JPH0980470A - Tft基板の配線欠陥修復方法 - Google Patents

Tft基板の配線欠陥修復方法

Info

Publication number
JPH0980470A
JPH0980470A JP26214095A JP26214095A JPH0980470A JP H0980470 A JPH0980470 A JP H0980470A JP 26214095 A JP26214095 A JP 26214095A JP 26214095 A JP26214095 A JP 26214095A JP H0980470 A JPH0980470 A JP H0980470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
repair
intersection
short
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26214095A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Ishimori
英男 石森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP26214095A priority Critical patent/JPH0980470A/ja
Publication of JPH0980470A publication Critical patent/JPH0980470A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • G02F1/136263Line defects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • G02F1/136272Auxiliary lines

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 TFT基板のマトリックス配線の断線と交点
の短絡欠陥を、有効かつ容易に修復する。 【解決手段】 マトリックス配線の周囲に、複数本のリ
ペア線R1 〜Rs を、各ゲート線G1 〜Gm およびドレ
イン線D1 〜Dn の引出し線のそれぞれと、2箇所で絶
縁交差して方形状に配線し、かつ各リペア線R1 〜Rs
の1偶をカットして構成されたリペア線群14を設け、任
意のゲート線Gまたはドレイン線Dが任意の箇所で断線
Bしているとき、いずれかのリペア線Rと、ゲート線G
またはドレイン線Dの引出し線との、2箇所の絶縁交差
点をそれぞれ接続して、断線Bに対する迂回路を構成し
て修復する。交点の短絡Sに対しては、短絡交点をカッ
トして除去し、2本のリペア線で前記と同様の迂回路を
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、カラー液晶パネ
ル用のTFT基板の配線欠陥の修復方法に関する。
【0002】
【従来の技術】テレビなどの画像表示用のカラー液晶パ
ネルには、TFT基板が使用されている。図2は、TF
T基板1の構成と、これ対する制御部2を示す。TFT
基板1は、方形のガラス基板11に対して、それぞれ複数
m,n本のX電極とY電極とが、言い換えれば、X電極
として、通常、ゲート線12(G1 〜Gm)とY電極とし
て、通常、ドレイン線13(D1 〜Dn)とが、マトリック
ス状に配線(以下マトリックス配線)され、その各交点
にはTFTなどよりなる電極素子14が形成されている。
制御部2はデータ回路21と走査回路22よりなり、データ
回路22からは各ドレイン線Dに対して画像データが与え
られ、これに対して走査回路21は各ゲート線Gを適当な
タイミングで順次に走査し、各電極素子14のTFTをO
NまたはOFFして、カラーフィルタがバックからの照
明光を透過または遮断する仕組みである。
【0003】さて、TFT基板1には製造過程において
種々の欠陥が発生する。そのなかにはマトリックス配線
の断線と短絡があり、短絡にはゲート線Gの相互間、ま
たはドレイン線相互間の短絡や、これらの交点の短絡、
または接地などがある。図3は、これらの欠陥を例示す
るもので、例えば、ドレイン線D1 は×印の1箇所で断
線しており、断線Bより下側のドレイン線D1 に接続さ
れたすべての電極素子14にはデータが供給されない。ま
たゲート線G2 は図示の1箇所で接地Eしており、ゲー
ト線G2 に接続されたすべての電極素子14は走査され
ず、いずれも動作が不良となる。またドレイン線D2
ゲート線G1 は交点で短絡Sしており、両線に接続され
たすべての電極素子14がやはり動作不良となる。このよ
うに電極素子14が動作不良すると、液晶パネルには良好
な画像が再生されない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】TFT基板1のマトリ
ックス配線は、前記したように、断線や接地または交点
の短絡がたとえ1箇所であっても、多数の電極素子14が
動作不良となるので、製造後行う検査により欠陥を検出
し、可能なものは修正措置がとられている。ただし交点
以外の短絡や接地Eに対しては、レーザカッター方式の
修正装置があり、これにより短絡部分をカットすること
ができて、修正は比較的容易であるが、断線Bと交点の
短絡にはいまのところ有効な修正装置が無いため、一般
的には廃棄処分とされており、このために製品の歩止ま
りの低下を招いているのが現状である。この発明は以上
に鑑みてなされたもので、マトリックス配線の断線と交
点の短絡欠陥に対する、有効な修復方法を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明はTFT基板の
配線欠陥修復方法であって、マトリックス配線の周囲の
ガラス基板上に、複数本のリペア線を、各ゲート線(X
電極)およびドレイン線(Y電極)の引出し線のそれぞ
れと2箇所で絶縁交差して方形状に配線し、かつ方形状
の各リペア線の1偶をカットして構成されたリペア線群
を設ける。任意のゲート線またはドレイン線が任意の箇
所で断線しているとき、リペア線群のいずれかのリペア
線と、ゲート線またはドレイン線の引出し線との、2箇
所の絶縁交差点をそれぞれ接続して、断線箇所に対する
迂回路を構成して修復する。前記において、マトリック
ス配線の任意の交点でゲート線とドレイン線とが短絡し
ているとき、短絡交点の近傍でゲート線とドレイン線と
をそれぞれカットして、短絡交点を除外し、短絡点が除
外されたゲート線およびドレイン線の引出し線と、リペ
ア線群のいずれか2本のリペア線との、それぞれの2箇
所の絶縁交差点を接続して、短絡交点に対する迂回路を
構成して修復する。
【0006】
【発明の実施の形態】前記のTFT基板の配線修復方法
においては、マトリックス配線の周囲のガラス基板上
に、方形状に設けたリペア線群は、複数本のリペア線を
各ゲート線およびドレイン線の引出し線のそれぞれと2
箇所で絶縁交差して配線し、各リペア線の1偶をカット
して構成される。いま、あるゲート線が任意の箇所で断
線しているときは、いずれかのリペア線と、断線してい
るゲート線の引出し線とを、2箇所の絶縁交差点でそれ
ぞれ接続すると、断線箇所の手前(走査回路側)の各電
極素子は走査回路からの走査信号を直接受けて動作する
が、これに対して断線箇所よりあとの各電極素子は、接
続された両絶縁交点により迂回路が構成され、これを迂
回した走査信号により動作する。すなわち断線箇所が修
復される。ドレイン線の断線の場合も同様である。次
に、マトリックス配線のある交点でゲート線とドレイン
線とが短絡したときは、短絡交点の近傍でゲート線とド
レイン線とをそれぞれカットして短絡交点を除外し、こ
れが除外されたゲート線およびドレイン線の引出し線
は、いずれか2本のリペア線との、それぞれの2箇所の
絶縁交差点が接続され、前記と同様に短絡交点に対する
迂回路が構成されて修復される。前記のように、この発
明の修復方法は、マトリックス配線の断線や短絡交点に
対して、リペア線により迂回路を構成する方法であるの
で、修復が容易かつ有効になされる利点がある。
【0007】
【実施例】図1は、この発明を適用したTFT基板1の
一実施例を示す。TFT基板1のマトリックス配線の各
交点は一点鎖線の範囲内に存在する。各ドレイン線(D
1 〜Dn)と各ゲート線(G1 〜Gm)は、それぞれの引出
し線が一点鎖線の範囲外のガラス基板11の余白部に引出
されている。この余白部にマトリックス配線を包囲し
て、複数s本のリペア線(R1 〜Rs)を方形状に布線
し、各引出し線との交差点を絶縁し、例えば左上端を除
去してリペア線群15を構成する。各リペア線(R1 〜R
s)は、マトリックス配線と同一の線材で同一の直径のも
のが好ましく、マトリックス配線の形成時に容易に形成
することができる。いま、例えばゲート線G2 が図示の
×印の箇所で断線B1 しているときは、断線B1 の手前
の各電極素子14は、走査回路22(図2参照)よりの走査
信号を直接受ける。これに対して、例えばリペア線R1
をとり、これとゲート線G2 の2箇所の絶縁交差点pa,
b をそれぞれ接続すると、断線B1 のあとの各電極素
子14に対して、絶縁交差点pa,pb を経由するリペア線
1 の迂回路が構成され、走査信号はこれを迂回して、
これらの電極素子14に供給されて断線B1 が修復され
る。ドレイン線D3 が図示の×印の箇所で断線B2 して
いるときも同様で、例えばリペア線R2 をとり、2箇所
の絶縁交差点pc,pd を接続することにより、迂回路が
構成されて断線B2 が修復される。次に、任意のドレイ
ン線Dr とゲート線Gq とが、その交点で短絡Sしてい
るときは、短絡交点の近傍で両線をカットして短絡交点
を除外し、ドレイン線Drとゲート線Gq に対して、適
当な2本のリペア線Rp,Rq をとって、それぞれの絶縁
交差点pe,pf およびpg,ph を接続することにより、
両線に対する迂回路が構成されて交点の短絡Sが修復さ
れる。なおリペア線Rの本数sは、断線Bや交点の短絡
Sの発生頻度を勘案して、適切な値を決めればよい。
【0008】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による配
線修復方法によれば、リペア線によりマトリックス配線
の断線、または交点の短絡に対する迂回路が構成され
て、従来困難であったこれらの欠陥の修復が有効かつ容
易になされ、TFT基板の製品の歩止まりの向上に寄与
する効果には大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、この発明を適用したTFT基板1の
一実施例の構成図である。
【図2】 図2は、TFT基板1の構成と、制御部2の
説明図である。
【図3】 図3は、マトリックス配線に発生した断線と
短絡の説明図である。
【符号の説明】
1…TFT基板、11…ガラス基板、12…ゲート線G、13
…ドレイン線D、14…電極素子、15…リペア線群、2…
制御部、21…データ回路、22…走査回路、B…断線、E
…接地、S…交点の短絡、R1 〜Rs …s本のリペア
線、pa 〜ph …接続される絶縁交差点。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】方形のガラス基板の表面に、複数本のX電
    極とY電極とをマトリックス配線し、該マトリックス配
    線の各交点にTFTよりなる電極素子を有するTFT基
    板において、該マトリックス配線の周囲の該ガラス基板
    上に、複数本のリペア線を、前記各X電極およびY電極
    の引出し線のそれぞれと2箇所で絶縁交差して方形状に
    配線し、かつ該方形状の各リペア線の1偶をカットして
    構成されたリペア線群を設け、任意の前記X電極または
    Y電極が任意の箇所で断線しているとき、該リペア線群
    のいずれかのリペア線と、該X電極またはY電極の引出
    し線との、前記2箇所の絶縁交差点をそれぞれ接続し
    て、該断線箇所に対する迂回路を構成して修復すること
    を特徴とする、TFT基板の配線欠陥修復方法。
  2. 【請求項2】前記X電極はゲート線であり、前記Y電極
    はドレイン線であって、前記マトリックス配線の任意の
    交点で前記ゲート線と前記ドレイン線とが短絡している
    とき、該短絡交点の近傍で該ゲート線とドレイン線とを
    それぞれカットして該短絡交点を除外し、該短絡点が除
    外されたゲート線およびドレイン線の引出し線と、前記
    リペア線群のいずれか2本のリペア線との、それぞれの
    2箇所の前記絶縁交差点を接続して、該短絡交点に対す
    る迂回路を構成して修復することを特徴とする、請求項
    1記載のTFT基板の配線欠陥修復方法。
JP26214095A 1995-09-14 1995-09-14 Tft基板の配線欠陥修復方法 Pending JPH0980470A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26214095A JPH0980470A (ja) 1995-09-14 1995-09-14 Tft基板の配線欠陥修復方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26214095A JPH0980470A (ja) 1995-09-14 1995-09-14 Tft基板の配線欠陥修復方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0980470A true JPH0980470A (ja) 1997-03-28

Family

ID=17371616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26214095A Pending JPH0980470A (ja) 1995-09-14 1995-09-14 Tft基板の配線欠陥修復方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0980470A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6670595B1 (en) * 1999-08-02 2003-12-30 Olympus Optical Co., Ltd. Photosensor and photosensor system
KR100490040B1 (ko) * 1997-12-05 2005-09-06 삼성전자주식회사 두개이상의쇼팅바를갖는액정표시장치및그제조방법
JP2006171672A (ja) * 2004-12-10 2006-06-29 Samsung Electronics Co Ltd アレイ基板、アレイ基板を有する表示装置、及びアレイ基板のリペアー方法
KR100692866B1 (ko) * 2005-11-29 2007-03-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 및 이를 이용한리페어 방법
KR100816326B1 (ko) * 2001-01-18 2008-03-24 삼성전자주식회사 수리선을 가지는 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
WO2009151243A3 (ko) * 2008-06-09 2010-02-25 주식회사 토비스 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
JP2014527195A (ja) * 2011-08-02 2014-10-09 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 アレイ基板、液晶ディスプレイ・パネル及びその断線の修復方法
US9018632B2 (en) 2011-04-28 2015-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha TFT substrate and method for correcting wiring fault on TFT substrate
WO2018068542A1 (zh) * 2016-10-14 2018-04-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490040B1 (ko) * 1997-12-05 2005-09-06 삼성전자주식회사 두개이상의쇼팅바를갖는액정표시장치및그제조방법
US6670595B1 (en) * 1999-08-02 2003-12-30 Olympus Optical Co., Ltd. Photosensor and photosensor system
KR100816326B1 (ko) * 2001-01-18 2008-03-24 삼성전자주식회사 수리선을 가지는 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
JP2006171672A (ja) * 2004-12-10 2006-06-29 Samsung Electronics Co Ltd アレイ基板、アレイ基板を有する表示装置、及びアレイ基板のリペアー方法
KR100692866B1 (ko) * 2005-11-29 2007-03-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 및 이를 이용한리페어 방법
WO2009151243A3 (ko) * 2008-06-09 2010-02-25 주식회사 토비스 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
US9018632B2 (en) 2011-04-28 2015-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha TFT substrate and method for correcting wiring fault on TFT substrate
JP2014527195A (ja) * 2011-08-02 2014-10-09 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 アレイ基板、液晶ディスプレイ・パネル及びその断線の修復方法
US10068813B2 (en) 2011-08-02 2018-09-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal display panel and broken-line repairing method thereof
WO2018068542A1 (zh) * 2016-10-14 2018-04-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US10546879B2 (en) 2016-10-14 2020-01-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6111558A (en) Liquid crystal displays including closed loop repair lines and methods of repairing same
CN1332246C (zh) 显示板
US7358534B2 (en) Thin film display transistor array substrate for a liquid crystal display having repair lines
JPH0980470A (ja) Tft基板の配線欠陥修復方法
JPH08320466A (ja) アクティブマトリクス基板及びその欠陥修正方法
US6429908B1 (en) Method for manufacturing a gate of thin film transistor in a liquid crystal display device
JPH0974253A (ja) アクティブマトリクス基板
JP3066569B2 (ja) 液晶表示装置
JPH10123563A (ja) 液晶表示装置およびその欠陥修正方法
CN204964956U (zh) 一种阵列基板及显示面板
KR100318537B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법
JPH0435050B2 (ja)
JPH0713197A (ja) マトリックス型配線基板およびそれを用いた液晶表示装置
JP2001005027A (ja) 液晶表示装置およびそれを用いた液晶表示応用機器
JP2003322874A (ja) 液晶表示素子
JP3613295B2 (ja) 薄膜トランジスタマトリクスの断線修正方法
JPH09244048A (ja) 液晶パネル基板及び液晶パネルの製造方法
KR100612989B1 (ko) 수리선을 가지는 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
KR20000060803A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3096009B2 (ja) 液晶表示パネル
JP2814814B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板
JP3244447B2 (ja) 液晶表示装置
JP2000241833A (ja) マトリックス型配線基板
KR100719916B1 (ko) 라인 오픈 및 층간 쇼트 리페어용 수단이 구비된 박막트랜지스터 액정표시장치
KR100242444B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법