JPH0980475A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な方法で短絡個所の修復を達成できる。 【構成】 液晶層を介して互いに対向配置された透明基
板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示電極
と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記透明
基板と平行に電界を発生せしめることによって前記液晶
層を通過する光を変調させるものであって、前記表示電
極は、走査信号線への走査信号の供給によってオンする
スイッチング素子を介して映像信号線からの映像信号が
供給されるとともに、前記基準電極は、基準信号線から
の基準信号が供給される液晶表示素子の製造方法におい
て、映像信号線とこの映像信号線と隣接する基準電極と
の間で電気的短絡が生じている場合に、該電気的短絡の
生じている個所における該基準電極のうち、基準信号線
側の領域で該基準電極を切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子およびその
製造方法に係り、特に、いわゆる横電界方式の液晶表示
素子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる横電界方式と称されるカラー液
晶表示素子は、液晶層を介して互いに対向して配置され
る透明基板のうち、その一方の液晶層側の単位画素に相
当する領域面に表示電極と基準電極とが備えられ、この
表示電極と基準電極との間に透明基板面と平行に発生さ
せる電界によって前記液晶層を透過する光を変調させる
ようにしたものである。

【０００３】このようなカラー液晶表示基板は、その表
示面に対して大きな角度視野から観察しても鮮明な映像
を認識でき、いわゆる広角度視野に優れたものとして知
られるに至った。

【０００４】そして、このような横電界方式をいわゆる
アクティブ・マトリックス方式と称される液晶表示素子
に適用させたものは、マトリックス状に配置された各画
素領域にそれぞれスイッチング素子が備えられ、走査信
号線からの走査信号によってオンするスイッチング素子
を介して映像信号線からの映像信号が前記表示電極に供
給されるとともに、前記基準電極は、基準信号線からの
基準信号が供給されるように構成されている。

【０００５】なお、このような構成からなる液晶表示素
子としては、たとえば特許出願公表平５−５０５２４７
号公報および特開昭６３−２１９０７号公報等に詳述さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示素子は、一方の透明基板面にお
いて、走査信号線および基準信号線とそれぞれ交差させ
て映像信号線を配置させなければならず、しかも、各画
素領域において、表示電極を間にしてその両脇に基準電
極を配置させていることから、幾何学的に複雑な構成と
なっている。

【０００７】このため、このような液晶表示素子の製造
過程において、本来、絶縁されて形成されなければなら
ない各種信号線との間、あるいは信号線と電極との間に
電気的短絡が生じる確率が大きくなってしまうことは否
めなく、その簡単な修復方法が要望されていた。

【０００８】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、簡単な方法で短絡個所の
修復を達成できる液晶表示素子の製造方法を提供するこ
とにある。

【０００９】また、本発明の他の目的は、信号線あるい
は電極において断線が生じていたとしても、簡単な方法
で断線個所の修復を達成できる液晶表示素子の製造方法
を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、液晶層を介して互いに対向配置
された透明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領
域に表示電極と基準電極とが形成され、これら各電極の
間に前記透明基板と平行に電界を発生せしめることによ
って前記液晶層を通過する光を変調させるものであっ
て、前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給に
よってオンするスイッチング素子を介して映像信号線か
らの映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、
基準信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子の
製造方法において、映像信号線とこの映像信号線と隣接
する基準電極との間で電気的短絡が生じている場合に、
該電気的短絡の生じている個所の両脇における基準電極
のうち、基準信号線側の基準電極を切断することを特徴
とするものである。

【００１２】

【作用】このように構成した液晶表示素子の製造方法に
よれば、基準電極を上述のように切断することによっ
て、その切断個所から先端にかけての基準電極はその機
能を喪失し、表示電極との間において表示に寄与しうる
有効な電界が形成される領域が減少して軽度の点欠陥と
なってしまうものである。

【００１３】しかし、表示面の全体からみれば、この点
欠陥は特に目立つものではなく、表示素子として充分に
機能できるものとなる。

【００１４】したがって、基準信号線を共通にする画素
群の欠陥、すなわち線欠陥による弊害を簡単な作業で容
易に除去できるようになる。

【００１５】

【実施例】まず、本発明の実施例の説明をする前に、本
発明の適用の対象となるいわゆる横電界方式の液晶表示
素子の構成の一実施例を説明する。

【００１６】図２に示すように、液晶表示素子１があ
り、この液晶表示素子１の液晶を介して互いに対向配置
される透明基板のうち一方の透明基板１Ａの液晶側の面
に、そのｘ方向（行方向）に延在しｙ方向（列方向）に
並設される走査信号線２および基準信号線４とが形成さ
れている。

【００１７】この場合、同図では、透明基板１Ａの上方
から、基準信号線４、この基準信号線と比較的大きく離
間された走査信号線２、この走査信号線２と近接された
基準信号線４、この基準信号線４と比較的大きく離間さ
れた走査信号線２、…というように配置されている。

【００１８】そして、これら走査信号線２および基準信
号線４とそれぞれ絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に当
間隔に並設される映像信号線３が形成されている。

【００１９】ここで、走査信号線２、基準信号線４、お
よび映像信号線３のそれぞれによって囲まれる矩形状の
比較的広い面積の各領域において単位画素が形成される
領域となり、これら各単位画素がマトリックス状に配置
されて表示面を構成するようになっている。なお、これ
ら各単位画素の詳細な構成については後に説明する。

【００２０】液晶表示素子１には、その外部回路として
垂直走査回路５および映像信号駆動回路６が備えられ、
該垂直走査回路５によって前記走査信号線２のそれぞれ
に順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミングに
合わせて映像信号駆動回路６は映像信号線３に映像信号
（電圧）が供給されるようになっている。

【００２１】なお、垂直走査回路５および映像信号駆動
回路６は、液晶駆動電源回路７から電源が供給されてい
るとともに、ＣＰＵ８からの画像情報がコントローラ９
によってそれぞれ表示データおよび制御信号に分けられ
て入力されるようになっている。

【００２２】また、前記基準信号線４に印加される電圧
も液晶駆動電源回路７から供給されるようになってい
る。

【００２３】次に、このように構成される液晶表示素子
１における各単位画素の一実施例を以下説明する。

【００２４】図３は、液晶表示素子１における単位画素
の一実施例を示す平面図である。なお、図３におけるIV
−IV線における断面図を図４に、V−V線における断面図
を図５に、VI−VI線における断面図を図６に示してい
る。

【００２５】図３において、透明基板１Ａの主表面に、
ｘ方向に延在する基準信号線４と、この基準信号線４と
離間されかつ平行に走査信号線４が形成されている。

【００２６】ここで、基準信号線４には、２本の基準電
極１４が一体に形成されている。すなわち、それぞれの
基準電極１４は、一対の後述する映像信号線３とで形成
される画素領域のｙ方向辺、すなわち前記それぞれの映
像信号線３に近接して（−）ｙ方向に走査信号線２の近
傍にまで延在されて形成されている。

【００２７】そして、これら走査信号線２、基準信号線
４、および基準電極１４が形成された透明基板１Ａの表
面にはこれら走査信号線２等をも被ってたとえばシリコ
ン窒化膜からなる絶縁膜１５（図４、図５、図６、参
照）が形成されている。この絶縁膜１５は、後述する映
像信号線３に対しては走査信号線２および基準信号線４
との交差部における層間絶縁膜として、薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域に対してはゲート絶縁膜として、蓄
積容量Ｃｓｔｇの形成領域に対しては誘電体膜として機
能するようになっている。

【００２８】この絶縁膜１５の表面には、まず、その薄
膜トランジスタＴＦＴの形成領域において半導体層１６
が形成されている。この半導体層１６はたとえばアモル
ファスＳｉからなり、走査信号線２上において映像信号
線３に近接された部分に重畳して形成されている。これ
により、走査信号線２の一部が薄膜トランジスタＴＦＴ
のゲート電極を兼ねた構成となっている。

【００２９】そして、このようにして形成された絶縁膜
１５の表面には、図３に示すように、そのｙ方向に延在
しｘ方向に並設される映像信号線３が形成されている。

【００３０】そして、映像信号線３は、薄膜トランジス
タＴＦＴの前記半導体層１６の表面の一部にまで延在さ
れて形成されたドレイン電極３Ａが一体となって備えら
れている。

【００３１】さらに、画素領域における絶縁膜１５の表
面には表示電極１８が形成されている。この表示電極１
８は一つの画素領域を２分割するように前記基準電極１
８の中央をｙ方向に延在されて形成されている。すなわ
ち、表示電極１８の一端は前記薄膜トランジスタＴＦＴ
のソース電極１８Ａを兼ね、そのまま（＋）ｙ方向に延
在され、その他端が基準信号線４に重畳されて形成され
ている。

【００３２】この場合、表示電極１８の基準信号線４に
重畳される前記他端は比較的大きな面積を有し、前記基
準信号線４との間に誘電体膜としての前記絶縁膜１５を
備える蓄積容量Ｃｓｔｇを構成している。この蓄積容量
Ｃｓｔｇによってたとえば薄膜トランジスタＴＦＴがオ
フした際に表示電極１８に映像情報を長く蓄積させる効
果を奏するようにしている。

【００３３】なお、前述した薄膜トランジスタＴＦＴの
ドレイン電極３Ａとソース電極１８Ａとの界面に相当す
る半導体層１６の表面にははリン（Ｐ）がドープされて
高濃度層となっており、これにより前記各電極における
オーミックコンタクトを図っている。この場合、半導体
層１６の表面の全域には前記高濃度層が形成されてお
り、前記各電極を形成した後に、該電極をマスクとして
該電極形成領域以外の高濃度層をエッチングするように
して上記の構成とすることができる。

【００３４】そして、このように薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、映像信号線３、表示電極１８、および蓄積容量Ｃｓ
ｔｇが形成された絶縁膜１５の上面にはたとえばシリコ
ン窒化膜からなる保護膜１９（図４、図５、図６参照）
が形成され、この保護膜１９の上面には配向膜２０が形
成されて、液晶表示素子のいわゆる下側基板を構成して
いる。なお、この下側基板の液晶層側と反対側の面には
偏光板２１が配置されている。

【００３５】そして、いわゆる上側基板となる透明基板
１Ｂの液晶側の部分には、図４に示すように、各画素領
域の境界部に相当する部分に遮光膜２２が形成されてい
る。この遮光膜２２は、前記薄膜トランジスタＴＦＴへ
直接に光が照射されるのを防止するための機能と表示コ
ントラストの向上を図る機能とを備えるものとなってい
る。これにより遮光膜２２は開口部を有するようにな
り、その開口部が実質的な画素領域を構成するものとな
っている。

【００３６】さらに、遮光膜２２の開口部を被ってカラ
ーフィルタ２３が形成され、このカラーフィルタ２３は
ｘ方向に隣接する画素領域におけるそれとは異なった色
を備えるとともに、それぞれ遮光膜２２上において境界
部を有するようになっている。また、このようにカラー
フィルタ２３が形成された面には樹脂膜等からなる平坦
膜２４が形成され、この平坦膜２４の表面には配向膜２
５が形成されている。なお、この上側基板の液晶層側と
反対側の面には偏光板２６が配置されている。

【００３７】ここで、透明基板１Ａ側に形成された配向
膜２０と偏光板２１、透明基板１Ｂ側に形成された配向
膜２５と偏光板２６との関係を図７を用いて説明する。

【００３８】表示電極１８と基準電極１４との間に印加
される電界の方向２０７に対して、配向膜２０および２
５のいずれのラビング方向２０８の角度はφＬＣとなっ
ている。また、液晶層ＬＣとしては、誘電率異方性Δε
が正でその値が７．３（１ｋＨｚ）、屈折率異方性Δｎ
が０．０７３（５８９ｎｍ、２０℃）のネマチック液晶
の組成物を用いている。

【００３９】本実施例では例えば、φＬＣ＝８５°とす
る。またこのとき、一方の偏光板２１の偏光透過軸方向
２０９の角度φＰをφＰ＝φＬＣとし、また、もう一方
の偏光板２６の偏光透過軸方向を、φＰと直交するよう
に配置する。

【００４０】このような関係からなる配向膜２０、２５
と偏光板２１、２６等の構成は、いわゆるノーマリブラ
ックモードと称されるもので、液晶層ＬＣ内に透明基板
１Ａと平行な電界Ｅを発生せしめることにより、該液晶
層ＬＣを透過する光を制御し、特に基準電極と表示電極
間に電界が印加されない時に遮断しいわゆる黒表示でき
るようになっている。

【００４１】実施例１．このような構成からなる液晶表
示素子の下側基板の製造過程において、たとえば前記図
３に対応する図１（ａ）に示すように、映像信号線３の
形成の際に、その映像信号線３と隣接する基準電極１４
との間で電気的短絡（図中点線丸で示す）が生じてしま
った場合を考える。

【００４２】このような電気的短絡は、映像信号線３が
パターンどおりに形成されず、該映像信号線３の一部が
基準電極１４側にはみ出して形成されてしまうととも
に、該基準電極１４との間の絶縁膜１５の絶縁が不完全
な場合に、生じるようになる。

【００４３】このようになった場合、ｘ方向に並設され
る各画素に共通な基準信号線４と映像信号線３が同電位
になってしまうことから、各画素がその表示機能を喪失
するいわゆる線欠陥となり、この線欠陥を修復できない
限り、下側基板の全部が製品として使用できなくなるこ
とになる。

【００４４】そこで、本実施例では、図１（ｂ）に示す
ように、上記短絡個所が生じている部分の両脇における
基準電極１４のうち、基準信号線４側の基準電極１４を
たとえばレーザ光線で切断（図中点線丸で示す）するよ
うにしている。レーザ光線による切断は、そのビーム径
が小さく、しかも目的の個所に極めて正確に走査できる
ことから、上述した操作は簡単に行い得る。

【００４５】このように切断された基準電極１４は、表
示電極１８との間において表示に寄与しうる有効な電界
が形成される領域が減少し、軽度の点欠陥となってしま
うものであるが、表示面の全体からみれば特に目立つも
のではないことから、上述した線欠陥による弊害を除去
できることになる。

【００４６】なお、上述したような電気短絡が生じた場
合に、図８に示すように、映像信号線３の切断は確実に
回避できるような注意を払った上で、映像信号線３の基
準電極側１４へのはみ出し部分を該映像信号線の走行方
向に沿って切断（図中点線丸で示す）するようにしても
よいことはいうまでもない。

【００４７】このようにすることによって、たとえ、基
準電極１４を大きく抉って映像信号線３のはみ出し部分
を切断してしまっても、上述した効果と同様な効果が得
られるからである。

【００４８】実施例２．図３に対応する図９（ａ）に示
すように、基準電極１４および基準信号線４の形成の際
に、該基準電極３と隣接する走査信号線２との間で電気
的短絡が生じてしまった場合を考える。

【００４９】基準電極１４が一体に形成された基準信号
線４は走査信号線２と同層に形成され、しかも、基準信
号線４から延在された基準電極１４の先端部は、開口率
の向上が考慮されて走査信号線２と極めて近接して位置
づけられている。このため、基準電極１４の先端部と走
査信号線２との間に、それらを構成する材料の残留物が
付着して電気的短絡（図中点線丸で示す）が生じる可能
性が高くなる。

【００５０】このようになった場合は、ｘ方向に並設さ
れる画素に共通な基準信号線４と走査信号線２が同電位
になってしまうことから、いわゆる線欠陥となり、この
線欠陥を修復できない限り、下側基板の全部が製品とし
て使用できなくなることになる。

【００５１】そこで、本実施例では、図９（ｂ）に示す
ように、上記短絡個所が生じている部分の近傍における
基準電極１４をたとえばレーザ光線で切断（図中点線丸
で示す）するようにしている。このようにした場合、実
施例１で示したと同様の効果が得られる。

【００５２】実施例３．実施例１および実施例２の場
合、そのいずれにおいても映像信号線３と僅かの隙間を
有して隣接する基準電極１４をたとえばレーザ光で切断
することによって、線欠陥による弊害を除去するように
しているものである。

【００５３】図１０（ａ）は、該基準電極の切断におい
て、その操作が簡単に行い得る液晶表示素子の一実施例
を示した平面図である。

【００５４】同図は、図３に対応する図であり、図３と
同一の符号を示す材料はともに同一の機能を有するもの
となっている。図３と異なる構成は基準電極１４の形成
パターンにある。すなわち、映像信号線３と僅かの隙間
を有して隣接する基準電極１４は、その基準信号線４か
ら延在される部分において、他の部分と比較して映像信
号線３から大きく離間された構成となっている。

【００５５】これによって、基準電極１４の一部は画素
領域内に若干侵入するようにして形成される（図中点線
丸で示す）が、この部分は該画素領域の角部となること
から、開口率に大きな影響を及ぼさないものとなる。

【００５６】そして、このように構成された液晶表示素
子は、図１０（ｂ）に示すように、基準電極１４の切断
の個所として、その映像信号線３から大きく離間された
個所に特定しておけば、映像信号線を損傷させることな
く基準電極のみを切断する（図中点線丸で示す）ことが
できるようになる。

【００５７】そして、このように基準電極１４の切断個
所を予め特定しておくことによって、切断個所決定のた
めの複雑な信号処理系を不要にできるという効果を奏す
る。

【００５８】実施例４．図３に対応する図１１（ａ）に
示すように、ｘ方向に互いに隣接するそれぞれの画素領
域における走査信号線２と基準信号線４との間で電気的
短絡が生じてしまった場合を考える。

【００５９】この走査信号線２と基準信号線４は同層で
形成され、かつ、開口率の向上を図って形成した場合、
それらは僅かな隙間を有して隣接されることになる。こ
のため、走査信号線２と基準信号線４との間に、それら
を構成する材料の残留物が付着して電気的短絡が生じる
可能性が高くなる。

【００６０】このようになった場合も、ｘ方向に並設さ
れる画素領域に共通な基準信号線４と走査信号線２が同
電位になってしまうことから線欠陥となる。

【００６１】そこで、本実施例で、図１１（ｂ）に示す
ように、上記短絡個所が生じている部分の残留物自体を
たとえばレーザ光線で切断するようにしている。

【００６２】このようにした場合、実施例２と同様な効
果が得られる。

【００６３】実施例５．図３に対応する図１２（ａ）に
示すように、基準信号線４がその一部において断線（図
中点線丸で示す）された状態で形成された場合を考え
る。

【００６４】この場合の基準信号線４は、ｘ方向に並設
される画素に共通となっていることから、明らかに線欠
陥となる。

【００６５】このようになった場合、図１２（ｂ）に示
すように、その断線個所に導電材料からなる成膜２０を
施す（図中点線丸で示す）ことによって、切断された各
基準信号線を電気的に接続するようにする。

【００６６】この場合の成膜としては、いわゆる光ＣＶ
Ｄ法を用い、断線個所に成膜しようとする材料を含む雰
囲気を形成し、その雰囲気を通して成膜しようとする個
所にレーザ光を走査することによって容易に達成するこ
とができる。

【００６７】実施例６．図３に対応する図１３に示すよ
うに、表示電極１８がその一部において断線（図中点線
で示す）された状態で形成された場合を考える。

【００６８】この場合、断線された表示電極１８を備え
る画素のみが正常に動作しなくなっていわゆる点欠陥と
なる。

【００６９】このようになった場合、図１３（ｂ）に示
すように、その断線個所に導電材料からなる成膜３０を
上述した光ＣＶＤ法を用いて施すことによって、切断さ
れた表示電極１８を電気的に接続する（図中点線丸で示
す）ようにする。

【００７０】なお、基準電極１４において、断線が生じ
た場合にも同様の方法で修復ができることはもちろんで
ある。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したことから明らかになるよう
に、本発明による液晶表示素子によれば、簡単な方法で
短絡個所の修復を達成できるようになる。

【００７２】また、信号線あるいは電極において断線が
生じていたとしても、簡単な方法で断線個所の修復を達
成できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示素子の製造方法の一実施
例を示す説明図である。

【図２】本発明による製造方法の対象となる液晶表示素
子およびその駆動回路の一実施例を示す構成図である。

【図３】本発明による製造方法の対象となる液晶表示素
子の一実施例を示す要部平面図である。

【図４】図３のIV−IV線における断面図である。

【図５】図３のV−V線における断面図である。

【図６】図３のVI−VI線における断面図である。

【図７】本発明による製造方法の対象となる液晶表示素
子の配向膜および偏光膜の関係を示す説明図である。

【図８】本発明による液晶表示素子の製造方法の他の実
施例を示す平面図である。

【図９】本発明による液晶表示素子の製造方法の他の実
施例を示す平面図である。

【図１０】本発明による液晶表示素子の製造方法の他の
実施例を示す平面図である。

【図１１】本発明による液晶表示素子の製造方法の他の
実施例を示す平面図である。

【図１２】本発明による液晶表示素子の製造方法の他の
実施例を示す平面図である。

【図１３】本発明による液晶表示素子の製造方法の他の
実施例を示す平面図である。

【符号の説明】

２……走査信号線、３……映像信号線、４……基準信号
線、１４……基準電極、１８……表示電極、ＴＦＴ……
薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ……蓄積容量。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦沢 啓一郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶層を介して互いに対向配置された透
   明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示
   電極と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記
   透明基板と平行に電界を発生せしめることによって前記
   液晶層を通過する光を変調させるものであって、 前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給によっ
   てオンするスイッチング素子を介して映像信号線からの
   映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基準
   信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子の製造
   方法において、 映像信号線とこの映像信号線と隣接する基準電極との間
   で電気的短絡が生じている場合に、該電気的短絡の生じ
   ている個所における該基準電極のうち、基準信号線側の
   領域で該基準電極を切断することを特徴とする液晶表示
   素子の製造方法。
2. 【請求項２】 液晶層を介して互いに対向配置された透
   明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示
   電極と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記
   透明基板と平行に電界を発生せしめることによって前記
   液晶層を通過する光を変調させるものであって、 前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給によっ
   てオンするスイッチング素子を介して映像信号線からの
   映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基準
   信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子の製造
   方法において、 所定のパターンどおりに形成されない映像信号線の隣接
   する基準電極側へのはみ出し部によって、該基準電極と
   の電気的短絡が生じている場合に、該はみ出し部を切断
   することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
3. 【請求項３】 液晶層を介して互いに対向配置された透
   明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示
   電極と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記
   透明基板と平行に電界を発生せしめることによって前記
   液晶層を通過する光を変調させるものであって、 前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給によっ
   てオンするスイッチング素子を介して映像信号線からの
   映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基準
   信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子の製造
   方法において、 前記基準電極とこの基準電極と隣接する走査信号線との
   間で電気的短絡が生じている場合に、該電気的短絡の生
   じている個所の近傍において該基準電極を切断すること
   を特徴とする液晶表示素子の製造方法。
4. 【請求項４】 液晶層を介して互いに対向配置された透
   明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示
   電極と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記
   透明基板と平行に電界を発生せしめることによって前記
   液晶層を通過する光を変調させるものであって、 前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給によっ
   てオンするスイッチング素子を介して映像信号線からの
   映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基準
   信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子におい
   て、 基準電極は、映像信号線と隣接して基準信号線から延在
   されて形成されているとともに、その基準信号線から延
   在される部分において、他の部分と比較して映像信号線
   から大きく離間された構成となっていることを特徴とす
   る液晶表示素子。
5. 【請求項５】基準電極とこの基準電極と近接する他の信
   号線との電気的短絡が生じた場合、前記基準電極のうち
   映像信号線と大きく離間された部分を切断することを特
   徴とする請求項４記載の液晶表示素子。
6. 【請求項６】 液晶層を介して互いに対向配置された透
   明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示
   電極と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記
   透明基板と平行に電界を発生せしめることによって前記
   液晶層を通過する光を変調させるものであって、 前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給によっ
   てオンするスイッチング素子を介して映像信号線からの
   映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基準
   信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子の製造
   方法において、 基準信号線とこの基準信号線と隣接して配置される走査
   信号線との間に導電付着物を介して電気的短絡が生じて
   いる場合に、該導電付着物自体の切断を行うことを特徴
   とする液晶表示素子の製造方法。
7. 【請求項７】 切断はレーザ光の照射によって行うこと
   を特徴とする請求項１ないし６記載のうちいずれか記載
   の液晶表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】 液晶層を介して互いに対向配置された透
   明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示
   電極と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記
   透明基板と平行に電界を発生せしめることによって前記
   液晶層を通過する光を変調させるものであって、 前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給によっ
   てオンするスイッチング素子を介して映像信号線からの
   映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基準
   信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子の製造
   方法において、 前記基準信号線の一部が断線している場合に、その断線
   された各基準信号線との間をつなげる成膜形成を導電材
   によって行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方
   法。
9. 【請求項９】 液晶層を介して互いに対向配置された透
   明基板のうち、その一方の透明基板の各画素領域に表示
   電極と基準電極とが形成され、これら各電極の間に前記
   透明基板と平行に電界を発生せしめることによって前記
   液晶層を通過する光を変調させるものであって、 前記表示電極は、走査信号線への走査信号の供給によっ
   てオンするスイッチング素子を介して映像信号線からの
   映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基準
   信号線からの基準信号が供給される液晶表示素子の製造
   方法において、 前記基準電極あるいは表示電極の一部が断線している場
   合に、その断線された電極との間をつなげる成膜形成を
   導電材によって行うことを特徴とする液晶表示素子の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 導電材による成膜形成は、該導電材を
    含む雰囲気中を通してレーザ光を照射する光ＣＶＤ法に
    より行うことを特徴とする請求項８、９のうちいずれか
    記載の液晶表示素子の製造方法。