JPH097981A - 半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハ表面への汚染が少なく、さらに
汚染が生じたとしても水との簡単な接触により容易に浄
化できる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを提供す
る。 【構成】 基材フィルムの片表面に、（ａ）架橋剤と反
応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー、（ｂ）粘着剤
ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を１分子中に２つ
以上有する架橋剤、及び、（ｃ）アニオン性界面活性剤
を前記（ａ）と（ｂ）の和１００重量部に対して０．０
５〜５重量部を含む粘着剤層が設けられていることを特
徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの裏面研
削用粘着フィルムに関する。詳しくは、シリコンウエハ
等の半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以
下、ウエハ表面という）に粘着フィルムを貼付して該ウ
エハの他の面（以下、ウエハ裏面という）を研削加工す
る際に破損防止のために用いられる半導体ウエハ裏面研
削用粘着フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路は高純度シリコン
単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注入、
エッチング等により集積回路を組み込み、更にウエハの
裏面をグライディング、ポリッシング、ラッピング等に
より研削し、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度ま
で薄くしてから、ダイシングしてチップ化する方法で製
造されている。これらの工程の中で、ウエハ裏面の研削
時に半導体ウエハの破損を防止したり、研削加工を容易
にするため、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをそ
の粘着剤層を介してウエハ表面に貼付して保護する方法
が用いられている。

【０００３】具体的には、先ず、半導体ウエハ裏面研削
用粘着フィルムをウエハ表面に貼付してウエハ裏面を研
削する。研削が完了した後、該フィルムを剥離し、ウエ
ハ表面を洗浄する工程（以下、洗浄工程という）におい
て該ウエハ表面に残存する粘着剤層に起因する汚染物を
除去する。次いで、ダイシング工程等の次工程に移行す
る。洗浄工程では有機溶剤を用いて行われていたため、
作業環境が悪くなる問題や、生産コストが高くなる問題
が生じていた。

【０００４】これらの問題を解決する方法として、例え
ば、特開昭６２−１０１６７８号公報には、回路パター
ンが形成された半導体ウエハの裏面を研磨する際にその
回路パターンの形成面側に貼着される感圧性接着剤層
と、これを支持する基材とで構成された感圧接着フィル
ムからなり、前記感圧性接着剤層がポリオレフィングリ
コール系界面活性剤を含有することを特徴とする半導体
ウエハの保護部材が開示されている。そして、そのポリ
オレフィングリコール系界面活性剤の配合量が、感圧性
接着剤１００重量部に対し０．１〜１０重量部であるこ
とが記載されており、これにより半導体ウエハの感圧性
接着剤層成分による汚染を水を用いた洗浄で容易に除去
することが可能であるとされている。

【０００５】また、特開昭６３−２９６２２２号公報に
は、基材の一面上に、（ｉ）少なくともカルボキシル基
の一部が部分中和されたカルボキシル基含有親水性重合
体の部分架橋物と、（ii）アニオン性界面活性剤および
カチオン性界面活性剤からなる群から選択される少なく
とも１種の室温で液状の界面活性剤とを含む粘着剤層が
設けられてなるウエハ研磨用保護シートが開示されてい
る。該発明には、その界面活性剤の使用量がいかなる量
であるかについては明確に記載されておらず、通常、カ
ルボキシル基含有親水性重合体１００重量部に対して、
１０〜５００重量部、好ましくは２０〜１５０重量部の
量で用いられる、と記載されるに留まっている。該発明
の好ましい態様として、その実施例には、乳化重合によ
りアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマーを製造
した後、該ポリマー（ドライベース）１００重量部に対
しアニオン系界面活性剤を約３４〜５１重量部もの極め
て多量を後添加して粘着剤塗布液を調製する方法が記載
されている。

【０００６】上記発明は、半導体ウエハ表面の粘着剤層
に起因する汚染を除去するために有機溶剤を使用しなく
ともよい点、及び水洗により容易に除去することができ
る点で効果的である。しかし、いすれも半導体ウエハ表
面に粘着剤層に起因する汚染が生じることを前提とし、
その汚染を半導体ウエハ裏面の研削の後、水洗により除
去しようとするものである。従って、上記発明は半導体
ウエハ裏面研削の後、ダイシング工程に移行する前に洗
浄工程（以下、水洗工程という）をおかざるを得ず、工
程の簡略化を図り得る方法ではない。近年、半導体チッ
プの量産化、小型軽量化に伴い、半導体集積回路は高密
度化してきており、ウエハ裏面研削用粘着フィルムには
従来に増してより低汚染性が求められるようになってい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題に鑑み、半導体ウエハ表面への汚染が少なく、さら
に汚染が生じたとしても水との簡単な接触により容易に
浄化できる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを提供
することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、架橋剤により架橋した粘着剤ポリマー及び特定
量のアニオン性界面活性剤を含む粘着剤層を持つ半導体
ウエハ裏面研削用粘着フィルムが上記目的を達成し得る
ものであることを見出し、本発明に到った。

【０００９】すなわち、本発明は、基材フィルムの片表
面に、（ａ）架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤
ポリマー、（ｂ）粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る
官能基を１分子中に２つ以上有する架橋剤、及び、
（ｃ）アニオン性界面活性剤を前記（ａ）と（ｂ）の和
１００重量部に対して０．０５〜５重量部を含む粘着剤
層が設けられていることを特徴とする半導体ウエハ裏面
研削用粘着フィルムである。

【００１０】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムを半導体ウエハの表面に貼付して、その裏面を研削
すると、該フィルムの粘着剤層に起因する半導体ウエハ
の表面の汚染が極めて少ない。そして、微量の汚染が生
じても水と接触させるだけで容易に除去することができ
る。従って、粘着剤層に起因する汚染を除去するため
に、水洗工程を設けなくとも、ダイシング工程において
通常用いられる冷却用水または洗浄用水と接触させる程
度でウエハ表面の浄化が図れるという従来なし得なかっ
た効果を奏するものである。

【００１１】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明は、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成され、
さらに必要に応じて、その粘着剤層の表面に剥離フィル
ムが配設された半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムで
ある。本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム
は、基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に、粘着
剤ポリマー、架橋剤、アニオン性界面活性剤、その他必
要に応じて他の添加剤を含む溶液またはエマルジョン液
（以下、これらを総称して粘着剤塗布液という）を塗
布、乾燥して粘着剤層を形成することにより製造され
る。

【００１２】基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成す
る場合は、環境に起因する汚染等から保護するために粘
着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好まし
い。また、剥離フィルムの片表面に粘着剤層を形成する
場合は、粘着剤層を基材フィルムへ転写する方法がとら
れる。基材フィルム及び剥離フィルムのいずれの片表面
に粘着剤塗布液を塗布するかは、基材フィルム及び剥離
フィルムの耐熱性、半導体ウエハ表面の汚染性を考慮し
て決める。例えば、剥離フィルムの耐熱性が基材フィル
ムのそれより優れている場合は、剥離フィルムの表面に
粘着剤層を設けた後、基材フィルムへ転写する。耐熱性
が同等または基材フィルムが優れている場合は、基材フ
ィルムの表面に粘着剤層を設け、その表面に剥離フィル
ムを貼付する。

【００１３】しかし、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤
層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼付されることを
考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を
図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、
その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形
成する方法が好ましい。

【００１４】本発明で用いる基材フィルムとして、合成
樹脂、天然ゴム、合成ゴム等から製造されたフィルムが
挙げられる。具体的に例示するならば、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、ポ
リブタジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン、
ポリエステル、ポリアミド、アイオノマー等の樹脂、お
よびそれらの共重合体エラストマー、およびジエン系、
ニトリル系、シリコーン系、アクリル系等の合成ゴム等
のフィルムが挙げられる。基材フィルムは単層体であっ
ても、また、積層体であってもよい。

【００１５】また、基材フィルムの厚みは、ウエハ裏面
の研削中の半導体ウエハの破損防止、粘着剤塗布液の塗
布性、半導体ウエハ表面への貼付作業性および剥離作業
性等に影響する。かかる観点から、基材フィルムの厚み
は、通常、１０〜２０００μｍである。好ましくは１０
０〜３００μｍである。基材フィルムの厚み精度は、半
導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの厚み精度に影響を
与え、ひいては研削後の半導体ウエハの厚み精度に影響
を与える。従って、基材フィルムは上記厚みに±５μｍ
以内の精度で作成されたものが好ましい。さらに好まし
くは±３μｍ以内である。

【００１６】裏面研削中の半導体ウエハの破損防止を考
慮すると、基材フィルムの硬度はＡＳＴＭ−Ｄ−２２４
０に規定されるショアーＤ型硬度が４０以下である弾性
フィルム、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィ
ルム、ポリブタジエンフィルム等が好ましく用いられ
る。この場合、基材フィルムの粘着剤層が設けられる面
の反対側の面に、これより硬いフィルム、具体的にはシ
ョアーＤ型硬度が４０を超えるフィルムを積層すること
が好ましい。そのことにより、半導体ウエハ裏面研削用
粘着フィルムの剛性が増し、貼付作業性及び剥離作業性
が改善される。

【００１７】また、半導体ウエハの裏面を研削した後に
施される酸によるエッチング処理の際にも引続き、半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いて半導体ウエハ
の表面を保護する場合には、耐酸性に優れた基材フィル
ムを使用することが好ましい。耐酸性フィルムを基材フ
ィルムの粘着剤層と反対側に積層してもよい。耐酸性の
フィルムしては例えばポリプロピレンフィルム等が挙げ
られる。

【００１８】基材フィルムと粘着剤層との接着力を向上
させるため、基材フィルムの粘着剤層を設ける面にはコ
ロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。
また、基材フィルムと粘着剤層の間に下塗り剤を用いて
もよい。

【００１９】本発明に使用する剥離フィルムとして、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹
脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリ
コーン処理等が施されたものが好ましい。剥離フィルム
の厚みは、通常１０〜２０００μｍである。好ましくは
３０〜１００μｍである。

【００２０】本発明で用いられる粘着剤塗布液は、その
基本成分である粘着剤ポリマー、凝集力を上げたり粘着
力を調整するための架橋性官能基を１分子中に２個以上
有する架橋剤及びアニオン性界面活性剤を含む溶液また
はエマルジョン液である。粘着特性を調整するためにロ
ジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤーを適宜添
加してもよい。また、粘着剤ポリマーがエマルジョン液
である場合はジエチレングリコールモノアルキルエーテ
ル等の造膜助剤を添加してもよい。

【００２１】本発明に用いる粘着剤ポリマーとして、架
橋剤と架橋反応し得る官能基を有する天然ゴム系、各種
合成ゴム系等が挙げられる。これらの内、粘着物性の制
御、再現性等を考慮すると（メタ）アクリル酸アルキル
エステル系ポリマーが好ましく、これを含む主剤は溶剤
系、エマルジョン系の何れでもよい。粘着剤ポリマーが
（メタ）アクリル酸アルキルエステル系ポリマーである
場合、ポリマーを構成する主モノマーとして、（メタ）
アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メ
タ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチル
ヘキシル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル等が
挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、また、
２種以上を混合して使用してもよい。

【００２２】上記主モノマーと共重合させる架橋剤と反
応し得る官能基を持ったコモノマーとして、（メタ）ア
クリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フ
マル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステ
ル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モ
ノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、
マレイン酸モノアルキルエステル、（メタ）アクリル酸
２ーヒドロキシエチル、（メタ）アクリルアミド、ター
シャル−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が
挙げられる。これらの一種を上記主モノマーと共重合さ
せてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。上
記の架橋剤と反応しうる官能基を持ったコモノマーの使
用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量
１００重量部中に、通常、１〜３０重量部の範囲で含ま
れていることが好ましい。

【００２３】さらに必要に応じて（メタ）アクリル酸グ
リシジル、イソシアネートエチル（メタ）アクリレー
ト、２−（１−アジリジニル）エチル（メタ）アクリレ
ート等の自己架橋性の官能基を持ったモノマーや、酢酸
ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結
合を持ったモノマーを共重合してもよく、さらにはジビ
ニルベンゼン、（メタ）アクリル酸ビニル、（メタ）ア
クリル酸アリル等の多官能性のモノマーを共重合しても
よい。

【００２４】粘着剤ポリマーを重合する方法としては、
溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、等既知の様々な
方法が採用できるが、得られる粘着剤ポリマーの分子量
およびそれにともなう粘着剤の凝集力への影響を考慮す
る必要がある。これらの重合方法の内、高分子量のポリ
マーが得られること、塗布、乾燥工程における環境汚
染、塗布性等を勘案すると乳化重合法が好ましい。

【００２５】粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、
ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げら
れるが、粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響
および半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を等慮す
ればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラ
ジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始
剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオ
キサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイル
パーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイ
ド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過
酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸
ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソ
ブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチ
ロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。

【００２６】乳化重合法により重合する場合には、これ
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物，同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム，４，４’
−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内
にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに好まし
い。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッ
ド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が特
に好ましい。

【００２７】本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中
に２個以上有する架橋剤は、粘着剤ポリマーが有する官
能基と反応させ、粘着力および凝集力を調整するために
用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジル
エーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、
ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリ
セロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン
のトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネ
ート等のイソシアネート系化合物、

【００２８】トリメチロールプロパン−トリ−β−アジ
リジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−ト
リ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボ
キシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビ
ス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ト
ルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミ
ド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチ
ルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合
物、及びヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミ
ン系化合物等が挙げられる。

【００２９】これらは単独で使用してもよいし、２種以
上を併用してもよい。上記架橋剤の中で、エポキシ系架
橋剤は架橋反応の速度が遅く、反応が十分に進行しない
場合には粘着剤層の凝集力が低くなり、半導体ウエハ表
面の凹凸によっては粘着剤層に起因する汚染が生じるこ
とがある。したがって、適宜、アミン等の触媒を添加す
るか、もしくは触媒作用のあるアミン系官能基をもつモ
ノマーを粘着剤ポリマーに共重合するか、架橋剤を使用
する際にアミンとしての性質を有するアジリジン系架橋
剤を併用することが好ましい。

【００３０】架橋剤の添加量は、通常、架橋剤中の官能
基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない
程度の範囲で添加する。しかし、架橋反応で新たに官能
基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合など、必要に応
じて過剰に添加してもよい。通常、ウエハ裏面研削用粘
着フィルムの粘着力は、ＳＵＳ−ＢＡ板に対する粘着力
に換算すると１０〜１０００ｇ／ｉｎｃｈ、好ましくは
３０〜６００ｇ／ｉｎｃｈ程度である。ウエハ裏面の研
削条件、ウエハの口径、研削後のウエハの厚み等を勘案
して上記範囲に調整する。目安としては、粘着剤ポリマ
ー１００重量部に対し架橋剤０．１〜３０重量部を添加
して調整する。好ましくは０．３〜１５重量部である。

【００３１】半導体ウエハ裏面研作用粘着フィルムの粘
着剤層に界面活性剤を含有させる場合、半導体ウエハ表
面に形成された回路が腐食したり、誤動作したりする等
の回路への悪影響を考慮すれば、ノニオン性界面活性剤
を用いた方が好ましい。しかし、アニオン性界面活性剤
を用いても、本発明の含有量であれば半導体ウエハへの
初期汚染が極めて少くなり、その結果、腐食や誤動作は
起こらない。むしろ、アニオン性界面活性剤の方が水洗
性が優れていたり、ノニオン性界面活性剤より粘着剤層
の表面に偏析しにくいことを考慮して、本発明ではアニ
オン性界面活性剤を用いる。ただし、ナトリウムイオン
やカリウムイオン等の金属イオンは、微量でも半導体回
路の電気特性に悪影響を与える可能性があるため、より
好ましくはアンモニウム塩の形態にあるアニオン性界面
活性剤を用いる。

【００３２】アニオン性界面活性剤の添加量は、粘着剤
ポリマーと架橋剤の合計重量、すなわち、架橋した粘着
剤ポリマー１００重量部に対して０．０５〜５重量部が
好ましい。より好ましくは０．０５〜３重量部、さらに
好ましくは０．０５〜１重量部である。粘着剤の汚染
性、水洗性に悪影響を与えない程度であれば、適宜ノニ
オン性界面活性剤を併用してもよい。その際の使用量
は、通常、アニオン性界面活性剤の含有量より少ない方
が好ましく、アニオン性界面活性剤との総和が、アニオ
ン性界面活性剤を単独で用いた場合の含有範囲を超えな
い程度が好ましい。

【００３３】アニオン性界面活性剤の具体例としては、
高級アルコール硫酸エステルおよびその塩、アルキルジ
フェニルエーテル・ジスルフォネートおよびその塩、ビ
スナフタレンスルホネートおよびその塩、ジアルキルス
ルホコハク酸エステルおよびその塩、アルキルベンゼン
スルホン酸およびその塩、ポリオキシアルキルスルホコ
ハク酸エステルおよびその塩、エーテルスルホネート型
活性剤、エーテルサルフェート型活性剤、ポリオキシエ
チレン系に代表されるノニオン性界面活性剤の硫酸エス
テルや燐酸エステルおよびそれらの塩、等が挙げらる。
これらの内、ポリオキシエチレン系に代表されるノニオ
ン性界面活性剤の硫酸エステルおよびそれらの塩が好ま
しい。

【００３４】ポリオキシエチレン系に代表されるノニオ
ン性界面活性剤の硫酸エステルや燐酸エステルとして
は、疎水基として炭素数が５〜２５、好ましくは６〜２
０であるアルキル基、アルキルフェニル基が例示でき
る。エチレンオキサイドの付加モル数は３〜７０、好ま
しくは５〜３０であるものから適宜選択できる。エチレ
ンオキサイド単独でもよいし、エチレンオキサイドとプ
ロピレンオキサイド等のアルキレンオキサイドとの共付
加重合でもよい。

【００３５】具体例としては、ポリオキシエチレンアル
キルエーテルの硫酸エステルおよびその塩、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテルの燐酸エステルおよびその
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルの硫
酸エステルおよびその塩、ポリオキシエチレンアルキル
フェニルエーテルの燐酸エステルおよびその塩、ポリオ
キシエチレンフェニルエーテルの硫酸エステルおよびそ
の塩、ポリオキシエチレンフェニルエーテルの燐酸エス
テルおよびその塩、等が挙げられる。上記例示したアニ
オン性界面活性剤は単独で使用してもよいし、２種以上
を併用してもよい。

【００３６】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えばロールコーター法、グラビアロール法、
バーコート法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥
条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００
℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥することが
好ましい。さらに好ましくは８０〜１７０℃において１
５秒〜５分間乾燥する。

【００３７】粘着剤層の厚みは、半導体ウエハの表面状
態、形状、裏面の研削方法等により適宣決められるが、
半導体ウエハの裏面を研削している時の粘着力、研削が
完了した後の剥離性等を勘案すると、通常２〜１００μ
ｍ程度である。好ましくは５〜７０μｍである。架橋剤
と粘着剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させるため
に、被粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜
３００時間程度加熱しても良い。

【００３８】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ
表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィル
ム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗
布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格
２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン
度に維持されていることが好ましい。

【００３９】半導体ウエハの表面は、光学顕微鏡で観察
できる程度の大きさの異物が付着していてはならいこと
は無論であるが、近年さらに高性能のものが要求され光
学顕微鏡では観察し難い、例えば、０．１〜０．２μｍ
程度の異物付着による汚染さえ好ましくないとされてい
る。そのため、例えば、レーザー式検査装置を用いて微
細な異物の有無を評価したり、ＥＳＣＡを用いてウエハ
表面に付着した元素を定量的に評価する必要がある。し
かし、表面に集積回路が組み込まれた半導体ウエハは表
面に凹凸があり、レーザー式検査装置を用いてその表面
に付着した異物を検査することが困難である。また、集
積回路にはシリコンのみならずアルミニウム等多くの種
類の元素が含まれているため、ＥＳＣＡを用いてウエハ
表面に付着した元素を定量的に評価するのも困難であ
る。

【００４０】従って、本発明では、表面に集積回路が組
み込まれた半導体ウエハに対する汚染性は光学顕微鏡に
よる観察のみとし、レーザー式検査装置やＥＳＣＡを用
いた微量の汚染物の評価は表面に集積回路が組み込まれ
ていないシリコンミラーウエハに対する汚染性で代替し
た。

【００４１】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムは、上記方法により製造されるが、その使用方法
は、先ず、剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出
させ、その粘着剤層を介して、集積回路が組み込まれた
側の半導体ウエハの表面に貼付する。次いで、研削機の
チャックテーブル等に半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムの基材フィルム層を介して半導体ウエハを固定し、
その裏面を研削する。研削が完了した後、半導体ウエハ
裏面研削用粘着フィルムは剥離される。

【００４２】通常、裏面の研削が完了した半導体ウエハ
は、洗浄工程においてその表面が洗浄された後、ダイシ
ング工程等を経て半導体チップとされる。裏面の研削が
完了した後、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを剥
離する前にケミカルエッチング工程を経ることもある。
しかし、本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム
を用いてウエハ裏面を研削した場合、研削した後に、半
導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを剥離しても半導体
ウエハ表面には粘着剤層に起因する汚染が殆ど残らない
ため水洗工程を完全に省略するか、もしくは著しく簡略
化することができる。例えば、水洗工程を設けずに、通
常行われている、水をかけながら行うダイシング工程お
よびダイシング終了後のシリコン屑を取り除く為に行わ
れている洗浄工程（ダイシング装置によってはダイシン
グ工程中に含まれる）におけるウエハ表面の水洗だけで
充分である。

【００４３】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムが適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハ
のみならず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム
−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等のウエハが挙
げられる。

【００４４】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す実施例及び比較例は全て米
国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下
のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の
調製および塗布を実施した。本発明はこれら実施例に限
定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値
は下記の方法で測定した。

【００４５】（１）顕微鏡による観察 集積回路が組み込まれた半導体シリコンウエハ（径：４
インチ、表面の凹凸：約８μｍ）の表面に，試料を貼付
し、研削機〔（株）ディスコ製：バックグラインダーＤ
ＦＧ−８２１Ｆ／８〕を用いて，水をかけて冷却しなが
ら半導体シリコンウエハの裏面を研削する。研削終了
後、該フィルムを剥離し、ウエハ表面の集積回路を光学
顕微鏡（（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２）を用い
て５０〜１０００倍の範囲でウエハ表面全体及び回路の
微細部分まで観察し、汚染されているチップの数を計数
する。評価基準は次の通り。〇：汚染されたチップが観
察されない。△：汚染されたチップ数が全チップ数の１
／１０未満である。×：汚染されたチップ数が全チップ
数の１／１０以上存在する。

【００４６】（２）異物付着量（個／４インチウエハ） 試料をその粘着剤層を介して異物が付着していない４イ
ンチのシリコンミラーウエハの全表面に貼付した状態
で、温度２３±２℃、相対湿度５０±５％に調整された
雰囲気中に１時間放置した後、試料を剥離し、シリコン
ミラーウエハの表面に付着した０．１μｍ以上の異物の
数をレーザー表面検査装置（日立電子エンジニアリング
（株）製、形式：ＬＳ−６０００）を用いて計数する。

【００４７】（３）ＥＳＣＡによるウエハ表面汚染の測
定 ＜冷却水との接触なし＞試料をその粘着剤層を介して異
物が付着していない４インチのシリコンミラーウエハの
全表面に貼付した状態で、温度２３±２℃、相対湿度５
０±５％に調整された雰囲気中に１時間放置した後、試
料を剥離し、シリコンミラーウエハをダイアモンドカッ
ターで表面を汚染しないように１ｃｍ角に切断した。切
断したウエハの表面をＥＳＣＡ（ＶＧ社製：ＥＳＣＡ
ＬＡＢ ＭｋII）を用いて下記の条件で測定し、珪素に
対する炭素の比（以下、Ｃ／Ｓｉ比という）を求め、有
機物によるシリコンウエハの汚染状況を調べる。

【００４８】＜冷却水との接触あり＞試料をその粘着剤
層を介して異物が付着していない４インチのシリコンミ
ラーウエハの全表面に貼付した状態で、温度２３±２
℃、相対湿度５０±５％に調整された雰囲気中に１時間
放置した後、試料を剥離し、シリコンミラーウエハをフ
リーオートマチックダイシングソー（（株）ディスコ
製：形式ＤＦＤ−２Ｓ／８）を用いて水をかけながら１
ｃｍ角に切断した。切断したウエハの表面をＥＳＣＡ
（ＶＧ社製：ＥＳＣＡ ＬＡＢ ＭｋII）を用いて下記
の条件で測定し、Ｃ／Ｓｉ比）を求め有機物によるシリ
コンウエハの汚染状況を調べる。

【００４９】＜ＥＳＣＡ測定条件及びＣ／Ｓｉ比算出法
＞ Ｘ線源：Ｍｇ Ｋα線（１２５３．６ｅＶ）、Ｘ線出
力：３００Ｗ、測定真空度：２×１０−７Ｐａ以下、Ｃ
／Ｓｉ：（炭素のピーク面積）／（珪素のピーク面積）

【００５０】＜Ｃ／Ｓｉ比の評価方法＞試料を貼付する
前のシリコンミラーウエハ表面のＣ／Ｓｉ値は０．１０
（ブランク値）である。従って、試料を貼付した後のシ
リコンミラーウエハ表面のＣ／Ｓｉ値が０．１０〜０．
１２程度のものを汚染無し、それを超えるものを汚染有
りと判定する。

【００５１】（４）粘着力（ｇ／ｉｎｃｈ） 試料をその粘着剤層を介して、５×２０ｃｍのＳＵＳ−
ＢＡ板の表面に貼付し、２３℃において１時間放置す
る。試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度
３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ−ＢＡ板の表面から試料
を剥離する際の応力を測定し、ｇ／ｉｎｃｈに換算す
る。

【００５２】実施例１ 重合反応機に脱イオン水１４８重量部、アニオン性界面
活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ルサルフェートのアンモニウム塩（日本乳化剤（株）
製、商品名：Ｎｅｗｃｏｌ−５６０ＳＦ、５０％水溶
液）２重量部（界面活性剤単体として１重量部）、重合
開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド（大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ）
０．５重量部、アクリル酸ブチル７４重量部、メタクリ
ル酸メチル１４重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシ
エチル９重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミ
ド１重量部を添加し、撹拌下で７０℃において９時間乳
化重合を実施し、アクリル樹脂系水エマルジョンを得
た。これを１４％アンモニア水で中和し、固形分約４０
重量％の粘着剤ポリマー（主剤）エマルジョンを得た。
得られた粘着剤主剤エマルジョン１００重量部（粘着剤
ポリマー濃度約４０重量％）を採取し、さらに１４％ア
ンモニア水を加えてｐＨ９．３に調整した。次いで、ア
ジリジン系架橋剤（日本触媒化学工業（株）製、ケミタ
イトＰＺ−３３）２重量部、および増膜助剤としてジエ
チレングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加し
て粘着剤塗布液を得た。

【００５３】この粘着剤塗布液をロールコーターを用い
てポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０
μｍ）に塗布し、１２０℃で１分間乾燥し厚さ１５μｍ
の粘着剤層を設けた。次いで、コロナ放電処理を施した
厚さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィル
ム（ショアーＤ型硬度：３８）の該処理面を貼り合わせ
押圧して、粘着剤層を転写させることにより半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた半導体
ウエハ裏面研削用粘着フィルムを６０℃において４８時
間加熱した後、室温まで冷却した。得られた半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムについて、半導体ウエハ表面
への汚染性および粘着力を上記の方法により評価した。
得られた結果を〔表１〕に示す。

【００５４】実施例２ 実施例１で得られた粘着剤主剤エマルジョン１００重量
部に対して、実施例１と同種のアニオン性界面活性剤を
１．５重量部（界面活性剤単体として０．７５重量部）
添加した以外はすべて実施例１と同様の方法で半導体ウ
エハ裏面研削用粘着フィルムを作製し、実施例１と同様
の方法で評価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００５５】実施例３ 実施例１で得られた粘着剤主剤１００重量部に対して、
実施例１と同種のアニオン性界面活性剤を３重量部（界
面活性剤単体として１．５重量部）添加した以外はすべ
て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着
フィルムを作製し、実施例１と同様の方法で評価した。
得られた結果を〔表１〕に示す。

【００５６】実施例４ 重合開始剤として、４，４’−アゾビス−４−シアノバ
レリックアシッド（大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶ
Ａ）の代わりに過硫酸アンモニウムを０．５重量部用
い、アニオン性界面活性剤の使用量を０．３重量部（界
面活性剤単体として０．１５重量部）とした以外は実施
例１と同様の方法で粘着剤主剤エマルジョンを得た。得
られた粘着剤主剤エマルジョンを用いて実施例１と同様
の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製
し、実施例１と同様の方法で評価した。得られた結果を
〔表１〕に示す。

【００５７】実施例５ トルエン７５重量部及び酢酸エチル７５重量部の混合溶
媒中、重合開始剤（日本油脂（株）製、ベンゾイルパー
オキサイド系ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０）０．７重量部の
存在下において、アクリル酸エチル４８重量部、アクリ
ル酸２−エチルヘキシル３５重量部、アクリル酸メチル
１５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル２重量
部を８０℃において１０時間重合し、粘着剤主剤溶液を
得た。得られた主剤溶液１００重量部（粘着剤ポリマー
濃度約４０重量％）に対して、アニオン性界面活性剤と
してポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルサルフ
ェートのアンモニウム塩（日本乳化剤（株）製、商品
名：Ｎｅｗｃｏｌ−５６０ＳＦの５０％水溶液から水分
を取り除いたもの）０．０２５重量部、トルエン２０重
量部、酢酸エチル２０重量部を加えて希釈し、イソシア
ネート系架橋剤（三井東圧化学（株）製、オレスターＰ
６０−ＳＸ、固形分６０％）０．８重量部を添加して粘
着剤塗布液を得た。

【００５８】この粘着剤塗布液をロールコーターを用い
てポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０
μｍ）に塗布し、１２０℃で１分間乾燥し厚さ１５μｍ
の粘着剤層を設けた。次いで、コロナ放電処理を施した
厚さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィル
ム（ショアーＤ型硬度：３８）の該処理面を貼り合わせ
押圧して、粘着剤層を転写させることにより半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた半導体
ウエハ裏面研削用粘着フィルムを６０℃において２４時
間加熱した後、室温まで冷却した。得られた半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムについて、半導体ウエハ表面
への汚染性および粘着力を上記の方法により評価した。
得られた結果を〔表１〕に示す。

【００５９】

【表１】

【００６０】比較例１ 実施例１で得られた粘着剤主剤１００重量部に対して、
実施例１と同種のアニオン性界面活性剤を６重量部（界
面活性剤単体として３重量部）添加した以外はすべて実
施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムを作製し、実施例１と同様の方法で評価した。得ら
れた結果を〔表２〕に示す。

【００６１】比較例２ 実施例１で得られた粘着剤主剤１００重量部に対して、
実施例１と同種のアニオン性界面活性剤を１２重量部
（界面活性剤単体として６重量部）添加した以外はすべ
て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着
フィルムを作製し、実施例１と同様の方法で評価した。
得られた結果を〔表２〕に示す。

【００６２】比較例３ 実施例５のアニオン性界面活性剤の使用量を０．０１５
重量部とした以外はすべて実施例５と同様の方法で半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製し、実施例１と
同様の方法で評価した。得られた結果を〔表２〕に示
す。

【００６３】比較例４ アニオン性界面活性剤のかわりにノニオン性界面活性剤
としてポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
（第一工業製薬（株）製、商品名：エマルジット２５、
６０％水溶液）を用い、使用量を８重量部（界面活性剤
単体として４．８重量部）とした以外はすべて実施例１
と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを
作製し、実施例１と同様の方法で評価した。得られた結
果を〔表２〕に示す。

【００６４】

【表２】

【００６５】実用試験 集積回路が組み込まれた半導体シリコンウエハ（径：４
インチ，凹凸：約８μｍ）の表面に，実施例１〜５で得
られた半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを１０貼付
し、研削機〔（株）ディスコ社製、バックグラインダー
ＤＦＧ−８２１Ｆ／８〕を用いて，水をかけて冷却しな
がら半導体シリコンウエハの裏面を研削した。その結
果、研削中にシリコンウエハの表面と研削用粘着フィル
ムとの間に水が侵入することがなく、また、研削応力に
よりシリコンウエハが破損することがなかった。研削完
了後、水洗工程で洗浄することなしに研削用粘着フィル
ム剥離し、フリーオートマチックダイシングソー
（（株）ディスコ製、形式ＤＦＤ−２Ｓ／８）を用いて
水をかけながらダイシングした。ダイシング終了後、得
られたチップの電気特性に異常が認められなかった。

【００６６】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムは、架橋剤により架橋した粘着剤ポリマーと特定
量のアニオン性界面活性剤を含む粘着剤層を持つことを
特徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムであ
る。そのため、半導体ウエハ表面への汚染が少なく、さ
らに微小な汚染が生じたとしても水との簡単な接触によ
り容易に除去することができる。従って、本発明の半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いて半導体ウエハ
裏面を研削した場合、研削後の洗浄方法を簡略化するこ
とができる。すなわち、通常行われている様な、ダイシ
ングを水（洗浄水や冷却水等）をかけながら行うこと、
または、ダイシング工程後のシリコン屑を取り除く為に
行われている洗浄工程（ダイシング装置によってはダイ
シング工程中に含まれる）により同時に汚染も取り除く
ことができる。そのため、煩雑な洗浄工程なしに高品質
の半導体ウエハの製造を可能とする優れた効果を発揮す
るものである。

【手続補正書】

【提出日】平成７年７月１８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６５】実用試験 集積回路が組み込まれた半導体シリコンウエハ（径：４
インチ、凹凸：約８μｍ）の表面に、実施例１〜５で得
られた半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを貼付し、
研削機〔（株）ディスコ社製、バックグラインダーＤＦ
Ｇ−８２１Ｆ／８〕を用いて、水をかけて冷却しながら
半導体シリコンウエハの裏面を研削した。その結果、研
削中にシリコンウエハの表面と研削用粘着フィルムとの
間に水が侵入することがなく、また、研削応力によりシ
リコンウエハが破損することがなかった。研削完了後、
研削用粘着フィルムを剥離し、水洗工程で洗浄すること
なしにフリーオートマチックダイシングソー（（株）デ
ィスコ製、形式ＤＦＤ−２Ｓ／８）を用いて水をかけな
がらダイシングした。ダイシング終了後、得られたチッ
プの電気特性に異常が認められなかった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山森 毬男 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 藤井 靖子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材フィルムの片表面に、（ａ）架橋剤
   と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー、（ｂ）粘
   着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を１分子中に
   ２つ以上有する架橋剤、及び、（ｃ）アニオン性界面活
   性剤を前記（ａ）と（ｂ）の和１００重量部に対して
   ０．０５〜５重量部を含む粘着剤層が設けられているこ
   とを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
2. 【請求項２】 架橋剤と反応し得る官能基を有するポリ
   マーが、乳化重合により製造された（メタ）アクリル酸
   アルキルエステル系コポリマーであることを特徴とする
   請求項１記載の半導体ウエハ裏面研作用粘着フィルム。
3. 【請求項３】 乳化重合が、分子内にカルボキシル基を
   有するアゾ化合物の存在下における反応であることを特
   徴とする請求項２記載の半導体ウエハ裏面研作用粘着フ
   ィルム。
4. 【請求項４】 分子内にカルボキシル基を有するアゾ化
   合物が、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックア
   シッドであることを特徴とする請求項３記載の半導体ウ
   エハ裏面研作用粘着フィルム。
5. 【請求項５】 架橋剤と反応し得る官能基が、水酸基、
   カルボキシル基およびアミノ基からなる群から選ばれた
   少なくとも１種の官能基であることを特徴とする請求項
   １記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
6. 【請求項６】 架橋剤が、エポキシ系、イソシアネート
   系、アジリジン系及びメラミン系なる群から選ばれた少
   なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項１
   記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
7. 【請求項７】 架橋剤が、イソシアネート系及びアジリ
   ジン系なる群から選ばれた少なくとも１種の化合物であ
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ裏面研
   削用粘着フィルム。
8. 【請求項８】 アニオン性界面活性剤が、ポリオキシエ
   チレン系ノニオン性界面活性剤の硫酸エステル及びその
   塩からなる群から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤
   であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ裏
   面研削用粘着フィルム。
9. 【請求項９】 アニオン性界面活性剤が、ポリオキシエ
   チレン系ノニオン性界面活性剤の硫酸エステルのアンモ
   ニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも１種の界面
   活性剤であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
   エハ裏面研削用粘着フィルム。
10. 【請求項１０】 アニオン性界面活性剤の含有量が０．
    ０５〜３重量部であることを特徴とする請求項１、８ま
    たは９のいずれかに記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着
    フィルム。
11. 【請求項１１】 アニオン性界面活性剤の含有量が０．
    ０５〜１重量部であることを特徴とする請求項１、８ま
    たは９のいずれかに記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着
    フィルム。