JPH0980414A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0980414A JPH0980414A JP7230873A JP23087395A JPH0980414A JP H0980414 A JPH0980414 A JP H0980414A JP 7230873 A JP7230873 A JP 7230873A JP 23087395 A JP23087395 A JP 23087395A JP H0980414 A JPH0980414 A JP H0980414A
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- Japan
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- crystal display
- display device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示状態の良い液晶表示装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 本発明の構成は、透明絶縁性基板上に導
電性の遮光膜が形成され、絶縁膜が形成され、絶縁膜上
に透明電極が形成された電極基板を備えた液晶表示装置
において、遮光膜のパターンは、全体が導通することな
く部分的に分割されている液晶表示装置である。
を目的とする。 【解決手段】 本発明の構成は、透明絶縁性基板上に導
電性の遮光膜が形成され、絶縁膜が形成され、絶縁膜上
に透明電極が形成された電極基板を備えた液晶表示装置
において、遮光膜のパターンは、全体が導通することな
く部分的に分割されている液晶表示装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に導電性の遮光膜を備えた液晶表示装置に関す
る。
り、特に導電性の遮光膜を備えた液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置は一般的に、二枚の
電極基板に液晶が挟持された構造をしており、１方の電
極基板は、透明絶縁性基板上にクロム等の遮光膜が形成
され、その上に絶縁膜が形成され、さらに透明電極が形
成されている構造である。
電極基板に液晶が挟持された構造をしており、１方の電
極基板は、透明絶縁性基板上にクロム等の遮光膜が形成
され、その上に絶縁膜が形成され、さらに透明電極が形
成されている構造である。
【０００３】従来の遮光膜は一体構造となっており、上
記のように遮光膜を形成する際、遮光膜に起因する突起
や絶縁膜のピンホール等が原因で絶縁膜上の透明電極と
導通状態になった場合、透明電極にかかるはずの電圧
が、下層の遮光膜の全パターンにリークしてしまい、透
明電極の電圧が降下してしまう問題がある。
記のように遮光膜を形成する際、遮光膜に起因する突起
や絶縁膜のピンホール等が原因で絶縁膜上の透明電極と
導通状態になった場合、透明電極にかかるはずの電圧
が、下層の遮光膜の全パターンにリークしてしまい、透
明電極の電圧が降下してしまう問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記説明したように、
導電性の遮光膜が一体となっている構造では、透明電極
と導通状態になった場合、透明電極の電圧降下を起こ
し、表示に悪影響を及ぼしていた。本願発明は上記問題
点に鑑みなされたもので、表示状態の良い液晶表示装置
を提供することを目的とする。
導電性の遮光膜が一体となっている構造では、透明電極
と導通状態になった場合、透明電極の電圧降下を起こ
し、表示に悪影響を及ぼしていた。本願発明は上記問題
点に鑑みなされたもので、表示状態の良い液晶表示装置
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明絶縁性基
板上に所定パターンに導電性の遮光膜が形成され、遮光
膜が形成された透明絶縁性基板上に絶縁膜が形成され、
絶縁膜上に透明電極が形成され、透明電極を含む透明絶
縁性基板上に配向膜が形成された第一の電極基板と、透
明絶縁性基板上に透明電極が形成され、透明電極が形成
された絶縁性基板上に配向膜が形成された第二の電極基
板と、第一の電極基板と第二の電極基板とに挟持された
液晶と、を備えた液晶表示装置において、所定パターン
は、遮光膜の全体が導通することなく部分的に分割され
ていることを特徴とする液晶表示装置である。
板上に所定パターンに導電性の遮光膜が形成され、遮光
膜が形成された透明絶縁性基板上に絶縁膜が形成され、
絶縁膜上に透明電極が形成され、透明電極を含む透明絶
縁性基板上に配向膜が形成された第一の電極基板と、透
明絶縁性基板上に透明電極が形成され、透明電極が形成
された絶縁性基板上に配向膜が形成された第二の電極基
板と、第一の電極基板と第二の電極基板とに挟持された
液晶と、を備えた液晶表示装置において、所定パターン
は、遮光膜の全体が導通することなく部分的に分割され
ていることを特徴とする液晶表示装置である。
【０００６】本発明は、導電性の遮光膜を遮光膜全パタ
ーンに導通しないように分割して形成してあることによ
り、例えば絶縁膜のピンホールにより絶縁膜上の透明電
極と遮光膜が導通したとしても、ピンホールの無い部分
の遮光膜には導通しないため、透明電極の電圧降下を少
なくくい止めることができ、表示不良を解消することが
可能になる。
ーンに導通しないように分割して形成してあることによ
り、例えば絶縁膜のピンホールにより絶縁膜上の透明電
極と遮光膜が導通したとしても、ピンホールの無い部分
の遮光膜には導通しないため、透明電極の電圧降下を少
なくくい止めることができ、表示不良を解消することが
可能になる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。図１に、本発明の一実施例における液晶
表示装置の構成を示す。本実施例は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）をスイッチング素子として用いたアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置である。 まず、第一の電極
基板である対向基板として、ガラスから成る透明絶縁性
基板５上に、例えばクロム（Ｃｒ）から成りマトリクス
状に形成された遮光膜６と、その遮光膜６に囲まれた画
素領域にそれぞれ形成された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）のカラーフィルタ７と、カラーフィルタ７の上に
全面に形成されカラーフィルタ７の保護、表面の平坦
化、さらに絶縁膜としてのトップコート８と、トップコ
ート８上に全面に形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）から成る透明電極である対向電極９
と、さらに、最上部に全面に形成された配向膜１０とか
ら成る。
細に説明する。図１に、本発明の一実施例における液晶
表示装置の構成を示す。本実施例は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ）をスイッチング素子として用いたアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置である。 まず、第一の電極
基板である対向基板として、ガラスから成る透明絶縁性
基板５上に、例えばクロム（Ｃｒ）から成りマトリクス
状に形成された遮光膜６と、その遮光膜６に囲まれた画
素領域にそれぞれ形成された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）のカラーフィルタ７と、カラーフィルタ７の上に
全面に形成されカラーフィルタ７の保護、表面の平坦
化、さらに絶縁膜としてのトップコート８と、トップコ
ート８上に全面に形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）から成る透明電極である対向電極９
と、さらに、最上部に全面に形成された配向膜１０とか
ら成る。
【０００８】そして、第二の電極基板であるＴＦＴアレ
イ基板は、ガラスから成る透明絶縁性基板１上に個々の
画素領域に対応して設けられたＴＦＴ２と、ＴＦＴ２の
一部に接続された透明電極である画素電極３と、さらに
最上層に全面に形成された配向膜４とから成る。
イ基板は、ガラスから成る透明絶縁性基板１上に個々の
画素領域に対応して設けられたＴＦＴ２と、ＴＦＴ２の
一部に接続された透明電極である画素電極３と、さらに
最上層に全面に形成された配向膜４とから成る。
【０００９】そして、ＴＦＴアレイ基板と対向基板と
が、シール剤１１及び図示しないスペーサーを介してお
互いに画素電極３と対向電極９の形成面を向き合わせ、
液晶１２を挟持している。
が、シール剤１１及び図示しないスペーサーを介してお
互いに画素電極３と対向電極９の形成面を向き合わせ、
液晶１２を挟持している。
【００１０】そして、両電極基板の外側面には偏光板１
３ａ、１３ｂが設けられており、ＴＦＴアレイ基板側に
照明となるバックライト１４が配置され、さらにＴＦＴ
アレイ基板に駆動ＩＣ１５が実装されて、本実施例の液
晶表示装置が構成されている。
３ａ、１３ｂが設けられており、ＴＦＴアレイ基板側に
照明となるバックライト１４が配置され、さらにＴＦＴ
アレイ基板に駆動ＩＣ１５が実装されて、本実施例の液
晶表示装置が構成されている。
【００１１】このうち、遮光膜６を含む対向基板の製造
方法を詳細に説明する。まず、ガラスから成る透明絶縁
性基板５上に、クロムを約１０００Ａ堆積させ、フォト
リソグラフィによりマトリクス状の遮光膜６を形成す
る。ここで、遮光膜６はＴＦＴアレイ基板と組み合わせ
たときに、ＴＦＴアレイ基板のゲートライン及びドレイ
ンラインに対応するように形成される。
方法を詳細に説明する。まず、ガラスから成る透明絶縁
性基板５上に、クロムを約１０００Ａ堆積させ、フォト
リソグラフィによりマトリクス状の遮光膜６を形成す
る。ここで、遮光膜６はＴＦＴアレイ基板と組み合わせ
たときに、ＴＦＴアレイ基板のゲートライン及びドレイ
ンラインに対応するように形成される。
【００１２】このとき、遮光膜６は図２（ａ）または同
図（ｂ）に示すように細かく分割されるような形状にす
る。方法としては、フォトリソグラフィにて遮光膜６を
形成する際のマスクパターンを変えることで、容易に本
実施例のパターンを持つ遮光膜６を形成することができ
る。
図（ｂ）に示すように細かく分割されるような形状にす
る。方法としては、フォトリソグラフィにて遮光膜６を
形成する際のマスクパターンを変えることで、容易に本
実施例のパターンを持つ遮光膜６を形成することができ
る。
【００１３】ここで遮光膜６の分割の間隔は約５μｍ〜
１０μｍ程度が好ましい。この分割の間隔は広い方が確
実に絶縁されるが、あまり広いと遮光の性能を落とすこ
とになり、コントラストの低い表示となってしまう。
１０μｍ程度が好ましい。この分割の間隔は広い方が確
実に絶縁されるが、あまり広いと遮光の性能を落とすこ
とになり、コントラストの低い表示となってしまう。
【００１４】また、遮光膜６の材料はクロムに限らず、
他の金属や合金あるいは積層構造の金属等、導電性の物
質に関して様々な態様がある。次に、マトリクス状に形
成された遮光膜６に囲まれた領域は各画素領域となり、
各画素領域に赤、緑、青、のカラーフィルタ７を、例え
ば顔料分散法により１．０μｍ〜２．５μｍの膜厚でそ
れぞれ形成する。顔料分散法以外に染色法、印刷法、電
着法等による形成方法でも可能である。
他の金属や合金あるいは積層構造の金属等、導電性の物
質に関して様々な態様がある。次に、マトリクス状に形
成された遮光膜６に囲まれた領域は各画素領域となり、
各画素領域に赤、緑、青、のカラーフィルタ７を、例え
ば顔料分散法により１．０μｍ〜２．５μｍの膜厚でそ
れぞれ形成する。顔料分散法以外に染色法、印刷法、電
着法等による形成方法でも可能である。
【００１５】さらに、全面にカラーフィルタ７を保護
し、その表面を平坦化し、対向電極９と遮光膜６を絶縁
するためのトップコート８としてエポキシ樹脂等をスピ
ンナーにより約１μｍ〜２μｍ程度の膜厚で形成する。
し、その表面を平坦化し、対向電極９と遮光膜６を絶縁
するためのトップコート８としてエポキシ樹脂等をスピ
ンナーにより約１μｍ〜２μｍ程度の膜厚で形成する。
【００１６】次に全面にＩＴＯから成る透明電極９を例
えばスパッタ法により膜厚１０００Ａ〜２０００Ａに形
成する。最後に、全面にポリイミドから成る配向膜１０
を例えばスピンコート法により膜厚８００Ａ〜９００Ａ
に形成して、所望の対向基板が完成する。
えばスパッタ法により膜厚１０００Ａ〜２０００Ａに形
成する。最後に、全面にポリイミドから成る配向膜１０
を例えばスピンコート法により膜厚８００Ａ〜９００Ａ
に形成して、所望の対向基板が完成する。
【００１７】なお、遮光膜６の分割パターンとして、図
２（ａ）、（ｂ）の他にも図３の様に一画素ごとに分割
されているパターンである。さらに、図４（ａ）、
（ｂ）の様に三画素ごとに分割されているパターン等も
ある。
２（ａ）、（ｂ）の他にも図３の様に一画素ごとに分割
されているパターンである。さらに、図４（ａ）、
（ｂ）の様に三画素ごとに分割されているパターン等も
ある。
【００１８】これらの図は分割パターンのほんの一例に
過ぎず、この他に様々な態様が考えられることは言うま
でもない。分割に関しては、微細に分割すればリークの
被害が少なくてすむが、遮光膜を切る部分が多くなるの
で遮光の効果を犠牲にすることになる。そこを考えて設
計をすべきである。
過ぎず、この他に様々な態様が考えられることは言うま
でもない。分割に関しては、微細に分割すればリークの
被害が少なくてすむが、遮光膜を切る部分が多くなるの
で遮光の効果を犠牲にすることになる。そこを考えて設
計をすべきである。
【００１９】また、本実施例は、対向基板側に遮光膜６
が形成された液晶表示装置であるが、アレイ基板側に遮
光膜が形成された液晶表示装置にも適用できる。さら
に、アクティブマトリクス型液晶表示装置に限らず、二
枚の電極基板に形成される電極がそれぞれストライプ状
であり、それが直交するように組み合わされたシンプル
マトリクス型液晶表示装置にも適用できる。
が形成された液晶表示装置であるが、アレイ基板側に遮
光膜が形成された液晶表示装置にも適用できる。さら
に、アクティブマトリクス型液晶表示装置に限らず、二
枚の電極基板に形成される電極がそれぞれストライプ状
であり、それが直交するように組み合わされたシンプル
マトリクス型液晶表示装置にも適用できる。
【００２０】また、赤、緑、青の各画素がデルタ配列し
ている遮光膜にも適用できる。このように本実施例は発
明の範囲で多くの変更または修正を加え得ることは勿論
である。
ている遮光膜にも適用できる。このように本実施例は発
明の範囲で多くの変更または修正を加え得ることは勿論
である。
【００２１】本実施例の構成によれば、例えば遮光膜６
の形成に起因する突起やトップコート８のピンホール等
によって、対向電極９と遮光膜６が導通状態となって
も、対向電極９と接触している遮光膜６の分割された部
分にのみ電圧がリークし、遮光膜６の他の大部分に電圧
がリークすることが防げ、対向電極３の電圧降下を大幅
に減少することができる。このため表示むらを軽減させ
ることが可能になる。
の形成に起因する突起やトップコート８のピンホール等
によって、対向電極９と遮光膜６が導通状態となって
も、対向電極９と接触している遮光膜６の分割された部
分にのみ電圧がリークし、遮光膜６の他の大部分に電圧
がリークすることが防げ、対向電極３の電圧降下を大幅
に減少することができる。このため表示むらを軽減させ
ることが可能になる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、導電性の遮光膜６を分
割パターンに形成することにより、トップコート８上の
透明電極９と遮光膜６が導通しても、対向電極の電圧降
下を少なくくい止めることができ、表示不良を解消する
ことができる。
割パターンに形成することにより、トップコート８上の
透明電極９と遮光膜６が導通しても、対向電極の電圧降
下を少なくくい止めることができ、表示不良を解消する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例における液晶表示装置の構造
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例における遮光膜のパターンを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】本発明の一実施例における遮光膜を一画素分に
分割したパターンを示す平面図である。
分割したパターンを示す平面図である。
【図４】本発明の一実施例における遮光膜を三画素分に
分割したパターンを示す平面図である。
分割したパターンを示す平面図である。
１、５…透明絶縁性基板 ２…ＴＦＴ ３…画素電極 ４、１０配向膜 ６…遮光膜 ７…カラーフィルタ ８…トップコート ９…対向電極 １２…液晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野瀬 伸市 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷電子工場内
Claims (9)
- 【請求項１】 透明絶縁性基板上に所定パターンに導電
性の遮光膜が形成され、前記遮光膜が形成された前記透
明絶縁性基板上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に透
明電極が形成され、前記透明電極を含む前記透明絶縁性
基板上に配向膜が形成された第一の電極基板と、 透明絶縁性基板上に透明電極が形成され、前記透明電極
が形成された前記絶縁性基板上に配向膜が形成された第
二の電極基板と、 前記第一の電極基板と前記第二の電極基板とに挟持され
た液晶と、を備えた液晶表示装置において、 前記所定パターンは、前記遮光膜の全体が導通すること
なく部分的に分割されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置において、 行方向と列方向を有するマトリクス状の前記遮光膜によ
り画素領域が形成されおり、前記所定パターンは前記行
方向及び列方向にそれぞれ一画素分の長さで分割されて
いることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の液晶表示装置において、 前記遮光膜により画素領域が形成され、前記所定パター
ンは一画素分ごとに分割されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の液晶表示装置において、 前記遮光膜により画素領域が形成され、前記所定パター
ンは三画素分ごとに分割されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載の液晶表
示装置において、 前記第一の電極基板または前記第二の電極基板にカラー
フィルタを備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 請求項１、２、３または４記載の液晶表
示装置において、 前記第一の電極基板または前記第二の電極基板に液晶の
駆動電圧を制御するスイッチング素子を備えたことを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 請求項１、２、３または４記載の液晶表
示装置において、 前記第一の電極基板、及び前記第二の電極基板の透明電
極はそれぞれストライプ状であり、それぞれのストライ
プが直交して配置されることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項８】 請求項１、２、３または４記載の液晶表
示装置において、 前記遮光膜はクロム、またはクロムを含む合金であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項１、２、３または４記載の液晶表
示装置において、 前記遮光膜が分割される間隔は５μｍ〜１０μｍである
ことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230873A JPH0980414A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230873A JPH0980414A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980414A true JPH0980414A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16914652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230873A Pending JPH0980414A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0980414A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967512A4 (en) * | 1998-01-09 | 2002-01-02 | Citizen Watch Co Ltd | FLOW CRYSTAL DEVICE WITH A FUNCTION PREVENTING LEAKAGE |
| KR100350598B1 (ko) * | 1998-06-19 | 2002-08-28 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 |
| KR100987887B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2010-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP7230873A patent/JPH0980414A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967512A4 (en) * | 1998-01-09 | 2002-01-02 | Citizen Watch Co Ltd | FLOW CRYSTAL DEVICE WITH A FUNCTION PREVENTING LEAKAGE |
| US6744484B1 (en) | 1998-01-09 | 2004-06-01 | Citizen Watch Co., Ltd. | LCD having dummy electrodes or light-cutting film with current leakage preventing slits |
| KR100350598B1 (ko) * | 1998-06-19 | 2002-08-28 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 |
| KR100987887B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2010-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
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