JPH0974247A - 半導体光増幅器モジュール - Google Patents
半導体光増幅器モジュールInfo
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- JPH0974247A JPH0974247A JP23040295A JP23040295A JPH0974247A JP H0974247 A JPH0974247 A JP H0974247A JP 23040295 A JP23040295 A JP 23040295A JP 23040295 A JP23040295 A JP 23040295A JP H0974247 A JPH0974247 A JP H0974247A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体増幅器を２個必要とし、入射されるレ
ーザ光の偏光方向が変化すると、増幅されたレーザ光の
強度が変化してしまう。 【解決手段】 外部からのレーザ光を、偏光方向が互い
に直交する２つの偏光成分のレーザ光に分離する偏光分
離手段１０、分離されたレーザ光の一方の偏光方向を９
０度回転させる偏光回転手段１１、偏光方向が回転され
たレーザ光を偏光分離手段によって分離された他方のレ
ーザ光と合成する光合成手段１２、および合成されたレ
ーザ光の増幅を行う半導体光増幅器１４とを備えた。
ーザ光の偏光方向が変化すると、増幅されたレーザ光の
強度が変化してしまう。 【解決手段】 外部からのレーザ光を、偏光方向が互い
に直交する２つの偏光成分のレーザ光に分離する偏光分
離手段１０、分離されたレーザ光の一方の偏光方向を９
０度回転させる偏光回転手段１１、偏光方向が回転され
たレーザ光を偏光分離手段によって分離された他方のレ
ーザ光と合成する光合成手段１２、および合成されたレ
ーザ光の増幅を行う半導体光増幅器１４とを備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主として光通
信、光応用計測、光情報処理などの光源として用いられ
る進行波型半導体レーザ光の増幅を行う、偏光無依存型
の半導体光増幅器モジュールに関するものである。
信、光応用計測、光情報処理などの光源として用いられ
る進行波型半導体レーザ光の増幅を行う、偏光無依存型
の半導体光増幅器モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば、特開平５−２９９７４６
号公報に示された、従来の偏光無依存型の半導体光増幅
器モジュールを示す構成図である。図において、１は外
部よりレーザ光が入射される光ファイバであり、２は入
射されたレーザ光を偏光面の方向によって分離する楔形
複屈折プリズムである。３はこの楔形複屈折プリズム２
にて分離されたレーザ光をそれぞれ集光するためのレン
ズであり、４はレンズ３で集光されたレーザ光の一方を
増幅する第１半導体光増幅器、５はレンズ３で集光され
た他方のレーザ光を増幅する第２半導体光増幅器であ
る。６はこれら第１半導体光増幅器４および第２半導体
光増幅器５のそれぞれによって増幅されたレーザ光を集
光するためのレンズであり、７は集光されたレーザ光を
合成する楔形複屈折プリズム、８は楔形複屈折プリズム
７で合成されたレーザ光を外部に出射するための光ファ
イバである。９はこれら光ファイバ１、８、楔形複屈折
プリズム２、７、レンズ３、６、および第１半導体光増
幅器４、第２半導体光増幅器５を内蔵して当該半導体光
増幅器モジュールを形成するパッケージである。
号公報に示された、従来の偏光無依存型の半導体光増幅
器モジュールを示す構成図である。図において、１は外
部よりレーザ光が入射される光ファイバであり、２は入
射されたレーザ光を偏光面の方向によって分離する楔形
複屈折プリズムである。３はこの楔形複屈折プリズム２
にて分離されたレーザ光をそれぞれ集光するためのレン
ズであり、４はレンズ３で集光されたレーザ光の一方を
増幅する第１半導体光増幅器、５はレンズ３で集光され
た他方のレーザ光を増幅する第２半導体光増幅器であ
る。６はこれら第１半導体光増幅器４および第２半導体
光増幅器５のそれぞれによって増幅されたレーザ光を集
光するためのレンズであり、７は集光されたレーザ光を
合成する楔形複屈折プリズム、８は楔形複屈折プリズム
７で合成されたレーザ光を外部に出射するための光ファ
イバである。９はこれら光ファイバ１、８、楔形複屈折
プリズム２、７、レンズ３、６、および第１半導体光増
幅器４、第２半導体光増幅器５を内蔵して当該半導体光
増幅器モジュールを形成するパッケージである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体光増幅器
モジュールは以上のように構成されているので、レーザ
光の増幅のために第１半導体光増幅器４と第２半導体光
増幅器５の２つを必要とし、それら各半導体光増幅器
４、５には楔形複屈折プリズム２で分離されたレーザ光
のそれぞれが入射されるものであるため、入射光の強度
は０から最大強度の間で変化することとなり、入射光の
強度が半導体光増幅器の利得飽和を起こす強度以上まで
変化する場合には、その全ての範囲でリニアに増幅する
ことは困難であるため、外部より入射されるレーザ光の
偏光方向が変化すると、それら２つの半導体光増幅器
４、５による増幅光を合成したレーザ光の強度が変化し
てしまうなどの課題があった。
モジュールは以上のように構成されているので、レーザ
光の増幅のために第１半導体光増幅器４と第２半導体光
増幅器５の２つを必要とし、それら各半導体光増幅器
４、５には楔形複屈折プリズム２で分離されたレーザ光
のそれぞれが入射されるものであるため、入射光の強度
は０から最大強度の間で変化することとなり、入射光の
強度が半導体光増幅器の利得飽和を起こす強度以上まで
変化する場合には、その全ての範囲でリニアに増幅する
ことは困難であるため、外部より入射されるレーザ光の
偏光方向が変化すると、それら２つの半導体光増幅器
４、５による増幅光を合成したレーザ光の強度が変化し
てしまうなどの課題があった。
【０００４】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、半導体増幅器が１つでよく、出力
されるレーザ光の強度が安定した偏光無依存型の半導体
光増幅器モジュールを得ることを目的とする。
めになされたもので、半導体増幅器が１つでよく、出力
されるレーザ光の強度が安定した偏光無依存型の半導体
光増幅器モジュールを得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る半導体光増幅器モジュールは、偏光分離手段にて分離
された、偏光方向が互いに垂直なレーザ光の一方の偏光
方向を偏光回転手段によって９０度回転させ、当該レー
ザ光と偏光分離手段にて分離された他方のレーザ光とを
光合成手段で合成したものを半導体光増幅器で増幅する
ようにしたものである。
る半導体光増幅器モジュールは、偏光分離手段にて分離
された、偏光方向が互いに垂直なレーザ光の一方の偏光
方向を偏光回転手段によって９０度回転させ、当該レー
ザ光と偏光分離手段にて分離された他方のレーザ光とを
光合成手段で合成したものを半導体光増幅器で増幅する
ようにしたものである。
【０００６】請求項２記載の発明に係る半導体光増幅器
モジュールは、偏波面保持ファイバを用いて、偏光回転
手段で偏光方向が９０度回転された一方のレーザ光と、
偏光分離手段で分離されたままの他方のレーザ光を光合
成手段にそれぞれ導くようにしたものである。
モジュールは、偏波面保持ファイバを用いて、偏光回転
手段で偏光方向が９０度回転された一方のレーザ光と、
偏光分離手段で分離されたままの他方のレーザ光を光合
成手段にそれぞれ導くようにしたものである。
【０００７】請求項３記載の発明に係る半導体光増幅器
モジュールは、偏光分離手段の分離した一方のレーザ光
を偏波面保持ファイバで光合成手段に導く際、その偏波
面保持ファイバの偏光方向を、その入射口と出射口との
間で９０度ひねることによって偏光回転手段としても機
能するようにしたものである。
モジュールは、偏光分離手段の分離した一方のレーザ光
を偏波面保持ファイバで光合成手段に導く際、その偏波
面保持ファイバの偏光方向を、その入射口と出射口との
間で９０度ひねることによって偏光回転手段としても機
能するようにしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による半
導体光増幅器モジュールを示す構成図である。図におい
て、１は外部からのレーザ光が入射される光ファイバ、
８はこの半導体光増幅器モジュールにて増幅されたレー
ザ光を外部に出射するための光ファイバ、９は当該半導
体光増幅器モジュールのパッケージであり、これらは図
４に同一符号を付して示した従来のそれらに相当するも
のである。また、１０は光ファイバ１より入力されたレ
ーザ光を、それぞれの偏光方向が互いに直交する２つの
偏光成分のレーザ光に分離する偏光分離手段としての偏
光プリズムである。１１はこの偏光プリズム１０によっ
て分離されたレーザ光のうちの一方の偏光方向を９０度
回転させる偏光回転手段としてのλ／２波長板である。
１２はこのλ／２波長板１１によって偏光方向が回転さ
れたレーザ光と、前記偏光プリズム１０によって分離さ
れたもう一方のレーザ光とを合成する光合成手段であ
る。１３は偏光プリズム１０によって分離されたレーザ
光のうちの一方のレーザ光を反射して、偏光プリズム１
０からλ／２波長板１１へ、あるいはλ／２波長板１１
から光合成手段１２へ導くミラーである。１４は光合成
手段１２によって合成されたレーザ光の増幅を行う半導
体光増幅器である。１５は光合成手段１２より出射され
るレーザ光を光半導体増幅器１４に集光するためのレン
ズであり、１６は半導体光増幅器１４で増幅されたレー
ザ光を光ファイバ８に集光するためのレンズである。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による半
導体光増幅器モジュールを示す構成図である。図におい
て、１は外部からのレーザ光が入射される光ファイバ、
８はこの半導体光増幅器モジュールにて増幅されたレー
ザ光を外部に出射するための光ファイバ、９は当該半導
体光増幅器モジュールのパッケージであり、これらは図
４に同一符号を付して示した従来のそれらに相当するも
のである。また、１０は光ファイバ１より入力されたレ
ーザ光を、それぞれの偏光方向が互いに直交する２つの
偏光成分のレーザ光に分離する偏光分離手段としての偏
光プリズムである。１１はこの偏光プリズム１０によっ
て分離されたレーザ光のうちの一方の偏光方向を９０度
回転させる偏光回転手段としてのλ／２波長板である。
１２はこのλ／２波長板１１によって偏光方向が回転さ
れたレーザ光と、前記偏光プリズム１０によって分離さ
れたもう一方のレーザ光とを合成する光合成手段であ
る。１３は偏光プリズム１０によって分離されたレーザ
光のうちの一方のレーザ光を反射して、偏光プリズム１
０からλ／２波長板１１へ、あるいはλ／２波長板１１
から光合成手段１２へ導くミラーである。１４は光合成
手段１２によって合成されたレーザ光の増幅を行う半導
体光増幅器である。１５は光合成手段１２より出射され
るレーザ光を光半導体増幅器１４に集光するためのレン
ズであり、１６は半導体光増幅器１４で増幅されたレー
ザ光を光ファイバ８に集光するためのレンズである。
【０００９】次に動作について説明する。なお、図１内
の小さな矢印は図４内のそれと同様に、レーザ光の偏光
方向を示している。ここで、半導体光増幅器１４を使用
する場合、半導体光増幅器１４にはレーザ光に対する偏
光特性があるため、入射されるレーザ光の偏光方向を当
該半導体光増幅器１４の偏光方向に一致させる必要があ
る。しかしながら、光ファイバ１に入射されたレーザ光
はランダム偏光で、その偏光方向が半導体光増幅器１４
の偏光方向と一致していないので、高い利得で増幅する
ためには両者の偏光方向を一致させる必要がある。
の小さな矢印は図４内のそれと同様に、レーザ光の偏光
方向を示している。ここで、半導体光増幅器１４を使用
する場合、半導体光増幅器１４にはレーザ光に対する偏
光特性があるため、入射されるレーザ光の偏光方向を当
該半導体光増幅器１４の偏光方向に一致させる必要があ
る。しかしながら、光ファイバ１に入射されたレーザ光
はランダム偏光で、その偏光方向が半導体光増幅器１４
の偏光方向と一致していないので、高い利得で増幅する
ためには両者の偏光方向を一致させる必要がある。
【００１０】そのため、図１に示したこの実施の形態１
の半導体光増幅器モジュールでは、光ファイバ１に入射
された外部からのレーザ光を、まず偏光プリズム１０を
用いてそれぞれの偏光方向が互いに直交する２つのレー
ザ光に分離する。次にこの偏光プリズム１０にて分離さ
れたレーザ光中の一方をミラー１３で反射してλ／２波
長板１１に導き、このλ／２波長板１１においてその偏
光方向を、前記偏光プリズム１０で分離された他方のレ
ーザ光の偏光方向と一致するように９０度回転させる。
このλ／２波長板１１によって偏光方向が回転されたレ
ーザ光はミラー１３で反射されて光合成手段１２に導か
れる。一方、偏光プリズム１０で分離された他方のレー
ザ光はそのまま光合成手段１２に入力される。光合成手
段１２はこれら２つのレーザ光の合成を行う。このよう
にして半導体光増幅器１４の偏光特性と一致したレーザ
光が作り出される。光合成手段１２より出射されたレー
ザ光はレンズ１５で集光され、半導体光増幅器１４の利
得を与える導波路に入射されて増幅される。この半導体
光増幅器１４で増幅されたレーザ光は、レンズ１６によ
って集光されて光ファイバ８に入射され、当該半導体光
増幅器モジュールの外部に出射される。
の半導体光増幅器モジュールでは、光ファイバ１に入射
された外部からのレーザ光を、まず偏光プリズム１０を
用いてそれぞれの偏光方向が互いに直交する２つのレー
ザ光に分離する。次にこの偏光プリズム１０にて分離さ
れたレーザ光中の一方をミラー１３で反射してλ／２波
長板１１に導き、このλ／２波長板１１においてその偏
光方向を、前記偏光プリズム１０で分離された他方のレ
ーザ光の偏光方向と一致するように９０度回転させる。
このλ／２波長板１１によって偏光方向が回転されたレ
ーザ光はミラー１３で反射されて光合成手段１２に導か
れる。一方、偏光プリズム１０で分離された他方のレー
ザ光はそのまま光合成手段１２に入力される。光合成手
段１２はこれら２つのレーザ光の合成を行う。このよう
にして半導体光増幅器１４の偏光特性と一致したレーザ
光が作り出される。光合成手段１２より出射されたレー
ザ光はレンズ１５で集光され、半導体光増幅器１４の利
得を与える導波路に入射されて増幅される。この半導体
光増幅器１４で増幅されたレーザ光は、レンズ１６によ
って集光されて光ファイバ８に入射され、当該半導体光
増幅器モジュールの外部に出射される。
【００１１】このように、この実施の形態１によれば、
偏光プリズム１０でレーザ光を偏光方向が互いに垂直な
２つのレーザ光に分離し、その一方の偏光方向をλ／２
波長板１１で９０度回転させ、それを光合成手段１２に
おいて、偏光プリズム１０で分離された他方のレーザ光
と合成した後、半導体光増幅器１４にて増幅するように
したので、半導体光増幅器モジュールに入射されるレー
ザ光の偏光方向が変化しても、半導体光増幅器１４に入
射される偏光方向の一致したレーザ光の強度は変化しな
いため、安定した増幅率を得ることができる。
偏光プリズム１０でレーザ光を偏光方向が互いに垂直な
２つのレーザ光に分離し、その一方の偏光方向をλ／２
波長板１１で９０度回転させ、それを光合成手段１２に
おいて、偏光プリズム１０で分離された他方のレーザ光
と合成した後、半導体光増幅器１４にて増幅するように
したので、半導体光増幅器モジュールに入射されるレー
ザ光の偏光方向が変化しても、半導体光増幅器１４に入
射される偏光方向の一致したレーザ光の強度は変化しな
いため、安定した増幅率を得ることができる。
【００１２】ここで、上記説明では、偏光分離手段とし
て偏光プリズムを用い、偏光回転手段としてλ／２波長
板を用いたが、偏光分離手段としては複屈折プリズム、
偏光回転手段としてはフレネルロムなど他の光学系機器
を用いてもよく、上記実施の形態と同様の効果を奏す
る。なお、このことは後述する実施の形態２および実施
の形態３についても同様である。
て偏光プリズムを用い、偏光回転手段としてλ／２波長
板を用いたが、偏光分離手段としては複屈折プリズム、
偏光回転手段としてはフレネルロムなど他の光学系機器
を用いてもよく、上記実施の形態と同様の効果を奏す
る。なお、このことは後述する実施の形態２および実施
の形態３についても同様である。
【００１３】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２による半導体光増幅器モジュールを示す構成図であ
り、図１に示した実施の形態１の場合と同様に、１はレ
ーザ光が入射される光ファイバ、８はレーザ光が出射さ
れる光ファイバ、９はパッケージ、１０は偏光分離手段
としての偏光プリズム、１１は偏光回転手段としてのλ
／２波長板、１２はλ／２波長板１１からのレーザ光と
偏光プリズム１０からのレーザ光を合成する光合成手
段、１４は合成されたレーザ光を増幅する半導体光増幅
器、１５、１６はレンズを示している。また、１７は偏
光プリズム１０によって分離された一方のレーザ光の偏
光方向を、λ／２波長板１１で９０度回転させたもの
を、その回転された偏光方向を変えることなく光合成手
段１２に導く偏波面保持ファイバである。１８は偏光プ
リズム１０によって分離された他方のレーザ光を、その
偏光方向を変えることなく光合成手段１２に導く偏波面
保持ファイバである。１９は光ファイバ１より入力され
たレーザ光を集光して偏光プリズム１０に入射するレン
ズであり、２０はλ／２波長板１１にて偏光方向が回転
されたレーザ光を集光して偏波面保持ファイバ１７に入
射するレンズ、２１は偏光プリズム１０で分離された他
方のレーザ光を集光して偏波面保持ファイバ１８に入射
するレンズである。
態２による半導体光増幅器モジュールを示す構成図であ
り、図１に示した実施の形態１の場合と同様に、１はレ
ーザ光が入射される光ファイバ、８はレーザ光が出射さ
れる光ファイバ、９はパッケージ、１０は偏光分離手段
としての偏光プリズム、１１は偏光回転手段としてのλ
／２波長板、１２はλ／２波長板１１からのレーザ光と
偏光プリズム１０からのレーザ光を合成する光合成手
段、１４は合成されたレーザ光を増幅する半導体光増幅
器、１５、１６はレンズを示している。また、１７は偏
光プリズム１０によって分離された一方のレーザ光の偏
光方向を、λ／２波長板１１で９０度回転させたもの
を、その回転された偏光方向を変えることなく光合成手
段１２に導く偏波面保持ファイバである。１８は偏光プ
リズム１０によって分離された他方のレーザ光を、その
偏光方向を変えることなく光合成手段１２に導く偏波面
保持ファイバである。１９は光ファイバ１より入力され
たレーザ光を集光して偏光プリズム１０に入射するレン
ズであり、２０はλ／２波長板１１にて偏光方向が回転
されたレーザ光を集光して偏波面保持ファイバ１７に入
射するレンズ、２１は偏光プリズム１０で分離された他
方のレーザ光を集光して偏波面保持ファイバ１８に入射
するレンズである。
【００１４】次に動作について説明する。光ファイバ１
より入射された外部からのレーザ光はレンズ１９で集光
されて偏光プリズム１０に入力され、互いの偏光方向が
垂直となる２つのレーザ光に分離される。この偏光プリ
ズム１０で分離されたレーザ光の一方が、λ／２波長板
１１によってその偏光方向が９０度回転させられ、レン
ズ２０で集光されて偏波面保持ファイバ１７に入射され
る。偏波面保持ファイバ１７は入射されたレーザ光を、
その偏光方向を変えることなく光合成手段１２に導く。
一方、偏光プリズム１０で分離されたもう一方のレーザ
光は、レンズ２１で集光されて偏波面保持ファイバ１８
に入射される。偏波面保持ファイバ１８は入射されたレ
ーザ光を、その偏光方向を変えることなく光合成手段１
２に導く。以下実施の形態１の場合と同様に、光合成手
段１２でそれら２つのレーザ光を合成することによっ
て、半導体光増幅器１４の偏光特性と一致したレーザ光
を作り出し、それを半導体光増幅器１４に入射して増幅
し、光ファイバ８より外部に出射する。
より入射された外部からのレーザ光はレンズ１９で集光
されて偏光プリズム１０に入力され、互いの偏光方向が
垂直となる２つのレーザ光に分離される。この偏光プリ
ズム１０で分離されたレーザ光の一方が、λ／２波長板
１１によってその偏光方向が９０度回転させられ、レン
ズ２０で集光されて偏波面保持ファイバ１７に入射され
る。偏波面保持ファイバ１７は入射されたレーザ光を、
その偏光方向を変えることなく光合成手段１２に導く。
一方、偏光プリズム１０で分離されたもう一方のレーザ
光は、レンズ２１で集光されて偏波面保持ファイバ１８
に入射される。偏波面保持ファイバ１８は入射されたレ
ーザ光を、その偏光方向を変えることなく光合成手段１
２に導く。以下実施の形態１の場合と同様に、光合成手
段１２でそれら２つのレーザ光を合成することによっ
て、半導体光増幅器１４の偏光特性と一致したレーザ光
を作り出し、それを半導体光増幅器１４に入射して増幅
し、光ファイバ８より外部に出射する。
【００１５】このように、この実施の形態２によれば、
λ／２波長板１１で偏光方向が回転された一方のレーザ
光と、偏光プリズム１０で分離されたままの他方のレー
ザ光をそれぞれ、偏波面保持ファイバ１７あるいは１８
にて光合成手段１２に導くようにしたので、半導体光増
幅器モジュール内における偏光プリズム１０、λ／２波
長板１１、光合成手段１２などの配置に対する制約がな
くなり、また光学系の調整を容易化することができる。
λ／２波長板１１で偏光方向が回転された一方のレーザ
光と、偏光プリズム１０で分離されたままの他方のレー
ザ光をそれぞれ、偏波面保持ファイバ１７あるいは１８
にて光合成手段１２に導くようにしたので、半導体光増
幅器モジュール内における偏光プリズム１０、λ／２波
長板１１、光合成手段１２などの配置に対する制約がな
くなり、また光学系の調整を容易化することができる。
【００１６】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３による半導体光増幅器モジュールを示す構成図であ
り、図２に示した実施の形態２の場合と同様に、１はレ
ーザ光が入射される光ファイバ、８はレーザ光が出射さ
れる光ファイバ、９はパッケージ、１０は偏光分離手段
としての偏光プリズム、１２は光合成手段、１４は半導
体光増幅器、１５、１６、１９、２１はレンズ、１８は
偏光プリズム１０で分離された一方のレーザ光を、その
偏光方向を変えることなく光合成手段１２に導く偏波面
保持ファイバを示している。また、２２は入射されたレ
ーザ光の偏光方向が、その入射口と出射口との間で９０
度回転するようにひねることにより、偏光プリズム１０
によって分離されたもう一方のレーザ光を、その偏光方
向を９０度回転させて光合成手段１２に導く偏波面保持
ファイバであり、これによって偏光回転手段としての機
能も実現している。２３は偏光プリズム１０によって分
離された前記もう一方のレーザ光を集光してこの偏波面
保持ファイバ２２に入射するレンズである。
態３による半導体光増幅器モジュールを示す構成図であ
り、図２に示した実施の形態２の場合と同様に、１はレ
ーザ光が入射される光ファイバ、８はレーザ光が出射さ
れる光ファイバ、９はパッケージ、１０は偏光分離手段
としての偏光プリズム、１２は光合成手段、１４は半導
体光増幅器、１５、１６、１９、２１はレンズ、１８は
偏光プリズム１０で分離された一方のレーザ光を、その
偏光方向を変えることなく光合成手段１２に導く偏波面
保持ファイバを示している。また、２２は入射されたレ
ーザ光の偏光方向が、その入射口と出射口との間で９０
度回転するようにひねることにより、偏光プリズム１０
によって分離されたもう一方のレーザ光を、その偏光方
向を９０度回転させて光合成手段１２に導く偏波面保持
ファイバであり、これによって偏光回転手段としての機
能も実現している。２３は偏光プリズム１０によって分
離された前記もう一方のレーザ光を集光してこの偏波面
保持ファイバ２２に入射するレンズである。
【００１７】次に動作について説明する。光ファイバ１
より入射された外部からのレーザ光はレンズ１９で集光
されて偏光プリズム１０に入力され、互いの偏光方向が
垂直となる２つのレーザ光に分離される。この偏光プリ
ズム１０で分離されたレーザ光の一方は、レンズ２１で
集光されて偏波面保持ファイバ１８に入射される。偏波
面保持ファイバ１８は入射されたレーザ光を、その偏光
方向を変えることなく光合成手段１２に導く。一方、偏
光プリズム１０にて分離されたもう一方のレーザ光は、
レンズ２３で集光されて偏波面保持ファイバ２２に入射
される。この偏波面保持ファイバ２２はその入射口と出
射口の間で、偏光方向が９０度回転するようにひねられ
ているので、前記偏光プリズム１０で分離された前記も
う一方のレーザ光はその偏光方向が９０度回転させられ
て光合成手段１２に導かれる。以下実施の形態１の場合
と同様に、光合成手段１２でそれら２つのレーザ光を合
成することによって、半導体光増幅器１４の偏光特性と
一致したレーザ光を作り出し、それを半導体光増幅器１
４で増幅して光ファイバ８より外部に出射する。
より入射された外部からのレーザ光はレンズ１９で集光
されて偏光プリズム１０に入力され、互いの偏光方向が
垂直となる２つのレーザ光に分離される。この偏光プリ
ズム１０で分離されたレーザ光の一方は、レンズ２１で
集光されて偏波面保持ファイバ１８に入射される。偏波
面保持ファイバ１８は入射されたレーザ光を、その偏光
方向を変えることなく光合成手段１２に導く。一方、偏
光プリズム１０にて分離されたもう一方のレーザ光は、
レンズ２３で集光されて偏波面保持ファイバ２２に入射
される。この偏波面保持ファイバ２２はその入射口と出
射口の間で、偏光方向が９０度回転するようにひねられ
ているので、前記偏光プリズム１０で分離された前記も
う一方のレーザ光はその偏光方向が９０度回転させられ
て光合成手段１２に導かれる。以下実施の形態１の場合
と同様に、光合成手段１２でそれら２つのレーザ光を合
成することによって、半導体光増幅器１４の偏光特性と
一致したレーザ光を作り出し、それを半導体光増幅器１
４で増幅して光ファイバ８より外部に出射する。
【００１８】このように、この実施の形態３によれば、
偏光プリズム１０で分離した一方のレーザ光を偏波面保
持ファイバ２２で光合成手段１２に導く際、偏波面保持
ファイバ２２の偏光方向を入射口と出射口との間で９０
度ひねることによって、偏光回転手段としての機能も実
現しているので、λ／２波長板１１などによる偏光回転
手段を省略でき、調整も容易化することが可能となる。
偏光プリズム１０で分離した一方のレーザ光を偏波面保
持ファイバ２２で光合成手段１２に導く際、偏波面保持
ファイバ２２の偏光方向を入射口と出射口との間で９０
度ひねることによって、偏光回転手段としての機能も実
現しているので、λ／２波長板１１などによる偏光回転
手段を省略でき、調整も容易化することが可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、偏光分離手段にて分離された互いに偏光方向が直
交する２つのレーザ光の一方を、その偏光方向を偏光回
転手段によって９０度回転させて光合成手段に送り、他
方のレーザ光は偏光方向を回転させずにそのまま光合成
手段に送って合成し、得られた合成レーザ光を半導体光
増幅器で増幅するように構成したので、半導体光増幅器
は１つでよく、また、その偏光方向と強度が一定なレー
ザ光が半導体光増幅器に入射されるため、増幅光の出力
安定性が保たれ、偏光無依存性で入射レーザ光の偏光方
向によって出力変動がない半導体光増幅器モジュールが
得られる効果がある。
れば、偏光分離手段にて分離された互いに偏光方向が直
交する２つのレーザ光の一方を、その偏光方向を偏光回
転手段によって９０度回転させて光合成手段に送り、他
方のレーザ光は偏光方向を回転させずにそのまま光合成
手段に送って合成し、得られた合成レーザ光を半導体光
増幅器で増幅するように構成したので、半導体光増幅器
は１つでよく、また、その偏光方向と強度が一定なレー
ザ光が半導体光増幅器に入射されるため、増幅光の出力
安定性が保たれ、偏光無依存性で入射レーザ光の偏光方
向によって出力変動がない半導体光増幅器モジュールが
得られる効果がある。
【００２０】請求項２記載の発明によれば、偏光回転手
段で偏光方向が９０度回転された一方のレーザ光と、偏
光分離手段で分離されたままの他方のレーザ光を、それ
ぞれ偏波面保持ファイバを用いて光合成手段に導くよう
に構成したので、半導体光増幅器モジュール内における
光学系機器の配置位置の自由度が増し、また光学系の調
整が容易になる効果がある。
段で偏光方向が９０度回転された一方のレーザ光と、偏
光分離手段で分離されたままの他方のレーザ光を、それ
ぞれ偏波面保持ファイバを用いて光合成手段に導くよう
に構成したので、半導体光増幅器モジュール内における
光学系機器の配置位置の自由度が増し、また光学系の調
整が容易になる効果がある。
【００２１】請求項３記載の発明によれば、偏光分離手
段にて分離された一方のレーザ光を光合成手段に偏波面
保持ファイバで導く際に、偏波面保持ファイバの偏光方
向が入射口と出射口との間で９０度回転するようにひね
りを加えるように構成したので、この偏波面保持ファイ
バが偏光回転手段としても機能するため、光学系の部品
点数を削減することが可能となり、また光学系の調整も
容易になる効果がある。
段にて分離された一方のレーザ光を光合成手段に偏波面
保持ファイバで導く際に、偏波面保持ファイバの偏光方
向が入射口と出射口との間で９０度回転するようにひね
りを加えるように構成したので、この偏波面保持ファイ
バが偏光回転手段としても機能するため、光学系の部品
点数を削減することが可能となり、また光学系の調整も
容易になる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体光増幅
器モジュールを示す構成図である。
器モジュールを示す構成図である。
【図２】 この発明の実施の形態２による半導体光増幅
器モジュールを示す構成図である。
器モジュールを示す構成図である。
【図３】 この発明の実施の形態３による半導体光増幅
器モジュールを示す構成図である。
器モジュールを示す構成図である。
【図４】 従来の半導体光増幅器モジュールを示す構成
図である。
図である。
１０ 偏光プリズム（偏光分離手段）、１１ λ／２波
長板（偏光回転手段）、１２ 光合成手段、１４ 半導
体光増幅器、１７、１８ 偏波面保存ファイバ、２２
偏波面保存ファイバ（偏光回転手段）。
長板（偏光回転手段）、１２ 光合成手段、１４ 半導
体光増幅器、１７、１８ 偏波面保存ファイバ、２２
偏波面保存ファイバ（偏光回転手段）。
Claims (3)
- 【請求項１】 外部より入射されるレーザ光を、その偏
光方向が互いに垂直な２つの偏光成分のレーザ光に分離
する偏光分離手段と、前記偏光分離手段によって分離さ
れたレーザ光の一方の偏光方向を９０度回転させる偏光
回転手段と、前記偏光回転手段によって偏光方向が回転
されたレーザ光と前記偏光分離手段によって分離された
他方のレーザ光とを合成する光合成手段と、前記光合成
手段によって合成されたレーザ光の増幅を行う半導体光
増幅器とを備えた半導体光増幅器モジュール。 - 【請求項２】 前記偏光分離手段にて分離され、前記偏
光回転手段にて偏光方向が９０度回転された一方のレー
ザ光と、前記偏光分離手段にて分離された他方のレーザ
光とを、それぞれ偏波面保持ファイバによって前記光合
成手段に導くことを特徴とする請求項１記載の半導体光
増幅器モジュール。 - 【請求項３】 前記偏光回転手段を、前記偏光分離手段
によって分離された一方のレーザ光を前記光合成手段に
導く偏波面保持ファイバの偏光方向を、その入射口と出
射口との間で９０度ひねることによって実現したことを
特徴とする請求項１記載の半導体光増幅器モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23040295A JPH0974247A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 半導体光増幅器モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23040295A JPH0974247A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 半導体光増幅器モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974247A true JPH0974247A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16907325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23040295A Pending JPH0974247A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 半導体光増幅器モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019033186A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 富士通株式会社 | 光増幅器及び光スイッチ装置 |
| IT202300007764A1 (it) * | 2023-04-20 | 2024-10-20 | Google Llc | Amplificatore ottico insensibile a polarizzazione |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP23040295A patent/JPH0974247A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019033186A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 富士通株式会社 | 光増幅器及び光スイッチ装置 |
| IT202300007764A1 (it) * | 2023-04-20 | 2024-10-20 | Google Llc | Amplificatore ottico insensibile a polarizzazione |
| EP4451490A1 (en) * | 2023-04-20 | 2024-10-23 | Google LLC | Polarization-insensitive optical amplifier |
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