JPH097763A - 有機薄膜el素子の製造方法 - Google Patents

有機薄膜el素子の製造方法

Info

Publication number
JPH097763A
JPH097763A JP7153155A JP15315595A JPH097763A JP H097763 A JPH097763 A JP H097763A JP 7153155 A JP7153155 A JP 7153155A JP 15315595 A JP15315595 A JP 15315595A JP H097763 A JPH097763 A JP H097763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thin film
organic thin
organic
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7153155A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2755216B2 (ja
Inventor
Yuichi Ikezu
勇一 池津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7153155A priority Critical patent/JP2755216B2/ja
Publication of JPH097763A publication Critical patent/JPH097763A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2755216B2 publication Critical patent/JP2755216B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】有機薄膜層を形成した後に金属層を形成する工
程を排除し、この工程に起因する成膜性の低下を防止す
る。 【構成】一方のフィルム上に陽極層と有機薄膜層を順に
積層して形成し、他方のフィルム上に陰極層と有機薄膜
層を順に積層して貼り合わせる。貼り合わせ界面の有機
薄膜層は樹脂分散膜とし、樹脂バインダーが軟化する温
度下で圧着して張り合わせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機薄膜のEL(エレ
クトロルミネッセンス)現象を利用した発光デバイスの
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ある種の有機薄膜を電極で挟み込み通電
すると、双方の電極から注入された正孔および電子が有
機薄膜内で再結合し、このときのエネルギーにより発光
現象が生じることが知られている。この現象を利用した
ものは有機薄膜EL素子と呼ばれ各種発光デバイスへの
応用が期待されている。EL現象は単層の有機薄膜を電
極でサンドイッチした構造でも得られるが、より低い電
圧印加で高輝度を得るためには電極から有機発光膜への
キャリアの注入効率を向上させる必要があるので、電極
と有機発光層とのエネルギー障壁を源し、有機発光膜へ
のキャリア移動を容易にすることを目的として、電極と
有機発光層との間にキャリア注入層もしくはキャリア輸
送層を付加した積層構造が提案されている。
【0003】例としては、陽極/有機正孔輸送層/有機
発光層/陰極(特開昭57−51781)、陽極/有機
発光層/有機電子輸送層/陰極(C.Adachi,
T.Tutsui,S.Saito,Appl.Phy
s.Lett.,55,1489(1989))、陽極
/複数の有機正孔注入輸送層/有機発光層/複数の有機
電子注入輸送層/陰極(特開平6−314594)など
が挙げられる。
【0004】電極材料としては、光を取り出す都合上、
陽極にはインジウム・錫酸化物(ITO)や金箔などの
透光性薄膜が、陰極にはマグネシウム、アルミニウム、
インジウムまたはこれらを母材として銀、リチウムなど
を適宜ドーピングした薄膜が用いられている(たとえば
特開平5−121172)。
【0005】これらの薄膜積層構造体は、一般に湿気や
熱に対する耐久性に乏しいので、光硬化性の樹脂で全面
をカバーしガラスなどを貼り付ける(特開平6−338
392)、注入口を有するガラス等の容器に入れ液体封
止材を封入する(特開平7−11247)などの封止方
法が開示されている。また従来から無機ELの封止方法
として用いられているラミネートフィルムで被覆する
(特開昭60−14798)方法も開示されている。
【0006】これらの有機薄膜EL素子の従来の製造方
法は、図3(a)〜(f)に示すように、ガラスや樹脂
フィルムなどの透光性基板1上に陽極層2として透明電
極をスパッタ法や真空蒸着法などによって形成し
(a)、その上に上記したような有機正孔輸送層3、有
機発光層4、有機電子輸送層5などを、真空蒸着法、溶
液塗布法、LB法、スクリーン印刷法など公知の薄膜形
成技術によって順次積層(b)〜(d)、更にその上に
陰極層6として金属層を真空蒸着法やスパッタ法などを
用いて形成した後(e)、外部リード8の取り付けと封
止(f)を行っていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この従来の有機EL素
子の製造方法では、単一の基板上に陽極層/有機薄膜層
/陰極層を順次積層するので、有機薄膜層を形成後に陰
極層となる金属層を形成する工程が存在する。ところ
が、一般に有機薄膜層を均一に形成することは困難であ
ることに加え、経時や温度によっても膜表面の平坦性が
変化するので、有機薄膜層を形成した後に金属層を均一
に形成するのは更に困難である。また、首尾良く有機薄
膜層を均一に形成することができたとしても、次に形成
する金属は成膜時エネルギーが高いので有機薄膜層にダ
メージを与える恐れがある。これらは積層膜の膜厚ばら
つきやピンホールの発生を招き、発光品位の著しい低下
となる。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の有機薄膜EL素
子の製造方法は、前述した従来の製造方法の欠点である
有機薄膜層の形成後に金属層を形成する工程を排除する
ために、一方の防湿フィルム上に透光性の陽極層とn
(n≧1)層からなる有機薄膜層のうちのm(m≧0)
層を順に積層させて形成し、他方の防湿フィルム上に陰
極層と残りのn−m層からなる有機薄膜層を順に積層さ
せて形成した後、双方の積層膜を対向させて貼り合わ
せ、周辺部を接着または融着封止するようにした(請求
項1)。
【0009】また、貼り合わせ面の密着性を向上させる
ため、上記防湿フィルム上に積層する有機薄膜層のう
ち、貼り合わせ界面と有機薄膜層は、有機材を樹脂バイ
ンダーに分散させた樹脂分散膜とし、この樹脂バインダ
ーが軟化する温度下で圧着して貼り合わせるようにした
(請求項2)。
【0010】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図1(a)〜(e)は本発明の有機薄膜EL
素子の製造方法の第1の実施例を示す工程図である。厚
さ100μmの透明ポリエステルフィルム1a上に陽極
層としてITO2をスパッタ法にて形成し、フォトリソ
グラフィー法を用いて所望のパターンとし(a)、続い
て有機正孔輸送層3として1,1−ビス−(4−ジパラ
トリルアミノフェニル)シクロヘキサンを真空蒸着法に
より500オングストローム形成した(b)。
【0011】次に他方のポリエステルフィルム1b上
に、まず陰極層6としてアルミニウムとリチウムを速度
比約70:1で、所望のパターンのシャドウマスクを用
いて共蒸着法により2000オングストローム形成し
(c)、続いて有機発光材としてトリス(8−キノリノ
ール)アルミニウム、樹脂バインダーとしてフレーク上
のポリスチレン樹脂を重量比1:2でジクロロメタンに
溶解して2重量%の溶液を作り、ディップコート法によ
り樹脂分散型有機発光層4を700オングストローム形
成した(d)。
【0012】その後双方の積層膜を対向させ、ポリスチ
レン樹脂の軟化点である90℃で加圧して貼り合わせ、
周辺部は外部リードと共に電熱シーラーにて融着封止し
た(e)。完成した有機薄膜EL素子は印加電圧10V
で輝度310cd/m2 の緑色発光を得た。
【0013】第2の実施例を図2(a)〜(e)に示
す。厚さ100μmの透明ポリエステルフィルム1a上
には陽極層としてパターニングしたITO2のみを形成
した(a)。次に他方のポリエステルフィルム1b上
に、まず陰極層6としてアルミニウムとリチウムを速度
比約70:1で、所望のパターンのシャドウマスクを用
いて共蒸着法により2000オングストローム形成し
(b)、続いて有機発光層4としてトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウムにキナクリドンを1mol%ドー
プしながら共蒸着法により650オングストローム形成
した(c)。
【0014】さらに、この上に有機正孔輸送剤として
1,1−ビス−(4−ジパラトリルアミノフェニル)シ
クロヘキサン、樹脂バインダーとして粉末状のポリ塩化
ビニル樹脂を重量比1:1でテトラヒドロフランに溶解
して1重量%の溶液を作り、ディップコート法により樹
脂分散型有機正孔輸送層3を500オングストローム形
成した(d)。その後双方の積層膜を対向させ、ポリ塩
化ビニル樹脂の軟化点である80℃で加圧して貼り合わ
せ、周辺部は外部リード8と共に電熱シーラーにて融着
封止した(e)。完成した有機薄膜EL素子は印加電圧
12Vで輝度340cd/m2 の緑色発光を得た。
【0015】第1の実施例では、一方の防湿フィルムに
はITOと1層の有機正孔輸送層を順に積層し、他方の
防湿フィルムには金属層と1層の有機発光層を順に積層
した。
【0016】また、第2の実施例では一方の防湿フィル
ムにはITOのみを形成し、他方の防湿フィルムに金属
層と1層の有機発光層と1層の有機正孔輸送層を順に積
層したが、本実施例では使用しなかった電子輸送層を陰
極層と有機発光層との間に形成することもできる。
【0017】また、各有機薄膜層は複数層でも良いし、
貼り合わせ界面と有機薄膜層を有機材を樹脂バインダー
に分散させた樹脂分散膜とするならば、各有機積層膜を
どちらの防湿フィルムに割り振って積層してもよい。
【0018】本実施例は材料を規定するものではなく、
陽極層としては金箔など、有機正孔輸送剤としては芳香
族3級アミンの他にポリフィリン誘導体など、有機発光
剤としては8−ヒドロキシキノリン金属錯体の他に、ブ
タジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール
誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導
体、チアジアゾール誘導体、スチリルアミン誘導体、ビ
ススチリルベンゼン誘導体、ビススチリルアントラセン
誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体など、電
子輸送剤としてはナフタルイミド誘導体、ペリレンテト
ラカルボン酸ジイミド誘導体、キナクリドン誘導体な
ど、有機薄膜ELを構成する材料はすべて使用可能であ
る。また、樹脂バインダーとしては、ポリカーボネー
ト、ポリビニルカルバゾール、塩酢ビ共重合樹脂、ホル
マール樹脂などが使用可能であるが、前記した正孔輸送
剤、発光剤、電子輸送剤との相溶性を有し、既に形成し
た薄膜層を侵さない溶剤を適宜選択する必要がある。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機薄膜
EL素子の製造方法は、一方の防湿フィルム上に透光性
の陽極層とn(n≧1)層からなる有機薄膜層のうちの
m(m≧0)層を順に積層させて形成し、他方の防湿フ
ィルム上に陰極層と残りのn−m層からなる有機薄膜層
を順に積層させて形成した後、双方の積層膜を対向させ
て貼り合わせ、周辺部を接着または融着封止するように
したので、有機薄膜層を形成した後に金属層を形成する
工程が存在せず、概して不均一な有機薄膜層の成膜状態
に影響して金属層も不均一になったり、金属層成膜時の
エネルギーによって既に形成した有機薄膜層がダメージ
を受けることがない。また、防湿フィルム上に積層する
有機薄膜層のうち、貼り合わせ界面となる有機薄膜層の
少なくとも1層は、有機材を樹脂バインダーに分散させ
た樹脂分散膜とし、この樹脂バインダーが軟化する温度
下で圧着して貼り合わせるようにしたので貼り合わせの
密着性も向上し、安定した性能を有した有機薄膜EL素
子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機薄膜EL素子の製造方法の第1の
実施例を示す工程図。
【図2】本発明の有機薄膜EL素子の製造方法の第2の
実施例を示す工程図。
【図3】従来の有機薄膜EL素子の製造方法を示す工程
図。
【符号の説明】
1a,1b ポリエステルフィルム 2 陽極層(ITO) 3 有機正孔輸送層 4 有機発光層 5 有機電子輸送層 6 陰極層 7 樹脂 8 外部リード

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極層とn(n≧1)層からなる有機薄
    膜層を陽極層と陰極層の間に配置した積層薄膜を防湿フ
    ィルムで挾持してなる有機薄膜EL素子の製造方法にお
    いて、一方の防湿フィルム上に透光性の陽極層と前記n
    層からなる有機薄膜層のうちのm(m≧0)層を順に積
    層させて形成し、他方の防湿フィルム上に陰極層と残り
    のn−m層からなる有機薄膜層を順に積層させて形成し
    た後、双方の積層膜を対向させて貼り合わせ、周辺部を
    接着または融着封止することを特徴とする有機薄膜EL
    素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記防湿フィルム上に積層する有機薄膜
    層のうち、貼り合わせ界面となる有機薄膜層は、有機材
    を樹脂バインダーに分散させた樹脂分散膜とし、この樹
    脂バインダーが軟化する温度下で圧着して貼り合わせる
    ことを特徴とする請求項1記載の有機薄膜EL素子の製
    造方法。
JP7153155A 1995-06-20 1995-06-20 有機薄膜el素子の製造方法 Expired - Lifetime JP2755216B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7153155A JP2755216B2 (ja) 1995-06-20 1995-06-20 有機薄膜el素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7153155A JP2755216B2 (ja) 1995-06-20 1995-06-20 有機薄膜el素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH097763A true JPH097763A (ja) 1997-01-10
JP2755216B2 JP2755216B2 (ja) 1998-05-20

Family

ID=15556237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7153155A Expired - Lifetime JP2755216B2 (ja) 1995-06-20 1995-06-20 有機薄膜el素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2755216B2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173770A (ja) * 1998-10-13 2000-06-23 Sony Internatl Europ Gmbh アクティブマトリクス方式表示装置及びその製造方法
JP2000268954A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
JP2002158089A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法
JP2002541631A (ja) * 1999-04-07 2002-12-03 マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミティド 光電子工学的表示装置
US6520821B1 (en) 1998-05-18 2003-02-18 Nec Corporation Device package and device encapsulation method
KR100384289B1 (ko) * 2001-02-22 2003-05-16 주식회사 엘리아테크 유기 전계 발광 소자 및 그의 봉지 방법
WO2005057986A1 (ja) * 2003-12-09 2005-06-23 Nippon Sheet Glass Company, Limited 面発光体及びその製造方法
JP2005521209A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 富士写真フイルム株式会社 有機薄膜素子及びその製造方法
JP2006019285A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Konarka Technologies Inc 包封材を有する有機光起電性コンポーネント
US7049161B2 (en) 2002-12-14 2006-05-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
JPWO2004112440A1 (ja) * 2003-06-13 2006-07-27 松下電器産業株式会社 発光素子及び表示装置
US7683368B2 (en) 2005-04-18 2010-03-23 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, electronic device, and electronic equipment
JPWO2009057317A1 (ja) * 2007-11-01 2011-03-10 パナソニック株式会社 発光素子、及び、表示装置
JP2019197800A (ja) * 2018-05-09 2019-11-14 シャープ株式会社 光電変換素子の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06283265A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Nec Kansai Ltd 電界発光灯及びその製造方法及びその製造装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06283265A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Nec Kansai Ltd 電界発光灯及びその製造方法及びその製造装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6520821B1 (en) 1998-05-18 2003-02-18 Nec Corporation Device package and device encapsulation method
JP2000173770A (ja) * 1998-10-13 2000-06-23 Sony Internatl Europ Gmbh アクティブマトリクス方式表示装置及びその製造方法
JP2000268954A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
JP2002541631A (ja) * 1999-04-07 2002-12-03 マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミティド 光電子工学的表示装置
JP2002158089A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法
KR100384289B1 (ko) * 2001-02-22 2003-05-16 주식회사 엘리아테크 유기 전계 발광 소자 및 그의 봉지 방법
JP2005521209A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 富士写真フイルム株式会社 有機薄膜素子及びその製造方法
US7049161B2 (en) 2002-12-14 2006-05-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
US7307281B2 (en) 2002-12-14 2007-12-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
JP4598673B2 (ja) * 2003-06-13 2010-12-15 パナソニック株式会社 発光素子及び表示装置
JPWO2004112440A1 (ja) * 2003-06-13 2006-07-27 松下電器産業株式会社 発光素子及び表示装置
US7868331B2 (en) 2003-06-13 2011-01-11 Panasonic Corporation Light-emitting device having a metal oxide semiconductor porous body with an organic light-emitting material
WO2005057986A1 (ja) * 2003-12-09 2005-06-23 Nippon Sheet Glass Company, Limited 面発光体及びその製造方法
JP2006019285A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Konarka Technologies Inc 包封材を有する有機光起電性コンポーネント
US7683368B2 (en) 2005-04-18 2010-03-23 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, electronic device, and electronic equipment
JPWO2009057317A1 (ja) * 2007-11-01 2011-03-10 パナソニック株式会社 発光素子、及び、表示装置
JP2019197800A (ja) * 2018-05-09 2019-11-14 シャープ株式会社 光電変換素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2755216B2 (ja) 1998-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3290375B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3902938B2 (ja) 有機発光素子の製造方法及び有機発光表示体の製造方法、有機発光素子及び有機発光表示体
WO1999046961A1 (en) Method of manufacturing organic el display
KR100611767B1 (ko) 레이저 전사용 도너 기판 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법
TW200526068A (en) Segmented organic light emitting device
JP2755216B2 (ja) 有機薄膜el素子の製造方法
JPH11307259A (ja) 有機el素子
JP3886607B2 (ja) 有機elディスプレイ
JP4059968B2 (ja) 有機el素子の製造方法
JP4292241B2 (ja) レーザ転写用ドナー基板及びこの基板を使用して製造される有機電界発光素子の製造方法
JP3691192B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000252058A (ja) 有機el表示装置素子およびその封止方法
JPWO2008023626A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2003297561A (ja) 有機薄膜素子の製造方法及び有機薄膜素子
JP2002208481A (ja) 有機発光素子およびその製造方法
JPH01313892A (ja) 画像表示装置及びその製造方法
JP4405638B2 (ja) ディスプレイおよびその製造方法
JPWO2017056682A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル
JPWO2017056684A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法
JP2001052857A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000123971A (ja) 有機elの製造方法
JP2004095251A (ja) El装置、及びその製造方法
JP2008097828A (ja) 有機el素子の製造方法およびこれにより得られた有機el素子
JP3535659B2 (ja) 有機el素子の製造方法
JPH10255974A (ja) 双方向電界駆動型有機電界発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980203

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080306

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306

Year of fee payment: 11

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306

Year of fee payment: 11

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306

Year of fee payment: 11

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100306

Year of fee payment: 12

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110306

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110306

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306

Year of fee payment: 15

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306

Year of fee payment: 15

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140306

Year of fee payment: 16

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term