JPH098112A - 半導体製造装置のウェーハ台装置 - Google Patents
半導体製造装置のウェーハ台装置Info
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- JPH098112A JPH098112A JP18112495A JP18112495A JPH098112A JP H098112 A JPH098112 A JP H098112A JP 18112495 A JP18112495 A JP 18112495A JP 18112495 A JP18112495 A JP 18112495A JP H098112 A JPH098112 A JP H098112A
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- JP
- Japan
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- wafer
- plate
- semiconductor manufacturing
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- Pending
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Landscapes
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置のウェーハ台装置に於ける亀裂
の発生を防止しする。 【構成】ウェーハ１１を全周で支持するプレート１８を
具備したウェーハ台装置２であり、ウェーハを全周で支
持するので自重による変形が抑止され、又加熱されたプ
レートに載置された場合の局所加熱が防止され、曲げ歪
み、熱歪みが低減してスリップの発生が防止される。
の発生を防止しする。 【構成】ウェーハ１１を全周で支持するプレート１８を
具備したウェーハ台装置２であり、ウェーハを全周で支
持するので自重による変形が抑止され、又加熱されたプ
レートに載置された場合の局所加熱が防止され、曲げ歪
み、熱歪みが低減してスリップの発生が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特に枚
葉式半導体製造装置のウェーハ台装置に関するものであ
る。
葉式半導体製造装置のウェーハ台装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４、図５に於いて、枚葉式半導体製造
装置の概略を説明する。
装置の概略を説明する。
【０００３】石英製又は炭化硅素、アルミナ製の反応管
１は水平方向に偏平な空間を有する筒状であり、反応管
１の内部にウェーハ台装置２が設けられ、前記反応管１
の両端には気密にガス導入フランジ３，ガス導入フラン
ジ４が設けられ、一方のガス導入フランジ３には更にゲ
ート弁５を介して搬送室（図示せず）が連設されてい
る。前記ガス導入フランジ３、ガス導入フランジ４には
それぞれガス導入ライン７，８、排気ライン９，１０が
連通され、又前記反応管１の周囲にはヒータ６が設けら
れ、反応管１内部を均一に加熱する様になっている。
１は水平方向に偏平な空間を有する筒状であり、反応管
１の内部にウェーハ台装置２が設けられ、前記反応管１
の両端には気密にガス導入フランジ３，ガス導入フラン
ジ４が設けられ、一方のガス導入フランジ３には更にゲ
ート弁５を介して搬送室（図示せず）が連設されてい
る。前記ガス導入フランジ３、ガス導入フランジ４には
それぞれガス導入ライン７，８、排気ライン９，１０が
連通され、又前記反応管１の周囲にはヒータ６が設けら
れ、反応管１内部を均一に加熱する様になっている。
【０００４】ゲート弁５が開かれ、図示しないウェーハ
搬送ロボットにより図中左方よりウェーハ１１が搬入さ
れ、前記ウェーハ台装置２に載置される。本例ではウェ
ーハ台装置２には２枚のウェーハ１１が載置される。
搬送ロボットにより図中左方よりウェーハ１１が搬入さ
れ、前記ウェーハ台装置２に載置される。本例ではウェ
ーハ台装置２には２枚のウェーハ１１が載置される。
【０００５】前記ウェーハ搬送ロボットが後退してゲー
ト弁５が閉じられ、反応管１内に前記ガス導入ライン
７，８より反応ガスが導入され、前記排気ライン９，１
０より排気される。尚、処理の均一性を確保する為、反
応ガスは対角に向って、例えばガス導入ライン７から排
気ライン１０に向かって流れ、或はガス導入ライン８か
ら排気ライン９に向かって流れ、更に所要時間毎に流れ
の向きが変更される様になっている。
ト弁５が閉じられ、反応管１内に前記ガス導入ライン
７，８より反応ガスが導入され、前記排気ライン９，１
０より排気される。尚、処理の均一性を確保する為、反
応ガスは対角に向って、例えばガス導入ライン７から排
気ライン１０に向かって流れ、或はガス導入ライン８か
ら排気ライン９に向かって流れ、更に所要時間毎に流れ
の向きが変更される様になっている。
【０００６】ウェーハ１１の処理が完了すると、前記ゲ
ート弁５が開かれ、ウェーハ搬送ロボットにより搬出さ
れる。
ート弁５が開かれ、ウェーハ搬送ロボットにより搬出さ
れる。
【０００７】図５、図６に於いて、従来のウェーハ台装
置２を説明する。
置２を説明する。
【０００８】石英、或は炭化硅素、アルミナ等の材質か
ら成る矩形のプレート１２の中央にはウェーハ１１の直
径よりも若干大きい直径を有する抜き孔１３を穿設し、
該抜き孔１３の円周４等分した位置のプレート１２下面
に爪１４を中心方向に突設する。又、前記プレート１２
の前記ゲート弁５側には２箇所に平行な溝部１５を設
け、該溝部１５の対峙箇所にはそれぞれ逃げ部１６を欠
切する。又前記溝部１５の下面には断面凹状のブリッジ
１７を掛渡す。前記溝部１５、逃げ部１６は前記図示し
ないウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アームが進入
し、ウェーハ１１の授受を行う場合に干渉しない様にな
っている。
ら成る矩形のプレート１２の中央にはウェーハ１１の直
径よりも若干大きい直径を有する抜き孔１３を穿設し、
該抜き孔１３の円周４等分した位置のプレート１２下面
に爪１４を中心方向に突設する。又、前記プレート１２
の前記ゲート弁５側には２箇所に平行な溝部１５を設
け、該溝部１５の対峙箇所にはそれぞれ逃げ部１６を欠
切する。又前記溝部１５の下面には断面凹状のブリッジ
１７を掛渡す。前記溝部１５、逃げ部１６は前記図示し
ないウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アームが進入
し、ウェーハ１１の授受を行う場合に干渉しない様にな
っている。
【０００９】ウェーハ台装置２は前記したプレート１２
を上下２段に具備し、それぞれのプレ−ト１２によりウ
ェーハ１１を受載する。
を上下２段に具備し、それぞれのプレ−ト１２によりウ
ェーハ１１を受載する。
【００１０】ウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アー
ムはウェーハ１１の下面が前記プレート１２の上方に位
置する状態で前記溝部１５内に進入し、前記抜き孔１３
の中心とウェーハ１１の中心とが一致した位置で停止
し、更に降下してウェーハ１１を前記爪１４に移載す
る。ウェーハ載置アームが後退してウェーハ１１のプレ
ート１２への移載が完了する。
ムはウェーハ１１の下面が前記プレート１２の上方に位
置する状態で前記溝部１５内に進入し、前記抜き孔１３
の中心とウェーハ１１の中心とが一致した位置で停止
し、更に降下してウェーハ１１を前記爪１４に移載す
る。ウェーハ載置アームが後退してウェーハ１１のプレ
ート１２への移載が完了する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のウェー
ハ台装置では、ウェーハ１１を前記爪１４で点接触状態
で支持し、又反応管１内に在るウェーハ台装置２は６０
０℃〜１１００℃に加熱されている。常温に近いウェー
ハ１１が前記爪１４に載置されると前記爪１４により局
部的に急激に加熱され大きな熱歪みが生じ、或はウェー
ハの自重による撓みが生じる。この為、熱歪み、曲げ変
形による歪みに起因してウェーハ１１の周囲から中心に
向かってスリップ（亀裂）が発生する。この亀裂は製品
不良の原因となり、ウェーハ処理に於ける歩留まりの低
下、信頼性の低下を招くことになる。
ハ台装置では、ウェーハ１１を前記爪１４で点接触状態
で支持し、又反応管１内に在るウェーハ台装置２は６０
０℃〜１１００℃に加熱されている。常温に近いウェー
ハ１１が前記爪１４に載置されると前記爪１４により局
部的に急激に加熱され大きな熱歪みが生じ、或はウェー
ハの自重による撓みが生じる。この為、熱歪み、曲げ変
形による歪みに起因してウェーハ１１の周囲から中心に
向かってスリップ（亀裂）が発生する。この亀裂は製品
不良の原因となり、ウェーハ処理に於ける歩留まりの低
下、信頼性の低下を招くことになる。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハ台装
置に於ける亀裂の発生を防止しようとするものである。
置に於ける亀裂の発生を防止しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハを全
周で支持するプレートを具備することを特徴とするもの
である。
周で支持するプレートを具備することを特徴とするもの
である。
【００１４】
【作用】ウェーハを全周で支持するので自重による変形
が抑止され、又加熱されたプレートに載置された場合の
局所加熱が防止され、曲げ歪み、熱歪みが低減してスリ
ップの発生が防止される。
が抑止され、又加熱されたプレートに載置された場合の
局所加熱が防止され、曲げ歪み、熱歪みが低減してスリ
ップの発生が防止される。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１６】図１、図２は本発明の一実施例を示し、図
中、図５、図６で示したものと同様のものには同符号を
付してあり、１８は本実施例のウェーハ台装置のプレー
トを示している。
中、図５、図６で示したものと同様のものには同符号を
付してあり、１８は本実施例のウェーハ台装置のプレー
トを示している。
【００１７】石英、或は炭化硅素、アルミナ等の材質か
ら成る矩形のプレート１８の中央にはウェーハ１１と相
似形で若干小さい抜き孔１９を穿設し、更にウェーハ１
１の直径よりも大きい直径で且前記抜き孔１９と同心の
段差部２０を前記抜き孔１９の周囲に形成する。又、前
記図示しないウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アー
ムが進入し、ウェーハ１１の授受を行う場合に干渉しな
い様に、前記プレート１２の前記ゲート弁５側には２箇
所に平行な溝部１５を設け、該溝部１５の対峙箇所には
それぞれ逃げ部１６を欠切する。又前記溝部１５の下面
には断面凹状のブリッジ１７を掛渡す。
ら成る矩形のプレート１８の中央にはウェーハ１１と相
似形で若干小さい抜き孔１９を穿設し、更にウェーハ１
１の直径よりも大きい直径で且前記抜き孔１９と同心の
段差部２０を前記抜き孔１９の周囲に形成する。又、前
記図示しないウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アー
ムが進入し、ウェーハ１１の授受を行う場合に干渉しな
い様に、前記プレート１２の前記ゲート弁５側には２箇
所に平行な溝部１５を設け、該溝部１５の対峙箇所には
それぞれ逃げ部１６を欠切する。又前記溝部１５の下面
には断面凹状のブリッジ１７を掛渡す。
【００１８】ウェーハ搬送ロボットのウェーハ載置アー
ムはウェーハ１１の下面が前記プレート１８の上方に位
置する状態で前記溝部１５内に進入し、前記抜き孔１９
の中心とウェーハ１１の中心とが一致した位置で停止
し、更に降下してウェーハ１１を前記段差部２０に移載
する。ウェーハ載置アームが後退してウェーハ１１のプ
レート１８への移載が完了する。
ムはウェーハ１１の下面が前記プレート１８の上方に位
置する状態で前記溝部１５内に進入し、前記抜き孔１９
の中心とウェーハ１１の中心とが一致した位置で停止
し、更に降下してウェーハ１１を前記段差部２０に移載
する。ウェーハ載置アームが後退してウェーハ１１のプ
レート１８への移載が完了する。
【００１９】ウェーハ１１は略全周に亘って前記段差部
２０に支持されており、前記プレート１８が６００℃〜
１１００℃に加熱され、ウェーハ１１が載置された時に
急激に加熱されてもウェーハ全周に亘り略連続して加熱
される為、局所的な加熱が避けられ、大きな熱歪みの発
生が防止される。更に、ウェーハ１１を全周で支持して
いるので曲げ歪みが少なくなり、この熱歪み、曲げ歪み
に起因するスリップ（亀裂）の発生が防止される。
２０に支持されており、前記プレート１８が６００℃〜
１１００℃に加熱され、ウェーハ１１が載置された時に
急激に加熱されてもウェーハ全周に亘り略連続して加熱
される為、局所的な加熱が避けられ、大きな熱歪みの発
生が防止される。更に、ウェーハ１１を全周で支持して
いるので曲げ歪みが少なくなり、この熱歪み、曲げ歪み
に起因するスリップ（亀裂）の発生が防止される。
【００２０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、処理過
程でのウェーハに生じるスリップを防止でき、装置の信
頼性、歩留まりの向上を図ることができる。
程でのウェーハに生じるスリップを防止でき、装置の信
頼性、歩留まりの向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】同前実施例の正面図である。
【図３】半導体製造装置の側断面図である。
【図４】同前半導体製造装置の平断面図である。
【図５】従来例を示す平面図である。
【図６】同前従来例の正面図である。
１５ 溝部 １６ 逃げ部 １７ ブリッジ １８ プレート １９ 抜き孔 ２０ 段差部
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェーハを全周で支持するプレートを具
備することを特徴とする半導体製造装置のウェーハ台装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18112495A JPH098112A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 半導体製造装置のウェーハ台装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18112495A JPH098112A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 半導体製造装置のウェーハ台装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001094655A Division JP2001326189A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098112A true JPH098112A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=16095289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18112495A Pending JPH098112A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 半導体製造装置のウェーハ台装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960159A (en) * | 1997-10-14 | 1999-09-28 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Heat treatment of semiconductor wafers where upper heater directly heats upper wafer in its entirety and lower heater directly heats lower wafer in its entirety |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP18112495A patent/JPH098112A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960159A (en) * | 1997-10-14 | 1999-09-28 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Heat treatment of semiconductor wafers where upper heater directly heats upper wafer in its entirety and lower heater directly heats lower wafer in its entirety |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |