JPH0974086A - Plasma processing device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大気圧下または真空下でのプラズマ処理装置に
おいて、ウエハまたは基板上のチャージアップ・ダメー
ジを解消すると共に高速処理を実現する。
【構成】気体導入部１０よりガスが導入され反応室に供
給される。反応室は一対の対向電極１１、１５が取り付
けられており、これらの対向電極１１は同調回路１８を
経由して高周波電源１６に接続されている。もう一方の
対向電極１５は可変コンデンサー２０を介して高周波電
源およびアースに接続されている。
【効果】被処理物が置かれるステージとアース間の静電
容量を制御することにより被処理物への電荷の移動を制
限するこができ高速に処理すると共に被処理物のチャー
ジアップ・ダメージを防止できる。また、被処理物を処
理する電極とは別に放電を起動するための電極によりプ
ラズマの形成を容易にできる。
(57) [Summary] [Objective] In a plasma processing apparatus under atmospheric pressure or under vacuum, charge-up / damage on a wafer or substrate is eliminated and high-speed processing is realized. [Structure] Gas is introduced from a gas introduction unit 10 and supplied to a reaction chamber. A pair of counter electrodes 11 and 15 are attached to the reaction chamber, and these counter electrodes 11 are connected to a high frequency power source 16 via a tuning circuit 18. The other counter electrode 15 is connected to a high frequency power source and ground via a variable capacitor 20. [Effect] By controlling the electrostatic capacity between the stage on which the object is placed and the ground, it is possible to limit the movement of charges to the object to be processed at high speed and to prevent charge-up damage to the object. It can be prevented. Further, the formation of plasma can be facilitated by the electrode for starting the discharge separately from the electrode for treating the object to be treated.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は大気圧下または真空下で
プラズマを形成して気体を活性化して活性種を生成し、
活性種と被処理物とを反応させる装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to the formation of plasma under atmospheric pressure or under vacuum to activate a gas to generate active species.
The present invention relates to a device for reacting active species with an object to be treated.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウエハまたは基板等の被処理物を作成す
るプロセスにおいてプラズマ処理は極めて重要な加工技
術である。2. Description of the Related Art Plasma processing is a very important processing technique in the process of forming an object to be processed such as a wafer or a substrate.
【０００３】代表的なプラズマ処理はレジスト剥離、エ
ッチング、表面改質、パーティクル除去等がある。Typical plasma treatments include resist stripping, etching, surface modification and particle removal.
【０００４】レジスト剥離は半導体や表示体の素子を形
成する際に使用したレジストをＯ2を含むプラズマで分
解するものである。The resist stripping is a process of decomposing the resist used in forming a semiconductor or display element with a plasma containing O 2 .
【０００５】エッチングは半導体や表示体の素子を形成
するためにＳｉ、ＳｉＯ2、ＡＬ等の薄膜を除去するも
のである。Etching removes thin films of Si, SiO 2 , AL, etc. to form semiconductors and display elements.
【０００６】表面改質は、例えば薄膜の表面をプラズマ
にさらすことにより疎水性、親水性、接着性に変化させ
るプロセスである。パーティクル除去はＡＬスパッタな
どの薄膜形成前にＯ2を含むプラズマで表面に付着した
有機物を除去するプロセスである。Surface modification is a process in which the surface of a thin film is changed to be hydrophobic, hydrophilic, or adhesive by exposing it to plasma. Particle removal is a process of removing organic substances adhering to the surface by plasma containing O 2 before thin film formation such as AL sputtering.
【０００７】従来、大気圧下において気体を放電させて
プラズマを発生させ、このプラズマ中において活性化さ
れた気体を被処理物に供給してアッシングやエッチング
を行う装置が特開平１−１２５８２９号、特開平６−１
９０２６９号等に提案されている。これらの方法は、供
給された気体に直流高電圧若しくは高周波電圧を印加し
てプラズマを発生させ、活性化された気体を被処理物自
体もしくはその表面上に形成された被膜等と反応させ、
反応物を気化させて除去するものである。また、このプ
ラズマにより被処理物表面を改質することもできる。[0007] Conventionally, an apparatus for discharging gas under atmospheric pressure to generate plasma and supplying gas activated in the plasma to an object to be processed for ashing and etching is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 125825/1989. Japanese Patent Laid-Open No. 6-1
No. 90269 is proposed. These methods apply a direct current high voltage or a high frequency voltage to the supplied gas to generate plasma, and the activated gas reacts with the object to be treated itself or a film formed on its surface,
The reaction product is vaporized and removed. Further, the surface of the object to be treated can be modified by this plasma.
【０００８】上記のプラズマ処理装置は全てを大気圧下
で行うことができるために装置構成が簡略化されるとと
もに取り扱いが容易であり、装置コストが安く迅速に処
理を行うことができるという利点がある。Since all of the above plasma processing apparatus can be carried out under atmospheric pressure, the apparatus structure is simplified and the handling is easy, the apparatus cost is low, and the processing can be carried out quickly. is there.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の大気圧プラズマ処理装置においては、一般的にアッシ
ング速度およびエッチング速度が低いという問題点があ
った。そのため、アッシング速度を上げるにはステージ
の温度またはＲＦ出力を高くする必要があるが、ステー
ジの温度またはＲＦ出力を高くするとウエハおよび基板
上の素子にチャージアップ・ダメージを与えるという問
題点があった。However, the conventional atmospheric pressure plasma processing apparatus described above has a problem that the ashing rate and the etching rate are generally low. Therefore, in order to increase the ashing speed, it is necessary to increase the temperature of the stage or the RF output, but there is a problem that the increase of the temperature or the RF output of the stage causes charge-up damage to the elements on the wafer and the substrate. .
【００１０】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題はウエハまたは基板上のチャージアッ
プ・ダメージを解消するとともに高速に処理するところ
にある。Therefore, the present invention solves the above problems, and its object is to eliminate charge-up damage on a wafer or a substrate and to process at high speed.
【００１１】[0011]
（手段１）対向した電極間での放電または無電極放電等
によるプラズマ処理を行なう際にウエハまたは基板等の
被処理物が置かれるステージとアース間の静電容量を制
御する静電容量制御手段を有することを特徴とするプラ
ズマ処理装置。(Means 1) Capacitance control means for controlling the electrostatic capacity between the stage on which an object to be processed such as a wafer or a substrate is placed and the ground when performing plasma processing by discharge between electrodes facing each other or electrodeless discharge A plasma processing apparatus comprising:
【００１２】（手段２）被処理物が置かれるステージを
アルマイトなどの薄膜に比べ十分に厚い誘電体としたこ
とを特徴とする手段１記載のプラズマ処理装置。(Means 2) A plasma processing apparatus according to means 1, wherein the stage on which the object to be processed is placed is a dielectric sufficiently thicker than a thin film such as alumite.
【００１３】（手段３）被処理物が置かれるステージと
アース間に厚い誘電体を設けたことを特徴とする手段１
記載のプラズマ処理装置。(Means 3) A means 1 characterized in that a thick dielectric is provided between the stage on which the object to be processed is placed and the ground.
The plasma processing apparatus described.
【００１４】（手段４）被処理物が置かれるステージと
アース間に固定コンデンサーを設けたことを特徴とする
手段１記載のプラズマ処理装置。(Means 4) A plasma processing apparatus according to means 1, wherein a fixed condenser is provided between the stage on which the object to be processed is placed and the ground.
【００１５】（手段５）前記静電容量制御手段は可変コ
ンデンサーを有することを特徴とする手段１記載のプラ
ズマ処理装置。(Means 5) The plasma processing apparatus according to means 1, wherein the capacitance control means has a variable capacitor.
【００１６】（手段６）被処理物を処理する電極とは別
に放電を起動するための電極を有することを特徴とする
手段１記載のプラズマ処理装置。(Means 6) A plasma processing apparatus according to means 1, characterized in that it has an electrode for activating a discharge in addition to an electrode for treating an object to be treated.
【００１７】（手段７）紫外線照射機構を有することを
特徴とする手段１記載のプラズマ処理装置。(Means 7) The plasma processing apparatus according to means 1, which has an ultraviolet irradiation mechanism.
【００１８】[0018]
【作用】手段１のような構成をとりウエハまたは基板が
置かれるステージとアース間の静電容量を制御すること
により、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャ
ージアップ・ダメージを低減することができる。By controlling the electrostatic capacity between the stage on which the wafer or substrate is placed and the ground by adopting the structure of the means 1, the movement of charges to the wafer or substrate is restricted and charge-up damage is reduced. You can
【００１９】手段２のような構成をとりステージとアー
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。By adopting the construction of the means 2 and setting the electrostatic capacitance between the stage and the ground to a few pF to a few thousand pF, the movement of charges to the wafer or the substrate is limited and charge-up damage is reduced. be able to.
【００２０】手段３のような構成をとりステージとアー
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。By adopting the construction of the means 3 and setting the electrostatic capacitance between the stage and the ground to a few pF to a few thousand pF, the movement of charges to the wafer or the substrate is restricted and charge-up damage is reduced. be able to.
【００２１】手段４のような構成をとりステージとアー
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。By adopting the construction of the means 4 and setting the electrostatic capacitance between the stage and the ground to a few pF to a few thousand pF, the movement of charges to the wafer or the substrate is restricted and charge-up damage is reduced. be able to.
【００２２】手段５のような構成をとりウエハまたは基
板が置かれるステージとアース間の静電容量を数ｐＦか
ら数千ｐＦに連続的に制御することにより、ウエハまた
は基板への電荷の移動を制限しチャージアップ・ダメー
ジを低減することができる。ステージとアース間の静電
容量を小さくすると放電の起動がしにくいため放電開始
時の静電容量と処理時の静電容量を別々に制御すること
によりチャージアップ・ダメージの解消と放電の起動を
しやすくすることができる。また、ステージ温度、ＲＦ
出力、ガス流量等でチャージアップ・ダメージは異なる
ため、条件毎に静電容量を制御することによりチャージ
アップ・ダメージを解消できる。By adopting the structure of the means 5 and continuously controlling the electrostatic capacitance between the stage on which the wafer or substrate is placed and the ground from several pF to several thousand pF, the transfer of the charge to the wafer or substrate is performed. You can limit and reduce charge-up damage. If the electrostatic capacity between the stage and the ground is small, it is difficult to start the discharge.By separately controlling the electrostatic capacity at the start of discharge and the electrostatic capacity at the time of processing, elimination of charge-up damage and start of discharge can be achieved. You can make it easier. Also, stage temperature, RF
Since the charge-up damage differs depending on the output, gas flow rate, etc., it is possible to eliminate the charge-up damage by controlling the capacitance for each condition.
【００２３】さらに、チャージアップ・ダメージを低減
する方法として放電開始時の静電容量を小さくしたまま
放電を開始する方法がある。そこで手段６のような構成
をとり処理電極とは別に放電を起動するための電極を設
けることにより、被処理物へのチャージアップ・ダメー
ジなく放電を開始することができる。Further, as a method of reducing charge-up damage, there is a method of starting discharge with the electrostatic capacity at the start of discharge kept small. Therefore, by adopting the structure of the means 6 and providing an electrode for starting the discharge separately from the processing electrode, the discharge can be started without charge-up or damage to the object to be processed.
【００２４】もう一つのチャージアップ・ダメージを低
減する方法として紫外線を用いる方法がある。そこで手
段７のような構成をとり放電開始時の静電容量を小さく
したままで紫外線を照射することにより、気体が励起し
放電が開始しやすくなる。そのため、チャージアップダ
メージなく処理できる。Another method for reducing charge-up damage is the use of ultraviolet rays. Therefore, by adopting the configuration of the means 7 and irradiating with ultraviolet rays while keeping the electrostatic capacity at the start of the discharge small, the gas is excited and the discharge easily starts. Therefore, it can be processed without charge-up damage.
【００２５】[0025]
【実施例】次に、図面を参照して本発明に係るプラズマ
反応装置の実施例を説明する。Embodiments of the plasma reactor according to the present invention will now be described with reference to the drawings.
【００２６】（第１実施例）先ず、本発明の第１実施例
を図１を参照して説明する。この実施例においては装置
上部に設けられた気体導入部１０は図示しない気体供給
装置に接続されている。反応室は一対の対向電極１１,
１５が取り付けられており、これらの対向電極１１は同
調回路１８を経由して高周波電源１６に接続されてい
る。もう一方の対向電極は１２６ｐＦのコンデンサー１
７を介して高周波電源およびアースに接続されている。
反応室は上から順に多孔質の金属電極１１と多孔質の例
えばセラミックス等からなる誘電体１２とが設けられ、
間隔をおいて誘電体１４と金属電極１５が配置されてい
る。金属電極１５とアース間にコンデンサー１７が接続
されている。上記高周波電源１６の周波数は１３．５６
ＭＨｚである。高周波電源の周波数は１３．５６ＭＨｚ
に限らずエッチング装置などに一般的に使われている数
百ＫＨｚから数百ＭＨｚの範囲で使用することができ
る。また、高周波電源としてマイクロ波を用いることも
可能である。(First Embodiment) First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the gas introduction part 10 provided at the upper part of the device is connected to a gas supply device (not shown). The reaction chamber is a pair of counter electrodes 11,
15 are attached, and these counter electrodes 11 are connected to a high frequency power supply 16 via a tuning circuit 18. The other counter electrode is a 126 pF capacitor 1
It is connected to a high frequency power source and ground via 7.
The reaction chamber is provided with a porous metal electrode 11 and a porous dielectric material 12 made of, for example, ceramics in this order from the top.
The dielectric 14 and the metal electrode 15 are arranged at intervals. A capacitor 17 is connected between the metal electrode 15 and ground. The frequency of the high frequency power source 16 is 13.56.
MHz. The frequency of the high frequency power supply is 13.56MHz
However, it can be used in the range of several hundreds KHz to several hundreds MHz which is generally used for etching equipment. Further, it is also possible to use microwaves as the high frequency power source.
【００２７】気体導入部から導入されたＨｅ，Ａｒ等の
不活性ガスおよび反応ガスはプラズマ領域Ａにおいて活
性化され排気口１９から排出される。プラズマ領域Ａに
は被処理物であるウエハ１３が載置される。ウエハ１３
の表面に付着した有機物を除去する場合には、上記不活
性ガスに加えて酸素を導入する。酸素を加えると放電部
は白色に変化し、酸素イオン酸素の励起種が発生してウ
エハ１３上に付着した有機物と反応する。この反応では
有機物が一酸化炭素、二酸化炭素、水蒸気に分解され
る。上記気体供給手段により供給される気体は種々のも
のが使用される。例えばシリコン膜を除去する目的であ
れば、４フッ化炭素（ＣＦ４）を用いることができる。The inert gas such as He and Ar introduced from the gas introduction part and the reaction gas are activated in the plasma region A and are exhausted from the exhaust port 19. A wafer 13, which is an object to be processed, is placed in the plasma region A. Wafer 13
When removing the organic substances adhering to the surface of, the oxygen is introduced in addition to the above-mentioned inert gas. When oxygen is added, the discharge part turns white, and excited species of oxygen ions oxygen are generated to react with the organic substances attached on the wafer 13. In this reaction, organic matter is decomposed into carbon monoxide, carbon dioxide, and water vapor. Various gases are used as the gas supplied by the gas supply means. For example, carbon tetrafluoride (CF4) can be used for the purpose of removing the silicon film.
【００２８】一般的にウエハのチャージアップ・ダメー
ジはフラットバンド電圧のシフト量で評価することがで
きる。以下の処理条件で電極面積１．２５mm2の構造の
ＭＮＯＳキャパシターをプラズマにさらし、ステージと
アース間の静電容量に対するフラットバンド電圧のシフ
ト量を測定した結果を図２に示す。Generally, the charge-up damage of the wafer can be evaluated by the shift amount of the flat band voltage. The MNOS capacitor having an electrode area of 1.25 mm 2 was exposed to plasma under the following treatment conditions, and the shift amount of the flat band voltage with respect to the electrostatic capacitance between the stage and the ground was measured. The results are shown in FIG.
【００２９】 図より静電容量を減少させることによりフラットバンド
電圧のシフト量（dVfb）が減少し、静電容量 800pF に
対し 125pF では dVfb が 1/10 程度に減少しているこ
とがわかる。dVfb は０であることが望ましいが、電源
電圧が３Ｖで動作するＩＣならば、0.5V 程度でも問題
にはならない。ただしこのプラズマ処理での dVfb が０
であったとしても、他のＩＣ製造プロセスでの dVfb が
問題となる可能性もある。[0029] It can be seen from the figure that the amount of shift of the flat band voltage (dVfb) decreases as the capacitance is reduced, and dVfb is reduced to about 1/10 at 125 pF compared to the capacitance of 800 pF. It is desirable that dVfb be 0, but if it is an IC that operates at a power supply voltage of 3V, then even if it is about 0.5V, it does not matter. However, dVfb in this plasma treatment is 0
However, dVfb in other IC manufacturing processes may become a problem.
【００３０】本実施例ではステージとアース間の静電容
量が少なければ基板に注入される電荷も少なくなるため
被処理物のチャージアップ・ダメージを低減することが
できる。In the present embodiment, if the electrostatic capacitance between the stage and the ground is small, the charges injected into the substrate are also small, so that the charge-up / damage of the object to be processed can be reduced.
【００３１】（第２実施例）次に、図３を参照して本発
明に係る第２実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。この実施例では金属電極１５とアース間に可
変コンデンサー２０を接続し放電開始時の静電容量（７
９３ｐＦ）と放電処理中の静電容量（１２６ｐＦ）を個
別に設定できるように構成したものである。(Second Embodiment) Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In this embodiment, a variable capacitor 20 is connected between the metal electrode 15 and the ground, and the electrostatic capacity (7
93 pF) and electrostatic capacity (126 pF) during discharge processing can be set individually.
【００３２】また、処理条件に合わせて金属電極１５と
アース間の静電容量を個別に設定できる。放電中に可変
コンデンサーの静電容量を小さくすると移動できる電荷
量が制限されてプラズマ領域Ａが小さくなることが確認
されている。以上よりチャージアップ・ダメージの解消
と放電の起動をしやすくすることができる。Further, the capacitance between the metal electrode 15 and the ground can be individually set according to the processing conditions. It has been confirmed that if the capacitance of the variable capacitor is reduced during discharging, the amount of charge that can be transferred is limited and the plasma region A becomes smaller. From the above, it is possible to easily eliminate charge-up / damage and start discharge.
【００３３】（第３実施例）次に、図４を参照して本発
明に係る第３実施例を説明する。この実施例では、上記
第２実施例と同様の部分には同一符号を付し、その説明
は省略する。反応室には、金属電極１１に対向した金属
電極１５とリング状の金属電極２４が取り付けられてい
る。金属電極２４の上には、同じリング状の誘電体２３
が設けられている。金属電極２４は可変コンデンサー２
１（静電容量Ｃ２）を介してアースに接続されている。(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same parts as those in the second embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. A metal electrode 15 facing the metal electrode 11 and a ring-shaped metal electrode 24 are attached to the reaction chamber. The same ring-shaped dielectric 23 is formed on the metal electrode 24.
Is provided. The metal electrode 24 is the variable capacitor 2
It is connected to the ground via 1 (capacitance C2).
【００３４】一方、金属電極１５は先に説明したように
可変コンデンサー２０（静電容量Ｃ１）を介してアース
に接続されている。チャージアップ・ダメージを少なく
するためＣ１を小さくするとプラズマ領域Ａでの放電が
起動しにくくなる。On the other hand, the metal electrode 15 is connected to the ground via the variable capacitor 20 (electrostatic capacity C1) as described above. If C1 is made small in order to reduce charge-up damage, discharge in the plasma region A becomes difficult to start.
【００３５】これを、解決するためにＣ２／Ｃ１が２以
上の十分大きな値に設定するとプラズマ領域Ｂで放電が
開始する。この後、Ｃ２をＣ１に近づけて行くと放電は
プラズマ領域ＢからＡに広がる。以上によりチャージア
ップ・ダメージの解消と放電の起動をしやすくすること
ができる。To solve this, when C2 / C1 is set to a sufficiently large value of 2 or more, discharge starts in the plasma region B. After that, when C2 is brought closer to C1, the discharge spreads from the plasma region B to A. As described above, charge-up / damage can be eliminated and discharge can be started easily.
【００３６】（第４実施例）図５は本発明に係る第４実
施例を示すものである。この実施例では上記第３実施例
と同様の部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。反応室のプラズマ領域Ａおよびウエハには紫外線ラ
ンプ２６から紫外線が照射される。上部から導入された
ガスは５ｍＷ／ｃｍ２以上の紫外線ランプにより励起さ
れ放電が開始しやすくなり、ステージとアース間の静電
容量が小さい状態でも放電が開始しやすくなる。以上に
よりチャージアップ・ダメージの解消と放電の起動をし
やすくすることができる。(Fourth Embodiment) FIG. 5 shows a fourth embodiment according to the present invention. In this embodiment, the same parts as those in the third embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The plasma region A of the reaction chamber and the wafer are irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 26. The gas introduced from the upper part is excited by an ultraviolet lamp of 5 mW / cm 2 or more to easily start the discharge, and the discharge is easily started even in a state where the capacitance between the stage and the ground is small. As described above, charge-up / damage can be eliminated and discharge can be started easily.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を奏する。As described above, the present invention has the following effects.
【００３８】手段１によれば、大気圧下および真空下に
おいてプラズマを形成して気体を活性化して活性種を生
成し、この活性種と被処理物とを反応させる際にウエハ
または基板等の被処理物にチャージアップ・ダメージを
与えることなくプラズマを発生させることができる。手
段２によれば、ウエハまたは基板等の被処理物をチャー
ジアップ・ダメージなくプラズマ処理することができ
る。 手段３によれば、ウエハまたは基板等の被処理物
をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理すること
ができる。手段４によれば、ウエハまたは基板等の被処
理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理する
ことができる。手段５によれば、ウエハまたは基板等の
被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理
することができる。手段６によれば、ウエハまたは基板
等の被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ
処理することができる。手段７によれば、ウエハまたは
基板等の被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラ
ズマ処理することができる。According to the means 1, plasma is formed under atmospheric pressure and under vacuum to activate the gas to generate active species, and when the active species react with the object to be processed, a wafer, a substrate, or the like is reacted. Plasma can be generated without causing charge-up damage to the object to be processed. According to the means 2, an object to be processed such as a wafer or a substrate can be plasma-processed without charge-up and damage. According to the means 3, an object to be processed such as a wafer or a substrate can be plasma-processed without charge-up and damage. According to the means 4, an object to be processed such as a wafer or a substrate can be plasma-processed without charge-up and damage. According to the means 5, an object to be processed such as a wafer or a substrate can be plasma-processed without charge-up and damage. According to the means 6, an object to be processed such as a wafer or a substrate can be plasma-processed without charge-up and damage. According to the means 7, an object to be processed such as a wafer or a substrate can be plasma-processed without charge-up and damage.
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例を
示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a plasma processing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施例を
示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施例を
示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a third embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置の第４実施例を
示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a fourth embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention.
１０ 気体導入部 １１ 金属電極 １２ 誘電体 １３ ウエハ １４ 誘電体 １５ 金属電極 １６ 高周波電源 １７ コンデンサー １８ 同調回路 １９ 気体排気口 ２０ 可変コンデンサー ２１ 可変コンデンサー ２２ 絶縁体 ２３ 誘電体 ２４ 金属電極 ２５ 透明窓 ２６ 紫外線ランプ Ａ プラズマ領域 Ｂ プラズマ領域 10 Gas Introducing Section 11 Metal Electrode 12 Dielectric 13 Wafer 14 Dielectric 15 Metal Electrode 16 High Frequency Power Supply 17 Capacitor 18 Tuning Circuit 19 Gas Exhaust Port 20 Variable Capacitor 21 Variable Capacitor 22 Insulator 23 Dielectric 24 Metal Electrode 25 Transparent Window 26 UV Lamp A Plasma area B Plasma area
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成７年１２月２１日[Submission date] December 21, 1995
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Correction target item name] Brief description of drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例を
示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a plasma processing apparatus according to the present invention.
【図２】フラットバンド電圧のシフト量を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a shift amount of a flat band voltage.
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施例を
示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施例を
示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a third embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention.
【図５】本発明に係るプラズマ処理装置の第４実施例を
示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a fourth embodiment of the plasma processing apparatus according to the present invention.
【符号の説明】 １０ 気体導入部 １１ 金属電極 １２ 誘電体 １３ ウエハ １４ 誘電体 １５ 金属電極 １６ 高周波電源 １７ コンデンサー １８ 同調回路 １９ 気体排気口 ２０ 可変コンデンサー ２１ 可変コンデンサー ２２ 絶縁体 ２３ 誘電体 ２４ 金属電極 ２５ 透明窓 ２６ 紫外線ランプ Ａ プラズマ領域 Ｂ プラズマ領域[Explanation of Codes] 10 Gas Introducing Section 11 Metal Electrode 12 Dielectric 13 Wafer 14 Dielectric 15 Metal Electrode 16 High Frequency Power Supply 17 Capacitor 18 Tuning Circuit 19 Gas Exhaust Port 20 Variable Capacitor 21 Variable Capacitor 22 Insulator 23 Dielectric 24 Metal Electrode 25 transparent window 26 UV lamp A plasma region B plasma region
Claims (7)
等によるプラズマ処理を行なう際にウエハまたは基板等
の被処理物が置かれるステージとアース間の静電容量を
制御する静電容量制御手段を有することを特徴とするプ
ラズマ処理装置。1. A capacitance control for controlling a capacitance between a stage on which an object to be treated such as a wafer or a substrate is placed and a ground when performing a plasma treatment by a discharge between opposite electrodes or an electrodeless discharge. A plasma processing apparatus comprising means.
などの薄膜に比べ十分に厚い誘電体としたことを特徴と
する請求項１記載のプラズマ処理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the stage on which the object to be processed is placed is a dielectric sufficiently thicker than a thin film such as alumite.
厚い誘電体を設けたことを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ処理装置。3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a thick dielectric is provided between the stage on which the object to be processed is placed and the ground.
固定コンデンサーを設けたことを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理装置。4. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a fixed capacitor is provided between the stage on which the object to be processed is placed and the ground.
を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理
装置。5. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the capacitance control means has a variable capacitor.
動するための電極を有することを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理装置。6. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising an electrode for activating discharge, in addition to the electrode for processing the object to be processed.
請求項１記載のプラズマ処理装置。7. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising an ultraviolet irradiation mechanism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22953695A JP3567545B2 (en) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | Plasma processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22953695A JP3567545B2 (en) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | Plasma processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974086A true JPH0974086A (en) | 1997-03-18 |
| JP3567545B2 JP3567545B2 (en) | 2004-09-22 |
Family
ID=16893716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22953695A Expired - Lifetime JP3567545B2 (en) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | Plasma processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3567545B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6431112B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck |
| US6441397B2 (en) * | 2000-04-05 | 2002-08-27 | Matsushita Electronics Corporation | Evaluation of semiconductor chargeup damage and apparatus therefor |
| JP2012054333A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Shinkawa Ltd | Surface cleaning device |
| JP2013211204A (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Osaka City Univ | Submerged plasma generating method, submerged plasma generating device, processed liquid purifying device, and ion containing liquid creating device |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP22953695A patent/JP3567545B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6431112B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck |
| US6441397B2 (en) * | 2000-04-05 | 2002-08-27 | Matsushita Electronics Corporation | Evaluation of semiconductor chargeup damage and apparatus therefor |
| JP2012054333A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Shinkawa Ltd | Surface cleaning device |
| JP2013211204A (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Osaka City Univ | Submerged plasma generating method, submerged plasma generating device, processed liquid purifying device, and ion containing liquid creating device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3567545B2 (en) | 2004-09-22 |
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