JPH0980273A - 光学装置 - Google Patents
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- JPH0980273A JPH0980273A JP7236407A JP23640795A JPH0980273A JP H0980273 A JPH0980273 A JP H0980273A JP 7236407 A JP7236407 A JP 7236407A JP 23640795 A JP23640795 A JP 23640795A JP H0980273 A JPH0980273 A JP H0980273A
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
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- G02B6/4231—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment with intermediate elements, e.g. rods and balls, between the elements
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】複数の光部品を共通支持部材で支持して相互に
位置合わせする光学装置において、各光部品の横位置と
高さを高精度に調節可能とし、半導体レーザチップの光
軸を基板から十分高くして、出射光が基板で遮光されな
いようにする。 【解決手段】チップ状の第１の光部品を共通基板１上に
載置し、球状の第２の光部品を、共通基板１の表面の断
面が逆ピラミッド状の光部品ガイド溝１１でガイドして
載置し、共通基板１上に、第２の光部品の第１の光部品
と反対側に光部品ガイド溝１１の近傍から光軸に沿って
ビーム通過溝１７を形成し、さらに共通基板１上に、ビ
ーム通過溝１７と直交し、かつ光部品ガイド溝１１とビ
ーム通過溝１７の両者にそれぞれ一部が重なるように帯
状の溝１８を形成して、共通基板１の面より低い位置
で、ビーム通過溝１７を通過する光ビームを遮らないよ
うにする。
位置合わせする光学装置において、各光部品の横位置と
高さを高精度に調節可能とし、半導体レーザチップの光
軸を基板から十分高くして、出射光が基板で遮光されな
いようにする。 【解決手段】チップ状の第１の光部品を共通基板１上に
載置し、球状の第２の光部品を、共通基板１の表面の断
面が逆ピラミッド状の光部品ガイド溝１１でガイドして
載置し、共通基板１上に、第２の光部品の第１の光部品
と反対側に光部品ガイド溝１１の近傍から光軸に沿って
ビーム通過溝１７を形成し、さらに共通基板１上に、ビ
ーム通過溝１７と直交し、かつ光部品ガイド溝１１とビ
ーム通過溝１７の両者にそれぞれ一部が重なるように帯
状の溝１８を形成して、共通基板１の面より低い位置
で、ビーム通過溝１７を通過する光ビームを遮らないよ
うにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置に関し、
特に、複数の光部品を共通支持部材で支持して、相互に
位置合わせを行なう光学装置に関するものである。
特に、複数の光部品を共通支持部材で支持して、相互に
位置合わせを行なう光学装置に関するものである。
【０００２】例えば、光通信装置の光源には、板状の支
持部材（以下、この「板状の支持部材」を「基板」とい
う）の表面に、半導体レーザと、半導体レーザの発生光
を光ファイバに結合するレンズと、光ファイバとを定接
し、光結合した光学装置が用いられる。
持部材（以下、この「板状の支持部材」を「基板」とい
う）の表面に、半導体レーザと、半導体レーザの発生光
を光ファイバに結合するレンズと、光ファイバとを定接
し、光結合した光学装置が用いられる。
【０００３】この場合、半導体レーザと、半導体レーザ
の発生光を光ファイバに結合するレンズと、光ファイバ
とは、光軸中心の基板表面に平行な方向の相対位置（以
下、この「基板表面に平行な方向の相対位置」を「横位
置」という）と、光軸中心と基準となる基板の基板表面
との垂直距離（以下、この「光軸中心と基準となる基板
の基板表面との垂直距離」を「光軸高さ」という）の両
方を、ミクロンオーダーで位置合わせする必要がある。
の発生光を光ファイバに結合するレンズと、光ファイバ
とは、光軸中心の基板表面に平行な方向の相対位置（以
下、この「基板表面に平行な方向の相対位置」を「横位
置」という）と、光軸中心と基準となる基板の基板表面
との垂直距離（以下、この「光軸中心と基準となる基板
の基板表面との垂直距離」を「光軸高さ」という）の両
方を、ミクロンオーダーで位置合わせする必要がある。
【０００４】しかしながら、半導体レーザの、基板と光
軸中心とが最も接近する部分の距離（以下、この「基板
と光軸中心とが最も接近する部分の距離」を「光軸−基
板間距離」という）と、レンズの光軸−基板間距離とは
大きく異なっている。
軸中心とが最も接近する部分の距離（以下、この「基板
と光軸中心とが最も接近する部分の距離」を「光軸−基
板間距離」という）と、レンズの光軸−基板間距離とは
大きく異なっている。
【０００５】このような、基板に定接したとき、光軸−
基板間距離が同一でない２つ以上の光部品の横位置と光
軸高さとを、精密に調整できる技術が要求されている。
基板間距離が同一でない２つ以上の光部品の横位置と光
軸高さとを、精密に調整できる技術が要求されている。
【０００６】
【従来の技術】半導体レーザと光ファイバとを基板上に
定接して、光結合する場合には、半導体レーザと光ファ
イバとの間にレンズを介在させることによって、高い結
合効率が得られる。
定接して、光結合する場合には、半導体レーザと光ファ
イバとの間にレンズを介在させることによって、高い結
合効率が得られる。
【０００７】この際、半導体レーザはサイズが小さく、
かつ光軸が低い位置にあるので、光軸−基板間距離が極
端に小さくなる。一方、レンズは光ビームを、一旦、比
較的大きなビーム径に変換して処理するので、光軸−基
板間距離を大きくする必要がある。具体的には、光軸−
基板間距離を、光ビームの最大半径より大きくしなけれ
ばならない。
かつ光軸が低い位置にあるので、光軸−基板間距離が極
端に小さくなる。一方、レンズは光ビームを、一旦、比
較的大きなビーム径に変換して処理するので、光軸−基
板間距離を大きくする必要がある。具体的には、光軸−
基板間距離を、光ビームの最大半径より大きくしなけれ
ばならない。
【０００８】このような、光軸−基板間距離の異なる光
部品を基板上に定接して、両光部品の横位置と光軸高さ
との両方を精密に調節するためには、従来、いくつかの
方法が知られている。
部品を基板上に定接して、両光部品の横位置と光軸高さ
との両方を精密に調節するためには、従来、いくつかの
方法が知られている。
【０００９】図４３は、第１の従来例を示したものであ
って、（ａ）は光学部品の全体を示す斜視図、（ｂ）は
基板上における半導体レーザチップとレンズとの配置を
示す説明図である。
って、（ａ）は光学部品の全体を示す斜視図、（ｂ）は
基板上における半導体レーザチップとレンズとの配置を
示す説明図である。
【００１０】この従来例においては、共通支持部材とし
てシリコンからなる基板１を用い、光部品ガイド溝１１
で球状のレンズ３をガイドして基板１上に定接し、精密
な位置合わせ手段を用いて、半導体レーザチップ２を定
接するものである。
てシリコンからなる基板１を用い、光部品ガイド溝１１
で球状のレンズ３をガイドして基板１上に定接し、精密
な位置合わせ手段を用いて、半導体レーザチップ２を定
接するものである。
【００１１】なお、図４３（ｂ）において、２６は半導
体レーザの出射光を示し、４は基板１に基づく、半導体
レーザの出射光に対する遮光部を示している。
体レーザの出射光を示し、４は基板１に基づく、半導体
レーザの出射光に対する遮光部を示している。
【００１２】図４４は、第２の従来例を示したものであ
って、板状のスペーサを用いて半導体レーザの光軸の高
さを調整する例を示し、（ａ）は光学部品の全体を示す
斜視図、（ｂ）は基板上における半導体レーザチップと
レンズとの配置を示す説明図である。
って、板状のスペーサを用いて半導体レーザの光軸の高
さを調整する例を示し、（ａ）は光学部品の全体を示す
斜視図、（ｂ）は基板上における半導体レーザチップと
レンズとの配置を示す説明図である。
【００１３】この従来例においては、図４３に示された
第１の従来例とほぼ同様の構成を有しているが、図４４
（ａ），（ｂ）に示すように、半導体レーザチップ２の
下部に、板状のスペーサ５を挿入して、基板１に対して
半導体レーザからの出射光の光軸を高くすることによっ
て、図４３に示された遮光部４を消滅させたことが示さ
れている。
第１の従来例とほぼ同様の構成を有しているが、図４４
（ａ），（ｂ）に示すように、半導体レーザチップ２の
下部に、板状のスペーサ５を挿入して、基板１に対して
半導体レーザからの出射光の光軸を高くすることによっ
て、図４３に示された遮光部４を消滅させたことが示さ
れている。
【００１４】図４５は、第３の従来例を示したものであ
って、光ビームが通過する部分に、レーザアブレーショ
ンによってビーム通過溝を形成する例を示している。
って、光ビームが通過する部分に、レーザアブレーショ
ンによってビーム通過溝を形成する例を示している。
【００１５】図４５において、６はレーザアブレーショ
ン用のレーザビーム、１６は基板１上の半導体レーザチ
ップ２を搭載すべき部分、１７はレーザアブレーション
によって形成されたビーム通過溝である。なお、レーザ
アブレーションは、レーザビームを物質に照射し、蒸発
させて除去することによって、所望の形状を形成する加
工方法である（１９９２年電子情報通信学会秋季大会、
講演論文集４−２３５所載）。
ン用のレーザビーム、１６は基板１上の半導体レーザチ
ップ２を搭載すべき部分、１７はレーザアブレーション
によって形成されたビーム通過溝である。なお、レーザ
アブレーションは、レーザビームを物質に照射し、蒸発
させて除去することによって、所望の形状を形成する加
工方法である（１９９２年電子情報通信学会秋季大会、
講演論文集４−２３５所載）。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】第１の従来例において
は、半導体レーザの定接手段に起因して、基板によって
光が遮られるという問題がある。以下、半導体レーザの
定接手段を具体的に示し、いずれの方法を用いた場合で
も、光軸−基板間距離が小さくなって、光が遮られるこ
とを説明する。
は、半導体レーザの定接手段に起因して、基板によって
光が遮られるという問題がある。以下、半導体レーザの
定接手段を具体的に示し、いずれの方法を用いた場合で
も、光軸−基板間距離が小さくなって、光が遮られるこ
とを説明する。
【００１７】半導体レーザの定接手段としては、以下、
図４６，図４７，図４８に示すような、各種の方法があ
る。まず、これらについて説明する。
図４６，図４７，図４８に示すような、各種の方法があ
る。まず、これらについて説明する。
【００１８】図４６は、半導体レーザチップを実装用基
板上に定接する方法(1) を説明するものであって、
（ａ）は半導体レーザチップ上の突起と、基板のガイド
溝とを用いる方法、（ｂ）は半導体レーザチップ上のマ
ーカーと、基板上のマーカーとを用いる方法を示す。
板上に定接する方法(1) を説明するものであって、
（ａ）は半導体レーザチップ上の突起と、基板のガイド
溝とを用いる方法、（ｂ）は半導体レーザチップ上のマ
ーカーと、基板上のマーカーとを用いる方法を示す。
【００１９】図４６（ａ）に示す方法では、半導体レー
ザチップ２の表面のパッド２１上に形成されたドーム状
の突起２２を、基板１に形成したガイド溝１２に嵌合さ
せることによって半導体レーザチップを定接するもので
ある（特願平７−１５９１４１号）。
ザチップ２の表面のパッド２１上に形成されたドーム状
の突起２２を、基板１に形成したガイド溝１２に嵌合さ
せることによって半導体レーザチップを定接するもので
ある（特願平７−１５９１４１号）。
【００２０】図４６（ｂ）に示す方法は、基板１上に形
成したマーカー１４と、半導体レーザチップ２の表面の
マーカー２４とを一致させて、パッド２１上に配設され
たボンディング用融材２３を用いてボンディングするも
のである（IEEE Transactions Photonics Technology L
etters,Vol.3,No.11,November,1991所載）。
成したマーカー１４と、半導体レーザチップ２の表面の
マーカー２４とを一致させて、パッド２１上に配設され
たボンディング用融材２３を用いてボンディングするも
のである（IEEE Transactions Photonics Technology L
etters,Vol.3,No.11,November,1991所載）。
【００２１】図４７は、半導体レーザチップを実装用基
板上に定接する方法(2) を説明するものであって、ボン
ディング用融材を用い、融材が溶融し液相化したときの
表面張力の作用により位置合わせする方法を説明するも
のである。（ａ）は半導体レーザチップ２が所定の位置
からずれて基板１に載置された状態で、ボンディング融
材２３が溶解する前、（ｂ）はボンディング融材２３が
溶融し基板上のパターン１５に馴染んだ瞬間、（ｃ）は
ボンディング用融材が溶融し、その表面張力により半導
体レーザチップが図（ｂ）に記載した矢印の方向に移動
して、自動的に位置合わせが行なわれた状態（このよう
な作用を自己整合作用という）をそれぞれ示す。
板上に定接する方法(2) を説明するものであって、ボン
ディング用融材を用い、融材が溶融し液相化したときの
表面張力の作用により位置合わせする方法を説明するも
のである。（ａ）は半導体レーザチップ２が所定の位置
からずれて基板１に載置された状態で、ボンディング融
材２３が溶解する前、（ｂ）はボンディング融材２３が
溶融し基板上のパターン１５に馴染んだ瞬間、（ｃ）は
ボンディング用融材が溶融し、その表面張力により半導
体レーザチップが図（ｂ）に記載した矢印の方向に移動
して、自動的に位置合わせが行なわれた状態（このよう
な作用を自己整合作用という）をそれぞれ示す。
【００２２】図４７の方法は、溶融し液相化した融材２
３の表面張力によるポテンシャルが最小となるように変
形することにより、自動的に基板上のパターン１５と半
導体レーザチップ上のパターン２１とが位置合わせされ
るものである。このように自動的に位置合わせが行なわ
れることから、自己位置整合（セルフアライン）ボンデ
ィングと言われる。図４７（ｃ）において自己位置整合
した状態で冷却しボンディング融材を凝固させることに
より、半導体レーザチップが基板１上に定接される。こ
の際、機械的固定と電気的接続とを同時に行なうことが
できる（IEEE Transactions on Components,Hybrids,an
d Manufacturing Technology,Vol.15,No.2,April,1992
ならびに１９９４年電子情報通信学会春季大会講演集５
−２１所載）。
３の表面張力によるポテンシャルが最小となるように変
形することにより、自動的に基板上のパターン１５と半
導体レーザチップ上のパターン２１とが位置合わせされ
るものである。このように自動的に位置合わせが行なわ
れることから、自己位置整合（セルフアライン）ボンデ
ィングと言われる。図４７（ｃ）において自己位置整合
した状態で冷却しボンディング融材を凝固させることに
より、半導体レーザチップが基板１上に定接される。こ
の際、機械的固定と電気的接続とを同時に行なうことが
できる（IEEE Transactions on Components,Hybrids,an
d Manufacturing Technology,Vol.15,No.2,April,1992
ならびに１９９４年電子情報通信学会春季大会講演集５
−２１所載）。
【００２３】図４８は、半導体レーザチップを実装用基
板上に定接する方法(3) を説明するものであって、基板
上の半導体レーザ嵌合溝に半導体レーザチップ２を嵌合
させる方法を示している。
板上に定接する方法(3) を説明するものであって、基板
上の半導体レーザ嵌合溝に半導体レーザチップ２を嵌合
させる方法を示している。
【００２４】図４８に示す方法は、基板１に比較的浅い
半導体レーザ嵌合溝２８を形成するとともに、半導体レ
ーザチップ２の表面の結晶をエッチングして、突起２７
を形成し、この突起２７を半導体レーザ嵌合溝２８に嵌
合させるものである（特願平６−３８８６３号）。
半導体レーザ嵌合溝２８を形成するとともに、半導体レ
ーザチップ２の表面の結晶をエッチングして、突起２７
を形成し、この突起２７を半導体レーザ嵌合溝２８に嵌
合させるものである（特願平６−３８８６３号）。
【００２５】これらの方法においては、いずれの場合で
も、ボンディングの際の、半導体レーザチップ２の発光
部の位置精度を高めるため、フェースダウンボンディン
グを行なうことが望ましい。すなわち、発光部が形成さ
れた側に、パッド２１を形成し、その側を下にして、ボ
ンディングを行なうようにする。
も、ボンディングの際の、半導体レーザチップ２の発光
部の位置精度を高めるため、フェースダウンボンディン
グを行なうことが望ましい。すなわち、発光部が形成さ
れた側に、パッド２１を形成し、その側を下にして、ボ
ンディングを行なうようにする。
【００２６】フェースダウンボンディングを用いると、
発光部が下になるようにボンディングされ、発光部と基
板表面との距離は数μｍ以下（具体的には、例えば５μ
ｍ以下）となる。従って、図４６（ｂ）および図４８の
場合には、半導体レーザチップの光軸−基板距離が５μ
ｍ以下と非常に小さくなる。
発光部が下になるようにボンディングされ、発光部と基
板表面との距離は数μｍ以下（具体的には、例えば５μ
ｍ以下）となる。従って、図４６（ｂ）および図４８の
場合には、半導体レーザチップの光軸−基板距離が５μ
ｍ以下と非常に小さくなる。
【００２７】図４６（ａ）および図４７の場合は、図４
６（ｂ）および図４８の場合と比べて、半導体レーザチ
ップの光軸−基板距離は大きくなるが、やはり、十分な
距離を確保することは困難である。
６（ｂ）および図４８の場合と比べて、半導体レーザチ
ップの光軸−基板距離は大きくなるが、やはり、十分な
距離を確保することは困難である。
【００２８】これは次の二つの理由によるものである。
第１の理由としては、半導体レーザチップ２のパッド２
１が形成されるべき表面のサイズは、２００μｍ×３０
０μｍ程度であって小さいので、突起２２やボンディン
グ用融材２３の直径を５０μｍ程度より大きくすること
が困難なためである。具体的には、半導体レーザチップ
の光軸と基板表面との距離を、５０〜６０μｍより大き
くすることは難しい。
第１の理由としては、半導体レーザチップ２のパッド２
１が形成されるべき表面のサイズは、２００μｍ×３０
０μｍ程度であって小さいので、突起２２やボンディン
グ用融材２３の直径を５０μｍ程度より大きくすること
が困難なためである。具体的には、半導体レーザチップ
の光軸と基板表面との距離を、５０〜６０μｍより大き
くすることは難しい。
【００２９】第２の理由としては、特に図４７の場合に
は、自己整合性を高めるために、比較的小さいサイズの
ボンディング用融材２３を用いるためである。実際に
は、直径が５０μｍより小さいボンディング用融材２３
を用いるため、半導体レーザチップの光軸と基板表面と
の距離は、さらに小さい値に制限される。
は、自己整合性を高めるために、比較的小さいサイズの
ボンディング用融材２３を用いるためである。実際に
は、直径が５０μｍより小さいボンディング用融材２３
を用いるため、半導体レーザチップの光軸と基板表面と
の距離は、さらに小さい値に制限される。
【００３０】次に、この問題について、図４９を用いて
さらに詳細に説明する。図４９は、半導体レーザチップ
を実装用基板上に定接する方法を比較して説明する図で
ある。図４９において、（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図
４６（ａ），（ｂ）および図４７の場合の、光軸と基板
表面との距離を定める要素の詳細を示したものである。
さらに詳細に説明する。図４９は、半導体レーザチップ
を実装用基板上に定接する方法を比較して説明する図で
ある。図４９において、（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図
４６（ａ），（ｂ）および図４７の場合の、光軸と基板
表面との距離を定める要素の詳細を示したものである。
【００３１】いま、図４９（ｃ）において、パッド２１
の直径を５０μｍとし、角αを４５°とした場合には、
ボンディング用融材２３の高さｈ1 は５０μｍとなる。
これにパッド１５とパッド２１の厚さおよび半導体レー
ザチップ表面から半導体レーザの発光部２５までの距離
を加えたものが、光軸高さｈ2 となる。図４９（ｃ）の
場合の、光軸と基板表面との距離ｈ2 は、具体的にはお
よそ５５μｍ程度になる。この試算は、理論上の最大値
に相当するものであり、実際には、製造性の面から、こ
れよりも小さくしなければならない。
の直径を５０μｍとし、角αを４５°とした場合には、
ボンディング用融材２３の高さｈ1 は５０μｍとなる。
これにパッド１５とパッド２１の厚さおよび半導体レー
ザチップ表面から半導体レーザの発光部２５までの距離
を加えたものが、光軸高さｈ2 となる。図４９（ｃ）の
場合の、光軸と基板表面との距離ｈ2 は、具体的にはお
よそ５５μｍ程度になる。この試算は、理論上の最大値
に相当するものであり、実際には、製造性の面から、こ
れよりも小さくしなければならない。
【００３２】なぜならば、半導体レーザチップの幅を２
００μｍとすると、図４９（ｃ）から見てとれるよう
に、パッド２１の直径を５０μｍとすると、隣り合うボ
ンディング用融材２３が接触する恐れがある。そこで実
際には、パッド直径は、これより小さくする必要があ
る。さらに、すでに述べたように、自己整合性を高める
ためには、パッド径を小さくすることが望ましいので、
実際には、光軸と基板表面との距離は、これよりも小さ
くなり、およそ３０μｍ程度となる。
００μｍとすると、図４９（ｃ）から見てとれるよう
に、パッド２１の直径を５０μｍとすると、隣り合うボ
ンディング用融材２３が接触する恐れがある。そこで実
際には、パッド直径は、これより小さくする必要があ
る。さらに、すでに述べたように、自己整合性を高める
ためには、パッド径を小さくすることが望ましいので、
実際には、光軸と基板表面との距離は、これよりも小さ
くなり、およそ３０μｍ程度となる。
【００３３】図４６（ａ）の場合には、突起２２を溝１
２に嵌合させるので、図４７の場合より、光軸と基板表
面との距離が小さくなる。また、すでに述べたように、
図４６（ｂ）の場合は、図４６（ａ）の場合よりも、光
軸と基板表面との距離は小さくなる。
２に嵌合させるので、図４７の場合より、光軸と基板表
面との距離が小さくなる。また、すでに述べたように、
図４６（ｂ）の場合は、図４６（ａ）の場合よりも、光
軸と基板表面との距離は小さくなる。
【００３４】以上説明したように、半導体レーザを精密
に位置合わせして定接しようとすると、光軸と基板表面
との距離が小さくなる。このため、図４３（ｂ）に示す
ように、レンズと光結合させると、基板表面で半導体レ
ーザの出射光２６が遮られて、ハッチングを施して示す
遮光部４が現れるという問題が生じる。
に位置合わせして定接しようとすると、光軸と基板表面
との距離が小さくなる。このため、図４３（ｂ）に示す
ように、レンズと光結合させると、基板表面で半導体レ
ーザの出射光２６が遮られて、ハッチングを施して示す
遮光部４が現れるという問題が生じる。
【００３５】次に、図４４に示す第２の従来例のよう
に、板状のスペーサ５を挿入する場合には、半導体レー
ザチップ２の搭載に際して、半導体レーザチップ２をス
ペーサ５に搭載する工程と、スペーサ５を基板１に搭載
する工程との２工程が必要となる。この工程に、図４６
に示すような、半導体レーザチップ２および板状のスペ
ーサ５を位置決めして搭載する方法を用いる場合には、
スペーサ５の表面と、裏面のパターンとを正確に位置合
わせする必要がある。しかしながら、フォトリソグラフ
ィーを用いても、両面のパターンを精度よく一致させる
ことは困難である。具体的には、裏面と表面には５μｍ
程度のずれを生じる。さらに、板状のスペーサ５には、
１μｍ以下の厚さ精度が要求され、厚さ精度といった面
でも、製造が難しいという問題がある。
に、板状のスペーサ５を挿入する場合には、半導体レー
ザチップ２の搭載に際して、半導体レーザチップ２をス
ペーサ５に搭載する工程と、スペーサ５を基板１に搭載
する工程との２工程が必要となる。この工程に、図４６
に示すような、半導体レーザチップ２および板状のスペ
ーサ５を位置決めして搭載する方法を用いる場合には、
スペーサ５の表面と、裏面のパターンとを正確に位置合
わせする必要がある。しかしながら、フォトリソグラフ
ィーを用いても、両面のパターンを精度よく一致させる
ことは困難である。具体的には、裏面と表面には５μｍ
程度のずれを生じる。さらに、板状のスペーサ５には、
１μｍ以下の厚さ精度が要求され、厚さ精度といった面
でも、製造が難しいという問題がある。
【００３６】図４５に示す第３の従来例のように、レー
ザアブレーションによって溝加工を行なおうとした場
合、連続的に光を照射すると、レンズ等をガイドする溝
（例えば図４４の１１に相当する溝）の斜めの壁面にも
レーザ光６が照射されて、レンズガイド溝１１の側壁が
削りとられる場合がある。これを避けるためには、レン
ズ等をガイドする溝にさしかかった瞬間に、レーザの照
射を停止する必要があるが、この停止のタイミングの制
御が難しいという問題がある。
ザアブレーションによって溝加工を行なおうとした場
合、連続的に光を照射すると、レンズ等をガイドする溝
（例えば図４４の１１に相当する溝）の斜めの壁面にも
レーザ光６が照射されて、レンズガイド溝１１の側壁が
削りとられる場合がある。これを避けるためには、レン
ズ等をガイドする溝にさしかかった瞬間に、レーザの照
射を停止する必要があるが、この停止のタイミングの制
御が難しいという問題がある。
【００３７】またレーザ光６を、一筆書きのように照射
する必要があり、さらに、レーザの出力が小さい場合に
は、同じ箇所に複数回にわたってレーザ光を照射しなけ
れば、深い溝を形成できない。このため、加工に比較的
長い時間を要するという問題がある。
する必要があり、さらに、レーザの出力が小さい場合に
は、同じ箇所に複数回にわたってレーザ光を照射しなけ
れば、深い溝を形成できない。このため、加工に比較的
長い時間を要するという問題がある。
【００３８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
の問題点を解決するために、次の第１の手段と第２の手
段とを用いる。
の問題点を解決するために、次の第１の手段と第２の手
段とを用いる。
【００３９】第１の手段は、エッチングによってビーム
通過溝を形成するか、ダイシングソー等の機械加工によ
ってビーム通過溝を形成するか、あるいは、エッチング
とダイシングソー等の機械加工との組み合わせだけでビ
ーム通過溝を形成できるような構造とするものである。
ビーム通過溝を形成することによって、実質的に光軸−
基板間距離を広げることができる。そして、エッチング
もしくはダイシングソー等の機械加工、またはこれらの
組み合わせによってビーム通過溝を形成することによっ
て、ビーム通過溝の形成が容易になる。
通過溝を形成するか、ダイシングソー等の機械加工によ
ってビーム通過溝を形成するか、あるいは、エッチング
とダイシングソー等の機械加工との組み合わせだけでビ
ーム通過溝を形成できるような構造とするものである。
ビーム通過溝を形成することによって、実質的に光軸−
基板間距離を広げることができる。そして、エッチング
もしくはダイシングソー等の機械加工、またはこれらの
組み合わせによってビーム通過溝を形成することによっ
て、ビーム通過溝の形成が容易になる。
【００４０】この第１の手段には、さらに次の(1),(2),
(3) の三つの実施態様がある。 (1) 光学装置の基板に、少しの間隙を残すように、エッ
チングによって、レンズガイド溝と、ビーム通過溝とな
るべき溝とを形成し、次いで、レンズガイド溝とビーム
通過溝の間隙の部分を、両方の溝に一部がかかるよう
に、帯状に、光軸とは垂直な方向に機械的に研削して、
つながったビーム通過溝を製作する。これによって、比
較的容易に、ビーム通過溝を形成することができる。
(3) の三つの実施態様がある。 (1) 光学装置の基板に、少しの間隙を残すように、エッ
チングによって、レンズガイド溝と、ビーム通過溝とな
るべき溝とを形成し、次いで、レンズガイド溝とビーム
通過溝の間隙の部分を、両方の溝に一部がかかるよう
に、帯状に、光軸とは垂直な方向に機械的に研削して、
つながったビーム通過溝を製作する。これによって、比
較的容易に、ビーム通過溝を形成することができる。
【００４１】(2) 少なくとも二つの基板を使用し、一方
の基板のみに光軸に沿って機械的にビーム通過溝を形成
し、次いで、レンズのように基板−光軸間距離が大きい
部品をビーム通過溝付きの基板に載置し、次いで、二つ
の基板を再配列して、光部品間の位置合わせをしてもよ
い。
の基板のみに光軸に沿って機械的にビーム通過溝を形成
し、次いで、レンズのように基板−光軸間距離が大きい
部品をビーム通過溝付きの基板に載置し、次いで、二つ
の基板を再配列して、光部品間の位置合わせをしてもよ
い。
【００４２】ここで二つの基板の位置合わせ方法として
は、次の(2-a),(2-b) の二つの方法がある。
は、次の(2-a),(2-b) の二つの方法がある。
【００４３】(2-a) 光軸に垂直な方向に直列に配列して
組み合わせる場合 製造が容易で、高精度な相対的位置合わせが可能な位置
合わせ手段を有する第１の副基板と、製造が容易で、高
精度な相対的位置合わせが可能な位置合わせ手段と、光
が通過すべき部分に機械的に形成されたビーム通過溝と
を有する第２の副基板との少なくとも二つの副基板を用
い、半導体レーザ等のように比較的光軸基板間距離が小
である光部品を第１の副基板に搭載し、レンズ等のよう
に比較的直径が大きい光ビームを扱う光部品を第２の副
基板に搭載し、しかも、製造が容易で、高精度な相対的
位置合わせが可能な位置合わせ手段を用いて、第１の副
基板と第２の副基板との相対的位置合わせを行なう。
組み合わせる場合 製造が容易で、高精度な相対的位置合わせが可能な位置
合わせ手段を有する第１の副基板と、製造が容易で、高
精度な相対的位置合わせが可能な位置合わせ手段と、光
が通過すべき部分に機械的に形成されたビーム通過溝と
を有する第２の副基板との少なくとも二つの副基板を用
い、半導体レーザ等のように比較的光軸基板間距離が小
である光部品を第１の副基板に搭載し、レンズ等のよう
に比較的直径が大きい光ビームを扱う光部品を第２の副
基板に搭載し、しかも、製造が容易で、高精度な相対的
位置合わせが可能な位置合わせ手段を用いて、第１の副
基板と第２の副基板との相対的位置合わせを行なう。
【００４４】製造が容易で、高精度な相対的位置合わせ
が可能な位置合わせ手段としては、次の三つの方法があ
る。 共通基板上に平行に並べられた円柱体に、第１の副
基板および第２の副基板のＶ溝を嵌合させる方法 共通基板上に並べられた複数の球体に、第１の副基
板および第２の副基板上の複数の逆ピラミッド状の溝を
嵌合させる方法 共通の円柱体を、第１の副基板および第２の副基板
上のＶ溝と他の基板とで挟み込む方法
が可能な位置合わせ手段としては、次の三つの方法があ
る。 共通基板上に平行に並べられた円柱体に、第１の副
基板および第２の副基板のＶ溝を嵌合させる方法 共通基板上に並べられた複数の球体に、第１の副基
板および第２の副基板上の複数の逆ピラミッド状の溝を
嵌合させる方法 共通の円柱体を、第１の副基板および第２の副基板
上のＶ溝と他の基板とで挟み込む方法
【００４５】(2-b) 光軸に平行な面で重なるように、上
下に重ねて組み合わせる場合 製造が容易で、高精度を得ることが容易で、しかも、基
板表面に垂直な方向の位置（この「基板表面に垂直な方
向の位置」を以下、「高さ」という）の調整機能を含む
位置合わせ手段と、エッチング等の局所的に溝形成が可
能な方法で形成されたビーム通過溝とを有する第１の副
基板と、製造が容易で、高精度を得ることが容易で、し
かも、高さの調節機能を含む位置合わせ手段と、機械的
に形成したビーム通過溝とを有する第２の副基板との少
なくとも二つの副基板を用い、第１の基板の光ビーム通
過溝に近接した位置に、半導体レーザ等のように比較的
光軸基板間距離が小である光部品を実装し、レンズ等の
ように比較的直径が大きい光ビームを扱う光部品を第２
の基板に搭載し、第２の基板に搭載したレンズ等のよう
に比較的直径が大きい光ビームを扱う光部品を第１の基
板上の光ビーム通過溝に収容するように、二つの副基板
を位置合わせして重ね合わせる。
下に重ねて組み合わせる場合 製造が容易で、高精度を得ることが容易で、しかも、基
板表面に垂直な方向の位置（この「基板表面に垂直な方
向の位置」を以下、「高さ」という）の調整機能を含む
位置合わせ手段と、エッチング等の局所的に溝形成が可
能な方法で形成されたビーム通過溝とを有する第１の副
基板と、製造が容易で、高精度を得ることが容易で、し
かも、高さの調節機能を含む位置合わせ手段と、機械的
に形成したビーム通過溝とを有する第２の副基板との少
なくとも二つの副基板を用い、第１の基板の光ビーム通
過溝に近接した位置に、半導体レーザ等のように比較的
光軸基板間距離が小である光部品を実装し、レンズ等の
ように比較的直径が大きい光ビームを扱う光部品を第２
の基板に搭載し、第２の基板に搭載したレンズ等のよう
に比較的直径が大きい光ビームを扱う光部品を第１の基
板上の光ビーム通過溝に収容するように、二つの副基板
を位置合わせして重ね合わせる。
【００４６】製造が容易で、高精度を得ることが容易
で、しかも、高さの調節機能を含む位置合わせ手段に
は、第１の基板上に並べられた複数の球体に、第１の副
基板および第２の副基板上の複数の逆ピラミッド状の溝
を嵌合させる方法がある。
で、しかも、高さの調節機能を含む位置合わせ手段に
は、第１の基板上に並べられた複数の球体に、第１の副
基板および第２の副基板上の複数の逆ピラミッド状の溝
を嵌合させる方法がある。
【００４７】(3) 上記(2-b) の方法において、第２の基
板にビーム通過溝のないものを用い、第２の基板の表面
と第２の基板に搭載したレンズ等のような比較的直径が
大きい光ビームを扱う光部品の光軸との距離を大に選ぶ
ようにしてもよい。
板にビーム通過溝のないものを用い、第２の基板の表面
と第２の基板に搭載したレンズ等のような比較的直径が
大きい光ビームを扱う光部品の光軸との距離を大に選ぶ
ようにしてもよい。
【００４８】第２の手段としては、少なくとも二つの基
板を用い、光部品を搭載したのち、この二つの基板間の
高さを調節して配列する方法を用いる。
板を用い、光部品を搭載したのち、この二つの基板間の
高さを調節して配列する方法を用いる。
【００４９】ここで、二つの基板は、光軸高さまたはビ
ーム径の大小に応じて、同一面上で二つの基板を配列す
るように組み合わせる。
ーム径の大小に応じて、同一面上で二つの基板を配列す
るように組み合わせる。
【００５０】製造が容易で、高精度を得ることが容易
で、しかも、高さの調節機能を含む位置合わせ手段を有
する第１の副基板と、製造が容易で、高精度を得ること
が容易で、しかも、高さの調節機能を含む位置合わせ手
段を有する第２の副基板との少なくとも二つの副基板を
用い、半導体レーザ等のように比較的直径が大きい光ビ
ームを扱う部品を第２の副基板に搭載し、しかも、製造
が容易で、高精度を得ることが容易で、しかも、高さの
調節機能を含む位置合わせ手段を用いて第１の副基板と
第２の副基板の相対的位置合わせと高さの調節を行な
う。
で、しかも、高さの調節機能を含む位置合わせ手段を有
する第１の副基板と、製造が容易で、高精度を得ること
が容易で、しかも、高さの調節機能を含む位置合わせ手
段を有する第２の副基板との少なくとも二つの副基板を
用い、半導体レーザ等のように比較的直径が大きい光ビ
ームを扱う部品を第２の副基板に搭載し、しかも、製造
が容易で、高精度を得ることが容易で、しかも、高さの
調節機能を含む位置合わせ手段を用いて第１の副基板と
第２の副基板の相対的位置合わせと高さの調節を行な
う。
【００５１】具体的には、例えば、基板にシリコン基板
を用い、これを異方性エッチングして形成した溝を、円
柱体または球体と嵌合させて位置合わせすれば、精度よ
く高さと横位置を調節可能であり、しかも製造が容易に
なる。ここで、光部品をガイドする溝との相対的位置精
度を向上させ、かつ、基板の厚さのばらつきによる基板
間の位置合わせ精度の劣化を防止するためには、ガイド
構造を光部品搭載面と同じ面に形成することが望まし
い。
を用い、これを異方性エッチングして形成した溝を、円
柱体または球体と嵌合させて位置合わせすれば、精度よ
く高さと横位置を調節可能であり、しかも製造が容易に
なる。ここで、光部品をガイドする溝との相対的位置精
度を向上させ、かつ、基板の厚さのばらつきによる基板
間の位置合わせ精度の劣化を防止するためには、ガイド
構造を光部品搭載面と同じ面に形成することが望まし
い。
【００５２】製造が容易で、高精度を得ることが容易
で、しかも高さの調節機能を含む副基板の位置合わせ手
段には、次の六つの方法がある。
で、しかも高さの調節機能を含む副基板の位置合わせ手
段には、次の六つの方法がある。
【００５３】(a) 共通基板上に平行に並べられた円柱体
に副基板上のＶ溝を嵌合させ、しかも第１の副基板上の
Ｖ溝の幅と第２の副基板上のＶ溝の幅とを変化させる方
法。
に副基板上のＶ溝を嵌合させ、しかも第１の副基板上の
Ｖ溝の幅と第２の副基板上のＶ溝の幅とを変化させる方
法。
【００５４】(b) 共通基板上に平行に並べられた少なく
とも１対の円柱体である第１の円柱体に第１の副基板上
のＶ溝を嵌合させ、しかも共通基板上に互いに平行にし
かも第１の円柱体に対しては直列に並べられた少なくと
も１対の他の円柱体である第２の円柱体に第２の副基板
上のＶ溝を嵌合させ、しかも第１の円柱体と第２の円柱
体の直径を変える方法。
とも１対の円柱体である第１の円柱体に第１の副基板上
のＶ溝を嵌合させ、しかも共通基板上に互いに平行にし
かも第１の円柱体に対しては直列に並べられた少なくと
も１対の他の円柱体である第２の円柱体に第２の副基板
上のＶ溝を嵌合させ、しかも第１の円柱体と第２の円柱
体の直径を変える方法。
【００５５】(c) 共通基板上に平行に並べられた複数の
球体に、副基板上の複数の逆ピラミッド状の溝を嵌合さ
せ、しかも第１の副基板上の逆ピラミッド状の溝の幅と
第２の副基板上の逆ピラミッド状の溝の幅とを変化させ
る方法。
球体に、副基板上の複数の逆ピラミッド状の溝を嵌合さ
せ、しかも第１の副基板上の逆ピラミッド状の溝の幅と
第２の副基板上の逆ピラミッド状の溝の幅とを変化させ
る方法。
【００５６】(d) 共通基板上に平行に並べられた複数の
第１の球体に、第１の副基板上の複数の逆ピラミッド状
の溝を嵌合させ、しかも共通基板上に並べられた複数の
第２の球体に第２の副基板上の逆ピラミッド状の溝を嵌
合させ、しかも第１の球体の直径と第２の球体の直径と
を変化させる方法。
第１の球体に、第１の副基板上の複数の逆ピラミッド状
の溝を嵌合させ、しかも共通基板上に並べられた複数の
第２の球体に第２の副基板上の逆ピラミッド状の溝を嵌
合させ、しかも第１の球体の直径と第２の球体の直径と
を変化させる方法。
【００５７】(e) 共通の円柱体の一部ずつを、それぞれ
第１の副基板上のＶ溝と第１の他の基板ならびに第２の
副基板上のＶ溝と第２の他の基板とで鋏み込み、しかも
第１の副基板上のＶ溝の幅と第２の副基板上のＶ溝の幅
を変化させる方法。
第１の副基板上のＶ溝と第１の他の基板ならびに第２の
副基板上のＶ溝と第２の他の基板とで鋏み込み、しかも
第１の副基板上のＶ溝の幅と第２の副基板上のＶ溝の幅
を変化させる方法。
【００５８】(f) 共通基板上に断面がＶ字型である溝ま
たは断面が台形である突起を形成し、この溝または突起
に副基板に形成した断面が台形である突起または断面が
Ｖ字型である溝を嵌合させ、しかも共通基板または副基
板に形成した溝の幅を変化させる方法。
たは断面が台形である突起を形成し、この溝または突起
に副基板に形成した断面が台形である突起または断面が
Ｖ字型である溝を嵌合させ、しかも共通基板または副基
板に形成した溝の幅を変化させる方法。
【００５９】以下、本発明の作用を説明する。前述の第
１の手段によれば、エッチングまたは機械加工またはエ
ッチングと機械加工との組み合わせによって、ビーム通
過溝を形成することができるので、比較的簡便にしかも
比較的短時間で、ビーム通過溝を形成できるようにな
る。以下、第１の手段のうち、(1) と(2) と(3) とにつ
いてさらに詳細に説明する。
１の手段によれば、エッチングまたは機械加工またはエ
ッチングと機械加工との組み合わせによって、ビーム通
過溝を形成することができるので、比較的簡便にしかも
比較的短時間で、ビーム通過溝を形成できるようにな
る。以下、第１の手段のうち、(1) と(2) と(3) とにつ
いてさらに詳細に説明する。
【００６０】第１の手段のうち上記(1) では、まず、異
方性エッチングを用いてシリコン基板上に、レンズ等を
ガイドすべき溝とビーム通過溝となるべき溝とをそれぞ
れ独立した溝として形成する。レンズ等をガイドする溝
を独立させることによって、完全に矩形の溝が形成さ
れ、ガイドされる部品を確実に位置決めできるようにな
る。ビーム通過溝も同時に形成するので、１枚の基板内
については、多数の溝を一括して形成できる。また、多
数の基板を一括してエッチングできるので、１個あたり
の製造時間が短縮される。
方性エッチングを用いてシリコン基板上に、レンズ等を
ガイドすべき溝とビーム通過溝となるべき溝とをそれぞ
れ独立した溝として形成する。レンズ等をガイドする溝
を独立させることによって、完全に矩形の溝が形成さ
れ、ガイドされる部品を確実に位置決めできるようにな
る。ビーム通過溝も同時に形成するので、１枚の基板内
については、多数の溝を一括して形成できる。また、多
数の基板を一括してエッチングできるので、１個あたり
の製造時間が短縮される。
【００６１】次に、ダイシングソー等を用いて、レンズ
等をガイドすべき溝とビーム通過溝となるべき溝の間の
部分を、両方の溝にかかるような幅で、帯状に研削する
と、レンズ等をガイドする溝とビーム通過溝とがつなが
って、光が通過可能な空間が形成される。
等をガイドすべき溝とビーム通過溝となるべき溝の間の
部分を、両方の溝にかかるような幅で、帯状に研削する
と、レンズ等をガイドする溝とビーム通過溝とがつなが
って、光が通過可能な空間が形成される。
【００６２】このように、ダイシングソー等によって、
１回だけ直線的に研削するだけで、レンズ等をガイドす
べき溝と、ビーム通過溝となるべき溝を接続できるの
で、比較的短時間でかつ比較的簡単にビーム通過溝を形
成できる。
１回だけ直線的に研削するだけで、レンズ等をガイドす
べき溝と、ビーム通過溝となるべき溝を接続できるの
で、比較的短時間でかつ比較的簡単にビーム通過溝を形
成できる。
【００６３】第１の手段のうち上記(2) では、二つの基
板を用い、一方の基板に半導体レーザ等を載置し、他方
の基板にレンズ等を載置する。このように、基板の機能
を分けることによって、次に記載した理由によって、ビ
ームの経路に沿って容易に機械的にビーム通過溝を形成
できるようになる。
板を用い、一方の基板に半導体レーザ等を載置し、他方
の基板にレンズ等を載置する。このように、基板の機能
を分けることによって、次に記載した理由によって、ビ
ームの経路に沿って容易に機械的にビーム通過溝を形成
できるようになる。
【００６４】図１は、ビーム通過溝の形成方法の例を示
したものであって、（ａ）は基板の一部に溝を形成した
状態を示し、（ｂ）は基板の全体に溝を形成した状態を
示している。ビーム通過溝を機械的に形成するのが難し
いのは、二つの部品を一つの基板上に搭載するためであ
る。以下、この点を詳述する。
したものであって、（ａ）は基板の一部に溝を形成した
状態を示し、（ｂ）は基板の全体に溝を形成した状態を
示している。ビーム通過溝を機械的に形成するのが難し
いのは、二つの部品を一つの基板上に搭載するためであ
る。以下、この点を詳述する。
【００６５】図１（ａ）は、エッチング等のような、基
板の一部分に限定的に溝を形成可能な方法を用いること
によって、光部品（例えば半導体レーザチップ２）を搭
載すべき部分２Ｘを残して、基板１に、ビーム通過溝１
７を形成できることを示している。
板の一部分に限定的に溝を形成可能な方法を用いること
によって、光部品（例えば半導体レーザチップ２）を搭
載すべき部分２Ｘを残して、基板１に、ビーム通過溝１
７を形成できることを示している。
【００６６】しかしながら、機械的にビーム通過溝１７
を形成すると、例えば図１（ｂ）に示すように、光部品
を搭載すべき部分２Ｘにまで、ビーム通過溝１７が形成
されるようになる。このため、光部品が、半導体レーザ
チップ２のようにサイズが小さいものである場合には、
光部品を搭載するための領域２Ｘを確保することが困難
になる。
を形成すると、例えば図１（ｂ）に示すように、光部品
を搭載すべき部分２Ｘにまで、ビーム通過溝１７が形成
されるようになる。このため、光部品が、半導体レーザ
チップ２のようにサイズが小さいものである場合には、
光部品を搭載するための領域２Ｘを確保することが困難
になる。
【００６７】図２は、本発明における問題解決のための
手段(1)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
を示し、（ｂ）は第１の基板にビーム通過溝を形成した
状態を示す。また（ｃ）は第２の基板を示し、（ｄ）は
第１の基板と第２の基板とを位置合わせした状態を示
す。
手段(1)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
を示し、（ｂ）は第１の基板にビーム通過溝を形成した
状態を示す。また（ｃ）は第２の基板を示し、（ｄ）は
第１の基板と第２の基板とを位置合わせした状態を示
す。
【００６８】まず、図２（ａ）のように、レンズ等のサ
イズが大きい部品に対しては、エッチングによって、第
１の基板１２０にレンズ等をガイドすべきガイド溝１２
１を形成する。次に図２（ｂ）のように、光ビームの経
路に沿って、ダイシングソー等を用いて、機械的に、帯
状のビーム通過溝１２７を形成する。
イズが大きい部品に対しては、エッチングによって、第
１の基板１２０にレンズ等をガイドすべきガイド溝１２
１を形成する。次に図２（ｂ）のように、光ビームの経
路に沿って、ダイシングソー等を用いて、機械的に、帯
状のビーム通過溝１２７を形成する。
【００６９】一方、半導体レーザチップのように、光軸
−基板間距離が小で、かつサイズが小さい光部品を搭載
する基板として、図２（ｃ）に示すような第２の基板１
１０を用い、この基板については、ビーム通過溝の形成
を行なわないようにする。そして、図２（ｄ）のよう
に、半導体レーザチップ２とレンズ３とを対向させて、
二つの基板を位置合わせして配列すれば、二つの部品が
位置合わせされる。
−基板間距離が小で、かつサイズが小さい光部品を搭載
する基板として、図２（ｃ）に示すような第２の基板１
１０を用い、この基板については、ビーム通過溝の形成
を行なわないようにする。そして、図２（ｄ）のよう
に、半導体レーザチップ２とレンズ３とを対向させて、
二つの基板を位置合わせして配列すれば、二つの部品が
位置合わせされる。
【００７０】図３は、本発明における問題解決のための
手段(1)-2 を示したものである。図２の例ではレンズ３
に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱状のもの
であってもよい。例えば図３に示すように、基板１２０
に間口が長方形のガイド溝１２１を形成し、ここに円柱
状のレンズ３を嵌合させてもよい。図３の場合には、光
軸に平行な方向については１２１Ｘで示した面により位
置決めがされ、光軸方向については１２１Ｚで示した面
により位置決めがされる。その結果、レンズ３は基板表
面面内の前後左右と基板に垂直な方向の自由度が束縛さ
れ、特定の１点に位置決めされる。
手段(1)-2 を示したものである。図２の例ではレンズ３
に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱状のもの
であってもよい。例えば図３に示すように、基板１２０
に間口が長方形のガイド溝１２１を形成し、ここに円柱
状のレンズ３を嵌合させてもよい。図３の場合には、光
軸に平行な方向については１２１Ｘで示した面により位
置決めがされ、光軸方向については１２１Ｚで示した面
により位置決めがされる。その結果、レンズ３は基板表
面面内の前後左右と基板に垂直な方向の自由度が束縛さ
れ、特定の１点に位置決めされる。
【００７１】問題解決のための手段(1)-1,(1)-2 を用い
れば、ビーム通過経路に沿ってダイシングソー等で１回
だけ直線的に研削するだけで、ビーム通過溝を形成でき
るので、比較的短時間でかつ比較的簡単にビーム通過溝
を形成することができる。
れば、ビーム通過経路に沿ってダイシングソー等で１回
だけ直線的に研削するだけで、ビーム通過溝を形成でき
るので、比較的短時間でかつ比較的簡単にビーム通過溝
を形成することができる。
【００７２】この際、基板とその位置合わせの手段に
は、前述した手段(2-a) に記載した各方法を用いること
ができる。これらの方法を用いると、異方性エッチング
して形成した溝を有する２枚のシリコン基板で円柱体も
しくは球体を挟み込むか、または異方性エッチングして
形成した溝を有する２枚のシリコン基板を重ね合わせる
だけで、横位置と高さを精密に調節することができる。
は、前述した手段(2-a) に記載した各方法を用いること
ができる。これらの方法を用いると、異方性エッチング
して形成した溝を有する２枚のシリコン基板で円柱体も
しくは球体を挟み込むか、または異方性エッチングして
形成した溝を有する２枚のシリコン基板を重ね合わせる
だけで、横位置と高さを精密に調節することができる。
【００７３】横位置は、異方性エッチングして形成した
溝を有する２枚のシリコン基板で円柱体もしくは球体を
挟み込むか、または異方性エッチングして形成した溝を
有する、２枚のシリコン基板を重ね合わせるだけで定ま
る。高さは、溝の間口の幅を変化させるだけで調節でき
る。溝の間口の位置とサイズを定めるパターンを、フォ
トリソグラフィで形成することができるので、非常に精
密な調節が可能になる。
溝を有する２枚のシリコン基板で円柱体もしくは球体を
挟み込むか、または異方性エッチングして形成した溝を
有する、２枚のシリコン基板を重ね合わせるだけで定ま
る。高さは、溝の間口の幅を変化させるだけで調節でき
る。溝の間口の位置とサイズを定めるパターンを、フォ
トリソグラフィで形成することができるので、非常に精
密な調節が可能になる。
【００７４】さらに上記(2) の手段においては、上記の
手段(2-b) のように、少なくとも二つの基板を用い、第
１の基板のみに機械的にビーム通過溝を形成し、第２の
基板には、エッチングでビーム通過溝を形成するように
してもよい。
手段(2-b) のように、少なくとも二つの基板を用い、第
１の基板のみに機械的にビーム通過溝を形成し、第２の
基板には、エッチングでビーム通過溝を形成するように
してもよい。
【００７５】図４は、本発明における問題解決のための
手段(2)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
と第２の基板を示し、（ｂ）は第１の基板と第２の基板
とを組み立てる際の状態を示す。
手段(2)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
と第２の基板を示し、（ｂ）は第１の基板と第２の基板
とを組み立てる際の状態を示す。
【００７６】図４において、１は第１の基板を示し、２
００は第２の基板を示している。図４（ａ）に示すよう
に第１の基板１には、エッチングによってビーム通過溝
１７を形成する。図４（ｂ）に示すように、半導体レー
ザチップ２を基板１のビーム通過溝１７の端部に接近し
て載置すれば、基板１の表面で光が遮られることはな
い。
００は第２の基板を示している。図４（ａ）に示すよう
に第１の基板１には、エッチングによってビーム通過溝
１７を形成する。図４（ｂ）に示すように、半導体レー
ザチップ２を基板１のビーム通過溝１７の端部に接近し
て載置すれば、基板１の表面で光が遮られることはな
い。
【００７７】第２の基板２００には、レンズ等をガイド
すべきガイド溝２０１を形成したのち、ダイシングソー
等を用いて、ビームの経路に沿って機械的に帯状のビー
ム通過溝２０７を形成する。このような第１の基板１に
半導体レーザチップ２を搭載し、第２の基板２００にレ
ンズ３を搭載したのち、図４（ｂ）に示すように、半導
体レンズチップ２とレンズ３とを対向させて、二つの基
板を位置合わせして配列すれば、二つの部品が位置合わ
せされる。
すべきガイド溝２０１を形成したのち、ダイシングソー
等を用いて、ビームの経路に沿って機械的に帯状のビー
ム通過溝２０７を形成する。このような第１の基板１に
半導体レーザチップ２を搭載し、第２の基板２００にレ
ンズ３を搭載したのち、図４（ｂ）に示すように、半導
体レンズチップ２とレンズ３とを対向させて、二つの基
板を位置合わせして配列すれば、二つの部品が位置合わ
せされる。
【００７８】図５は、本発明における問題解決のための
手段(2)-2 を示したものである。図４の例においては、
レンズ３に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱
状のものであってもよい。例えば図５に示すように、基
板２００に間口が長方形のガイド溝２０１を形成し、こ
こに円柱状のレンズ３を嵌合させてもよい。図５の場合
には、光軸に平行な方向については２０１Ｘで示した面
により位置決めがされ、光軸方向については２０１Ｚで
示した面により位置決めがされる。その結果、レンズ３
は基板表面面内の前後左右と基板に垂直な方向の自由度
が束縛され、特定の１点に位置決めされる。
手段(2)-2 を示したものである。図４の例においては、
レンズ３に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱
状のものであってもよい。例えば図５に示すように、基
板２００に間口が長方形のガイド溝２０１を形成し、こ
こに円柱状のレンズ３を嵌合させてもよい。図５の場合
には、光軸に平行な方向については２０１Ｘで示した面
により位置決めがされ、光軸方向については２０１Ｚで
示した面により位置決めがされる。その結果、レンズ３
は基板表面面内の前後左右と基板に垂直な方向の自由度
が束縛され、特定の１点に位置決めされる。
【００７９】さらにこの場合、後述する図３６の実施形
態のように、この二つの基板の表面に、逆ピラミッド状
の位置合わせ用嵌合溝１９および２０９を形成し、この
溝で球体８を挟み込むようにすれば、それだけで、横位
置と高さを精密に調節することができる。この際、第２
の基板２００のガイド溝２０１にガイドされ載置された
レンズ３が、第１の基板１のビーム通過溝１７中に収容
されるので、光結合と光が通過するための空間が確保さ
れる。
態のように、この二つの基板の表面に、逆ピラミッド状
の位置合わせ用嵌合溝１９および２０９を形成し、この
溝で球体８を挟み込むようにすれば、それだけで、横位
置と高さを精密に調節することができる。この際、第２
の基板２００のガイド溝２０１にガイドされ載置された
レンズ３が、第１の基板１のビーム通過溝１７中に収容
されるので、光結合と光が通過するための空間が確保さ
れる。
【００８０】第１の手段のうち、上記手段(3) を用いて
も、前述の目的を達成することができる。手段(3) と
は、上記(2-b) の手段において、第１の基板と第２の基
板の間が、十分離れるように２枚の基板を組み合わせる
ものである。
も、前述の目的を達成することができる。手段(3) と
は、上記(2-b) の手段において、第１の基板と第２の基
板の間が、十分離れるように２枚の基板を組み合わせる
ものである。
【００８１】図６は、本発明における問題解決のための
手段(3)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
と第２の基板の組み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第
１の基板と第２の基板とを組み合わせた状態におけるＸ
−Ｘ断面を示す図である。図６（ｂ）に示すように、こ
の手段を用いると、第１の基板のビーム通過溝がなくて
も、光が通過するための空間が確保される。
手段(3)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
と第２の基板の組み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第
１の基板と第２の基板とを組み合わせた状態におけるＸ
−Ｘ断面を示す図である。図６（ｂ）に示すように、こ
の手段を用いると、第１の基板のビーム通過溝がなくて
も、光が通過するための空間が確保される。
【００８２】図７は、本発明における問題解決のための
手段(3)-2 を示したものである。図６の例においては、
レンズ３に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱
状のものであってもよい。例えば図７に示すように基板
２００に間口が長方形のガイド溝２０１を形成し、ここ
に円柱状のレンズ３を嵌合させてもよい。この場合にお
いてもレンズ３は基板表面面内の前後左右と基板に垂直
な方向の自由度が束縛され、特定の１点に位置決めされ
る。
手段(3)-2 を示したものである。図６の例においては、
レンズ３に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱
状のものであってもよい。例えば図７に示すように基板
２００に間口が長方形のガイド溝２０１を形成し、ここ
に円柱状のレンズ３を嵌合させてもよい。この場合にお
いてもレンズ３は基板表面面内の前後左右と基板に垂直
な方向の自由度が束縛され、特定の１点に位置決めされ
る。
【００８３】次に第２の手段によれば、部品間の位置合
わせが基板間の位置合わせに転換さされるため、横位置
と高さの調節が容易になる。以下、これについて詳述す
る。
わせが基板間の位置合わせに転換さされるため、横位置
と高さの調節が容易になる。以下、これについて詳述す
る。
【００８４】二つの部品の高さを精密に調節するのが難
しい理由は、二つの光部品を、１枚の基板上に搭載しよ
うとするためである。すなわち、二つの光部品の形状と
サイズが異なるために、高さを調節するのが難しい。そ
こで、第２の手段を用い、二つの光部品をそれぞれ別の
基板上に搭載して、位置合わせの対象を、光部品を搭載
した二つの基板に転換すれば、光部品の位置合わせが容
易になる。
しい理由は、二つの光部品を、１枚の基板上に搭載しよ
うとするためである。すなわち、二つの光部品の形状と
サイズが異なるために、高さを調節するのが難しい。そ
こで、第２の手段を用い、二つの光部品をそれぞれ別の
基板上に搭載して、位置合わせの対象を、光部品を搭載
した二つの基板に転換すれば、光部品の位置合わせが容
易になる。
【００８５】図８は、本発明における問題解決のための
手段(4)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
と第２の基板の組み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第
１の基板と第２の基板とを組み合わせた状態におけるＹ
−Ｙ断面を示す図である。
手段(4)-1 を示したものであって、（ａ）は第１の基板
と第２の基板の組み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第
１の基板と第２の基板とを組み合わせた状態におけるＹ
−Ｙ断面を示す図である。
【００８６】図８においては、半導体レーザチップ２を
第１の基板１１０に搭載し、レンズを第２の基板１２０
に搭載する例を示している。基板１１０と基板１２０と
は、形状とサイズ、およびその位置合わせ手段を同じに
するのが容易なので、高さの調節も容易になる。
第１の基板１１０に搭載し、レンズを第２の基板１２０
に搭載する例を示している。基板１１０と基板１２０と
は、形状とサイズ、およびその位置合わせ手段を同じに
するのが容易なので、高さの調節も容易になる。
【００８７】図９は、本発明における問題解決のための
手段(4)-2 を示したものである。図８の例においては、
レンズ３に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱
状のものであってもよい。例えば図９に示すように基板
１２０に間口が長方形のガイド溝１２１を形成し、ここ
に円柱状のレンズ３を嵌合させてもよい。この場合にお
いてもレンズ３は基板表面面内の前後左右と基板に垂直
な方向の自由度が束縛され、特定の１点に位置決めされ
るとともに、基板１１０と基板１２０とは、形状とサイ
ズ、およびその位置合わせ手段を同じにするのが容易な
ので、高さの調節が容易になる。
手段(4)-2 を示したものである。図８の例においては、
レンズ３に球状のものを用いているが、レンズ３が円柱
状のものであってもよい。例えば図９に示すように基板
１２０に間口が長方形のガイド溝１２１を形成し、ここ
に円柱状のレンズ３を嵌合させてもよい。この場合にお
いてもレンズ３は基板表面面内の前後左右と基板に垂直
な方向の自由度が束縛され、特定の１点に位置決めされ
るとともに、基板１１０と基板１２０とは、形状とサイ
ズ、およびその位置合わせ手段を同じにするのが容易な
ので、高さの調節が容易になる。
【００８８】具体的には、シリコン基板に異方性エッチ
ングを行なって形成した溝と、円柱体または球体を嵌合
させることによって、位置合わせを行ない、第２の手段
の(a),(b),(c),(d),(e),(f) を用いて、溝の間口の幅ま
たは円柱体もくしは球体の直径を変化させればよい。
ングを行なって形成した溝と、円柱体または球体を嵌合
させることによって、位置合わせを行ない、第２の手段
の(a),(b),(c),(d),(e),(f) を用いて、溝の間口の幅ま
たは円柱体もくしは球体の直径を変化させればよい。
【００８９】図１０は、本発明における高さの調節手段
(1) を示したものであって，第２の手段のうちの(a) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
(1) を示したものであって，第２の手段のうちの(a) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【００９０】図１０において、１９，１１９，１２９は
Ｖ字型の断面を有する溝、８は円柱体からなる位置合わ
せ用嵌合部材である。溝１９の幅はＷ3 、溝１１９の幅
はＷ 1 、溝１２９の幅はＷ2 であって、Ｗ2 ＞Ｗ1 の関
係がある。
Ｖ字型の断面を有する溝、８は円柱体からなる位置合わ
せ用嵌合部材である。溝１９の幅はＷ3 、溝１１９の幅
はＷ 1 、溝１２９の幅はＷ2 であって、Ｗ2 ＞Ｗ1 の関
係がある。
【００９１】図示のように溝の幅を調節することによっ
て、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との高さを
調節することができる。シリコン基板を使用すると、精
密に溝幅を調節できるので、本手段によれば、精密に副
基板間の高さの調節を行なうことができる。
て、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との高さを
調節することができる。シリコン基板を使用すると、精
密に溝幅を調節できるので、本手段によれば、精密に副
基板間の高さの調節を行なうことができる。
【００９２】図１１は、本発明における高さの調節手段
(2) を示したものであって，第２の手段のうちの(b) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
(2) を示したものであって，第２の手段のうちの(b) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【００９３】図１１において、１９，１１９，１２９は
Ｖ字型の断面を有する溝、８１，８２は円柱体からなる
位置合わせ用嵌合部材である。溝１１９と溝１２９の幅
は、等しくなるように形成されている。位置合わせ用嵌
合部材８１の直径はＤ1 、位置合わせ用嵌合部材８２の
直径はＤ2 であって、Ｄ2 ＞Ｄ1 の関係がある。
Ｖ字型の断面を有する溝、８１，８２は円柱体からなる
位置合わせ用嵌合部材である。溝１１９と溝１２９の幅
は、等しくなるように形成されている。位置合わせ用嵌
合部材８１の直径はＤ1 、位置合わせ用嵌合部材８２の
直径はＤ2 であって、Ｄ2 ＞Ｄ1 の関係がある。
【００９４】図示のように円柱体の直径を調節すること
によって、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との
高さを調節することができる。円柱体にガラスやセラミ
ック等の硬い材料を使用すると、精密に直径を調節でき
るので、本手段によれば、精密に副基板間の高さの調節
を行なうことができる。
によって、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との
高さを調節することができる。円柱体にガラスやセラミ
ック等の硬い材料を使用すると、精密に直径を調節でき
るので、本手段によれば、精密に副基板間の高さの調節
を行なうことができる。
【００９５】図１２は、本発明における高さの調節手段
(3) を示したものであって、第２の手段のうちの(c) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
(3) を示したものであって、第２の手段のうちの(c) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【００９６】図１２において、１９１，１９２，１１９
Ａ，１２９Ａは逆ピラミッド型の溝、８Ａは球体からな
る位置合わせ用嵌合部材である。溝１９１の幅はＷ3 、
溝１９２の幅はＷ4 、溝１１９Ａの幅はＷ1 、溝１２９
Ａの幅はＷ2 であって、Ｗ4＜Ｗ3 かつＷ2 ＜Ｗ1 の関
係がある。
Ａ，１２９Ａは逆ピラミッド型の溝、８Ａは球体からな
る位置合わせ用嵌合部材である。溝１９１の幅はＷ3 、
溝１９２の幅はＷ4 、溝１１９Ａの幅はＷ1 、溝１２９
Ａの幅はＷ2 であって、Ｗ4＜Ｗ3 かつＷ2 ＜Ｗ1 の関
係がある。
【００９７】図示のように溝の幅を調節することによっ
て、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との高さを
調節することができる。シリコン基板を使用すると、精
密に溝幅を調節できるので、本手段によれば、精密に副
基板間の高さの調節を行なうことができる。
て、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との高さを
調節することができる。シリコン基板を使用すると、精
密に溝幅を調節できるので、本手段によれば、精密に副
基板間の高さの調節を行なうことができる。
【００９８】図１３は、本発明における高さの調節手段
(4) を示したものであって，第２の手段のうちの(d) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
(4) を示したものであって，第２の手段のうちの(d) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【００９９】図１３において、１９１，１９２，１１９
Ａ，１２９Ａは逆ピラミッド型の溝、８１Ａ，８２Ａは
球体からなる位置合わせ用嵌合部材である。溝１９１，
溝１９２，溝１１９Ａ，溝１２９Ａの幅は等しくなるよ
うに形成されている。位置合わせ用嵌合部材８１Ａの直
径はＤ1 、位置合わせ用嵌合部材８２Ａの直径はＤ2で
あって、Ｄ2 ＞Ｄ1 の関係がある。
Ａ，１２９Ａは逆ピラミッド型の溝、８１Ａ，８２Ａは
球体からなる位置合わせ用嵌合部材である。溝１９１，
溝１９２，溝１１９Ａ，溝１２９Ａの幅は等しくなるよ
うに形成されている。位置合わせ用嵌合部材８１Ａの直
径はＤ1 、位置合わせ用嵌合部材８２Ａの直径はＤ2で
あって、Ｄ2 ＞Ｄ1 の関係がある。
【０１００】図示のように円柱体の直径を調節すること
によって、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との
高さを調節することができる。円柱体にガラスやセラミ
ック等の硬い材料を使用すると、精密に直径を調節でき
るので、本手段によれば、精密に副基板間の高さの調節
を行なうことができる。
によって、第１の基板１１０と、第２の基板１２０との
高さを調節することができる。円柱体にガラスやセラミ
ック等の硬い材料を使用すると、精密に直径を調節でき
るので、本手段によれば、精密に副基板間の高さの調節
を行なうことができる。
【０１０１】図１４は、本発明における高さの調節手段
(5) を示したものであって，第２の手段のうちの(e) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
(5) を示したものであって，第２の手段のうちの(e) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【０１０２】図１４において、１１９，１２９，２１
９，２２９はＶ字型の断面を有する溝、８は円柱体から
なる位置合わせ用嵌合部材である。溝１１９の幅はＷ
3 、溝１２９の幅はＷ4 、溝２１９の幅はＷ4 、溝２２
９の幅はＷ2 であって、Ｗ4 ＜Ｗ 3 かつＷ2 ＜Ｗ1 の関
係がある。
９，２２９はＶ字型の断面を有する溝、８は円柱体から
なる位置合わせ用嵌合部材である。溝１１９の幅はＷ
3 、溝１２９の幅はＷ4 、溝２１９の幅はＷ4 、溝２２
９の幅はＷ2 であって、Ｗ4 ＜Ｗ 3 かつＷ2 ＜Ｗ1 の関
係がある。
【０１０３】図示のように溝の幅を調節することによっ
て、第１の副基板１１０と第１の副嵌合基板２１０と、
第２の副基板１２０と第２の副嵌合基板２２０との高さ
を調節することができる。シリコン基板を使用すると、
精密に溝幅を調節できるので、本手段によれば、精密に
高さの調節を行なうことができる。
て、第１の副基板１１０と第１の副嵌合基板２１０と、
第２の副基板１２０と第２の副嵌合基板２２０との高さ
を調節することができる。シリコン基板を使用すると、
精密に溝幅を調節できるので、本手段によれば、精密に
高さの調節を行なうことができる。
【０１０４】図１５は、本発明における高さの調節手段
(6) を示したものであって，第２の手段のうちの(f) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
(6) を示したものであって，第２の手段のうちの(f) の
具体例を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−
Ａ断面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【０１０５】図１５において、１９ｇ，１２９ｇはＶ字
型の断面を有する溝、１９ｐ，１２９ｐは台形の断面を
有する突起である。
型の断面を有する溝、１９ｐ，１２９ｐは台形の断面を
有する突起である。
【０１０６】図示のように、周期的な溝と突起を形成し
て嵌合させると、溝または突起の幅を調節するだけで、
精密に副基板間の高さの調節を行なうことができる。な
お、複数の溝と複数の突起を組み合わせているので、溝
と溝の間を、断面が台形の突起とみなし、突起と突起の
間を、断面がＶ字型の溝とみなすことができる。シリコ
ン基板を使用すると、精密に溝幅を調節できるので、本
手段によれば、精密に副基板間の高さの調節を行なうこ
とができる。
て嵌合させると、溝または突起の幅を調節するだけで、
精密に副基板間の高さの調節を行なうことができる。な
お、複数の溝と複数の突起を組み合わせているので、溝
と溝の間を、断面が台形の突起とみなし、突起と突起の
間を、断面がＶ字型の溝とみなすことができる。シリコ
ン基板を使用すると、精密に溝幅を調節できるので、本
手段によれば、精密に副基板間の高さの調節を行なうこ
とができる。
【０１０７】なお図１５の例では、共通基板に片側に４
個の突起１９ｐを有し、両方では８個の突起を有するも
のを用いているが、この突起は片側に１個であってもよ
い。共通基板の片側に形成された突起が１個である場合
には、副基板の溝１１９ｇおよび１２９ｇも１個とする
ことができる。さらに図１５において、共通基板の片側
に１個の溝１９ｇを形成し、副基板の片側に１個の突起
１１９ｐおよび１２９ｐを形成するようにしてもよい。
個の突起１９ｐを有し、両方では８個の突起を有するも
のを用いているが、この突起は片側に１個であってもよ
い。共通基板の片側に形成された突起が１個である場合
には、副基板の溝１１９ｇおよび１２９ｇも１個とする
ことができる。さらに図１５において、共通基板の片側
に１個の溝１９ｇを形成し、副基板の片側に１個の突起
１１９ｐおよび１２９ｐを形成するようにしてもよい。
【０１０８】以上、説明したように、第２の手段の(a),
(b),(c),(d),(e),(f) において、溝の幅または円柱体も
しくは球体の直径または突起の幅を調節するだけで、精
密に副基板間の高さの調節を行なうことができるように
なる。溝の間口の位置とサイズを決定するパターンは、
フォトリソグラフィによって形成することができるの
で、容易に、極めて精密な横位置と高さの調節を行なう
ことができる。また、球体や円柱体は、機械的加工によ
って、比較的容易に精密な直径を有するものを形成でき
るので、容易に、非常に精密な横位置と高さの調節を行
なうことができる。
(b),(c),(d),(e),(f) において、溝の幅または円柱体も
しくは球体の直径または突起の幅を調節するだけで、精
密に副基板間の高さの調節を行なうことができるように
なる。溝の間口の位置とサイズを決定するパターンは、
フォトリソグラフィによって形成することができるの
で、容易に、極めて精密な横位置と高さの調節を行なう
ことができる。また、球体や円柱体は、機械的加工によ
って、比較的容易に精密な直径を有するものを形成でき
るので、容易に、非常に精密な横位置と高さの調節を行
なうことができる。
【０１０９】以下、本発明の課題を解決するための具体
的手段を列挙する。
的手段を列挙する。
【０１１０】(1) 図１６，図１８，図１９，図４２のい
ずれかに示すように、本発明の光学装置においては、チ
ップ状の第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と、球
状または円柱状の第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３
ｃ，３ｄ）とを、それぞれの光軸が一致するように配置
することによって、第１の光部品から第２の光部品を結
ぶ方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成
する。
ずれかに示すように、本発明の光学装置においては、チ
ップ状の第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と、球
状または円柱状の第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３
ｃ，３ｄ）とを、それぞれの光軸が一致するように配置
することによって、第１の光部品から第２の光部品を結
ぶ方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成
する。
【０１１１】この場合に、第１の光部品（２，２ａ，２
ｂ，２ｃ）を共通基板（１）上に載置し、第２の光部品
（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）を、共通基板（１）の表面に
設けられた第２の光部品の一部分を収容して位置決めす
る光部品ガイド溝（１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）に
よってガイドして載置するとともに、共通基板（１）上
に、第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）に対して第
１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と反対側に光部品
ガイド溝（１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）の近傍から
光軸に沿って光ビームが通過するビーム通過溝（１７，
１１ｅ）を形成し、さらに共通基板（１）上に、ビーム
通過溝と直交し、かつ光部品ガイド溝とビーム通過溝の
両者にそれぞれ一部が重なるように帯状の溝（１８，１
８１，１８２，１８４，１８５）を形成することによっ
て、共通基板（１）の面より低い位置において、ビーム
通過溝（１７，１１ｅ）を通過する光ビームを遮らない
ようにする。
ｂ，２ｃ）を共通基板（１）上に載置し、第２の光部品
（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）を、共通基板（１）の表面に
設けられた第２の光部品の一部分を収容して位置決めす
る光部品ガイド溝（１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）に
よってガイドして載置するとともに、共通基板（１）上
に、第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）に対して第
１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と反対側に光部品
ガイド溝（１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）の近傍から
光軸に沿って光ビームが通過するビーム通過溝（１７，
１１ｅ）を形成し、さらに共通基板（１）上に、ビーム
通過溝と直交し、かつ光部品ガイド溝とビーム通過溝の
両者にそれぞれ一部が重なるように帯状の溝（１８，１
８１，１８２，１８４，１８５）を形成することによっ
て、共通基板（１）の面より低い位置において、ビーム
通過溝（１７，１１ｅ）を通過する光ビームを遮らない
ようにする。
【０１１２】(2) 図１９に示すように、(1) の場合に、
共通基板（１）上に、第１の光部品（２）と第２の光部
品（３）の間に、光軸に沿って光ビームが通過する第２
のビーム通過溝（１７１）を形成するとともに、ビーム
通過溝（１７１）と直交し、かつ光部品ガイド溝（１
１）とビーム通過溝（１７１）の両者にそれぞれ一部が
重なるように帯状の溝（１８１）を形成することによっ
て、共通基板（１）の面より低い位置において、ビーム
通過溝（１７１）を通過する光ビームを遮らないように
する。
共通基板（１）上に、第１の光部品（２）と第２の光部
品（３）の間に、光軸に沿って光ビームが通過する第２
のビーム通過溝（１７１）を形成するとともに、ビーム
通過溝（１７１）と直交し、かつ光部品ガイド溝（１
１）とビーム通過溝（１７１）の両者にそれぞれ一部が
重なるように帯状の溝（１８１）を形成することによっ
て、共通基板（１）の面より低い位置において、ビーム
通過溝（１７１）を通過する光ビームを遮らないように
する。
【０１１３】(3) 図１７と図１９のいずれかに示すよう
に、(1) または(2) の場合に、共通基板（１）をシリコ
ン基板から構成し、フォトリソグラフィによって形成し
たパターンをマスクにして、ウエットエッチングでシリ
コンに異方性エッチングすることによって、光部品ガイ
ド溝（１１）と、断面がＶ字形のビーム通過溝（１７，
１７１）を形成するとともに、光部品ガイド溝（１１）
およびビーム通過溝（１７，１７１）の形成後に機械的
な研削加工によって帯状の溝（１８，１８１）を形成す
る。
に、(1) または(2) の場合に、共通基板（１）をシリコ
ン基板から構成し、フォトリソグラフィによって形成し
たパターンをマスクにして、ウエットエッチングでシリ
コンに異方性エッチングすることによって、光部品ガイ
ド溝（１１）と、断面がＶ字形のビーム通過溝（１７，
１７１）を形成するとともに、光部品ガイド溝（１１）
およびビーム通過溝（１７，１７１）の形成後に機械的
な研削加工によって帯状の溝（１８，１８１）を形成す
る。
【０１１４】(4) 図２〜図１５，図２０〜図３２，図３
４〜図４１のいずれかに示すように、本発明において
は、チップ状の第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）
と、球状または円柱状の第２の光部品（３，３ａ，３
ｂ，３ｃ）とを、それぞれの光軸が一致するように配置
することによって、第１の光部品から第２の光部品を結
ぶ方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成
する。
４〜図４１のいずれかに示すように、本発明において
は、チップ状の第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）
と、球状または円柱状の第２の光部品（３，３ａ，３
ｂ，３ｃ）とを、それぞれの光軸が一致するように配置
することによって、第１の光部品から第２の光部品を結
ぶ方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成
する。
【０１１５】この場合に、第１の光部品（２，２ａ，２
ｂ，２ｃ）と第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）
が、主面が平面である第１の副基板または第１の基板
（１（図４〜図７，図３５〜図４１については、実施形
態の説明において、（１）で示される部材は単に「基
板」と記載されているが、実質的には本手段の記載にお
ける第１の副基板または第１の基板とみなすことができ
る。以下、手段(6) および手段(7) の説明において同
じ。），１１０）と第２の副基板または第２の基板（１
２０，２００，１ｂ（図４〜図７，図３５〜図４２のい
ずれかについては、手段または実施形態の説明におい
て、（２００）および（１ｂ）で示される部材は、単に
「基板」と記載されているが、実質的には、本手段の記
載における第２の副基板または第２の基板とみなすこと
ができる。以下、手段(5),(6) および手段(7) の説明に
おいて同じ。））の二つの異なる基板の表面に個々に別
々に載置されており、かつ第１の副基板または第１の基
板（１，１１０）と第２の副基板または第２の基板（１
２０，２００，１ｂ）が互いに位置合わせされることに
より、光ビームが通過するための空間を確保するように
第１の副基板または第１の基板（１，１１０）に載置さ
れた第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と第２の副
基板または第２の基板（１２０，２００，１ｂ）に載置
された第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）の光軸の
位置合わせが行なわれ、かつ光結合されている。
ｂ，２ｃ）と第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）
が、主面が平面である第１の副基板または第１の基板
（１（図４〜図７，図３５〜図４１については、実施形
態の説明において、（１）で示される部材は単に「基
板」と記載されているが、実質的には本手段の記載にお
ける第１の副基板または第１の基板とみなすことができ
る。以下、手段(6) および手段(7) の説明において同
じ。），１１０）と第２の副基板または第２の基板（１
２０，２００，１ｂ（図４〜図７，図３５〜図４２のい
ずれかについては、手段または実施形態の説明におい
て、（２００）および（１ｂ）で示される部材は、単に
「基板」と記載されているが、実質的には、本手段の記
載における第２の副基板または第２の基板とみなすこと
ができる。以下、手段(5),(6) および手段(7) の説明に
おいて同じ。））の二つの異なる基板の表面に個々に別
々に載置されており、かつ第１の副基板または第１の基
板（１，１１０）と第２の副基板または第２の基板（１
２０，２００，１ｂ）が互いに位置合わせされることに
より、光ビームが通過するための空間を確保するように
第１の副基板または第１の基板（１，１１０）に載置さ
れた第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と第２の副
基板または第２の基板（１２０，２００，１ｂ）に載置
された第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）の光軸の
位置合わせが行なわれ、かつ光結合されている。
【０１１６】(5) さらに、図２，図３，図８，図９〜図
１５，図２０〜図３５のいずれかに示すように、上記
(4) の場合に、第１の副基板（１１０）と第２の副基板
（１２０，１ｂ）が、基板の主面に平行な面内に配置さ
れている。
１５，図２０〜図３５のいずれかに示すように、上記
(4) の場合に、第１の副基板（１１０）と第２の副基板
（１２０，１ｂ）が、基板の主面に平行な面内に配置さ
れている。
【０１１７】(6) さらに、図４〜図７，図３６〜図４１
のいずれかに示すように、上記(4)の場合に、第１の基
板（１）と第２の基板（２００）とが、各々の主面を対
向させて配置されている。
のいずれかに示すように、上記(4)の場合に、第１の基
板（１）と第２の基板（２００）とが、各々の主面を対
向させて配置されている。
【０１１８】(7) さらに、図２〜図７，図２３，図３
２，図３６〜図４１のいずれかに示すように、(5) また
は(6) の場合に、第１の副基板（１１０）あるいは第２
の副基板（１２０）の一方の基板の光軸に沿った基板表
面に、または第１の基板（１）あるいは第２の基板（２
００）の一方の基板の光軸に沿った基板表面に、エッチ
ングによりまたは機械的な研削加工によってまたはエッ
チングと機械的な研削加工の組み合わせにより、光ビー
ムを通過させるための空間を確保するための光ビーム通
過溝（１７，１２７，２０７）を形成している。
２，図３６〜図４１のいずれかに示すように、(5) また
は(6) の場合に、第１の副基板（１１０）あるいは第２
の副基板（１２０）の一方の基板の光軸に沿った基板表
面に、または第１の基板（１）あるいは第２の基板（２
００）の一方の基板の光軸に沿った基板表面に、エッチ
ングによりまたは機械的な研削加工によってまたはエッ
チングと機械的な研削加工の組み合わせにより、光ビー
ムを通過させるための空間を確保するための光ビーム通
過溝（１７，１２７，２０７）を形成している。
【０１１９】(8) 図１０，図２０，図２１に示すよう
に、(4) または(5) の場合において、さらに共通基板
（１）上に、本発明の光学装置においては、チップ状の
第１の光部品（２）と、球状または円柱状の第２の光部
品（３）とを、それぞれの光軸が一致するように配置す
ることによって、第１の光部品から第２の光部品を結ぶ
方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成す
る。
に、(4) または(5) の場合において、さらに共通基板
（１）上に、本発明の光学装置においては、チップ状の
第１の光部品（２）と、球状または円柱状の第２の光部
品（３）とを、それぞれの光軸が一致するように配置す
ることによって、第１の光部品から第２の光部品を結ぶ
方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成す
る。
【０１２０】この場合に、共通基板（１）上に、平行な
少なくとも２本のＶ字形断面を有する位置合わせ用嵌合
溝（１９）を形成し、第１の副基板（１１０）上に、平
行な少なくとも２本の位置合わせ用嵌合溝（１９）と同
じ間隔のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ溝（１１
９）を形成するとともに、第１の光部品（２）をその光
軸が副基板位置合わせ溝（１１９）と平行になるように
載置する。
少なくとも２本のＶ字形断面を有する位置合わせ用嵌合
溝（１９）を形成し、第１の副基板（１１０）上に、平
行な少なくとも２本の位置合わせ用嵌合溝（１９）と同
じ間隔のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ溝（１１
９）を形成するとともに、第１の光部品（２）をその光
軸が副基板位置合わせ溝（１１９）と平行になるように
載置する。
【０１２１】また、第２の副基板１２０上に、平行な少
なくとも２本の位置合わせ用嵌合溝（１９）と同じ間隔
のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ溝（１２９）を
形成するとともに、第２の光部品（３）の一部分を収容
して位置決めする光部品ガイド溝（１２１）を設けて、
光部品ガイド溝（１２１）に第２の光部品（３）を嵌合
させてその光軸が副基板位置合わせ溝（１２９）と平行
になるように載置する。
なくとも２本の位置合わせ用嵌合溝（１９）と同じ間隔
のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ溝（１２９）を
形成するとともに、第２の光部品（３）の一部分を収容
して位置決めする光部品ガイド溝（１２１）を設けて、
光部品ガイド溝（１２１）に第２の光部品（３）を嵌合
させてその光軸が副基板位置合わせ溝（１２９）と平行
になるように載置する。
【０１２２】そして、共通基板（１）上の位置合わせ用
嵌合溝（１９）と、両副基板上の副基板位置合わせ溝
（１１９，１２９）との間に円柱状の位置合わせ用嵌合
部材（８）を挟み込むことによって、第１の副基板（１
１０）と第２の副基板（１２０）とが共通基板上に整列
して載置され、第１の光部品（２）と第２の光部品
（３）とが相対向して配置されて両者の光軸が一致する
ようになる。
嵌合溝（１９）と、両副基板上の副基板位置合わせ溝
（１１９，１２９）との間に円柱状の位置合わせ用嵌合
部材（８）を挟み込むことによって、第１の副基板（１
１０）と第２の副基板（１２０）とが共通基板上に整列
して載置され、第１の光部品（２）と第２の光部品
（３）とが相対向して配置されて両者の光軸が一致する
ようになる。
【０１２３】(9) さらに(8) の場合に、第１の副基板の
副基板位置合わせ溝（１１９）と第２の副基板の副基板
位置合わせ溝（１２９）の幅を異ならせて、第１の副基
板（１１０）と第２の副基板（１２０）の高さを変える
ことによって、第１の光部品（２）と第２の光部品
（３）とが相対向して配置されて両者の光軸が一致する
ようになる。
副基板位置合わせ溝（１１９）と第２の副基板の副基板
位置合わせ溝（１２９）の幅を異ならせて、第１の副基
板（１１０）と第２の副基板（１２０）の高さを変える
ことによって、第１の光部品（２）と第２の光部品
（３）とが相対向して配置されて両者の光軸が一致する
ようになる。
【０１２４】(10) 図１１，図２２に示すように、(8)
の場合に、共通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９）
と、第１の副基板上の副基板位置合わせ溝（１１９）と
の間に第１の円柱状の位置合わせ用嵌合部材（８１）を
挟み込み、共通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９）
と、第２の副基板上の副基板位置合わせ溝（１２９）と
の間に第２の円柱状の位置合わせ用嵌合部材（８２）を
挟み込むとともに、第１の位置合わせ用嵌合部材（８
１）と第２の位置合わせ用嵌合部材（８２）の太さを異
ならせて、第１の副基板（１１０）と第２の副基板（１
２０）の高さを変えることによって、第１の光部品
（２）と第２の光部品（３）とが相対向して配置されて
両者の光軸が一致するようになる。
の場合に、共通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９）
と、第１の副基板上の副基板位置合わせ溝（１１９）と
の間に第１の円柱状の位置合わせ用嵌合部材（８１）を
挟み込み、共通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９）
と、第２の副基板上の副基板位置合わせ溝（１２９）と
の間に第２の円柱状の位置合わせ用嵌合部材（８２）を
挟み込むとともに、第１の位置合わせ用嵌合部材（８
１）と第２の位置合わせ用嵌合部材（８２）の太さを異
ならせて、第１の副基板（１１０）と第２の副基板（１
２０）の高さを変えることによって、第１の光部品
（２）と第２の光部品（３）とが相対向して配置されて
両者の光軸が一致するようになる。
【０１２５】(11) 図１２に示すように、(4) または(5)
の場合において、さらに共通基板（１）上に、本発明
の光学装置においては、チップ状の第１の光部品（２）
と、球状または円柱状の第２の光部品（３）とを、それ
ぞれの光軸が一致するように配置することによって、第
１の光部品から第２の光部品を結ぶ方向およびその延長
上に光軸に沿って光ビームを形成する。
の場合において、さらに共通基板（１）上に、本発明
の光学装置においては、チップ状の第１の光部品（２）
と、球状または円柱状の第２の光部品（３）とを、それ
ぞれの光軸が一致するように配置することによって、第
１の光部品から第２の光部品を結ぶ方向およびその延長
上に光軸に沿って光ビームを形成する。
【０１２６】この場合に共通基板（１）上に、４個の逆
ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝（１９１，１９２）
を長方形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わ
せ用嵌合手段または３個の逆ピラミッド状の位置合わせ
用嵌合溝を三角形の頂点に相当する位置に配置してなる
位置合わせ用嵌合手段を少なくとも２組設ける。
ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝（１９１，１９２）
を長方形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わ
せ用嵌合手段または３個の逆ピラミッド状の位置合わせ
用嵌合溝を三角形の頂点に相当する位置に配置してなる
位置合わせ用嵌合手段を少なくとも２組設ける。
【０１２７】また、第１の副基板（１１０）上に、共通
基板（１）の１組の位置合わせ用嵌合手段の各位置合わ
せ用嵌合溝（１９１）に対応する位置に４個の逆ピラミ
ッド状の位置合わせ嵌合溝（１１９Ａ）を長方形の頂点
に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌合手段ま
たは３個の逆ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝を三角
形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌
合手段を設けるとともに、第１の光部品（２）をその光
軸がこの長方形の少なくとも２辺の内側またはこの三角
形の頂点で囲まれた部分の内側に相当する領域の上空を
通過するように載置する。
基板（１）の１組の位置合わせ用嵌合手段の各位置合わ
せ用嵌合溝（１９１）に対応する位置に４個の逆ピラミ
ッド状の位置合わせ嵌合溝（１１９Ａ）を長方形の頂点
に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌合手段ま
たは３個の逆ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝を三角
形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌
合手段を設けるとともに、第１の光部品（２）をその光
軸がこの長方形の少なくとも２辺の内側またはこの三角
形の頂点で囲まれた部分の内側に相当する領域の上空を
通過するように載置する。
【０１２８】さらに、第２の副基板（１２０）上に、共
通基板（１）の他の１組の位置合わせ用嵌合手段の各位
置合わせ用嵌合溝（１９２）に対応する位置に４個の逆
ピラミッド状の位置合わせ溝（１２９Ａ）を長方形の頂
点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌合手段
または３個の逆ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝を三
角形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用
嵌合手段を設けるとともに、この長方形の少なくとも２
辺の延長線上の内側に相当する領域またはこの三角形の
内側を見通せる部位に形成された第２の光部品の一部分
を収容して位置決めする光部品ガイド溝（１２１）に第
２の光部品（３）を載置する。
通基板（１）の他の１組の位置合わせ用嵌合手段の各位
置合わせ用嵌合溝（１９２）に対応する位置に４個の逆
ピラミッド状の位置合わせ溝（１２９Ａ）を長方形の頂
点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌合手段
または３個の逆ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝を三
角形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用
嵌合手段を設けるとともに、この長方形の少なくとも２
辺の延長線上の内側に相当する領域またはこの三角形の
内側を見通せる部位に形成された第２の光部品の一部分
を収容して位置決めする光部品ガイド溝（１２１）に第
２の光部品（３）を載置する。
【０１２９】そして、共通基板（１）上の各位置合わせ
用嵌合溝と、両副基板（１１０，１２０）上の副基板位
置合わせ溝との間に球状の位置合わせ用嵌合部材（８
Ａ）を挟み込むことによって、第１の副基板（１１０）
と第２の副基板（１２０）とが共通基板上に整列して載
置され、第１の光部品（２）と第２の光部品（３）とが
相対向して配置されて両者の光軸が一致するようにな
る。
用嵌合溝と、両副基板（１１０，１２０）上の副基板位
置合わせ溝との間に球状の位置合わせ用嵌合部材（８
Ａ）を挟み込むことによって、第１の副基板（１１０）
と第２の副基板（１２０）とが共通基板上に整列して載
置され、第１の光部品（２）と第２の光部品（３）とが
相対向して配置されて両者の光軸が一致するようにな
る。
【０１３０】(12) さらに(11)の場合に、第１の副基板
の位置合わせ嵌合溝（１１９Ａ）と第２の副基板の位置
合わせ嵌合溝（１２９Ａ）の幅を異ならせて、第１の副
基板と第２の副基板の高さを変えることによって、第１
の光部品（２）と第２の光部品（３）とが相対向して配
置されて両者の光軸が一致するようになる。
の位置合わせ嵌合溝（１１９Ａ）と第２の副基板の位置
合わせ嵌合溝（１２９Ａ）の幅を異ならせて、第１の副
基板と第２の副基板の高さを変えることによって、第１
の光部品（２）と第２の光部品（３）とが相対向して配
置されて両者の光軸が一致するようになる。
【０１３１】(13) 図１３に示すように、(11)の場合
に、共通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９１）と、第
１の副基板上の位置合わせ嵌合溝（１１９Ａ）との間に
挟み込む球状の位置合わせ用嵌合部材（８１Ａ）と、共
通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９２）と、第２の副
基板上の位置合わせ嵌合溝（１２９Ａ）との間に挟み込
む球状の位置合わせ用嵌合部材（８２Ａ）との直径を異
ならせて、第１の副基板と第２の副基板の高さを変える
ことによって、前記第１の光部品（２）と第２の光部品
（３）とが相対向して配置されて両者の光軸が一致する
ようになる。
に、共通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９１）と、第
１の副基板上の位置合わせ嵌合溝（１１９Ａ）との間に
挟み込む球状の位置合わせ用嵌合部材（８１Ａ）と、共
通基板上の位置合わせ用嵌合溝（１９２）と、第２の副
基板上の位置合わせ嵌合溝（１２９Ａ）との間に挟み込
む球状の位置合わせ用嵌合部材（８２Ａ）との直径を異
ならせて、第１の副基板と第２の副基板の高さを変える
ことによって、前記第１の光部品（２）と第２の光部品
（３）とが相対向して配置されて両者の光軸が一致する
ようになる。
【０１３２】(14) 図２３に示すように、(7) または(8)
から(13)までのうちのいずれかの場合に、共通基板
（１）の基板上または第２の副基板（１２０）の基板上
または共通基板（１）と第２の副基板（１２０）の両方
の基板上に、光軸に沿って共通基板（１）または第２の
副基板（１２０）の一方の端部から他方の端部にわたっ
て、光ビームを通過させるための光ビーム通過溝（１
７，１２７）を、機械的な研削加工によって形成する。
から(13)までのうちのいずれかの場合に、共通基板
（１）の基板上または第２の副基板（１２０）の基板上
または共通基板（１）と第２の副基板（１２０）の両方
の基板上に、光軸に沿って共通基板（１）または第２の
副基板（１２０）の一方の端部から他方の端部にわたっ
て、光ビームを通過させるための光ビーム通過溝（１
７，１２７）を、機械的な研削加工によって形成する。
【０１３３】(15) 図１４，図３０，図３１，図３２，
図３４，図３５に示すように、(4) または(5) の場合に
おいて、さらに第１の副基板（１１０，１（図３５の場
合は基板（１）である。以下、本手段の記載において同
じ。）上に、本発明の光学装置においては、チップ状の
第１の光部品（２）と、球状または円柱状の第２の光部
品（３）とを、それぞれの光軸が一致するように配置す
ることによって、第１の光部品から第２の光部品を結ぶ
方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成す
る。
図３４，図３５に示すように、(4) または(5) の場合に
おいて、さらに第１の副基板（１１０，１（図３５の場
合は基板（１）である。以下、本手段の記載において同
じ。）上に、本発明の光学装置においては、チップ状の
第１の光部品（２）と、球状または円柱状の第２の光部
品（３）とを、それぞれの光軸が一致するように配置す
ることによって、第１の光部品から第２の光部品を結ぶ
方向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成す
る。
【０１３４】この場合に、第１の副基板（１１０）上
に、平行な少なくとも２本のＶ字形断面を有する第１の
副基板位置合わせ溝（１１９，１９（図３５の場合は溝
１９である。以下、本手段の記載において同じ。））を
形成するとともに、第１の光部品（２）をその光軸が第
１の副基板位置合わせ溝（１１９，１９）と平行になる
ように載置する。
に、平行な少なくとも２本のＶ字形断面を有する第１の
副基板位置合わせ溝（１１９，１９（図３５の場合は溝
１９である。以下、本手段の記載において同じ。））を
形成するとともに、第１の光部品（２）をその光軸が第
１の副基板位置合わせ溝（１１９，１９）と平行になる
ように載置する。
【０１３５】また、第１の副嵌合基板（２１０）上に、
平行な少なくとも２本のＶ字形断面を有する第１の副基
板位置合わせ溝（１１９，１９）と同じ間隔の第１の副
嵌合基板位置合わせ溝（２１９）を形成し、第１の副基
板（１１０）と第１の副嵌合基板（２１０）とを重ね合
わせて、第１の副基板位置合わせ溝（１１９，１９）と
第１の副嵌合基板位置合わせ溝（２１９）とからなる、
嵌合部材受容穴（１０）を有する第１のサブユニットを
形成する。
平行な少なくとも２本のＶ字形断面を有する第１の副基
板位置合わせ溝（１１９，１９）と同じ間隔の第１の副
嵌合基板位置合わせ溝（２１９）を形成し、第１の副基
板（１１０）と第１の副嵌合基板（２１０）とを重ね合
わせて、第１の副基板位置合わせ溝（１１９，１９）と
第１の副嵌合基板位置合わせ溝（２１９）とからなる、
嵌合部材受容穴（１０）を有する第１のサブユニットを
形成する。
【０１３６】さらに、第２の副基板上（１２０，１ｂ
（図３５の場合は基板１ｂである。以下、本手段の記載
において同じ。））に、平行な少なくとも２本のＶ字形
断面を有する第２の副基板位置合わせ溝（１２９，１９
ｂ（図３５の場合は溝１９ｂである。以下、本手段の記
載において同じ。））を形成するとともに、第２の光部
品の一部分を収容して位置決めする光部品ガイド溝（１
２１，１１ｂ）を設けて、光部品ガイド溝（１２１，１
１ｂ）に第２の光部品（３，３ｂ）を嵌合させてその光
軸が副基板位置合わせ溝（１２９，１９ｂ）と平行にな
るように載置し、第２の副嵌合基板（２２０）上に、平
行な少なくとも２本のＶ字型断面を有する第２の副基板
位置合わせ溝（１２９，１９ｂ）と同じ間隔の第２の副
嵌合基板位置合わせ溝（２２９）を形成し、第２の副基
板位置合わせ溝（１２９，１９ｂ）と第２の副嵌合基板
位置合わせ溝（２２９）とに円柱状の位置合わせ用嵌合
部材（８）を嵌合させて、第２の副基板（１２０，１
ｂ）と第２の副嵌合基板（２２０）とを重ね合わせて、
第２のサブユニットを形成する。
（図３５の場合は基板１ｂである。以下、本手段の記載
において同じ。））に、平行な少なくとも２本のＶ字形
断面を有する第２の副基板位置合わせ溝（１２９，１９
ｂ（図３５の場合は溝１９ｂである。以下、本手段の記
載において同じ。））を形成するとともに、第２の光部
品の一部分を収容して位置決めする光部品ガイド溝（１
２１，１１ｂ）を設けて、光部品ガイド溝（１２１，１
１ｂ）に第２の光部品（３，３ｂ）を嵌合させてその光
軸が副基板位置合わせ溝（１２９，１９ｂ）と平行にな
るように載置し、第２の副嵌合基板（２２０）上に、平
行な少なくとも２本のＶ字型断面を有する第２の副基板
位置合わせ溝（１２９，１９ｂ）と同じ間隔の第２の副
嵌合基板位置合わせ溝（２２９）を形成し、第２の副基
板位置合わせ溝（１２９，１９ｂ）と第２の副嵌合基板
位置合わせ溝（２２９）とに円柱状の位置合わせ用嵌合
部材（８）を嵌合させて、第２の副基板（１２０，１
ｂ）と第２の副嵌合基板（２２０）とを重ね合わせて、
第２のサブユニットを形成する。
【０１３７】そして、第２のサブユニットから突き出し
ている位置合わせ用嵌合部材（８）に、第１のサブユニ
ットの嵌合部材受容穴（１０）を嵌合させることによっ
て、第１の副基板（１１０，１）と第２の副基板（１２
０，１ｂ）とが整列して配置され、第１の光部品（２）
と第２の光部品（３，３ｂ）とが相対向して配置されて
両者の光軸が一致するようになる。
ている位置合わせ用嵌合部材（８）に、第１のサブユニ
ットの嵌合部材受容穴（１０）を嵌合させることによっ
て、第１の副基板（１１０，１）と第２の副基板（１２
０，１ｂ）とが整列して配置され、第１の光部品（２）
と第２の光部品（３，３ｂ）とが相対向して配置されて
両者の光軸が一致するようになる。
【０１３８】(16) さらに(15)の場合に、第１の副基板
位置合わせ溝（１１９，１９）と第２の副基板位置合わ
せ溝（１２９，１９ｂ）との幅を異ならせて、第１の副
基板（１１０，１）と副嵌合基板（２１０）との高さ
と、第２の副基板（１２０，１ｂ）と副嵌合基板（２２
０）との高さを異ならせることによって、第１の光部品
（２）と第２の光部品（３，３ｂ）とが相対向して配置
されて両者の光軸が一致するようになる。
位置合わせ溝（１１９，１９）と第２の副基板位置合わ
せ溝（１２９，１９ｂ）との幅を異ならせて、第１の副
基板（１１０，１）と副嵌合基板（２１０）との高さ
と、第２の副基板（１２０，１ｂ）と副嵌合基板（２２
０）との高さを異ならせることによって、第１の光部品
（２）と第２の光部品（３，３ｂ）とが相対向して配置
されて両者の光軸が一致するようになる。
【０１３９】(17) 図３２に示すように、(7),(15)また
は(16)の場合に、第２の副嵌合基板（２２０）上または
第２の副基板（１２０）上または第２の副嵌合基板（２
２０）と第２の副基板（１２０）の両方の基板上に、光
軸に沿って第２の副嵌合基板（２２０）上または第２の
副基板（１２０）上または第２の副嵌合基板（２２０）
と第２の副基板（１２０）の両方の基板上の一方から他
方の端部にわたって、光ビームを通過させるための光ビ
ーム通過溝（１２７，２２７）を、機械的な研削加工に
よって形成する。
は(16)の場合に、第２の副嵌合基板（２２０）上または
第２の副基板（１２０）上または第２の副嵌合基板（２
２０）と第２の副基板（１２０）の両方の基板上に、光
軸に沿って第２の副嵌合基板（２２０）上または第２の
副基板（１２０）上または第２の副嵌合基板（２２０）
と第２の副基板（１２０）の両方の基板上の一方から他
方の端部にわたって、光ビームを通過させるための光ビ
ーム通過溝（１２７，２２７）を、機械的な研削加工に
よって形成する。
【０１４０】(18) さらに(7),(14)または(17)の場合
に、共通基板（１）または第２の副基板（１２０）また
は第２の副嵌合基板（２２０）にシリコン基板を用い、
位置合わせ用嵌合溝（１９）または副基板位置合わせ溝
（１２９）または副嵌合基板位置合わせ溝（２２９）を
フォトリソグラフィで形成したパターンをマスクとして
ウエットエッチングによってシリコンを異方性エッチン
グして形成したのちに、ビーム通過溝（１７，１２７，
２２７）を機械的な研削加工によって形成する。
に、共通基板（１）または第２の副基板（１２０）また
は第２の副嵌合基板（２２０）にシリコン基板を用い、
位置合わせ用嵌合溝（１９）または副基板位置合わせ溝
（１２９）または副嵌合基板位置合わせ溝（２２９）を
フォトリソグラフィで形成したパターンをマスクとして
ウエットエッチングによってシリコンを異方性エッチン
グして形成したのちに、ビーム通過溝（１７，１２７，
２２７）を機械的な研削加工によって形成する。
【０１４１】(19) 図１５, 図２７，図２８，図２９の
いずれかに示すように、(4) または(5) の場合におい
て、さらに共通基板（１）上に、本発明の光学装置にお
いては、チップ状の第１の光部品（２）と、球状または
円柱状の第２の光部品（３）とを、それぞれの光軸が一
致するように配置することによって、第１の光部品から
第２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に光軸に沿っ
て光ビームを形成する。
いずれかに示すように、(4) または(5) の場合におい
て、さらに共通基板（１）上に、本発明の光学装置にお
いては、チップ状の第１の光部品（２）と、球状または
円柱状の第２の光部品（３）とを、それぞれの光軸が一
致するように配置することによって、第１の光部品から
第２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に光軸に沿っ
て光ビームを形成する。
【０１４２】この場合に、共通基板（１）上に、１個の
台形の位置合わせ用突起、または複数の台形の位置合わ
せ用突起でかつ一定の周期で平行に形成された突起（１
９ｐ）のいずれかにより構成されてなる位置合わせ用嵌
合手段を少なくとも２組設ける。
台形の位置合わせ用突起、または複数の台形の位置合わ
せ用突起でかつ一定の周期で平行に形成された突起（１
９ｐ）のいずれかにより構成されてなる位置合わせ用嵌
合手段を少なくとも２組設ける。
【０１４３】また、第１の副基板（１１０）上に、位置
合わせ用突起（１１９）と嵌合すべき１個のＶ字形断面
を有する副基板位置合わせ用溝、または複数のＶ字形断
面を有する副基板位置合わせ用溝でかつ複数の台形の位
置合わせ用突起（１９ｐ）と同じ周期で平行に形成され
た溝（１１９ｇ）のいずれかにより構成されてなる位置
合わせ用嵌合手段を少なくとも２組設けるとともに、２
組の位置合わせ用嵌合手段の間の領域に第１の光部品
（２）を載置する。
合わせ用突起（１１９）と嵌合すべき１個のＶ字形断面
を有する副基板位置合わせ用溝、または複数のＶ字形断
面を有する副基板位置合わせ用溝でかつ複数の台形の位
置合わせ用突起（１９ｐ）と同じ周期で平行に形成され
た溝（１１９ｇ）のいずれかにより構成されてなる位置
合わせ用嵌合手段を少なくとも２組設けるとともに、２
組の位置合わせ用嵌合手段の間の領域に第１の光部品
（２）を載置する。
【０１４４】さらに、第２の副基板（１２０）上に、位
置合わせ用突起（１９ｐ）と嵌合すべき１個のＶ字形断
面を有する副基板位置合わせ用溝または複数のＶ字形断
面を有する副基板位置合わせ用溝でかつ複数の台形の位
置合わせ用突起と同じ周期で平行に形成された溝（１２
９ｇ）のいずれかにより構成されてなる位置合わせ用嵌
合手段を少なくとも２組設けるとともに、２組の位置合
わせ用嵌合手段の間の領域に第２の光部品（３）の一部
分を収容して位置決めする光部品ガイド溝（１２１）を
設けて、光部品ガイド溝に第２の光部品（３）を嵌合さ
せてその光軸が副基板位置合わせ溝（１２９ｇ）に平行
になるように載置する。
置合わせ用突起（１９ｐ）と嵌合すべき１個のＶ字形断
面を有する副基板位置合わせ用溝または複数のＶ字形断
面を有する副基板位置合わせ用溝でかつ複数の台形の位
置合わせ用突起と同じ周期で平行に形成された溝（１２
９ｇ）のいずれかにより構成されてなる位置合わせ用嵌
合手段を少なくとも２組設けるとともに、２組の位置合
わせ用嵌合手段の間の領域に第２の光部品（３）の一部
分を収容して位置決めする光部品ガイド溝（１２１）を
設けて、光部品ガイド溝に第２の光部品（３）を嵌合さ
せてその光軸が副基板位置合わせ溝（１２９ｇ）に平行
になるように載置する。
【０１４５】そして、共通基板（１）上の位置合わせ用
突起（１９ｐ）に、第１の副基板（１１０）上の副基板
位置合わせ用溝（１１９ｇ）と、第２の副基板（１２
０）上の副基板位置合わせ用溝（１２９ｇ）とを嵌合さ
せることによって、第１の副基板（１１０）と第２の副
基板（１２０）とが共通基板（１）上に整列して載置さ
れ、第１の光部品（２）と第２の光部品（３）とが相対
向して配置されて両者の光軸が一致するようになる。
突起（１９ｐ）に、第１の副基板（１１０）上の副基板
位置合わせ用溝（１１９ｇ）と、第２の副基板（１２
０）上の副基板位置合わせ用溝（１２９ｇ）とを嵌合さ
せることによって、第１の副基板（１１０）と第２の副
基板（１２０）とが共通基板（１）上に整列して載置さ
れ、第１の光部品（２）と第２の光部品（３）とが相対
向して配置されて両者の光軸が一致するようになる。
【０１４６】(20) さらに、(19)の場合に、第１の副基
板（１１０）上の副基板位置合わせ用溝（１１９ｇ）と
第２の副基板（１２０）上の副基板位置合わせ用溝（１
２９ｇ）との幅を異ならせて、第１の副基板（１１０）
と第２の副基板（１２０）の高さを変えることによっ
て、第１の光部品（２）と第２の光部品（３）とが相対
向して配置されて両者の光軸が一致するようになる。
板（１１０）上の副基板位置合わせ用溝（１１９ｇ）と
第２の副基板（１２０）上の副基板位置合わせ用溝（１
２９ｇ）との幅を異ならせて、第１の副基板（１１０）
と第２の副基板（１２０）の高さを変えることによっ
て、第１の光部品（２）と第２の光部品（３）とが相対
向して配置されて両者の光軸が一致するようになる。
【０１４７】(21) 図２３，図３２に示すように、(8)
から(20)までのうちのいずれかの場合に、第２の副基板
（１２０）上に、光軸に沿って第２の副基板の一方の端
部から他方の端部にわたって、光ビームを通過させるた
めの光ビーム通過溝（１２７）を、機械的な研削加工に
よって形成する。
から(20)までのうちのいずれかの場合に、第２の副基板
（１２０）上に、光軸に沿って第２の副基板の一方の端
部から他方の端部にわたって、光ビームを通過させるた
めの光ビーム通過溝（１２７）を、機械的な研削加工に
よって形成する。
【０１４８】(22) 図３６〜図４１のいずれかに示すよ
うに、(4) または(6) の場合において、さらに共通基板
（１）上において、本発明の光学装置は、チップ状の第
１の光部品（２）と、球状または円柱状の第２の光部品
（３）とを、それぞれの光軸が一致するように配置する
ことによって、第１の光部品から第２の光部品を結ぶ方
向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成す
る。
うに、(4) または(6) の場合において、さらに共通基板
（１）上において、本発明の光学装置は、チップ状の第
１の光部品（２）と、球状または円柱状の第２の光部品
（３）とを、それぞれの光軸が一致するように配置する
ことによって、第１の光部品から第２の光部品を結ぶ方
向およびその延長上に光軸に沿って光ビームを形成す
る。
【０１４９】この場合に、第１の基板（１）上に、複数
の逆ピラミッド型の位置合わせ用嵌合溝（１９Ａ，１１
（図４１の場合は１１である。以下、この手段の説明に
おいて同じ。））が形成されているとともに、第１の基
板（１）上に第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）が
第１の光部品の光軸が位置合わせ用嵌合溝（１９Ａ，１
１）で囲まれた領域内の上空を通過するように載置さ
れ、さらに第１の基板（１）における第１の光部品
（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の光軸に対応する位置に断面
がＶ字形または逆台形のビーム通過溝（１７）が第１の
光部品（２）と第１の基板（１）の端部との間に形成さ
れるようにする。
の逆ピラミッド型の位置合わせ用嵌合溝（１９Ａ，１１
（図４１の場合は１１である。以下、この手段の説明に
おいて同じ。））が形成されているとともに、第１の基
板（１）上に第１の光部品（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）が
第１の光部品の光軸が位置合わせ用嵌合溝（１９Ａ，１
１）で囲まれた領域内の上空を通過するように載置さ
れ、さらに第１の基板（１）における第１の光部品
（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の光軸に対応する位置に断面
がＶ字形または逆台形のビーム通過溝（１７）が第１の
光部品（２）と第１の基板（１）の端部との間に形成さ
れるようにする。
【０１５０】また、第２の基板（２００）上に、複数の
逆ピラミッド型の位置合わせ用嵌合溝（２０９，２０１
（図４１の場合は、２０１が光部品ガイド溝と位置合わ
せ用嵌合溝を兼ねる。以下、この手段の説明において同
じ。））が、基板（１）の位置合わせ用嵌合溝（１９
Ａ，１１）に対応する位置に形成されているとともに、
位置合わせ用嵌合溝（２０９，２０１）によって囲まれ
た領域内に第２の光部品（３）の一部分を収容して位置
決めする光部品ガイド溝（２０１）が設けられ、かつ光
部品ガイド溝（２０１）に第２の光部品（３，３ａ，３
ｂ，３ｃ）が嵌合されるようにする。
逆ピラミッド型の位置合わせ用嵌合溝（２０９，２０１
（図４１の場合は、２０１が光部品ガイド溝と位置合わ
せ用嵌合溝を兼ねる。以下、この手段の説明において同
じ。））が、基板（１）の位置合わせ用嵌合溝（１９
Ａ，１１）に対応する位置に形成されているとともに、
位置合わせ用嵌合溝（２０９，２０１）によって囲まれ
た領域内に第２の光部品（３）の一部分を収容して位置
決めする光部品ガイド溝（２０１）が設けられ、かつ光
部品ガイド溝（２０１）に第２の光部品（３，３ａ，３
ｂ，３ｃ）が嵌合されるようにする。
【０１５１】そして、第１の基板の位置合わせ用嵌合溝
（１９Ａ，１１）と第２の基板の位置合わせ用嵌合溝
（２０９，２０１）とに、球体からなる位置合わせ用嵌
合部材（８Ａ，３ａ，３ｂ，３ｃ（図４１の場合は、３
ａ，３ｂ，３ｃが第２の光部品と位置合わせ用嵌合部材
を兼ねる。以下、この手段の説明において同じ。））を
嵌合して、第１の基板（１）と第２の基板（２００）と
を位置合わせすることによって、第１の基板と第２の基
板とが整列して配置され、第１の光部品（２，２ａ，２
ｂ，２ｃ）と第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）と
が相対向して配置されて両者の光軸が一致するようにな
る。
（１９Ａ，１１）と第２の基板の位置合わせ用嵌合溝
（２０９，２０１）とに、球体からなる位置合わせ用嵌
合部材（８Ａ，３ａ，３ｂ，３ｃ（図４１の場合は、３
ａ，３ｂ，３ｃが第２の光部品と位置合わせ用嵌合部材
を兼ねる。以下、この手段の説明において同じ。））を
嵌合して、第１の基板（１）と第２の基板（２００）と
を位置合わせすることによって、第１の基板と第２の基
板とが整列して配置され、第１の光部品（２，２ａ，２
ｂ，２ｃ）と第２の光部品（３，３ａ，３ｂ，３ｃ）と
が相対向して配置されて両者の光軸が一致するようにな
る。
【０１５２】(23) 図３８に示すように、(22)の場合
に、第２の基板（２００）上に、光軸に沿って第２の基
板の一方の端部から他方の端部にわたって、光ビームを
通過させるための光ビーム通過溝（２０７）を、機械的
な研削加工によって形成する。
に、第２の基板（２００）上に、光軸に沿って第２の基
板の一方の端部から他方の端部にわたって、光ビームを
通過させるための光ビーム通過溝（２０７）を、機械的
な研削加工によって形成する。
【０１５３】(24) さらに(21)または(23)の場合に、第
２の副基板（１２０）または第２の基板（２００）にシ
リコン基板を用い、第２の光部品（３）に対応する光部
品ガイド溝（１２１，２０１）と副基板位置合わせ溝
（１２９）または位置合わせ用嵌合溝（２０９）をフォ
トリソグラフィで形成したパターンをマスクとしてウエ
ットエッチングによってシリコンを異方性エッチングし
て形成したのちに、ビーム通過溝（１２７，２０７）を
機械的な研削加工によって形成する。
２の副基板（１２０）または第２の基板（２００）にシ
リコン基板を用い、第２の光部品（３）に対応する光部
品ガイド溝（１２１，２０１）と副基板位置合わせ溝
（１２９）または位置合わせ用嵌合溝（２０９）をフォ
トリソグラフィで形成したパターンをマスクとしてウエ
ットエッチングによってシリコンを異方性エッチングし
て形成したのちに、ビーム通過溝（１２７，２０７）を
機械的な研削加工によって形成する。
【０１５４】(25) さらに(1) から(24)までのうちのい
ずれかの場合に、第２の光部品（３）が球状であるとき
は、光部品ガイド溝（１２１，２０１）が逆ピラミッド
型の溝であり、第２の光部品（３）が円柱状であるとき
は、光部品ガイド溝が間口が矩形で、矩形の相対する２
辺に垂直な断面がＶ字形で、相対する他の２辺に垂直な
断面が逆台形の溝（１２１，２０１）から構成されるよ
うにする。
ずれかの場合に、第２の光部品（３）が球状であるとき
は、光部品ガイド溝（１２１，２０１）が逆ピラミッド
型の溝であり、第２の光部品（３）が円柱状であるとき
は、光部品ガイド溝が間口が矩形で、矩形の相対する２
辺に垂直な断面がＶ字形で、相対する他の２辺に垂直な
断面が逆台形の溝（１２１，２０１）から構成されるよ
うにする。
【０１５５】
【発明の実施の形態】図１６は、本発明の実施形態(1)-
1 を示したものであって、（ａ）は全体の組み立てを示
す鳥瞰図、（ｂ）は鳥瞰図におけるＺ−Ｚ断面図であ
る。
1 を示したものであって、（ａ）は全体の組み立てを示
す鳥瞰図、（ｂ）は鳥瞰図におけるＺ−Ｚ断面図であ
る。
【０１５６】実施形態(1)-1 においては、表面が（１０
０）面のシリコンからなる基板１に、レンズに対するガ
イド溝１１と、ビーム通過溝１７および帯状の溝１８，
１８１を形成して、半導体レーザチップ２とレンズ３を
搭載する。レンズ３は、光学ガラス（ＢＫ−７）で作製
された直径０．８ｍｍの球からなっている。これに対し
て、半導体レーザチップ２とレンズ３の中心間距離を約
５８７μｍに選ぶと半導体レーザの出力光を平行光線に
することができる。帯状の溝１８，１８１の深さは、約
１００μｍ、幅は２００μｍである。
０）面のシリコンからなる基板１に、レンズに対するガ
イド溝１１と、ビーム通過溝１７および帯状の溝１８，
１８１を形成して、半導体レーザチップ２とレンズ３を
搭載する。レンズ３は、光学ガラス（ＢＫ−７）で作製
された直径０．８ｍｍの球からなっている。これに対し
て、半導体レーザチップ２とレンズ３の中心間距離を約
５８７μｍに選ぶと半導体レーザの出力光を平行光線に
することができる。帯状の溝１８，１８１の深さは、約
１００μｍ、幅は２００μｍである。
【０１５７】図１７は、実施形態(1)-1 における基板の
製造方法を説明するものであって、（ａ），（ｂ），
（ｃ）は製作の順序を示している。
製造方法を説明するものであって、（ａ），（ｂ），
（ｃ）は製作の順序を示している。
【０１５８】（ａ）まず、シリコンからなる基板１に、
熱酸化によってＳｉＯ2 マスク７を形成したのち、フォ
トリソグラフィで、窓７１，７２を形成する。
熱酸化によってＳｉＯ2 マスク７を形成したのち、フォ
トリソグラフィで、窓７１，７２を形成する。
【０１５９】（ｂ）次に、アルカリエッチャントを用い
てウエットエッチングを行なって、（１１１）面からな
るガイド溝１１およびビーム通過溝１７を形成する。ガ
イド溝１１とビーム通過溝１７の間には、１０μｍの間
隔を残しておく。
てウエットエッチングを行なって、（１１１）面からな
るガイド溝１１およびビーム通過溝１７を形成する。ガ
イド溝１１とビーム通過溝１７の間には、１０μｍの間
隔を残しておく。
【０１６０】（ｃ）次いで、ダイシングソーを用いてＡ
に沿って図１６に示す帯状溝１８，１８１を形成し、次
いでＢに沿って切断すると、基板が形成される。
に沿って図１６に示す帯状溝１８，１８１を形成し、次
いでＢに沿って切断すると、基板が形成される。
【０１６１】次に半導体レーザチップ２とレンズ３を搭
載すると、図１６に示された光学装置になる。なお、本
実施形態において、レンズ３の代わりに、屈折率が中心
から外側に向かって徐々に小さくなる屈折率分布を持
つ、円柱状レンズを使用してもよい。ただしこの場合
は、レンズガイド溝の形状を、レンズ形状に合致するよ
うに調節する必要があることはいうまでもない。
載すると、図１６に示された光学装置になる。なお、本
実施形態において、レンズ３の代わりに、屈折率が中心
から外側に向かって徐々に小さくなる屈折率分布を持
つ、円柱状レンズを使用してもよい。ただしこの場合
は、レンズガイド溝の形状を、レンズ形状に合致するよ
うに調節する必要があることはいうまでもない。
【０１６２】図１８は本発明の実施形態(1)-2 を示した
ものであって、レンズに円柱状のものを用いる場合の具
体的一実施形態を示す。ここに（ａ）は平面図、（ｂ）
は平面図をＺ−Ｚで切断した断面図、（ｃ）は（ｂ）の
右側側面図（切断しない状態）である。レンズ３は、直
径が０．８ｍｍで、成分に金属イオンを含む円柱状ガラ
スに表面から他の金属イオンを拡散し、中心から外側に
向かって徐々に低くなる屈折率分布を形成したものであ
る。レンズの長さは２．４ｍｍである。ガイド溝１１は
幅が９７２μｍ、長さが２９５８μｍの間口を持つ窓を
用いて異方性エッチングし、形成したものである。
ものであって、レンズに円柱状のものを用いる場合の具
体的一実施形態を示す。ここに（ａ）は平面図、（ｂ）
は平面図をＺ−Ｚで切断した断面図、（ｃ）は（ｂ）の
右側側面図（切断しない状態）である。レンズ３は、直
径が０．８ｍｍで、成分に金属イオンを含む円柱状ガラ
スに表面から他の金属イオンを拡散し、中心から外側に
向かって徐々に低くなる屈折率分布を形成したものであ
る。レンズの長さは２．４ｍｍである。ガイド溝１１は
幅が９７２μｍ、長さが２９５８μｍの間口を持つ窓を
用いて異方性エッチングし、形成したものである。
【０１６３】このような溝にレンズ３をはめ込むと、
（ｂ）および（ｃ）のようにレンズの端面および側面が
溝の壁面に接するので、レンズは面内の２方向の自由度
を束縛され位置決めされる。このときの基板表面からみ
た光軸高さは５μｍで、半導体レーザ２の光軸高さと一
致する。溝１７は溝１１と同じ幅に形成されている。帯
状の溝１８を形成する前の溝１１と溝１７の間隔は１０
μｍ、帯状の溝１８の幅は２００μｍである。
（ｂ）および（ｃ）のようにレンズの端面および側面が
溝の壁面に接するので、レンズは面内の２方向の自由度
を束縛され位置決めされる。このときの基板表面からみ
た光軸高さは５μｍで、半導体レーザ２の光軸高さと一
致する。溝１７は溝１１と同じ幅に形成されている。帯
状の溝１８を形成する前の溝１１と溝１７の間隔は１０
μｍ、帯状の溝１８の幅は２００μｍである。
【０１６４】レンズには、両端面が球状である円柱状レ
ンズを用いてもよい。図１８（ｄ）はそのような例であ
る。ここに図１８（ｄ）は図１８（ｃ）において、レン
ズ３のみを入れ替えたものである。この場合にはレンズ
端面の曲率に対応して、溝１１の長さを調節することは
いうまでもない。
ンズを用いてもよい。図１８（ｄ）はそのような例であ
る。ここに図１８（ｄ）は図１８（ｃ）において、レン
ズ３のみを入れ替えたものである。この場合にはレンズ
端面の曲率に対応して、溝１１の長さを調節することは
いうまでもない。
【０１６５】実施形態(1)-1,(1)-2 によって、平行化さ
れたレーザビームを出力するレーザモジュールを実現す
ることができる。本実施形態によれば、レンズガイド溝
とビーム通過溝とを、同時にエッチングすることができ
るので、製造時間を短縮できる効果がある。また、エッ
チングの際、レンズガイド溝は独立した矩形の溝として
エッチングされるので、レンズを確実にガイドできる溝
が実現される。
れたレーザビームを出力するレーザモジュールを実現す
ることができる。本実施形態によれば、レンズガイド溝
とビーム通過溝とを、同時にエッチングすることができ
るので、製造時間を短縮できる効果がある。また、エッ
チングの際、レンズガイド溝は独立した矩形の溝として
エッチングされるので、レンズを確実にガイドできる溝
が実現される。
【０１６６】また、半導体レーザチップの位置決めに、
図４６〜図４８に示された方法を用いると、半導体レー
ザチップとレンズとは、精密に位置合わせされる。ま
た、ダイシングソーで帯状溝を形成するだけで、レーザ
ビーム通過溝が確保されるので、製造時間を短縮できる
効果がある。なお、本実施形態によるレーザモジュール
は、レーザビームを２００μｍまで広げても、出力光が
遮光されることはない。
図４６〜図４８に示された方法を用いると、半導体レー
ザチップとレンズとは、精密に位置合わせされる。ま
た、ダイシングソーで帯状溝を形成するだけで、レーザ
ビーム通過溝が確保されるので、製造時間を短縮できる
効果がある。なお、本実施形態によるレーザモジュール
は、レーザビームを２００μｍまで広げても、出力光が
遮光されることはない。
【０１６７】図１９は、本発明の実施形態(2) を示した
ものであって、半導体レーザチップとレンズとの間の距
離が長くなる場合に、半導体レーザチップとレンズの間
にもビーム通過溝を生成する場合を示し、（ａ）は第１
の例、（ｂ）は第２の例をそれぞれ示す。
ものであって、半導体レーザチップとレンズとの間の距
離が長くなる場合に、半導体レーザチップとレンズの間
にもビーム通過溝を生成する場合を示し、（ａ）は第１
の例、（ｂ）は第２の例をそれぞれ示す。
【０１６８】図１９（ａ）の例は、図１６に示された実
施形態(1) の光学装置において、半導体レーザチップ２
とレンズ３間の距離を７０４μｍまで広げ、光ビーム２
６を収束させて、光ファイバ３１に結合するようにした
ものである。また図１４（ｂ）の例は、実施形態(1) の
光学装置において、ファイバガイド溝１３と、帯状の溝
１８２とを加えたものである。
施形態(1) の光学装置において、半導体レーザチップ２
とレンズ３間の距離を７０４μｍまで広げ、光ビーム２
６を収束させて、光ファイバ３１に結合するようにした
ものである。また図１４（ｂ）の例は、実施形態(1) の
光学装置において、ファイバガイド溝１３と、帯状の溝
１８２とを加えたものである。
【０１６９】本実施形態においても、レンズ３に、屈折
率が中心から外側に向かって徐々に小さくなるようにし
た屈折率分布を持つ、円柱状レンズを使用してもよい。
ただしこの場合は、レンズガイド溝の形状を、レンズ形
状に合致するように調節する必要があることはいうまで
もない。
率が中心から外側に向かって徐々に小さくなるようにし
た屈折率分布を持つ、円柱状レンズを使用してもよい。
ただしこの場合は、レンズガイド溝の形状を、レンズ形
状に合致するように調節する必要があることはいうまで
もない。
【０１７０】本実施形態によれば、集光位置において
は、半導体レーザの出射ビームのスポット径が約５倍に
拡大される。そのため、集光位置にシングルモード光フ
ァイバ３１を配置することによって、結合トレランスと
結合効率とを向上させることができる。
は、半導体レーザの出射ビームのスポット径が約５倍に
拡大される。そのため、集光位置にシングルモード光フ
ァイバ３１を配置することによって、結合トレランスと
結合効率とを向上させることができる。
【０１７１】図２０は、本発明の実施形態(3) を示した
ものであって、光部品を搭載する基板を二つ以上の副基
板に分割して、半導体レーザチップの光軸高さを調節す
る光学装置を示し、（ａ）は組み立て前の各基板の構
成、（ｂ）は各基板を結合した状態をそれぞれ示す。
ものであって、光部品を搭載する基板を二つ以上の副基
板に分割して、半導体レーザチップの光軸高さを調節す
る光学装置を示し、（ａ）は組み立て前の各基板の構
成、（ｂ）は各基板を結合した状態をそれぞれ示す。
【０１７２】図２０（ａ）に示すように、本実施形態に
おいては、半導体レーザチップ２は副基板１１０に搭載
され、レンズ３は副基板１２０に搭載される。
おいては、半導体レーザチップ２は副基板１１０に搭載
され、レンズ３は副基板１２０に搭載される。
【０１７３】図２０（ｂ）に示すように、共通の基板１
に形成した溝１９に円柱状の位置合わせ用嵌合部材８を
嵌合させ、さらに、位置合わせ用嵌合部材８に副基板１
１０の溝１１９と副基板１２０の溝１２９を嵌合させ
て、位置合わせを行なう。ここで、２０は半導体レーザ
チップ２に対する逃げ溝および配線用逃げ溝、１３は光
ファイバ用ガイド溝、３１は光ファイバ、３２は光ファ
イバ用フェルールである。なお、図示省略しているが、
基板１１０の表面には、半導体レーザに電流を供給する
ための、配線電極を形成する。また、副基板１１０が、
共通基板より飛び出しているのは、配線電極と外部電極
との接続を容易にするためである。
に形成した溝１９に円柱状の位置合わせ用嵌合部材８を
嵌合させ、さらに、位置合わせ用嵌合部材８に副基板１
１０の溝１１９と副基板１２０の溝１２９を嵌合させ
て、位置合わせを行なう。ここで、２０は半導体レーザ
チップ２に対する逃げ溝および配線用逃げ溝、１３は光
ファイバ用ガイド溝、３１は光ファイバ、３２は光ファ
イバ用フェルールである。なお、図示省略しているが、
基板１１０の表面には、半導体レーザに電流を供給する
ための、配線電極を形成する。また、副基板１１０が、
共通基板より飛び出しているのは、配線電極と外部電極
との接続を容易にするためである。
【０１７４】本実施形態では、位置合わせ用嵌合部材８
を円柱としたが、図１２および図１３について説明した
ように、位置合わせ用嵌合部材を球体とし、溝１９，１
１９，１２９を四角錐状の溝としてもよい。
を円柱としたが、図１２および図１３について説明した
ように、位置合わせ用嵌合部材を球体とし、溝１９，１
１９，１２９を四角錐状の溝としてもよい。
【０１７５】図２１は、実施形態(3) による光学装置の
断面構造図であって、（ａ）,(ｂ）は図２０（ｂ）のＸ
−Ｘにおけるは半導体レーザチップ搭載側およびレンズ
搭載側の断面図、（ｃ）は同じくＺ−Ｚ断面図である。
図２０におけると同じものを同じ番号で示し、２ｉは半
導体レーザチップの仮想位置を示す。
断面構造図であって、（ａ）,(ｂ）は図２０（ｂ）のＸ
−Ｘにおけるは半導体レーザチップ搭載側およびレンズ
搭載側の断面図、（ｃ）は同じくＺ−Ｚ断面図である。
図２０におけると同じものを同じ番号で示し、２ｉは半
導体レーザチップの仮想位置を示す。
【０１７６】本実施形態においては、溝１２９の幅を溝
１１９の幅より狭くすることによって、副基板１２０を
副基板１１０よりｄ1 だけ高くし、基板１２０と基板１
の間に、光ビーム通過用の十分大きな空間を確保してい
る。具体的寸法は、溝１９，溝１２９，溝１１，溝１
３，溝１２１，溝１２３の間口のサイズが８３８μｍ、
溝１１９の幅が９７３μｍ、位置合わせ用嵌合部材８と
レンズ３およびファイバフェルール３２の直径が、０．
８ｍｍである。この場合、ｄ1 の値は、約１００μｍで
ある。基板１と光軸との距離が約１００μｍなので、基
板１と基板１２０との間には、約２００μｍの空間が形
成される。
１１９の幅より狭くすることによって、副基板１２０を
副基板１１０よりｄ1 だけ高くし、基板１２０と基板１
の間に、光ビーム通過用の十分大きな空間を確保してい
る。具体的寸法は、溝１９，溝１２９，溝１１，溝１
３，溝１２１，溝１２３の間口のサイズが８３８μｍ、
溝１１９の幅が９７３μｍ、位置合わせ用嵌合部材８と
レンズ３およびファイバフェルール３２の直径が、０．
８ｍｍである。この場合、ｄ1 の値は、約１００μｍで
ある。基板１と光軸との距離が約１００μｍなので、基
板１と基板１２０との間には、約２００μｍの空間が形
成される。
【０１７７】基板１と基板１１０との対向する面間の距
離、または基板１と基板１２０の対向する面間の距離
は、溝１９の幅と溝１１９の幅と溝１２９の幅、または
位置合わせ用嵌合部材８の直径を調節して、変化させる
ことができる。また、基板１１０と基板１２０の相対高
さの差ｄ1 は、溝１１９と溝１２９の幅によって、調節
することができる。
離、または基板１と基板１２０の対向する面間の距離
は、溝１９の幅と溝１１９の幅と溝１２９の幅、または
位置合わせ用嵌合部材８の直径を調節して、変化させる
ことができる。また、基板１１０と基板１２０の相対高
さの差ｄ1 は、溝１１９と溝１２９の幅によって、調節
することができる。
【０１７８】図２２は、本発明の実施形態(4) を示した
ものであって、光部品を搭載する基板を二つ以上の副基
板に分割して、半導体レーザチップの光学高さを調節す
る光学装置の他の例を示している。
ものであって、光部品を搭載する基板を二つ以上の副基
板に分割して、半導体レーザチップの光学高さを調節す
る光学装置の他の例を示している。
【０１７９】上下の基板間の距離は、図２２に示すよう
に、位置合わせ用嵌合部材を、太さの異なる位置合わせ
用嵌合部材８１と、位置合わせ用嵌合部材８２に分割す
ることによっても調整することができる。さらに溝１９
を二つに分割して、その相対的幅を調節してもよい。
に、位置合わせ用嵌合部材を、太さの異なる位置合わせ
用嵌合部材８１と、位置合わせ用嵌合部材８２に分割す
ることによっても調整することができる。さらに溝１９
を二つに分割して、その相対的幅を調節してもよい。
【０１８０】このように、溝１９，溝１１９，溝１２９
または位置合わせ用嵌合部材８，８１，８２の直径を調
節するか、またはこれらの組み合わせによって、基板１
１０と基板１２０の相対的高さの差ｄ1 を調節すること
ができる。
または位置合わせ用嵌合部材８，８１，８２の直径を調
節するか、またはこれらの組み合わせによって、基板１
１０と基板１２０の相対的高さの差ｄ1 を調節すること
ができる。
【０１８１】なお、本実施形態に一見、類似するものと
して、特開昭５５−４５０５１号公報に開示された技術
がある。しかしながら、この技術は、光ファイバと光フ
ァイバの結合、すなわち、形状，寸法，性質が同一の光
部品間の位置合わせに関するものである。これに対し
て、本発明は、半導体レーザチップとレンズ、または半
導体レーザチップとレンズと光ファイバのように、その
形状と寸法と性質が大きく異なる部品間の光結合に関す
るものである。そのため、本発明と上記公知技術とは、
本質的な技術課題を異にしている。具体的には、本発明
の対象となる技術においては、高さの精密な調節が必要
となるが、上記公知技術に記載されたものにおいては、
高さの調節は必要でない。
して、特開昭５５−４５０５１号公報に開示された技術
がある。しかしながら、この技術は、光ファイバと光フ
ァイバの結合、すなわち、形状，寸法，性質が同一の光
部品間の位置合わせに関するものである。これに対し
て、本発明は、半導体レーザチップとレンズ、または半
導体レーザチップとレンズと光ファイバのように、その
形状と寸法と性質が大きく異なる部品間の光結合に関す
るものである。そのため、本発明と上記公知技術とは、
本質的な技術課題を異にしている。具体的には、本発明
の対象となる技術においては、高さの精密な調節が必要
となるが、上記公知技術に記載されたものにおいては、
高さの調節は必要でない。
【０１８２】次に、さらに他の実施形態について説明す
る。図２０〜図２２に示された実施形態のように、部品
を搭載すべき基板を分割すると、機械加工によってビー
ム通過溝を形成するのが容易になる。
る。図２０〜図２２に示された実施形態のように、部品
を搭載すべき基板を分割すると、機械加工によってビー
ム通過溝を形成するのが容易になる。
【０１８３】図２３は、本発明の実施形態(5) を示した
ものであって、機械加工によってビーム通過溝を形成す
る例を示している。（ａ）は組み立て前の各基板の構
成、（ｂ），（ｃ）は各基板を結合した状態におけるＸ
−Ｘ断面図をそれぞれ示し、３ｉはレンズ３の仮想的な
搭載位置を示す。
ものであって、機械加工によってビーム通過溝を形成す
る例を示している。（ａ）は組み立て前の各基板の構
成、（ｂ），（ｃ）は各基板を結合した状態におけるＸ
−Ｘ断面図をそれぞれ示し、３ｉはレンズ３の仮想的な
搭載位置を示す。
【０１８４】本実施形態においては、ダイシングソーに
よって、基板１と基板１２０の表面にビーム通過溝１７
およびビーム通過溝１２７を形成する。ダイシングソー
では、溝の形成のために、円板状の治工具を使用する。
そのため、基板１１０と基板１２０がつながっている
と、図１（ｂ）に示されたように、半導体レーザチップ
を搭載すべき部分２Ｘに窪み（溝）ができてしまい、半
導体レーザチップの搭載に不都合を生じるが、本実施形
態では、基板を分割しているので、ビーム通過溝の形成
に基づく、このような不都合を生じることはない。
よって、基板１と基板１２０の表面にビーム通過溝１７
およびビーム通過溝１２７を形成する。ダイシングソー
では、溝の形成のために、円板状の治工具を使用する。
そのため、基板１１０と基板１２０がつながっている
と、図１（ｂ）に示されたように、半導体レーザチップ
を搭載すべき部分２Ｘに窪み（溝）ができてしまい、半
導体レーザチップの搭載に不都合を生じるが、本実施形
態では、基板を分割しているので、ビーム通過溝の形成
に基づく、このような不都合を生じることはない。
【０１８５】さらに、基板の分割を行なうと、次のよう
な効果も生じる。例えば、球状のレンズ３の固定に低融
点ガラスを使用すると、高い信頼性が得られるが、低融
点ガラスによるレンズ３の固定時には、４００°Ｃ以上
の高温で加熱する必要がある（例えば１９９２年電子情
報通信学会秋季大会，講演論文集４−２３５所載）。
な効果も生じる。例えば、球状のレンズ３の固定に低融
点ガラスを使用すると、高い信頼性が得られるが、低融
点ガラスによるレンズ３の固定時には、４００°Ｃ以上
の高温で加熱する必要がある（例えば１９９２年電子情
報通信学会秋季大会，講演論文集４−２３５所載）。
【０１８６】この引用例の記載によれば、半導体レーザ
チップとレンズとが同じ基板に搭載されているため、場
合によっては、熱によって半導体レーザが劣化したり、
または半導体レーザが基板から剥がれる等の問題を生じ
る。しかしながら、本発明のように、基板を分割すれ
ば、このような問題を生じることはなくなる。
チップとレンズとが同じ基板に搭載されているため、場
合によっては、熱によって半導体レーザが劣化したり、
または半導体レーザが基板から剥がれる等の問題を生じ
る。しかしながら、本発明のように、基板を分割すれ
ば、このような問題を生じることはなくなる。
【０１８７】図２４は、本発明の実施形態(6) を示した
ものであって、光ファイバを着脱可能なパッケージング
を実現した場合の例を示している。
ものであって、光ファイバを着脱可能なパッケージング
を実現した場合の例を示している。
【０１８８】図２４に示すように、パッケージング用ケ
ース３３等に、ネジ部を形成し、これに他のネジ部３４
を組み合わせ、さらにネジ部３４を利用してフェルール
３２を接続して、半導体レーザチップ２からの光を、レ
ンズ３を介してフェルール３２に保持された光ファイバ
３１に結合できるように、光モジュール装置１０１を構
成する。
ース３３等に、ネジ部を形成し、これに他のネジ部３４
を組み合わせ、さらにネジ部３４を利用してフェルール
３２を接続して、半導体レーザチップ２からの光を、レ
ンズ３を介してフェルール３２に保持された光ファイバ
３１に結合できるように、光モジュール装置１０１を構
成する。
【０１８９】このようにすることによって、光モジュー
ル装置１０１を、伝送装置等に組み込んだのちに、光フ
ァイバを実装することが可能となる。これによって、光
モジュール装置１０１を伝送装置等に組み込む際に、長
い光ファイバが組立作業の邪魔になるという、従来の問
題を解決することができる。
ル装置１０１を、伝送装置等に組み込んだのちに、光フ
ァイバを実装することが可能となる。これによって、光
モジュール装置１０１を伝送装置等に組み込む際に、長
い光ファイバが組立作業の邪魔になるという、従来の問
題を解決することができる。
【０１９０】図２５は、本発明の実施形態(7) を示した
ものであって、気密封止した光ファイバを着脱可能なパ
ッケージングを実現した場合の例を示している。
ものであって、気密封止した光ファイバを着脱可能なパ
ッケージングを実現した場合の例を示している。
【０１９１】図２５に示すように、フランジ付筒状部品
３５を、パッケージング用ケース３３とは分離したもの
として構成し、フランジ付筒状部品３５の先端に、金属
膜３８を被着させた透明板３７をはりつけたものを用
い、これを溶接部３６でパッケージング用ケース３３に
溶接することによって、気密構造とする。
３５を、パッケージング用ケース３３とは分離したもの
として構成し、フランジ付筒状部品３５の先端に、金属
膜３８を被着させた透明板３７をはりつけたものを用
い、これを溶接部３６でパッケージング用ケース３３に
溶接することによって、気密構造とする。
【０１９２】このフランジ付筒状部品３５に、光ファイ
バ３１を収容したフェルール３２を挿入して、ネジ部３
４によって固定することによって、半導体レーザチップ
２に対する、気密封止された光ファイバの接続部を形成
することができる。
バ３１を収容したフェルール３２を挿入して、ネジ部３
４によって固定することによって、半導体レーザチップ
２に対する、気密封止された光ファイバの接続部を形成
することができる。
【０１９３】以上説明した各実施形態は、半導体レーザ
チップおよびレンズがそれぞれ１個からなる光学装置に
関するものであるが、本発明はこれに限定されず、複数
の半導体レーザチップおよびレンズを含む光学装置およ
び光導波路を含む光学装置にも適用可能である。
チップおよびレンズがそれぞれ１個からなる光学装置に
関するものであるが、本発明はこれに限定されず、複数
の半導体レーザチップおよびレンズを含む光学装置およ
び光導波路を含む光学装置にも適用可能である。
【０１９４】図２６は、本発明の実施形態(8) を示した
ものであって、基板１に対して、４個の半導体レーザチ
ップ２を搭載した副基板１１０と、４個のレンズ３を搭
載した副基板１２０と、光導波路１３１を形成した副基
板１３０とを含む光学装置を例示している。
ものであって、基板１に対して、４個の半導体レーザチ
ップ２を搭載した副基板１１０と、４個のレンズ３を搭
載した副基板１２０と、光導波路１３１を形成した副基
板１３０とを含む光学装置を例示している。
【０１９５】図２６において、光導波路１３１は、ガラ
ス製副基板１３０上に、金属イオンを拡散して形成した
ものである。また、１３９は、ダイシングソーを用いて
副基板１３０上に形成した、副基板位置合わせ溝であ
る。
ス製副基板１３０上に、金属イオンを拡散して形成した
ものである。また、１３９は、ダイシングソーを用いて
副基板１３０上に形成した、副基板位置合わせ溝であ
る。
【０１９６】基板１上の、円柱状の位置合わせ用嵌合部
材８に、副基板１１０の副基板位置合わせ溝１１９と、
副基板１２０の副基板位置合わせ溝１２９と、副基板１
３０の副基板位置合わせ溝１３９とをそれぞれ嵌合させ
て配列することによって、高さを調節して、各半導体レ
ーザチップ２からの光を、それぞれレンズ３を介して、
光導波路１３１に光結合する。
材８に、副基板１１０の副基板位置合わせ溝１１９と、
副基板１２０の副基板位置合わせ溝１２９と、副基板１
３０の副基板位置合わせ溝１３９とをそれぞれ嵌合させ
て配列することによって、高さを調節して、各半導体レ
ーザチップ２からの光を、それぞれレンズ３を介して、
光導波路１３１に光結合する。
【０１９７】本実施形態の構成によれば、互いに発振波
長が異なる複数の半導体レーザを用いて、波長多重通信
用の光源モジュールを形成することができる。
長が異なる複数の半導体レーザを用いて、波長多重通信
用の光源モジュールを形成することができる。
【０１９８】また、副基板の配列には、共通基板に形成
した突起と副基板に形成した溝との嵌合、または、共通
基板に形成した溝と副基板に形成した突起との嵌合を用
いることもできる。
した突起と副基板に形成した溝との嵌合、または、共通
基板に形成した溝と副基板に形成した突起との嵌合を用
いることもできる。
【０１９９】図２７は、本発明の実施形態(9) を示した
ものであって、（ａ）は組み立て前の各基板の構成、
（ｂ）は各基板を結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図を
それぞれ示す。
ものであって、（ａ）は組み立て前の各基板の構成、
（ｂ）は各基板を結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図を
それぞれ示す。
【０２００】図２７においては、共通の基板１に突起１
９ｐと溝１９ｇとからなるストライプ状の周期的な凹凸
を形成し、副基板１１０に突起１１９ｐと溝１１９ｇと
からなるストライプ状の周期的な凹凸を形成し、副基板
１２０に突起１２９ｐと溝１２９ｇとからなるストライ
プ状の周期的な凹凸を形成して、これらの凹凸を嵌合さ
せて、各基板の横位置と高さを合わせることが示されて
いる。
９ｐと溝１９ｇとからなるストライプ状の周期的な凹凸
を形成し、副基板１１０に突起１１９ｐと溝１１９ｇと
からなるストライプ状の周期的な凹凸を形成し、副基板
１２０に突起１２９ｐと溝１２９ｇとからなるストライ
プ状の周期的な凹凸を形成して、これらの凹凸を嵌合さ
せて、各基板の横位置と高さを合わせることが示されて
いる。
【０２０１】図２８は、実施形態(9) による光学装置の
断面構造図であって、図２７（ｂ）におけるＸ−Ｘ断面
図を示し、（ａ）,(ｂ）はそれぞれ異なる副基板の側断
面図を示している。
断面構造図であって、図２７（ｂ）におけるＸ−Ｘ断面
図を示し、（ａ）,(ｂ）はそれぞれ異なる副基板の側断
面図を示している。
【０２０２】図２７および図２８において、溝１９ｇ，
溝１１９ｇ，溝１２９ｇは、シリコン基板の（１００）
面を異方性エッチングして形成したものである。各溝の
ピッチは、２００μｍである。溝の幅は、溝１９ｇが１
９０μｍ、溝１１９ｇが１８０μｍ、溝１２９ｇが３８
μｍである。１９ｐ，１１９ｐ，１２９ｐは、台形の突
起である。この場合、副基板１１９と副基板１２９の相
対的な高さの差は、約１００μｍとなる。
溝１１９ｇ，溝１２９ｇは、シリコン基板の（１００）
面を異方性エッチングして形成したものである。各溝の
ピッチは、２００μｍである。溝の幅は、溝１９ｇが１
９０μｍ、溝１１９ｇが１８０μｍ、溝１２９ｇが３８
μｍである。１９ｐ，１１９ｐ，１２９ｐは、台形の突
起である。この場合、副基板１１９と副基板１２９の相
対的な高さの差は、約１００μｍとなる。
【０２０３】実施形態(9) によっても、横位置と高さと
を精密に調整することが容易である。さらに、本実施形
態の場合、位置合わせ用嵌合部材が不要になるため、部
材コストが低減される効果があるとともに、組立が容易
になる効果がある。また溝１９ｇ，溝１１９ｇ，溝１２
９ｇを周期的に形成したため、比較的浅い溝にすること
ができ、比較的薄い基板を使用しても、基板の機械的強
度が低下しにくくなる効果がある。
を精密に調整することが容易である。さらに、本実施形
態の場合、位置合わせ用嵌合部材が不要になるため、部
材コストが低減される効果があるとともに、組立が容易
になる効果がある。また溝１９ｇ，溝１１９ｇ，溝１２
９ｇを周期的に形成したため、比較的浅い溝にすること
ができ、比較的薄い基板を使用しても、基板の機械的強
度が低下しにくくなる効果がある。
【０２０４】図２９は、本発明の実施形態(10)を示した
ものであって、（ａ）は組み立て前の各基板の構成、
（ｂ）は各基板を結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図を
それぞれ示す。図２７におけると同じものを同じ番号で
示し、１３９ｐ，１３９ｇは、それぞれ副基板１３０に
形成された突起と溝である。
ものであって、（ａ）は組み立て前の各基板の構成、
（ｂ）は各基板を結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図を
それぞれ示す。図２７におけると同じものを同じ番号で
示し、１３９ｐ，１３９ｇは、それぞれ副基板１３０に
形成された突起と溝である。
【０２０５】実施形態(10)は、基板１に対して、半導体
レーザチップ２を搭載した副基板１１０と、レンズ３を
搭載した副基板１２０と、光導波路（図示せず）を形成
した副基板１３０とを含む光学装置を例示し、溝と突起
とによって、位置合わせと高さの調節とを行なう例を示
している。
レーザチップ２を搭載した副基板１１０と、レンズ３を
搭載した副基板１２０と、光導波路（図示せず）を形成
した副基板１３０とを含む光学装置を例示し、溝と突起
とによって、位置合わせと高さの調節とを行なう例を示
している。
【０２０６】図２９において、副基板１３０はシリコン
基板であり、導波路は石英導波路である。図中、１３２
はアンダークラッド層，コア層，およびオーバークラッ
ドに用いられた光導波路材料層である。副基板１３０上
の副基板位置合わせ溝１３９ｇはダイシングソーによっ
て形成した。
基板であり、導波路は石英導波路である。図中、１３２
はアンダークラッド層，コア層，およびオーバークラッ
ドに用いられた光導波路材料層である。副基板１３０上
の副基板位置合わせ溝１３９ｇはダイシングソーによっ
て形成した。
【０２０７】なお、本実施形態においても、光導波路
に、ガラス製副基板に金属イオンを拡散して形成したも
のを使用可能なことはいうまでもない。
に、ガラス製副基板に金属イオンを拡散して形成したも
のを使用可能なことはいうまでもない。
【０２０８】次に、複数の独立したサブユニットを形成
し、かつ、複数の独立したサブユニットに部品を搭載し
たのち、位置合わせ用嵌合部材を用いて、複数のサブユ
ニットを位置合わせして、光結合する実施形態を説明す
る。
し、かつ、複数の独立したサブユニットに部品を搭載し
たのち、位置合わせ用嵌合部材を用いて、複数のサブユ
ニットを位置合わせして、光結合する実施形態を説明す
る。
【０２０９】図３０は、本発明の実施形態(11)を示した
ものであって、（ａ）はレーザ部とレンズ部との組立前
の状態、（ｂ）はレーザ部とレンズ部とを組み立てた状
態、（ｃ）はレーザ部とレンズ部とを一体化した状態を
それぞれ示す。
ものであって、（ａ）はレーザ部とレンズ部との組立前
の状態、（ｂ）はレーザ部とレンズ部とを組み立てた状
態、（ｃ）はレーザ部とレンズ部とを一体化した状態を
それぞれ示す。
【０２１０】実施形態(11)においては、基板を半導体レ
ーザチップ２を搭載するための副基板１１０と、レンズ
３を搭載するための副基板１２０とに区分し、それぞれ
の副基板に、副嵌合基板２１０と副嵌合基板２２０を組
み合わせて、それぞれサブユニットを形成する。
ーザチップ２を搭載するための副基板１１０と、レンズ
３を搭載するための副基板１２０とに区分し、それぞれ
の副基板に、副嵌合基板２１０と副嵌合基板２２０を組
み合わせて、それぞれサブユニットを形成する。
【０２１１】図３０において、（ａ），（ｂ）は、サブ
ユニットの組立方法を説明するものである。フォトリソ
グラフィと異方性エッチングによって、副基板１１０
に、副基板位置合わせ溝１１８，１１９を形成し、副嵌
合基板２１０に溝２１７と副嵌合基板位置合わせ溝２１
８，２１９を形成する。次に、副基板１１０に、円柱状
の位置合わせ用嵌合部材９と半導体レーザチップ２を搭
載し、さらに副嵌合基板２１０を重ね合わせて、図３０
（ｂ）に示すサブユニット１０００を形成する。この
際、位置合わせ用嵌合部材９に、副基板位置合わせ溝１
１８と副基板位置合わせ溝２１８とを嵌合させて位置合
わせを行なう。
ユニットの組立方法を説明するものである。フォトリソ
グラフィと異方性エッチングによって、副基板１１０
に、副基板位置合わせ溝１１８，１１９を形成し、副嵌
合基板２１０に溝２１７と副嵌合基板位置合わせ溝２１
８，２１９を形成する。次に、副基板１１０に、円柱状
の位置合わせ用嵌合部材９と半導体レーザチップ２を搭
載し、さらに副嵌合基板２１０を重ね合わせて、図３０
（ｂ）に示すサブユニット１０００を形成する。この
際、位置合わせ用嵌合部材９に、副基板位置合わせ溝１
１８と副基板位置合わせ溝２１８とを嵌合させて位置合
わせを行なう。
【０２１２】同様に、副基板１２０と副嵌合基板２２０
とを重ね合わせて、他のサブユニット２０００を形成す
る。この際、位置合わせ用嵌合部材８に、副基板位置合
わせ溝１２９と副基板位置合わせ溝２２９を嵌合させて
位置合わせを行なう。
とを重ね合わせて、他のサブユニット２０００を形成す
る。この際、位置合わせ用嵌合部材８に、副基板位置合
わせ溝１２９と副基板位置合わせ溝２２９を嵌合させて
位置合わせを行なう。
【０２１３】サブユニット１０００には、溝１１９と溝
２１９とによって、嵌合部材受容穴１０が形成されてい
る。嵌合部材受容穴１０に、位置合わせ用嵌合部材８を
挿入して嵌合させることによって、サブユニット１００
０とサブユニット２０００とを結合して、図３０（ｃ）
に示すように、一体化して光結合された光学部品を形成
する。
２１９とによって、嵌合部材受容穴１０が形成されてい
る。嵌合部材受容穴１０に、位置合わせ用嵌合部材８を
挿入して嵌合させることによって、サブユニット１００
０とサブユニット２０００とを結合して、図３０（ｃ）
に示すように、一体化して光結合された光学部品を形成
する。
【０２１４】図３１は、実施形態(11)によるサブユニッ
トの説明図であって、サブユニットの高さ調節に関連す
る要部を示し、実施形態(11)における、高さ調節方法を
説明するものである。（ａ）はサブユニット１０００を
図３０（ｂ）のＡ方向から見た図、（ｂ）はサブユニッ
ト２０００を図３０（ｂ）のＢ方向から見た図、（ｃ）
は図３０（ｃ）のＺ−Ｚ断面図である。図中、２ｉおよ
び８ｉは、それぞれ半導体レーザチップ２と位置合わせ
用嵌合部材８の仮想位置を示している。
トの説明図であって、サブユニットの高さ調節に関連す
る要部を示し、実施形態(11)における、高さ調節方法を
説明するものである。（ａ）はサブユニット１０００を
図３０（ｂ）のＡ方向から見た図、（ｂ）はサブユニッ
ト２０００を図３０（ｂ）のＢ方向から見た図、（ｃ）
は図３０（ｃ）のＺ−Ｚ断面図である。図中、２ｉおよ
び８ｉは、それぞれ半導体レーザチップ２と位置合わせ
用嵌合部材８の仮想位置を示している。
【０２１５】図３１（ｂ），（ｃ）に示すように、溝１
２９と溝２２９の幅を狭くして、副基板１２０と副基板
２２０との間に、間隔を形成することによって、半導体
レーザの出射ビームが通過する空間を確保することがで
きる。
２９と溝２２９の幅を狭くして、副基板１２０と副基板
２２０との間に、間隔を形成することによって、半導体
レーザの出射ビームが通過する空間を確保することがで
きる。
【０２１６】なお、実施形態(11)においても、副基板１
２０と副基板２２０に、ビーム通過溝を形成してもよ
い。この場合は、溝１１９および溝２２９の幅を、溝１
１９および溝２１９と同じにする。さらに、ファイバガ
イド溝を設けて、光ファイバをガイドしてもよい。
２０と副基板２２０に、ビーム通過溝を形成してもよ
い。この場合は、溝１１９および溝２２９の幅を、溝１
１９および溝２１９と同じにする。さらに、ファイバガ
イド溝を設けて、光ファイバをガイドしてもよい。
【０２１７】図３２は、本発明の実施形態(12)を示した
ものであって、ビーム通過溝を形成し、かつファイバガ
イド溝で光ファイバをガイドした実施形態を示す。
（ａ）は各サブモジュールの組立前の状態を示す鳥瞰
図、（ｂ）はＸ−Ｘで切断した場合の、半導体レーザチ
ップを含むサブモジュールの断面図、（ｃ）は同じくレ
ンズを含むサブモジュールの断面図である。１２７は基
板１２０に形成されたビーム通過溝、２２７は基板２２
０に形成されたビーム通過溝、１２３は基板１２０に形
成されたファイバガイド溝、２２７は基板２２０に形成
されたファイバガイド溝である。
ものであって、ビーム通過溝を形成し、かつファイバガ
イド溝で光ファイバをガイドした実施形態を示す。
（ａ）は各サブモジュールの組立前の状態を示す鳥瞰
図、（ｂ）はＸ−Ｘで切断した場合の、半導体レーザチ
ップを含むサブモジュールの断面図、（ｃ）は同じくレ
ンズを含むサブモジュールの断面図である。１２７は基
板１２０に形成されたビーム通過溝、２２７は基板２２
０に形成されたビーム通過溝、１２３は基板１２０に形
成されたファイバガイド溝、２２７は基板２２０に形成
されたファイバガイド溝である。
【０２１８】実施形態(11)によれば、半導体レーザを搭
載する基板と、レンズを搭載する基板とを分離できるの
で、ビーム通過溝１２７，２２７の形成が容易になる。
本実施形態のように、ビーム通過溝１２７とビーム通過
溝２２７とを形成すれば、副基板１２０と副嵌合基板２
２０の間隔は小さくてもよい。
載する基板と、レンズを搭載する基板とを分離できるの
で、ビーム通過溝１２７，２２７の形成が容易になる。
本実施形態のように、ビーム通過溝１２７とビーム通過
溝２２７とを形成すれば、副基板１２０と副嵌合基板２
２０の間隔は小さくてもよい。
【０２１９】実施形態(12)を用いると、二つのサブユニ
ットを、あたかもコネクタのように着脱可能になる。そ
のため、例えば半導体レーザチップが故障した場合のよ
うに、一方のサブユニットが不良である場合の、交換が
容易になる。さらに、組立時の検査等が容易になるとい
う効果も生じる。例えば、組立時に、サブユニットごと
に部品の特性と部品の位置ずれを検査して、良品のみを
組み合わせて、製品歩留りを向上させることができる。
ットを、あたかもコネクタのように着脱可能になる。そ
のため、例えば半導体レーザチップが故障した場合のよ
うに、一方のサブユニットが不良である場合の、交換が
容易になる。さらに、組立時の検査等が容易になるとい
う効果も生じる。例えば、組立時に、サブユニットごと
に部品の特性と部品の位置ずれを検査して、良品のみを
組み合わせて、製品歩留りを向上させることができる。
【０２２０】図３３は、本発明の実施形態(13)を示した
ものであって、サブモジュールの検査方法の具体例を示
している。（ａ）は検査装置の構成を示し、（ｂ）はサ
ブモジュールの検査方法を示している。
ものであって、サブモジュールの検査方法の具体例を示
している。（ａ）は検査装置の構成を示し、（ｂ）はサ
ブモジュールの検査方法を示している。
【０２２１】検査装置３０００は、ブロック１４０を用
いて、図３０に示されたサブモジュール２０００と、撮
像素子１４１とを一体化したものである。検査装置３０
００の使用方法は、次のようなものである。
いて、図３０に示されたサブモジュール２０００と、撮
像素子１４１とを一体化したものである。検査装置３０
００の使用方法は、次のようなものである。
【０２２２】まず、サブユニット１０００の嵌合部材受
容穴１０を、検査装置３０００に一体化されたサブユニ
ット２０００の位置合わせ用嵌合部材８に嵌合させ、半
導体レーザチップから出射した光をレンズ収束させて、
撮像装置１４１に投影する。撮像装置１４１で撮像され
た画像をモニターテレビ１４２上で受像して、半導体レ
ーザチップから出射した光のスポット１４３が、予め設
定された範囲に入っている場合と、入らない場合とに区
分する。
容穴１０を、検査装置３０００に一体化されたサブユニ
ット２０００の位置合わせ用嵌合部材８に嵌合させ、半
導体レーザチップから出射した光をレンズ収束させて、
撮像装置１４１に投影する。撮像装置１４１で撮像され
た画像をモニターテレビ１４２上で受像して、半導体レ
ーザチップから出射した光のスポット１４３が、予め設
定された範囲に入っている場合と、入らない場合とに区
分する。
【０２２３】半導体レーザチップから出射した光のスポ
ット１４３が、予め設定された範囲に入っている場合の
サブユニット１０００を良品として選別し、予め設定さ
れた範囲に入らなかった場合のサブユニット１０００を
不良品として除去する。
ット１４３が、予め設定された範囲に入っている場合の
サブユニット１０００を良品として選別し、予め設定さ
れた範囲に入らなかった場合のサブユニット１０００を
不良品として除去する。
【０２２４】半導体レーザを含む光学装置では、半導体
レーザの位置合わせに最も高い精度を要求される。そこ
で、本実施形態のように、半導体レーザを含むサブユニ
ットの選別を行なうことによって、最も効率的に、光学
装置の歩留り向上を実現することができる。
レーザの位置合わせに最も高い精度を要求される。そこ
で、本実施形態のように、半導体レーザを含むサブユニ
ットの選別を行なうことによって、最も効率的に、光学
装置の歩留り向上を実現することができる。
【０２２５】実施形態(11)および実施形態(12)において
は、二つのサブユニットを組み合わせる場合を例示した
が、本発明に用いるサブユニットの数は、二つに限られ
るものではなく、三つ以上であってもよい。
は、二つのサブユニットを組み合わせる場合を例示した
が、本発明に用いるサブユニットの数は、二つに限られ
るものではなく、三つ以上であってもよい。
【０２２６】図３４は、本発明の実施形態(14)を示した
ものであって、半導体レーザを含むサブユニットと、レ
ンズを含むサブユニットに、さらに他のサブユニットを
組み合わせることを可能にするための光学装置の構成例
を示している。図中、（ａ）は各サブユニットの組立前
の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）は半導体レーザ部とレンズ
部を組み立てた状態を示す図、（ｃ）は半導体レーザ部
とレンズ部を一体化した状態を示す図である。
ものであって、半導体レーザを含むサブユニットと、レ
ンズを含むサブユニットに、さらに他のサブユニットを
組み合わせることを可能にするための光学装置の構成例
を示している。図中、（ａ）は各サブユニットの組立前
の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）は半導体レーザ部とレンズ
部を組み立てた状態を示す図、（ｃ）は半導体レーザ部
とレンズ部を一体化した状態を示す図である。
【０２２７】図３４に示すように、サブユニット２００
１の位置合わせ用嵌合部材８を長くして、サブユニット
１００１を一体化したのちに、反対側に余長の部分があ
るようにすれば、この部分にさらに他のサブユニットを
連結することが可能となる。このようにすることによっ
て、さらに複雑な光学装置の形成が容易になる。また、
このような構成とすることによって、サブユニットごと
に検査可能となるので、製品の歩留り向上が容易になる
効果を生じる。
１の位置合わせ用嵌合部材８を長くして、サブユニット
１００１を一体化したのちに、反対側に余長の部分があ
るようにすれば、この部分にさらに他のサブユニットを
連結することが可能となる。このようにすることによっ
て、さらに複雑な光学装置の形成が容易になる。また、
このような構成とすることによって、サブユニットごと
に検査可能となるので、製品の歩留り向上が容易になる
効果を生じる。
【０２２８】図３０，図３２，図３４に示された実施形
態のように、二つ以上のサブユニットを組み合わせる方
法は、図１６，図１８，図１９に示された実施形態にも
適用可能である。
態のように、二つ以上のサブユニットを組み合わせる方
法は、図１６，図１８，図１９に示された実施形態にも
適用可能である。
【０２２９】図３５は、本発明の実施形態(15)を示した
ものであって、二つ以上のサブユニットを組み合わせる
他の例を示し、（ａ）は各サブユニットの組立前の状態
を示す鳥瞰図、（ｂ）は両サブユニットを組み立てた状
態のＸ−Ｘ断面図である。
ものであって、二つ以上のサブユニットを組み合わせる
他の例を示し、（ａ）は各サブユニットの組立前の状態
を示す鳥瞰図、（ｂ）は両サブユニットを組み立てた状
態のＸ−Ｘ断面図である。
【０２３０】この実施形態は、図１４，図１９の実施形
態に用いた部材に、新たに副嵌合基板２１０を組み合わ
せたサブユニット１００２と、基板１ｂ上に、レンズ３
ｂとフェルール３２を付した光ファイバ３１を搭載し、
副嵌合基板２２０を組み合わせたサブユニット２００２
とを組み合わせて形成されている。
態に用いた部材に、新たに副嵌合基板２１０を組み合わ
せたサブユニット１００２と、基板１ｂ上に、レンズ３
ｂとフェルール３２を付した光ファイバ３１を搭載し、
副嵌合基板２２０を組み合わせたサブユニット２００２
とを組み合わせて形成されている。
【０２３１】図３５において、１１ｂ，１３ｂ，１９ｂ
は、それぞれ、レンズガイド溝，ファイバガイド溝およ
び位置合わせ用嵌合部材８が嵌合すべき溝である。図３
５（ｂ）に示す断面図から明らかなように、本実施形態
によれば、光ビームが通過する空隙を容易に確保でき、
かつ、光ファイバとの光結合を行なうことかできる。ま
た、基板１を含むサブユニットで、半導体レーザの出力
光が平行化されているので、他の種々な光学系を含むサ
ブユニットを、容易に結合できるようになる。このよう
に、実施形態(30)によれば、光学系のシステム化が容易
になるという効果が得られる。
は、それぞれ、レンズガイド溝，ファイバガイド溝およ
び位置合わせ用嵌合部材８が嵌合すべき溝である。図３
５（ｂ）に示す断面図から明らかなように、本実施形態
によれば、光ビームが通過する空隙を容易に確保でき、
かつ、光ファイバとの光結合を行なうことかできる。ま
た、基板１を含むサブユニットで、半導体レーザの出力
光が平行化されているので、他の種々な光学系を含むサ
ブユニットを、容易に結合できるようになる。このよう
に、実施形態(30)によれば、光学系のシステム化が容易
になるという効果が得られる。
【０２３２】次に、半導体レーザチップを搭載した基板
と、レンズを搭載した基板との、他の組み合わせ方法
を、図３６〜図４２によって説明する。図３６〜図４２
において、ビーム通過溝１７は、シリコンからなる基板
１を、異方性エッチングして形成したものである。
と、レンズを搭載した基板との、他の組み合わせ方法
を、図３６〜図４２によって説明する。図３６〜図４２
において、ビーム通過溝１７は、シリコンからなる基板
１を、異方性エッチングして形成したものである。
【０２３３】図３６は、本発明の実施形態(16)を示した
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。
【０２３４】本実施形態によれば、半導体レーザチップ
２をビーム通過溝１７が形成された基板１上に搭載し、
かつ、レンズ３を他の基板２００上に搭載して、両基板
を位置合わせして組み合わせても、基板表面による、半
導体レーザチップ２からの出射光の遮光を防止すること
ができる。
２をビーム通過溝１７が形成された基板１上に搭載し、
かつ、レンズ３を他の基板２００上に搭載して、両基板
を位置合わせして組み合わせても、基板表面による、半
導体レーザチップ２からの出射光の遮光を防止すること
ができる。
【０２３５】位置合わせには、基板１に形成した溝１９
Ａと、基板２００に形成した溝２０９、および、これら
の溝に嵌合する球状の位置合わせ用嵌合部材８Ａを用い
る。レンズ３は、ガイド溝２０１によって、位置決めを
行なう。
Ａと、基板２００に形成した溝２０９、および、これら
の溝に嵌合する球状の位置合わせ用嵌合部材８Ａを用い
る。レンズ３は、ガイド溝２０１によって、位置決めを
行なう。
【０２３６】図３７〜図４２は、実施形態(16)を変形し
たものであって、以下それぞれについて説明する。
たものであって、以下それぞれについて説明する。
【０２３７】図３７は、本発明の実施形態(17)を示した
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。図３６におけると、同じものを同じ番号で示
す。
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。図３６におけると、同じものを同じ番号で示
す。
【０２３８】本実施形態によれば、基板２００の表面
に、ガイド溝２０３を形成するとともに、ビーム通過溝
１７を、フェルール３２を付した光ファイバ３１のガイ
ドに使用するようにしたので、光ファイバの位置合わせ
も同時に可能になる。
に、ガイド溝２０３を形成するとともに、ビーム通過溝
１７を、フェルール３２を付した光ファイバ３１のガイ
ドに使用するようにしたので、光ファイバの位置合わせ
も同時に可能になる。
【０２３９】図３８は、本発明の実施形態(18)を示した
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。図３６におけると、同じものを同じ番号で示
す。
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。図３６におけると、同じものを同じ番号で示
す。
【０２４０】本実施形態によれば、基板１に、ビーム通
過溝１７とガイド溝１３とこれらを接続する帯状の溝１
８を形成し、基板２００にビーム通過溝２０７を形成す
ることによって、フェルール３２の直径が比較的小さい
場合でも、フェルール付き光ファイバ３１をガイドする
ことができるようになる。
過溝１７とガイド溝１３とこれらを接続する帯状の溝１
８を形成し、基板２００にビーム通過溝２０７を形成す
ることによって、フェルール３２の直径が比較的小さい
場合でも、フェルール付き光ファイバ３１をガイドする
ことができるようになる。
【０２４１】図３９は、本発明の実施形態(19)を示した
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。図３６におけると、同じものを同じ番号で示
す。
ものであって、（ａ）はユニットの組立前の状態を示す
鳥瞰図、（ｂ）は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面
図である。図３６におけると、同じものを同じ番号で示
す。
【０２４２】本実施形態によれば、別の基板からなる光
ファイバ抑え板３００を使用することによって、フェル
ールを有しない光ファイバ３１の搭載が可能となる。
ファイバ抑え板３００を使用することによって、フェル
ールを有しない光ファイバ３１の搭載が可能となる。
【０２４３】図３６〜図３９の実施形態においては、溝
１９Ａおよび２０９を４個形成し、球状の位置合わせ用
嵌合部材８Ａを４個用いる例を示しているが、これらの
溝と位置合わせ用嵌合部材の数は、４個に限られるもの
ではない。３以上の多角形の頂点に溝１９Ａおよび２０
９を形成し、球状の位置合わせ用嵌合部材８Ａを各溝に
嵌合させる構造としてもよい。
１９Ａおよび２０９を４個形成し、球状の位置合わせ用
嵌合部材８Ａを４個用いる例を示しているが、これらの
溝と位置合わせ用嵌合部材の数は、４個に限られるもの
ではない。３以上の多角形の頂点に溝１９Ａおよび２０
９を形成し、球状の位置合わせ用嵌合部材８Ａを各溝に
嵌合させる構造としてもよい。
【０２４４】例えば、最小３個ずつの溝と位置合わせ用
嵌合部材があれば、基板２００を位置決めすることがで
きる。具体的には図３６（ａ）において、半導体レーザ
チップ２側から見て光軸の左側に２個の溝を形成し、右
側に１個の溝を形成してもよい。
嵌合部材があれば、基板２００を位置決めすることがで
きる。具体的には図３６（ａ）において、半導体レーザ
チップ２側から見て光軸の左側に２個の溝を形成し、右
側に１個の溝を形成してもよい。
【０２４５】さらに、レンズ３をレンズと位置合わせ用
嵌合部材とに兼用し、半導体レーザチップ２側から見て
光軸の左右に１個ずつの溝１９Ａおよび２０９を形成
し、３個の溝と２個の位置合わせ用嵌合部材と１個のレ
ンズ兼位置合わせ用嵌合部材とにより構成される構造と
してもよい。
嵌合部材とに兼用し、半導体レーザチップ２側から見て
光軸の左右に１個ずつの溝１９Ａおよび２０９を形成
し、３個の溝と２個の位置合わせ用嵌合部材と１個のレ
ンズ兼位置合わせ用嵌合部材とにより構成される構造と
してもよい。
【０２４６】図４０は、本発明の実施形態(20)を示した
ものであって、各基板を組み立てた断面図を示してい
る。
ものであって、各基板を組み立てた断面図を示してい
る。
【０２４７】実施形態(20)に示すように、基板２００に
溝２０４を形成し、半導体レーザチップ２からの出射光
２６を平行化する構成とすることによって、他の光学部
材３９を搭載することも可能となる。他の光学部材とし
ては、例えば、反射器，フィルタ，光アイソレータ等を
用いることができる。
溝２０４を形成し、半導体レーザチップ２からの出射光
２６を平行化する構成とすることによって、他の光学部
材３９を搭載することも可能となる。他の光学部材とし
ては、例えば、反射器，フィルタ，光アイソレータ等を
用いることができる。
【０２４８】図３６は、本発明の実施形態(21)を示した
ものであって、実施形態(20)において、光学部材３９
が、ハーフミラーからなる装置を例示している。
ものであって、実施形態(20)において、光学部材３９
が、ハーフミラーからなる装置を例示している。
【０２４９】図４１において、半導体レーザチップ等か
らなる発光装置２ａから出射した光の一部は、レンズ３
ａ，ハーフミラー３９，レンズ３ｂを経て、例えば光電
変換素子チップ２ｂに入射する。また発光装置２ａから
出射した光の他の一部は、レンズ３ａ，ハーフミラー３
９，レンズ３ｄを経て、光ファイバ３１に入射する。一
方、光ファイバ３１から出射した光は、レンズ３ｄ，ハ
ーフミラー３９，レンズ３ｃを経て、例えば光電変換素
子チップ２ｃに入射する。
らなる発光装置２ａから出射した光の一部は、レンズ３
ａ，ハーフミラー３９，レンズ３ｂを経て、例えば光電
変換素子チップ２ｂに入射する。また発光装置２ａから
出射した光の他の一部は、レンズ３ａ，ハーフミラー３
９，レンズ３ｄを経て、光ファイバ３１に入射する。一
方、光ファイバ３１から出射した光は、レンズ３ｄ，ハ
ーフミラー３９，レンズ３ｃを経て、例えば光電変換素
子チップ２ｃに入射する。
【０２５０】図中、帯状の溝１８，１８３，１８４は、
レンズガイド溝１１と、光ビーム通過溝１７とを形成し
たのちに、ダイシングソーを用いて形成した、幅２００
μｍ，深さ１００μｍの溝である。
レンズガイド溝１１と、光ビーム通過溝１７とを形成し
たのちに、ダイシングソーを用いて形成した、幅２００
μｍ，深さ１００μｍの溝である。
【０２５１】図４２は、本発明の実施形態(22)を示した
ものであって、実施形態(21)を変形した構成を示し、
（ａ) は、基板１を上側から見た平面図、（ｂ），
（ｃ）は基板１の製作工程を示す図である。
ものであって、実施形態(21)を変形した構成を示し、
（ａ) は、基板１を上側から見た平面図、（ｂ），
（ｃ）は基板１の製作工程を示す図である。
【０２５２】図４２の実施形態は、図４１の実施形態と
比較して、さらに多くの帯状の溝（１８１，１８２，１
８３，１８４，１８５）を有し、半導体レーザチップや
光電変換素子チップのようなチップ（２ａ，２ｂ，２
ｃ），レンズ（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）およびフェル
ール３２を有する光ファイバ３１等を搭載している。
比較して、さらに多くの帯状の溝（１８１，１８２，１
８３，１８４，１８５）を有し、半導体レーザチップや
光電変換素子チップのようなチップ（２ａ，２ｂ，２
ｃ），レンズ（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）およびフェル
ール３２を有する光ファイバ３１等を搭載している。
【０２５３】実施形態(22)の場合、基板１側にも、レン
ズガイド溝１１ａ，１１ｂ，１１ｃ１１ｄおよびレンズ
ガイド溝１１ｅを形成する。本実施形態の基板１は、次
のようにして製作される。
ズガイド溝１１ａ，１１ｂ，１１ｃ１１ｄおよびレンズ
ガイド溝１１ｅを形成する。本実施形態の基板１は、次
のようにして製作される。
【０２５４】まず、図４２（ｂ）のように、表面が（１
００）面のシリコン基板を異方性エッチングして、ガイ
ド溝１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅおよび１
３を形成する。次いで、図４２（ｂ），図４２（ｃ）に
示すように、ダイシングソーを用いて点線Ａに沿って切
り込みを入れ、幅２００μｍ，深さ１００μｍの帯状溝
１８１，１８２，１８３，１８４，１８５を形成する。
なお、点線Ａを挟む各溝の、最も接近する間口の間の間
隔は、５０μｍ以下である。これら各溝に、光部品を嵌
合させることによって、図４２（ａ）の光学装置が形成
される。
００）面のシリコン基板を異方性エッチングして、ガイ
ド溝１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅおよび１
３を形成する。次いで、図４２（ｂ），図４２（ｃ）に
示すように、ダイシングソーを用いて点線Ａに沿って切
り込みを入れ、幅２００μｍ，深さ１００μｍの帯状溝
１８１，１８２，１８３，１８４，１８５を形成する。
なお、点線Ａを挟む各溝の、最も接近する間口の間の間
隔は、５０μｍ以下である。これら各溝に、光部品を嵌
合させることによって、図４２（ａ）の光学装置が形成
される。
【０２５５】本実施形態によれば、各溝をエッチングに
よって、同時に形成するので、位置精度が向上し、か
つ、帯状の溝（１８１，１８２，１８３，１８４，１８
５）のため、基板による遮光が防止される効果が生じ
る。
よって、同時に形成するので、位置精度が向上し、か
つ、帯状の溝（１８１，１８２，１８３，１８４，１８
５）のため、基板による遮光が防止される効果が生じ
る。
【０２５６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
半導体レーザチップとレンズ等の光部品を搭載する光学
装置において、各光部品の横位置と高さを、高精度に調
節することが可能であるとともに、半導体レーザチップ
から出射された光が遮光されない程度に、基板表面から
見た光軸高さを、十分な高さとすることができるように
なる。
半導体レーザチップとレンズ等の光部品を搭載する光学
装置において、各光部品の横位置と高さを、高精度に調
節することが可能であるとともに、半導体レーザチップ
から出射された光が遮光されない程度に、基板表面から
見た光軸高さを、十分な高さとすることができるように
なる。
【図１】ビーム通過溝の形成方法の例を示す図であっ
て、（ａ）は基板の一部に溝を形成した状態を示し、
（ｂ）は基板の全体に溝を形成した状態を示す。
て、（ａ）は基板の一部に溝を形成した状態を示し、
（ｂ）は基板の全体に溝を形成した状態を示す。
【図２】本発明における問題解決のための手段(1)-1 を
示す図であって、（ａ）は第１の基板を示し、（ｂ）は
第１の基板にビーム通過溝を形成した状態を示す。また
（ｃ）は第２の基板を示し、（ｄ）は第１の基板と第２
の基板とを位置合わせした状態を示す。
示す図であって、（ａ）は第１の基板を示し、（ｂ）は
第１の基板にビーム通過溝を形成した状態を示す。また
（ｃ）は第２の基板を示し、（ｄ）は第１の基板と第２
の基板とを位置合わせした状態を示す。
【図３】本発明における問題解決のための手段(1)-2 を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明における問題解決のための手段(2)-1 を
示す図であって、（ａ）は第１の基板と第２の基板を示
し、（ｂ）は第１の基板と第２の基板とを組み立てる際
の状態を示す。
示す図であって、（ａ）は第１の基板と第２の基板を示
し、（ｂ）は第１の基板と第２の基板とを組み立てる際
の状態を示す。
【図５】本発明における問題解決のための手段(2)-2 を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明における問題解決のための手段(3)-1 を
示す図であって、（ａ）は第１の基板と第２の基板の組
み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第１の基板と第２の
基板とを組み合わせた状態におけるＸ−Ｘ断面を示す。
示す図であって、（ａ）は第１の基板と第２の基板の組
み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第１の基板と第２の
基板とを組み合わせた状態におけるＸ−Ｘ断面を示す。
【図７】本発明における問題解決のための手段(3)-2 を
示す図である。
示す図である。
【図８】本発明における問題解決のための手段(4)-1 を
示す図であって、（ａ）は第１の基板と第２の基板の組
み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第１の基板と第２の
基板とを組み合わせた状態におけるＹ−Ｙ断面を示す。
示す図であって、（ａ）は第１の基板と第２の基板の組
み立て方法を示す鳥瞰図、（ｂ）は第１の基板と第２の
基板とを組み合わせた状態におけるＹ−Ｙ断面を示す。
【図９】本発明における問題解決のための手段(4)-2 を
示す図である。
示す図である。
【図１０】本発明における高さの調節手段(1) を示す図
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【図１１】本発明における高さの調節手段(2) を示す図
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【図１２】本発明における高さの調節手段(3) を示す図
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【図１３】本発明における高さの調節手段(4) を示す図
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【図１４】本発明における高さの調節手段(5) を示す図
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【図１５】本発明における高さの調節手段(6) を示す図
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は側面図のＡ−Ａ断
面図、（ｃ）は側面図のＢ−Ｂ断面図である。
【図１６】本発明の実施形態(1)-1 を示す図であって、
（ａ）は全体の組み立てを示す鳥瞰図、（ｂ）は鳥瞰図
におけるＺ−Ｚ断面図である。
（ａ）は全体の組み立てを示す鳥瞰図、（ｂ）は鳥瞰図
におけるＺ−Ｚ断面図である。
【図１７】実施形態(1)-1 における基板の製造方法を説
明する図であって、（ａ），（ｂ），（ｃ）は製作の順
序を示す。
明する図であって、（ａ），（ｂ），（ｃ）は製作の順
序を示す。
【図１８】本発明の実施形態(1)-2 を示す図であって、
（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図をＺ−Ｚで切断した断
面図、（ｃ）は（ｂ）の右側側面図（切断しない状
態）、（ｄ）は（ｃ）においてレンズ３のみを入れ替え
た図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図をＺ−Ｚで切断した断
面図、（ｃ）は（ｂ）の右側側面図（切断しない状
態）、（ｄ）は（ｃ）においてレンズ３のみを入れ替え
た図である。
【図１９】本発明の実施形態(2) を示したものであっ
て、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例をそれぞれ示
す。
て、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例をそれぞれ示
す。
【図２０】本発明の実施形態(3) を示す図であって、
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ）は各基板を
結合した状態をそれぞれ示す。
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ）は各基板を
結合した状態をそれぞれ示す。
【図２１】実施形態(3) による光学装置の断面構造図で
あって、（ａ）,(ｂ）は図１５（ｂ）のＸ−Ｘにおける
半導体レーザチップ搭載側およびレンズ搭載側の断面
図、（ｃ）は同じくＺ−Ｚ断面図である。
あって、（ａ）,(ｂ）は図１５（ｂ）のＸ−Ｘにおける
半導体レーザチップ搭載側およびレンズ搭載側の断面
図、（ｃ）は同じくＺ−Ｚ断面図である。
【図２２】本発明の実施形態(4) を示す図である。
【図２３】本発明の実施形態(5) を示す図であって、
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ），（ｃ）は
各基板を結合した状態におけるＸ−Ｘ断面図をそれぞれ
示す。
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ），（ｃ）は
各基板を結合した状態におけるＸ−Ｘ断面図をそれぞれ
示す。
【図２４】本発明の実施形態(6) を示す図である。
【図２５】本発明の実施形態(7) を示す図である。
【図２６】本発明の実施形態(8) を示す図である。
【図２７】本発明の実施形態(9) を示す図であって、
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ）は各基板を
結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図をそれぞれ示す。
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ）は各基板を
結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図をそれぞれ示す。
【図２８】実施形態(9) による光学装置の断面構造図で
あって、（ａ）,(ｂ）はそれぞれ異なる副基板の側断面
図を示す。
あって、（ａ）,(ｂ）はそれぞれ異なる副基板の側断面
図を示す。
【図２９】本発明の実施形態(10)を示す図であって、
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ）は各基板を
結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図をそれぞれ示す。
（ａ）は組み立て前の各基板の構成、（ｂ）は各基板を
結合した状態におけるＺ−Ｚ断面図をそれぞれ示す。
【図３０】本発明の実施形態(11)を示す図であって、
（ａ）はレーザ部とレンズ部との組立前の状態、（ｂ）
はレーザ部とレンズ部とを組み立てた状態、（ｃ）はレ
ーザ部とレンズ部とを一体化した状態をそれぞれ示す。
（ａ）はレーザ部とレンズ部との組立前の状態、（ｂ）
はレーザ部とレンズ部とを組み立てた状態、（ｃ）はレ
ーザ部とレンズ部とを一体化した状態をそれぞれ示す。
【図３１】実施形態(11)によるサブユニットの説明図で
あって、（ａ）はサブユニット１０００を図２５（ｂ）
のＡ方向から見た図、（ｂ）はサブユニット２０００を
図２５（ｂ）のＢ方向から見た図、（ｃ）は図２５
（ｃ）のＺ−Ｚ断面図である。
あって、（ａ）はサブユニット１０００を図２５（ｂ）
のＡ方向から見た図、（ｂ）はサブユニット２０００を
図２５（ｂ）のＢ方向から見た図、（ｃ）は図２５
（ｃ）のＺ−Ｚ断面図である。
【図３２】本発明の実施形態(12)を示す図であって、
（ａ）は各サブモジュールの組立前の状態を示す鳥瞰
図、（ｂ）はＸ−Ｘで切断した場合の、半導体レーザチ
ップを含むサブモジュールの断面図、（ｃ）は同じくレ
ンズを含むサブモジュールの断面図である。
（ａ）は各サブモジュールの組立前の状態を示す鳥瞰
図、（ｂ）はＸ−Ｘで切断した場合の、半導体レーザチ
ップを含むサブモジュールの断面図、（ｃ）は同じくレ
ンズを含むサブモジュールの断面図である。
【図３３】本発明の実施形態(13)を示す図であって、
（ａ）は検査装置の構成を示し、（ｂ）はサブモジュー
ルの検査方法を示す。
（ａ）は検査装置の構成を示し、（ｂ）はサブモジュー
ルの検査方法を示す。
【図３４】本発明の実施形態(14)を示す図であって、
（ａ）は各サブユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、
（ｂ）はレーザ部とレーザ部を組み立てた状態を示す
図、（ｃ）はレーザ部とレーザ部を一体化した状態を示
す。
（ａ）は各サブユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、
（ｂ）はレーザ部とレーザ部を組み立てた状態を示す
図、（ｃ）はレーザ部とレーザ部を一体化した状態を示
す。
【図３５】本発明の実施形態(15)を示す図であって、
（ａ）は各サブユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、
（ｂ）は両サブユニットを組み立てた状態のＸ−Ｘ断面
図である。
（ａ）は各サブユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、
（ｂ）は両サブユニットを組み立てた状態のＸ−Ｘ断面
図である。
【図３６】本発明の実施形態(16)を示す図であって、
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
【図３７】本発明の実施形態(17)を示す図であって、
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
【図３８】本発明の実施形態(18)を示す図であって、
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
【図３９】本発明の実施形態(19)を示す図であって、
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
（ａ）はユニットの組立前の状態を示す鳥瞰図、（ｂ）
は両基板を組み立てた状態のＺ−Ｚ断面図である。
【図４０】本発明の実施形態(20)を示す図である。
【図４１】本発明の実施形態(21)を示す図である。
【図４２】本発明の実施形態(22)を示す図であって、
（ａ) は、基板１を上側から見た平面図、（ｂ），
（ｃ）は基板１の製作工程を示す図である。
（ａ) は、基板１を上側から見た平面図、（ｂ），
（ｃ）は基板１の製作工程を示す図である。
【図４３】第１の従来例を示す図であって、（ａ）は光
学部品の全体を示す斜視図、（ｂ）は基板上における半
導体レーザチップとレンズとの配置を示す説明図であ
る。
学部品の全体を示す斜視図、（ｂ）は基板上における半
導体レーザチップとレンズとの配置を示す説明図であ
る。
【図４４】第２の従来例を示す図であって、（ａ）は光
学部品の全体を示す斜視図、（ｂ）は基板上における半
導体レーザチップとレンズとの配置を示す説明図であ
る。
学部品の全体を示す斜視図、（ｂ）は基板上における半
導体レーザチップとレンズとの配置を示す説明図であ
る。
【図４５】第３の従来例を示す図である。
【図４６】半導体レーザチップを実装用基板上に定接す
る方法(1) を説明する図であって、（ａ）は半導体レー
ザチップ上の突起と、基板のガイド溝とを用いる方法、
（ｂ）は半導体レーザチップ上のマーカーと、基板上の
マーカーとを用いる方法を示す。
る方法(1) を説明する図であって、（ａ）は半導体レー
ザチップ上の突起と、基板のガイド溝とを用いる方法、
（ｂ）は半導体レーザチップ上のマーカーと、基板上の
マーカーとを用いる方法を示す。
【図４７】半導体レーザチップを実装用基板上に定接す
る方法(2) を説明する図であって、（ａ）はボンディン
グ用融材の溶融前、（ｂ）はボンディング用融材の溶融
中、（ｃ）はボンディング用融材の凝固後をそれぞれ示
す。
る方法(2) を説明する図であって、（ａ）はボンディン
グ用融材の溶融前、（ｂ）はボンディング用融材の溶融
中、（ｃ）はボンディング用融材の凝固後をそれぞれ示
す。
【図４８】半導体レーザチップを実装用基板上に定接す
る方法(3) を説明する図である。
る方法(3) を説明する図である。
【図４９】半導体レーザチップを実装用基板上に定接す
る方法を比較して説明する図であって、（ａ），
（ｂ），（ｃ）は、図４１（ａ），（ｂ）および図４２
の場合の、光軸と基板表面との距離を定める要素の詳細
を示す。
る方法を比較して説明する図であって、（ａ），
（ｂ），（ｃ）は、図４１（ａ），（ｂ）および図４２
の場合の、光軸と基板表面との距離を定める要素の詳細
を示す。
１ 基板 ２ 第１の光部品 ３ 第２の光部品 ８ 位置合わせ用嵌合部材 １０ 嵌合部材受容穴 １１ 光部品ガイド溝 １７ ビーム通過溝 １８ 帯状の溝 １９ 位置合わせ用嵌合溝 ８１ 位置合わせ用嵌合部材 ８２ 位置合わせ用嵌合部材 １１０ 副基板 １１９ 副基板位置合わせ溝 １２０ 副基板 １２１ ガイド溝 １２９ 副基板位置合わせ溝 １７１ ビーム通過溝 １８１ 帯状の溝 １９１ 位置合わせ用嵌合溝 １９２ 位置合わせ用嵌合溝 ２１０ 副嵌合基板 ２１９ 副嵌合基板位置合わせ溝 ２２０ 副嵌合基板 ２２７ 光ビーム通過溝 ２２９ 副嵌合基板位置合わせ溝
Claims (25)
- 【請求項１】 チップ状の第１の光部品と、球状または
円柱状の第２の光部品とを、それぞれの光軸が一致する
ように配置することによって、該第１の光部品から該第
２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に前記光軸に沿
って光ビームを形成する光学装置において、 該第１の光部品を共通基板上に載置し、該第２の光部品
を、該共通基板の表面に設けられた該第２の光部品の一
部分を収容して位置決めする光部品ガイド溝によってガ
イドして載置するとともに、該共通基板上に、第２の光
部品に対して第１の光部品と反対側に前記光部品ガイド
溝の近傍から光軸に沿って光ビームが通過するビーム通
過溝を形成し、さらに該共通基板上に、ビーム通過溝と
直交し、かつ光部品ガイド溝とビーム通過溝の両者にそ
れぞれ一部が重なるように帯状の溝を形成することによ
って、共通基板の面より低い位置において、ビーム通過
溝を通過する光ビームを遮らないようにしたことを特徴
とする光学装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光学装置において、前
記共通基板上に、前記第１の光部品と第２の光部品の間
に、光軸に沿って光ビームが通過する第２のビーム通過
溝を形成するとともに、該ビーム通過溝と直交し、かつ
光部品ガイド溝とビーム通過溝の両者にそれぞれ一部が
重なるように帯状の溝を形成することによって、共通基
板の面より低い位置において、ビーム通過溝を通過する
光ビームを遮らないようにしたことを特徴とする光学装
置。 - 【請求項３】 前記共通基板がシリコン基板からなり、
フォトリソグラフィによって形成したパターンをマスク
にして、ウエットエッチングでシリコンに異方性エッチ
ングすることによって、前記光部品ガイド溝と、断面が
Ｖ字形のビーム通過溝を形成するとともに、該光部品ガ
イド溝およびビーム通過溝の形成後に機械的な研削加工
によって前記帯状の溝を形成することを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の光学装置。 - 【請求項４】 チップ状の第１の光部品と、球状または
円柱状の第２の光部品とを、それぞれの光軸が一致する
ように配置することによって、該第１の光部品から該第
２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に前記光軸に沿
って光ビームを形成する光学装置において、 第１の光部品と第２の光部品が主面が平面である第１の
副基板または第１の基板と第２の副基板または第２の基
板の二つの異なる基板の表面に個々に別々に載置されて
おり、かつ第１の副基板と第２の副基板が互いに位置合
わせされることにより光ビームが通過するための空間を
確保するように第１の副基板に載置された第１の光部品
と第２の副基板に載置された第２の光部品の光軸の位置
合わせが行なわれ、かつ光結合されていることを特徴と
する光学装置。 - 【請求項５】 前記第１の副基板と第２の副基板が、基
板の主面に平行な面内に配置されていることを特徴とす
る請求項４に記載の光学装置。 - 【請求項６】 前記第１の基板と第２の基板が、各々の
主面を対向させて配置されていることを特徴とする請求
項４に記載の光学装置。 - 【請求項７】 前記第１の副基板あるいは第２の副基板
の一方の基板の光軸に沿った基板表面に、 または第１の副基板あるいは第２の副基板の一方の基板
の光軸に沿った基板表面に、エッチングによりまたは機
械的な研削加工によってまたはエッチングと機械的な研
削加工の組み合わせにより、光ビームを通過させる空間
を確保するための光ビーム通過溝を形成したことを特徴
とする請求項５または請求項６に記載の光学装置。 - 【請求項８】 請求項４または請求項５に記載の光学装
置において、チップ状の第１の光部品と、球状または円
柱状の第２の光部品とを、それぞれの光軸が一致するよ
うに配置することによって、該第１の光部品から該第２
の光部品を結ぶ方向およびその延長上に前記光軸に沿っ
て光ビームを形成する光学装置において、 共通基板上に、平行な少なくとも２本のＶ字形断面を有
する位置合わせ用嵌合溝を形成し、第１の副基板上に、
平行な少なくとも２本の前記位置合わせ用嵌合溝と同じ
間隔のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ溝を形成す
るとともに、前記第１の光部品をその光軸が該副基板位
置合わせ溝と平行になるように載置し、第２の副基板上
に、平行な少なくとも２本の前記位置合わせ用嵌合溝と
同じ間隔のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ溝を形
成するとともに、前記第２の光部品の一部分を収容して
位置決めする光部品ガイド溝を設けて、該光部品ガイド
溝に前記第２の光部品を嵌合させてその光軸が該副基板
位置合わせ溝と平行になるように載置し、 前記共通基板上の位置合わせ用嵌合溝と、両副基板上の
副基板位置合わせ溝との間に円柱状の位置合わせ用嵌合
部材を挟み込むことによって、該第１の副基板と第２の
副基板とが共通基板上に整列して載置され、前記第１の
光部品と第２の光部品とが相対向して配置されて両者の
光軸が一致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の光学装置において、前
記第１の副基板の副基板位置合わせ溝と第２の副基板の
副基板位置合わせ溝との幅を異ならせて、第１の副基板
と第２の副基板の高さを変えることによって、前記第１
の光部品と第２の光部品とが相対向して配置されて両者
の光軸が一致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の光学装置において、
共通基板上の位置合わせ用嵌合溝と、第１の副基板上の
副基板位置合わせ溝との間に第１の円柱状の位置合わせ
用嵌合部材を挟み込み、共通基板上の位置合わせ用嵌合
溝と、第２の副基板上の副基板位置合わせ溝との間に第
２の円柱状の位置合わせ用嵌合部材を挟み込むととも
に、第１の位置合わせ用嵌合部材と第２の位置合わせ用
嵌合部材との太さを異ならせて、第１の副基板と第２の
副基板の高さを変えることによって、前記第１の光部品
と第２の光部品とが相対向して配置されて両者の光軸が
一致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項１１】 請求項４または請求項５に記載の光学
装置において、チップ状の第１の光部品と、球状または
円柱状の第２の光部品とを、それぞれの光軸が一致する
ように配置することによって、該第１の光部品から該第
２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に前記光軸に沿
って光ビームを形成する光学装置において、共通基板上
に、４個の逆ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝を長方
形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌
合手段または３個の逆ピラミッド状の位置合わせ用嵌合
溝を三角形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合
わせ用嵌合手段を少なくとも２組設け、第１の副基板上
に、該共通基板の１組の位置合わせ用嵌合手段の各位置
合わせ用嵌合溝に対応する位置に４個の逆ピラミッド状
の位置合わせ嵌合溝を長方形の頂点に相当する位置に配
置してなる位置合わせ用嵌合手段または３個の逆ピラミ
ッド状の位置合わせ用嵌合溝を三角形の頂点に相当する
位置に配置してなる位置合わせ用嵌合手段を設けるとと
もに、前記第１の光部品をその光軸が該長方形の少なく
とも２辺の内側または該三角形の頂点で囲まれた部分の
内側に相当する領域の上空を通過するように載置し、 前記第２の副基板上に、該共通基板の他の１組の位置合
わせ用嵌合手段の各位置合わせ用嵌合溝に対応する位置
に４個の逆ピラミッド状の位置合わせ溝を長方形の頂点
に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌合手段ま
たは３個の逆ピラミッド状の位置合わせ用嵌合溝を三角
形の頂点に相当する位置に配置してなる位置合わせ用嵌
合手段を設けるとともに、該長方形の少なくとも２辺の
延長線上の内側に相当する領域または該三角形の内側を
見通せる部位に形成された前記第２の光部品の一部分を
収容して位置決めする光部品ガイド溝に前記第２の光部
品を載置し、 共通基板上の各位置合わせ用嵌合溝と、両副基板上の副
基板位置合わせ溝との間に球状の位置合わせ用嵌合部材
を挟み込むことによって、該第１の副基板と第２の副基
板とが共通基板上に整列して載置され、第１の光部品と
第２の光部品とが相対向して配置されて両者の光軸が一
致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の光学装置におい
て、両副基板位置合わせ用嵌合溝の幅を異ならせて、両
副基板の高さを変えることによって、前記第１の光部品
と第２の光部品とが相対向して配置されて両者の光軸が
一致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項１３】 請求項１１に記載の光学装置におい
て、共通基板上の位置合わせ用嵌合溝と、副基板上のそ
れぞれの副基板位置合わせ溝との間に球状の位置合わせ
用嵌合部材を挟み込むとともに、両副基板の位置合わせ
用嵌合部材の直径を異ならせて、両副基板の高さを変え
ることによって、前記第１の光部品と第２の光部品とが
相対向して配置されて両者の光軸が一致することを特徴
とする光学装置。 - 【請求項１４】 請求項７または請求項８から請求項１
３までのうちのいずれかに記載の光学装置において、前
記共通基板上または前記第２の副基板上または前記共通
基板と第２の副基板の両方の基板上に、前記光軸に沿っ
て該共通基板または第２の副基板の一方の端部から他方
の端部にわたって、光ビームを通過させるための光ビー
ム通過溝を、機械的な研削加工によって形成したことを
特徴とする光学装置。 - 【請求項１５】 請求項４または請求項５に記載の光学
装置において、チップ状の第１の光部品と、球状または
円柱状の第２の光部品とを、それぞれの光軸が一致する
ように配置することによって、該第１の光部品から該第
２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に前記光軸に沿
って光ビームを形成する光学装置において、第１の副基
板上に、平行な少なくとも２本のＶ字形断面を有する第
１の副基板位置合わせ溝を形成するとともに、前記第１
の光部品をその光軸が該副基板位置合わせ溝と平行にな
るように載置し、第１の副嵌合基板上に、平行な少なく
とも２本のＶ字形断面を有する前記副基板位置合わせ溝
と同じ間隔の第１の副嵌合基板位置合わせ溝を形成し、
該第１の副基板と第１の副嵌合基板とを重ね合わせて、
前記第１の副基板位置合わせ溝と前記第１の副嵌合基板
位置合わせ溝とからなる、嵌合部材受容穴を有する第１
のサブユニットを形成し、 第２の副基板上に、平行な少なくとも２本のＶ字形断面
を有する第２の副基板位置合わせ溝を形成するととも
に、前記第２の光部品の一部分を収容して位置決めする
光部品ガイド溝を設けて、該光部品ガイド溝に前記第２
の光部品を嵌合させてその光軸が該副基板位置合わせ溝
と平行になるように載置し、第２の副嵌合基板上に、平
行な少なくとも２本のＶ字型断面を有する前記副基板位
置合わせ溝と同じ間隔の第２の副嵌合基板位置合わせ溝
を形成し、前記第２の副基板位置合わせ溝と前記第２の
副嵌合基板位置合わせ溝とに円柱状の位置合わせ用嵌合
部材を嵌合させて、該第２の副基板と第２の副嵌合基板
とを重ね合わせて、第２のサブユニットを形成し、 該第２のサブユニットから突き出している前記位置合わ
せ用嵌合部材に、前記第１のサブユニットの嵌合部材受
容穴を嵌合させることによって、前記第１の副基板と第
２の副基板とが整列して配置され、前記第１の光部品と
第２の光部品とが相対向して配置されて両者の光軸が一
致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の光学装置におい
て、前記第１の副基板位置合わせ溝と第２の副基板位置
合わせ溝との幅を異ならせて、それぞれの副基板と副嵌
合基板との高さを異ならせることによって、前記第１の
光部品と第２の光部品とが相対向して配置されて両者の
光軸が一致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項１７】 請求項７，請求項１５または請求項１
６のいずれかに記載の光学装置において、前記第２の副
嵌合基板上または前記第２の副基板上または前記第２の
副嵌合基板と前記第２の副基板の両方の基板上に、前記
光軸に沿って該第２の副嵌合基板上または前記第２の副
基板上または前記第２の副嵌合基板と前記第２の副基板
の両方の基板上の一方から他方の端部にわたって、光ビ
ームを通過させるための光ビーム通過溝を、機械的な研
削加工によって形成したことを特徴とする光学装置。 - 【請求項１８】 請求項７，請求項１４または請求項１
７のいずれかに記載の光学装置において、前記共通基板
または第２の副基板または前記第２の副嵌合基板にシリ
コン基板を用い、前記位置合わせ用嵌合溝または副基板
位置合わせ溝または副嵌合基板位置合わせ溝をフォトリ
ソグラフィで形成したパターンをマスクとしてウエット
エッチングによってシリコンを異方性エッチングして形
成したのちに、前記ビーム通過溝を機械的な研削加工に
よって形成したことを特徴とする光学装置。 - 【請求項１９】 請求項４または請求項５に記載の光学
装置において、チップ状の第１の光部品と、球状または
円柱状の第２の光部品とを、それぞれの光軸が一致する
ように配置することによって、該第１の光部品から該第
２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に前記光軸に沿
って光ビームを形成する光学装置において、共通基板上
に、１個の台形の位置合わせ用突起または複数の台形の
位置合わせ用突起でかつ一定の周期で平行に形成された
突起のいずれかにより構成されてなる位置合わせ用嵌合
手段を少なくとも２組設け、第１の副基板上に、前記位
置合わせ用突起と嵌合すべき１個のＶ字形断面を有する
副基板位置合わせ用溝または複数のＶ字形断面を有する
副基板位置合わせ用溝でかつ前記複数の台形の位置合わ
せ用突起と同じ周期で平行に形成された溝のいずれかに
より構成されてなる位置合わせ用嵌合手段を少なくとも
２組設けるとともに、該２組の位置合わせ用嵌合手段の
間の領域に前記第１の光部品を載置し、 前記第２の副基板上に、前記位置合わせ用突起と嵌合す
べき１個のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ用溝ま
たは複数のＶ字形断面を有する副基板位置合わせ用溝で
かつ前記複数の台形の位置合わせ用突起と同じ周期で平
行に形成された溝のいずれかにより構成されてなる位置
合わせ用嵌合手段を少なくとも２組設けるとともに、該
２組の位置合わせ用嵌合手段の間の領域に前記第２の光
部品の一部分を収容して位置決めする光部品ガイド溝を
設けて、該光部品ガイド溝に前記第２の光部品を嵌合さ
せてその光軸が該副基板位置合わせ溝に平行になるよう
に載置し、 前記共通基板上の位置合わせ用突起に、前記第１の副基
板上の副基板位置合わせ用溝と、前記第２の副基板上の
副基板位置合わせ用溝とを嵌合させることによって、該
第１の副基板と第２の副基板とが共通基板上に整列して
載置され、前記第１の光部品と第２の光部品とが相対向
して配置されて両者の光軸が一致することを特徴とする
光学装置。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の光学装置におい
て、前記第１の副基板上の副基板位置合わせ用溝と第２
の副基板上の副基板位置合わせ用溝との幅を異ならせ
て、両副基板の高さを変えることによって、前記第１の
光部品と第２の光部品とが相対向して配置されて両者の
光軸が一致することを特徴とする光学装置。 - 【請求項２１】 請求項７から請求項２０までのうちの
いずれかに記載の光学装置において、前記第２の副基板
上に、前記光軸に沿って該副基板の一方の端部から他方
の端部にわたって、光ビームを通過させるための光ビー
ム通過溝を、機械的な研削加工によって形成したことを
特徴とする光学装置。 - 【請求項２２】 請求項４または請求項６に記載の光学
装置において、チップ状の第１の光部品と、球状または
円柱状の第２の光部品とを、それぞれの光軸が一致する
ように配置することによって、該第１の光部品から該第
２の光部品を結ぶ方向およびその延長上に前記光軸に沿
って光ビームを形成する光学装置において、第１の基板
上に、複数の逆ピラミッド型の位置合わせ用嵌合溝が形
成されているとともに、該第１の基板上に前記第１の光
部品が該第１の光部品の光軸が前記位置合わせ用嵌合溝
で囲まれた領域内の上空を通過するように載置され、さ
らに該第１の基板における該第１の光部品の光軸に対応
する位置に断面がＶ字形または逆台形のビーム通過溝が
該光部品と該第１の基板の端部との間に形成され、 第２の基板上に、複数の逆ピラミッド型の位置合わせ用
嵌合溝が、前記第１の基板の位置合わせ用嵌合溝に対応
する位置に形成されているとともに、該位置合わせ用嵌
合溝によって囲まれた領域内に前記第２の光部品の一部
分を収容して位置決めする光部品ガイド溝が設けられか
つ該光部品ガイド溝に前記第２の光部品が嵌合されてお
り、 該第１の基板の位置合わせ用嵌合溝と第２の基板の位置
合わせ用嵌合溝とに、球体からなる位置合わせ用嵌合部
材を嵌合して、該第１の基板と第２の基板とを位置合わ
せすることによって、該第１の基板と第２の基板とが整
列して配置され、前記第１の光部品と第２の光部品とが
相対向して配置されて両者の光軸が一致することを特徴
とする光学装置。 - 【請求項２３】 請求項７または請求項２２に記載の光
学装置において、前記第２の基板上に、前記光軸に沿っ
て該第２の基板の一方の端部から他方の端部にわたっ
て、光ビームを通過させるための光ビーム通過溝を、機
械的な研削加工によって形成したことを特徴とする光学
装置。 - 【請求項２４】 請求項２１または請求項２３に記載の
光学装置において、前記第２の副基板または前記第２の
基板にシリコン基板を用い、前記第２の光部品に対応す
る光部品ガイド溝と前記副基板位置合わせ溝または前記
位置合わせ用嵌合溝をフォトリソグラフィで形成したパ
ターンをマスクとしてウエットエッチングによってシリ
コンを異方性エッチングして形成したのちに、前記ビー
ム通過溝を機械的な研削加工によって形成したことを特
徴とする光学装置。 - 【請求項２５】 請求項１から請求項２４までのうちの
いずれかに記載の光学装置において、 前記第２の光部品が球状であるときは、前記光部品ガイ
ド溝が逆ピラミッド型の溝であり、前記第２の光部品が
円柱状であるときは、前記光部品ガイド溝が間口が矩形
で、該矩形の相対する２辺に垂直な断面がＶ字形で、相
対する他の２辺に垂直な断面が逆台形の溝であることを
特徴とする光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236407A JPH0980273A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 光学装置 |
| US08/671,507 US5757999A (en) | 1995-09-14 | 1996-06-27 | Optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236407A JPH0980273A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980273A true JPH0980273A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17000305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7236407A Withdrawn JPH0980273A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 光学装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757999A (ja) |
| JP (1) | JPH0980273A (ja) |
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1995
- 1995-09-14 JP JP7236407A patent/JPH0980273A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-06-27 US US08/671,507 patent/US5757999A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2018124394A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 国立大学法人福井大学 | 光ビーム投影装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5757999A (en) | 1998-05-26 |
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