜AL に対応するアドレスの記憶領域に記憶されたディ
ジタル信号が読みだされるように制御するようにした点
にある。
【0037】このような第5実施形態においても、第1
実施形態とほぼ同様な効果が得られ、その他、一致検出
まので時間を短縮することができる。次に、第6実施形
態を図9を参照して説明する。但し、図9に示す第6実
施形態において図2に示した第1実施形態の各部に対応
する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0038】図9に示す第6実施形態が図2に示した第
1実施形態と異なる点は、A/D変換部11とメモリ部
12及びメモリ制御部14との間に、第1信号記憶制御
部28を設け、この第1信号記憶制御部28の出力信号
に応じてメモリ制御部14がメモリ部12へのディジタ
ル信号の記憶制御を行うようにした点にある。
【0039】第1信号記憶制御部28は、A/D変換部
11から出力されるディジタル信号を図示せぬシステム
クロック信号によって順次シフトさせ、メモリ部12へ
出力する第1〜第nフリップフロップ(以降SFFとい
う)29,30,31と、A/D変換部11から出力さ
れるディジタル信号をシステムクロック信号の1周期間
隔で1回のみ出力される第1〜第nラッチパルス信号P
1,P2,Pnによって保持する第1〜第nフリップフ
ロップ(以降RFFという)32,33,34と、第1
SFF29と第1RFF32との出力データの一致/不
一致を判定し、この判定結果をメモリ制御部14へ出力
する第1一致/不一致判定部35、第2SFF30と第
2RFF33との出力データの一致/不一致を判定し、
この判定結果をメモリ制御部14へ出力する第2一致/
不一致判定部36、…、第nSFF31と第nRFF3
4との出力データの一致/不一致を判定し、この判定結
果をメモリ制御部14へ出力する第n一致/不一致判定
部37とを具備して構成されている。
【0040】A/D変換部11から出力されるディジタ
ル信号の先頭である第1振幅値が第1SFF29に保持
された時点で第1パルス信号P1によって第nRFF3
4に第1振幅値が保持され、第1振幅値が第2SFF3
0に、第2振幅値が第1SFF29に保持された時点で
第2パルス信号P2によって第2RFF33に第2振幅
値が保持され、第1振幅値が第nSFF31に、第2振
幅値が第2SFF30に、第n振幅値が第1SFF29
に保持された時点で第nパルス信号Pnによって第1R
FF32に第n振幅値が保持される。
【0041】第1振幅値が第nSFF31に、第2振幅
値が第2SFF30に、第n振幅値が第1SFF29に
保持された時点で、第nRFF34に第1振幅値が、第
2RFF33に第2振幅値が、第1RFF32に第n振
幅値が保持されるので、この時、全ての一致/不一致判
定部35〜37の判定結果が一致を示すものとなる。
【0042】メモリ制御部14は、立ち上げ時に、全て
の判定結果が一致を示す状態となった際に、メモリ部1
2にディジタル信号の書き込み動作を開始するように制
御し、この後、同様に全ての判定結果が一致を示す状態
となった際に書き込み動作を停止するように制御する。
【0043】即ち、メモリ部12に立ち上げ時に記憶さ
れたディジタル信号の連続する複数の振幅値と一致する
複数の振幅値の先頭振幅値がメモリ部12に記憶された
時点で書き込み動作を停止するようになっている。
【0044】そして、メモリ部12に立ち上げ時に先頭
の振幅値が記憶された記憶領域のアドレスA0 と、最後
に振幅値が記憶された記憶領域のアドレスAL との間の
アドレスを、再生アドレスA0 〜AL として再生アドレ
ス記憶部19に記憶しておき、メモリ部12からの読み
出し時に、その再生アドレスA0 〜AL に対応するアド
レスの記憶領域に記憶されたディジタル信号が読みださ
れるように制御する。
【0045】このような第6実施形態においても、第1
実施形態同様な効果が得られ、その他、一致検出まので
時間を短縮することができる。次に、第7実施形態を図
10を参照して説明する。但し、図10に示す第7実施
形態において図2に示した第1実施形態の各部に対応す
る部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0046】図10に示す第7実施形態が図2に示した
第1実施形態と異なる点は、A/D変換部11とメモリ
制御部14との間に、第2信号記憶制御部39を設け、
この第2信号記憶制御部39の出力信号に応じてメモリ
制御部14がメモリ部12へのディジタル信号の記憶制
御を行うようにした点にある。
【0047】第2信号記憶制御部39は、入力RF信号
が並列に入力され、この入力されたRF信号を後述する
量で遅延する第1〜第nディレイライン40,41,4
2と、各ディレイライン40〜45の各々に接続され、
遅延したRF信号の振幅値とリファレンス電圧V1,V
2,Vnとを比較し、この比較結果をメモリ制御部14
へ出力する比較器43,44,45とを具備して構成さ
れている。
【0048】各ディレイライン40〜42の遅延量は、
メモリ部12の1記憶領域に記憶される振幅値の間隔に
対応するものであり、その振幅値間隔をdとすると第1
ディレイライン40の遅延量はd、第2ディレイライン
41の遅延量は2×d、…、第nディレイライン42の
遅延量はn×dとなっている。
【0049】また、リファレンス電圧V1〜Vnは、入
力されるRF信号の任意波形部分の連続する振幅値と同
じ値が設定される。立ち上げ時に、各リファレンス電圧
V1〜Vnと同値のRF信号の振幅値が、各ディレイラ
イン40〜42から出力されると、全ての比較器43〜
45の比較結果が一致を示すものとなり、この時、メモ
リ制御部14が、メモリ部12にディジタル信号の書き
込み動作を開始するように制御し、この後、同様に全て
の比較結果が一致を示す状態となった際に書き込み動作
を停止するように制御する。
【0050】即ち、メモリ部12に立ち上げ時に記憶さ
れたディジタル信号の連続する複数の振幅値と一致する
複数の振幅値の先頭振幅値がメモリ部12に記憶された
時点で書き込み動作を停止するようになっている。
【0051】そして、メモリ部12に立ち上げ時に先頭
の振幅値が記憶された記憶領域のアドレスA0 と、最後
に振幅値が記憶された記憶領域のアドレスAL との間の
アドレスを、再生アドレスA0 〜AL として再生アドレ
ス記憶部19に記憶しておき、メモリ部12からの読み
出し時に、その再生アドレスA0 〜AL に対応するアド
レスの記憶領域に記憶されたディジタル信号が読みださ
れるように制御する。
【0052】このような第7実施形態においても、第1
実施形態同様な効果が得られ、その他、一致検出まので
時間を短縮することができる。次に、第8実施形態を図
11を参照して説明する。但し、図11に示す第8実施
形態において図2に示した第1実施形態の各部に対応す
る部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0053】図11に示す第8実施形態が図2に示した
第1実施形態と異なる点は、A/D変換部11とメモリ
部12及びメモリ制御部14との間に、第3信号記憶制
御部47を設け、この第3信号記憶制御部47の出力信
号に応じてメモリ制御部14がメモリ部12へのディジ
タル信号の記憶制御を行うようにした点にある。
【0054】第3信号記憶制御部47は、A/D変換部
11から出力されるディジタル信号を図示せぬシステム
クロック信号によって順次シフトさせ、メモリ部12へ
出力する第1〜第nフリップフロップ(FF)48,4
9,50と、この各FF48〜50の保持された振幅値
と、RF信号の任意波形部分の連続する振幅値に対応す
るデータであるリファレンス振幅値D1,D2,Dnと
一致/不一致を判定するn個の一致/不一致判定部5
1,52,53とを具備して構成されている。
【0055】立ち上げ時に、各リファレンス振幅値D1
〜Dnと同値の振幅値が、各FF48〜50に逆シフト
順に保持され、これによって全ての一致/不一致判定部
51〜53の比較結果が一致を示すものとなると、この
時、メモリ制御部14が、メモリ部12にディジタル信
号の書き込み動作を開始するように制御し、この後、同
様に全ての判定結果が一致を示す状態となった際に書き
込み動作を停止するように制御する。
【0056】即ち、メモリ部12に立ち上げ時に記憶さ
れたディジタル信号の連続する複数の振幅値と一致する
複数の振幅値の先頭振幅値がメモリ部12に記憶された
時点で書き込み動作を停止するようになっている。
【0057】そして、メモリ部12に立ち上げ時に先頭
の振幅値が記憶された記憶領域のアドレスA0 と、最後
に振幅値が記憶された記憶領域のアドレスAL との間の
アドレスを、再生アドレスA0 〜AL として再生アドレ
ス記憶部19に記憶しておき、メモリ部12からの読み
出し時に、その再生アドレスA0 〜AL に対応するアド
レスの記憶領域に記憶されたディジタル信号が読みださ
れるように制御する。
【0058】このような第8実施形態においても、第1
実施形態同様な効果が得られ、その他、一致検出まので
時間を短縮することができる。次に、第9実施形態を図
12を参照して説明する。但し、図12に示す第9実施
形態において図2に示した第1実施形態の各部に対応す
る部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0059】図12に示す第9実施形態が図2に示した
第1実施形態と異なる点は、メモリ部12とD/A変換
部13間に信号処理部55を接続した点にある。信号処
理部55は、メモリ部12から読みだされたディジタル
信号による信号曲線の関数を、最小2乗法等による解析
を行って求め、この求められた曲線関数に対応するディ
ジタル信号を連続して出力するものである。
【0060】従って、メモリ制御部14は第1実施形態
で説明したように再生アドレスAn〜AL 間のディジタ
ル信号をメモリ部12から読み出す必要はなく、任意ア
ドレス間のディジタル信号を読みだせばよい。
【0061】このような第9実施形態においても、第1
実施形態同様な効果が得られ、その他、パルス変調など
の信号にも対応可能な高精度な位相補正を行った信号の
繰り返し再生を行うことができる。
【0062】次に、第10実施形態を図13を参照して
説明する。但し、図13に示す第10実施形態において
図2に示した第1実施形態の各部に対応する部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。
【0063】図13において、57はディレイライン、
58,59はミキサ、60は周波数分析器、61はLO
制御器(ローカル信号制御器)である。周波数分析器6
0は、入力RF信号の周波数を検出し、A/D変換部1
1で変換されるRF信号のS/N比が向上するように、
A/D変換部11に入力されるRF信号の周波数をミキ
サ58で変換するためのローカル信号をLO制御器61
から出力するように制御する。また、ミキサ58で変換
されたRF信号の周波数をミキサ59で元に戻すローカ
ル信号をLO制御器61から出力するように制御する。
【0064】ディレイライン57は、周波数分析器60
がRF信号の周波数を検出し、この検出結果に応じたロ
ーカル信号がミキサ58に供給されるタイミングと同タ
イミングで分析されるRF信号がミキサ58に供給され
るように、RF信号を遅延させるものである。
【0065】このような第10実施形態においても、第
1実施形態同様な効果が得られる他、A/D変換部11
への入力RF信号をサンプリング周波数に対して十分小
さくしてS/N比が良くなるようにするので、スプリア
スの抑圧が可能となり、また、ディジタル構成部分の規
模の縮小が可能となる。
【0066】次に、第11実施形態を図14を参照して
説明する。但し、図14に示す第11実施形態において
図2に示した第1実施形態の各部に対応する部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。
【0067】図14において、63,69はミキサ、6
4はディレイライン、65は高速A/D変換器、66は
低速高精度A/D変換器、67は高速D/A変換器、6
8は低速高精度D/A変換器、70は周波数分析器、6
1はLO制御器(ローカル信号制御器)である。
【0068】ミキサ63は、入力RF信号を固定ローカ
ル信号LO1によって所定周波数に変換する。ミキサ6
9は、ミキサ63で変換されたRF信号の周波数を固定
ローカル信号LO2で元に戻すように変換する。
【0069】周波数分析器70は、入力RF信号の周波
数が高周波か低周波かを検出し、高周波の場合にA/D
制御部71が高速A/D変換器65と高速D/A変換器
67とを作動させる制御を行うように指示し、低周波の
場合に低速高精度A/D変換器66と低速高精度D/A
変換器とを作動させる制御を行うように指示する。
【0070】ディレイライン64は、周波数分析器70
がRF信号の周波数を検出し、先の指示によってA/D
制御部71が動作制御を行うタイミングの後にRF信号
が高速A/D変換器65又は低速高精度A/D変換器6
6に供給されるように、RF信号を遅延させるものであ
る。
【0071】このような第11実施形態においても、第
1実施形態同様な効果が得られる他、RF信号が高周波
の場合に高速A/D変換器65を用い、低周波の場合に
低速高精度A/D変換器66を用いることによって、よ
り広帯域の信号に対応でき、また低周波の信号に対して
は、より高精度の信号の記憶/再生が可能となる。
【0072】次に、第12実施形態を図15を参照して
説明する。但し、図15に示す第12実施形態において
図2に示した第1実施形態の各部に対応する部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。
【0073】図15に示す第12実施形態は、A/D変
換部11をn個のA/D変換器73,74,75を用
い、メモリ部12をn個のメモリ部76,77,78を
用い、D/A変換部13をn個のD/A変換器79,8
0,81を用いて構成し、更に、各D/A変換器79,
80,81の出力信号をn:1に多重化して出力するア
ナログのマルチプレクサ(MUX)を具備して構成され
ている。
【0074】また、RF信号が並列に入力される各A/
D変換器73,74,75及びD/A変換器79,8
0,81は、各々位相の異なるサンプリングクロック信
号CLK1,CLK2,CLKnを有し、更に、各メモ
リ部76,77,78もそのクロック信号CLK1,C
LK2,CLKnを有している。
【0075】また、この構成の場合、図15には示して
いないがメモリ制御部14は、単にメモリ部12のデー
タの書き込み/読み出し制御を行うものでよい。このよ
うに各々位相の異なるクロック信号CLKで処理され、
各D/A変換器79,80,81から出力されるRF信
号をマルチプレクサ82で多重化することによって、第
1実施形態同様な効果が得られる他、広帯域、低スプリ
アスの信号の記憶/再生が可能となる。次に、第13実
施形態を図16を参照して説明する。但し、図16に示
す第13実施形態において図15に示した第12実施形
態の各部に対応する部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。
【0076】図16に示す第13実施形態が図15に示
した第12実施形態と異なる点は、n個のD/A変換器
79,80,81を1個のD/A変換器13のみとし、
そのD/A変換器13と各メモリ部76,77,78間
に、各メモリ部76,77,78の出力ディジタル信号
をn:1に多重化するマルチプレクサ(MUX)を具備
したことにある。
【0077】但し、マルチプレクサ84及びD/A変換
器13のサンプリングクロック信号CLKXは、クロッ
ク信号CLKn×n(このnはメモリ部又はA/D変換
器の個数nと同値)の周波数のものが適用されている。
【0078】このような第13実施形態においても第1
2実施形態同様な効果が得られる。次に、第14実施形
態を図17を参照して説明する。但し、図17に示す第
14実施形態において図2に示した第1実施形態の各部
に対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。
【0079】図17において、86は周波数分析器、8
7,88,89は各々特性の異なるn個のバンドパスフ
ィルタであり、D/A変換部13の出力側に並列接続さ
れている。
【0080】周波数分析器86は、入力RF信号の周波
数を検出し、D/A変換部13から出力されるRF信号
のS/N比を向上させるように帯域制限を行うフィルタ
87〜89の何れかを作動させるように制御を行う。
【0081】このような第10実施形態においても、第
1実施形態同様な効果が得られる他、D/A変換部13
から出力されるRF信号のS/N比が良くなるようにす
るので、よりスプリアスの抑圧が可能となる。
【0082】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のディジタ
ルRFメモリ装置によれば、位相ずれの無い繰り返し信
号の再生が可能となるので、スプリアスを抑圧すること
ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】本発明の第1実施形態によるDRFMのブロッ
ク構成図である。
【図3】図2に示すメモリ部への信号波形記憶/再生制
御の説明図である。
【図4】信号波形再生制御の説明図である。
【図5】本発明の第2実施形態によるDRFMのブロッ
ク構成図である。
【図6】本発明の第3実施形態によるDRFMのブロッ
ク構成図である。
【図7】本発明の第4実施形態によるDRFMのブロッ
ク構成図である。
【図8】本発明の第5実施形態によるDRFMのブロッ
ク構成図である。
【図9】本発明の第6実施形態によるDRFMのブロッ
ク構成図である。
【図10】本発明の第7実施形態によるDRFMのブロ
ック構成図である。
【図11】本発明の第8実施形態によるDRFMのブロ
ック構成図である。
【図12】本発明の第9実施形態によるDRFMのブロ
ック構成図である。
【図13】本発明の第10実施形態によるDRFMのブ
ロック構成図である。
【図14】本発明の第11実施形態によるDRFMのブ
ロック構成図である。
【図15】本発明の第12実施形態によるDRFMのブ
ロック構成図である。
【図16】本発明の第13実施形態によるDRFMのブ
ロック構成図である。
【図17】本発明の第14実施形態によるDRFMのブ
ロック構成図である。
【図18】従来例の説明図である。
【符号の説明】
11 A/D変換手段 12 メモリ手段 13 D/A変換手段 14 メモリ制御手段

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 RF信号をディジタル信号に変換するA
    /D変換手段と、 該ディジタル信号の記憶/再生を行うメモリ手段と、 該ディジタル信号を該メモリ手段の任意区間のアドレス
    0 〜An の記憶領域に記憶する制御と、該ディジタル
    信号が記憶された先頭から複数個のアドレスA 0 〜A
    0+n の記憶領域に記憶された複数の基準となる振幅値を
    検出し、この検出された複数の基準振幅値と一致する複
    数の振幅値の先頭振幅値が記憶された記憶領域のアドレ
    スAL を検出し、先頭アドレスA0 から検出アドレスA
    L 間のアドレスを再生アドレスA0 〜AL として記憶
    し、該再生アドレスA0 〜AL の記憶領域に記憶された
    ディジタル信号を読み出す制御を行うメモリ制御手段
    と、 該メモリ手段から読み出されたディジタル信号をアナロ
    グ信号に変換するD/A変換手段とを具備したことを特
    徴とするディジタルRFメモリ装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の基準振幅値と一致する複数の
    振幅値の箇所を前記メモリ制御手段に何箇所検出させる
    かを設定する一致回数設定手段を設け、 前記メモリ制御手段が、該複数の基準振幅値と一致する
    複数の振幅値の箇所を、該一致回数設定手段の設定検出
    回数だけ検出し、この各々の検出箇所の先頭振幅値が記
    憶された記憶領域のアドレスAL1〜ALnを検出し、該先
    頭アドレスA0から第1の検出アドレスAL1間のアドレ
    ス、及び各検出アドレスAL1〜ALn間のアドレスを各
    々、再生アドレスA0 〜AL1,AL1〜AL2,AL2〜ALn
    として記憶し、該各々の再生アドレスA0 〜AL1,AL1
    〜AL2,AL2〜ALnの記憶領域に記憶されたディジタル
    信号を読み出す制御を行うようにしたことを特徴とする
    請求項1記載のディジタルRFメモリ装置。
  3. 【請求項3】 前記RF信号の任意周期分に対応する前
    記ディジタル信号を記憶する前記メモリ手段の記憶領域
    のアドレスA0 〜Am を設定するメモリ領域設定スイッ
    チを設け、 前記メモリ制御手段が、該メモリ領域設定スイッチで設
    定されたアドレスA0〜Am 間にディジタル信号を順次
    記憶し、この記憶時に前記複数の基準振幅値を検出し、
    後尾設定アドレスAm にディジタル信号が記憶された以
    降、該複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値が記憶
    されるまで記憶制御を行い、その複数の振幅値が書き込
    まれた時点で、該複数の振幅値の先頭の振幅値が記憶さ
    れた記憶領域のアドレスAL を検出し、先頭アドレスA
    0 から検出アドレスAL 間のアドレスを再生アドレスA
    0 〜AL として記憶し、該再生アドレスA0 〜AL の記
    憶領域に記憶されたディジタル信号を読み出す制御を行
    うようにしたことを特徴とする請求項1記載のディジタ
    ルRFメモリ装置。
  4. 【請求項4】 前記複数の基準振幅値と一致する複数の
    振幅値の先頭振幅値が記憶された記憶領域のアドレスA
    L の検出を、該複数の振幅値が該複数の基準振幅値とほ
    ぼ一致していれば前記メモリ制御手段が行うようにする
    振幅値許容範囲設定スイッチを設けたことを特徴とする
    請求項1記載のディジタルRFメモリ装置。
  5. 【請求項5】 前記複数の基準振幅値と一致する複数の
    振幅値の先頭振幅値が記憶された記憶領域のアドレスA
    L の検出を、該複数の振幅値の幾つかが該複数の基準振
    幅値と一致していれば前記メモリ制御手段が行うように
    する振幅値不一致許容個数設定スイッチを設けたことを
    特徴とする請求項1記載のディジタルRFメモリ装置。
  6. 【請求項6】 前記A/D変換手段と前記メモリ手段間
    に、該A/D変換手段から出力されるディジタル信号の
    振幅値を順次シフトして保持するN個の第1群のデータ
    保持手段を接続し、該第1群のデータ保持手段と同数で
    あって、該A/D変換手段から出力されるディジタル信
    号の振幅値をその出力順に保持する第2群のデータ保持
    手段を設け、該第2群のデータ保持手段に保持された各
    々の振幅値と一致する振幅値がその保持順に該第1群の
    データ保持手段の第N個目から第1個目に向かって保持
    された際に、前記メモリ制御手段が該メモリ手段への振
    幅値の記憶を開始し、再び該第2群のデータ保持手段に
    保持された各々の振幅値と一致する振幅値がその保持順
    に該第1群のデータ保持手段の第N個目から第1個目に
    向かって保持された際に、該メモリ制御手段が該メモリ
    手段への振幅値の記憶を停止し、該記憶開始時に振幅値
    が記憶された記憶領域の先頭アドレスA0と、該記憶停
    止時に振幅値が記憶された記憶領域のアドレスAL を検
    出し、先頭アドレスA0 から検出アドレスAL 間のアド
    レスを再生アドレスA0 〜AL として記憶する制御を行
    うようにしたことを特徴とする請求項1記載のディジタ
    ルRFメモリ装置。
  7. 【請求項7】 前記RF信号を所定間隔で遅延するN個
    の遅延手段と、該RF信号の任意箇所の連続するN個の
    振幅値をリファレンス電圧とし、このN個のリファレン
    ス電圧と該N個の遅延手段の各々で遅延した各振幅値と
    を比較するN個の比較手段とを設け、前記メモリ制御手
    段が、該N個の比較手段の比較結果が全て一致を示す場
    合に該メモリ手段への振幅値の記憶を開始し、再び該比
    較結果が全て一致を示す場合に該メモリ手段への振幅値
    の記憶を停止し、該記憶開始時に振幅値が記憶された記
    憶領域の先頭アドレスA0 と、該記憶停止時に振幅値が
    記憶された記憶領域のアドレスAL を検出し、先頭アド
    レスA0 から検出アドレスAL 間のアドレスを再生アド
    レスA0 〜AL として記憶する制御を行うようにしたこ
    とを特徴とする請求項1記載のディジタルRFメモリ装
    置。
  8. 【請求項8】 前記A/D変換手段と前記メモリ手段間
    に、該A/D変換手段から出力されるディジタル信号の
    振幅値を順次シフトして保持するN個の第1群のデータ
    保持手段を接続し、前記RF信号の任意箇所の連続する
    N個の振幅値をリファレンス振幅値とし、該N個のリフ
    ァレンス振幅値と一致する振幅値が該第1群のデータ保
    持手段の第N個目から第1個目に向かって保持された際
    に、前記メモリ制御手段が該メモリ手段への振幅値の記
    憶を開始し、再び該N個のリファレンス振幅値と一致す
    る振幅値が該第1群のデータ保持手段の第N個目から第
    1個目に向かって保持された際に、該メモリ制御手段が
    該メモリ手段への振幅値の記憶を停止し、該記憶開始時
    に振幅値が記憶された記憶領域の先頭アドレスA 0 と、
    該記憶停止時に振幅値が記憶された記憶領域のアドレス
    L を検出し、先頭アドレスA0 から検出アドレスAL
    間のアドレスを再生アドレスA0 〜AL として記憶する
    制御を行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の
    ディジタルRFメモリ装置。
  9. 【請求項9】 前記メモリ手段と前記D/A変換手段間
    に、該メモリ手段から読みだされたディジタル信号によ
    る信号曲線の関数を求め、この求められた曲線関数の信
    号に対応するディジタル信号を連続して出力する信号処
    理手段を接続したことを特徴とする請求項1記載のディ
    ジタルRFメモリ装置。
  10. 【請求項10】 前記A/D変換手段の入力側に接続さ
    れた第1ミキサと、前記D/A変換手段の出力側に接続
    された第2ミキサと、該第1及び第2ミキサへローカル
    信号を供給するローカル生成手段と、該第1ミキサに供
    給される前記RF信号の周波数を検出し、該RF信号の
    周波数が、該A/D変換手段での変換時にS/N比が向
    上する周波数に該第1ミキサ手段で変換されるように、
    該ローカル生成手段から出力されるローカル信号の周波
    数を制御すると共に、該第1ミキサで変換されたRF信
    号の周波数を該第2ミキサで元に戻す周波数のローカル
    信号が該ローカル生成手段から出力されるように制御す
    る周波数分析手段とを具備したことを特徴とする請求項
    1記載のディジタルRFメモリ装置。
  11. 【請求項11】 前記A/D変換手段の代わりに、前記
    メモリ手段の入力側に並列に接続された高速A/D変換
    手段及び低速高精度A/D変換手段を具備し、前記D/
    A変換手段の代わりに、前記メモリ手段の出力側に並列
    に接続された高速D/A変換手段及び低速高精度D/A
    変換手段を具備し、該高速A/D変換手段及び該低速高
    精度A/D変換手段に供給される前記RF信号の周波数
    が高周波か低周波かを検出し、該高周波の場合に該高速
    A/D変換手段と該高速D/A変換手段とが作動するよ
    うに制御し、該低周波の場合に該低速高精度A/D変換
    手段と該低速高精度D/A変換手段とが作動するように
    制御する周波数分析手段を具備したことを特徴とする請
    求項1記載のディジタルRFメモリ装置。
  12. 【請求項12】 前記A/D変換手段、前記メモリ手
    段、前記D/A変換手段の処理列回路を、並列に複数配
    置し、該複数の処理列回路の出力信号を多重化して出力
    する多重化手段を具備し、該複数の処理列回路が各々異
    なるサンプリングクロック信号で作動することを特徴と
    する請求項1記載のディジタルRFメモリ装置。
  13. 【請求項13】 前記A/D変換手段、前記メモリ手段
    の処理列回路を、並列にn列配置し、該n列の処理列回
    路の出力信号を多重化して前記D/A変換手段へ出力す
    る多重化手段を具備し、該n列の処理列回路が各々異な
    るサンプリングクロック信号で作動し、該多重化手段及
    び該D/A変換手段が該サンプリングクロック信号の該
    n倍の周波数のサンプリングクロック信号で作動するこ
    とを特徴とする請求項1記載のディジタルRFメモリ装
    置。
  14. 【請求項14】 前記メモリ制御手段が、前記処理列回
    路のメモリ手段の書き込み/読み出し制御のみを行うこ
    とを特徴とする請求項12又は13記載のディジタルR
    Fメモリ装置。
  15. 【請求項15】 前記D/A変換手段の出力側に接続さ
    れた各々特性の異なる複数のフィルタと、前記A/D変
    換手段に入力されるRF信号の周波数を検出し、この検
    出周波数のRF信号が該D/A変換手段から出力される
    際に、出力RF信号のS/N比が向上するようにフィル
    タリングを行う該複数のフィルタの何れかを動作制御す
    る周波数分析手段とを具備したことを特徴とする請求項
    1記載のディジタルRFメモリ装置。
JP7226205A 1995-09-04 1995-09-04 ディジタルrfメモリ装置 Withdrawn JPH0973769A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008032498A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Denso Corp 信号処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008032498A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Denso Corp 信号処理装置

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