JPH098113A - 静電吸着電極のクリ−ニング方法及び装置 - Google Patents
静電吸着電極のクリ−ニング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH098113A JPH098113A JP7152997A JP15299795A JPH098113A JP H098113 A JPH098113 A JP H098113A JP 7152997 A JP7152997 A JP 7152997A JP 15299795 A JP15299795 A JP 15299795A JP H098113 A JPH098113 A JP H098113A
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- plasma
- electrostatic attraction
- resistance
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ処理されるウエハを静電吸着力により
支持する静電吸着電極のプラズマクリ−ニングの終了を
容易に検出し、静電吸着の再現性を良くする。 【構成】絶縁膜１４の抵抗を測定する抵抗計２４をプラ
ズマ及び静電吸着電極を介して静電吸着回路中に設け、
プラズマクリ−ニング中の絶縁膜１４の抵抗の変化を検
出し、該抵抗が予め設定した設定値まで低下した時点で
プラズマクリ−ニングを終了させる。これにより、反応
生成物が付着する以前の絶縁膜と同じ状態にでき、静電
吸着の再現性を良くすることができる。
支持する静電吸着電極のプラズマクリ−ニングの終了を
容易に検出し、静電吸着の再現性を良くする。 【構成】絶縁膜１４の抵抗を測定する抵抗計２４をプラ
ズマ及び静電吸着電極を介して静電吸着回路中に設け、
プラズマクリ−ニング中の絶縁膜１４の抵抗の変化を検
出し、該抵抗が予め設定した設定値まで低下した時点で
プラズマクリ−ニングを終了させる。これにより、反応
生成物が付着する以前の絶縁膜と同じ状態にでき、静電
吸着の再現性を良くすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】プラズマ処理されるウエハを静電
吸着力により支持する静電吸着電極のクリ−ニング方法
及び装置に関するものである。
吸着力により支持する静電吸着電極のクリ−ニング方法
及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマを用いたエッチングプロ
セスでは、静電吸着電極の絶縁膜表面に付着した反応生
成物を除去するために、一定処理枚数毎に電極上にウエ
ハを載置しない状態で、酸素ガス等のプラズマを用いて
プラズマクリ−ニングすることが行われていた。
セスでは、静電吸着電極の絶縁膜表面に付着した反応生
成物を除去するために、一定処理枚数毎に電極上にウエ
ハを載置しない状態で、酸素ガス等のプラズマを用いて
プラズマクリ−ニングすることが行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、プ
ラズマクリ−ニングの終了を発光強度の変化や作業者の
経験によって行っており、プラズマクリ−ニングの不足
により反応生成物が完全に除去されなかったり、あるい
は逆に終了が遅れることにより絶縁膜が削れて静電吸着
電極の寿命が短くなるという問題があった。
ラズマクリ−ニングの終了を発光強度の変化や作業者の
経験によって行っており、プラズマクリ−ニングの不足
により反応生成物が完全に除去されなかったり、あるい
は逆に終了が遅れることにより絶縁膜が削れて静電吸着
電極の寿命が短くなるという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、プラズマクリ−ニングの
終了を容易に検出し、静電吸着の再現性を良くすること
のできる静電吸着電極のクリ−ニング方法及び装置を提
供することにある。
終了を容易に検出し、静電吸着の再現性を良くすること
のできる静電吸着電極のクリ−ニング方法及び装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、絶縁膜の抵抗を測定する抵抗計をプラズマ、絶縁膜
により構成される静電吸着回路中にスイッチを介して設
け、プラズマクリ−ニング中の絶縁膜の抵抗の変化をモ
ニタ−する。そして、抵抗が予め設定した設定値まで低
下した時点でプラズマクリ−ニングを終了する。
に、絶縁膜の抵抗を測定する抵抗計をプラズマ、絶縁膜
により構成される静電吸着回路中にスイッチを介して設
け、プラズマクリ−ニング中の絶縁膜の抵抗の変化をモ
ニタ−する。そして、抵抗が予め設定した設定値まで低
下した時点でプラズマクリ−ニングを終了する。
【０００６】また、他の絶縁膜の抵抗を測定する方法と
しては、プラズマ、絶縁膜、直流電源により構成される
静電吸着回路中に電流計を設ける方法がある。
しては、プラズマ、絶縁膜、直流電源により構成される
静電吸着回路中に電流計を設ける方法がある。
【０００７】
【作用】静電吸着電極の絶縁膜表面に付着するエッチン
グ処理中に発生した反応生成物の量が増加すると絶縁膜
の抵抗は高くなり、逆に減少すると低くなる。このた
め、抵抗計または電流計により絶縁膜の抵抗の変化をモ
ニタ−することにより、絶縁膜表面の反応生成物の付着
の程度を検出できる。したがって、プラズマクリ−ニン
グにより反応生成物が除去されて、絶縁膜の抵抗が予め
設定した設定値と一致した時点でプラズマクリ−ニング
を終了することにより、反応生成物が付着する以前の絶
縁膜と同じ状態にでき、静電吸着の再現性を良くするこ
とができる。これにより、プラズマクリ−ニングの不足
あるいは絶縁膜が削れて静電吸着電極の寿命が短くなる
という従来の問題を解決できる。
グ処理中に発生した反応生成物の量が増加すると絶縁膜
の抵抗は高くなり、逆に減少すると低くなる。このた
め、抵抗計または電流計により絶縁膜の抵抗の変化をモ
ニタ−することにより、絶縁膜表面の反応生成物の付着
の程度を検出できる。したがって、プラズマクリ−ニン
グにより反応生成物が除去されて、絶縁膜の抵抗が予め
設定した設定値と一致した時点でプラズマクリ−ニング
を終了することにより、反応生成物が付着する以前の絶
縁膜と同じ状態にでき、静電吸着の再現性を良くするこ
とができる。これにより、プラズマクリ−ニングの不足
あるいは絶縁膜が削れて静電吸着電極の寿命が短くなる
という従来の問題を解決できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２によ
り説明する。図１は、この場合プラズマ処理装置として
有磁場マイクロ波エッチング装置を示す。ウエハ１のプ
ラズマエッチング処理は、放電管２内に導入したプロセ
スガス３をマイクロ波４の電界とソレノイドコイル５の
磁場による相互作用によってプラズマ化し、放電管２内
にプラズマ６を形成させるとともに、絶縁物８を介して
チャンバ−７内に絶縁して設けられた下部電極９に、ス
イッチ１０をオンして高周波電源１１により高周波を印
加し、プラズマ中のイオンエネルギ−を制御しながら該
イオンをウエハ１に入射させて行なわれる。また、ウエ
ハ１のエッチングが終了すると該エッチング済みウエハ
１は、ウエハ押し上げ装置１２の作動により下部電極９
から搬送装置（図示省略）に渡され、その後、該搬送装
置により他の場所に搬送される。
り説明する。図１は、この場合プラズマ処理装置として
有磁場マイクロ波エッチング装置を示す。ウエハ１のプ
ラズマエッチング処理は、放電管２内に導入したプロセ
スガス３をマイクロ波４の電界とソレノイドコイル５の
磁場による相互作用によってプラズマ化し、放電管２内
にプラズマ６を形成させるとともに、絶縁物８を介して
チャンバ−７内に絶縁して設けられた下部電極９に、ス
イッチ１０をオンして高周波電源１１により高周波を印
加し、プラズマ中のイオンエネルギ−を制御しながら該
イオンをウエハ１に入射させて行なわれる。また、ウエ
ハ１のエッチングが終了すると該エッチング済みウエハ
１は、ウエハ押し上げ装置１２の作動により下部電極９
から搬送装置（図示省略）に渡され、その後、該搬送装
置により他の場所に搬送される。
【０００９】また、下部電極９上には電極１３に絶縁膜
１４として、例えば、ＳｉＣ焼結体をろう材１５により
接合して構成した静電吸着電極１６が固定されており、
さらに下部電極９にはロ−パスフィルタ−１７，スイッ
チ１８を介して直流電源１９が設けてある。エッチング
処理開始時にウエハ１を静電吸着電極１６に吸着させる
際には、プラズマ６を生成した状態でスイッチ１８を端
子２０に接続し、静電吸着電極１６に負の直流電圧を印
加して行なわれる。また、エッチング処理終了後にウエ
ハ１を解放する際には、プラズマ６を生成した状態でス
イッチ１８を端子２１に接続し、抵抗２２を介して静電
吸着電極１６を接地して行なわれる。
１４として、例えば、ＳｉＣ焼結体をろう材１５により
接合して構成した静電吸着電極１６が固定されており、
さらに下部電極９にはロ−パスフィルタ−１７，スイッ
チ１８を介して直流電源１９が設けてある。エッチング
処理開始時にウエハ１を静電吸着電極１６に吸着させる
際には、プラズマ６を生成した状態でスイッチ１８を端
子２０に接続し、静電吸着電極１６に負の直流電圧を印
加して行なわれる。また、エッチング処理終了後にウエ
ハ１を解放する際には、プラズマ６を生成した状態でス
イッチ１８を端子２１に接続し、抵抗２２を介して静電
吸着電極１６を接地して行なわれる。
【００１０】また、下部電極９にはスイッチ２３を介し
て抵抗計２４が設けてあり、静電吸着電極１６のプラズ
マクリ−ニングの際に、スイッチ１８を中立位置に、ス
イッチ１０をオフして高周波電源１１を遮断した状態
で、スイッチ２３を端子２５に接続し、抵抗計２４によ
って静電吸着電極１６に直流電圧を印加しつつ絶縁膜１
４の抵抗を逐次検出する。
て抵抗計２４が設けてあり、静電吸着電極１６のプラズ
マクリ−ニングの際に、スイッチ１８を中立位置に、ス
イッチ１０をオフして高周波電源１１を遮断した状態
で、スイッチ２３を端子２５に接続し、抵抗計２４によ
って静電吸着電極１６に直流電圧を印加しつつ絶縁膜１
４の抵抗を逐次検出する。
【００１１】一方、エッチングされるウエハ１の冷却
は、前述した方法によりウエハ１を静電吸着電極１６上
に支持した状態で、マスフロ−コントロ−ラ２６を開い
てＨｅガス２７をウエハ１裏面に導入することにより行
う。また、下部電極９は、サ−キュレ−タ２８により冷
媒２９を循環することにより温調されている。
は、前述した方法によりウエハ１を静電吸着電極１６上
に支持した状態で、マスフロ−コントロ−ラ２６を開い
てＨｅガス２７をウエハ１裏面に導入することにより行
う。また、下部電極９は、サ−キュレ−タ２８により冷
媒２９を循環することにより温調されている。
【００１２】次に、上記のように構成された装置におい
て、プラズマエッチング処理を重ねるに従い、該処理中
の反応生成物がチャンバー７内及び静電吸着電極１６の
絶縁膜１４上に付着する。このため、静電吸着電極１６
上へのウエハ１の配置を行なわずに、反応生成物の除去
が可能なガスプラズマを放電管２内に形成し、プラズマ
クリーニングを実施する。まず、スイッチ１８を中立位
置、スイッチ１０をオフして高周波電源１１を遮断した
状態にし、放電管２内にプロセスガス３として酸素ガス
を導入した後、マイクロ波４、ソレノイドコイル５によ
る磁場の相互作用によりプラズマ６を生成して、プラズ
マクリ−ニングを開始する。その後、スイッチ２３を端
子２５と接続して抵抗計２４により静電吸着電極１６に
直流電圧を印加し、絶縁膜１４の抵抗を逐次検出する。
このときの絶縁膜１４の抵抗は、図２に示すようにプラ
ズマクリ−ニングの進行とともに低くなり、検出された
抵抗値と予め設定した設定値を比較器等により逐次比較
し、両者が一致した時点でマイクロ波４、ソレノイドコ
イル５をオフしてプラズマ６を消滅し、プラズマクリ−
ニングを終了する。
て、プラズマエッチング処理を重ねるに従い、該処理中
の反応生成物がチャンバー７内及び静電吸着電極１６の
絶縁膜１４上に付着する。このため、静電吸着電極１６
上へのウエハ１の配置を行なわずに、反応生成物の除去
が可能なガスプラズマを放電管２内に形成し、プラズマ
クリーニングを実施する。まず、スイッチ１８を中立位
置、スイッチ１０をオフして高周波電源１１を遮断した
状態にし、放電管２内にプロセスガス３として酸素ガス
を導入した後、マイクロ波４、ソレノイドコイル５によ
る磁場の相互作用によりプラズマ６を生成して、プラズ
マクリ−ニングを開始する。その後、スイッチ２３を端
子２５と接続して抵抗計２４により静電吸着電極１６に
直流電圧を印加し、絶縁膜１４の抵抗を逐次検出する。
このときの絶縁膜１４の抵抗は、図２に示すようにプラ
ズマクリ−ニングの進行とともに低くなり、検出された
抵抗値と予め設定した設定値を比較器等により逐次比較
し、両者が一致した時点でマイクロ波４、ソレノイドコ
イル５をオフしてプラズマ６を消滅し、プラズマクリ−
ニングを終了する。
【００１３】このようにプラズマクリ−ニングの終了を
検出することにより、プラズマクリ−ニングの不足ある
いは絶縁膜１４が削れて静電吸着電極１６の寿命が短く
なるという従来の問題を解決でき、反応生成物が付着す
る以前の絶縁膜と同じ状態にできるので、静電吸着の再
現性を良くすることができる。
検出することにより、プラズマクリ−ニングの不足ある
いは絶縁膜１４が削れて静電吸着電極１６の寿命が短く
なるという従来の問題を解決でき、反応生成物が付着す
る以前の絶縁膜と同じ状態にできるので、静電吸着の再
現性を良くすることができる。
【００１４】次に、本発明の第２の実施例を図３によれ
説明する。本図が図１と異なる点は、抵抗計２４の変わ
りにプラズマ６、絶縁膜１４、直流電源１９により構成
される静電吸着回路中に電流計３０を設けた構成とし、
プラズマクリ−ニング中にスイッチ１０をオフして高周
波電源１１を遮断した状態で、スイッチ１８を端子２０
と接続して静電吸着電極１６に直流電圧を印加し、絶縁
膜１４の抵抗を電流計３０により検出されるリ−ク電流
により検出するようにしたところである。したがって、
逐次検出されるリ−ク電流の値を予め設定した設定値と
比較器等により比較し、両者が一致した時点でマイクロ
波４、ソレノイドコイル５をオフしてプラズマ６を消滅
し、プラズマクリ−ニングを終了することにより前記一
実施例と同様の効果が得られる。
説明する。本図が図１と異なる点は、抵抗計２４の変わ
りにプラズマ６、絶縁膜１４、直流電源１９により構成
される静電吸着回路中に電流計３０を設けた構成とし、
プラズマクリ−ニング中にスイッチ１０をオフして高周
波電源１１を遮断した状態で、スイッチ１８を端子２０
と接続して静電吸着電極１６に直流電圧を印加し、絶縁
膜１４の抵抗を電流計３０により検出されるリ−ク電流
により検出するようにしたところである。したがって、
逐次検出されるリ−ク電流の値を予め設定した設定値と
比較器等により比較し、両者が一致した時点でマイクロ
波４、ソレノイドコイル５をオフしてプラズマ６を消滅
し、プラズマクリ−ニングを終了することにより前記一
実施例と同様の効果が得られる。
【００１５】なお、これらの実施例のプラズマクリ−ニ
ング中に、直流電源１９によって静電吸着電極１６に正
電圧を印加することにより、絶縁膜１４の表面がプラス
に帯電する。これにより、プラズマ６中のイオンが反発
されるので、絶縁膜１４はラジカルによってのみクリ−
ニングされ、絶縁膜１４がプラズマクリ−ニング中にプ
ラズマ中のイオンによって削られることを防止すること
ができる。
ング中に、直流電源１９によって静電吸着電極１６に正
電圧を印加することにより、絶縁膜１４の表面がプラス
に帯電する。これにより、プラズマ６中のイオンが反発
されるので、絶縁膜１４はラジカルによってのみクリ−
ニングされ、絶縁膜１４がプラズマクリ−ニング中にプ
ラズマ中のイオンによって削られることを防止すること
ができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマクリ−ニング
の終了を容易に検出することができ、静電吸着の再現性
を良くすることができるという効果がある。
の終了を容易に検出することができ、静電吸着の再現性
を良くすることができるという効果がある。
【図１】本発明を実施するための装置の一実施例である
エッチング装置を示す縦断面図である。
エッチング装置を示す縦断面図である。
【図２】図１に示された装置により静電吸着用絶縁膜の
抵抗とプラズマクリーニング時間との関係を示した図で
ある。
抵抗とプラズマクリーニング時間との関係を示した図で
ある。
【図３】本発明を実施するための装置の第２の実施例で
あるエッチング装置を示す縦断面図である。
あるエッチング装置を示す縦断面図である。
６…プラズマ、１４…絶縁膜、１６…静電吸着電極、１
９…直流電源、１８，２３…スイッチ、２４…抵抗計、
３０…電流計。
９…直流電源、１８，２３…スイッチ、２４…抵抗計、
３０…電流計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
Claims (3)
- 【請求項１】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極において、プラズマクリ−ニング中の前記絶縁膜の
抵抗の変化を検出し、予め定めた設定値と一致した時点
でクリ−ニングを終了することを特徴とする静電吸着電
極のクリ−ニング方法。 - 【請求項２】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極において、プラズマ及び絶縁膜によって構成される
静電吸着回路中にスイッチを介して抵抗計を設け、プラ
ズマクリ−ニング中に前記絶縁膜の抵抗を検出し、該検
出される抵抗と予め定めた設定値とを比較する手段を設
けたことを特徴とする静電吸着電極のクリ−ニング装
置。 - 【請求項３】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極において、プラズマ，絶縁膜及び直流電源により構
成される静電吸着回路中に電流計を設け、前記絶縁膜の
抵抗を前記電流計により検出されるリ−ク電流により検
出し、該検出されるリ−ク電流と予め定めた設定値とを
比較する手段を設けたことを特徴とする静電吸着電極の
クリ−ニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152997A JPH098113A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 静電吸着電極のクリ−ニング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152997A JPH098113A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 静電吸着電極のクリ−ニング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098113A true JPH098113A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15552704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7152997A Pending JPH098113A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 静電吸着電極のクリ−ニング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212734A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置におけるクリーニングモニタ方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| CN110867406A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电卡盘及半导体加工设备 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP7152997A patent/JPH098113A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212734A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置におけるクリーニングモニタ方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| CN110867406A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电卡盘及半导体加工设备 |
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