JPH0974086A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0974086A JPH0974086A JP7229536A JP22953695A JPH0974086A JP H0974086 A JPH0974086 A JP H0974086A JP 7229536 A JP7229536 A JP 7229536A JP 22953695 A JP22953695 A JP 22953695A JP H0974086 A JPH0974086 A JP H0974086A
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大気圧下または真空下でのプラズマ処理装置に
おいて、ウエハまたは基板上のチャージアップ・ダメー
ジを解消すると共に高速処理を実現する。 【構成】気体導入部１０よりガスが導入され反応室に供
給される。反応室は一対の対向電極１１、１５が取り付
けられており、これらの対向電極１１は同調回路１８を
経由して高周波電源１６に接続されている。もう一方の
対向電極１５は可変コンデンサー２０を介して高周波電
源およびアースに接続されている。 【効果】被処理物が置かれるステージとアース間の静電
容量を制御することにより被処理物への電荷の移動を制
限するこができ高速に処理すると共に被処理物のチャー
ジアップ・ダメージを防止できる。また、被処理物を処
理する電極とは別に放電を起動するための電極によりプ
ラズマの形成を容易にできる。
おいて、ウエハまたは基板上のチャージアップ・ダメー
ジを解消すると共に高速処理を実現する。 【構成】気体導入部１０よりガスが導入され反応室に供
給される。反応室は一対の対向電極１１、１５が取り付
けられており、これらの対向電極１１は同調回路１８を
経由して高周波電源１６に接続されている。もう一方の
対向電極１５は可変コンデンサー２０を介して高周波電
源およびアースに接続されている。 【効果】被処理物が置かれるステージとアース間の静電
容量を制御することにより被処理物への電荷の移動を制
限するこができ高速に処理すると共に被処理物のチャー
ジアップ・ダメージを防止できる。また、被処理物を処
理する電極とは別に放電を起動するための電極によりプ
ラズマの形成を容易にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は大気圧下または真空下で
プラズマを形成して気体を活性化して活性種を生成し、
活性種と被処理物とを反応させる装置に関する。
プラズマを形成して気体を活性化して活性種を生成し、
活性種と被処理物とを反応させる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハまたは基板等の被処理物を作成す
るプロセスにおいてプラズマ処理は極めて重要な加工技
術である。
るプロセスにおいてプラズマ処理は極めて重要な加工技
術である。
【０００３】代表的なプラズマ処理はレジスト剥離、エ
ッチング、表面改質、パーティクル除去等がある。
ッチング、表面改質、パーティクル除去等がある。
【０００４】レジスト剥離は半導体や表示体の素子を形
成する際に使用したレジストをＯ2を含むプラズマで分
解するものである。
成する際に使用したレジストをＯ2を含むプラズマで分
解するものである。
【０００５】エッチングは半導体や表示体の素子を形成
するためにＳｉ、ＳｉＯ2、ＡＬ等の薄膜を除去するも
のである。
するためにＳｉ、ＳｉＯ2、ＡＬ等の薄膜を除去するも
のである。
【０００６】表面改質は、例えば薄膜の表面をプラズマ
にさらすことにより疎水性、親水性、接着性に変化させ
るプロセスである。パーティクル除去はＡＬスパッタな
どの薄膜形成前にＯ2を含むプラズマで表面に付着した
有機物を除去するプロセスである。
にさらすことにより疎水性、親水性、接着性に変化させ
るプロセスである。パーティクル除去はＡＬスパッタな
どの薄膜形成前にＯ2を含むプラズマで表面に付着した
有機物を除去するプロセスである。
【０００７】従来、大気圧下において気体を放電させて
プラズマを発生させ、このプラズマ中において活性化さ
れた気体を被処理物に供給してアッシングやエッチング
を行う装置が特開平１−１２５８２９号、特開平６−１
９０２６９号等に提案されている。これらの方法は、供
給された気体に直流高電圧若しくは高周波電圧を印加し
てプラズマを発生させ、活性化された気体を被処理物自
体もしくはその表面上に形成された被膜等と反応させ、
反応物を気化させて除去するものである。また、このプ
ラズマにより被処理物表面を改質することもできる。
プラズマを発生させ、このプラズマ中において活性化さ
れた気体を被処理物に供給してアッシングやエッチング
を行う装置が特開平１−１２５８２９号、特開平６−１
９０２６９号等に提案されている。これらの方法は、供
給された気体に直流高電圧若しくは高周波電圧を印加し
てプラズマを発生させ、活性化された気体を被処理物自
体もしくはその表面上に形成された被膜等と反応させ、
反応物を気化させて除去するものである。また、このプ
ラズマにより被処理物表面を改質することもできる。
【０００８】上記のプラズマ処理装置は全てを大気圧下
で行うことができるために装置構成が簡略化されるとと
もに取り扱いが容易であり、装置コストが安く迅速に処
理を行うことができるという利点がある。
で行うことができるために装置構成が簡略化されるとと
もに取り扱いが容易であり、装置コストが安く迅速に処
理を行うことができるという利点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の大気圧プラズマ処理装置においては、一般的にアッシ
ング速度およびエッチング速度が低いという問題点があ
った。そのため、アッシング速度を上げるにはステージ
の温度またはＲＦ出力を高くする必要があるが、ステー
ジの温度またはＲＦ出力を高くするとウエハおよび基板
上の素子にチャージアップ・ダメージを与えるという問
題点があった。
の大気圧プラズマ処理装置においては、一般的にアッシ
ング速度およびエッチング速度が低いという問題点があ
った。そのため、アッシング速度を上げるにはステージ
の温度またはＲＦ出力を高くする必要があるが、ステー
ジの温度またはＲＦ出力を高くするとウエハおよび基板
上の素子にチャージアップ・ダメージを与えるという問
題点があった。
【００１０】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題はウエハまたは基板上のチャージアッ
プ・ダメージを解消するとともに高速に処理するところ
にある。
であり、その課題はウエハまたは基板上のチャージアッ
プ・ダメージを解消するとともに高速に処理するところ
にある。
【００１１】
（手段１）対向した電極間での放電または無電極放電等
によるプラズマ処理を行なう際にウエハまたは基板等の
被処理物が置かれるステージとアース間の静電容量を制
御する静電容量制御手段を有することを特徴とするプラ
ズマ処理装置。
によるプラズマ処理を行なう際にウエハまたは基板等の
被処理物が置かれるステージとアース間の静電容量を制
御する静電容量制御手段を有することを特徴とするプラ
ズマ処理装置。
【００１２】（手段２）被処理物が置かれるステージを
アルマイトなどの薄膜に比べ十分に厚い誘電体としたこ
とを特徴とする手段１記載のプラズマ処理装置。
アルマイトなどの薄膜に比べ十分に厚い誘電体としたこ
とを特徴とする手段１記載のプラズマ処理装置。
【００１３】（手段３）被処理物が置かれるステージと
アース間に厚い誘電体を設けたことを特徴とする手段１
記載のプラズマ処理装置。
アース間に厚い誘電体を設けたことを特徴とする手段１
記載のプラズマ処理装置。
【００１４】（手段４）被処理物が置かれるステージと
アース間に固定コンデンサーを設けたことを特徴とする
手段１記載のプラズマ処理装置。
アース間に固定コンデンサーを設けたことを特徴とする
手段１記載のプラズマ処理装置。
【００１５】（手段５）前記静電容量制御手段は可変コ
ンデンサーを有することを特徴とする手段１記載のプラ
ズマ処理装置。
ンデンサーを有することを特徴とする手段１記載のプラ
ズマ処理装置。
【００１６】（手段６）被処理物を処理する電極とは別
に放電を起動するための電極を有することを特徴とする
手段１記載のプラズマ処理装置。
に放電を起動するための電極を有することを特徴とする
手段１記載のプラズマ処理装置。
【００１７】（手段７）紫外線照射機構を有することを
特徴とする手段１記載のプラズマ処理装置。
特徴とする手段１記載のプラズマ処理装置。
【００１８】
【作用】手段１のような構成をとりウエハまたは基板が
置かれるステージとアース間の静電容量を制御すること
により、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャ
ージアップ・ダメージを低減することができる。
置かれるステージとアース間の静電容量を制御すること
により、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャ
ージアップ・ダメージを低減することができる。
【００１９】手段２のような構成をとりステージとアー
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。
【００２０】手段３のような構成をとりステージとアー
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。
【００２１】手段４のような構成をとりステージとアー
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。
ス間の静電容量を数ｐＦから数千ｐＦに設定することに
より、ウエハまたは基板への電荷の移動を制限しチャー
ジアップ・ダメージを低減することができる。
【００２２】手段５のような構成をとりウエハまたは基
板が置かれるステージとアース間の静電容量を数ｐＦか
ら数千ｐＦに連続的に制御することにより、ウエハまた
は基板への電荷の移動を制限しチャージアップ・ダメー
ジを低減することができる。ステージとアース間の静電
容量を小さくすると放電の起動がしにくいため放電開始
時の静電容量と処理時の静電容量を別々に制御すること
によりチャージアップ・ダメージの解消と放電の起動を
しやすくすることができる。また、ステージ温度、ＲＦ
出力、ガス流量等でチャージアップ・ダメージは異なる
ため、条件毎に静電容量を制御することによりチャージ
アップ・ダメージを解消できる。
板が置かれるステージとアース間の静電容量を数ｐＦか
ら数千ｐＦに連続的に制御することにより、ウエハまた
は基板への電荷の移動を制限しチャージアップ・ダメー
ジを低減することができる。ステージとアース間の静電
容量を小さくすると放電の起動がしにくいため放電開始
時の静電容量と処理時の静電容量を別々に制御すること
によりチャージアップ・ダメージの解消と放電の起動を
しやすくすることができる。また、ステージ温度、ＲＦ
出力、ガス流量等でチャージアップ・ダメージは異なる
ため、条件毎に静電容量を制御することによりチャージ
アップ・ダメージを解消できる。
【００２３】さらに、チャージアップ・ダメージを低減
する方法として放電開始時の静電容量を小さくしたまま
放電を開始する方法がある。そこで手段６のような構成
をとり処理電極とは別に放電を起動するための電極を設
けることにより、被処理物へのチャージアップ・ダメー
ジなく放電を開始することができる。
する方法として放電開始時の静電容量を小さくしたまま
放電を開始する方法がある。そこで手段６のような構成
をとり処理電極とは別に放電を起動するための電極を設
けることにより、被処理物へのチャージアップ・ダメー
ジなく放電を開始することができる。
【００２４】もう一つのチャージアップ・ダメージを低
減する方法として紫外線を用いる方法がある。そこで手
段７のような構成をとり放電開始時の静電容量を小さく
したままで紫外線を照射することにより、気体が励起し
放電が開始しやすくなる。そのため、チャージアップダ
メージなく処理できる。
減する方法として紫外線を用いる方法がある。そこで手
段７のような構成をとり放電開始時の静電容量を小さく
したままで紫外線を照射することにより、気体が励起し
放電が開始しやすくなる。そのため、チャージアップダ
メージなく処理できる。
【００２５】
【実施例】次に、図面を参照して本発明に係るプラズマ
反応装置の実施例を説明する。
反応装置の実施例を説明する。
【００２６】（第１実施例）先ず、本発明の第１実施例
を図１を参照して説明する。この実施例においては装置
上部に設けられた気体導入部１０は図示しない気体供給
装置に接続されている。反応室は一対の対向電極１１,
１５が取り付けられており、これらの対向電極１１は同
調回路１８を経由して高周波電源１６に接続されてい
る。もう一方の対向電極は１２６ｐＦのコンデンサー１
７を介して高周波電源およびアースに接続されている。
反応室は上から順に多孔質の金属電極１１と多孔質の例
えばセラミックス等からなる誘電体１２とが設けられ、
間隔をおいて誘電体１４と金属電極１５が配置されてい
る。金属電極１５とアース間にコンデンサー１７が接続
されている。上記高周波電源１６の周波数は１３．５６
ＭＨｚである。高周波電源の周波数は１３．５６ＭＨｚ
に限らずエッチング装置などに一般的に使われている数
百ＫＨｚから数百ＭＨｚの範囲で使用することができ
る。また、高周波電源としてマイクロ波を用いることも
可能である。
を図１を参照して説明する。この実施例においては装置
上部に設けられた気体導入部１０は図示しない気体供給
装置に接続されている。反応室は一対の対向電極１１,
１５が取り付けられており、これらの対向電極１１は同
調回路１８を経由して高周波電源１６に接続されてい
る。もう一方の対向電極は１２６ｐＦのコンデンサー１
７を介して高周波電源およびアースに接続されている。
反応室は上から順に多孔質の金属電極１１と多孔質の例
えばセラミックス等からなる誘電体１２とが設けられ、
間隔をおいて誘電体１４と金属電極１５が配置されてい
る。金属電極１５とアース間にコンデンサー１７が接続
されている。上記高周波電源１６の周波数は１３．５６
ＭＨｚである。高周波電源の周波数は１３．５６ＭＨｚ
に限らずエッチング装置などに一般的に使われている数
百ＫＨｚから数百ＭＨｚの範囲で使用することができ
る。また、高周波電源としてマイクロ波を用いることも
可能である。
【００２７】気体導入部から導入されたＨｅ，Ａｒ等の
不活性ガスおよび反応ガスはプラズマ領域Ａにおいて活
性化され排気口１９から排出される。プラズマ領域Ａに
は被処理物であるウエハ１３が載置される。ウエハ１３
の表面に付着した有機物を除去する場合には、上記不活
性ガスに加えて酸素を導入する。酸素を加えると放電部
は白色に変化し、酸素イオン酸素の励起種が発生してウ
エハ１３上に付着した有機物と反応する。この反応では
有機物が一酸化炭素、二酸化炭素、水蒸気に分解され
る。上記気体供給手段により供給される気体は種々のも
のが使用される。例えばシリコン膜を除去する目的であ
れば、４フッ化炭素（ＣＦ４）を用いることができる。
不活性ガスおよび反応ガスはプラズマ領域Ａにおいて活
性化され排気口１９から排出される。プラズマ領域Ａに
は被処理物であるウエハ１３が載置される。ウエハ１３
の表面に付着した有機物を除去する場合には、上記不活
性ガスに加えて酸素を導入する。酸素を加えると放電部
は白色に変化し、酸素イオン酸素の励起種が発生してウ
エハ１３上に付着した有機物と反応する。この反応では
有機物が一酸化炭素、二酸化炭素、水蒸気に分解され
る。上記気体供給手段により供給される気体は種々のも
のが使用される。例えばシリコン膜を除去する目的であ
れば、４フッ化炭素（ＣＦ４）を用いることができる。
【００２８】一般的にウエハのチャージアップ・ダメー
ジはフラットバンド電圧のシフト量で評価することがで
きる。以下の処理条件で電極面積１．２５mm2の構造の
ＭＮＯＳキャパシターをプラズマにさらし、ステージと
アース間の静電容量に対するフラットバンド電圧のシフ
ト量を測定した結果を図２に示す。
ジはフラットバンド電圧のシフト量で評価することがで
きる。以下の処理条件で電極面積１．２５mm2の構造の
ＭＮＯＳキャパシターをプラズマにさらし、ステージと
アース間の静電容量に対するフラットバンド電圧のシフ
ト量を測定した結果を図２に示す。
【００２９】 図より静電容量を減少させることによりフラットバンド
電圧のシフト量（dVfb）が減少し、静電容量 800pF に
対し 125pF では dVfb が 1/10 程度に減少しているこ
とがわかる。dVfb は０であることが望ましいが、電源
電圧が３Ｖで動作するＩＣならば、0.5V 程度でも問題
にはならない。ただしこのプラズマ処理での dVfb が０
であったとしても、他のＩＣ製造プロセスでの dVfb が
問題となる可能性もある。
電圧のシフト量（dVfb）が減少し、静電容量 800pF に
対し 125pF では dVfb が 1/10 程度に減少しているこ
とがわかる。dVfb は０であることが望ましいが、電源
電圧が３Ｖで動作するＩＣならば、0.5V 程度でも問題
にはならない。ただしこのプラズマ処理での dVfb が０
であったとしても、他のＩＣ製造プロセスでの dVfb が
問題となる可能性もある。
【００３０】本実施例ではステージとアース間の静電容
量が少なければ基板に注入される電荷も少なくなるため
被処理物のチャージアップ・ダメージを低減することが
できる。
量が少なければ基板に注入される電荷も少なくなるため
被処理物のチャージアップ・ダメージを低減することが
できる。
【００３１】（第２実施例）次に、図３を参照して本発
明に係る第２実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。この実施例では金属電極１５とアース間に可
変コンデンサー２０を接続し放電開始時の静電容量（７
９３ｐＦ）と放電処理中の静電容量（１２６ｐＦ）を個
別に設定できるように構成したものである。
明に係る第２実施例を説明する。この実施例では上記第
１実施例と同様の部分には同一符号を付してその説明を
省略する。この実施例では金属電極１５とアース間に可
変コンデンサー２０を接続し放電開始時の静電容量（７
９３ｐＦ）と放電処理中の静電容量（１２６ｐＦ）を個
別に設定できるように構成したものである。
【００３２】また、処理条件に合わせて金属電極１５と
アース間の静電容量を個別に設定できる。放電中に可変
コンデンサーの静電容量を小さくすると移動できる電荷
量が制限されてプラズマ領域Ａが小さくなることが確認
されている。以上よりチャージアップ・ダメージの解消
と放電の起動をしやすくすることができる。
アース間の静電容量を個別に設定できる。放電中に可変
コンデンサーの静電容量を小さくすると移動できる電荷
量が制限されてプラズマ領域Ａが小さくなることが確認
されている。以上よりチャージアップ・ダメージの解消
と放電の起動をしやすくすることができる。
【００３３】（第３実施例）次に、図４を参照して本発
明に係る第３実施例を説明する。この実施例では、上記
第２実施例と同様の部分には同一符号を付し、その説明
は省略する。反応室には、金属電極１１に対向した金属
電極１５とリング状の金属電極２４が取り付けられてい
る。金属電極２４の上には、同じリング状の誘電体２３
が設けられている。金属電極２４は可変コンデンサー２
１（静電容量Ｃ２）を介してアースに接続されている。
明に係る第３実施例を説明する。この実施例では、上記
第２実施例と同様の部分には同一符号を付し、その説明
は省略する。反応室には、金属電極１１に対向した金属
電極１５とリング状の金属電極２４が取り付けられてい
る。金属電極２４の上には、同じリング状の誘電体２３
が設けられている。金属電極２４は可変コンデンサー２
１（静電容量Ｃ２）を介してアースに接続されている。
【００３４】一方、金属電極１５は先に説明したように
可変コンデンサー２０（静電容量Ｃ１）を介してアース
に接続されている。チャージアップ・ダメージを少なく
するためＣ１を小さくするとプラズマ領域Ａでの放電が
起動しにくくなる。
可変コンデンサー２０（静電容量Ｃ１）を介してアース
に接続されている。チャージアップ・ダメージを少なく
するためＣ１を小さくするとプラズマ領域Ａでの放電が
起動しにくくなる。
【００３５】これを、解決するためにＣ２／Ｃ１が２以
上の十分大きな値に設定するとプラズマ領域Ｂで放電が
開始する。この後、Ｃ２をＣ１に近づけて行くと放電は
プラズマ領域ＢからＡに広がる。以上によりチャージア
ップ・ダメージの解消と放電の起動をしやすくすること
ができる。
上の十分大きな値に設定するとプラズマ領域Ｂで放電が
開始する。この後、Ｃ２をＣ１に近づけて行くと放電は
プラズマ領域ＢからＡに広がる。以上によりチャージア
ップ・ダメージの解消と放電の起動をしやすくすること
ができる。
【００３６】（第４実施例）図５は本発明に係る第４実
施例を示すものである。この実施例では上記第３実施例
と同様の部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。反応室のプラズマ領域Ａおよびウエハには紫外線ラ
ンプ２６から紫外線が照射される。上部から導入された
ガスは５ｍＷ／ｃｍ２以上の紫外線ランプにより励起さ
れ放電が開始しやすくなり、ステージとアース間の静電
容量が小さい状態でも放電が開始しやすくなる。以上に
よりチャージアップ・ダメージの解消と放電の起動をし
やすくすることができる。
施例を示すものである。この実施例では上記第３実施例
と同様の部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。反応室のプラズマ領域Ａおよびウエハには紫外線ラ
ンプ２６から紫外線が照射される。上部から導入された
ガスは５ｍＷ／ｃｍ２以上の紫外線ランプにより励起さ
れ放電が開始しやすくなり、ステージとアース間の静電
容量が小さい状態でも放電が開始しやすくなる。以上に
よりチャージアップ・ダメージの解消と放電の起動をし
やすくすることができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を奏する。
の効果を奏する。
【００３８】手段１によれば、大気圧下および真空下に
おいてプラズマを形成して気体を活性化して活性種を生
成し、この活性種と被処理物とを反応させる際にウエハ
または基板等の被処理物にチャージアップ・ダメージを
与えることなくプラズマを発生させることができる。手
段２によれば、ウエハまたは基板等の被処理物をチャー
ジアップ・ダメージなくプラズマ処理することができ
る。 手段３によれば、ウエハまたは基板等の被処理物
をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理すること
ができる。手段４によれば、ウエハまたは基板等の被処
理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理する
ことができる。手段５によれば、ウエハまたは基板等の
被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理
することができる。手段６によれば、ウエハまたは基板
等の被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ
処理することができる。手段７によれば、ウエハまたは
基板等の被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラ
ズマ処理することができる。
おいてプラズマを形成して気体を活性化して活性種を生
成し、この活性種と被処理物とを反応させる際にウエハ
または基板等の被処理物にチャージアップ・ダメージを
与えることなくプラズマを発生させることができる。手
段２によれば、ウエハまたは基板等の被処理物をチャー
ジアップ・ダメージなくプラズマ処理することができ
る。 手段３によれば、ウエハまたは基板等の被処理物
をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理すること
ができる。手段４によれば、ウエハまたは基板等の被処
理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理する
ことができる。手段５によれば、ウエハまたは基板等の
被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ処理
することができる。手段６によれば、ウエハまたは基板
等の被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラズマ
処理することができる。手段７によれば、ウエハまたは
基板等の被処理物をチャージアップ・ダメージなくプラ
ズマ処理することができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置の第４実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
１０ 気体導入部 １１ 金属電極 １２ 誘電体 １３ ウエハ １４ 誘電体 １５ 金属電極 １６ 高周波電源 １７ コンデンサー １８ 同調回路 １９ 気体排気口 ２０ 可変コンデンサー ２１ 可変コンデンサー ２２ 絶縁体 ２３ 誘電体 ２４ 金属電極 ２５ 透明窓 ２６ 紫外線ランプ Ａ プラズマ領域 Ｂ プラズマ領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１２月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】フラットバンド電圧のシフト量を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図５】本発明に係るプラズマ処理装置の第４実施例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【符号の説明】 １０ 気体導入部 １１ 金属電極 １２ 誘電体 １３ ウエハ １４ 誘電体 １５ 金属電極 １６ 高周波電源 １７ コンデンサー １８ 同調回路 １９ 気体排気口 ２０ 可変コンデンサー ２１ 可変コンデンサー ２２ 絶縁体 ２３ 誘電体 ２４ 金属電極 ２５ 透明窓 ２６ 紫外線ランプ Ａ プラズマ領域 Ｂ プラズマ領域
Claims (7)
- 【請求項１】対向した電極間での放電または無電極放電
等によるプラズマ処理を行なう際にウエハまたは基板等
の被処理物が置かれるステージとアース間の静電容量を
制御する静電容量制御手段を有することを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項２】被処理物が置かれるステージをアルマイト
などの薄膜に比べ十分に厚い誘電体としたことを特徴と
する請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】被処理物が置かれるステージとアース間に
厚い誘電体を設けたことを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項４】被処理物が置かれるステージとアース間に
固定コンデンサーを設けたことを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】前記静電容量制御手段は可変コンデンサー
を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項６】被処理物を処理する電極とは別に放電を起
動するための電極を有することを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】紫外線照射機構を有することを特徴とする
請求項１記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22953695A JP3567545B2 (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22953695A JP3567545B2 (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974086A true JPH0974086A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3567545B2 JP3567545B2 (ja) | 2004-09-22 |
Family
ID=16893716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22953695A Expired - Lifetime JP3567545B2 (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3567545B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6431112B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck |
| US6441397B2 (en) * | 2000-04-05 | 2002-08-27 | Matsushita Electronics Corporation | Evaluation of semiconductor chargeup damage and apparatus therefor |
| JP2012054333A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Shinkawa Ltd | 表面洗浄装置 |
| JP2013211204A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Osaka City Univ | 液中プラズマ発生方法、液中プラズマ発生装置、被処理液浄化装置及びイオン含有液体生成装置 |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP22953695A patent/JP3567545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6431112B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck |
| US6441397B2 (en) * | 2000-04-05 | 2002-08-27 | Matsushita Electronics Corporation | Evaluation of semiconductor chargeup damage and apparatus therefor |
| JP2012054333A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Shinkawa Ltd | 表面洗浄装置 |
| JP2013211204A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Osaka City Univ | 液中プラズマ発生方法、液中プラズマ発生装置、被処理液浄化装置及びイオン含有液体生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3567545B2 (ja) | 2004-09-22 |
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