JPH0982502A - ヒーターユニット - Google Patents
ヒーターユニットInfo
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- JPH0982502A JPH0982502A JP23746495A JP23746495A JPH0982502A JP H0982502 A JPH0982502 A JP H0982502A JP 23746495 A JP23746495 A JP 23746495A JP 23746495 A JP23746495 A JP 23746495A JP H0982502 A JPH0982502 A JP H0982502A
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＴＣセラミック素子の電極層とリード線が
確実に接続された構造を有するヒーターユニットを提供
するものである。 【解決手段】 ヒーターユニットにおいて、ＰＴＣセラ
ミック素子の相対する面の片面もしくは両面に一対以上
の電極を設け、金属板の少なくとも一部が折り返された
折返部と前記金属板とで弾性挟持部が形成された板ばね
材にリード線を接続し、ＰＴＣセラミック素子の電極層
を板ばね材で弾性挟持することを特徴とする。板ばね材
で弾性挟持したＰＴＣセラミック素子は絶縁基板に張り
付けられる。
確実に接続された構造を有するヒーターユニットを提供
するものである。 【解決手段】 ヒーターユニットにおいて、ＰＴＣセラ
ミック素子の相対する面の片面もしくは両面に一対以上
の電極を設け、金属板の少なくとも一部が折り返された
折返部と前記金属板とで弾性挟持部が形成された板ばね
材にリード線を接続し、ＰＴＣセラミック素子の電極層
を板ばね材で弾性挟持することを特徴とする。板ばね材
で弾性挟持したＰＴＣセラミック素子は絶縁基板に張り
付けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＴＣセラミック
素子を利用したヒーターユニットに関する。
素子を利用したヒーターユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＰＴＣセラミック素子を組み
込んだヒーターユニットは、発熱装置の発熱体として利
用されている。図１４は従来のヒーターユニットの平面
図、図１５は図１４のヒーターユニットの電極層とリー
ド線との接合部の断面図で、ＰＴＣセラミック素子１の
表面にＡｇ等の電極層２を形成し、ヒーターユニットを
絶縁板３に接着剤７で接着し、電極層２へリード線４の
先端部をハンダ付け６あるいは導電性接着剤により接合
していた。
込んだヒーターユニットは、発熱装置の発熱体として利
用されている。図１４は従来のヒーターユニットの平面
図、図１５は図１４のヒーターユニットの電極層とリー
ド線との接合部の断面図で、ＰＴＣセラミック素子１の
表面にＡｇ等の電極層２を形成し、ヒーターユニットを
絶縁板３に接着剤７で接着し、電極層２へリード線４の
先端部をハンダ付け６あるいは導電性接着剤により接合
していた。
【０００３】図１６は実開昭６３ー７２８８５号公報記
載の発熱体ユニットの断面図で、同公報には、ＰＴＣセ
ラミック素子１、端子板２１をばね性金属２２でケース
２３内に押さえ込んでヒーターユニットを形成した構造
が提案されている。
載の発熱体ユニットの断面図で、同公報には、ＰＴＣセ
ラミック素子１、端子板２１をばね性金属２２でケース
２３内に押さえ込んでヒーターユニットを形成した構造
が提案されている。
【０００４】図１７は特開平４ー２８７３０１号公報記
載のヒーターユニットの断面図で、同公報には、ＰＴＣ
セラミック素子１の電極層２上に被覆された樹脂層１０
を傷つけないようにするため、ばね材５を開いた状態で
ＰＴＣセラミック素子１の電極層２を挟み、板ばね材５
の端部を溶接１１してＰＴＣセラミック素子１を弾力的
に挟みこむことが開示されている。
載のヒーターユニットの断面図で、同公報には、ＰＴＣ
セラミック素子１の電極層２上に被覆された樹脂層１０
を傷つけないようにするため、ばね材５を開いた状態で
ＰＴＣセラミック素子１の電極層２を挟み、板ばね材５
の端部を溶接１１してＰＴＣセラミック素子１を弾力的
に挟みこむことが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図１４ある
いは図１５に示すヒーターユニットは、加熱冷却が繰り
返されると、リード線の線材部、電極層、はんだ部の熱
膨張の差により、リード線の脱落や接触不良が起こり、
その結果、異常発熱や動作不良が起きたりすることがあ
った。
いは図１５に示すヒーターユニットは、加熱冷却が繰り
返されると、リード線の線材部、電極層、はんだ部の熱
膨張の差により、リード線の脱落や接触不良が起こり、
その結果、異常発熱や動作不良が起きたりすることがあ
った。
【０００６】また、図１６に示す実開昭６３ー７２８８
５号公報記載のヒーターユニットは、ケースカバー等が
必要となるため、ユニット全体が大きくなって、重量や
寸法制限のある用途には適していなかった。
５号公報記載のヒーターユニットは、ケースカバー等が
必要となるため、ユニット全体が大きくなって、重量や
寸法制限のある用途には適していなかった。
【０００７】さらに、図１７に示す特開平４ー２８７３
０１号公報記載のヒーターユニットの場合、ＰＴＣセラ
ミック素子１をばね材５で挟持した後、ばね材が開かな
いように溶接するため、ＰＴＣセラミック素子１を挟持
するための工数が多くなりコスト高となる欠点がある。
０１号公報記載のヒーターユニットの場合、ＰＴＣセラ
ミック素子１をばね材５で挟持した後、ばね材が開かな
いように溶接するため、ＰＴＣセラミック素子１を挟持
するための工数が多くなりコスト高となる欠点がある。
【０００８】そこで、本発明はＰＴＣセラミック素子の
電極層とリード線が確実に接続された構造を有するヒー
ターユニットを提供するものである。
電極層とリード線が確実に接続された構造を有するヒー
ターユニットを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒーターユニ
ットにおいて、ＰＴＣセラミック素子の相対する面の片
面もしくは両面に一対以上の電極を設け、金属板の少な
くとも一部が折り返された折返部と前記金属板とで弾性
挟持部が形成された板ばね材にリード線を接続し、ＰＴ
Ｃセラミック素子の電極層を板ばね材で弾性挟持するこ
とを特徴とする。板ばね材で弾性挟持したＰＴＣセラミ
ック素子は絶縁基板に張り付けられる。
ットにおいて、ＰＴＣセラミック素子の相対する面の片
面もしくは両面に一対以上の電極を設け、金属板の少な
くとも一部が折り返された折返部と前記金属板とで弾性
挟持部が形成された板ばね材にリード線を接続し、ＰＴ
Ｃセラミック素子の電極層を板ばね材で弾性挟持するこ
とを特徴とする。板ばね材で弾性挟持したＰＴＣセラミ
ック素子は絶縁基板に張り付けられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１はＰＴＣセラミック素子と接
続用板ばねとの接続を示す平面図、図２は板ばね材の斜
視図、図３はＰＴＣセラミック素子と絶縁板とを組み合
わせたヒーターユニットを示す平面図、図４はヒーター
ユニットの断面図であり、図１に示すように、薄板状の
ＰＴＣセラミック素子１には電極層２が形成されてい
る。
続用板ばねとの接続を示す平面図、図２は板ばね材の斜
視図、図３はＰＴＣセラミック素子と絶縁板とを組み合
わせたヒーターユニットを示す平面図、図４はヒーター
ユニットの断面図であり、図１に示すように、薄板状の
ＰＴＣセラミック素子１には電極層２が形成されてい
る。
【００１１】図２に示すように、ＰＴＣセラミック素子
１を挟持する板ばね５は、金属板５ａの一部を折り曲げ
て折返部５ｂと金属板５ａとにより略コの字形状の挟持
部５ｃが形成されている。折返部５ｂの先端には、間隙
を拡げるように立上部９を形成することにより、挟持部
５ｃの入口の間隙を拡げてセラミックをガイドし挟持し
やすくする。挟持部５ｃの反対側にはリード線接続部５
ｄが形成されている。
１を挟持する板ばね５は、金属板５ａの一部を折り曲げ
て折返部５ｂと金属板５ａとにより略コの字形状の挟持
部５ｃが形成されている。折返部５ｂの先端には、間隙
を拡げるように立上部９を形成することにより、挟持部
５ｃの入口の間隙を拡げてセラミックをガイドし挟持し
やすくする。挟持部５ｃの反対側にはリード線接続部５
ｄが形成されている。
【００１２】板ばね５が取り付けられたＰＴＣセラミッ
ク素子１は、図３及び図４に示すように、絶縁板３に張
り付けられ、ヒーターユニットに組み立てられる。
ク素子１は、図３及び図４に示すように、絶縁板３に張
り付けられ、ヒーターユニットに組み立てられる。
【００１３】前記ヒーターユニットについて、５分ＯＮ
ー１０分ＯＦＦの断続通電を５０００回行って加熱冷却
を繰り返したが、板ばね接続部の接触不良に伴う抵抗値
の変化や異常発熱は認められなかった。
ー１０分ＯＦＦの断続通電を５０００回行って加熱冷却
を繰り返したが、板ばね接続部の接触不良に伴う抵抗値
の変化や異常発熱は認められなかった。
【００１４】図５は両面に電極層２を有するＰＴＣセラ
ミックの斜視図、図６は板ばね材の斜視図、図７は本発
明によるヒーターユニットの断面図で、図５に示すよう
に、ブロック状のＰＴＣセラミック素子１は、相対する
両面に電極層２が形成されており、図６に示すように、
板ばね５は前記図２に示す板ばね５と同様に金属板５ａ
と折返部５ｂとにより挟持部５ｃが形成され、折返部５
ｂの先端には、間隙を拡げるように立上部９を形成さ
れ、挟持部５ｃの反対側にはリード線接続部５ｄが形成
されている。
ミックの斜視図、図６は板ばね材の斜視図、図７は本発
明によるヒーターユニットの断面図で、図５に示すよう
に、ブロック状のＰＴＣセラミック素子１は、相対する
両面に電極層２が形成されており、図６に示すように、
板ばね５は前記図２に示す板ばね５と同様に金属板５ａ
と折返部５ｂとにより挟持部５ｃが形成され、折返部５
ｂの先端には、間隙を拡げるように立上部９を形成さ
れ、挟持部５ｃの反対側にはリード線接続部５ｄが形成
されている。
【００１５】ＰＴＣセラミック素子１を板ばね５で弾性
挟持するにあたり、図７に示すように、板ばね５により
両面の電極層２が短絡しないように、各板ばね５の１電
極面に対して絶縁板３を介してＰＴＣセラミック素子１
を挟持しヒーターユニットを形成する。このヒーターユ
ニットについて前記と同様の断続試験を実施したが、抵
抗値の変化や異常発熱は認められなかった。
挟持するにあたり、図７に示すように、板ばね５により
両面の電極層２が短絡しないように、各板ばね５の１電
極面に対して絶縁板３を介してＰＴＣセラミック素子１
を挟持しヒーターユニットを形成する。このヒーターユ
ニットについて前記と同様の断続試験を実施したが、抵
抗値の変化や異常発熱は認められなかった。
【００１６】次に、各部材について説明すると、ＰＴＣ
セラミック素子１は０．１ｍｍ以上、好ましくは０．５
ｍｍ以上であると板ばねで挟持する際の破損が少ない。
セラミック素子１は０．１ｍｍ以上、好ましくは０．５
ｍｍ以上であると板ばねで挟持する際の破損が少ない。
【００１７】ＰＴＣセラミック素子１表面に形成する電
極層２は、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｎ等のオーミッ
ク性を持たせた電極単味あるいはカバー電極層により形
成する。
極層２は、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｎ等のオーミッ
ク性を持たせた電極単味あるいはカバー電極層により形
成する。
【００１８】ＰＴＣセラミック素子１を支持する絶縁板
３あるいは電極層２とばね材５との間に介在させる絶縁
板３の材質としては、アルミナ、マグネシア、窒化アル
ミニウム等が使用でき、できる限り熱伝導率の高いもの
が望ましい。
３あるいは電極層２とばね材５との間に介在させる絶縁
板３の材質としては、アルミナ、マグネシア、窒化アル
ミニウム等が使用でき、できる限り熱伝導率の高いもの
が望ましい。
【００１９】また、ＰＴＣセラミック素子と絶縁板間と
の接着剤はシリコン、エポキシ等の弾性接着剤が熱膨張
緩和の点からも望ましい。
の接着剤はシリコン、エポキシ等の弾性接着剤が熱膨張
緩和の点からも望ましい。
【００２０】板ばねの表面処理は、Ｎｉめっきの他に使
用環境、使用ＰＴＣセラミック素子の特性によってＡ
ｕ、Ａｇ等の貴金属めっきとすることもできる。
用環境、使用ＰＴＣセラミック素子の特性によってＡ
ｕ、Ａｇ等の貴金属めっきとすることもできる。
【００２１】板ばねの材質は、ＳＵＳ３０４の他にＳＵ
Ｓ４３０，３０１、リン青銅等が使用できるが、高温多
湿下の試験においては、ＳＵＳ製が最も耐久性が長く、
表面温度が２２０°Ｃの使用下において、大きな出力変
化がほとんど見られなかった。
Ｓ４３０，３０１、リン青銅等が使用できるが、高温多
湿下の試験においては、ＳＵＳ製が最も耐久性が長く、
表面温度が２２０°Ｃの使用下において、大きな出力変
化がほとんど見られなかった。
【００２２】なお、板ばねとリード線の半田部におい
て、ヒーターユニットの加熱温度よりも半田の軟化点が
低い場合は、カシメ、溶接等その他の接合手段を用い
る。
て、ヒーターユニットの加熱温度よりも半田の軟化点が
低い場合は、カシメ、溶接等その他の接合手段を用い
る。
【００２３】板厚が０．４ｍｍ以上の板ばねでＰＴＣセ
ラミック素子を挟持したところ、ＰＴＣセラミック素子
の割れ、電極の損傷が見られる場合があるので、ＰＴＣ
セラミック素子の厚さ、ばねの強さあるいは形状等は適
正に設計する必要がある。板ばねの圧縮強さは電極幅に
対して５Ｎ／ｍｍ〜２０Ｎ／ｍｍの範囲にすることが望
ましく、５Ｎ／ｍｍより小さい圧縮強さであると接触抵
抗が大きくなりすぎるという欠点があり、２０Ｎ／ｍｍ
より大きな圧縮強さの場合、ＰＴＣセラミック素子の破
損を招いたり、電極層の損傷が起きたりすることがあ
る。
ラミック素子を挟持したところ、ＰＴＣセラミック素子
の割れ、電極の損傷が見られる場合があるので、ＰＴＣ
セラミック素子の厚さ、ばねの強さあるいは形状等は適
正に設計する必要がある。板ばねの圧縮強さは電極幅に
対して５Ｎ／ｍｍ〜２０Ｎ／ｍｍの範囲にすることが望
ましく、５Ｎ／ｍｍより小さい圧縮強さであると接触抵
抗が大きくなりすぎるという欠点があり、２０Ｎ／ｍｍ
より大きな圧縮強さの場合、ＰＴＣセラミック素子の破
損を招いたり、電極層の損傷が起きたりすることがあ
る。
【００２４】図８はＰＴＣセラミック素子が歪んだ状態
を示す図、図９は本発明の板ばね５の別の実施例の斜視
図で、板ばねの形状については、図２に示す板ばね５の
ように、折返部５ｂを２分割することによって、図８に
示すようにＰＴＣセラミック素子１が歪み、反り等の変
形が発生した場合でも、それぞれの折返部が独立して動
くので、反りが吸収され、ＰＴＣセラミックに与える損
傷を抑えることができ、確実に給電することができる。
折返部５ｂの分割は、図９に示すように、２以上の複数
分割することもできる。
を示す図、図９は本発明の板ばね５の別の実施例の斜視
図で、板ばねの形状については、図２に示す板ばね５の
ように、折返部５ｂを２分割することによって、図８に
示すようにＰＴＣセラミック素子１が歪み、反り等の変
形が発生した場合でも、それぞれの折返部が独立して動
くので、反りが吸収され、ＰＴＣセラミックに与える損
傷を抑えることができ、確実に給電することができる。
折返部５ｂの分割は、図９に示すように、２以上の複数
分割することもできる。
【００２５】図１０は板ばねのさらに別の実施例の斜視
図、図１１は図１０の板ばねを用いたヒーターユニット
の接続部の断面図で、板ばねの折返部５ｂに複数の突起
８を形成することにより、図１１に示すように数か所の
点接触で給電を行えるようにすることで、単位面積当た
りの電流値を小さくし、アーク等による損傷を防ぐこと
ができる。
図、図１１は図１０の板ばねを用いたヒーターユニット
の接続部の断面図で、板ばねの折返部５ｂに複数の突起
８を形成することにより、図１１に示すように数か所の
点接触で給電を行えるようにすることで、単位面積当た
りの電流値を小さくし、アーク等による損傷を防ぐこと
ができる。
【００２６】図１２はヒーターユニットの底面をフラッ
トにする板ばねの断面図で、絶縁材を介在させない片方
のばね材の板厚を大きくし、ユニット底面をフラットに
して熱効率を高めることができる。
トにする板ばねの断面図で、絶縁材を介在させない片方
のばね材の板厚を大きくし、ユニット底面をフラットに
して熱効率を高めることができる。
【００２７】また、図１３はヒーターユニットの底面を
フラットにするＰＴＣセラミック素子の断面図で、ＰＴ
Ｃセラミック素子に段差を設けることで、底面をフラッ
トにすることができるので、より一層熱効率を高めるこ
とができる。
フラットにするＰＴＣセラミック素子の断面図で、ＰＴ
Ｃセラミック素子に段差を設けることで、底面をフラッ
トにすることができるので、より一層熱効率を高めるこ
とができる。
【００２８】さらに、図１８もヒーターユニットの底面
をフラットにするＰＴＣセラミック素子の断面図で、Ｐ
ＴＣセラミック素子の電極層２を互い違いに形成するこ
とで、底面をフラットにすることができる。
をフラットにするＰＴＣセラミック素子の断面図で、Ｐ
ＴＣセラミック素子の電極層２を互い違いに形成するこ
とで、底面をフラットにすることができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の効果は次のとおりである。
【００３０】（１） クリップ形状のばね性を持たせた
電極板にしているため、従来から用いられてきたばねで
押さえる充電構成に比べ、外側のケースも不要となり、
組立てが簡略化され、部品点数が少なく、軽量且つ低コ
ストにすることができる。
電極板にしているため、従来から用いられてきたばねで
押さえる充電構成に比べ、外側のケースも不要となり、
組立てが簡略化され、部品点数が少なく、軽量且つ低コ
ストにすることができる。
【００３１】（２） 本発明の構成によれば、簡単且つ
確実に充電部を形成することができ、長期耐久性に優れ
ている。
確実に充電部を形成することができ、長期耐久性に優れ
ている。
【図１】本発明によるＰＴＣセラミック素子と接続用板
ばねとの接続を示す平面図。
ばねとの接続を示す平面図。
【図２】図１の接続用板ばね材の斜視図。
【図３】図１のＰＴＣセラミック素子を絶縁板に張り付
けたユニットを示す平面図。
けたユニットを示す平面図。
【図４】図３に示すユニットの断面図。
【図５】両面に電極層を有するＰＴＣセラミック素子の
斜視図。
斜視図。
【図６】本発明による板ばね材の斜視図。
【図７】本発明によるヒーターユニットの断面図。
【図８】ＰＴＣセラミック素子が歪んだ状態を示す図。
【図９】本発明による複数分割折返部を有する板ばねの
斜視図。
斜視図。
【図１０】本発明による折返部に突起を有する板ばねの
斜視図。
斜視図。
【図１１】図１０の板ばねを用いたヒーターユニットの
接続部の断面図。
接続部の断面図。
【図１２】ヒーターユニットの底面をフラットにする板
ばねの断面図。
ばねの断面図。
【図１３】ヒーターユニットの底面をフラットにするＰ
ＴＣセラミック素子の断面図。
ＴＣセラミック素子の断面図。
【図１４】従来のヒーターユニットの平面図。
【図１５】図１４のヒーターユニットの電極層とリード
線との接合部の断面図。
線との接合部の断面図。
【図１６】従来のヒーターユニットの断面図。
【図１７】従来のヒーターユニットの断面図。
【図１８】ヒーターユニットの底面をフラットにするＰ
ＴＣセラミック素子の断面図。
ＴＣセラミック素子の断面図。
１ ＰＴＣセラミック素子、 ２ 電極層、 ３ 絶縁
板、 ４ リード線、５ 板ばね、 ５ａ 金属板、
５ｂ 折返部、 ５ｃ 挟持部、 ５ｄ リード線接続
部、 ６ はんだ、 ７ 接着剤、 ８ 突起、 ９
立上部、 １０ 樹脂層、 １１ 溶接部、 ２１ 端
子板、 ２２ ばね性金属、 ２３ケース
板、 ４ リード線、５ 板ばね、 ５ａ 金属板、
５ｂ 折返部、 ５ｃ 挟持部、 ５ｄ リード線接続
部、 ６ はんだ、 ７ 接着剤、 ８ 突起、 ９
立上部、 １０ 樹脂層、 １１ 溶接部、 ２１ 端
子板、 ２２ ばね性金属、 ２３ケース
Claims (6)
- 【請求項１】 ＰＴＣセラミック素子の相対する面の片
面もしくは両面に一対以上の電極を設け、金属板の少な
くとも一部が折り返された折返部と前記金属板とで弾性
挟持部が形成された板ばね材にリード線を接続し、ＰＴ
Ｃセラミック素子の電極層を板ばね材で弾性挟持したこ
とを特徴とするヒーターユニット。 - 【請求項２】 板ばね材で弾性挟持したＰＴＣセラミッ
ク素子を絶縁基板に張り付けたことを特徴とする請求項
１記載のヒーターユニット。 - 【請求項３】 板ばね材がステンレス鋼製であることを
特徴とする請求項１又は２記載のヒーターユニット。 - 【請求項４】 板ばね材の圧縮強さが電極幅に対して５
〜２０Ｎ／ｍｍであることを特徴とする請求項１、２又
は３記載のヒーターユニット。 - 【請求項５】 板ばね材の折返部が少なくとも３分割さ
れており、折返部が少なくとも２個以上であることを特
徴とする請求項１、２、３又は４記載のヒーターユニッ
ト。 - 【請求項６】 板ばね材の折返部の先端が折返部と逆方
向に折り返されていることを特徴とする請求項１、２、
３、４又は５記載のヒーターユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23746495A JPH0982502A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | ヒーターユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23746495A JPH0982502A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | ヒーターユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982502A true JPH0982502A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17015731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23746495A Pending JPH0982502A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | ヒーターユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982502A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001517371A (ja) * | 1997-03-27 | 2001-10-02 | リッテルフューズ，インコーポレイティド | リセット可能な自動回路保護装置 |
| GB2605629A (en) * | 2021-04-08 | 2022-10-12 | Dyson Technology Ltd | A heater |
| CN115885352A (zh) * | 2020-12-17 | 2023-03-31 | Tdk电子股份有限公司 | 传感器装置以及用于生产传感器装置的方法 |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23746495A patent/JPH0982502A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001517371A (ja) * | 1997-03-27 | 2001-10-02 | リッテルフューズ，インコーポレイティド | リセット可能な自動回路保護装置 |
| CN115885352A (zh) * | 2020-12-17 | 2023-03-31 | Tdk电子股份有限公司 | 传感器装置以及用于生产传感器装置的方法 |
| JP2023554353A (ja) * | 2020-12-17 | 2023-12-27 | テーデーカー エレクトロニクス アーゲー | センサ構成およびセンサ構成を製造する方法 |
| CN115885352B (zh) * | 2020-12-17 | 2025-12-12 | Tdk电子股份有限公司 | 传感器装置以及用于生产传感器装置的方法 |
| US12560489B2 (en) | 2020-12-17 | 2026-02-24 | Tdk Electronics Ag | Sensor arrangement and method for producing a sensor arrangement |
| GB2605629A (en) * | 2021-04-08 | 2022-10-12 | Dyson Technology Ltd | A heater |
| GB2605629B (en) * | 2021-04-08 | 2024-10-02 | Dyson Technology Ltd | A heater |
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