JPH0981928A

JPH0981928A - 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置

Info

Publication number: JPH0981928A
Application number: JP23813795A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kaede; 弘志楓; Kazunori Adachi; 和慶安達; Masaaki Futamoto; 正昭二本; Kyo Akagi; 協赤城; Kiwamu Tanahashi; 究棚橋
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Ltd
Priority date: 1995-09-18
Filing date: 1995-09-18
Publication date: 1997-03-28

Abstract

(57)【要約】【目的】ノイズの低く、高密度記録が可能な磁気記録
媒体およびそれを用いた磁気記録装置を提供する。【構成】室温下で、下地膜としていくつかの配向の異
なる結晶粒からなる体心立方Ｃｒを、磁性膜としてＣｏ
ＣｒＰｔを順次成膜することにより、空間的に十分孤立
した結晶粒からなる磁性膜を有する磁気記録媒体および
これを用いた磁気記録装置とする。【効果】ノイズが低く、高密度記録が可能な磁気記録
媒体が提供でき、これを用いた高密度記録が可能な磁気
記録装置を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録に用いられ
る磁気記録媒体に関し、特に媒体ノイズが低く高い記録
密度を有する磁気記録媒体とこれを用いた磁気記録装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】代表的な磁気記録装置である、磁気ディ
スク装置を高密度化していった場合、一般に従来の電磁
誘導型磁気ヘッドでは、再生出力が低下し、再生が困難
になる。このため、特開昭５１−４４９１７号記載の様
に、記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッドを別にし、再
生用磁気ヘッドとして、高記録密度化した場合にも高い
出力の得られる磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを用いるこ
とが検討されている。この磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
は再生出力が高く、かつ、ヘッドの抵抗が低いため発生
する熱雑音が小さい。このため、従来、電磁誘導型磁気
ヘッドから発生する大きなノイズに隠れていた磁気記録
媒体に起因するノイズが装置全体のノイズに対して大き
な割合を占めるようになる。従って、磁気抵抗効果型の
磁気ヘッドを用いて高記録密度化を実現するためには、
磁気記録媒体に起因するノイズ（媒体ノイズ）を低減す
る必要がある。

【０００３】磁気記録媒体のノイズの低減には、媒体を
構成している磁性結晶粒間の交換相互作用の低減が必要
である。例えば、結晶粒界に非磁性物質であるＣｒを偏
析させることにより、結晶粒間の交換相互作用を軽減し
たＣｏＣｒＴａ磁記録媒体が、第１８回日本応用磁気学
会学術講演概要集１４ａＧ−９（１９９４）に記載され
ている。

【０００４】このように結晶粒間にＣｒを偏析させたＣ
ｏＣｒＴａを、ディスク円周方向に磁気的異方性を付与
して形成することにより、媒体の信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ）の高い磁気記録媒体が得られることがＩＥＥＥＴ
ｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，ＭＡＧ−２９，ｐｐ．３７１
５−３７１７（１９９３）に記載されている。

【０００５】また、磁気記録媒体の高密度化にはディス
ク半径方向の磁気ヘッド位置決め精度を高めることが必
要である。この課題に対し例えば、磁気ヘッドの位置決
めサ−ボ信号に相当する凹凸を表面に有する基板をプラ
スティクスの射出成形により形成し、その上にＣｏＣｒ
Ｐｔ磁性膜を形成した磁気記録媒体が日本応用磁気学会
誌、Ｖｏｌ．１７、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ，Ｎｏ．Ｓ
２、ｐｐ．５１−５７、１９９３に記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１８回日本応用磁気学会学術講演概要集１４ａＧ−９
（１９９４）記載の技術では、Ｃｒを結晶粒界に偏析さ
せるために基板を２００℃に加熱して磁性膜を成膜して
いる。このため温度管理等、成膜プロセスが複雑であ
り、また、基板にプラスティックス（有機樹脂）を用い
る場合、その軟化点が低い温度にあるため、この技術を
用いることは不可能である。

【０００７】また、上記ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｍａ
ｇｎ．，ＭＡＧ−２９，ｐｐ．３７１５−３７１７（１
９９３）記載の技術ではＣｏＣｒＴａ磁性膜に磁気的異
方性を付与するために基板をテクスチュア加工している
が、基板にプラスティックス（有機樹脂）や表面強化ガ
ラスを用いる場合、テクスチュア加工は非常に困難であ
る。

【０００８】また、上記日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．
１７、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ，Ｎｏ．Ｓ２、ｐｐ．５１
−５７、１９９３記載の磁気記録媒体はその保磁力が１
５００Ｏｅ以下と低く、また媒体ノイズを低減するた
め、磁性膜を２層にし、その間に０．５ｎｍと極めて薄
いＣｒ層を設けている。例えば７００Ｍｂ／ｉｎ２の記
録密度を得るためには保磁力１５００Ｏｅは不十分であ
り、また、上記構造の磁性膜はその成膜プロセスが煩雑
であり、かつ中間Ｃｒ層の膜厚制御が極めて困難であ
る。

【０００９】本発明の目的は、例えば、その軟化点が低
い温度にあるプラスティックスを基板として用いた場合
でも、ノイズが低く、高密度記録が可能な磁気記録媒体
およびこれを用いた磁気記録装置を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明においては磁性膜
中の結晶粒界にＣｒが偏積していない磁気記録媒体にお
いても、所望の面粗さを備えた磁性膜を用いることによ
り低ノイズを実現する。即ち、磁気記録媒体は非磁性基
板と磁性膜の間に下地膜を設けた構造を持ち、磁性膜の
任意位置のＣｒ濃度と平均のＣｒ濃度との差が±７％以
内であり、かつ磁性膜は膜面方向の基準長さ５００ｎｍ
以上の領域において最大高さ（Ｒｍａｘ）が５ｎｍ以上
であることにより低ノイズが実現される。また、非磁性
基板上に、下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜の順に積層
した磁気記録媒体において、潤滑膜が磁気記録媒体の断
面方向に保護膜の膜厚以上に分布する、または潤滑膜が
下地膜又は磁性膜の少なくとも一方に接している構成に
してもよい。これらはいずれも磁性結晶粒間の磁気的結
合が切れた構造をしており、テクスチュア加工していな
い基板を用いたとき、即ち前記磁性膜の膜面内の円周方
向の保磁力と、半径方向の保磁力の比が１．２以下とな
る場合でも高い信号対雑音比が実現される。磁性膜は、
ＣｏＣｒＰｔ又はＣｏＣｒＰｔＸ（Ｘ＝Ｔａ、Ｍｏ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＺｒＯ₂、ＳｉＣ）であ
り、かつ静磁気的にも熱的にも安定なＣｒ濃度が８ａｔ
％以上２０ａｔ％以下であり、かつ高い保磁力の得られ
るＰｔ濃度が５ａｔ％以上２０ａｔ％以下とすることが
できる。また磁性膜の膜厚を１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下
に、かつ残留磁化と膜厚の積を５０Ｇａｕｓｓ・ｕｍ以
上３００Ｇａｕｓｓ・ｕｍ以下とすることにより信号強
度を維持しながらノイズの低減が実現される。また磁性
膜は、（１００）面が膜面に平行な六方最密充填構造の
結晶粒と（１０１）面が膜面に平行な六方最密充填構造
の結晶粒を少なくとも含み、かつ（１００）面が膜面に
平行な結晶粒と（１０１）面が膜面に平行な結晶粒のＸ
線回折のピ−ク強度比が１：０．５以上１：５以下とす
ることによりノイズの低減が実現される。

【００１１】上記の磁性膜の結晶配向は下地膜をＣｒ又
はＣｒＸ（Ｘ＝Ｔｉ又はＶ）であり、その膜厚が３０ｎ
ｍ以上とすることにより実現できる。また下地膜を、
（１１０）面が膜面に平行な体心立方構造の結晶粒と
（２００）面が膜面に平行な体心立方構造の結晶粒を少
なくとも含み、かつ（１１０）面が膜面に平行な結晶粒
と（２００）面が膜面に平行な結晶粒のＸ線回折のピ−
ク強度比が１００：０．５以上１００：１５以下とする
ことにより所望の面粗さを持つ磁性膜をその上に形成で
きる。

【００１２】非磁性基板に有機樹脂を用いたとき、基板
と下地膜との間に下地膜又は磁性膜の割れ防止用の応力
緩和層を設け、かつ応力緩和層の熱膨張係数が、下地膜
の熱膨張係数より大きいとすることにより膜割れを防止
しながらノイズを低減できる。下地膜はＣｒ又はＣｒＸ
（Ｘ＝Ｔｉ又はＶ）とし、割れを防止するにはその膜厚
を２００ｎｍ以下とする必要がある。応力緩和層には、
Ａｌ等を用いることができる。

【００１３】以上の構造を有する磁気記録媒体は非磁性
基板を加熱する工程を含まない製造方法により実現され
る。

【００１４】本発明による磁気記録装置は、上記の磁気
記録媒体と、磁気記録媒体を回転駆動する手段と、磁気
ヘッドを少なくとも含むことにより実現される。

【００１５】本発明による磁気記録媒体は、磁性膜の磁
気特性を所定のパタ−ンに従って選択的に変化させた領
域を有し、前記領域を磁気ヘッドで走査したとき発生さ
れる信号を磁気ヘッド位置決め用のサ−ボ信号又は再生
専用メモリ−信号とすることができる。また、非磁性基
板の表面形状を所定のパタ−ンに従って選択的に変化さ
せた領域を有し、領域を磁気ヘッドで走査したとき発生
される信号を磁気ヘッド位置決め用のサ−ボ信号又は再
生専用メモリ−信号としてもよい。

【００１６】本発明による磁気記録装置は、上記磁気記
録媒体と、磁気記録媒体を回転駆動する手段と、磁気ヘ
ッドと、磁気記録媒体に設けられたサ−ボ・パタ−ンに
よって発生されるサ−ボ信号によって磁気ヘッドの位置
を制御することができる。

【００１７】また、磁気記録媒体に設けられた再生専用
メモリ−・パタ−ンによって発生される信号を再生する
ことができる。更に、上記磁気記録媒体をカ−トリッジ
に入れて、前記カ−トリッジを交換可能とすることがで
きる。

【００１８】

【作用】例えば、Ｃｒを室温下で適当な条件の下、スパ
ッタリング成膜すると、種々の配向の結晶粒からなる膜
が得られることが発明者等の実験により見出された。

【００１９】下地膜が２種類以上の異なる配向の結晶粒
から成ると、各々の成長速度が異なるため、下地膜の表
面に凹凸が形成され、その上に形成される磁性膜の結晶
粒が空間的に分離する。

【００２０】そこで、上記Ｃｒ膜を下地膜として用いれ
ば、空間的に分離した結晶粒からなる磁性膜が形成でき
る。

【００２１】磁性膜を構成する結晶粒が空間的に分離す
ると、結晶粒間の交換相互作用が弱まり、媒体ノイズが
低減する。

【００２２】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。

【００２３】［実施例１］図１に断面図を示す磁気記録
媒体を、図２に示す製造工程に従って作製した。作製に
は直流（ＤＣ）・マグネトロン・スパッタリング成膜装
置を用いた。

【００２４】初めに、下地膜のみからなるＸ線回折用の
試料を作製した。基板１に図２（ａ）に示す表面強化ガ
ラスの小片を用い、到達真空度８×１０ ⁸Ｔｏｒｒ、Ａ
ｒガス圧５．５ｍＴｏｒｒ、室温下で、図２（ｂ）に示
すとおり下地膜２としてＣｒを３００ｎｍ形成した。図
３（ａ）に作製した試料のＸ線回折結果を示す。図３
（ａ）から下地膜２は４つの配向の異なる体心立方Ｃｒ
結晶粒から構成されていることがわかる（図３中のＣｒ
（１１０）とＣｒ（２２０）は同じ配向の結晶粒を表し
ている）。

【００２５】次に、下地膜と磁性膜のＸ線回折、形態観
察及び磁気特性測定用の試料を作製した。基板１に図２
（ａ）に示す表面強化ガラスの小片を用い、上記成膜条
件の下、図２（ｂ）−（ｃ）に示す通り、下地膜２とし
てＣｒを５０ｎｍから３００ｎｍ、磁性膜３としてＣｏ
₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃を２０ｎｍ順次形成した。図３（ｂ）に
下地膜２としてＣｒを３００ｎｍ形成した試料のＸ線回
折結果を示す。図３（ｂ）から磁性膜３は、その（１０
０）面が磁性膜３の表面に平行な六方最密充填ＣｏＣｒ
Ｐｔ結晶粒と、その（１０１）面が磁性膜３の表面に平
行な六方最密充填ＣｏＣｒＰｔ結晶粒から構成されてい
ることがわかる。各Ｃｒ下地膜厚の試料について調べた
ＣｏＣｒＰｔ（１０１）面からの回折強度は、ＣｏＣｒ
Ｐｔ（１００）面からの回折強度を１としたとき以下の
通りであった。Ｃｒ下地膜厚（１０１）面の回折強度５００．５１０００．７２００１３００３５００５また、各Ｃｒ下地膜厚の試料について調べたＣｒ（２０
０）面からの回折強度は、Ｃｒ（１１０）面からの回折
強度を１００としたとき以下の通りであった。

【００２６】Ｃｒ下地膜厚（２００）面の回折強度５０１５１００８２００２３００１５０００．５また、図４に下地膜２としてＣｒを３００ｎｍ形成した
試料の断面を走査電子顕微鏡を用いて観察した結果を示
す。図４から、下地膜２を構成する空間的に十分分離し
たＣｒ結晶粒上に磁性膜３を構成するＣｏＣｒＰｔ結晶
粒が成長していることがわかる。またこの図から、磁性
膜３の膜厚が２０ｎｍであるから、最大高さ（Ｒｍａ
ｘ）は２０ｎｍ以上であることが判る。試料振動型磁化
測定装置を用いて作製した試料の磁化曲線を測定したと
ころ、その保磁力は２４５０Ｏｅであった。また、基板
１としてＳｉ、ＡＰＯ（アモルファス・ポリ・オレフィ
ン：有機樹脂）を用いて同様の作製及び測定をしたとこ
ろ、その保磁力は各々２４８０Ｏｅ、２４７０Ｏｅであ
った。

【００２７】上記の結果を基に、基板１に図２（ａ）に
示す直径２．５”の表面強化ガラスを用い、同じ成膜条
件の下、図２（ｂ）−（ｅ）に示すとおり、下地膜２と
してＣｒを３００ｎｍ、磁性膜３としてＣｏＣｒＰｔを
２０ｎｍ、保護膜４としてＣを１０ｎｍを順次形成し、
最後に潤滑膜１１を真空蒸着により形成した。真空蒸着
装置はスパッタリング成膜装置に隣接してあり、スパッ
タリング成膜装置により保護膜４としてＣを形成してか
ら、真空蒸着装置により潤滑膜１１を形成するまで試料
は真空雰囲気中に維持されている。図５に示す磁気記録
装置を用いて、作製した磁気記録媒体５１の電磁変換特
性を調べた。上記磁気記録装置には、記録用に電磁誘導
型の、また再生用に磁気抵抗効果型のヘッドが一体化し
た記録再生分離ヘッド５３が備えられている。周速１０
ｍ／秒、磁気ヘッド５３の浮上高さ８０ｎｍで、記録密
度１２０ｋＦＣＩまでの雑音を測定し、信号との強度を
比較したところ、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）３４ｄＢが得
られた。磁性膜３としてＣｏＣｒＰｔを１５ｎｍ有する
試料を同様に作製し、これを測定をしたところ、信号対
雑音比３６ｄＢが得られた。

【００２８】同様な結果が、下地膜２としてＣｒＴｉ、
ＣｒＶを形成した場合にも得られた。各試料の信号対雑
音比（Ｓ／Ｎ）を上記磁気記録装置を用いて測定したと
ころ、以下の結果を得た。

【００２９】下地膜材料信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）Ｃｒ₈₀Ｖ₂₀３４ｄＢＣｒ₈₇Ｔｉ₁₃３５ｄＢまた、同様な結果が、磁性膜３としてＣｏＣｒＰｔＴ
ａ、ＣｏＣｒＰｔＭｏ、ＣｏＣｒＰｔＮｂ、ＣｏＣｒＰ
ｔＮｉ、ＣｏＣｒＰｔＺｒ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２、Ｃ
ｏＣｒＰｔＳｉＮ、ＣｏＣｒＰｔＺｒＯ２、ＣｏＣｒＰ
ｔＳｉＣを用いた場合にも得られた。各試料の信号対雑
音比（Ｓ／Ｎ）を上記磁気記録装置を用いて測定したと
ころ、以下の結果を得た。

【００３０】磁性膜材料信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₈Ｔａ₂３４ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₇Ｍｏ₃３５ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₇Ｎｂ₃３０ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₇Ｎｉ₃３２ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₇Ｚｒ₃３３ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₄（ＳｉＯ２）₆３５ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₆（Ｓｉ₃Ｎ₄）₄３４ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₀（ＺｒＯ２）₁₀３４ｄＢ（Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃）₉₀（ＳｉＣ）₁₀３４ｄＢ本実施例では基板１として表面強化ガラスを用いたが、
他に例えばＳｉ基板、表面熱酸化Ｓｉ基板、ＡＰＯ基
板、カ−ボン基板、表面にＮｉＰが形成されたＡｌ合金
基板を用いても同様の結果が得られた。

【００３１】［実施例２］図６に平面図を示す磁気記録
媒体を、図７に示す製造工程に従って作製した。図６は
サ−ボ・パタ−ンのみが簡略化して示してあり、一部の
トラックにはデ−タに対応する再生専用メモリ（ＲＯ
Ｍ）・パタ−ンが形成されている。図８は、図６に示す
磁気記録媒体のＡ−Ａ断面図である。

【００３２】図７（ａ）に示す直径２．５”の表面を熱
酸化したＳｉ基板１に、図７（ｂ）に示すように下地膜
２としてＣｒ₈₇Ｔｉ₁₃を１００ｎｍ成膜し、一旦、大気
にさらした後、第二の下地膜５としてＣｒを５０ｎｍ成
膜した。その後、半導体素子等の製造プロセスで利用さ
れているフォトリソグラフィ−法により、サ−ボ領域２
０にパタ−ン露光し現像して、Ｃｒ第二の下地膜５を残
す領域にレジスト膜を残した。しかる後、フレオン系の
反応性イオンエッチング法で第二の下地膜５のＣｒを選
択的に５０ｎｍエッチングし、図７（ｃ）のように、所
望のパタ−ンを有するＣｒ第二の下地膜５を形成した。
その結果、記録トラックを横断して渦巻状に設けられて
いる複数個所のサ−ボ領域２０において、図６の円内に
拡大して示すように、クロック・パタ−ン２１、２２、
サ−ボ・パタ−ン２３、及びクロック・パタ−ン２４、
２５の部分で第二の下地膜５がなくなり下地膜２が表面
に現われた。本実施例では、クロック・パタ−ン２１、
２２、２４、２５の幅は２μｍとし、サ−ボ・パタ−ン
は幅２μｍ、長さ５μｍの長円形とした。ただし、これ
らの寸法あるいは個数は単なる例示のためのものであ
り、本発明を限定するものではない。その後、上記Ｃｒ
₈₇Ｔｉ₁₃下地膜２及びＣｒからなる第二の下地膜５を軽
くスパッタ・エッチングした後、Ｃｒ₈₇Ｔｉ₁₃下地膜
２、Ｃｒからなる第二の下地膜５と同じ成膜条件で、図
７（ｄ）−（ｆ）に示すように、磁性膜３としてＣｏ₇₄
Ｃｒ₁₃Ｐｔ₁₃を２０ｎｍ、保護膜４としてカ−ボンを１
０ｎｍ、最後に潤滑膜１１を形成した。磁気記録媒体と
同時に成膜した試験片を用い、第二の下地膜５が有る領
域と無い領域における磁性膜３の磁化曲線を測定したと
ころ、第二の下地膜５が無い領域では図９の実線に示す
ようになり、第二の下地膜５が有る領域では図９の破線
で示すようになった。

【００３３】このように第二の下地膜５のある領域と無
い領域とで、その上に形成された磁性膜の磁気特性が異
なる。二つの領域の保磁力の違いを利用して、始め磁性
膜３を強い磁界でＤＣ消磁し、次に極性を変えた小さい
磁界でＤＣ消磁すると図１０に示すように、第二の下地
膜５の有無に対応した磁区が形成される。

【００３４】従って、図１１（ａ）に実線で示すよう
に、記録トラック上に位置決めされた状態でサ−ボ領域
を通過すると、図１１（ｂ）のような検出信号が得られ
る。一方、図１１（ａ）に破線で示すように記録トラッ
クからずれた状態でサ−ボ領域を通過すると、そのずれ
方向とずれ量に応じて図１１（ｃ）に示すようなサ−−
ボ信号が発生する。磁気記録装置は、検出信号が図１１
（ｂ）に示すような波形に基づくように、磁気ヘッドの
トラック幅方向位置を制御し、磁気記録媒体に対する磁
気ヘッドの位置決めを行う。

【００３５】図１２にこの磁気記録装置の信号処理図を
示す。作製した前記磁気記録媒体５１を、図５に示す磁
気記録装置に組み込んだ。磁気記録媒体５１を、その極
性と大きさを変えたＤＣ磁界で２回消磁した。記録再生
分離ヘッド５３を用いてスペ−シング０．０７μｍ、周
速１０ｍ／秒で再生したところ、信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ）３０ｄＢで位置決め信号を得ることが出来た。この
条件で再生専用メモリ（ＲＯＭ）・パタ−ンが形成され
たトラック上に磁気ヘッドを位置決めしデ−タの再生を
試みたところ、パタ−ンに対応するデ−タが得られた。

【００３６】［実施例３］図１３は、本発明による磁気
記録媒体の他の実施例の、図８に相当する断面模式図で
ある。平面概略図は図６に示すとおりである。

【００３７】実施例２では、サ−ボ・信号を埋め込んだ
磁気記録媒体を第二の下地膜の有無により作製したが、
本実施例では基板表面にサ−ボ・パタ−ンに対応する凹
凸を形成することにより作製した。

【００３８】表面に凹凸を有する基板１をＡＰＯ（アモ
ルファス・ポリ・オレフィン：有機樹脂）を射出成型
することにより作製した。次に室温下で基板１上に、応
力緩和層１２としてＡｌを５０ｎｍ、下地膜２としてＣ
ｒ₈₇Ｔｉ₁₃を１００ｎｍ、磁性膜３としてＣｏ₇₀Ｃｒ₁₈
Ｐｔ₁₂を２０ｎｍ、保護膜としてＣを１０ｎｍ、最後に
潤滑膜を順次成膜した。

【００３９】形成された磁性膜３は、その磁気特性は一
様であるが、図１３に示す通り凹凸を有する。書き込み
用の磁気ヘッドから発生する磁界はその高さ（深さ）方
向に分布を持つため、弱い磁界を発生した場合には、磁
気記録媒体の磁気ヘッドからより離れた凹部を磁化する
ことなく、磁気ヘッドにより近い凸部のみを磁化するこ
とが出来る。

【００４０】作製した前記磁気記録媒体を、サイケスト
社（米国）より発売されている可換媒体型磁気記録装置
（型式：ＳＱ３２７０）のカ−トリッジに組込んだ。
前記磁気記録装置に図１２に示す信号処理回路を接続す
ることにより、作製した前記磁気記録媒体の電磁変換特
性を調べた。

【００４１】前記カ−トリッジを前記磁気記録装置に挿
入し、極性と大きさを変えたＤＣ磁界で２回消磁した
後、記録再生分離ヘッドを用いてスペ−シング０．０７
ｕｍ、周速１０ｍ／秒で再生したところ、Ｓ／Ｎ比２５
ｄＢで位置決め信号を得ることが出来た。この条件で再
生専用メモリ（ＲＯＭ）・パタ−ンが形成されたトラッ
ク上に磁気ヘッドを位置決めしデ−タの再生を試みたと
ころ、パタ−ンに対応するデ−タが得られた。

【００４２】

【発明の効果】ノイズが低く、高密度記録が可能な磁気
記録媒体が提供でき、これを用いた高密度記録が可能な
磁気記録装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の一実施例の一部断
面図である。

【図２】本発明による磁気記録媒体の一実施例の製造工
程図である。

【図３】本発明による磁気記録媒体のＸ線回折結果を示
す図である。

【図４】本発明による磁気記録媒体の断面の模式図であ
る。

【図５】本発明による磁気記録装置の概略図である。

【図６】本発明による磁気記録媒体の他の実施例の平面
図である。

【図７】本発明による磁気記録媒体の他の実施例の製造
工程図である。

【図８】本発明による磁気記録媒体の他の実施例の断面
図である。

【図９】本発明による磁気記録媒体の磁化曲線を示す線
図である。

【図１０】本発明による磁気記録媒体の磁化状態を示す
説明図である。

【図１１】本発明によるサ−ボ・パタ−ンとサ−ボ信号
を示す説明図である。

【図１２】本発明による磁気記録装置の信号処理図であ
る。

【図１３】本発明による磁気記録媒体の他の実施例の断
面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…下地膜、３…磁性膜、４…保護膜、５…
第二の下地膜、１１…潤滑膜、１２…応力緩和層、２０
…サ−ボ領域、２１、２２、２４、２５…クロック・パ
タ−ン、２３…サ−ボ・パタ−ン、５１…磁気記録媒
体、５２…磁気記録媒体駆動部、５３…磁気ヘッド、５
４…磁気ヘッド駆動部、５５…記録再生信号処理系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者二本正昭東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者赤城協東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者棚橋究東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板と、ＣｏとＣｒを少なくとも含
んだ磁性膜と、該基板と磁性膜との間に設けたＣｒを少
なくとも含んだ下地膜とを少なくとも有する磁気記録媒
体であり、前記磁性膜は、（１００）面が膜面に平行な
六方最密充填構造の結晶粒と（１０１）面が膜面に平行
な六方最密充填構造の結晶粒を少なくとも含み、かつ前
記（１００）面が膜面に平行な結晶粒と前記（１０１）
面が膜面に平行な結晶粒のＸ線回折のピ−ク強度比が
１：０．５以上１：５以下であることを特徴とする磁気
記録媒体。
【請求項２】前記磁気記録媒体は円板上であり、かつ前
記磁性膜は、膜面内の円周方向の保磁力と、半径方向の
保磁力の比が１．２以下であることを特徴とする請求項
１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記非磁性基板が有機樹脂であり、該基板
表面にサ−ボ・パタ−ンに対応する凹凸が形成されてい
ることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒
体。
【請求項４】前記磁性膜は、ＣｏＣｒＰｔ又はＣｏＣｒ
ＰｔＸ（Ｘ＝Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃
Ｎ₄、ＺｒＯ₂、ＳｉＣ）であり、かつＣｒ濃度が８ａｔ
％以上２０ａｔ％以下であり、かつＰｔ濃度が５ａｔ％
以上２０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１か
ら３までのいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記磁性膜は、膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下であり、かつ残留磁化と膜厚の積が５０Ｇａｕｓ
ｓ・ｕｍ以上３００Ｇａｕｓｓ・ｕｍ以下であることを
特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載の磁気
記録媒体。
【請求項６】前記下地膜は、Ｃｒ又はＣｒＸ（Ｘ＝Ｔｉ
又はＶ）であり、かつ前記下地膜の膜厚が３０ｎｍ以上
２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から５
までのいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】非磁性基板と、ＣｏとＣｒを少なくとも含
んだ磁性膜と、該基板と磁性膜との間に設けたＣｒを少
なくとも含んだ下地膜とを少なくとも有する磁気記録媒
体において、前記下地膜は、（１１０）面が膜面に平行
な体心立方構造の結晶粒と（２００）面が膜面に平行な
体心立方構造の結晶粒を少なくとも含み、かつ前記（１
１０）面が膜面に平行な結晶粒と前記（２００）面が膜
面に平行な結晶粒のＸ線回折のピ−ク強度比が１００：
０．５以上１００：１５以下であることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項８】非磁性基板と、ＣｏとＣｒを少なくとも含
んだ磁性膜と、該基板と磁性膜との間に設けたＣｒを少
なくとも含んだ下地膜とを少なくとも有する磁気記録媒
体であり、前記磁性膜は、（１００）面が膜面に平行な
六方最密充填構造の結晶粒と（１０１）面が膜面に平行
な六方最密充填構造の結晶粒を少なくとも含み、かつ前
記（１００）面が膜面に平行な結晶粒と前記（１０１）
面が膜面に平行な結晶粒のＸ線回折のピ−ク強度比が
１：０．５以上１：５以下である磁気記録媒体と、前記
磁気記録媒体を回転駆動する手段と、磁気ヘッドと、前
記磁気記録媒体に設けられたサ−ボ・パタ−ンによって
発生されるサ−ボ信号によって前記磁気ヘッドの位置を
制御する手段とを含むことを特徴とする磁気記録装置。