JPH0982587A - 非方形電子チップの製造方法 - Google Patents
非方形電子チップの製造方法Info
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- JPH0982587A JPH0982587A JP25674995A JP25674995A JPH0982587A JP H0982587 A JPH0982587 A JP H0982587A JP 25674995 A JP25674995 A JP 25674995A JP 25674995 A JP25674995 A JP 25674995A JP H0982587 A JPH0982587 A JP H0982587A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】六方晶あるいは三方晶基板に電子装置を集積し
たウェーハから高品質の電子チップを切り出す。 【解決手段】六方晶あるいは三方晶基板のａ面に沿って
非方形の電子チップを切り出す。
たウェーハから高品質の電子チップを切り出す。 【解決手段】六方晶あるいは三方晶基板のａ面に沿って
非方形の電子チップを切り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、六方晶電子チップある
いは三方晶電子チップの製造方法に関し、詳しくは電子
装置を集積したウェーハの切断、分離あるいはペレッタ
イズの方法および該方法を用いて切り出した非方形電子
チップと非方形電子チップを使った電子部品に関する。
なお、本発明は六方晶電子チップあるいは三方晶電子チ
ップの双方に適用できる。以下において、説明の便宜上
一方についてのみ説明をした場合でも、特にことわらな
い限りその説明は六方晶電子チップと三方晶電子チップ
の双方に適用しうるもである。
いは三方晶電子チップの製造方法に関し、詳しくは電子
装置を集積したウェーハの切断、分離あるいはペレッタ
イズの方法および該方法を用いて切り出した非方形電子
チップと非方形電子チップを使った電子部品に関する。
なお、本発明は六方晶電子チップあるいは三方晶電子チ
ップの双方に適用できる。以下において、説明の便宜上
一方についてのみ説明をした場合でも、特にことわらな
い限りその説明は六方晶電子チップと三方晶電子チップ
の双方に適用しうるもである。
【０００２】
【技術背景】図１に示すように、多くの半導体装置、電
気光学装置あるいは微小光学装置等（以下総称して電子
装置１という）はウェーハ工程において適切な基板２上
にその多数が一括形成される。つぎに、これら電子装置
１は処理済みのウェーハ３を適切な方法で切断すること
により、分離された電子チップ１０としてとりだされて
組み立て工程に移され部品として完成する。この切断、
分離工程あるいはペレッタイズ工程（以下切り出し工
程）には図１のＣに示すダイシングの外にスクライビン
グやへき開、裂開などが含まれる。この場合、ウェーハ
３はキャリア４に取り付けられた粘着テープ５に張りつ
けられて固定されたのち、ブレード６によって切断され
る。
気光学装置あるいは微小光学装置等（以下総称して電子
装置１という）はウェーハ工程において適切な基板２上
にその多数が一括形成される。つぎに、これら電子装置
１は処理済みのウェーハ３を適切な方法で切断すること
により、分離された電子チップ１０としてとりだされて
組み立て工程に移され部品として完成する。この切断、
分離工程あるいはペレッタイズ工程（以下切り出し工
程）には図１のＣに示すダイシングの外にスクライビン
グやへき開、裂開などが含まれる。この場合、ウェーハ
３はキャリア４に取り付けられた粘着テープ５に張りつ
けられて固定されたのち、ブレード６によって切断され
る。
【０００３】この分離工程では、切断面が一様で在るこ
とが望ましい。不測の欠けや亀裂が生じると半導体装置
の歩留まりの低下や動作不良などの信頼性の低下が結果
する。このような望ましくない結果を避けるためウェー
ハ上で半導体装置の周辺に余裕を多くとれば、ウェーハ
当たりの半導体装置の数が減少し、それを用いた部品の
価格は高騰する。
とが望ましい。不測の欠けや亀裂が生じると半導体装置
の歩留まりの低下や動作不良などの信頼性の低下が結果
する。このような望ましくない結果を避けるためウェー
ハ上で半導体装置の周辺に余裕を多くとれば、ウェーハ
当たりの半導体装置の数が減少し、それを用いた部品の
価格は高騰する。
【０００４】従来、切り出された電子チップは方形、即
ち矩形や長方形の外形を有していた。ところが、近年種
々の基板が種々の電子素装置の集積に用いられてきた。
たとえば、日本国特許願平成７年第２３４５２号の明細
書に記載のInGaN,GaN,AlGaN,BGaN,BAlN,BGaInN等のIII-
N系半導体で構成したレーザやLED（発光ダイオード）を
SiC（シリコンカーバイド）基板やAl2O3(サファイア)基
板ZnS基板等に集積することが考えられてきた。
ち矩形や長方形の外形を有していた。ところが、近年種
々の基板が種々の電子素装置の集積に用いられてきた。
たとえば、日本国特許願平成７年第２３４５２号の明細
書に記載のInGaN,GaN,AlGaN,BGaN,BAlN,BGaInN等のIII-
N系半導体で構成したレーザやLED（発光ダイオード）を
SiC（シリコンカーバイド）基板やAl2O3(サファイア)基
板ZnS基板等に集積することが考えられてきた。
【０００５】これらの基板は図２のＣに結晶構造を示す
六方晶系や図２のA,Bに示すサファイア等の三方晶系の
結晶である。そして上記レーザ、LED等の電子装置はこ
れらの基板のｃ面上に集積される。そのため、矩形や長
方形の電子チップを切り出そうとすると、電子チップの
側面のうち一方の対をなす２側面は基板のa面に沿った
もの（即ち、a面に平行な面）にできるがもう一方の対
をなす２側面はa面に沿ったものとはならずa面と交差す
る。そのため、a面と交差する側面は一様でなく、上記
の不測の欠けや亀裂が生じやすい。その範囲は典型的に
は数１０から数１００μｍである。
六方晶系や図２のA,Bに示すサファイア等の三方晶系の
結晶である。そして上記レーザ、LED等の電子装置はこ
れらの基板のｃ面上に集積される。そのため、矩形や長
方形の電子チップを切り出そうとすると、電子チップの
側面のうち一方の対をなす２側面は基板のa面に沿った
もの（即ち、a面に平行な面）にできるがもう一方の対
をなす２側面はa面に沿ったものとはならずa面と交差す
る。そのため、a面と交差する側面は一様でなく、上記
の不測の欠けや亀裂が生じやすい。その範囲は典型的に
は数１０から数１００μｍである。
【０００６】
【発明の概要】本発明では、六方晶系あるいは三方晶系
基板を備えたウェーハから切り出された電子チップの側
面を、a面に沿ったものとすることにより、上記電子チ
ップの切り出しに伴う欠けや亀裂、内部歪みの増大を低
減する。すべての側面をa面に沿ったものとするので、
チップの外形は方形とはならない、即ち非方形である。
基板を備えたウェーハから切り出された電子チップの側
面を、a面に沿ったものとすることにより、上記電子チ
ップの切り出しに伴う欠けや亀裂、内部歪みの増大を低
減する。すべての側面をa面に沿ったものとするので、
チップの外形は方形とはならない、即ち非方形である。
【０００７】
【発明の実施例】図３においてウェーハ３０はサファイ
ア基板上にGaInN/AlGaN青色LED（紫色~緑色発光）を従
来のプロセスで作成したものである。各LEDは、基板のa
面に沿う多数の切り出し線３１、３２、３３によって区
画された多数の三角形状領域３４のそれぞれに形成され
た（図３のＡ）。ウェーハ３０をそれら切り出し線に沿
って切断し三角形状領域３４を備えた三角柱状のLEDチ
ップ３５(拡大して表示してある）が多数得られる（図
３のＢ）。三角形状領域３４には六角柱を成すLED素子
３６が形成され、チップの頂点近傍のｎ型領域には電極
３７が設けられている。素子領域３６の頂上のｐ型領域
にも電極３８が設けられ、電極領域３７、３８からLED
に駆動電流を供給する。基板方向に発光した光が放射さ
れる。六角柱を成すLED素子３６の外形もa面に沿ったも
のとできる。
ア基板上にGaInN/AlGaN青色LED（紫色~緑色発光）を従
来のプロセスで作成したものである。各LEDは、基板のa
面に沿う多数の切り出し線３１、３２、３３によって区
画された多数の三角形状領域３４のそれぞれに形成され
た（図３のＡ）。ウェーハ３０をそれら切り出し線に沿
って切断し三角形状領域３４を備えた三角柱状のLEDチ
ップ３５(拡大して表示してある）が多数得られる（図
３のＢ）。三角形状領域３４には六角柱を成すLED素子
３６が形成され、チップの頂点近傍のｎ型領域には電極
３７が設けられている。素子領域３６の頂上のｐ型領域
にも電極３８が設けられ、電極領域３７、３８からLED
に駆動電流を供給する。基板方向に発光した光が放射さ
れる。六角柱を成すLED素子３６の外形もa面に沿ったも
のとできる。
【０００８】図４においてウェーハ４０はウェーハ３０
と同様にサファイア基板上にGaInN/AlGaN青色LED（紫色
~緑色発光）を従来のプロセスで作成したものである。
各LEDは、基板のa面に沿う多数の切り出し線４１、４
２、４３によって区画された多数の六角形状領域４４の
それぞれに形成された。ウェーハ４０をそれら切り出し
線に沿って切断し六角形状領域４４を備えた六角柱状の
LEDチップ４５が多数得られる。
と同様にサファイア基板上にGaInN/AlGaN青色LED（紫色
~緑色発光）を従来のプロセスで作成したものである。
各LEDは、基板のa面に沿う多数の切り出し線４１、４
２、４３によって区画された多数の六角形状領域４４の
それぞれに形成された。ウェーハ４０をそれら切り出し
線に沿って切断し六角形状領域４４を備えた六角柱状の
LEDチップ４５が多数得られる。
【０００９】図５においてウェーハ５０はサファイア基
板上にGaInN/AlInNストライプ型レーザを従来のプロセ
スで作成したものである（前掲日本国特許願平成７年第
２３４５２号の明細書参照）。各レーザは、基板のa面
に沿う多数の切り出し線５１とa面に沿う多数のへき開
線５２によって区画された多数の菱形状領域５４のそれ
ぞれに形成される。一つの菱形状領域５４内でレーザの
共振器を構成する部分５３は、相対するへき開線５２を
橋絡するように設けられ、それらへき開線に垂直に交わ
りつつ隣接する菱形状領域５４へ少しはみ出している。
板上にGaInN/AlInNストライプ型レーザを従来のプロセ
スで作成したものである（前掲日本国特許願平成７年第
２３４５２号の明細書参照）。各レーザは、基板のa面
に沿う多数の切り出し線５１とa面に沿う多数のへき開
線５２によって区画された多数の菱形状領域５４のそれ
ぞれに形成される。一つの菱形状領域５４内でレーザの
共振器を構成する部分５３は、相対するへき開線５２を
橋絡するように設けられ、それらへき開線に垂直に交わ
りつつ隣接する菱形状領域５４へ少しはみ出している。
【００１０】切り出し工程ではまずへき開線５２に沿っ
てウェーハ５０をへき開し、多数の細長い短冊５５を切
り出す。ついで切り出し線５１に沿って短冊５５を切断
しレーザチップ５６を得る。へき開で得られたチップの
側面はレーザ共振器の鏡面となり、レーザ光を出力す
る。切り出す工程の順を逆にしてへき開線５２に沿った
へき開を後にすることもできるが、上記の順がより好ま
しい。
てウェーハ５０をへき開し、多数の細長い短冊５５を切
り出す。ついで切り出し線５１に沿って短冊５５を切断
しレーザチップ５６を得る。へき開で得られたチップの
側面はレーザ共振器の鏡面となり、レーザ光を出力す
る。切り出す工程の順を逆にしてへき開線５２に沿った
へき開を後にすることもできるが、上記の順がより好ま
しい。
【００１１】以上の説明は、説明の便宜上物理的寸法や
領域の数が実際とは異なるが、当業者が本発明を理解す
るための障害とはならないと考えられる。また、本発明
はLEDやレーザへの使用に限定されず、結晶基板に集積
されるその他の電気素子、微小光学素子、微小機械素子
等にも有効に使用できる。
領域の数が実際とは異なるが、当業者が本発明を理解す
るための障害とはならないと考えられる。また、本発明
はLEDやレーザへの使用に限定されず、結晶基板に集積
されるその他の電気素子、微小光学素子、微小機械素子
等にも有効に使用できる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の実施によりチップの切り出しに
伴う欠けや亀裂、内部歪みが低減され、電子部品等の性
能と信頼性が向上する。また、切り出しのための余裕を
少なくできるので、ウェーハ当たりのチップ数を多くで
きるので、電子部品等のコストの低減がなされる。特
に、直径５mm以下のチップを切り出す場合には効果が顕
著である。
伴う欠けや亀裂、内部歪みが低減され、電子部品等の性
能と信頼性が向上する。また、切り出しのための余裕を
少なくできるので、ウェーハ当たりのチップ数を多くで
きるので、電子部品等のコストの低減がなされる。特
に、直径５mm以下のチップを切り出す場合には効果が顕
著である。
【図１】従来技術によるウェーハの平面図（A）と正面
図（Ｂ）とを含むウェーハ切り出し工程を説明するため
の図である。
図（Ｂ）とを含むウェーハ切り出し工程を説明するため
の図である。
【図２】六方晶系（Ｃ）やサファイア等の三方晶系（A,
B）の結晶構造を示す説明図である。
B）の結晶構造を示す説明図である。
【図３】三角柱LEDチップを切り出す本発明の第一の実
施例を説明するための図である。
施例を説明するための図である。
【図４】六角柱LEDチップを切り出す本発明の第ニの実
施例を説明するための図である。
施例を説明するための図である。
【図５】菱形柱レーザチップを切り出す本発明の第三の
実施例を説明するための図である。
実施例を説明するための図である。
３０、４０、５０ ウェーハ ３１、３２、３３、４１、４２、４３、５１ 切り出し
線 ３７、３８ 電極 ５２ へき開線 ３５、４５ LEDチップ ５５ 短冊 ５６ レーザチップ
線 ３７、３８ 電極 ５２ へき開線 ３５、４５ LEDチップ ５５ 短冊 ５６ レーザチップ
Claims (4)
- 【請求項１】 六方晶あるいは三方晶結晶基板上に一つ
あるいは複数の電子装置を集積してなるウェーハを用意
し、該ウェーハを前記結晶基板のa面に沿って切断する
ことにより少なくとも一つの前記電子装置と該電子装置
を搭載する前記結晶基板とからなる電子チップを得るこ
とを含む非方形電子チップの製造方法。 - 【請求項２】 前記電子チップの直径が約５ｍｍ以下で
あることを特徴とする請求項１に記載の非方形電子チッ
プの製造方法。 - 【請求項３】 前記電子チップの外形が３角形か６角形
か菱形かのいずれかである請求項１に記載の非方形電子
チップの製造方法。 - 【請求項４】 前記電子チップが紫色~緑色発光のIII-N
系発光ダイオードである請求項３に記載の非方形六方晶
電子チップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25674995A JPH0982587A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 非方形電子チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25674995A JPH0982587A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 非方形電子チップの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982587A true JPH0982587A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17296917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25674995A Ceased JPH0982587A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 非方形電子チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982587A (ja) |
Cited By (30)
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-
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- 1995-09-08 JP JP25674995A patent/JPH0982587A/ja not_active Ceased
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