JPH097742A - Ceramic heater - Google Patents
Ceramic heaterInfo
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- JPH097742A JPH097742A JP17819195A JP17819195A JPH097742A JP H097742 A JPH097742 A JP H097742A JP 17819195 A JP17819195 A JP 17819195A JP 17819195 A JP17819195 A JP 17819195A JP H097742 A JPH097742 A JP H097742A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック基板に温度分布が生じにくく、均
一に発熱させることが可能なセラミックヒータを提供す
る。
【構成】 セラミックヒータ１は、長方形板状に形成さ
れたセラミック基板２と、これに埋設された抵抗発熱線
３とを備える。抵抗発熱線３は、基板２の一辺に沿って
延びる複数の本体部４の互いに隣接するもの同士が、両
端部において接続部５により順次連結された一本の連続
形態に形成されている。そして、各本体部４は、基板２
の長辺側の縁部に近接するものほどその配置間隔が段階
的に小さくなるものとされている。これにより、基板２
の縁部側の方が中央側よりも発熱量が大きくなり、両者
の間に温度差が生ずることが防止ないし抑制される。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a ceramic heater in which a temperature distribution hardly occurs in a ceramic substrate and which can uniformly generate heat. [Structure] A ceramic heater 1 includes a ceramic substrate 2 formed in a rectangular plate shape, and a resistance heating wire 3 embedded in the ceramic substrate 2. The resistance heating wire 3 is formed in a continuous form in which adjacent ones of a plurality of body portions 4 extending along one side of the substrate 2 are sequentially connected at both end portions by connection portions 5. Then, each main body portion 4 includes the substrate 2
The closer to the edge on the long side, the smaller the arrangement interval becomes. As a result, the substrate 2
The amount of heat generated on the edge side is larger than that on the center side, and a difference in temperature between the two is prevented or suppressed.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ファンヒータや半導体
製造設備における基板加熱装置等に使用されるセラミッ
クヒータに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fan heater and a ceramic heater used for a substrate heating device in semiconductor manufacturing equipment.
【０００２】[0002]
【従来の技術】上述のようなセラミックヒータは、図８
に示すように、角板状に形成されたセラミック基板（以
下、単に基板ともいう）１００中に抵抗発熱線１０１を
埋設した構成のものが使用されている。抵抗発熱線１０
１は曲折した一本の連続形態に形成され、基板１００の
一辺に沿う方向に延び、かつこれと交差する方向に互い
に等間隔で配置された複数の本体部１０２を備えるとと
もに、その両端部に形成された端子部１０４から受電す
ることにより、セラミック基板１００を加熱する。2. Description of the Related Art A ceramic heater as described above is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, a ceramic substrate (hereinafter, also simply referred to as a substrate) 100 formed in a rectangular plate shape and having a resistance heating wire 101 embedded therein is used. Resistance heating wire 10
Reference numeral 1 denotes a plurality of main bodies 102 formed in a bent continuous form, extending in a direction along one side of the substrate 100, and arranged at equal intervals in a direction intersecting with the side, and at both ends thereof. The ceramic substrate 100 is heated by receiving power from the formed terminal portion 104.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】図８に示すセラミック
ヒータは、基板１００の縁部においては、上下の板面に
加え側面部からも放熱するので、基板中央部よりも縁部
の方が温度が低くなりやすい。そのため、このようなセ
ラミックヒータを例えばファンヒータ等に使用した場
合、基板１００は、中央部の方が縁部よりも熱膨張が大
きくなって引張応力が発生し、割れ等を生じやすい問題
がある。また、ヒータ昇温時においては、このような熱
応力の発生を抑制するために、基板１００になるべく温
度分布が生じないようヒータをできるだけ低速で昇温す
る必要があり、効率が悪い欠点がある。さらに、半導体
製造用の基板加熱装置に使用する場合は、上述の熱応力
発生による不具合に加え、半導体基板への膜形成やドー
ピング成分の拡散等が温度分布によって不均一となり、
製品不良を招く問題も生じうる。In the ceramic heater shown in FIG. 8, at the edge of the substrate 100, heat is radiated not only from the upper and lower plate surfaces but also from the side surface, so that the temperature at the edge is higher than at the center. Tends to be low. Therefore, when such a ceramic heater is used as, for example, a fan heater or the like, the substrate 100 has a problem that thermal expansion is larger in the central portion than in the edge portion, tensile stress is generated, and cracks are likely to occur. . Further, when the temperature of the heater is raised, in order to suppress the occurrence of such thermal stress, it is necessary to raise the temperature of the heater at the lowest possible speed so that the temperature distribution in the substrate 100 is minimized, which is a disadvantage of low efficiency. . Furthermore, when used in a substrate heating apparatus for semiconductor manufacturing, in addition to the above-mentioned problems due to thermal stress generation, film formation on the semiconductor substrate and diffusion of doping components become non-uniform due to temperature distribution,
Problems that lead to product defects may also occur.
【０００４】本発明の課題は、セラミック基板に温度分
布が生じにくく、均一に発熱させることが可能なセラミ
ックヒータを提供することにある。An object of the present invention is to provide a ceramic heater in which temperature distribution hardly occurs in the ceramic substrate and heat can be uniformly generated.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段及び作用・効果】本発明の
セラミックヒータは、セラミック基板と、そのセラミッ
ク基板に曲折して又は渦巻状に設けられた抵抗発熱線と
を有し、上述の課題を解決するために、セラミック基板
の縁部側において中央側よりも抵抗発熱線の配置間隔が
小さくされていることを特徴とする。その結果、本発明
のセラミックヒータは、縁部側の方が中央側よりも発熱
量が大きくなり、両者の間に温度差が生ずることが防止
ないし抑制されるので、熱応力に伴うセラミック基板の
割れ等の発生確率が低減される。また、半導体製造設備
の基板加熱装置に使用される場合には、加熱装置側の温
度分布に基づく製品不良等が発生しにくくなる。A ceramic heater according to the present invention has a ceramic substrate and a resistance heating wire which is provided on the ceramic substrate in a bent or spiral shape. In order to solve the problem, the arrangement interval of the resistance heating wires is smaller on the edge side of the ceramic substrate than on the central side. As a result, in the ceramic heater of the present invention, the amount of heat generated on the edge side is larger than that on the center side, and the occurrence of a temperature difference between the two is prevented or suppressed, so that the ceramic substrate The probability of occurrence of cracks is reduced. Further, when it is used in a substrate heating device of a semiconductor manufacturing facility, product defects and the like due to the temperature distribution on the heating device side are less likely to occur.
【０００６】また、抵抗発熱線は、予め定められた間隔
で配置された複数の本体部と、それら本体部をその両端
部において互いに接続する接続部とを有する一本の連続
形態に形成することができる。この場合、その本体部の
配置間隔を、セラミック基板の縁部側において中央側よ
りも小さくすることができる。セラミック基板は、具体
的には、長方形状ないし正方形状に形成することがで
き、抵抗発熱線の各本体部は、それぞれそのセラミック
基板の一辺部に沿う方向に延びるものとすることができ
る。また、セラミック基板を円板状に形成することも可
能であり、抵抗発熱線の各本体部を、それぞれそのセラ
ミック基板の周方向に沿って延びるものとし、かつその
半径方向に沿って予め定められた間隔で配置されたもの
とすることができる。Further, the resistance heating wire is formed in one continuous form having a plurality of main body portions arranged at predetermined intervals and connecting portions connecting the main body portions to each other at both ends thereof. You can In this case, the arrangement interval of the main bodies can be made smaller on the edge side of the ceramic substrate than on the center side. Specifically, the ceramic substrate may be formed in a rectangular shape or a square shape, and each main body portion of the resistance heating wire may extend in a direction along one side portion of the ceramic substrate. It is also possible to form the ceramic substrate into a disc shape, and each main body portion of the resistance heating wire extends in the circumferential direction of the ceramic substrate and is predetermined in the radial direction. It may be arranged at different intervals.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明のいくつかの実施例を図面を用
いて説明する。図１（ａ）に示すセラミックヒータ１
は、四角形（例えば長方形）板状に形成されたセラミッ
ク基板（以下、単に基板ともいう）２と、これに埋設さ
れた抵抗発熱線３とを備える。セラミック基板は、アル
ミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリカ（ＳｉＯ2）、ジルコニア
（ＺｒＯ2）、チタニア（ＴｉＯ2）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、ジルコン
（ＺｒＯ2・ＳｉＯ2）、コージェライト（２ＭｇＯ・２
Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）、窒化硅素（Ｓｉ3Ｎ4）、炭化
硅素（ＳｉＣ）等のセラミックスの焼成体により構成す
ることができる。また、抵抗発熱線３は、タングステ
ン、モリブデン等の高融点金属ないしそれらの合金及び
ステンレス鋼やニクロムなど、各種抵抗発熱材料で構成
することができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Ceramic heater 1 shown in FIG.
Includes a ceramic substrate (hereinafter, also simply referred to as a substrate) 2 formed in a quadrangular (eg, rectangular) plate shape, and a resistance heating wire 3 embedded in the ceramic substrate 2. The ceramic substrate is made of alumina (Al 2 O 3 ), silica (SiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ), titania (TiO 2 ), magnesia (Mg).
O), mullite (3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ), zircon (ZrO 2 · SiO 2), cordierite (2MgO · 2
It can be composed of a fired body of ceramics such as Al 2 O 3 .5SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), and silicon carbide (SiC). Further, the resistance heating wire 3 can be made of a high melting point metal such as tungsten and molybdenum or an alloy thereof, and various resistance heating materials such as stainless steel and nichrome.
【０００８】抵抗発熱線３は、基板２の一辺（例えば長
辺）に沿って延びる複数の本体部４の互いに隣接するも
の同士が、両端部において接続部５により順次連結され
た一本の連続形態に形成されている。そして、各本体部
４は、図１（ｂ）に示すように、互いにほぼ等しい断面
積を有するとともに、基板２の長辺側の縁部に近接する
ものほどその配置間隔が段階的に小さくなるものとされ
ている（なお、抵抗発熱線の断面積は誇張して描かれて
いる。以下の断面図についても同様である）。また、抵
抗発熱線３の両端部は基板２の一方の短辺に近接して位
置するとともに、それぞれ本体部４よりも広幅の端子部
７とされている。さらに、その短辺側において基板２の
側面には、上記各端子部７とそれぞれ接触する端子金具
８が挿入されている。The resistance heating wire 3 has a plurality of main body portions 4 extending along one side (for example, a long side) of the substrate 2, which are adjacent to each other, and are successively connected by connecting portions 5 at both ends. It is formed into a shape. Then, as shown in FIG. 1B, the main body portions 4 have substantially equal cross-sectional areas, and the closer to the long-side edge portion of the substrate 2, the smaller the arrangement interval becomes. (Note that the cross-sectional area of the resistance heating wire is exaggerated. The same applies to the following cross-sectional views). Further, both ends of the resistance heating wire 3 are located close to one short side of the substrate 2 and are formed as terminal portions 7 each having a width wider than that of the main body portion 4. Further, on the side surface of the substrate 2 on the short side thereof, terminal fittings 8 that come into contact with the respective terminal portions 7 are inserted.
【０００９】図２は、セラミックヒータ１の製造方法の
一例を示すものであり、（ａ）に示すように、セラミッ
クス粉末をバインダとともに板状に成形した粉末成形体
９の板面に、抵抗発熱材料粉末を含有するペーストを用
いて、抵抗発熱線のパターン３ａを印刷し、その端子部
７に予定される部分７ａに対し端子金具８を配置する。
次に（ｂ）に示すように、粉末成形体９のパターン３ａ
が形成された面に、同じく板状に形成された別の粉末成
形体１０を重ね合わせて積層体１１を作製する。そし
て、（ｃ）に示すように、その積層体１１を所定の焼成
炉１２内で焼成することにより、粉末成形体９及び１０
は焼結・一体化してセラミック基板２となり、印刷され
たパターン３ａは、その抵抗発熱材料粉末が焼結されて
抵抗発熱線３を形成することとなる。FIG. 2 shows an example of a method for manufacturing the ceramic heater 1. As shown in FIG. 2 (a), resistance heating is performed on the plate surface of a powder compact 9 formed of ceramic powder into a plate with a binder. The pattern 3a of the resistance heating wire is printed using a paste containing material powder, and the terminal fitting 8 is arranged on the portion 7a of the terminal portion 7 that is to be planned.
Next, as shown in (b), the pattern 3a of the powder compact 9 is formed.
Another powder molded body 10 also formed in a plate shape is superposed on the surface on which is formed a laminated body 11. Then, as shown in (c), the laminated body 11 is fired in a predetermined firing furnace 12, whereby the powder compacts 9 and 10 are obtained.
Is sintered and integrated to form a ceramic substrate 2, and the printed pattern 3a is formed by sintering the resistance heating material powder to form the resistance heating wire 3.
【００１０】図１に戻って、セラミックヒータ１は、端
子金具８から受電することにより抵抗発熱線３が発熱
し、セラミック基板２が加熱される。ここで、抵抗発熱
線３の本体部４は、基板２の縁部側において中央側より
も配置間隔が小さくなっているので、セラミックヒータ
１は縁部側の方が中央側よりも発熱量が大きくなり、両
者の間に温度差が生ずることが防止ないし抑制されるこ
ととなる。Returning to FIG. 1, when the ceramic heater 1 receives power from the terminal fitting 8, the resistance heating wire 3 generates heat and the ceramic substrate 2 is heated. Here, since the main body portion 4 of the resistance heating wire 3 has a smaller arrangement interval on the edge side of the substrate 2 than on the center side, the ceramic heater 1 generates more heat on the edge side than on the center side. It becomes large, and the temperature difference between the two is prevented or suppressed.
【００１１】以下、本発明のセラミックヒータの各種変
形例について説明する。まず、図１において、本体部４
は基板２の縁部に近接するものほどその配置間隔が段階
的に小さくなるように形成されているが、例えば本体部
４のうち最も外側に位置するものを除いて、それよりも
中央側に位置するものを互いにほぼ等間隔に配置し、最
も外側のものとそのすぐ内側に位置するもの同士の間隔
をそれよりも小さくする構成とすることもできる。Various modifications of the ceramic heater of the present invention will be described below. First, referring to FIG.
Are arranged such that the closer they are to the edge of the substrate 2, the smaller the arrangement interval becomes. However, for example, except for the outermost one of the main body 4, it is closer to the center. It is also possible to arrange the positioned ones at substantially equal intervals and to make the distance between the outermost ones and the ones immediately inside thereof smaller than that.
【００１２】次に、図３（ａ）に示すように、基板２を
円板状に形成することができる。抵抗発熱線３の各本体
部４は、それぞれ基板２の周方向に沿って延びるものと
され、かつ（ｂ）に示すように、本体部４の配置間隔
は、基板２の中心部に向かうにつれて段階的に増大する
ものとされている。なお、端子部７は、基板２の縁部か
らその板面方向に張り出した板状の張出部２ｃに形成さ
れている。このような形態のセラミックヒータ１は、例
えばシリコンウェハー等の円板状の半導体基板を加熱す
るのに好適に使用することができる。Next, as shown in FIG. 3A, the substrate 2 can be formed into a disc shape. Each main body portion 4 of the resistance heating wire 3 is arranged to extend along the circumferential direction of the substrate 2, and as shown in (b), the arrangement intervals of the main body portions 4 are increased toward the central portion of the substrate 2. It is supposed to increase in stages. The terminal portion 7 is formed in a plate-shaped protruding portion 2c protruding from the edge portion of the substrate 2 in the plate surface direction. The ceramic heater 1 having such a form can be suitably used for heating a disc-shaped semiconductor substrate such as a silicon wafer.
【００１３】また、基板２を円板状に形成する場合、図
４に示すように、基板２に対してその中央に、これを板
厚方向に貫通する孔部２ｄを形成することもできる。抵
抗発熱線３の本体部４の配置間隔は、基板２の外周縁及
び内周縁に近づくほど小さくなるように設定されてい
る。When the substrate 2 is formed in a disc shape, as shown in FIG. 4, a hole 2d may be formed in the center of the substrate 2 so as to penetrate the substrate 2 in the plate thickness direction. The arrangement interval of the main body portion 4 of the resistance heating wire 3 is set so as to become smaller toward the outer peripheral edge and the inner peripheral edge of the substrate 2.
【００１４】一方、基板２を四角形状に形成する場合、
抵抗発熱線３の本体部４は、図１等に示すように、基板
２の１つの辺に沿う方向に延びるもののみを含むように
形成してもよいが、これと交差する辺部に沿うものを混
在させることも可能である。図５はそのようなセラミッ
クヒータの例を示しており、基板２の１つの辺に沿って
延び、かつそれと交差する方向において所定の間隔で配
置された本体部４の組と、それらの一方の端部側におい
て、基板２の、上述のものと交差する辺に沿って延びる
本体部２４とを備えている。本体部４の組においては、
基板２の縁部に近いものほどその配置間隔が小さくされ
ている。また、本体部２４は、その幅（断面積）を本体
部４よりも小さくすることにより電気抵抗値が高められ
ており、本体部４に対応する縁部とともに、本体部２４
に対応する縁部においても温度低下が抑制されるように
なっている。On the other hand, when the substrate 2 is formed in a square shape,
The main body portion 4 of the resistance heating wire 3 may be formed so as to include only one extending in a direction along one side of the substrate 2 as shown in FIG. 1 or the like, but along a side portion intersecting with this. It is also possible to mix things. FIG. 5 shows an example of such a ceramic heater, which includes a set of main body portions 4 extending along one side of the substrate 2 and arranged at a predetermined interval in a direction intersecting with the side, and one of them. On the end side, there is provided a main body portion 24 extending along a side of the substrate 2 which intersects the above-mentioned one. In the set of main body 4,
The closer to the edge of the substrate 2, the smaller the arrangement interval. Further, the main body portion 24 has an increased electric resistance value by making its width (cross-sectional area) smaller than that of the main body portion 4, and together with the edge portion corresponding to the main body portion 4, the main body portion 24.
The temperature drop is also suppressed at the edge portion corresponding to.
【００１５】さらに、図６に示すように、抵抗発熱線３
を基板２に対し渦巻状に形成することも可能である。
（ａ）に示すように、基板２は円板状とされ、抵抗発熱
線３はその中心に近づくほど抵抗発熱線３の隣接する部
分同士の間隔が徐々に増加するように形成されている。
そして、（ｂ）に示すように、基板２の中心部には、基
板２の板厚方向に沿って延び、一端が抵抗発熱線３の端
部に接するとともに、他端が基板２の一方の板面に到達
する連結導電部２０が埋設されている。また、基板２の
その板面には、連結導電部２０の端部と導通する端子形
成部２７が形成されており、抵抗発熱線３はこの端子形
成部２７と、自身の端部に形成された端子部７とから受
電するようになっている。ここで、図７に示すように、
基板２を四角形ないしその他の多角形状に形成すること
もでき、抵抗発熱線３は基板２の各辺に沿いながらその
中心部に向けて渦を描くように形成されることとなる。Further, as shown in FIG. 6, the resistance heating wire 3
Can be formed in a spiral shape with respect to the substrate 2.
As shown in (a), the substrate 2 has a disk shape, and the resistance heating wire 3 is formed such that the interval between adjacent portions of the resistance heating wire 3 gradually increases toward the center thereof.
Then, as shown in (b), the central portion of the substrate 2 extends along the plate thickness direction of the substrate 2, one end contacts the end of the resistance heating wire 3, and the other end of the substrate 2 The connecting conductive portion 20 reaching the plate surface is embedded. Further, on the plate surface of the substrate 2, there is formed a terminal forming portion 27 which is electrically connected to the end portion of the connecting conductive portion 20, and the resistance heating wire 3 is formed at this terminal forming portion 27 and its own end portion. The power is received from the terminal unit 7. Here, as shown in FIG.
The substrate 2 may be formed in a quadrangle or another polygonal shape, and the resistance heating wire 3 is formed so as to draw a vortex toward the center portion along each side of the substrate 2.
【００１６】なお、上述の各実施例においては、抵抗発
熱線はセラミック基板内に埋設されているが、セラミッ
ク基板の板面に抵抗発熱線を形成するようにしてもよ
い。また、抵抗発熱線を形成するために、抵抗発熱材料
粉末のペーストを用いてセラミック粉末の成形体上に所
望のパターンを印刷した後焼成する方法が使用されてい
たが、予め焼成されたセラミック基板上に、蒸着、スパ
ッタリング等により抵抗発熱材料の膜を各種パターンに
形成する方法を採用することも可能である。Although the resistance heating wire is embedded in the ceramic substrate in each of the above embodiments, the resistance heating wire may be formed on the plate surface of the ceramic substrate. Further, in order to form a resistance heating wire, a method of printing a desired pattern on a molded body of ceramic powder using a paste of resistance heating material powder and then firing it has been used. It is also possible to employ a method of forming a film of a resistance heating material in various patterns by vapor deposition, sputtering or the like.
【図１】本発明のセラミックヒータの一例を、そのＡ−
Ａ断面とともに示す平面図。1 shows an example of a ceramic heater of the present invention, A-
The top view shown with the A cross section.
【図２】本発明のセラミックヒータの製造方法の一例を
示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing an example of a method for manufacturing a ceramic heater of the present invention.
【図３】本発明のセラミックヒータの第一の変形例を、
そのＢ−Ｂ断面とともに示す平面図。FIG. 3 shows a first modified example of the ceramic heater of the present invention,
The top view shown with the BB cross section.
【図４】同じく第二の変形例を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a second modification of the same.
【図５】同じく第三の変形例を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing a third modified example of the same.
【図６】同じく第四の変形例を、そのＣ−Ｃ断面ととも
に示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a fourth modified example together with its CC cross section.
【図７】同じく第五の変形例を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing a fifth modification of the same.
【図８】従来のセラミックヒータを示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing a conventional ceramic heater.
１ セラミックヒータ ２ セラミック基板 ３ 抵抗発熱線 ４、２４ 本体部 ５ 接続部 1 Ceramic Heater 2 Ceramic Substrate 3 Resistance Heating Wire 4, 24 Main Body 5 Connection
Claims (4)
に曲折して又は渦巻状に設けられた抵抗発熱線とを有す
るセラミックヒータであって、 前記セラミック基板の縁部側において中央側よりも前記
抵抗発熱線の配置間隔が小さくされていることを特徴と
するセラミックヒータ。1. A ceramic heater having a ceramic substrate and a resistance heating wire provided in a bent or spiral shape on the ceramic substrate, wherein the resistance heating wire is provided on the edge side of the ceramic substrate rather than on the center side. A ceramic heater characterized in that the spacing between the lines is small.
で配置された複数の本体部と、それら本体部をその両端
部において互いに接続する接続部とを有する一本の連続
形態に形成されるとともに、各本体部の配置間隔は、前
記セラミック基板の縁部側において中央側よりも小さく
されている請求項１記載のセラミックヒータ。2. The resistance heating wire is formed in a single continuous form having a plurality of main body portions arranged at predetermined intervals and connecting portions connecting the main body portions to each other at both ends thereof. The ceramic heater according to claim 1, wherein the main body is arranged at an interval smaller on the edge side of the ceramic substrate than on the center side.
方形状に形成され、前記抵抗発熱線の前記各本体部は、
それぞれそのセラミック基板の一辺部に沿う方向に延び
るものとされている請求項２記載のセラミックヒータ。3. The ceramic substrate is formed in a rectangular shape or a square shape, and each main body portion of the resistance heating wire is
The ceramic heater according to claim 2, wherein each of the ceramic heaters extends in a direction along one side of the ceramic substrate.
れ、前記抵抗発熱線の前記各本体部は、それぞれそのセ
ラミック基板の周方向に沿って延びるものとされ、かつ
その半径方向に沿って予め定められた間隔で配置されて
いる請求項２記載のセラミックヒータ。4. The ceramic substrate is formed in a disc shape, and each of the main body portions of the resistance heating wire extends along the circumferential direction of the ceramic substrate, and is previously arranged along the radial direction thereof. The ceramic heater according to claim 2, wherein the ceramic heaters are arranged at a predetermined interval.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17819195A JPH097742A (en) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | Ceramic heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17819195A JPH097742A (en) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | Ceramic heater |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097742A true JPH097742A (en) | 1997-01-10 |
Family
ID=16044192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17819195A Pending JPH097742A (en) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | Ceramic heater |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097742A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223257A (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Ibiden Co Ltd | Ceramic substrate for semiconductor production and inspection device |
| KR20030063599A (en) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | 윤영일 | Heating apparatus |
| JP2018137163A (en) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 京セラ株式会社 | heater |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP17819195A patent/JPH097742A/en active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040713 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |