JPH097799A - 電子蓄積リング用真空槽 - Google Patents
電子蓄積リング用真空槽Info
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- JPH097799A JPH097799A JP14717195A JP14717195A JPH097799A JP H097799 A JPH097799 A JP H097799A JP 14717195 A JP14717195 A JP 14717195A JP 14717195 A JP14717195 A JP 14717195A JP H097799 A JPH097799 A JP H097799A
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成によりＳＯＲ光によるガス放出を
低減できる電子蓄積リング用真空槽を提供する。 【構成】 内部を荷電粒子が周回する真空槽が設けられ
る。この真空層外部には、内部に所定の電磁界を発生す
るように、偏向電磁石が設けられている。前記荷電粒子
が周回する際に発生するシンクロトロン放射光は前記真
空槽の内壁面に設けられた断面がコの字型のビームダン
パに照射される。
低減できる電子蓄積リング用真空槽を提供する。 【構成】 内部を荷電粒子が周回する真空槽が設けられ
る。この真空層外部には、内部に所定の電磁界を発生す
るように、偏向電磁石が設けられている。前記荷電粒子
が周回する際に発生するシンクロトロン放射光は前記真
空槽の内壁面に設けられた断面がコの字型のビームダン
パに照射される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は荷電粒子装置、特に電子
蓄積リングに用いられる真空容器に関する。
蓄積リングに用いられる真空容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、荷電粒子の加速または蓄積を行う
荷電粒子装置、たとえば、シンクロトロン等の電子蓄積
リングでは偏向電磁界により決定される所定の周回軌道
に電子、陽子等の荷電粒子を超高速で周回させる。荷電
粒子を超高速で長時間周回させるためには、荷電粒子が
周回する軌道を、たとえば、１×１０-9Ｔｏｒｒ以下の
超真空に保つ必要がある。
荷電粒子装置、たとえば、シンクロトロン等の電子蓄積
リングでは偏向電磁界により決定される所定の周回軌道
に電子、陽子等の荷電粒子を超高速で周回させる。荷電
粒子を超高速で長時間周回させるためには、荷電粒子が
周回する軌道を、たとえば、１×１０-9Ｔｏｒｒ以下の
超真空に保つ必要がある。
【０００３】図３は従来の真空槽の一例を示す一部切欠
斜視図である。この真空槽３１はその一部にイオンポン
プ３２を収納し、多数の透孔を有する隔壁３３を介して
荷電粒子３４が周回する空間３５が形成されている。空
間３５の前記隔壁３３と反対側の側壁内には、冷却水が
流れる水路３６、ヒーター３７が設けられている。
斜視図である。この真空槽３１はその一部にイオンポン
プ３２を収納し、多数の透孔を有する隔壁３３を介して
荷電粒子３４が周回する空間３５が形成されている。空
間３５の前記隔壁３３と反対側の側壁内には、冷却水が
流れる水路３６、ヒーター３７が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、荷電粒
子が前記偏向電磁界中を周回するとき発生するシンクロ
トロン放射光（以下ＳＯＲ光という）が前記真空槽の内
壁面に照射されると、そこから大量のガス放出を起こす
ため、荷電粒子の軌道空間を超真空に保つことが困難で
あった。即ち、従来装置においては、ＳＯＲ光発生中
は、発生していないときに比較して真空度が１桁以上低
下した。
子が前記偏向電磁界中を周回するとき発生するシンクロ
トロン放射光（以下ＳＯＲ光という）が前記真空槽の内
壁面に照射されると、そこから大量のガス放出を起こす
ため、荷電粒子の軌道空間を超真空に保つことが困難で
あった。即ち、従来装置においては、ＳＯＲ光発生中
は、発生していないときに比較して真空度が１桁以上低
下した。
【０００５】このようなＳＯＲ光によるガス放出対策と
して、従来の電子蓄積リングでは次のようないくつかの
方法が試みられている。
して、従来の電子蓄積リングでは次のようないくつかの
方法が試みられている。
【０００６】第１に、真空槽の材質としてガス放出の少
ない材料を採用する。第２に、真空槽の内面に電解研磨
などの表面処理を施す。第３に、大量のガス放出に対し
て大容量の真空ポンプを取り付ける。第４に、装置を数
年間運転して放出ガスが減少するのを待つ、いわゆる枯
れ効果を利用する。
ない材料を採用する。第２に、真空槽の内面に電解研磨
などの表面処理を施す。第３に、大量のガス放出に対し
て大容量の真空ポンプを取り付ける。第４に、装置を数
年間運転して放出ガスが減少するのを待つ、いわゆる枯
れ効果を利用する。
【０００７】しかしながら、第１の方法は、真空槽を構
成する材質を制限し、第２の方法は製造工程が複雑化す
る欠点がある。また、第３の方法は装置が大型化し、第
４の方法では即功性に欠ける欠点があった。
成する材質を制限し、第２の方法は製造工程が複雑化す
る欠点がある。また、第３の方法は装置が大型化し、第
４の方法では即功性に欠ける欠点があった。
【０００８】したがって本発明の課題は、上記従来の方
法による欠点を全て除去し、簡単な構成によりＳＯＲ光
によるガス放出を低減できる電子蓄積リング用真空槽を
提供することにある。
法による欠点を全て除去し、簡単な構成によりＳＯＲ光
によるガス放出を低減できる電子蓄積リング用真空槽を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、内部を
荷電粒子が周回する真空槽と、この真空層内に所定の電
磁界を発生するように、前記真空槽外に設けられた偏向
電磁石と、前記荷電粒子が周回する際に発生するシンク
ロトロン放射光が照射される前記真空槽の内壁面に設け
られた断面がコの字型のビームダンパとを備えたことを
特徴とする電子蓄積リング用真空槽が得られる。
荷電粒子が周回する真空槽と、この真空層内に所定の電
磁界を発生するように、前記真空槽外に設けられた偏向
電磁石と、前記荷電粒子が周回する際に発生するシンク
ロトロン放射光が照射される前記真空槽の内壁面に設け
られた断面がコの字型のビームダンパとを備えたことを
特徴とする電子蓄積リング用真空槽が得られる。
【００１０】また、本発明によれば、前記電子蓄積リン
グ用真空槽において、前記ビームダンパは前記真空槽の
内壁面に対して絶縁物を介して固定されるとともに、前
記真空槽に対して所定のバイアス電位が付与されている
ことを特徴とする電子蓄積リング用真空槽装置が得られ
る。
グ用真空槽において、前記ビームダンパは前記真空槽の
内壁面に対して絶縁物を介して固定されるとともに、前
記真空槽に対して所定のバイアス電位が付与されている
ことを特徴とする電子蓄積リング用真空槽装置が得られ
る。
【００１１】
【作用】上記の電子蓄積リング用真空槽においては、荷
電粒子が周回する際に発生するシンクロトロン放射光は
前記真空槽の内壁面に設けられた断面がコの字型のビー
ムダンパに照射され、その材質により、ガス放出が抑制
される。このビームダンパは前記真空槽に対して所定の
バイアス電位が付与されているため、これによってもさ
らにガス放出が抑制される。
電粒子が周回する際に発生するシンクロトロン放射光は
前記真空槽の内壁面に設けられた断面がコの字型のビー
ムダンパに照射され、その材質により、ガス放出が抑制
される。このビームダンパは前記真空槽に対して所定の
バイアス電位が付与されているため、これによってもさ
らにガス放出が抑制される。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
よる電子蓄積リング用真空槽を説明する。
よる電子蓄積リング用真空槽を説明する。
【００１３】図１は、本発明の電子蓄積リング用真空槽
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【００１４】真空槽１１は端部に真空ポンプ１２を収容
する第１の空間１３と、内部を荷電粒子１４が周回する
第２の空間１５から構成されている。第１の空間１３と
第２の空間１５とは透孔を有する隔壁１６により区分さ
れている。荷電粒子１４は真空槽１１の上下に配置され
る一対の偏向電磁石１７、１７により真空槽１１内の所
定の周回軌道に沿って偏向され高速で走行する。すなわ
ち、荷電粒子１４は図１の紙面に垂直な方向に走行する
際に、紙面に平行に上下方向に向かう電磁界により、周
回偏向されるとともに、その周回軌道の接線方向（図１
の矢印）方向にＳＯＲ光１８を発生する。このＳＯＲ光
１８が真空槽１１内を直進して衝突する第２の空間１５
の側面内壁１９上には断面がコの字型のビームダンパ２
０が真空槽１１の側面内壁１９に沿って固定配置されて
いる。このビームダンパ２０としては真空槽１１とは異
なる、ガス放出の少ない材料を使用し、コの字型のビー
ム吸収部の各辺の長さは約５ｍｍとしている。
する第１の空間１３と、内部を荷電粒子１４が周回する
第２の空間１５から構成されている。第１の空間１３と
第２の空間１５とは透孔を有する隔壁１６により区分さ
れている。荷電粒子１４は真空槽１１の上下に配置され
る一対の偏向電磁石１７、１７により真空槽１１内の所
定の周回軌道に沿って偏向され高速で走行する。すなわ
ち、荷電粒子１４は図１の紙面に垂直な方向に走行する
際に、紙面に平行に上下方向に向かう電磁界により、周
回偏向されるとともに、その周回軌道の接線方向（図１
の矢印）方向にＳＯＲ光１８を発生する。このＳＯＲ光
１８が真空槽１１内を直進して衝突する第２の空間１５
の側面内壁１９上には断面がコの字型のビームダンパ２
０が真空槽１１の側面内壁１９に沿って固定配置されて
いる。このビームダンパ２０としては真空槽１１とは異
なる、ガス放出の少ない材料を使用し、コの字型のビー
ム吸収部の各辺の長さは約５ｍｍとしている。
【００１５】このビームダンパ２０は、図２の要部拡大
図に示されるように、真空槽１１の内壁１９に対して絶
縁物２１を介して固定されるとともに、真空槽１１に対
してバイアス電源２２により、所定のバイアス電位、た
とえば、正電位にバイアスされている。このようなバイ
アスの付与により、ビームダンパ２０に照射されたＳＯ
Ｒ光により生ずる光電子２３はビームダンパ２０のコの
字型のビーム吸収部２４に吸収され、ガス放出の量を制
御することが可能である。ビームダンパ２０には冷却の
ための配管２５がハンダ付けまたは銀ロウ付けで固定さ
れている。
図に示されるように、真空槽１１の内壁１９に対して絶
縁物２１を介して固定されるとともに、真空槽１１に対
してバイアス電源２２により、所定のバイアス電位、た
とえば、正電位にバイアスされている。このようなバイ
アスの付与により、ビームダンパ２０に照射されたＳＯ
Ｒ光により生ずる光電子２３はビームダンパ２０のコの
字型のビーム吸収部２４に吸収され、ガス放出の量を制
御することが可能である。ビームダンパ２０には冷却の
ための配管２５がハンダ付けまたは銀ロウ付けで固定さ
れている。
【００１６】このような本発明の電子蓄積リング用真空
槽によれば、ＳＯＲ光が照射されるビーム吸収部２４の
後面２４−ａにおいて、実際に高エネルギーの直接光が
照射されるのは、軌道水平面２６から１ｍｍ以内の部分
である。したがってＳＯＲ光の照射により放出される光
電子は後面２４−ａからあらゆる方向に放出され、断面
コの字型のビーム吸収部２４の上面２４−ｂあるいは下
面２４−ｃに衝突するか、断面コの字型のビーム吸収部
２４から真空槽１１内に進行する。しかし、偏向電磁石
１７、１７による上下方向の電磁界により、偏向されビ
ーム吸収部２４の下面２４−ｃに衝突し、真空槽１１内
に戻る確率は極めて小さい。この作用は前述したよう
に、ビームダンパ２０に与えられたバイアス電位によ
り、一層助長される。したがって本発明によれば、ＳＯ
Ｒ光により生ずる光電子２３の衝突はビームダンパ２０
の断面コの字型のビーム吸収部２４内に限定される。
槽によれば、ＳＯＲ光が照射されるビーム吸収部２４の
後面２４−ａにおいて、実際に高エネルギーの直接光が
照射されるのは、軌道水平面２６から１ｍｍ以内の部分
である。したがってＳＯＲ光の照射により放出される光
電子は後面２４−ａからあらゆる方向に放出され、断面
コの字型のビーム吸収部２４の上面２４−ｂあるいは下
面２４−ｃに衝突するか、断面コの字型のビーム吸収部
２４から真空槽１１内に進行する。しかし、偏向電磁石
１７、１７による上下方向の電磁界により、偏向されビ
ーム吸収部２４の下面２４−ｃに衝突し、真空槽１１内
に戻る確率は極めて小さい。この作用は前述したよう
に、ビームダンパ２０に与えられたバイアス電位によ
り、一層助長される。したがって本発明によれば、ＳＯ
Ｒ光により生ずる光電子２３の衝突はビームダンパ２０
の断面コの字型のビーム吸収部２４内に限定される。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＯＲ光が照射される
ビームダンパーは真空槽とは独立したユニット構造を採
用できるため、ビームダンパーの材料を真空槽の構造材
料としての特性を配慮することなく、ＳＯＲ光によるガ
ス放出の少ない性能だけに限定して選択できる。
ビームダンパーは真空槽とは独立したユニット構造を採
用できるため、ビームダンパーの材料を真空槽の構造材
料としての特性を配慮することなく、ＳＯＲ光によるガ
ス放出の少ない性能だけに限定して選択できる。
【００１８】また、本発明によれば、ＳＯＲ光をガス放
出の少ないビームダンパーに集中的に照射させることに
より、結果的に真空槽全体の放出ガスを低減する効果が
ある。
出の少ないビームダンパーに集中的に照射させることに
より、結果的に真空槽全体の放出ガスを低減する効果が
ある。
【００１９】さらに、ビームダンパー部の光電子の衝突
回数も従来の真空槽に比較して格段に増加するため、ガ
ス放出量が時間的に減少する効果（枯れ効果）も促進さ
せることができる。
回数も従来の真空槽に比較して格段に増加するため、ガ
ス放出量が時間的に減少する効果（枯れ効果）も促進さ
せることができる。
【図１】本発明の電子蓄積リング用真空槽の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の電子蓄積リング用真空槽の構成を示す
要部拡大図である。
要部拡大図である。
【図３】従来の電子蓄積リング用真空槽の構成を示す一
部切欠斜視図である。
部切欠斜視図である。
１１ 真空槽 １２ 真空ポンプ １３ 第１の空間 １４ 荷電粒子 １５ 第２の空間 １６ 隔壁 １７ 偏向電磁石 １８ ＳＯＲ光 ２０ ビームダンパ ２１ 絶縁物 ２２ バイアス電源 ２３ 光電子 ２４ ビーム吸収部 ２５ 配管 ２６ 軌道水平面
Claims (2)
- 【請求項１】 内部を荷電粒子が周回する真空槽と、こ
の真空層内に所定の電磁界を発生するように、前記真空
槽外に設けられた偏向電磁石と、前記荷電粒子が周回す
る際に発生するシンクロトロン放射光が照射される前記
真空槽の内壁面に設けられた断面がコの字型のビームダ
ンパとを備えたことを特徴とする電子蓄積リング用真空
槽。 - 【請求項２】 請求項１の電子蓄積リング用真空槽にお
いて、前記ビームダンパは前記真空槽の内壁面に対して
絶縁物を介して固定されるとともに、前記真空槽に対し
て所定のバイアス電位が付与されていることを特徴とす
る電子蓄積リング用真空槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14717195A JPH097799A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 電子蓄積リング用真空槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14717195A JPH097799A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 電子蓄積リング用真空槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097799A true JPH097799A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15424195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14717195A Withdrawn JPH097799A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 電子蓄積リング用真空槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097799A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100645389B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2006-11-14 | 지스코리아 주식회사 | 진공관 댐퍼 |
| JP2007027001A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Natl Inst Of Radiological Sciences | 高周波加速空洞及び装置 |
| US12414220B2 (en) | 2019-10-11 | 2025-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency acceleration cavity core and high-frequency acceleration cavity in which same is used |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP14717195A patent/JPH097799A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100645389B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2006-11-14 | 지스코리아 주식회사 | 진공관 댐퍼 |
| JP2007027001A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Natl Inst Of Radiological Sciences | 高周波加速空洞及び装置 |
| US12414220B2 (en) | 2019-10-11 | 2025-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency acceleration cavity core and high-frequency acceleration cavity in which same is used |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |