JPH097978A - ウエハ研削装置および方法 - Google Patents
ウエハ研削装置および方法Info
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- JPH097978A JPH097978A JP14914595A JP14914595A JPH097978A JP H097978 A JPH097978 A JP H097978A JP 14914595 A JP14914595 A JP 14914595A JP 14914595 A JP14914595 A JP 14914595A JP H097978 A JPH097978 A JP H097978A
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- peripheral surface
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノッチ研削加工における研削負荷を均一にし
て良好な面平滑度を得ることのできるウエハ研削装置を
提供する。 【構成】 回転するディスク２の外周に付着されたダイ
ヤモンド砥粒９でシリコンウエハ３のノッチ研削加工を
行うウエハ研削装置であり、ディスク２の周方向に沿っ
て形成された周面研削部７ａおよびこの周面研削部７ａ
の両側にテーパ状に広がって形成された外縁研削部７ｂ
からなり、シリコンウエハ３の外周面と両面外縁部とを
同時研削してノッチ形状を形成する第１研削溝７と、こ
の第１研削溝７の両側において段部１０を介してテーパ
状に広がって形成された第２研削溝８とを有するもので
ある。
て良好な面平滑度を得ることのできるウエハ研削装置を
提供する。 【構成】 回転するディスク２の外周に付着されたダイ
ヤモンド砥粒９でシリコンウエハ３のノッチ研削加工を
行うウエハ研削装置であり、ディスク２の周方向に沿っ
て形成された周面研削部７ａおよびこの周面研削部７ａ
の両側にテーパ状に広がって形成された外縁研削部７ｂ
からなり、シリコンウエハ３の外周面と両面外縁部とを
同時研削してノッチ形状を形成する第１研削溝７と、こ
の第１研削溝７の両側において段部１０を介してテーパ
状に広がって形成された第２研削溝８とを有するもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハ研削装置および方
法に関し、特にノッチ研削加工された半導体ウエハにお
けるひずみ防止に適用して有効な技術に関する。
法に関し、特にノッチ研削加工された半導体ウエハにお
けるひずみ防止に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、製作され
たインゴットの外形を円柱形状に研削し、オリフラ面を
形成した後、これをスライスして半導体ウエハを得てい
る。ここでの半導体ウエハの断面はほぼ矩形に近く、そ
の為に周辺端部が欠けたり半導体ウエハを搭載する治工
具を傷つけてパーティクル発生の原因となるため、その
厚みを周辺に向かって徐々に薄くするノッチ研削加工を
行っている。
たインゴットの外形を円柱形状に研削し、オリフラ面を
形成した後、これをスライスして半導体ウエハを得てい
る。ここでの半導体ウエハの断面はほぼ矩形に近く、そ
の為に周辺端部が欠けたり半導体ウエハを搭載する治工
具を傷つけてパーティクル発生の原因となるため、その
厚みを周辺に向かって徐々に薄くするノッチ研削加工を
行っている。
【０００３】このような半導体製造におけるインゴット
から半導体ウエハの製作までの工程を詳しく記載してい
る例としては、たとえば、大日本図書発行、「シリコン
ＬＳＩと化学」（1993年10月10日発行）、 P83〜P88 が
ある。
から半導体ウエハの製作までの工程を詳しく記載してい
る例としては、たとえば、大日本図書発行、「シリコン
ＬＳＩと化学」（1993年10月10日発行）、 P83〜P88 が
ある。
【０００４】ここで、ノッチ研削加工における半導体ウ
エハの研削は、研削砥流を外周に付着したディスクを用
い、このディスクと半導体ウエハとを回転させて先ずこ
の半導体ウエハの外周面を研削し（図８、符号Ａ参
照）、次に両面外縁部をそれぞれ研削（図８、符号
Ｂ1 ，Ｂ2 参照）する方法が考えられる。
エハの研削は、研削砥流を外周に付着したディスクを用
い、このディスクと半導体ウエハとを回転させて先ずこ
の半導体ウエハの外周面を研削し（図８、符号Ａ参
照）、次に両面外縁部をそれぞれ研削（図８、符号
Ｂ1 ，Ｂ2 参照）する方法が考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
法では、図８に示すように、ノッチを形成するための外
縁部の研削量が不均一になり、符号ｃで示す中央部より
も符号ｓで示すその両側の周辺部の方がより大きな負荷
で研削されるようになる。そのため、周辺部ほど深い歪
が入りエッチングをすると中央部に比べて深いピットが
形成され、半導体ウエハの周辺部が面荒れすることにな
る。
法では、図８に示すように、ノッチを形成するための外
縁部の研削量が不均一になり、符号ｃで示す中央部より
も符号ｓで示すその両側の周辺部の方がより大きな負荷
で研削されるようになる。そのため、周辺部ほど深い歪
が入りエッチングをすると中央部に比べて深いピットが
形成され、半導体ウエハの周辺部が面荒れすることにな
る。
【０００６】そして、周辺部が面荒れした状態のままで
半導体ウエハに回路素子を作り込むデバイスプロセスに
入ると、この半導体ウエハが搬送やセッティングに用い
られる治工具を削り取って異物発塵の原因となり、浮遊
したパーティクルが半導体ウエハのパターン形成面を汚
染することになる。
半導体ウエハに回路素子を作り込むデバイスプロセスに
入ると、この半導体ウエハが搬送やセッティングに用い
られる治工具を削り取って異物発塵の原因となり、浮遊
したパーティクルが半導体ウエハのパターン形成面を汚
染することになる。
【０００７】殊に今日のようにデバイスの微細化が進む
中においては、半導体ウエハの面荒れに起因する歩留ま
りの悪化は一層重大な問題になってきている。
中においては、半導体ウエハの面荒れに起因する歩留ま
りの悪化は一層重大な問題になってきている。
【０００８】そこで、本発明の目的は、ノッチ研削加工
における研削負荷を均一にし、良好な面平滑度を得るこ
とのできる技術を提供することにある。
における研削負荷を均一にし、良好な面平滑度を得るこ
とのできる技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明によるウエハ研削装置
は、回転するディスクの外周に付着された研削砥粒で半
導体ウエハのノッチ研削加工を行うもので、ディスクの
周方向に沿って形成された周面研削部およびこの周面研
削部の両側にテーパ状に広がって形成された外縁研削部
からなり、半導体ウエハの外周面と両面外縁部とを同時
研削してノッチ形状を形成する第１研削溝と、この第１
研削溝の両側において段部を介してテーパ状に広がって
形成された第２研削溝とを有することを特徴とするもの
である。
は、回転するディスクの外周に付着された研削砥粒で半
導体ウエハのノッチ研削加工を行うもので、ディスクの
周方向に沿って形成された周面研削部およびこの周面研
削部の両側にテーパ状に広がって形成された外縁研削部
からなり、半導体ウエハの外周面と両面外縁部とを同時
研削してノッチ形状を形成する第１研削溝と、この第１
研削溝の両側において段部を介してテーパ状に広がって
形成された第２研削溝とを有することを特徴とするもの
である。
【００１２】このウエハ研削装置では、第１研削溝に付
着された研削砥粒の粒径を第２研削溝に付着された研削
砥粒の粒径よりも大きくすることができる。
着された研削砥粒の粒径を第２研削溝に付着された研削
砥粒の粒径よりも大きくすることができる。
【００１３】また、本発明によるウエハ研削方法は、前
記したウエハ研削装置を用いて半導体ウエハのノッチ研
削加工を行うもので、周面研削部に半導体ウエハの外周
面を、外縁研削部に半導体ウエハの両面外縁部をそれぞ
れ押し当てて第１研削溝で半導体ウエハの外周面と両面
外縁部とを同時研削し、次に、研削されたそれぞれの外
縁部をこれに対応する第２研削溝に交互に押し当てて両
面外縁部を所定の深さにわたってさらに研削することを
特徴とするものである。
記したウエハ研削装置を用いて半導体ウエハのノッチ研
削加工を行うもので、周面研削部に半導体ウエハの外周
面を、外縁研削部に半導体ウエハの両面外縁部をそれぞ
れ押し当てて第１研削溝で半導体ウエハの外周面と両面
外縁部とを同時研削し、次に、研削されたそれぞれの外
縁部をこれに対応する第２研削溝に交互に押し当てて両
面外縁部を所定の深さにわたってさらに研削することを
特徴とするものである。
【００１４】そして、本発明によるウエハ研削方法は、
前記したウエハ研削装置を用いて半導体ウエハのノッチ
研削加工を行うもので、周面研削部に半導体ウエハの外
周面を、外縁研削部に半導体ウエハの両面外縁部をそれ
ぞれ押し当てて第１研削溝で半導体ウエハの外周面と両
面外縁部とを同時研削し、次に、研削されたそれぞれの
外縁部をこれに対応する第２研削溝に交互に押し当てる
と同時に研削された外周面を段部に押し当てて両面外縁
部および外周面を所定の深さにわたってさらに研削する
ことを特徴とするものである。
前記したウエハ研削装置を用いて半導体ウエハのノッチ
研削加工を行うもので、周面研削部に半導体ウエハの外
周面を、外縁研削部に半導体ウエハの両面外縁部をそれ
ぞれ押し当てて第１研削溝で半導体ウエハの外周面と両
面外縁部とを同時研削し、次に、研削されたそれぞれの
外縁部をこれに対応する第２研削溝に交互に押し当てる
と同時に研削された外周面を段部に押し当てて両面外縁
部および外周面を所定の深さにわたってさらに研削する
ことを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】上記した手段によれば、半導体ウエハを第１研
削溝でノッチ形状に研削し、第２研削溝で外縁部あるい
は外縁部と外周部とを所定の深さにわたってさらに研削
するようにしているので、最終的に研削負荷が均一にな
って半導体ウエハからほとんどの歪が除去され、エッチ
ング処理で仕上げを行った際に良好な面平滑度を得るこ
とが可能になる。
削溝でノッチ形状に研削し、第２研削溝で外縁部あるい
は外縁部と外周部とを所定の深さにわたってさらに研削
するようにしているので、最終的に研削負荷が均一にな
って半導体ウエハからほとんどの歪が除去され、エッチ
ング処理で仕上げを行った際に良好な面平滑度を得るこ
とが可能になる。
【００１６】これにより、半導体ウエハの周辺部の面荒
れがなくなるので、半導体ウエハが治工具を削り取るこ
とによる異物発塵が阻止され、浮遊するパーティクルに
よるパターン形成面の汚染に起因するデバイスの歩留ま
り悪化を未然に防止することができる。
れがなくなるので、半導体ウエハが治工具を削り取るこ
とによる異物発塵が阻止され、浮遊するパーティクルに
よるパターン形成面の汚染に起因するデバイスの歩留ま
り悪化を未然に防止することができる。
【００１７】また、第１研削溝に付着された研削砥粒の
粒径を第２研削溝に付着された研削砥粒の粒径よりも大
きくすれば、第１の研削溝での研削を迅速に行うことが
できる。
粒径を第２研削溝に付着された研削砥粒の粒径よりも大
きくすれば、第１の研削溝での研削を迅速に行うことが
できる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返しの
説明は省略する。
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返しの
説明は省略する。
【００１９】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
るウエハ研削装置を示す概略図、図２は図１のII−II線
に沿う部分断面図、図３は図１のウエハ研削装置による
ウエハ研削方法を示す説明図、図４は図３のウエハ研削
方法により研削されたシリコンウエハの研削部を示す断
面図である。
るウエハ研削装置を示す概略図、図２は図１のII−II線
に沿う部分断面図、図３は図１のウエハ研削装置による
ウエハ研削方法を示す説明図、図４は図３のウエハ研削
方法により研削されたシリコンウエハの研削部を示す断
面図である。
【００２０】本実施例のウエハ研削装置は、図１に示す
ように、モータ１によってその回転軸回りに回転するデ
ィスク２によってシリコンウエハ（半導体ウエハ）３の
ノッチ研削加工を行うためのものである。ディスク２の
外周には研削溝４が形成されており、この研削溝４にシ
リコンウエハ３を押し当てて加工が行われる。被研削部
材であるシリコンウエハ３は吸着パッド５に吸着されて
おり、この吸着パッド５を介してモータ６により回転軸
回りに回転されるようになっている。そして、モータ
１，６によってディスク２およびシリコンウエハ３はた
とえば共に時計回りに回転され、その時の両者の接触部
分における反対方向への回転移動により研削が行われ
る。なお、回転方向は反時計回りでもよく、さらには、
相互に異なる方向に回転するようになっていてもよい。
ように、モータ１によってその回転軸回りに回転するデ
ィスク２によってシリコンウエハ（半導体ウエハ）３の
ノッチ研削加工を行うためのものである。ディスク２の
外周には研削溝４が形成されており、この研削溝４にシ
リコンウエハ３を押し当てて加工が行われる。被研削部
材であるシリコンウエハ３は吸着パッド５に吸着されて
おり、この吸着パッド５を介してモータ６により回転軸
回りに回転されるようになっている。そして、モータ
１，６によってディスク２およびシリコンウエハ３はた
とえば共に時計回りに回転され、その時の両者の接触部
分における反対方向への回転移動により研削が行われ
る。なお、回転方向は反時計回りでもよく、さらには、
相互に異なる方向に回転するようになっていてもよい。
【００２１】図２に示すように、ディスク２の研削溝４
はその周方向に沿って形成された第１研削溝７と、この
第１研削溝７の両側に形成された第２研削溝８とから構
成されており、何れの研削溝７，８にもシリコンウエハ
３を研削するためのダイヤモンド砥粒（研削砥粒）９が
付着されている。
はその周方向に沿って形成された第１研削溝７と、この
第１研削溝７の両側に形成された第２研削溝８とから構
成されており、何れの研削溝７，８にもシリコンウエハ
３を研削するためのダイヤモンド砥粒（研削砥粒）９が
付着されている。
【００２２】第１研削溝７は、中央に位置してシリコン
ウエハ３の周面を研削する周面研削部７ａ、およびこの
周面研削部７ａの両側においてテーパ状に広がって形成
されシリコンウエハ３の外縁部を斜めに研削する外縁研
削部７ｂからなっている。そして、図示するように、そ
の断面は研削されるシリコンウエハ３のノッチ形状に対
応した形状をなしている。また、第１研削溝７の両側に
位置する第２研削溝８は段部１０を介してテーパ状に広
がって形成されている。
ウエハ３の周面を研削する周面研削部７ａ、およびこの
周面研削部７ａの両側においてテーパ状に広がって形成
されシリコンウエハ３の外縁部を斜めに研削する外縁研
削部７ｂからなっている。そして、図示するように、そ
の断面は研削されるシリコンウエハ３のノッチ形状に対
応した形状をなしている。また、第１研削溝７の両側に
位置する第２研削溝８は段部１０を介してテーパ状に広
がって形成されている。
【００２３】このようなウエハ研削装置によるウエハ研
削方法を図３および図４に沿って説明すると次のような
ものである。
削方法を図３および図４に沿って説明すると次のような
ものである。
【００２４】先ず、図３（ａ）に示すように、インゴッ
トからスライスされたシリコンウエハ３を第１研削溝７
によって研削する。つまり、ディスク２とシリコンウエ
ハ３とを回転させた状態で周面研削部７ａに外周面を、
外縁研削部７ｂに両面の外縁部をそれぞれ押し当てて研
削を行う。この研削により図４の符号Ａで示す研削エリ
アが研削され、第１研削溝７で既にノッチが形成される
ようになる。なお、このプロセスでは、ノッチを形成す
るシリコンウエハ３の外縁部の研削量が不均一であり、
部分的に深い歪が入った状態になっている。
トからスライスされたシリコンウエハ３を第１研削溝７
によって研削する。つまり、ディスク２とシリコンウエ
ハ３とを回転させた状態で周面研削部７ａに外周面を、
外縁研削部７ｂに両面の外縁部をそれぞれ押し当てて研
削を行う。この研削により図４の符号Ａで示す研削エリ
アが研削され、第１研削溝７で既にノッチが形成される
ようになる。なお、このプロセスでは、ノッチを形成す
るシリコンウエハ３の外縁部の研削量が不均一であり、
部分的に深い歪が入った状態になっている。
【００２５】次に、図３（ｂ）に示すように、研削され
たシリコンウエハ３の一方の外縁部を一方の第２研削溝
８に押し当てて所定の深さにわたってさらに研削し、図
４の符号Ｂ1 で示す研削エリアを除去する。この時の研
削では、既に研削された外縁部を均等量だけさらに研削
するようにしているので、図４に示すように、中央部ｃ
と周辺部ｓとの研削負荷は均一になり歪は殆ど発生しな
い。のみならず、前記した第１研削溝７での研削におい
て発生した深い歪の部分がこの第２研削溝８による研削
で除去されるようになる。
たシリコンウエハ３の一方の外縁部を一方の第２研削溝
８に押し当てて所定の深さにわたってさらに研削し、図
４の符号Ｂ1 で示す研削エリアを除去する。この時の研
削では、既に研削された外縁部を均等量だけさらに研削
するようにしているので、図４に示すように、中央部ｃ
と周辺部ｓとの研削負荷は均一になり歪は殆ど発生しな
い。のみならず、前記した第１研削溝７での研削におい
て発生した深い歪の部分がこの第２研削溝８による研削
で除去されるようになる。
【００２６】そして、図３（ｃ）に示すように、他方の
外縁部を他方の第２研削溝８に押し当てて所定の深さだ
けさらに研削し、図４の符号Ｂ2 で示す研削エリアを除
去する。この時にも、図３（ｂ）に示す場合と同様、中
央部ｃと周辺部ｓとの研削負荷は均一で殆ど歪が発生す
ることなく、また、第１研削溝７での研削における深い
歪の部分が除去される。
外縁部を他方の第２研削溝８に押し当てて所定の深さだ
けさらに研削し、図４の符号Ｂ2 で示す研削エリアを除
去する。この時にも、図３（ｂ）に示す場合と同様、中
央部ｃと周辺部ｓとの研削負荷は均一で殆ど歪が発生す
ることなく、また、第１研削溝７での研削における深い
歪の部分が除去される。
【００２７】このようにして、図４の斜線で示す形状に
ノッチを形成した後、エッチング処理を行う。ここで、
前記のように、研削エリアＡ，Ｂ1 ，Ｂ2 を除去して歪
の部分は殆どなくなっているので、エッチングによって
深いピットが形成されることはなく、良好な面平滑度を
得ることができる。
ノッチを形成した後、エッチング処理を行う。ここで、
前記のように、研削エリアＡ，Ｂ1 ，Ｂ2 を除去して歪
の部分は殆どなくなっているので、エッチングによって
深いピットが形成されることはなく、良好な面平滑度を
得ることができる。
【００２８】これにより、その後のデバイスプロセスに
おいて、シリコンウエハ３が治工具を削り取ることによ
る異物発塵が阻止され、浮遊したパーティクルによるシ
リコンウエハ３のパターン形成面の汚染が未然に防止さ
れることになる。
おいて、シリコンウエハ３が治工具を削り取ることによ
る異物発塵が阻止され、浮遊したパーティクルによるシ
リコンウエハ３のパターン形成面の汚染が未然に防止さ
れることになる。
【００２９】（実施例２）図５は本発明の他の実施例で
あるウエハ研削装置を示す部分断面図、図６は図５のウ
エハ研削装置によるウエハ研削方法を示す説明図、図７
は図６のウエハ研削方法により研削されたシリコンウエ
ハの研削部を示す断面図である。
あるウエハ研削装置を示す部分断面図、図６は図５のウ
エハ研削装置によるウエハ研削方法を示す説明図、図７
は図６のウエハ研削方法により研削されたシリコンウエ
ハの研削部を示す断面図である。
【００３０】図５に示すように、本実施例のウエハ研削
装置においては、第１研削溝７に付着したダイヤモンド
砥粒９の粒径を第２研削溝８に付着したそれの粒径より
も大きくしたものである。
装置においては、第１研削溝７に付着したダイヤモンド
砥粒９の粒径を第２研削溝８に付着したそれの粒径より
も大きくしたものである。
【００３１】つまり、第１研削溝７で研削した際に発生
した深い歪を第２研削溝８での研削において除去すると
いう各研削溝７，８の役割からすれば、第１研削溝７で
の研削は仕上げには至らない歪の発生をも許容したいわ
ば仮研削ととらえることができる。そして、仮研削であ
るならば、ここでは研削面の平坦度よりも研削スピード
を優先させ、その次の第２研削溝８で良好な平坦度を出
すような設定をすることが合理的である。そこで、本実
施例に示すように、第１研削溝７のダイヤモンド砥粒９
の粒径の方を大きくして速やかに仮研削を行い、その
後、より粒径の小さい第２研削溝８のダイヤモンド砥粒
９で仕上げ研削を行うようにしたものである。
した深い歪を第２研削溝８での研削において除去すると
いう各研削溝７，８の役割からすれば、第１研削溝７で
の研削は仕上げには至らない歪の発生をも許容したいわ
ば仮研削ととらえることができる。そして、仮研削であ
るならば、ここでは研削面の平坦度よりも研削スピード
を優先させ、その次の第２研削溝８で良好な平坦度を出
すような設定をすることが合理的である。そこで、本実
施例に示すように、第１研削溝７のダイヤモンド砥粒９
の粒径の方を大きくして速やかに仮研削を行い、その
後、より粒径の小さい第２研削溝８のダイヤモンド砥粒
９で仕上げ研削を行うようにしたものである。
【００３２】本実施例におけるノッチ研削加工は次のよ
うにして行われる。
うにして行われる。
【００３３】先ず、図６（ａ）に示すように、シリコン
ウエハ３を第１研削溝７で研削し、図７の符号Ａで示す
研削エリアを迅速に除去する。ここでは、ノッチを形成
するシリコンウエハ３の外縁部の研削量が不均一である
ことに加え、粒径の大きいダイヤモンド砥粒９で研削す
るために、実施例１の場合より広範囲にわたって深い歪
が入った状態になっている。
ウエハ３を第１研削溝７で研削し、図７の符号Ａで示す
研削エリアを迅速に除去する。ここでは、ノッチを形成
するシリコンウエハ３の外縁部の研削量が不均一である
ことに加え、粒径の大きいダイヤモンド砥粒９で研削す
るために、実施例１の場合より広範囲にわたって深い歪
が入った状態になっている。
【００３４】次に、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示す
ように、シリコンウエハ３の外縁部を第２研削溝８に、
外周部を段部１０にそれぞれ押し当てて所定の深さにわ
たってさらに研削し、図７の符号Ｂ1 ，Ｂ2 で示す研削
エリアを順次除去する。このように、第１研削溝７と第
２研削溝８との間の段部１０によってシリコンウエハ３
の外縁部のみならず外周部も同時に研削を行うのは、本
実施例では第１研削溝７には粒径の大きいダイヤモンド
砥粒９を付着しており、このために研削負荷の軽い外周
部にも深い歪が発生していることが想定されるからであ
る。なお、第１研削溝７のダイヤモンド砥粒９の粒径如
何では、シリコンウエハ３の外周部の歪は無視できるレ
ベルに抑えることができることも考えられ、このような
ときには、外周部をさらに研削する必要はない。また、
実施例１のように、ダイヤモンド砥粒９の粒径を第１お
よび第２研削溝７，８間で異ならせていない場合であっ
ても段部１０により外周部をさらに研削するようにして
もよい。
ように、シリコンウエハ３の外縁部を第２研削溝８に、
外周部を段部１０にそれぞれ押し当てて所定の深さにわ
たってさらに研削し、図７の符号Ｂ1 ，Ｂ2 で示す研削
エリアを順次除去する。このように、第１研削溝７と第
２研削溝８との間の段部１０によってシリコンウエハ３
の外縁部のみならず外周部も同時に研削を行うのは、本
実施例では第１研削溝７には粒径の大きいダイヤモンド
砥粒９を付着しており、このために研削負荷の軽い外周
部にも深い歪が発生していることが想定されるからであ
る。なお、第１研削溝７のダイヤモンド砥粒９の粒径如
何では、シリコンウエハ３の外周部の歪は無視できるレ
ベルに抑えることができることも考えられ、このような
ときには、外周部をさらに研削する必要はない。また、
実施例１のように、ダイヤモンド砥粒９の粒径を第１お
よび第２研削溝７，８間で異ならせていない場合であっ
ても段部１０により外周部をさらに研削するようにして
もよい。
【００３５】このような第２研削溝８および段部１０に
よる研削で第１研削溝７での研削で発生した歪が除去さ
れ、また、粒径の小さいダイヤモンド砥粒９で良好な面
平滑度が得られる。なお、その後は、実施例１の場合と
同様にエッチング処理を行ってノッチ研削加工が終了す
る。
よる研削で第１研削溝７での研削で発生した歪が除去さ
れ、また、粒径の小さいダイヤモンド砥粒９で良好な面
平滑度が得られる。なお、その後は、実施例１の場合と
同様にエッチング処理を行ってノッチ研削加工が終了す
る。
【００３６】このように、本実施例によるウエハ研削装
置によれば、第１研削溝７に付着されたダイヤモンド砥
粒９の粒径を第２研削溝８に付着されたそれの粒径より
も大きくしているので、第１研削溝７においては研削が
速やかに行われ、仕上げの第２研削溝８においては良好
な平滑面を得ることができる。
置によれば、第１研削溝７に付着されたダイヤモンド砥
粒９の粒径を第２研削溝８に付着されたそれの粒径より
も大きくしているので、第１研削溝７においては研削が
速やかに行われ、仕上げの第２研削溝８においては良好
な平滑面を得ることができる。
【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３８】たとえば、本実施例においては、被研削部
材の半導体ウエハとしては単結晶シリコンからなるシリ
コンウエハ３が用いられているが、たとえばＧａＡｓな
どのような化合物半導体からなる半導体ウエハを適用す
ることも可能である。
材の半導体ウエハとしては単結晶シリコンからなるシリ
コンウエハ３が用いられているが、たとえばＧａＡｓな
どのような化合物半導体からなる半導体ウエハを適用す
ることも可能である。
【００３９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００４０】(1).すなわち、本発明のウエハ研削技術に
よれば、半導体ウエハを第１研削溝でノッチ形状に研削
し、第２研削溝で外縁部あるいは外縁部と外周部とを所
定の深さにわたってさらに研削するようにしているの
で、最終的に研削負荷が均一になり半導体ウエハからほ
とんどの歪が除去される。
よれば、半導体ウエハを第１研削溝でノッチ形状に研削
し、第２研削溝で外縁部あるいは外縁部と外周部とを所
定の深さにわたってさらに研削するようにしているの
で、最終的に研削負荷が均一になり半導体ウエハからほ
とんどの歪が除去される。
【００４１】(2).これにより、エッチング処理で仕上げ
を行った際にも深いピットが形成されることなく良好な
面平滑度を得ることが可能になる。
を行った際にも深いピットが形成されることなく良好な
面平滑度を得ることが可能になる。
【００４２】(3).したがって、半導体ウエハの周辺部の
面荒れがなくなるので、半導体ウエハが治工具を削り取
ることによる異物発塵が阻止され、浮遊するパーティク
ルによるパターン形成面の汚染に起因するデバイスの歩
留まり悪化を未然に防止することができる。
面荒れがなくなるので、半導体ウエハが治工具を削り取
ることによる異物発塵が阻止され、浮遊するパーティク
ルによるパターン形成面の汚染に起因するデバイスの歩
留まり悪化を未然に防止することができる。
【００４３】(4).また、第１研削溝に付着された研削砥
粒の粒径を第２研削溝に付着された研削砥粒の粒径より
も大きくすれば、第１の研削溝での研削を迅速に行うこ
とができる。
粒の粒径を第２研削溝に付着された研削砥粒の粒径より
も大きくすれば、第１の研削溝での研削を迅速に行うこ
とができる。
【図１】本発明の実施例１によるウエハ研削装置を示す
概略図である。
概略図である。
【図２】図１のII−II線に沿う部分断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ），（ｃ）は図１のウエハ研削装
置による半導体ウエハのウエハ研削方法を連続して示す
断面図である。
置による半導体ウエハのウエハ研削方法を連続して示す
断面図である。
【図４】図３のウエハ研削方法により研削されたシリコ
ンウエハの研削部を示す断面図である。
ンウエハの研削部を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例２によるウエハ研削装置を示す
部分断面図である。
部分断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ），（ｃ）は図５のウエハ研削装
置による半導体ウエハのウエハ研削方法を連続して示す
断面図である。
置による半導体ウエハのウエハ研削方法を連続して示す
断面図である。
【図７】図６のウエハ研削方法により研削されたシリコ
ンウエハの研削部を示す断面図である。
ンウエハの研削部を示す断面図である。
【図８】従来のウエハ研削方法により研削されたシリコ
ンウエハの研削部を示す断面図である。
ンウエハの研削部を示す断面図である。
１ モータ ２ ディスク ３ シリコンウエハ（半導体ウエハ） ４ 研削溝 ５ 吸着パッド ６ モータ ７ 第１研削溝 ７ａ 周面研削部 ７ｂ 外縁研削部 ８ 第２研削溝 ９ ダイヤモンド砥粒（研削砥粒） １０ 段部 Ａ 研削エリア Ｂ1 研削エリア Ｂ2 研削エリア ｃ 中央部 ｓ 周辺部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々邊 博 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 回転するディスクの外周に付着された研
削砥粒で半導体ウエハのノッチ研削加工を行うウエハ研
削装置であって、 前記ディスクの周方向に沿って形成された周面研削部お
よびこの周面研削部の両側にテーパ状に広がって形成さ
れた外縁研削部からなり、前記半導体ウエハの外周面と
両面外縁部とを同時研削してノッチ形状を形成する第１
研削溝と、 前記第１研削溝の両側において段部を介してテーパ状に
広がって形成された第２研削溝とを有することを特徴と
するウエハ研削装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のウエハ研削装置におい
て、前記第１研削溝に付着された研削砥粒の粒径は前記
第２研削溝に付着された研削砥粒の粒径よりも大きくさ
れていることを特徴とするウエハ研削装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のウエハ研削装置
を用いて半導体ウエハのノッチ研削加工を行うウエハ研
削方法であって、 前記周面研削部に前記半導体ウエハの外周面を、前記外
縁研削部に前記半導体ウエハの両面外縁部をそれぞれ押
し当てて前記第１研削溝で前記半導体ウエハの外周面と
両面外縁部とを同時研削し、 研削されたそれぞれの外縁部をこれに対応する前記第２
研削溝に交互に押し当てて両面外縁部を所定の深さにわ
たってさらに研削することを特徴とするウエハ研削方
法。 - 【請求項４】 請求項１または２記載のウエハ研削装置
を用いて半導体ウエハのノッチ研削加工を行うウエハ研
削方法であって、 前記周面研削部に前記半導体ウエハの外周面を、前記外
縁研削部に前記半導体ウエハの両面外縁部をそれぞれ押
し当てて前記第１研削溝で前記半導体ウエハの外周面と
両面外縁部とを同時研削し、 研削されたそれぞれの外縁部をこれに対応する前記第２
研削溝に交互に押し当てると同時に、研削された外周面
を前記段部に押し当てて両面外縁部および外周面を所定
の深さにわたってさらに研削することを特徴とするウエ
ハ研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914595A JPH097978A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | ウエハ研削装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914595A JPH097978A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | ウエハ研削装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097978A true JPH097978A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15468760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14914595A Pending JPH097978A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | ウエハ研削装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309496B1 (en) * | 1999-03-04 | 2001-10-30 | Wea Manfacturing Inc. | Method and apparatus for making dual layer DVD discs |
| JP2012101327A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ウェーハの面取り方法 |
| JPWO2013027243A1 (ja) * | 2011-08-24 | 2015-03-05 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | ベベリング砥石 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP14914595A patent/JPH097978A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309496B1 (en) * | 1999-03-04 | 2001-10-30 | Wea Manfacturing Inc. | Method and apparatus for making dual layer DVD discs |
| JP2012101327A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ウェーハの面取り方法 |
| JPWO2013027243A1 (ja) * | 2011-08-24 | 2015-03-05 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | ベベリング砥石 |
| US9102038B2 (en) | 2011-08-24 | 2015-08-11 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Beveling grindstone |
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